JP4737326B2 - 有機el素子 - Google Patents
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Description
|EALL|−|EAOTL|≧0.3eV (1)
|IPOTL|−|IPLL|≧0.3eV (2)
[式中、EALLは前記発光層の電子親和力、EAOTLは前記有機薄膜層の電子親和力、IPOTLは前記有機薄膜層のイオン化ポテンシャル、IPLLは前記発光層のイオン化ポテンシャル、をそれぞれ示す。]
前記第1の電極層及び前記第2の電極層の一方がホール注入電極層、他方が電子注入電極層であり、前記発光層と前記電子注入電極層との間に、上記式(1)及び式(2)を満たす有機高分子化合物からなる有機薄膜層が形成され、
前記発光層中に、前記電子注入電極層側に偏倚して、前記発光層を構成する有機化合物とは異なる有機高分子化合物を含有する改質部が形成されていることを特徴とする有機EL素子(以下、「第4の有機EL素子」という。)。
(a)ビニルピリジン、(メタ)アクリル酸、N−アルキルアクリルアミド、N,N−ジアルキルアクリルアミド、ヒドロキシ(メタ)アクリレート、酢酸ビニル、スチレン及びN−ビニルピロリドンからなる群より選ばれる化合物の重合体又は共重合体
(b)アルキル基の炭素数が2〜4であるオキシアルキレン重合体又は共重合体
(c)ポリオキサゾリン又はポリビニルブチラール
基板10としては、非晶質基板(例えばガラス、石英等)、結晶基板(例えば、Si、GaAs、ZnSe、ZnS、GaP、InP等)が挙げられ、またこれらの結晶基板に結晶質、非晶質あるいは金属のバッファ層を形成した基板も用いることができる。また金属基板としては、Mo、Al、Pt、Ir、Au、Pd等を用いることができる。更には、樹脂フィルム基板(例えば、ポリエチレンテレフタレート等)も用いることができる。
第一の電極層であるホール注入電極(陽極)層12に用いる材料は、発光層へホールを効率よく注入することのできるものが好ましく、仕事関数4.5eV〜5.5eVの物質が好ましい。具体的には、透明導電膜である錫ドープ酸化インジウム(ITO)、亜鉛ドープ酸化インジウム(IZO)、酸化インジウム(In2O3)、酸化スズ(SnO2)及び酸化亜鉛(ZnO)のいずれかを主組成としたものが好ましい。
第二の電極層である電子注入電極(陰極)層18に用いる材料は、後述する発光層20の改質部16、又は有機薄膜層30の効果により、比較的低い仕事関数を有している必要がないため、特に限定されることはない。したがって、比較的低い仕事関数を有するLi、Na、K若しくはCs等のアルカリ金属、Mg、Ca、Sr若しくはBa等のアルカリ土類金属、LiF若しくはCsI等のアルカリハロゲン化物、Li2O等の酸化物、La、Ce、Sn、Zn若しくはZr等のアルカリ金属又はアルカリ土類金属と特性が近い金属を用いることができ、更には、比較的高い仕事関数を有するAl,Ag,In,Ti,Cu,Au,Mo,W,Pt,Pd若しくはNi、又は、これらの金属の合金、或いはこれらの金属と他の金属との合金をも用いることが可能である。また、これらのうち1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることもできる。
発光層20としては、上述したとおり、電子注入電極層側に偏倚して(すなわち、第2の電極層18側の界面付近に)、非改質発光層14を構成する有機化合物とは異なる有機高分子化合物を含有する改質部16を有する態様が可能である。
ここで、式(1)中、X1〜X10は同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、複素環基、アミノ基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。また、式(1)のピレン環を構成する炭素原子に結合する置換基同士は、互いに結合して環を形成してもよい。
ここで、式(2)中、X11〜X20は同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、複素環基、アミノ基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。また、式(2)のフェナントレン環を構成する炭素原子に結合する置換基同士は、互いに結合して環を形成してもよい。
