JP5611443B2 - マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系 - Google Patents
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Description
a)i)瞳平面と、
ii)光軸と、
iii)第1及び第2の回折光学要素であって、
瞳平面内の投影光の放射照度分布が、回折光学要素によって生成される回折効果に依存するように、回折光学要素が光源と瞳平面の間に配置され、かつ
各回折光学要素によって生成される回折効果が、投影光ビームによってそれぞれの回折光学要素上に照射される光視野の位置に依存する、
前記第1及び第2の回折光学要素と、
を含む照明系を準備する段階と、
b)投影光ビームを生成する段階と、
c)回折光学要素の相互空間配列を変更する段階と、
を含む方法によって達成され、
相互空間配列のうちの少なくとも1つにおいて、光視野は、第1の回折光学要素と第2の回折光学要素の両方にわたって延びる。
a)i)瞳平面と、
ii)光軸と、
iii)第1及び第2の回折光学要素であって、
瞳平面内の投影光の放射照度分布が、回折光学要素によって生成される回折効果に依存するように、回折光学要素が光源と瞳平面の間に配置され、かつ
各回折光学要素によって生成される回折効果が、投影光ビームによってそれぞれの回折光学要素上に照射される光視野の位置に依存する、
前記第1及び第2の回折光学要素と、
を含む照明系を準備する段階と、
b)投影光ビームを生成する段階と、
c)回折光学要素の相互空間配列を変更する段階と、
を含む方法によって達成され、
変位機構を用いて得ることができる相互空間配列のうちの少なくとも1つにおいて、第1の回折光学要素上に入射する投影光は、第2の回折光学要素上にも入射する。
本明細書では「光」という用語は、あらゆる電磁放射線、特に、可視光、UV光、DUV光、VUV光、及びEUV光、並びにX線を表す上で使用する。
図1は、本発明による投影露光装置10の非常に簡略化した斜視図である。装置10は、投影光ビーム(図示せず)を生成する照明系12を含む。照明系12は、図1では細線として略示す複数の小さい特徴部19によって形成されたパターン18を含むマスク16上の視野14を照明する。この実施形態では、照明視野14は、リングセグメントの形状を有する。しかし、照明視野14の他の形状、例えば、矩形も考えられている。
図2は、図1に示す照明系12を通る子午断面図である。明瞭化の目的で、図2の図は、大きく簡略化しており、正確な縮尺のものではない。これは特に、様々な光学ユニットを1つ又は非常に少数の光学要素のみで表すことを意味する。現実には、これらのユニットは、有意により多くのレンズ又は他の光学要素を含むことができる。
以下では、第1及び第2の回折光学要素42、44の光学特性を図3及び図4を参照してより詳細に説明する。
図5は、光軸OAと平行であるZ方向に沿って見た場合の第1及び第2の回折光学要素42、44上の上面図である。回折光学要素42、44は、第1及び第2のドライバ54、64(図5には示していない)を用いてX方向に沿って個々に変位させることができるように、ガイドレール104、106、108内で案内される。
図7は、図2と類似の表現形式における第2の実施形態による照明系12を通る子午断面図である。
a)ビーム方向を変更すること
図9は、回折光学要素42、44の空間配列を光視野110に対してX方向とY方向に沿って変更することが同様に可能な第3の実施形態による照明系12を通る子午断面図である。しかし、この実施形態では、第1及び第2のドライバ54、64は、図2に図示の実施形態と同様に、回折光学要素42、44をこれらの相互空間配列を変更するためにX方向に沿って変位させることしかできない。回折光学要素42、44の配列の光視野110に対するY方向に沿った変更は、この実施形態では、アクチュエータ122を含むビームステアリングデバイスによって生成される。アクチュエータ122は、投影光ビーム34、従って、光ビーム34によって回折光学要素42、44上に照射される光視野110が、必要に応じてY方向に沿って上下に移動するように第2のビーム折り返しミラー38を傾斜させることができる。この場合、極P1、P2及び環104のサイズは、第1の回折光学要素42と第2の回折光学要素44とのX方向に沿った相互空間配列によって判断される。光エネルギ比は、アクチュエータ122を用いて光視野110を上下に移動することによって判断される。
図10は、図5と類似の表現形式で、2つだけではなく3つの異なる回折光学要素42、44、45が、1つの平面に配置されたか、又は互いが重なり合わないように平行な複数の平面に配置された第4の実施形態を示している。
図11は、第5の実施形態による第1及び第2の回折光学要素142、144の略上面図である。上述の実施形態とは異なり、回折光学要素142、144は、互いが少なくとも部分的に重なり合うように異なる平行平面に配置される。この場合、投影光ビーム34は、第1の回折光学要素142、次に、第2の回折光学要素144を順次通過する。この場合、組合せ放射照度分布112は、第1の回折光学要素142によって生成される遠視野空間放射照度分布と、第2の回折光学要素144によって生成される遠視野空間放射照度分布との畳み込みとして表すことができる。
図12aは、図5に示す表現形式と類似の第6の実施形態による2つの回折光学要素242、244上の上面図である。
以下では、本発明の重要な方法段階を図13に示す流れ図を参照して要約する。
44 第2の回折光学要素
104 環
106、108 ガイドレール
110 光視野
P1、P2 極
Claims (12)
- マイクロリソグラフィ投影露光装置(10)の照明系であって、
a)投影光ビーム(34)を生成するように構成された光源(30)と、
b)瞳平面(84)と、
c)光軸(OA)と、
d)第1及び第2の回折光学要素(42,44;242,244)であって、
i)前記回折光学要素(42,44;242,244)が、前記瞳平面(84)内の 投影光の放射照度分布が該回折光学要素(42,44;242,244)によって生 成される回折効果に依存するように前記光源(30)と該瞳平面(84)の間に配置 され、かつ
ii)各回折光学要素によって生成される前記回折効果が、前記投影光ビーム(34 )によって該回折光学要素(42,44;242,244)上に照射される光視野 (110)の位置に依存する、
前記第1及び第2の回折光学要素(42,44;242,244)と、
e)前記回折光学要素の相互空間配列を変更するように構成された変位機構(54,64)と、
を含み、
前記変位機構(54,64)を用いて得ることができる前記相互空間配列のうちの少なくとも1つにおいて、前記光視野(110)は、前記第1及び前記第2の回折光学要素(42,44;242,244)の両方にわたって延び、
a)前記第1及び前記第2の回折光学要素(242,244)は同一であり、
b)各回折光学要素(242,244)によって生成される前記回折効果は、専ら1つの変位方向(X)に沿って前記光視野(110)の前記位置に依存して変化し、かつ
c)前記回折光学要素のうちの1つ(244)は、該回折光学要素を前記光軸と平行な軸の回りに180°回転させることによって得られる向きに装着される、
