JP4771730B2 - 結像性能の最適化方法 - Google Patents
結像性能の最適化方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4771730B2 JP4771730B2 JP2005112320A JP2005112320A JP4771730B2 JP 4771730 B2 JP4771730 B2 JP 4771730B2 JP 2005112320 A JP2005112320 A JP 2005112320A JP 2005112320 A JP2005112320 A JP 2005112320A JP 4771730 B2 JP4771730 B2 JP 4771730B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- field
- projection
- projection exposure
- imaging
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B27/00—Photographic printing apparatus
- G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
- G03B27/52—Details
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
フィールドを、第1のフィールド寸法と、投影露光システムによって露光可能な最大フィールド内の第1の位置とを有する第1の露光フィールドに設定することと、
投影光学系の光学パラメータを、第1の露光フィールド内の結像性能が第1の実質的に最適な性能となるように第1の設定に設定することと、
フィールドを、第1のフィールド寸法とは異なる第2のフィールド寸法または/および第1の位置とは異なる、投影露光システムによって露光可能な最大フィールド内の第2の位置を有する第2の露光フィールドに変更することと、
投影光学系の光学パラメータを、第2の露光フィールド内の結像性能が第2の実質的に最適な性能となるように第2の設定に変更することとを含み、
第2の設定における第2の露光フィールド内の結像性能が、第1の設定における第2の露光フィールド内の結像性能よりも優れている方法を提供する。
パターニング構造の第1のサブ領域は、基板平面内の対応するフィールド内の対応する第1のサブフィールド上に結像される投影露光システムであり、
該方法は、
フィールドを、フィールド寸法を有する露光フィールドであって、該フィールド寸法とは異なる第1のサブフィールド寸法と該露光フィールド内の第1のサブフィールド位置とを有する第1のサブフィールドを含む露光フィールドに設定することと、
投影光学系の光学パラメータを、
第1のサブフィールド内の結像性能が、第1の結像特性に関して実質的に最適な性能となり、
第1の結像特性に関する結像性能が、第1のサブフィールド内において、第1のサブフィールドの外側に位置する露光フィールド内の部位内における結像性能よりも優れているような設定に設定することとを含む方法を提供する。
(数1)
フィールドを、フィールド寸法を有する露光フィールドであって、フィールド寸法とは異なる第1のサブフィールド寸法と該露光フィールド内の第1のサブフィールド位置を有する第1のサブフィールドとを含む露光フィールドに設定することと、
投影光学系の光学パラメータを、
第1のサブフィールド内の結像性能量が、第1の結像特性に関して第1の性能条件を満たし、
第1の結像特性に関する結像性能量が、第1のサブフィールド内において、第1のサブフィールドの外側に位置する露光フィールド内の部位内における結像性能量よりも優れている方法を提供する。
Claims (64)
- 投影露光システムの結像性能を最適化する方法であって、
前記投影露光システムは、パターニング構造を照明するための光源を含む照明光学系と、前記照明されたパターニング構造の領域を基板平面内の対応するフィールド上に結像するための投影光学系とを含み、
該方法は、
前記フィールドを、第1のフィールド寸法と、前記投影露光システムによって露光可能な最大フィールド内の第1の位置とを有する第1の露光フィールドに設定することと、
前記投影光学系の光学パラメータを、前記第1の露光フィールド内の結像性能が第1の実質的に最適な性能となるように第1の設定に設定することと、
前記フィールドを、前記第1のフィールド寸法とは異なる第2のフィールド寸法または/および前記第1の位置とは異なる、前記投影露光システムによって露光可能な前記最大フィールド内の第2の位置を有する第2の露光フィールドに変更することと、
前記投影光学系の光学パラメータを、前記第2の露光フィールド内の結像性能が第2の実質的に最適な性能となるように第2の設定に変更することとを含み、
前記第2の設定における前記第2の露光フィールド内の結像性能が、前記第1の設定における前記第2の露光フィールド内の結像性能よりも優れている方法。 - 前記第1および第2の露光フィールド内の結像性能が、各フィールド内の複数の位置での少なくとも1つの結像特性に基づいて決定される請求項1に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの結像特性が、収差、均一性、テレセントリック性、透過率、照明効率および偏光からなる群から選択される請求項2に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの結像特性を測定することと、前記少なくとも1つの測定された結像特性に基づいて前記光学パラメータを決定することとをさらに含む請求項2または3の1つに記載の方法。
- 複数の第2のフィールド寸法または/および位置に対する複数の第2の設定用に光学パラメータを決定することと、前記第2のフィールド寸法または/および位置に関連する前記複数の第2の設定の光学パラメータを格納することとをさらに含む請求項1から4の1つに記載の方法。
- 前記第2のフィールド寸法または/および位置に基づく、複数の格納された光学パラメータに基づいて前記第2の設定の光学パラメータを決定することをさらに含む請求項5に記載の方法。
- 前記格納された光学パラメータが、前記少なくとも1つの測定された結像特性に基づいて決定されたものである請求項6に記載の方法。
- 前記光学パラメータの変更が、前記パターニング構造の位置を変更すること、前記基板の位置を変更すること、前記投影露光システムの隣接する光学素子間のボリューム(volume)における気体圧力を変更すること、前記投影露光システムの隣接する光学素子間のボリュームにおける屈折率を変更すること、前記パターニング構造を照明する光の波長を変更すること、前記投影露光システムの光学素子を前記投影露光システムの他の光学素子に対して変位させること、前記投影露光システムの光学素子を変形させること、前記投影露光システムの光学素子の透過特性を変更すること、前記投影露光システムの光学素子を別の光学素子と交換すること、および前記投影露光システムに設けられた絞りの開口を変更することのうちの少なくとも1つを含む請求項1から7の1つに記載の方法。
- 前記第1および第2の露光フィールドが、露光した基板から形成される小型製品の製造工程において基板を露光するために用いられる請求項1から8の1つに記載の方法。
- 前記投影露光システムの光軸が、前記第1または/および第2の露光フィールドの外側で基板平面と交わる請求項1から9の1つに記載の方法。
- 投影露光システムの結像性能を最適化する方法であって、
前記投影露光システムは、パターニング構造を照明するための光源を含む照明光学系と、
前記照明されたパターニング構造の、第1のサブ領域を含む領域を、基板平面内の対応するフィールド上に結像するための投影光学系とを含み、
前記パターニング構造の第1のサブ領域は、前記基板平面内の前記対応するフィールド内の対応する第1のサブフィールド上に結像される投影露光システムであり、
該方法は、
前記フィールドを、フィールド寸法を有する露光フィールドであって、前記フィールド寸法とは異なる第1のサブフィールド寸法と該露光フィールド内の第1のサブフィールド位置とを有する前記第1のサブフィールドを含む露光フィールドに設定することと、
前記投影光学系の光学パラメータを、
前記第1のサブフィールド内の結像性能が、第1の結像特性に関して実質的に最適な性能となり、