ここで、式(3)中、X21〜X24は同一であっても異なっていてもよく、それぞれ置換基(水素、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、複素環基、アミノ基、シアノ基、ハロゲン原子等)を表し、n1は1〜3の整数を表し、k1及びk4はそれぞれ0〜5の整数を表し、k2及びk3はそれぞれ0〜4の整数を表す。
ここで、式(4)中、X25〜X29は同一であっても異なっていてもよく、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、複素環基、アミノ基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。k5〜k9は対応するベンゼン環への置換基の数を表し、k5及びk7は0〜5の整数を表し、k6及びk9は0〜4の整数を表し、k8は0〜2の整数を表す。また、式(4)のジフェニルナフタセン環を構成する炭素原子に結合する置換基同士は、互いに結合して環を形成してもよい。
ここで、式(5)及び(6)中、L1及びL2はそれぞれ2価の基を表し、X30〜X35は同一であっても異なっていてもよく、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、複素環基、アミノ基、ハロゲン原子又はシアノ基を表し、a及びbはそれぞれ0又は1を表し、k10、k13、k14及びk15はそれぞれ0〜3の整数を表し、k11は0〜2の整数を表し、k12は0〜4の整数を表す。また、フルオランテン環を構成する炭素原子に結合した置換基同士は互いに結合して環を形成してもよい。
ここで、式(7)及び(8)中、L3及びL4はそれぞれ2価の基を示し、X36〜X38は同一であっても異なっていてよく、それぞれ水素原子又は置換基を表し、Y1〜Y4は同一であっても異なっていてもよく、それぞれ置換基を表し、c及びdはそれぞれ0又は1を表し、p、r及びsはそれぞれ0〜4の整数を表し、qは0〜3の整数を表し、フルオレン環を構成する炭素原子に結合した置換基同士は互いに結合して環を形成してもよい。
ここで、式(9)及び(10)中、L5及びL6はそれぞれ2価の基を示し、X39〜X58は同一であっても異なっていてもよく、それぞれ炭素原子又は窒素原子を表し、e及びfはそれぞれ0又は1を表し、X39〜X48のうち一つはL5で表される基又はビニル基が結合する炭素原子であり、それ以外の炭素原子には置換基が結合していてもよく、該置換基同士は互いに結合して環を形成してもよく、X49〜X58のうち一つはL6で表される基又はビニル基が結合する炭素原子であり、それ以外の炭素原子には置換基が結合していてもよく、該置換基同士は互いに結合して環を形成してもよい。
ここで、式(14)中、L7は、単結合又はアルキレン基もしくはアリーレン基等の2価の基を表し、無置換でも置換基を有していてもよく、X2〜X10は同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、複素環基、アミノ基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。また、式(14)のピレン環を構成する炭素原子に結合する置換基同士は、互いに結合して環を形成してもよい。
ここで、式(15)中、L8は、単結合又はアルキル基もしくはアリール基等の2価の基であって、該2価の基は無置換でも置換基を有していてもよく、X11〜X20は同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、複素環基、アミノ基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。また、式(15)のフェナントレン環を構成する炭素原子に結合する置換基同士は、互いに結合して環を形成してもよい。
ここで、式(16)中、X21〜X23、X59及びX60は同一であっても異なっていてもよく、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、複素環基、ハロゲン原子、シアノ基、水酸基又はアミノ基を表す。n1は1〜3の整数を表し、n2は0又は1を表し、k1は0〜5の整数を表し、k2、k3、k16及びk17はそれぞれ0〜4の整数を表す。
