JP4714659B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
なお、この場合には、上述の効果に加えて、第1の絶縁膜と第2の絶縁膜との密着性を向上させることができるという効果を得ることができる。
上記工程(b)では、上記素子と電気的に接続される上記配線層を形成してもよい。この場合には、工程(f)において、除去する深さに誤差が生じても、配線層を露出しにくくすることができる。
以下に、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図1(a)〜(f)を参照しながら説明する。図1(a)〜(f)は、第1の実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図である。なお、図1(a)〜(f)には、配線形成領域R1と、配線形成領域R1を外部の湿気から保護するためのシールリング領域R2とを示している。シールリング領域R2は配線形成領域R1の側方を囲んでいる。
以下に、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図2(a)〜(f)を参照しながら説明する。図2(a)〜(f)は、第2の実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図である。なお、図2(a)〜(f)には、配線形成領域R1と、配線形成領域R1を外部の湿気から保護するためのシールリング領域R2とを示している。シールリング領域R2は配線形成領域R1の側方を囲んでいる。
このとき、第2の絶縁膜114の材料としては、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜、シリコン酸化炭化膜などを用いてもよい。また、これらの膜の積層体を形成してもよい。
本発明の第3の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図3(a)〜(e)を参照しながら説明する。図3(a)〜(e)は、第3の実施形態の半導体装置の製造工程を示す断面図である。なお、図3(a)〜(e)には、配線形成領域R1と、配線形成領域R1を外部の湿気から保護するためのシールリング領域R2とを示している。なお、シールリング領域R2は配線形成領域R1の側方を囲んでいる。
本発明の第4の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図4(a)〜(e)を参照しながら説明する。図4(a)〜(e)は、第4の実施形態の半導体装置の製造工程を示す断面図である。なお、図4(a)〜(e)には、配線形成領域R1と、配線形成領域R1を外部の湿気から保護するためのシールリング領域R2とを示している。なお、シールリング領域R2は配線形成領域R1の側方を囲んでいる。
以下に、本発明の第5の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図5(a)〜(f)を参照しながら説明する。図5(a)〜(f)は、第5の実施形態において、半導体装置のうち配線領域の製造方法を示す断面図である。なお、第1〜第4の実施形態では、配線領域およびシールリング領域において、ホールパターンとトレンチパターンとの深さの違いが生じる場合を示した。それに対し、本実施形態では、配線領域に多数のホールパターンを形成する場合に、ホールパターンごとに深さの違いが生じる場合について示す。
102 第1の金属配線
102a 表面導体膜
102b 金属配線膜
103 第2の金属配線
103a 表面導体膜
103b 金属配線膜
104 第2の絶縁膜
105 第3の絶縁膜
106 ホールパターン
106’ ホールコンタクト導体部
107 トレンチパターン
107’ トレンチコンタクト導体部
108 配線溝
109 配線溝
110 凹部
111 第1の絶縁膜
112 第1の金属配線
112a 表面導体膜
112b 金属配線膜
113 第2の金属配線
113a 表面導体膜
113b 金属配線膜
114 第2の絶縁膜
115 第3の絶縁膜
116 ホールパターン
116’ ホールコンタクト導体部
117 トレンチパターン
117’ トレンチコンタクト導体部
118 配線溝
119 配線溝
120 凹部
121 第1の絶縁膜
122 第1の金属配線
122a 表面導体膜
122b 金属配線膜
123 第2の金属配線
123a 表面導体膜
123b 金属配線膜
124 第2の絶縁膜
125 第3の絶縁膜
126’ ホールコンタクト導体部
126 ホールパターン
127 トレンチパターン
127’ トレンチコンタクト導体部
128 配線溝
129 配線溝
130 耐酸化性膜
131 第1の絶縁膜
132 第1の金属配線
132a 表面導体膜
132b 金属配線膜
133 第2の金属配線
133a 表面導体膜
133b 金属配線膜
134 第2の絶縁膜
135 第3の絶縁膜
136 ホールパターン
136’ ホールコンタクト導体部
137 トレンチパターン
137’ トレンチコンタクト導体部
138 配線溝
139 配線溝
140 金属膜
141 第1の絶縁膜
142 金属配線
142a 表面導体膜
142b 金属配線膜
143 金属配線
144 第2の絶縁膜
145 第3の絶縁膜
146 ホールパターン
146’ ホールコンタクト導体部
148 配線溝
150 凹部
Claims (3)
- 半導体基板の上方に、第1の絶縁膜を形成する工程(a)と、
上記第1の絶縁膜の少なくとも上部に、第1の配線層及び第2の配線層を形成する工程(b)と、
上記第1及び第2の配線層の上を覆う耐酸化性導体膜を形成する工程(c)と、
上記第1の絶縁膜および上記耐酸化性導体膜の上に、シリコン窒化炭化膜を形成する工程(d)と、
上記シリコン窒化炭化膜の上に、炭素含有シリコン酸化膜を形成する工程(e)と、
上記炭素含有シリコン酸化膜および上記シリコン窒化炭化膜のうち上記第1の配線層の上方に位置する部分を、フォトレジストをマスクにして一度のプロセスによって上記炭素含有シリコン酸化膜及び上記シリコン窒化炭化膜を貫通するまで除去することにより、トレンチパターンを形成し、上記炭素含有シリコン酸化膜および上記シリコン窒化炭化膜のうち上記第2の配線層の上方に位置する部分をフォトレジストをマスクにして一度のプロセスによって上記炭素含有シリコン酸化膜及び上記シリコン窒化炭化膜を貫通するまで除去することにより、ホールパターンを形成する工程(f)と、
上記フォトレジストを除去する工程(g)と
を備え、
上記トレンチパターンの開口面積は上記ホールパターンの開口面積よりも大きい、半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、
上記工程(c)では、上記第1及び第2の配線層の上部に、プラズマ処理、ウエット処理またはイオン注入を行って窒素を導入することにより、上記耐酸化性導体膜を形成する、半導体装置の製造方法。 - 請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法であって、
上記工程(a)の前に、上記半導体基板内に素子を形成する工程(g)をさらに備え、
上記工程(b)では、上記素子と電気的に接続される上記第2の配線層を形成する、半導体装置の製造方法。
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