前記第1の結像特性に関する結像性能が、前記第1のサブフィールド内において、前記第1のサブフィールドの外側に位置する前記露光フィールド内の部位内における結像性能よりも優れているような設定に設定することとを含む方法。 - 前記パターニング構造の前記第1のサブ領域が、第1の型の特徴を含み、前記第1の型の特徴を後続の製造工程に十分な品質で結像するために、前記第1のサブフィールド内の前記第1の結像特性に関する実質的に最適な性能が必要である請求項11に記載の方法。
- 前記パターニング構造が、第2のサブ領域をさらに含み、
前記第2のサブ領域は、前記基板平面内の前記対応するフィールド内の、第2のサブフィールド寸法と前記露光フィールド内の前記第1のサブフィールド位置とは異なる第2のサブフィールド位置とを有する対応する第2のサブフィールド上に結像され、
前記設定もまた、
前記第2のサブフィールド内の結像性能が、前記第1の結像特性とは異なる第2の結像特性に関して実質的に最適な性能となり、
前記第2の結像特性に関する結像性能が、前記第2のサブフィールド内において、前記第2のサブフィールドの外側に位置する前記第1の露光フィールド内の部位内における結像性能よりも優れているようなものである請求項11または12に記載の方法。 - 前記パターニング構造の前記第2のサブ領域が、第2の型の特徴を含み、前記第2の型の特徴を後続の製造工程に十分な品質で結像するために、前記第2のサブフィールド内の前記第2の結像特性に関する実質的に最適な性能が必要である請求項13に記載の方法。
- 前記各サブフィールド内の結像性能が、前記各サブフィールド内の複数の位置での各結像特性に基づいて決定される請求項11から14の1つに記載の方法。
- 前記結像特性が、収差、均一性、テレセントリック性、透過率、照明効率および偏光からなる群から選択される請求項11から15の1つに記載の方法。
- 前記各結像特性を測定することと、前記測定された結像特性に基づいて光学パラメータを決定することとをさらに含む請求項11から16の1つに記載の方法。
- 複数のサブフィールド寸法または/および位置に対する複数の設定用に光学パラメータを決定することと、前記サブフィールド寸法または/および位置に関連する前記複数の設定の光学パラメータを格納することとをさらに含む請求項11から17の1つに記載の方法。
- 前記サブフィールド寸法または/および位置に基づく、複数の格納された光学パラメータに基づいて前記設定の光学パラメータを決定することをさらに含む請求項18に記載の方法。
- 前記格納された光学パラメータが、前記測定された結像特性に基づいて決定されたものである請求項19に記載の方法。
- 前記光学パラメータを設定することが、前記パターニング構造の位置を設定すること、前記基板の位置を設定すること、前記投影露光システムの隣接する光学素子間のボリュームにおける気体圧力を変更すること、前記投影露光システムの隣接する光学素子間のボリュームにおける屈折率を設定すること、前記パターニング構造を照明する光の波長を設定すること、前記投影露光システムの光学素子を前記投影露光システムの他の光学素子に対して変位させること、前記投影露光システムの光学素子を変形させること、前記投影露光システムの光学素子の透過特性を設定すること、前記投影露光システムの光学素子を別の光学素子と交換すること、および前記投影露光システムに設けられた絞りの開口を設定することのうちの少なくとも1つを含む請求項11から20の1つに記載の方法。
- 前記光学パラメータを設定することが、前記パターニング構造の位置を設定すること、前記基板の位置を設定すること、前記投影光学系の隣接する光学素子間のボリュームにおける気体圧力を変更すること、前記投影光学系の隣接する光学素子間のボリュームにおける屈折率を設定すること、前記パターニング構造を照明する光の波長を設定すること、前記投影光学系の光学素子を前記投影光学系の他の光学素子に対して変位させること、前記投影光学系の光学素子を変形させること、前記投影光学系の光学素子の透過特性を設定すること、前記投影光学系の光学素子を別の光学素子と交換すること、および前記投影光学系に設けられた絞りの開口を設定することのうちの少なくとも1つを含む請求項11から20の1つに記載の方法。
- 前記投影露光システムの光軸が、前記露光フィールドの外側で前記基板平面と交わる請求項11から22の1つに記載の方法。
- 前記露光フィールドが、露光した基板から形成される小型製品の製造工程において、前記パターニング構造の像で基板を露光するために用いられる請求項11から23の1つに記載の方法。
- 前記第1の露光フィールドと前記第2の露光フィールドとが相互に重なり合う請求項1から10の1つに記載の方法。
- 前記投影露光システムが走査式露光システムである請求項1から25の1つに記載の方法。
- 請求項1から26の1つに記載の方法を実施するように適合された、パターニング構造を照明するための光源を含む照明光学系と、前記照明されたパターニング構造の領域を基板平面内の対応するフィールドに結像するための投影光学系とを含む投影露光システム。
- 瞳面を有し、パターニング構造を照明するための光源を含む照明光学系と、前記照明されたパターニング構造の領域を、露光した基板から形成される小型製品の製造工程において前記パターニング構造の像で基板を露光するために基板平面内の対応するフィールドに結像するための投影光学系とを含む投影露光システムであって、
前記照明光学系は、前記パターニング構造の第1のサイズの第1の領域を照明するための第1の光学インテグレータシステムと、
少なくとも、前記第1のサイズとは異なる第2のサイズを有する前記パターニング構造の第2の領域を照明するための第2の光学インテグレータシステムとを含み、
前記第1および少なくとも第2の光学インテグレータが、前記第1の光学インテグレータを前記少なくとも第2の光学インテグレータシステムと交換することができるように配置された照明光学系であり、
前記照明光学系の瞳面内の照度分布が、形状およびサイズの点で、前記第1および少なくとも第2の光学インテグレータシステムに関して実質的に同じである投影露光システム。 - 前記第1および少なくとも第2の光学インテグレータシステムが、それぞれ、回折光学ラスタ素子または屈折光学ラスタ素子を含む請求項28に記載の投影露光システム。
- 前記第1および少なくとも第2の光学インテグレータシステムが、それぞれ、ガラスロッドをさらに含む請求項29に記載の投影露光システム。
- 前記第1および少なくとも第2の光学インテグレータシステムが、それぞれ、フライアイ集光レンズを含む請求項28に記載の投影露光システム。
- 請求項1から21の1つに記載の方法を実施するように適合された請求項28から31の1つに記載の投影露光システム。
- 投影露光システムの結像性能を最適化する方法であって、
前記投影露光システムは、パターニング構造を照明するための光源を含む照明光学系と、前記照明されたパターニング構造の領域を基板平面内の対応するフィールド上に結像するための投影光学系とを含み、
該方法は、
前記フィールドを、第1のフィールド寸法と前記投影露光システムによって露光可能な最大フィールド内の第1の位置とを有する第1の露光フィールドに設定することと、
前記投影光学系の光学パラメータを、第1の設定に設定し、このことによって該第1の設定における前記第1の露光フィールド内の結像性能量が第1の性能条件を満たすようにすることと、
前記フィールドを、前記第1のフィールド寸法とは異なる第2のフィールド寸法または/および前記第1の位置とは異なる、前記投影露光システムによって露光可能な前記最大フィールド内の第2の位置を有する第2の露光フィールドに変更することと、
前記投影光学系の光学パラメータを、第2の設定に変更し、このことによって該第2の設定における前記第2の露光フィールド内の結像性能量が第2の性能条件を満たすようにすることとを含み、
前記第2の設定における前記第2の露光フィールドに関連する結像性能量が、前記第1の設定における前記第2の露光フィールドに関連する結像性能量よりも優れている方法。 - 前記第1および第2の露光フィールド内の結像性能量が、前記各フィールド内の複数の位置での少なくとも1つの結像特性に基づいて決定される請求項33に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの結像特性が、収差、均一性、テレセントリック性、透過率、照明効率および偏光からなる群から選択される請求項34に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの結像特性を測定することと、前記少なくとも1つの測定された結像特性に基づいて前記光学パラメータを決定することとをさらに含む請求項34または35の1つに記載の方法。