ここで、式(18)中、L9は、単結合、アルキレン基又はアリーレン基を表し、無置換でも置換基を有していてもよく、X25〜X29は同一であっても異なっていてもよく、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、複素環基、アミノ基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。k5〜k9は対応するベンゼン環への置換基の数を表し、k5、k6及びk9はそれぞれ0〜4の整数を表し、k7は0〜5の整数を表し、k8は0〜2の整数を表す。また、式(18)のジフェニルナフタセン環を構成する炭素原子に結合する置換基同士は、互いに結合して環を形成してもよい。
ここで、式(19)中、L10は、単結合、アルキレン基又はアリーレン基を表し、無置換でも置換基を有していてもよく、X25〜X29及びX74は同一であっても異なっていてもよく、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、複素環基、アミノ基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。k5〜k9及びk21は対応するベンゼン環への置換基の数を表し、k5及びk7はそれぞれ0〜5の整数を表し、k6、k9及びk21はそれぞれ0〜4の整数を表し、k8は0又は1を表す。また、式(19)のジフェニルナフタセン環を構成する炭素原子に結合する置換基同士は、互いに結合して環を形成してもよい。
ここで、式(20)中、L10は、単結合、アルキレン基又はアリーレン基を表し、無置換でも置換基を有していてもよく、X25〜X27、X29、X74及びX75は、同一であっても異なっていてもよく、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、複素環基、アミノ基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。k5〜k7、k9、k21及びk22は対応するベンゼン環への置換基の数を表し、k5、k7及びk22はそれぞれ0〜5の整数を表し、k6、k9及びk21はそれぞれ0〜4の整数を表す。また、式(20)の、ジフェニルナフタセン環を構成する炭素原子に結合する置換基同士は、互いに結合して環を形成してもよい。
ここで、式(21)中、L1は2価の基を表し、X30〜X32は同一であっても異なっていてもよく、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、複素環基、アミノ基、ハロゲン原子又はシアノ基を表し、aは0又は1を表し、k10は0〜3の整数を表し、k11は0〜2の整数を表し、k12は0〜4の整数を表す。また、式(21)のフルオランテン環を構成する炭素原子に結合した置換基同士は互いに結合して環を形成してもよい。
ここで、式(22)中、L5は2価の基を表し、eは0又は1を表す。また、式(22)のフェナントロリン環を構成する炭素原子のうちL5で表される基又はビニル基が結合する原子以外の炭素原子には置換基が結合していてもよく、該置換基同士は互いに結合して環を形成してもよい。
ここで、式(23)中、L6は2価の基を表し、fは0又は1を表す。また、式(23)のフェナントロリン環を構成する炭素原子のうちL6で表される基又はビニル基が結合する原子以外の炭素原子には置換基が結合していてもよく、該置換基同士は互いに結合して環を形成してもよい。
ここで、式(24)及び(25)中、L6は2価の基を表し、fは0又は1を表し、フェナントロリン環を構成する炭素原子のうちL6で表される基又はビニル基が結合する原子以外の炭素原子には置換基が結合していてもよく、該置換基同士は互いに結合して環を形成してもよい。
