JP5611443B2 - マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系 - Google Patents

マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系 Download PDF

Info

Publication number
JP5611443B2
JP5611443B2 JP2013500340A JP2013500340A JP5611443B2 JP 5611443 B2 JP5611443 B2 JP 5611443B2 JP 2013500340 A JP2013500340 A JP 2013500340A JP 2013500340 A JP2013500340 A JP 2013500340A JP 5611443 B2 JP5611443 B2 JP 5611443B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
diffractive optical
optical element
diffractive
optical elements
illumination system
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013500340A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013522918A (ja
Inventor
ミヒャエル パトラ
ミヒャエル パトラ
スティグ ビーリング
スティグ ビーリング
マルクス デギュンター
マルクス デギュンター
フランク シュレーゼナー
フランク シュレーゼナー
マルクス シュワブ
マルクス シュワブ
Original Assignee
カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー filed Critical カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー
Publication of JP2013522918A publication Critical patent/JP2013522918A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5611443B2 publication Critical patent/JP5611443B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/7015Details of optical elements
    • G03F7/70158Diffractive optical elements
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70125Use of illumination settings tailored to particular mask patterns
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274Photolithographic processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
  • Microscoopes, Condenser (AREA)

Description

本発明は、一般的に、マイクロリソグラフィ露光装置においてマスクを照明するための照明系に関し、具体的には、瞳平面内の放射照度分布を定義するのに回折光学要素が使用されるそのような系に関する。本発明は、そのような照明系を作動させる方法にも関する。
マイクロリソグラフィ(フォトリソグラフィ又は簡潔にリソグラフィとも呼ばれる)は、集積回路、液晶ディスプレイ、及び他の微細構造デバイスの製作のための技術である。マイクロリソグラフィの工程は、エッチング処理との併用で、基板、例えば、シリコンウェーハ上に形成された薄膜積層体内に特徴部をパターン形成するのに使用される。製作の各層では、最初にウェーハが、深紫外(DUV)光のような放射線に感度を有する材料であるフォトレジストで被覆される。次に、上部にフォトレジストを有するウェーハが、投影露光装置内で投影光に露光される。装置は、パターンを含むマスクをフォトレジスト上に、フォトレジストが、マスクパターンによって判断されるある一定の場所においてしか露光されないように投影する。露光の後にフォトレジストは現像され、マスクパターンに対応する像が生成される。次に、エッチング処理が、パターンをウェーハ上の薄膜積層体内に転写する。最後にフォトレジストが除去される。異なるマスクを使用するこの工程の繰返しにより、多層微細構造化構成要素がもたらされる。
投影露光装置は、一般的に、マスクを照明するための照明系と、マスクを整列させるためのマスク台と、投影対物系と、フォトレジストで被覆されたウェーハを整列させるためのウェーハ整列台とを含む。照明系は、例えば、矩形スリット又は湾曲スリットの形状を有することができるマスク上の視野を照明する。
現在の投影露光装置では、2つの種類の装置の間で区別を付けることができる。一方の種類では、ウェーハ上の各ターゲット部分が、マスクパターン全体をターゲット部分の上に1回で露光することによって照射される。そのような装置は、一般的にウェーハステッパと呼ばれる。一般的にステップアンドスキャン装置又はスキャナと呼ばれる他方の種類の装置では、各ターゲット部分は、投影ビームの下で走査方向に沿ってマスクパターンを徐々に走査し、同時に基板をこの方向と平行又は反平行に移動することによって照射される。
「マスク」(又はレチクル)という用語は、パターン形成手段として広義に解釈すべきであることは理解されるものとする。一般的に使用されるマスクは、透過パターン又は反射パターンを含み、例えば、バイナリ、交互位相シフト、減衰位相シフト、又は様々な混成マスク形式のものとすることができる。しかし、能動マスク、例えば、プログラム可能ミラーアレイとして達成されるマスクも存在する。同じくプログラム可能LCDアレイを能動マスクとして使用することができる。
微細構造デバイスを製造するための技術が進歩する時に、照明系に対しても絶えず高まる要求が存在する。理想的には、照明系は、マスク上の照明視野の各点を明確に定義された放射照度及び角度分布を有する投影光で照明する。角度分布という用語は、マスク平面内の特定の点に向けて収束する光束の全光エネルギが、光束を構成する光線の様々な方向の間で如何に分布されるかを表している。
マスク上に入射する投影光の角度分布は、通常はフォトレジスト上に投影されるパターンの種類に適合される。例えば、比較的大きいサイズの特徴部は、小さいサイズの特徴部とは異なる角度分布を必要とする可能性がある。投影光の最も一般的に使用される角度分布は、従来照明設定、輪帯照明設定、二重極照明設定、及び四重極照明設定と呼ばれる。これらの用語は、照明系の瞳平面内の放射照度分布を意味する。例えば、輪帯照明設定では、瞳平面内の環状領域しか照明されない。従って、投影光の角度分布において小さい角度範囲しか存在せず、これは、全ての光線が、マスク上に類似の角度で傾斜して入射することを意味する。
当業技術では、望ましい照明設定を得るためにマスク平面内の投影光の角度放射照度分布を修正するための異なる手段が公知である。最も単純な場合には、1つ又はそれよりも多くの開口を含む絞り(遮光器)が、照明系の瞳平面に位置決めされる。瞳平面内の場所は、マスク平面のようなフーリエ関連視野平面内の角度に変換されるので、瞳平面内の開口のサイズ、形状、及び場所は、マスク平面内の角度分布を決める。しかし、照明設定のいずれの変更も、絞りの置換を必要とする。これは、僅かに異なるサイズ、形状、又は場所を有する開口を有する絞りを非常に多く必要とすることになるので、照明設定を精密に調節することを困難にする。更に、絞りの使用は余儀なく光損失をもたらし、従って、装置の収量が低減する。
照明系の瞳平面に特定の放射照度分布を生成するのに回折光学要素が使用される場合には、絞りによってもたらされる光損失は回避される。放射照度分布は、回折光学要素と瞳平面の間に配置されたズームレンズ又はアキシコン要素対のような調節可能光学要素によって少なくともある一定の範囲で修正することができる。
瞳平面に異なる放射照度分布を生成する際の最も高い柔軟性は、回折光学要素の代わりにミラーアレイが使用される場合に得られる。例えば、EP1 262 836 A1は、1000個を超える微小ミラーを含むマイクロ電気機械系(MEMS)として達成されるミラーアレイの使用を提案している。ミラーの各々は、互いに対して垂直な2つの異なる平面内で傾斜させることができる。従って、そのようなミラーデバイス上に入射する放射線を半球の(実質的に)いずれかの望ましい方向に反射することができる。ミラーアレイと瞳平面の間に配置されたコンデンサーレンズは、ミラーによって生成される反射角を瞳平面内の場所に変換する。この従来技術の照明系は、各々が1つの特定の微小ミラーに関連付けられ、このミラーを傾斜させることによって瞳平面にわたって自由に移動可能な複数のスポットで瞳平面を照明することを可能にする。