- 複数の第2のフィールド寸法または/および位置に対する複数の第2の設定用に光学パラメータを決定することと、前記第2のフィールド寸法または/および位置に関連する前記複数の第2の設定の光学パラメータを格納することとをさらに含む請求項33から36の1つに記載の方法。
- 前記第2のフィールド寸法または/および位置に基づく、複数の格納された光学パラメータに基づいて前記第2の設定の光学パラメータを決定することをさらに含む請求項37に記載の方法。
- 前記格納された光学パラメータが、前記少なくとも1つの測定された結像特性に基づいて決定されたものである請求項38に記載の方法。
- 前記光学パラメータの変更が、前記パターニング構造の位置を変更すること、前記基板の位置を変更すること、前記投影露光システムの隣接する光学素子間のボリュームにおける気体圧力を変更すること、前記投影露光システムの隣接する光学素子間のボリュームにおける屈折率を変更すること、前記パターニング構造を照明する光の波長を変更すること、前記投影露光システムの光学素子を前記投影露光システムの他の光学素子に対して変位させること、前記投影露光システムの光学素子を変形させること、前記投影露光システムの光学素子の透過特性を変更すること、前記投影露光システムの光学素子を別の光学素子と交換すること、および前記投影露光システムに設けられた絞りの開口を変更することのうちの少なくとも1つを含む請求項33から39の1つに記載の方法。
- 前記第1および第2の露光フィールドが、露光した基板から形成される小型製品の製造工程において基板を露光するために用いられる請求項33から40の1つに記載の方法。
- 前記投影露光システムの光軸が、前記第1または/および第2の露光フィールドの外側で基板平面と交わる請求項33から41の1つに記載の方法。
- 投影露光システムの結像性能を最適化する方法であって、
前記投影露光システムは、パターニング構造を照明するための光源を含む照明光学系と、
前記照明されたパターニング構造の、第1のサブ領域を含む領域を、基板平面内の対応するフィールド上に結像するための投影光学系とを含み、
前記パターニング構造の第1のサブ領域は、前記基板平面内の前記対応するフィールド内の対応する第1のサブフィールド上に結像される投影露光システムであり、
該方法は、
前記フィールドを、フィールド寸法を有する露光フィールドであって、前記フィールド寸法とは異なる第1のサブフィールド寸法と該露光フィールド内の第1のサブフィールド位置とを有する前記第1のサブフィールドを含む露光フィールドに設定することと、
前記投影光学系の光学パラメータを、
前記第1のサブフィールド内の結像性能量が、第1の結像特性に関して第1の性能条件を満たし、
前記第1の結像特性に関する結像性能量が、前記第1のサブフィールド内において、前記第1のサブフィールドの外側に位置する前記露光フィールド内の部位内における結像性能量よりも優れているような設定に設定することとを含む方法。 - 前記パターニング構造の前記第1のサブ領域が、第1の型の特徴を含み、前記第1のサブフィールド内の前記第1の結像特性に関する前記第1の性能条件を満たすことによって、前記第1の型の特徴を後続の製造工程のために所定の品質レベルで結像することが可能になる請求項43に記載の方法。
- 前記パターニング構造が、第2のサブ領域をさらに含み、
前記第2のサブ領域は、前記基板平面内の前記対応するフィールド内の、第2のサブフィールド寸法と前記露光フィールド内の前記第1のサブフィールド位置とは異なる第2のサブフィールド位置とを有する対応する第2のサブフィールド上に結像され、
前記設定もまた、
前記第2のサブフィールド内の結像性能量が、前記第1の結像特性とは異なる第2の結像特性に関して第2の性能条件を満たし、
前記第2の結像特性に関する結像性能量が、前記第2のサブフィールド内において、前記第2のサブフィールドの外側に位置する前記露光フィールド内の部位内における結像性能量よりも優れているようなものである請求項43または44に記載の方法。 - 前記パターニング構造の前記第2のサブ領域が、第2の型の特徴を含み、前記第2のサブフィールド内の前記第2の結像特性に関する前記第2の性能条件を満たすことによって、前記第2の型の特徴を後続の製造工程のために所定の品質レベルで結像することが可能になる請求項45に記載の方法。
- 各サブフィールド内の結像性能量のそれぞれが、前記各サブフィールド内の複数の位置での各結像特性に基づいて決定される請求項43から46の1つに記載の方法。
- 前記結像特性のそれぞれが、収差、均一性、テレセントリック性、透過率、照明効率および偏光からなる群から選択される請求項43から47の1つに記載の方法。
- 前記各結像特性を測定することと、前記測定された結像特性に基づいて光学パラメータを決定することとをさらに含む請求項43から48の1つに記載の方法。
- 複数のサブフィールド寸法または/および位置に対する複数の設定用に光学パラメータを決定することと、前記サブフィールド寸法または/および位置に関連する前記複数の設定の光学パラメータを格納することとをさらに含む請求項43から49の1つに記載の方法。
- 前記サブフィールド寸法または/および位置に基づく、複数の格納された光学パラメータに基づいて前記設定の光学パラメータを決定することをさらに含む請求項50に記載の方法。
- 前記格納された光学パラメータが、前記測定された結像特性に基づいて決定されたものである請求項51に記載の方法。
- 前記光学パラメータを設定することが、前記パターニング構造の位置を設定すること、前記基板の位置を設定すること、前記投影露光システムの隣接する光学素子間のボリュームにおける気体圧力を変更すること、前記投影露光システムの隣接する光学素子間のボリュームにおける屈折率を設定すること、前記パターニング構造を照明する光の波長を設定すること、前記投影露光システムの光学素子を前記投影露光システムの他の光学素子に対して変位させること、前記投影露光システムの光学素子を変形させること、前記投影露光システムの光学素子の透過特性を設定すること、前記投影露光システムの光学素子を別の光学素子と交換すること、および前記投影露光システムに設けられた絞りの開口を設定することのうちの少なくとも1つを含む請求項43から52の1つに記載の方法。
- 前記光学パラメータを設定することが、前記パターニング構造の位置を設定すること、前記基板の位置を設定すること、前記投影光学系の隣接する光学素子間のボリュームにおける気体圧力を変更すること、前記投影光学系の隣接する光学素子間のボリュームにおける屈折率を設定すること、前記パターニング構造を照明する光の波長を設定すること、前記投影光学系の光学素子を前記投影光学系の他の光学素子に対して変位させること、前記投影光学系の光学素子を変形させること、前記投影露光システムの光学素子の透過特性を設定すること、前記投影光学系の光学素子を別の光学素子と交換すること、および前記投影光学系に設けられた絞りの開口を設定することのうちの少なくとも1つを含む請求項43から52の1つに記載の方法。
- 前記投影露光システムの光軸が、前記露光フィールドの外側で前記基板平面と交わる請求項43から54の1つに記載の方法。
- 前記露光フィールドが、露光した基板から形成される小型製品の製造工程において、前記パターニング構造の像で基板を露光するために用いられる請求項43から55の1つに記載の方法。
- 前記第1の露光フィールドと前記第2の露光フィールドとが相互に重なり合う請求項33から42の1つに記載の方法。
- 前記投影露光システムが走査式露光システムである請求項33から57の1つに記載の方法。
- 請求項33から58の1つに記載の方法を実施するように適合された、パターニング構造を照明するための光源を含む照明光学系と、前記照明されたパターニング構造の領域を基板平面内の対応するフィールドに結像するための投影光学系とを含む投影露光システム。
- 瞳面を有し、パターニング構造を照明するための光源を含む照明光学系と、前記照明されたパターニング構造の領域を、露光した基板から形成される小型化された物品の製造工程において前記パターニング構造の像で基板を露光するために基板平面内の対応するフィールドに結像するための投影光学系とを含む投影露光システムであって、