有機薄膜層は、上記式(1)及び式(2)を満たす有機高分子化合物、又は、エネルギーギャップが3.5eV以上(更には4.0eV以上)の有機高分子化合物からなる。有機薄膜層は、上記式(1)及び式(2)を満たし、且つエネルギーギャップが3.5eV以上(更には4.0eV以上)である有機高分子化合物が特に好ましい。有機薄膜層を構成する有機高分子化合物としては、上述した改質部16に用いられるのと同様の化合物を用いることができる。すなわち、極性基をもつ高分子、これら高分子を極性・非極性高分子と共重合したものあるいは末端基等に極性基の置換基をもつ極性・非極性高分子が挙げられる。なお、有機EL素子が有機薄膜層と改質部とを備える場合であって、これらがともにエネルギーギャップ4.0eV以上の有機高分子化合物を含むときは、この有機高分子化合物は有機薄膜層と改質部とにおいて同種でも異種であってもよいが、製造上の容易さから同種であることが好ましい。
まず、ホール注入電極(陽極)層としてシート抵抗15Ω/□のITO膜が形成されている透明ガラス製基板のそのITO膜上に、PEDOT/PSS(Bayer社製、バイトロンP)をスピンコート法により塗布し、40nmの膜厚を有するホール注入層を形成した。次に、下記式(47)で表される繰り返し単位からなる高分子化合物(分子量20000)95質量%とルブレン5質量%とをトルエンに溶解し、濃度2質量%のトルエン溶液を調製した。そして、このトルエン溶液を上記ホール注入層上にスピンコート法により塗布し、70nmの膜厚を有する発光層を形成した。
分子量300000のポリ(2−ビニルピリジン)に代えて、エネルギーギャップ3.5eV以上の有機高分子化合物である分子量150000の両末端基に酸クロライドをもつポリスチレンを用いた以外は実施例1と同様にして、実施例2の有機EL素子を得た。有機薄膜層と改質部の合計の膜厚は2nmであった。なお、|EALL|−|EAOTL|は0.3eV以上であり、|IPOTL|−|IPLL|は0.3eV以上であった。
分子量300000のポリ(2−ビニルピリジン)に代えて、エネルギーギャップ3.5eV以上の有機高分子化合物である分子量30000のポリ(2−ビニルピリジン)を用いた以外は実施例1と同様にして、実施例3の有機EL素子を得た。有機薄膜層と改質部の合計の膜厚は2nmであった。なお、|EALL|−|EAOTL|は0.3eV以上であり、|IPOTL|−|IPLL|は0.3eV以上であった。
分子量300000のポリ(2−ビニルピリジン)に代えて、エネルギーギャップ3.5eV以上の有機高分子化合物である分子量200000のPMMAを用いた以外は実施例1と同様にして、実施例4の有機EL素子を得た。有機薄膜層と改質部の合計の膜厚は2nmであった。なお、|EALL|−|EAOTL|は0.3eV以上であり、|IPOTL|−|IPLL|は0.3eV以上であった。
実施例1の発光層に代えて、MEH−PPV(分子量100000)を用いてスピンコート法により60nmの膜厚を有する発光層を形成した以外は実施例1と同様にして、実施例5の有機EL素子を得た。有機薄膜層と改質部の合計の膜厚は2nmであった。なお、|EALL|−|EAOTL|は0.3eV以上であり、|IPOTL|−|IPLL|は0.3eV以上であった。
分子量300000のポリ(2−ビニルピリジン)を2−エトキシエタノールに0.1質量%溶解させて溶液を調製したことに代えて、分子量300000のポリ(2−ビニルピリジン)50質量%と上記式(C−1)で表されるNa(acac)50質量%との混合物を2−エトキシエタノールに0.2質量%溶解させて溶液を調製したこと、及び、改質部を形成した発光層上にLiFを蒸着させることなく、Alを250nmの膜厚を有するように蒸着させた以外は、実施例1と同様にして、実施例6の有機EL素子を得た。有機薄膜層と改質部の合計の膜厚は2nmであった。なお、|EALL|−|EAOTL|は0.3eV以上であり、|IPOTL|−|IPLL|は0.3eV以上であった。
分子量300000のポリ(2−ビニルピリジン)に代えて、エネルギーギャップ3.5eV以上の有機高分子化合物である分子量200000のポリエチレングリコールを0.1質量%メタノールに溶解させて用いた以外は実施例1と同様にして、実施例7の有機EL素子を得た。有機薄膜層と改質部の合計の膜厚は2nmであった。なお、|EALL|−|EAOTL|は0.3eV以上であり、|IPOTL|−|IPLL|は0.3eV以上であった。