類似の照明系は、US 2006/0087634 A1、US 7,061,582 B2、WO 2005/026843 A2、及びWO 2010/006687から公知である。
しかし、ミラーアレイの使用は、技術的に厳しいものであり、高度な光学的、機械的、かつ計算的な解決法を必要とする。
瞳平面に連続可変放射照度分布を生成するためのより簡単な手法は、位置依存性回折効果を有する回折光学要素の使用である。投影光がこの要素上に入射する位置に基づいて、瞳平面に異なる放射照度分布が生成される。通常、投影光ビームは固定されたままに保たれることになり、回折光学要素は、投影光ビームが要素上に入射する位置を変更するように変位機構を用いて変位される。この種の回折光学要素は、米国サンノゼ所在の「Tessera Technologies,Inc.」から市場で入手可能である。
しかし、そのような回折光学要素を用いても、瞳平面に異なる放射照度分布を生成する際の柔軟性は非常に限定される。この放射照度分布を修正するのに使用することができる利用可能な自由度は、最大でも、回折光学要素を1つの方向に沿って移動すること、及びそれを直交方向に沿って移動することという2つしか存在しない。
ズームレンズ及びアキシコン要素のような変位可能光学要素によって与えられる付加的な柔軟性を有する場合であっても、瞳平面内で連続可変放射照度分布を生成する際の高い柔軟性への要求が残っている。
EP1 262 836 A1 US 2006/0087634 A1 US 7,061,582 B2 WO 2005/026843 A2 WO 2010/006687
E.Delano著「1次設計及びy,
Figure 0005611443
図」、応用光学、1963年、第2巻、第12号、1251〜1256ページ
従って、本発明の目的は、照明系の瞳平面内で連続可変放射照度分布を簡単な方式で生成することを可能にする照明系を提供することである。更に別の目的は、オペレータが、照明系の瞳平面に簡単な方式で連続可変放射照度分布を生成することを可能にするマイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系を作動させる方法を提供することである。
本発明により、この目的は、投影光ビームを生成するように構成された光源と、瞳平面と、光軸と、第1及び第2の回折光学要素とを含むマイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系によって達成される。回折光学要素は、瞳平面内の投影光の放射照度分布が、回折光学要素によって生成される回折効果に依存するように光源と瞳平面の間に配置される。各回折光学要素によって生成される回折効果は、投影光ビームによって回折光学要素上に照射される光視野の位置に依存する。更に、照明系は、回折光学要素の相互空間配列を変更するように構成された変位機構を含む。変位機構を用いて得ることができる相互空間配列のうちの少なくとも1つにおいて、光視野は、第1の回折光学要素と第2の回折光学要素の両方にわたって延びている。
本発明は、投影光ビームが、所定の時点で1つだけではなく、2つ又はそれよりも多くの回折光学要素上に入射する場合に、可能な放射照度分布の範囲を大きく広げることができるという概念に基づいている。この場合、瞳平面内の放射照度分布は、回折光学要素の相互空間配列に依存することになる。少なくとも1つの自由度が、各回折光学要素に関連付けられるので、本発明は、瞳平面内の放射照度分布を変更するのに少なくとも2つの独立した自由度を与える。
これは、変位機構が、必ずしも各回折光学要素を独立して変位させることができることを意味しない。照明系が、回折光学要素が一時的に静止する場合に光視野の位置を変更するように構成されたビームステアリングデバイスを含む場合には、変位機構を2つの回折光学要素の一方のみを固定位置に留めて他方に対して変位させることができるように構成するだけで十分である。そのようなビームステアリングデバイスは、光学要素、特に、レンズ又はミラーを傾斜、変位、又は変形させるように構成されたアクチュエータを含むことができる。
多くの場合に、変位機構は、照明系の制御ユニットからの入力指令に応答して回折光学要素の相互空間配列を変更するように構成されたモータ駆動機構である場合に有利になる。「モータ」という用語は、外部エネルギ源を使用するいずれかの種類の作動デバイスを包含し、例えば、電気モータ、空気圧モータ、又は圧電モータを含み、広義に理解すべきである。モータ駆動機構を使用すると、回折光学要素を手動で調節する必要なく、瞳平面内の放射照度分布を非常に迅速に変更することができる。しかし、原理的には、変位機構は、操作者が回折光学要素に機械接続したレバー又はいずれかの他の種類の操作要素を手動操作する時に、回折光学要素の相互空間配列を変更するように構成された手動駆動機構とすることができる。
投影光ビームが照明系の光軸と平行に伝播する場合には、変位機構は、少なくとも1つの回折光学要素を光軸に対して垂直な又は少なくとも平行ではない変位方向に沿って変位させるように構成すべきである。この場合にのみ、少なくとも1つの回折光学要素の変位は、投影光ビームによって少なくとも1つの回折光学要素上に照射される光視野の位置が変更されるという望ましい効果を有することになる。
そのような条件の下では、少なくとも1つの回折光学要素によって生成される回折効果は、光視野の変位方向に沿った位置に依存して変化するはずである。
回折光学要素が実質的に平面の要素である場合には、これらの回折光学要素は、同じ平面又は平行な複数の平面内で延びるとすることができる。
殆どの実施形態では、第1及び第2の回折光学要素は、変位機構を用いて得ることができる少なくとも1つ、好ましくは全ての相互空間配列において、第1の回折光学要素上に入射する投影光が、第2の回折光学要素上には入射しないように配置される。言い換えれば、一般的に第1の回折光学要素上に入射と第2の回折光学要素上に入射する投影光とが存在するが、両方の回折光学要素上に入射するいずれの投影光も存在しないことになる。この場合、瞳平面内の組合せ放射照度分布は、第1の回折光学要素のうちで光視野内に位置する部分によって個々に生成される放射照度分布と、第2の回折光学要素のうちで光視野内に位置する部分によって個々に生成される放射照度分布との重ね合わせになる。
変位機構を用いて得ることができる相互空間配列のうちの少なくとも1つにおいて、第1の回折光学要素上に入射する投影光が第2の回折光学要素上にも入射する場合には、瞳平面内の組合せ放射照度分布は、2つの回折光学要素の重なり合う部分において、第1の回折光学要素によって生成される個別放射照度分布と、第2の回折光学要素によって生成される個別放射照度分布との重ね合わせではなく、畳み込みになる。第1の光学要素と第2の光学要素との相互空間配列を変更することにより、この畳み込みを必要に応じて修正することができる。
一実施形態では、第1の回折光学要素と第2の回折光学要素とは同一である。各回折光学要素によって生成される回折効果は、1つの変位方向だけに沿う光視野の位置に依存して変化する。回折光学要素のうちの1つは、回折光学要素を光軸と平行な軸の回りに180°だけ回転させることによって得られる向きに装着される。
2つの回折光学要素がそのような鏡面対称回折効果を有する場合には、1つの自由度しか存在せず、その結果、瞳平面に異なる放射照度分布を生成する際の柔軟性が低減する。しかし、そのような実施形態では、一方の回折光学要素によって生成される回折効果の変化が、他方の回折光学要素によって生成される逆効果によって補償されるので、光視野の変位方向に沿った小さい位置変化は、瞳平面内の放射照度分布に対して非常に僅かな効果のみを有する。
これは、光視野の位置を十分に安定させることができない場合に重要である。光視野の振動移動は、照明系において光源として使用されるレーザによってもたらされる可能性がある。レーザによって放出される光の方向、並びに発散は完全には安定せず、ビーム送出経路の長い距離(20メートルまで)にわたって、たとえ非常に小さい変動であっても、回折光学要素にわたる光視野の有意なシフトをもたらす。回折光学要素の鏡面対称配列を使用すると、そのような変動に対する瞳平面内の放射照度分布の感受性は大きく低減する。
同様に変位方向に対して垂直な方向に沿ったそのような変動によってもたらされる悪影響を抑制するためには、通常、光視野が、第1の回折光学要素の高さと第2の回折光学要素の高さとの和よりも少なくとも5%、好ましくは、少なくとも20%低い光軸及び変位方向に対して垂直な高さを有するように回折光学要素を設計するだけで十分である。
一部の実施形態では、照明系は、投影光ビームに対する回折光学要素の空間配列を光軸を含まない2つの直交方向に沿って変更することができるように構成される。投影光ビームに対する回折光学要素の空間配列を変更するためには、変位機構を用いて回折光学要素自体を変位させるか、又は例えばビームステアリングデバイスを用いて投影光ビームの伝播方向を変更することによって投影光ビームを移動するかのいずれかである。両方の場合に、所定の時点において回折光学要素上で光視野が延びる部分の面積を変更することができる。更に、これは、回折光学要素の間で分配される光エネルギの比に影響を及ぼす。
例えば、少なくとも1つの相互空間配列において、光視野は、第1の回折光学要素の第1の部分と第2の回折光学要素の第2の部分とにわたって延び、第1の部分の面積と第2の部分の面積とは異なる。投影光ビームが、その直径にわたって対称な放射照度分布を有すると仮定すると、この場合、第1の回折光学要素上に入射する光量と第2の回折光学要素上に入射する光量とは異なることになる。その結果、各回折光学要素に関連付けられた放射照度分布も異なる光エネルギ量を含むことになる。