前記照明光学系は、前記パターニング構造の第1のサイズの第1の領域を照明するための第1の光学インテグレータシステムと、
少なくとも、前記第1のサイズとは異なる第2のサイズを有する前記パターニング構造の第2の領域を照明するための第2の光学インテグレータシステムとを含み、
前記第1および少なくとも第2の光学インテグレータが、前記第1の光学インテグレータを前記少なくとも第2の光学インテグレータシステムと交換することができるように配置された照明光学系であり、
前記照明光学系の瞳面内の照度分布が、形状およびサイズの点で、前記第1および少なくとも第2の光学インテグレータシステムに関して実質的に同じである投影露光システム。 - 前記第1および少なくとも第2の光学インテグレータシステムが、それぞれ、回折光学ラスタ素子または屈折光学ラスタ素子を含む請求項60に記載の投影露光システム。
- 前記第1および少なくとも第2の光学インテグレータシステムが、それぞれ、ガラスロッドをさらに含む請求項61に記載の投影露光システム。
- 前記第1および少なくとも第2の光学インテグレータシステムが、それぞれ、フライアイ集光レンズを含む請求項60に記載の投影露光システム。
- 請求項33から52の1つに記載の方法を実施するように適合された請求項60から63の1つに記載の投影露光システム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US56062304P | 2004-04-09 | 2004-04-09 | |
US60/560,623 | 2004-04-09 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005303303A JP2005303303A (ja) | 2005-10-27 |
JP4771730B2 true JP4771730B2 (ja) | 2011-09-14 |
Family
ID=34911031
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005112320A Expired - Fee Related JP4771730B2 (ja) | 2004-04-09 | 2005-04-08 | 結像性能の最適化方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (7) | US7233386B2 (ja) |
EP (1) | EP1584982A2 (ja) |
JP (1) | JP4771730B2 (ja) |
DE (1) | DE102004035595B4 (ja) |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10224363A1 (de) * | 2002-05-24 | 2003-12-04 | Zeiss Carl Smt Ag | Verfahren zur Bestimmung von Wellenfrontaberrationen |
DE102004035595B4 (de) * | 2004-04-09 | 2008-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Justage eines Projektionsobjektives |
KR101336404B1 (ko) * | 2004-12-27 | 2013-12-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 옵티컬 인테그레이터, 조명 광학 장치, 노광 장치, 노광방법, 및 장치 제조 방법 |
JP4488926B2 (ja) * | 2005-02-21 | 2010-06-23 | 株式会社東芝 | マスクパターンデータ形成方法、フォトマスク、及び半導体デバイスの製造方法 |
US7548302B2 (en) * | 2005-03-29 | 2009-06-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE102005034442A1 (de) | 2005-07-22 | 2007-02-22 | Carl Zeiss Microimaging Gmbh | Mikroskopobjektivsystem |
DE102005034441A1 (de) | 2005-07-22 | 2007-02-22 | Carl Zeiss Microimaging Gmbh | Mikroskopobjektiv |
JP5067162B2 (ja) * | 2005-11-10 | 2012-11-07 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置、および露光方法 |
EP1906251A1 (en) * | 2006-09-26 | 2008-04-02 | Carl Zeiss SMT AG | Projection exposure method and projection exposure system |
US7307690B1 (en) * | 2006-12-21 | 2007-12-11 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method, computer program product and lithographic apparatus |
DE102008000558A1 (de) | 2007-03-27 | 2008-12-04 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Justierung eines optischen Elements |
JP5489392B2 (ja) * | 2007-05-09 | 2014-05-14 | オリンパス株式会社 | 光学系評価装置、光学系評価方法および光学系評価プログラム |
DE102008040287A1 (de) | 2007-09-18 | 2009-03-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zum stoffschlüssigen Verbinden eines optischen Elements mit einer Fassung |
DE102008021833B4 (de) * | 2007-12-19 | 2010-04-22 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Einstellung einer Beleuchtungswinkelverteilung und gleichzeitig einer Intensitätsverteilung über ein in ein Bildfeld abzubildendes Objektfeld |
NL1036335A1 (nl) * | 2007-12-27 | 2009-06-30 | Asml Netherlands Bv | Device manufacturing method, lithographic system, lithographic apparatus and design for manufacturing system. |
KR101624758B1 (ko) * | 2008-06-30 | 2016-05-26 | 코닝 인코포레이티드 | 마이크로리소그래픽 투사 시스템용 텔레센트릭성 교정기 |
DE102008042356A1 (de) | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsanlage mit optimierter Justagemöglichkeit |
NL2005424A (en) * | 2009-10-30 | 2011-05-02 | Asml Netherlands Bv | Lithographic method and apparatus. |
DE102011003066A1 (de) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum belastungsgerechten Betrieb einer Projektionsbelichtungsanlage sowie entsprechende Projektionsbelichtungsanlage |