分子量300000のポリ(2−ビニルピリジン)に代えて、エネルギーギャップ3.5eV以上の有機高分子化合物である分子量130000のポリビニルピロリドンを用いた以外は、実施例1と同様にして、実施例8の有機EL素子を得た。有機薄膜層と改質部の合計の膜厚は2nmであった。なお、|EALL|−|EAOTL|は0.3eV以上であり、|IPOTL|−|IPLL|は0.3eV以上であった。
LiFを蒸着しないこと以外は、実施例1と同様にして、実施例9の有機EL素子を得た。有機薄膜層と改質部の合計の膜厚は2nmであった。
有機薄膜層と改質部を合計膜厚で0.2nm形成した以外は、実施例1と同様にして、実施例10の有機EL素子を得た。この有機EL素子の特性を測定評価したところ、電流密度10mA/cm2における輝度は150cd/m2であり、駆動電圧は8.5Vであった。輝度半減寿命は300時間であった。
有機薄膜層と改質部を合計膜厚で31nm形成した以外は、実施例1と同様にして、参考例1の有機EL素子を得た。この有機EL素子の特性を測定評価したところ、電流密度10mA/cm2における輝度は1cd/m2であり、駆動電圧は22Vであった。輝度半減寿命は測定できなかった。
有機薄膜層及び改質部を形成しない以外は、実施例1と同様にして、比較例1の有機EL素子を得た。この有機EL素子の特性を測定評価したところ、電流密度10mA/cm2における輝度は18cd/m2であり、駆動電圧は8.50Vであった。また、この電流密度で定電流駆動をさせたところ、輝度半減寿命は50時間であった。
比較例1の発光層に代えて、MEH−PPV(分子量100000)を用いてスピンコート法により60nmの膜厚を有する発光層を形成した以外は比較例1と同様にして、比較例2の有機EL素子を得た。
比較例1の発光層に代えて、MEH−PPV(分子量100000)とポリスチレン(分子量150000)との混合物(重量混合比50:50)を用いてスピンコート法により60nmの膜厚を有する発光層を形成した以外は比較例1と同様にして、比較例3の有機EL素子を得た。
有機薄膜層及び改質部を形成せずまたLiFの代わりにBaOを1nm形成した以外は、実施例1と同様にして、比較例4の有機EL素子を得た。この有機EL素子の特性を測定評価したところ、電流密度10mA/cm2における輝度は18cd/m2であり、駆動電圧は5.50Vであった。また、この電流密度で定電流駆動をさせたところ、輝度半減寿命は5時間であった。また、発光面には多量のダークスポットが発生した。なお、BaOの代わりにMgOを用いると同様の結果が得られた。
有機薄膜層及び改質部を形成せずポリパラフェニレンを2nm蒸着で形成した以外は、実施例1と同様にして、比較例5の有機EL素子を得た。この有機EL素子の特性を測定評価したところ、電流密度10mA/cm2における輝度は0cd/m2であり、駆動電圧は10Vであった。寿命は測定できなかった。
Claims (3)
- 基板と、基板の一側に互いに対向するように配置された第1の電極層及び第2の電極層と、これらの電極層間に配置された発光層と、を備える有機EL素子において、
前記第1の電極層及び前記第2の電極層の一方がホール注入電極層、他方が電子注入電極層であり、
前記発光層と前記電子注入電極層との間に有機薄膜層が形成され、
前記発光層中に、前記電子注入電極層側に偏倚して改質部が形成され、
前記有機薄膜層は、有機高分子化合物単独、あるいは有機高分子化合物及び有機金属塩からなり、
前記改質部においては、前記有機高分子化合物、あるいは前記有機高分子化合物及び前記有機金属塩と、前記発光層を構成する有機化合物とが混在しており、
前記有機高分子化合物は、前記発光層を構成する有機化合物とは異なる、エネルギーギャップ3.5eV以上の有機高分子化合物を含み、
前記有機薄膜層と前記改質部との合計膜厚は0.1nm〜5nmであることを特徴とする有機EL素子。 - 前記有機高分子化合物は、数平均分子量が50,000以上である、請求項1に記載の有機EL素子。
- 前記有機高分子化合物は、ポリ(2−ビニルピリジン)、両末端基に酸クロライドをもつポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレングリコール、及びポリビニルピロリドンからなる群より選ばれる一種の有機高分子化合物である、請求項1又は2に記載の有機EL素子。
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