ことを特徴とする照明系。 - 前記変位機構(54,64)は、少なくとも1つの回折光学要素を前記光軸(OA)と平行ではない変位方向(X)に沿って変位させるように構成されることを特徴とする請求項1に記載の照明系。
- 前記少なくとも1つの回折光学要素(42,44;242,244)によって生成される前記回折効果は、前記光視野(110)の前記位置に依存して前記変位方向(X)に沿って変化することを特徴とする請求項2に記載の照明系。
- 前記第1及び前記第2の回折光学要素(42,44)は、同じか又は平行する平面内を延びることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の照明系。
- 前記投影光ビーム(34)に対する前記回折光学要素(42,44)の前記空間配列を前記光軸を含まない2つの直交方向(X,Y)に沿って変更することができるように構成されることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の照明系。
- 前記相互空間配列のうちの少なくとも1つにおいて、前記光視野(110)は、前記第1の回折光学要素(42;242)の第1の部分にわたってかつ前記第2の回折光学要素(44;244)の第2の部分にわたって延び、
前記第1及び前記第2の部分の面積は異なる、
ことを特徴とする請求項5に記載の照明系。 - 前記回折光学要素(42,44)が一時的に静止する場合に前記光視野(110)の前記位置を変更するように構成されたビームステアリングデバイス(122)を含むことを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の照明系。
- 第3の回折光学要素(45)を含み、
前記光視野(110)が前記第1(42)、前記第2(44)、及び前記第3の回折光学要素(45)にわたって延びる少なくとも1つの相互空間配列が存在する、
ことを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の照明系。 - マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系を作動させる方法であって、
a)i)瞳平面(84)と、
ii)光軸(OA)と、
iii)第1及び第2の回折光学要素(42,44;242,244)であって、
前記回折光学要素が、前記瞳平面内の投影光の放射照度分布が該回折光学要素
(42,44;242,244)によって生成される回折効果に依存するように
光源(30)と該瞳平面(84)の間に配置され、かつ
各回折光学要素によって生成される前記回折効果が、それぞれの該回折光学要
素(42,44;242,244)上に投影光ビームによって照射される光視野
(110)の位置に依存する、
前記第1及び第2の回折光学要素(42,44;242,244)と、
を含む照明系(12)を準備する段階を含み、
前記照明系は、
iv)前記第1及び前記第2の回折光学要素(242,244)は同一であり、
v)各回折光学要素(242,244)によって生成される前記回折効果は、専ら1つの変位方向(X)に沿って前記光視野(110)の前記位置に依存して変化し、かつ
vi)前記回折光学要素のうちの1つ(244)は、該回折光学要素を前記光軸と平行な軸の回りに180°回転させることによって得られる向きに装着され、
さらに、前記方法は、
b)投影光ビーム(34)を生成する段階と、
c)前記回折光学要素(42,44;242,244)の相互空間配列を変更する段階と、
を含み、
前記相互空間配列のうちの少なくとも1つにおいて、前記光視野(110)は、前記第1及び前記第2の回折光学要素(42,44;242,244)の両方にわたって延びる、
ことを特徴とする方法。 - 少なくとも1つの回折光学要素(42,44;242,244)が、前記光軸(OA)と平行ではない変位方向(X)に沿って変位されることを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの回折光学要素(42,44;242,244)によって生成される前記回折効果は、前記光視野(110)の前記位置に依存して前記変位方向(X)に沿って変化することを特徴とする請求項9又は請求項10に記載の方法。
- 前記相互空間配列のうちの少なくとも1つにおいて、前記光視野(110)は、前記第1の回折光学要素(42;242)の第1の部分にわたってかつ前記第2の回折光学要素(44;244)の第2の部分にわたって延び、
前記第1及び前記第2の部分の面積は異なる、
ことを特徴とする請求項9から請求項11のいずれか1項に記載の方法。
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KR101758958B1 (ko) * | 2011-02-28 | 2017-07-17 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 조명 시스템 |
US9091650B2 (en) * | 2012-11-27 | 2015-07-28 | Kla-Tencor Corporation | Apodization for pupil imaging scatterometry |
US9581910B2 (en) | 2013-01-17 | 2017-02-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method of lithographically transferring a pattern on a light sensitive surface and illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
JP6114952B2 (ja) * | 2013-01-17 | 2017-04-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | リソグラフィによって感光性表面にパターンを転写する方法およびマイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム |
CN103207530B (zh) * | 2013-03-22 | 2014-12-17 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 光刻机光瞳整形光学系统及产生离轴照明模式的方法 |
CN103309174B (zh) * | 2013-05-31 | 2015-09-09 | 上海华力微电子有限公司 | 采用双极曝光方式的光刻装置、通光单元及光刻方法 |
CN103309173B (zh) * | 2013-05-31 | 2015-08-05 | 上海华力微电子有限公司 | 具有环形透光光圈的光刻装置、通光单元及光刻方法 |
WO2015007298A1 (en) * | 2013-07-17 | 2015-01-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Microlithographic apparatus and method of varying a light irradiance distribution |