DE102010041528A1 (de) | 2010-09-28 | 2012-03-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsanlage mit optimierter Justagemöglichkeit |
JP5611443B2 (ja) | 2010-12-28 | 2014-10-22 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系 |
NL2008041A (en) * | 2011-01-28 | 2012-07-31 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and methods for determining an improved configuration of a lithographic apparatus. |
NL2008310A (en) * | 2011-04-05 | 2012-10-08 | Asml Netherlands Bv | Lithographic method and assembly. |
DE102012216286A1 (de) | 2011-09-30 | 2013-04-04 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsanlage mit optimiertem Messsystem |
DE102011086665A1 (de) | 2011-11-18 | 2013-05-23 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektonsbelichtungsanlage |
DE102012212758A1 (de) | 2012-07-20 | 2014-01-23 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Systemkorrektur aus langen Zeitskalen |
WO2015054660A2 (en) | 2013-10-11 | 2015-04-16 | C.R. Bard, Inc. | Securable procedure kit |
DE102015201020A1 (de) | 2015-01-22 | 2016-07-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsanlage mit Manipulator sowie Verfahren zum Steuern einer Projektionsbelichtungsanlage |
ES2932996T3 (es) | 2016-02-12 | 2023-01-30 | Bard Inc C R | Sistemas de envoltura para kits de dispositivos médicos |
US10537707B2 (en) | 2016-02-12 | 2020-01-21 | C. R. Bard, Inc. | Wrap systems for medical device kits |
DE102016211511A1 (de) * | 2016-06-27 | 2017-12-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungseinheit für die Mikrolithographie |
US10701259B2 (en) * | 2017-09-15 | 2020-06-30 | Quality Vision International Inc. | Video measuring system with dual-acting reticle projector for focusing and alignment |
JP7145620B2 (ja) * | 2018-02-27 | 2022-10-03 | 株式会社オーク製作所 | 投影露光装置 |
JP7162430B2 (ja) * | 2018-02-27 | 2022-10-28 | 株式会社オーク製作所 | 投影露光装置 |
Family Cites Families (67)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4871237A (en) * | 1983-07-27 | 1989-10-03 | Nikon Corporation | Method and apparatus for adjusting imaging performance of projection optical apparatus |
JPS6078456A (ja) * | 1983-10-05 | 1985-05-04 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影露光装置 |
US4690528A (en) * | 1983-10-05 | 1987-09-01 | Nippon Kogaku K. K. | Projection exposure apparatus |
JPH0712012B2 (ja) * | 1985-12-11 | 1995-02-08 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
US5337097A (en) * | 1985-12-26 | 1994-08-09 | Nippon Kogaku K.K. | Projection optical apparatus |
JP2503451B2 (ja) * | 1985-12-26 | 1996-06-05 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置 |
DE3733823A1 (de) * | 1987-10-07 | 1989-04-20 | Zeiss Carl Fa | Verfahren zur kompensation des einflusses von umweltparametern auf die abbildungseigenschaften eines optischen systems |
US5523193A (en) * | 1988-05-31 | 1996-06-04 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for patterning and imaging member |
ATE123885T1 (de) * | 1990-05-02 | 1995-06-15 | Fraunhofer Ges Forschung | Belichtungsvorrichtung. |
US5117255A (en) * | 1990-09-19 | 1992-05-26 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
US5424552A (en) * | 1991-07-09 | 1995-06-13 | Nikon Corporation | Projection exposing apparatus |
US5424803A (en) * | 1991-08-09 | 1995-06-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus and semiconductor device manufacturing method |
JP3102087B2 (ja) * | 1991-10-08 | 2000-10-23 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び方法、並びに回路素子形成方法 |
JP3414763B2 (ja) * | 1991-10-08 | 2003-06-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び方法、並びに回路素子形成方法 |