変位機構は、回折光学要素を光軸を含まない2つの直交方向に沿って個々に変位させるように構成することができる。
一部の実施形態では、第1の回折光学要素によって生成される回折効果は、瞳平面に環形状を有する放射照度分布をもたらし、環の幅は、第1の回折光学要素上の光視野の位置に依存する。第2の回折光学要素によって生成される回折効果は、瞳平面に2つの極を含む放射照度分布をもたらし、極のサイズは第2の回折光学要素上の光視野の位置に依存する。光視野が、第1の回折光学要素、並びに第2の回折光学要素にわたって延びる場合には、組合せ効果は、輪帯照明設定と二重極照明設定との重ね合わせになる。
回折光学要素と瞳平面の間に配置された少なくとも1つの追加の光学要素を存在させることができる。この少なくとも1つの光学要素を照明系の光軸に沿って変位させるように構成された更に別の変位機構を設けることができる。光学要素は、例えば、レンズ又はアキシコン要素によって形成することができる。この場合、光学要素のうちの1つ又はそれよりも多くを従来技術で公知のように光軸に沿って更に移動することにより、瞳平面内の放射照度分布を修正することができる。
照明系は、第3の回折光学要素を含むことができる。この場合、光視野が、第1の回折光学要素と、第2の回折光学要素と、更に第3の回折光学要素とに延びる少なくとも1つの相互空間配列を存在させることができる。瞳平面内の結果は、第1の回折光学要素によって生成される放射照度分布と、第2の回折光学要素によって生成される放射照度分布と、第3の回折光学要素によって生成される放射照度分布との重ね合わせになる。
本発明の別の態様により、上述した目的は、投影光ビームを生成するように構成された光源と、瞳平面と、光軸と、第1及び第2の回折光学要素とを含むマイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系によって達成される。回折光学要素は、瞳平面内の投影光の放射照度分布が回折光学要素によって生成される回折効果に依存するように、光源と瞳平面の間に配置される。各回折光学要素によって生成される回折効果は、投影光が回折光学要素上に入射する位置に依存する。照明系は、更に、回折光学要素の相互空間配列を変更するように構成された変位機構を含む。変位機構を用いて得ることができる相互空間配列のうちの少なくとも1つにおいて、第1の回折光学要素上に入射した投影光は、第2の回折光学要素上にも入射する。
本発明のこの態様による照明系は、上記に略述したものと同じ基本概念に基づいている。投影光ビームが、2つ又はそれよりも多くの回折光学要素上に順次入射する場合には、可能な放射照度分布の範囲を大きく広げることができる。この場合、瞳平面内の放射照度分布は、第1の回折光学要素によって生成される個別放射照度分布と、第2の回折光学要素によって生成される個別放射照度分布との畳み込みとして表すことができる。第1の光学要素と第2の光学要素との相互空間配列を変更することにより、この畳み込みを必要に応じて修正することができる。各回折光学要素には少なくとも1つの自由度が関連付けられるので、この態様による本発明もまた、瞳平面内の放射照度分布を変更するのに少なくとも2つの独立した自由度を与える。
本方法に関しては、上述した目的は、以下の段階、すなわち、
a)i)瞳平面と、
ii)光軸と、
iii)第1及び第2の回折光学要素であって、
瞳平面内の投影光の放射照度分布が、回折光学要素によって生成される回折効果に依存するように、回折光学要素が光源と瞳平面の間に配置され、かつ
各回折光学要素によって生成される回折効果が、投影光ビームによってそれぞれの回折光学要素上に照射される光視野の位置に依存する、
前記第1及び第2の回折光学要素と、
を含む照明系を準備する段階と、
b)投影光ビームを生成する段階と、
c)回折光学要素の相互空間配列を変更する段階と、
を含む方法によって達成され、
相互空間配列のうちの少なくとも1つにおいて、光視野は、第1の回折光学要素と第2の回折光学要素の両方にわたって延びる。
本発明による方法に関連する利点及び技術効果に関しては、本発明による照明系の以上の説明を参照されたい。
少なくとも1つの回折光学要素は、光軸に対して垂直な又は少なくとも平行ではない変位方向に沿って変位させることができる。
この少なくとも1つの回折光学要素によって生成される回折効果は、光視野の変位方向に沿った位置に依存して変化することができる。
光視野に対する回折光学要素の空間配列は、光軸を含まない2つの直交方向に沿って変更することができる。この変更は、回折光学要素を光軸を含まない2つの直交方向に沿って変位させることによって達成することができる。
この場合、少なくとも1つの相互空間配列において、光視野は、第1の回折光学要素の第1の部分と第2の回折光学要素の第2の部分とにわたって延びることができ、第1の部分の面積と第2の部分の面積とは異なる。
光視野は、ビームステアリングデバイスを用いて投影光ビームを誘導することによって移動することができる。
照明系は、第3の回折光学要素を含むことができ、光視野が、第1の回折光学要素と第2の回折光学要素と第3の回折光学要素とにわたって延びる少なくとも1つの相互空間配列を存在させることができる。
本発明の別の態様により、上述した目的は、以下の段階、すなわち、
a)i)瞳平面と、
ii)光軸と、
iii)第1及び第2の回折光学要素であって、
瞳平面内の投影光の放射照度分布が、回折光学要素によって生成される回折効果に依存するように、回折光学要素が光源と瞳平面の間に配置され、かつ
各回折光学要素によって生成される回折効果が、投影光ビームによってそれぞれの回折光学要素上に照射される光視野の位置に依存する、
前記第1及び第2の回折光学要素と、
を含む照明系を準備する段階と、
b)投影光ビームを生成する段階と、
c)回折光学要素の相互空間配列を変更する段階と、
を含む方法によって達成され、
変位機構を用いて得ることができる相互空間配列のうちの少なくとも1つにおいて、第1の回折光学要素上に入射する投影光は、第2の回折光学要素上にも入射する。
定義
本明細書では「光」という用語は、あらゆる電磁放射線、特に、可視光、UV光、DUV光、VUV光、及びEUV光、並びにX線を表す上で使用する。
本明細書では「光線」という用語は、線で表すことができる伝播経路を有する光を表す上で使用する。
本明細書では「光束」という用語は、視野平面に共通の起点を有する複数の光線を表す上で使用する。
本明細書では「光ビーム」という用語は、特定のレンズ又は別の光学要素を通過する全ての光を表す上で使用する。
本明細書では「位置」という用語は、3次元空間内の物質的エンティティ又は非物質的エンティティ(光のような)の基準点の場所を表す上で使用する。位置は、通常は3つの直交座標の組で表される。従って、向きと位置とは、3次元空間内での物体の配置を完全に表している。
本明細書では「方向」という用語は、直線の空間的な向きを表す上で使用する。従って、特定の方向に沿った物体の移動は、物体が、その線上で2つの反対の向きに移動することが許されることを意味する。
本明細書では「面」という用語は、3次元空間内のあらゆる平面又は湾曲面を表す上で使用する。面は、物質的エンティティの一部とすることができ、又は視野又は瞳平面における場合に一般的であるように物質的エンティティから完全に分離したものとすることができる。
本明細書では「視野平面」という用語は、マスク平面に対して光学的に共役な平面を表す上で使用する。
本明細書では「瞳平面」という用語は、マスク平面内の異なる点を通過する周辺光線が交わる平面を表す上で使用する。当業技術では通例であるが、「瞳平面」は、数学的な意味で平面ではなく、僅かに湾曲しており、従って、厳密な意味で瞳面と呼ぶべき場合にも「瞳平面」とう用語を使用する。
本明細書では「光学ラスター要素」という用語は、各光学ラスター要素が、複数の隣接する光学チャンネルのうちの1つに関連付けられるように他の同等又は類似の光学ラスター要素と合わせて配置されたあらゆる光学要素、例えば、レンズ、プリズム、又は回折光学要素を表す上で使用する。
本明細書では「光学インテグレーター」という用語は、NAが開口数であり、aが照明視野の面積である場合に、積NA・aを増大させる光学系を表す上で使用する。
本明細書では「コンデンサー」という用語は、2つの平面、例えば、視野平面と瞳平面の間にフーリエ関係を確立する(少なくとも近似的に)光学要素又は光学系を表す上で使用する。
本明細書では「共役平面」という用語は、互いの間で結像関係が確立される平面を表す上で使用する。共役平面の概念に関するより多くの情報は、E.Delano著「1次設計及びy,
Figure 0005611443
図」、応用光学、1963年、第2巻、第12号、1251〜1256ページに説明されている。
本明細書では「空間放射照度分布」という用語は、光が入射する実際又は仮想の面にわたって全放射照度が如何に変化するかを表す上で使用する。通常、空間放射照度分布は、x,yが面上の点の空間座標である時に、関数Is(x,y)で表すことができる。視野平面に適用した場合には、空間放射照度分布は、複数の光束によって生成される放射照度を必然的に積分する。