CN103472687B (zh) * | 2013-09-16 | 2015-02-18 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 光刻环形照明模式产生装置 |
CN104698764B (zh) * | 2013-12-10 | 2017-01-25 | 上海微电子装备有限公司 | 对准成像装置 |
US9325973B1 (en) * | 2014-07-08 | 2016-04-26 | Aquifi, Inc. | Dynamically reconfigurable optical pattern generator module useable with a system to rapidly reconstruct three-dimensional data |
US9503708B2 (en) | 2014-11-03 | 2016-11-22 | Aquifi, Inc. | Systems and methods for reducing z-thickness and zero-order effects in depth cameras |
CN105717750B (zh) * | 2014-12-04 | 2018-03-02 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 用于光学衍射轮自转镜片工位设置的装置与方法 |
CN106154756B (zh) | 2015-04-07 | 2020-10-09 | 联华电子股份有限公司 | 照明系统以及使用其形成鳍状结构的方法 |
US10839540B2 (en) | 2017-09-29 | 2020-11-17 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Apparatus and method for generating intermediate view image |
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Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3571935B2 (ja) * | 1998-10-09 | 2004-09-29 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
US6563567B1 (en) * | 1998-12-17 | 2003-05-13 | Nikon Corporation | Method and apparatus for illuminating a surface using a projection imaging apparatus |
TW546550B (en) * | 1999-12-13 | 2003-08-11 | Asml Netherlands Bv | An illuminator for a lithography apparatus, a lithography apparatus comprising such an illuminator, and a manufacturing method employing such a lithography apparatus |
EP1109067B1 (en) * | 1999-12-13 | 2006-05-24 | ASML Netherlands B.V. | Illuminator |
US6737662B2 (en) | 2001-06-01 | 2004-05-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby, control system, computer program, and computer program product |
TW567406B (en) * | 2001-12-12 | 2003-12-21 | Nikon Corp | Diffraction optical device, refraction optical device, illuminating optical device, exposure system and exposure method |
JP2003178952A (ja) * | 2001-12-12 | 2003-06-27 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光装置および露光方法 |
JP4106701B2 (ja) * | 2001-12-12 | 2008-06-25 | 株式会社ニコン | 回折光学装置、屈折光学装置、照明光学装置、露光装置および露光方法 |
KR100480620B1 (ko) | 2002-09-19 | 2005-03-31 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 미러 어레이를 구비한 노광 장치 및 이를 이용한노광 방법 |
EP2157480B1 (en) * | 2003-04-09 | 2015-05-27 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
DE10343333A1 (de) * | 2003-09-12 | 2005-04-14 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage |
EP1668421A2 (en) | 2003-09-12 | 2006-06-14 | Carl Zeiss SMT AG | Illumination system for a microlithography projection exposure installation |
DE102004035595B4 (de) * | 2004-04-09 | 2008-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Justage eines Projektionsobjektives |
US20060087634A1 (en) | 2004-10-25 | 2006-04-27 | Brown Jay M | Dynamic illumination uniformity and shape control for lithography |
KR100685743B1 (ko) * | 2005-06-22 | 2007-02-22 | 삼성전자주식회사 | 광학 부재 홀더 및 이를 갖는 투영 노광 장치 |
US7903234B2 (en) * | 2006-11-27 | 2011-03-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and computer program product |
DE102007043958B4 (de) * | 2007-09-14 | 2011-08-25 | Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 | Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
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