US6078380A (en) * | 1991-10-08 | 2000-06-20 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method involving variation and correction of light intensity distributions, detection and control of imaging characteristics, and control of exposure |
US5229872A (en) * | 1992-01-21 | 1993-07-20 | Hughes Aircraft Company | Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning |
US6404482B1 (en) * | 1992-10-01 | 2002-06-11 | Nikon Corporation | Projection exposure method and apparatus |
US6078381A (en) * | 1993-02-01 | 2000-06-20 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus |
JP3291818B2 (ja) * | 1993-03-16 | 2002-06-17 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、及び該装置を用いる半導体集積回路製造方法 |
US5392119A (en) * | 1993-07-13 | 1995-02-21 | Litel Instruments | Plate correction of imaging systems |
JPH07273005A (ja) * | 1994-03-29 | 1995-10-20 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP3463335B2 (ja) * | 1994-02-17 | 2003-11-05 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
US6304317B1 (en) * | 1993-07-15 | 2001-10-16 | Nikon Corporation | Projection apparatus and method |
US6285443B1 (en) * | 1993-12-13 | 2001-09-04 | Carl-Zeiss-Stiftung | Illuminating arrangement for a projection microlithographic apparatus |
JP3445045B2 (ja) * | 1994-12-29 | 2003-09-08 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
US5739899A (en) * | 1995-05-19 | 1998-04-14 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus correcting tilt of telecentricity |
JP2828226B2 (ja) | 1995-10-30 | 1998-11-25 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び方法 |
JPH09283427A (ja) * | 1996-04-10 | 1997-10-31 | Nikon Corp | 露光方法及び投影露光装置 |
JPH1054932A (ja) * | 1996-08-08 | 1998-02-24 | Nikon Corp | 投影光学装置及びそれを装着した投影露光装置 |
US5978085A (en) * | 1997-03-07 | 1999-11-02 | Litel Instruments | Apparatus method of measurement and method of data analysis for correction of optical system |
US5828455A (en) * | 1997-03-07 | 1998-10-27 | Litel Instruments | Apparatus, method of measurement, and method of data analysis for correction of optical system |
JP4534260B2 (ja) * | 1997-07-22 | 2010-09-01 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、その製造方法及び光洗浄方法 |
DE19827603A1 (de) * | 1998-06-20 | 1999-12-23 | Zeiss Carl Fa | Optisches System, insbesondere Projektions-Belichtungsanlage der Mikrolithographie |
US6930754B1 (en) * | 1998-06-30 | 2005-08-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Multiple exposure method |
US6094256A (en) * | 1998-09-29 | 2000-07-25 | Nikon Precision Inc. | Method for forming a critical dimension test structure and its use |
US6256086B1 (en) * | 1998-10-06 | 2001-07-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus, and device manufacturing method |
US6248486B1 (en) * | 1998-11-23 | 2001-06-19 | U.S. Philips Corporation | Method of detecting aberrations of an optical imaging system |
DE19859634A1 (de) * | 1998-12-23 | 2000-06-29 | Zeiss Carl Fa | Optisches System, insbesondere Projektionsbelichtungsanlage der Mikrolithographie |
JP2001168000A (ja) * | 1999-12-03 | 2001-06-22 | Nikon Corp | 露光装置の製造方法、および該製造方法によって製造された露光装置を用いたマイクロデバイスの製造方法 |
JP3885183B2 (ja) * | 2000-01-17 | 2007-02-21 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 光学装置、光学装置の調整方法、およびその調整方法で実行する処理プログラムを記録した記録媒体 |
TW550377B (en) | 2000-02-23 | 2003-09-01 | Zeiss Stiftung | Apparatus for wave-front detection |
DE10046379A1 (de) | 2000-09-20 | 2002-03-28 | Zeiss Carl | System zur gezielten Deformation von optischen Elementen |
JP2002231619A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-08-16 | Nikon Corp | 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置 |