本明細書では「角度放射照度分布」という用語は、光束の放射照度が、光束を構成する光線の角度に依存して如何に変化するかを表す上で使用する。通常、角度放射照度分布は、α、βが、光線の方向を表す角座標である時に、関数Ia(α,β)で表すことができる。
本発明の様々な特徴及び利点は、添付図面と共に以下に続く詳細説明を参照することによってより容易に理解することができるであろう。
本発明の一実施形態による投影露光装置の略斜視図である。 第1の実施形態による図1に示す装置の照明系を通る子午断面図である。 図2に示す照明系内に含まれる第1の回折光学要素の上面図を上部に示し、異なる位置にある光視野で照射された場合に第1の回折光学要素によって遠視野内に生成される3つの放射照度分布を下部に示す図である。 図2に示す照明系内に含まれる第2の回折光学要素の上面図を上部に示し、異なる位置にある光視野で照射された場合に第2の回折光学要素によって遠視野内に生成される3つの放射照度分布を下部に示す図である。 特定の相互配列にある第1及び第2の回折光学要素上の光軸に沿って見た場合の上面図である。 第1の回折光学要素と第2の回折光学要素との異なる相互空間配列を用いて得ることができる複数の異なる組合せ放射照度分布の図である。 回折光学要素を2つの直交方向に沿って変位させることができる第2の実施形態による図1に示す装置の照明系を通る子午断面図である。 特定の相互配列にあるが投影光ビームに対して異なる相対位置を有する第1及び第2の回折光学要素上の光軸に沿って見た場合の上面図である。 特定の相互配列にあるが投影光ビームに対して異なる相対位置を有する第1及び第2の回折光学要素上の光軸に沿って見た場合の上面図である。 特定の相互配列にあるが投影光ビームに対して異なる相対位置を有する第1及び第2の回折光学要素上の光軸に沿って見た場合の上面図である。 投影光ビームに対する回折光学要素の空間配列をビームステアリングデバイスによって変更することができる第3の実施形態による図1に示す装置の照明系を通る子午断面図である。 第4の実施形態による特定の相互配列にある3つの回折光学要素上の光軸に沿って見た場合の上面図である。 第5の実施形態による2つの重なり合う回折光学要素上の光軸に沿って見た場合の上面図である。 回折光学要素が鏡面対称位置依存性を有する回折効果を有する第6の実施形態による2つの回折光学要素上の上面図である。 回折光学要素が鏡面対称位置依存性を有する回折効果を有する第6の実施形態による2つの回折光学要素上の上面図である。 回折光学要素が鏡面対称位置依存性を有する回折効果を有する第6の実施形態による2つの回折光学要素上の上面図である。 重要な方法段階を示す流れ図である。
I.投影露光装置の一般的な構成
図1は、本発明による投影露光装置10の非常に簡略化した斜視図である。装置10は、投影光ビーム(図示せず)を生成する照明系12を含む。照明系12は、図1では細線として略示す複数の小さい特徴部19によって形成されたパターン18を含むマスク16上の視野14を照明する。この実施形態では、照明視野14は、リングセグメントの形状を有する。しかし、照明視野14の他の形状、例えば、矩形も考えられている。
投影対物系20は、照明視野14内のパターン18を基板24によって支持される感光層22、例えば、フォトレジスト上に結像する。シリコンウェーハによって形成することができる基板24は、感光層22の上面が、投影対物系20の像平面に正確に位置するようにウェーハ台(図示せず)上に配置される。マスク16は、マスク台(図示せず)を用いて投影対物系20の物体平面に位置決めされる。投影対物系20は、|β|<1である倍率βを有するので、照明視野14内のパターン18の縮小像18が感光層22上に投影される。
この実施形態では、投影対物系20の設計は、照明視野14が、投影対物系20の光軸26を外して位置決めされることを必要とする。他の種類の投影対物系では、照明視野14は、光軸26上に中心を定めることができる。
投影中に、マスク16及び基板24は、図1に示すY方向に一致する走査方向に沿って移動する。この場合、照明視野14は、照明視野14よりも大きいパターン区域を連続的に結像することができるようにマスク16にわたって走査を行う。基板24の速度とマスク16の速度との比は、投影対物系20の倍率βに等しい。投影対物系20が像を反転させる場合は(β<0)、図1に矢印A1とA2とに示すように、マスク16と基板24とは反対向きに移動する。しかし、本発明は、マスクの投影中にマスク16及び基板24が移動しないステッパツールに対して使用することができる。
II.照明系の一般的な構成
図2は、図1に示す照明系12を通る子午断面図である。明瞭化の目的で、図2の図は、大きく簡略化しており、正確な縮尺のものではない。これは特に、様々な光学ユニットを1つ又は非常に少数の光学要素のみで表すことを意味する。現実には、これらのユニットは、有意により多くのレンズ又は他の光学要素を含むことができる。
照明系12は、ハウジング28、及び図示の実施形態ではエキシマレーザとして達成される光源30を含む。光源30は、約193nmの波長を有する投影光を放出する。他の種類の光源30及び他の波長、例えば、248nm又は157nmも考えられている。
図示の実施形態では、光源30によって放出された投影光はビーム拡大ユニット32に入射し、ビーム拡大ユニット32は、拡大され、ほぼ平行化された投影光ビーム34を出力する。投影光ビームの直径を増大させるために、ビーム拡大ユニット32は、いくつかのレンズを含むことができ、又は例えばミラー配列として達成することができる。
第1の平面ビーム経路折り返しミラー36及び第2の平面ビーム経路折り返しミラー38において偏向された後に、投影光ビーム34は、その後の瞳平面に可変空間放射照度分布を生成するのに使用される瞳定義ユニット40に入射する。この目的のために、瞳定義ユニット40は、第1の回折光学要素42及び第2の回折光学要素44を含む。
拡大抜粋図46において明瞭に分るように、回折光学要素42、44の各々は、共通の平面基板50上に形成された複数の微細回折構造48を含む。回折光学要素42、44は、当業技術で公知のように、コンピュータ生成ホログラム(CGH)として達成することができる。第1及び第2の回折光学要素42、44の光学特性に対しては、図3及び図4を参照して下記で更に説明する。
回折光学要素42、44は、照明系12の光軸OAに対して直交する平面に延びている。この実施形態では、2つの平面は、光軸OAに沿って僅かに変位したが、回折光学要素42、44を共通の平面に配置するように考えることができる。2つの回折光学要素42、44を示す図5から明らかになるが、光軸OAと平行であるz方向に沿って見た場合には、回折光学要素42、44は、互いが重なり合わないが、Y方向に沿って互いに直接に接触するように配置される。
更に、瞳定義ユニット40は、回折光学要素42、44をX方向に沿って個々に変位させることによって回折光学要素42、44の相互空間配列を変更するように構成される変位機構52を含む。この目的のために、変位機構52は、双方向矢印A3に示すように、回折光学要素42をX方向に沿って変位させるように構成される第1のドライバ54を含む。この実施形態では、第1のドライバ54は、歯車ギア58によって第1の回折光学要素42に接続したサーボモータ56を含む。サーボモータ56は、全体系制御器62に接続した制御ユニット60によって制御される。
更に、変位機構52は、第2の回折光学要素44に類似の方式で関連付けられた第2のドライバ64を含む。第2のドライバ64は、双方向矢印A4に示すように、第2の回折光学要素44をX方向に沿って変位させるように構成される。第1のドライバ54と同様に、第2のドライバ64は、歯車ギア68によって第2の回折光学要素44に接続したサーボモータ66を含む。同様に第2の変位機構64のサーボモータ66も、制御ユニット60に接続される。
このようにして第1の回折光学要素42と第2の回折光学要素44との相互空間配列を制御ユニット60からの入力指令に応答して変更することができる。
更に、瞳定義ユニット40は、第1のアクチュエータ71を用いて光軸OAに沿って変位させることができる(双方向矢印A5を参照されたい)ズームコリメータレンズ70、並びに相補円錐面を有する第1及び第2のアキシコン要素72、74を含む。光軸OAに沿ったアキシコン要素72、74の間の距離は、双方向矢印A6に示すように、第2のアクチュエータ76を用いて変更することができる。この実施形態では、第2のアクチュエータ76は、第2のアキシコン要素74にしか結合されず、2つのアキシコン要素72、74の間の距離を変更する他の構成も実現可能である。アキシコン要素72、74は、第1のアキシコン要素72の入射面における放射照度分布が半径方向に外向きにシフトされるという効果を有する。半径方向シフトの量は、第1のアキシコン要素72と第2のアキシコン要素74の間の距離に依存する。
アキシコン要素72、74を通過した光は、図示の実施形態では光学ラスター要素の2つのアレイ80、82を含む光学インテグレーター78上に入射する。各光学ラスター要素は、当業技術で公知のように、交差する2つの円柱レンズによって形成される。光学ラスター要素は、例えば、矩形の境界線を有する回転対称レンズによって形成することができる。光学インテグレーター78は、瞳平面84内に複数の2次光源を生成する。各2次光源は、同じX座標及びY座標を有する、アレイ80、82の2つの光学ラスター要素によって定義される光学チャンネルに関連付けられる。
コンデンサー86は、2次光源によって生成された角度光分布をその後の中間視野平面88における空間放射照度分布に変換する。全ての2次光源は、実質的に同じ角度放射照度分布を生成するので、中間視野平面88内の空間放射照度分布も非常に類似する。これらの放射照度分布の重ね合わせは、中間視野平面88内に非常に均一な視野照明をもたらす。
中間視野平面88は、視野絞り90と共に、マスク16が配置されたマスク平面94上に視野絞り対物系92によって結像される。従って、マスク16上に照明される視野は14、複数の2次光源によって中間視野平面88内に照明され、更に視野絞り90によってマスキングされた視野の像である。
III.回折光学要素の光学特性
以下では、第1及び第2の回折光学要素42、44の光学特性を図3及び図4を参照してより詳細に説明する。
図3は、その上部に第1の回折光学要素42の上面図を示している。簡略化の目的で示していない第1の回折光学要素42の回折構造48は、第1の回折光学要素42によって生成される回折効果が、第1の回折光学要素42上で投影光ビーム34によって照射される光視野の位置に依存するように設計される。
図3には、そのような光視野の第1、第2、及び第3の位置を示しており、それぞれ96a、96b、及び96cで表している。3つの位置96a、96b、96cは、X方向に沿ったこれらの場所に関してのみ互いに異なる。
投影光ビーム34が、第1の回折光学要素42上の第1の位置96aにおいて光視野を照射する場合には、投影光ビーム34は、遠視野において(又は均等であるがズームコリメータレンズ70によるフーリエ変換の後に)、図3に98aで表す第1の空間放射照度分布に対応する角度光分布を生成することになる。この第1の空間放射照度分布98a内では、X方向に沿って分離された2つの小さい極P1、P2のみが照明される。各極P1、P2は、外側半径rpoと内側半径rpiとを有するリングセグメントの形状を有する。以下で極幅角度αで示すリングセグメントの角度的延長は、両方の極P1、P2に対して同一である。
投影光ビーム34が、第1の回折光学要素42上の第2の位置96bにおいて光視野を生成する場合には、遠視野内に類似の極であるが、より大きい極幅角度αを有する極P1、P2を有する空間放射照度分布が生成されることになる。光視野の第3の位置96cでは、極幅角度αは、その最大値を有する。
光視野の全ての中間位置において、類似の極であるが、3つの位置96a、96b、及び96cに対して図3に示すものの間にある値を有する極幅角度αを有する極P1、P2が生成されることになることは理解されるものとする。
この実施形態では、図3に示す異なる位置96a、96b、96cは、固定された第1の回折光学要素42にわたって投影光ビーム34を移動することによってではなく、第1のドライバ54を用いて第1の回折光学要素42を固定された投影光ビーム34に対して変位させることによって生成される。
図4は、図3と類似の表現形式で、第2の回折光学要素44上で光視野が異なるX位置102a、102b、102cにおいて照射された場合に遠視野内に生成される異なる空間放射照度分布103a、103b、103cを示している。光視野の第1の位置102aでは、外側半径raoと内側半径raiとを有する環104が照射される。光視野がX方向に沿って移動された場合は(位置102a)、環104の外側半径raoは、第3の位置102cに対して示すその最大値に達するまで連続的に増大する。
以下では、照明系12の機能を図5及び図6を参照して説明する。
IV.機能
図5は、光軸OAと平行であるZ方向に沿って見た場合の第1及び第2の回折光学要素42、44上の上面図である。回折光学要素42、44は、第1及び第2のドライバ54、64(図5には示していない)を用いてX方向に沿って個々に変位させることができるように、ガイドレール104、106、108内で案内される。
各回折光学要素42、44内には、光が回折光学要素42、44のそれぞれのX位置上に入射する場合に生成されることになる遠視野放射照度分布を略示している。2つの回折光学要素42、44は、投影光ビーム34が、回折光学要素42、44上で両方の回折光学要素42、44に等しく延びる光視野110を照射するように、投影光ビーム34のビーム経路に配置される。言い換えれば、光ビーム34の半分(中央のガイドレール106によってもたらされる僅かな光損失を無視した場合)は、第1の回折光学要素42によって回折され、光ビーム34の他方の半分は、第2の回折光学要素44によって回折される。
図5に示す第1の回折光学要素42と第2の回折光学要素44との特定の相互空間配列では、第1の回折光学要素42は、遠視野内に中間サイズの極幅角度αを有する2つの極P1、P2を生成する。第2の回折光学要素44は、遠視野内に小さい外側半径raoを有する細い環104を生成する。両方の遠視野放射照度分布は単純に重なるので、細い環104と2つの中間サイズの極P1、P2との組合せである組合せ放射照度分布112が得られる。
第1の回折光学要素42と第2の回折光学要素44との相互空間配列を変更することにより、環104の厚み及び極幅角度を独立して変更することができる。より具体的には、第1の回折光学要素42が、矢印A3に示すように、第1のドライバ54を用いてX方向に沿って移動された場合には、極幅角度が連続的に変化する。第2の回折光学要素44が、矢印A4に示すように、第2のドライバ64を用いてX方向に沿って移動された場合には、環104の外側半径が連続的に変化する。
これは、第1の回折光学要素42と第2の回折光学要素44との異なる相互空間配列を用いて得ることができる複数の異なる組合せ放射照度分布112を示す図6にも例示している。図6の最初の3つの行では、光視野110が、第1の回折光学要素42のうちで最小極幅角度αを有する遠視野極P1、P2を生成する一部分にわたって延びるように、図5に示す第1の回折光学要素42が右に移動されたことを仮定している。この空間放射照度分布は、図5に示す第2の回折光学要素44を左に移動することによって遠視野内に生成される異なる環104と組み合わされる。この場合、組合せ放射照度分布112内の極P1、P2の幾何学形状及びサイズは、固定されたままに保たれ、一方、環104の外側半径raoは連続的に増大する。
第1の回折光学要素42と第2の回折光学要素44との相互空間配列に基づいて、極幅角度αと環104の外側半径raoとのいずれか任意の組合せを得ることができる。
2つの回折光学要素42、44を用いて得ることができる各組合せ放射照度分布112は、ズームコリメータレンズ64及びアキシコン要素72、74を用いて更に変更することができる。ズームコリメータレンズ64が光軸OAに沿って変位した場合には、この変位は、回折光学要素42、44のその時の空間配列においてこれらの回折光学要素によって生成される組合せ放射照度分布112を拡大又は縮小する効果を有することになる。言い換えれば、放射照度分布は、一定の係数で拡大又は縮小される。これは、例えば、環104の外側半径raoが係数xで増大した場合に、その内側半径raiも係数xで増大することを必然的に引き起こす。
アキシコン要素72、74を使用すると、環104及び極P1、P2をこれらの半径方向のサイズを変化させることなく半径方向に移動することができる。この移動は、例えば、環104の外側半径raoが係数xで増大された場合に、内側半径raiがrai+rao(x−1)になることを必然的に引き起こす。
従って、照明系12は、マスク16を感光面22上に可能な最良の手法で結像するために瞳平面84内の放射照度分布を調節するのに4つの自由度、すなわち、第1及び第2の回折光学要素42、44のX位置、ズームコリメータレンズ64のZ位置、及び第2のアキシコン要素74のZ位置を与える。
V.第2の実施形態
図7は、図2と類似の表現形式における第2の実施形態による照明系12を通る子午断面図である。
図7に示す照明系12は、第1及び第2のドライバ54、64が、回折光学要素42、44をX方向だけでなく、Y方向に沿っても変位させるように構成される点で図2に示す照明系とは異なる。X方向とY方向とは互いに対して直交するが、光軸OAは含まない。
この目的のために、ドライバ54、64は、第1及び第2の回折光学要素42、44をサーボモータ56、66及び歯車ギア58、68と共にY方向に沿って変位させることができる付加的なサーボモータ114、116を含む。
第1及び第2の回折光学要素42、44を更にY方向に沿っても変位させることができることの効果を図8a、図8b、及び図8cを参照して以下に説明する。
図8aは、図5と実質的に同一である。第1及び第2の回折光学要素42、44は、第1及び第2の回折光学要素42、44上に照射される部分が少なくとも実質的に同じ面積を有するように光視野110に対して配置される。その結果、組合せ放射照度分布112において環104に対する量と同じ量の光が極P1、P2に向けて誘導される。
図8bでは、2つの回折光学要素42、44が、矢印118に示すように下向き、すなわち、Y方向に沿って変位したことを仮定している。その結果、光視野110に対する第1及び第2の回折光学要素42、44の配列は、投影光ビーム34によって第1の回折光学要素42上に照射される部分と第2の回折光学要素44上に照射される部分とが今度は異なる面積を有するように変更される。その結果、利用可能な光のうちの半分超が、第1の回折光学要素42によって極P1、P2に向けて誘導され、利用可能な光のうちの半分未満が、第2の回折光学要素44によって環104に向けて誘導される。言い換えれば、組合せ放射照度分布112において、光エネルギが環104から極P1、P2にシフトする。
図8cに矢印120で示すように、2つの回折光学要素42、44が、Y方向に沿って上方に共通して移動される場合には、殆どの投影光は、環104に向けて誘導されることになり、極P1、P2は、瞳平面84内で単に弱く照射される。
従って、回折光学要素42、44のY位置を変更することにより、極P1、P2に向けて誘導される利用可能な光と環104に向けて誘導される光との光エネルギ比を連続的に変更することが可能である。
回折光学要素42、44をY方向に沿って移動することによって環104と極P1、P2の間の光エネルギ比を変更する機能は、各回折光学要素42、44によって生成される遠視野放射照度分布の位置だけではなく、その面積もが、回折光学要素42、44のX方向に沿った移動と共に変更される場合に特に有利である。例えば、極P1、P2のサイズを極幅角度αを増大させることによって拡大される場合には、極P1、P2内の各点における放射照度を一定に保つことが望ましい場合がある。この場合、極P1、P2内の放射照度が、極幅角度αとは関係なく一定に留まる程度に、光エネルギを環104から極P1、P2に移し換えることができる。
VI.更に別の代替実施形態
a)ビーム方向を変更すること
図9は、回折光学要素42、44の空間配列を光視野110に対してX方向とY方向に沿って変更することが同様に可能な第3の実施形態による照明系12を通る子午断面図である。しかし、この実施形態では、第1及び第2のドライバ54、64は、図2に図示の実施形態と同様に、回折光学要素42、44をこれらの相互空間配列を変更するためにX方向に沿って変位させることしかできない。回折光学要素42、44の配列の光視野110に対するY方向に沿った変更は、この実施形態では、アクチュエータ122を含むビームステアリングデバイスによって生成される。アクチュエータ122は、投影光ビーム34、従って、光ビーム34によって回折光学要素42、44上に照射される光視野110が、必要に応じてY方向に沿って上下に移動するように第2のビーム折り返しミラー38を傾斜させることができる。この場合、極P1、P2及び環104のサイズは、第1の回折光学要素42と第2の回折光学要素44とのX方向に沿った相互空間配列によって判断される。光エネルギ比は、アクチュエータ122を用いて光視野110を上下に移動することによって判断される。
アクチュエータ122を用いて光ビーム34を回折光学要素42、44上の望ましい位置に視準するという概念は、第1及び第2のドライバ54、64の機械的なレイアウトを簡単に保つのに役立つ。
第2のビーム折り返しミラー38を傾斜する段階は、回折光学要素42、44上に入射する投影光ビーム34の方向を余儀なく変更するので、アクチュエータ122を第2のビーム折り返しミラー38をX方向に沿って変位させることができるように構成することが好ましい場合がある。回折光学要素42、44及びドライバ54、64が、これらの構成要素を光軸OAの回りに90°だけ回転させることによって図9に示す配列から得られる向きに装着される場合には、図9に図示の実施形態におけるものと同じ効果が得られるが、投影光ビーム34は、回折光学要素42、44上に常に同じ角度の下で入射する。
b)3つの回折光学要素
図10は、図5と類似の表現形式で、2つだけではなく3つの異なる回折光学要素42、44、45が、1つの平面に配置されたか、又は互いが重なり合わないように平行な複数の平面に配置された第4の実施形態を示している。
この実施形態では、第1及び第2の回折光学要素42、44は、図3及び図4を参照して上述したものと同じ光学特性を有する。第3の回折光学要素45は、光ビーム34が入射する位置に基づいて、遠視野内に第1の回折光学要素42と同じであるが、90°だけ回転された極配列P1、P2を生成する。従って、3つの回折光学要素42、44、45を使用すると、4つの極P1、P2、P3、P4及び外側環104を有する組合せ放射照度分布112を生成することができる。しかし、X方向に沿って配置された極P1、P2の極幅角度αとY方向に沿って配置された極P3、P4の極幅角度αとは、第1及び第3の回折光学要素42、45をX方向に沿って変位させることによって独立して変更することができる。
更に、回折光学要素42、44、45の光視野110に対する配列がY方向に沿って変更された場合には、X方向に沿って延びる極P1、P2とY方向に沿って延びる極P3、P4の間のエネルギ比は変化する。
c)回折光学要素を重ねること
図11は、第5の実施形態による第1及び第2の回折光学要素142、144の略上面図である。上述の実施形態とは異なり、回折光学要素142、144は、互いが少なくとも部分的に重なり合うように異なる平行平面に配置される。この場合、投影光ビーム34は、第1の回折光学要素142、次に、第2の回折光学要素144を順次通過する。この場合、組合せ放射照度分布112は、第1の回折光学要素142によって生成される遠視野空間放射照度分布と、第2の回折光学要素144によって生成される遠視野空間放射照度分布との畳み込みとして表すことができる。
図11に示す特定の構成では、第1の回折光学要素142は、第1の回折光学要素142上の光視野110のX位置に個数及び/又は位置が依存する複数の小ドット146を生成すると仮定される。第2の回折光学要素144は、遠視野内に、円形の境界線を有する単一の中心スポット148を生成すると仮定する。スポットの直径は、第1の回折光学要素142によって回折される光が第2の回折光学要素144上に入射するX位置に依存して増大する。
2つの空間放射照度分布を畳み込むことにより、瞳平面84内に様々なパターンのスポット又は極150を生成することができる。極パターンは、第1の回折光学要素142のX位置によって判断され、極直径は、第2の回折光学要素144のX位置によって判断される。
d)ビーム振動補償
図12aは、図5に示す表現形式と類似の第6の実施形態による2つの回折光学要素242、244上の上面図である。
この実施形態は、主に、第2の回折光学要素244が、遠視野内に異なる環を生成するが、第1の回折光学要素242と同じ極を生成する点で図2から図6に示す第1の実施形態とは異なる。しかし、方向依存性は、鏡面対称的に逆転される。より具体的には、図12aに示す光視野110の位置が右に移動する場合には、第1の回折光学要素242によって生成される極P1、P2のサイズは拡大し、第2の回折光学要素244によって生成される極P1、P2のサイズは縮小する。これは、2つの同一の回折光学要素を生成し、一方でこれらの回折光学要素の一方をそれを光軸OAと平行な軸の回りに180°だけ回転させた後に装着することにより、簡単に達成することができる。
第1及び第2の回折光学要素242、244のそのような構成を使用すると、組合せ放射照度分布112は、第1及び第2の回折光学要素242、244の光視野110の位置とは少なくとも近似的に独立することになる。これは、光視野110が、左にシフトしたX位置において回折光学要素242、244を如何に照射するかを示す図12bに例示している。この場合、第1の回折光学要素242は、より小さい極P1、P2を生成するが、これは、より大きい極P1、P2を生成する第2の回折光学要素244によって補償される。この場合、組合せ遠視野放射照度分布112の極P1、P2は、極P1、P2のサイズと極P1、P2のサイズの間の中間のサイズを有する。
図12cに示すように、Y方向に沿った光視野110の位置もまた、組合せ放射照度分布112に影響を及ぼさない。これは、両方の回折光学要素242、244が光を同じ極に誘導し、従って、組合せ放射照度分布112内の両方の極P1、P2が、回折光学要素242、244の配列に対する光視野110のY位置に関係なく同じ光量を受け取ることによる。
回折光学要素242、244上の光視野110の位置からの組合せ放射照度分布112のそのような独立性は、投影光ビーム34が瞳定義ユニット40上に入射する時に投影光ビーム34を空間的に安定させることが困難である場合に有利である。ビーム位置のそのような望ましくない時間依存変化は、光源30と瞳定義ユニット40の間の長い距離(通常は数メートル、又は更に20メートルまで)によって大幅に増幅され、光源30内のある一定のドリフト効果の結果である場合がある。この場合、提案する同一の回折光学要素242、244の配列は、瞳平面84内の組合せ放射照度分布112が、光視野110のそのような望ましくない振動によって大きく影響を受けないことを保証する。
それにも関わらず、第1及び第2のドライバ54、64を用いて第1の回折光学要素242と第2の回折光学要素244との相互空間配列を変更することによって極幅角度αを修正することができる。
VII.重要な方法の段階
以下では、本発明の重要な方法段階を図13に示す流れ図を参照して要約する。
第1の段階S1では、第1及び第2の回折光学要素を含む照明系が準備される。
第2の段階S2では、投影光ビームが生成される。
第3の段階S3では、回折光学要素の相互空間配列が変更される。
42 第1の回折光学要素
44 第2の回折光学要素
104 環
106、108 ガイドレール
110 光視野
P1、P2 極

Claims (12)

  1. マイクロリソグラフィ投影露光装置(10)の照明系であって、
    a)投影光ビーム(34)を生成するように構成された光源(30)と、
    b)瞳平面(84)と、
    c)光軸(OA)と、
    d)第1及び第2の回折光学要素(42,44;242,244)であって、
    i)前記回折光学要素(42,44;242,244)が、前記瞳平面(84)内の 投影光の放射照度分布が該回折光学要素(42,44;242,244)によって生 成される回折効果に依存するように前記光源(30)と該瞳平面(84)の間に配置 され、かつ
    ii)各回折光学要素によって生成される前記回折効果が、前記投影光ビーム(34 )によって該回折光学要素(42,44;242,244)上に照射される光視野 (110)の位置に依存する、
    前記第1及び第2の回折光学要素(42,44;242,244)と、
    e)前記回折光学要素の相互空間配列を変更するように構成された変位機構(54,64)と、
    を含み、
    前記変位機構(54,64)を用いて得ることができる前記相互空間配列のうちの少なくとも1つにおいて、前記光視野(110)は、前記第1及び前記第2の回折光学要素(42,44;242,244)の両方にわたって延び、
    a)前記第1及び前記第2の回折光学要素(242,244)は同一であり、
    b)各回折光学要素(242,244)によって生成される前記回折効果は、専ら1つの変位方向(X)に沿って前記光視野(110)の前記位置に依存して変化し、かつ
    c)前記回折光学要素のうちの1つ(244)は、該回折光学要素を前記光軸と平行な軸の回りに180°回転させることによって得られる向きに装着される、
    ことを特徴とする照明系。
  2. 前記変位機構(54,64)は、少なくとも1つの回折光学要素を前記光軸(OA)と平行ではない変位方向(X)に沿って変位させるように構成されることを特徴とする請求項1に記載の照明系。
  3. 前記少なくとも1つの回折光学要素(42,44;242,244)によって生成される前記回折効果は、前記光視野(110)の前記位置に依存して前記変位方向(X)に沿って変化することを特徴とする請求項2に記載の照明系。
  4. 前記第1及び前記第2の回折光学要素(42,44)は、同じか又は平行する平面内を延びることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の照明系。
  5. 前記投影光ビーム(34)に対する前記回折光学要素(42,44)の前記空間配列を前記光軸を含まない2つの直交方向(X,Y)に沿って変更することができるように構成されることを特徴とする請求項1から請求項のいずれか1項に記載の照明系。
  6. 前記相互空間配列のうちの少なくとも1つにおいて、前記光視野(110)は、前記第1の回折光学要素(42;242)の第1の部分にわたってかつ前記第2の回折光学要素(44;244)の第2の部分にわたって延び、
    前記第1及び前記第2の部分の面積は異なる、
    ことを特徴とする請求項に記載の照明系。
  7. 前記回折光学要素(42,44)が一時的に静止する場合に前記光視野(110)の前記位置を変更するように構成されたビームステアリングデバイス(122)を含むことを特徴とする請求項1から請求項のいずれか1項に記載の照明系。
  8. 第3の回折光学要素(45)を含み、
    前記光視野(110)が前記第1(42)、前記第2(44)、及び前記第3の回折光学要素(45)にわたって延びる少なくとも1つの相互空間配列が存在する、
    ことを特徴とする請求項1から請求項のいずれか1項に記載の照明系。
  9. マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系を作動させる方法であって、
    a)i)瞳平面(84)と、
    ii)光軸(OA)と、
    iii)第1及び第2の回折光学要素(42,44;242,244)であって、
    前記回折光学要素が、前記瞳平面内の投影光の放射照度分布が該回折光学要素
    (42,44;242,244)によって生成される回折効果に依存するように
    光源(30)と該瞳平面(84)の間に配置され、かつ
    各回折光学要素によって生成される前記回折効果が、それぞれの該回折光学要
    素(42,44;242,244)上に投影光ビームによって照射される光視野
    (110)の位置に依存する、
    前記第1及び第2の回折光学要素(42,44;242,244)と、
    を含む照明系(12)を準備する段階を含み、
    前記照明系は、
    iv)前記第1及び前記第2の回折光学要素(242,244)は同一であり、
    v)各回折光学要素(242,244)によって生成される前記回折効果は、専ら1つの変位方向(X)に沿って前記光視野(110)の前記位置に依存して変化し、かつ
    vi)前記回折光学要素のうちの1つ(244)は、該回折光学要素を前記光軸と平行な軸の回りに180°回転させることによって得られる向きに装着され、
    さらに、前記方法は
    b)投影光ビーム(34)を生成する段階と、
    c)前記回折光学要素(42,44;242,244)の相互空間配列を変更する段階と、
    を含み、
    前記相互空間配列のうちの少なくとも1つにおいて、前記光視野(110)は、前記第1及び前記第2の回折光学要素(42,44;242,244)の両方にわたって延びる、
    ことを特徴とする方法。
  10. 少なくとも1つの回折光学要素(42,44;242,244)が、前記光軸(OA)と平行ではない変位方向(X)に沿って変位されることを特徴とする請求項に記載の方法。
  11. 前記少なくとも1つの回折光学要素(42,44;242,244)によって生成される前記回折効果は、前記光視野(110)の前記位置に依存して前記変位方向(X)に沿って変化することを特徴とする請求項又は請求項10に記載の方法。
  12. 前記相互空間配列のうちの少なくとも1つにおいて、前記光視野(110)は、前記第1の回折光学要素(42;242)の第1の部分にわたってかつ前記第2の回折光学要素(44;244)の第2の部分にわたって延び、
    前記第1及び前記第2の部分の面積は異なる、
    ことを特徴とする請求項から請求項11のいずれか1項に記載の方法。
JP2013500340A 2010-12-28 2010-12-28 マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系 Active JP5611443B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/EP2010/007953 WO2012089224A1 (en) 2010-12-28 2010-12-28 Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013522918A JP2013522918A (ja) 2013-06-13
JP5611443B2 true JP5611443B2 (ja) 2014-10-22

Family

ID=44624970

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013500340A Active JP5611443B2 (ja) 2010-12-28 2010-12-28 マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系

Country Status (6)

Country Link
US (3) US9046786B2 (ja)
JP (1) JP5611443B2 (ja)
KR (1) KR101528397B1 (ja)
CN (1) CN102859440B (ja)
TW (1) TWI557515B (ja)
WO (1) WO2012089224A1 (ja)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012089224A1 (en) 2010-12-28 2012-07-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
KR101758958B1 (ko) * 2011-02-28 2017-07-17 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 조명 시스템
US9091650B2 (en) * 2012-11-27 2015-07-28 Kla-Tencor Corporation Apodization for pupil imaging scatterometry
US9581910B2 (en) 2013-01-17 2017-02-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Method of lithographically transferring a pattern on a light sensitive surface and illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
JP6114952B2 (ja) * 2013-01-17 2017-04-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー リソグラフィによって感光性表面にパターンを転写する方法およびマイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム
CN103207530B (zh) * 2013-03-22 2014-12-17 中国科学院上海光学精密机械研究所 光刻机光瞳整形光学系统及产生离轴照明模式的方法
CN103309174B (zh) * 2013-05-31 2015-09-09 上海华力微电子有限公司 采用双极曝光方式的光刻装置、通光单元及光刻方法
CN103309173B (zh) * 2013-05-31 2015-08-05 上海华力微电子有限公司 具有环形透光光圈的光刻装置、通光单元及光刻方法
WO2015007298A1 (en) * 2013-07-17 2015-01-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Microlithographic apparatus and method of varying a light irradiance distribution
CN103472687B (zh) * 2013-09-16 2015-02-18 中国科学院上海光学精密机械研究所 光刻环形照明模式产生装置
CN104698764B (zh) * 2013-12-10 2017-01-25 上海微电子装备有限公司 对准成像装置
US9325973B1 (en) * 2014-07-08 2016-04-26 Aquifi, Inc. Dynamically reconfigurable optical pattern generator module useable with a system to rapidly reconstruct three-dimensional data
US9503708B2 (en) 2014-11-03 2016-11-22 Aquifi, Inc. Systems and methods for reducing z-thickness and zero-order effects in depth cameras
CN105717750B (zh) * 2014-12-04 2018-03-02 上海微电子装备(集团)股份有限公司 用于光学衍射轮自转镜片工位设置的装置与方法
CN106154756B (zh) 2015-04-07 2020-10-09 联华电子股份有限公司 照明系统以及使用其形成鳍状结构的方法
US10839540B2 (en) 2017-09-29 2020-11-17 Electronics And Telecommunications Research Institute Apparatus and method for generating intermediate view image
CN110824721B (zh) 2019-09-24 2021-11-23 杭州驭光光电科技有限公司 衍射光学组件的设计方法及衍射光学组件

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3571935B2 (ja) * 1998-10-09 2004-09-29 キヤノン株式会社 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
US6563567B1 (en) * 1998-12-17 2003-05-13 Nikon Corporation Method and apparatus for illuminating a surface using a projection imaging apparatus
TW546550B (en) * 1999-12-13 2003-08-11 Asml Netherlands Bv An illuminator for a lithography apparatus, a lithography apparatus comprising such an illuminator, and a manufacturing method employing such a lithography apparatus
EP1109067B1 (en) * 1999-12-13 2006-05-24 ASML Netherlands B.V. Illuminator
US6737662B2 (en) 2001-06-01 2004-05-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby, control system, computer program, and computer program product
TW567406B (en) * 2001-12-12 2003-12-21 Nikon Corp Diffraction optical device, refraction optical device, illuminating optical device, exposure system and exposure method
JP2003178952A (ja) * 2001-12-12 2003-06-27 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置および露光方法
JP4106701B2 (ja) * 2001-12-12 2008-06-25 株式会社ニコン 回折光学装置、屈折光学装置、照明光学装置、露光装置および露光方法
KR100480620B1 (ko) 2002-09-19 2005-03-31 삼성전자주식회사 마이크로 미러 어레이를 구비한 노광 장치 및 이를 이용한노광 방법
EP2157480B1 (en) * 2003-04-09 2015-05-27 Nikon Corporation Exposure method and apparatus, and device manufacturing method
DE10343333A1 (de) * 2003-09-12 2005-04-14 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage
EP1668421A2 (en) 2003-09-12 2006-06-14 Carl Zeiss SMT AG Illumination system for a microlithography projection exposure installation
DE102004035595B4 (de) * 2004-04-09 2008-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Justage eines Projektionsobjektives
US20060087634A1 (en) 2004-10-25 2006-04-27 Brown Jay M Dynamic illumination uniformity and shape control for lithography
KR100685743B1 (ko) * 2005-06-22 2007-02-22 삼성전자주식회사 광학 부재 홀더 및 이를 갖는 투영 노광 장치
US7903234B2 (en) * 2006-11-27 2011-03-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and computer program product
DE102007043958B4 (de) * 2007-09-14 2011-08-25 Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102007055063A1 (de) * 2007-11-16 2009-05-28 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102008013229B4 (de) * 2007-12-11 2015-04-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie
EP2146248B1 (en) 2008-07-16 2012-08-29 Carl Zeiss SMT GmbH Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
EP2202580B1 (en) * 2008-12-23 2011-06-22 Carl Zeiss SMT GmbH Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
WO2012089224A1 (en) * 2010-12-28 2012-07-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
US20150234291A1 (en) 2015-08-20
US9477157B2 (en) 2016-10-25
CN102859440B (zh) 2015-04-22
US9983483B2 (en) 2018-05-29
US20170038691A1 (en) 2017-02-09
CN102859440A (zh) 2013-01-02
TWI557515B (zh) 2016-11-11
WO2012089224A1 (en) 2012-07-05
KR101528397B1 (ko) 2015-06-11
JP2013522918A (ja) 2013-06-13
US20130057844A1 (en) 2013-03-07
TW201241576A (en) 2012-10-16
US9046786B2 (en) 2015-06-02
KR20130012138A (ko) 2013-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5611443B2 (ja) マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系
EP2388649B1 (en) Illumination system for illuminating a mask in a microlithographic exposure apparatus
JP6343344B2 (ja) マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系
JP5871216B2 (ja) マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系
US6624880B2 (en) Method and apparatus for microlithography
JP5850267B2 (ja) マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系
JP6016169B2 (ja) マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系
KR20020004861A (ko) 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법, 및 그것에 의해제조된 디바이스
US9581910B2 (en) Method of lithographically transferring a pattern on a light sensitive surface and illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
TW201702756A (zh) 微影投射設備的操作方法
JP4499582B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP6114952B2 (ja) リソグラフィによって感光性表面にパターンを転写する方法およびマイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム
JP2008160085A (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP3708075B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP5864771B2 (ja) マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系
JP5787382B2 (ja) マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130911

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130917

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20131210

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20131217

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140317

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140714

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20140813

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20140818

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140902

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5611443

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250