WO2002050506A1 (fr) | 2000-12-18 | 2002-06-27 | Nikon Corporation | Appareil de mesure de surface d'onde et son utilisation, procede et appareil pour determiner des caracteristiques de mise au point, procede et appareil pour corriger des caracteristiques de mise au point, procede pour gerer des caracteristiques de mise au point, et procede et appareil d'exposition |
EP1347501A4 (en) | 2000-12-22 | 2006-06-21 | Nikon Corp | WAVE FRONT ABERRATION MEASURING INSTRUMENT, WAVE FRONT ABERRATION MEASUREMENT METHOD, EXPOSURE APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING MICRODISPOSITIVE DEVICE |
US20040042094A1 (en) * | 2000-12-28 | 2004-03-04 | Tomoyuki Matsuyama | Projection optical system and production method therefor, exposure system and production method therefor, and production method for microdevice |
KR100893516B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2009-04-16 | 가부시키가이샤 니콘 | 결상특성 계측방법, 결상특성 조정방법, 노광방법 및노광장치, 프로그램 및 기록매체, 그리고 디바이스 제조방법 |
JP4552337B2 (ja) * | 2000-12-28 | 2010-09-29 | 株式会社ニコン | 投影光学系の製造方法及び露光装置の製造方法 |
JP4345098B2 (ja) * | 2001-02-06 | 2009-10-14 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2002319539A (ja) * | 2001-02-13 | 2002-10-31 | Nikon Corp | 仕様決定方法及びコンピュータシステム |
JP4436029B2 (ja) * | 2001-02-13 | 2010-03-24 | 株式会社ニコン | 投影光学系の製造方法及び調整方法、露光装置及びその製造方法、デバイス製造方法、並びにコンピュータシステム |
TWI220998B (en) | 2001-02-13 | 2004-09-11 | Nikon Corp | Exposure method, exposure apparatus and manufacture method of the same |
JP2002250677A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Nikon Corp | 波面収差測定方法、波面収差測定装置、露光装置、デバイス製造方法、及びデバイス |
DE10120446C2 (de) * | 2001-04-26 | 2003-04-17 | Zeiss Carl | Projektionsbelichtungsanlage sowie Verfahren zur Kompensation von Abbildungsfehlern in einer Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere für die Mikro-Lithographie |
JP2003068622A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-07 | Canon Inc | 露光装置及びその制御方法並びにデバイスの製造方法 |
DE10143385C2 (de) | 2001-09-05 | 2003-07-17 | Zeiss Carl | Projektionsbelichtungsanlage |
DE10146499B4 (de) | 2001-09-21 | 2006-11-09 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Optimierung der Abbildungseigenschaften von mindestens zwei optischen Elementen sowie Verfahren zur Optimierung der Abbildungseigenschaften von mindestens drei optischen Elementen |
DE10151919B4 (de) | 2001-10-20 | 2007-02-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Belichtungsobjektiv in der Halbleiterlithographie |
JP4415674B2 (ja) * | 2002-01-29 | 2010-02-17 | 株式会社ニコン | 像形成状態調整システム、露光方法及び露光装置、並びにプログラム及び情報記録媒体 |
JP2003295021A (ja) * | 2002-04-08 | 2003-10-15 | Nikon Corp | 光学系の組み立て調整方法及び光学系の製造方法 |
KR101187612B1 (ko) * | 2003-04-09 | 2012-10-08 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
TWI628698B (zh) * | 2003-10-28 | 2018-07-01 | 尼康股份有限公司 | 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
US7372545B2 (en) | 2004-04-09 | 2008-05-13 | Carl Zeiss Smt Ag | Method for adjusting a projection objective |
DE102004035595B4 (de) | 2004-04-09 | 2008-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Justage eines Projektionsobjektives |
DE102004020983A1 (de) * | 2004-04-23 | 2005-11-17 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Strukturbelichtung einer lichtempfindlichen Schicht |
JP2006210814A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Fujitsu Ltd | 露光システム及び露光方法 |
JP2009068922A (ja) * | 2007-09-11 | 2009-04-02 | Canon Inc | 測定装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
-
2004
- 2004-07-22 DE DE102004035595A patent/DE102004035595B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-04-07 EP EP05007674A patent/EP1584982A2/en not_active Withdrawn
- 2005-04-08 JP JP2005112320A patent/JP4771730B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-04-11 US US11/102,835 patent/US7233386B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-06-08 US US11/808,316 patent/US7570345B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-04-01 US US12/060,543 patent/US7965377B2/en active Active
-
2011
- 2011-05-17 US US13/109,383 patent/US20110216303A1/en not_active Abandoned
-
2014
- 2014-08-06 US US14/453,196 patent/US9715177B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-07-13 US US15/648,852 patent/US10018918B2/en active Active
-
2018
- 2018-06-22 US US16/015,856 patent/US20190056670A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050237506A1 (en) | 2005-10-27 |
US20190056670A1 (en) | 2019-02-21 |
US20080192220A1 (en) | 2008-08-14 |
EP1584982A2 (en) | 2005-10-12 |
DE102004035595B4 (de) | 2008-02-07 |
US20140347647A1 (en) | 2014-11-27 |
US7570345B2 (en) | 2009-08-04 |
US20110216303A1 (en) | 2011-09-08 |
US7965377B2 (en) | 2011-06-21 |
US7233386B2 (en) | 2007-06-19 |
US9715177B2 (en) | 2017-07-25 |
JP2005303303A (ja) | 2005-10-27 |
US20180024440A1 (en) | 2018-01-25 |
DE102004035595A1 (de) | 2005-11-03 |
US10018918B2 (en) | 2018-07-10 |
US20080007706A1 (en) | 2008-01-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4771730B2 (ja) | 結像性能の最適化方法 | |
US6235438B1 (en) | Projection exposure method and apparatus | |
US7088426B2 (en) | Projection optical system adjustment method, prediction method, evaluation method, adjustment method, exposure method and exposure apparatus, program, and device manufacturing method | |
KR100893516B1 (ko) | 결상특성 계측방법, 결상특성 조정방법, 노광방법 및노광장치, 프로그램 및 기록매체, 그리고 디바이스 제조방법 | |
CN103034069B (zh) | 检验设备、光刻设备以及器件制造方法 | |
JP5862992B2 (ja) | 光学系の測定方法、露光装置の制御方法、露光方法、およびデバイス製造方法 | |
JP2000091209A (ja) | 露光装置の製造方法、露光装置、及びデバイス製造方法 | |
US6639651B2 (en) | Fabrication method for correcting member, fabrication method for projection optical system, and exposure apparatus | |
JP3218478B2 (ja) | 投影露光装置及び方法 | |
US7385672B2 (en) | Exposure apparatus and method | |
JPH11195602A (ja) | 投影露光方法及び装置 | |
JP4692862B2 (ja) | 検査装置、該検査装置を備えた露光装置、およびマイクロデバイスの製造方法 | |
KR20150013564A (ko) | 동공 휘도 분포의 평가 방법 및 개선 방법, 조명 광학계 및 그 조정 방법, 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법 | |
JP2007158225A (ja) | 露光装置 | |
JP5197304B2 (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
US8582083B2 (en) | Effective light source shape database generation method, optical image calculation method, recording medium, exposure method, and device fabrication method | |
EP1037266A1 (en) | Projection exposure method and apparatus | |
JP2008186912A (ja) | 収差評価方法、調整方法、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 | |
JP4387359B2 (ja) | 光学特性の測定方法、及び波面検出系を備えた投影露光システム | |
JP2007158224A (ja) | 露光方法 | |
JP2008172004A (ja) | 収差評価方法、調整方法、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 | |
JP2022533184A (ja) | アプラナティック対物単レンズを含む計測ツール | |
JP2002169083A (ja) | 対物光学系、収差測定装置、投影露光装置、対物光学系の製造方法、収差測定装置の製造方法、投影露光装置の製造方法及びマイクロデバイスの製造方法 | |
JP2006080444A (ja) | 測定装置、テストレチクル、露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP2010109017A (ja) | 算出方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080402 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20080905 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20080905 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20080910 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100927 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101224 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20101224 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110328 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110523 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110621 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140701 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4771730 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |