JP4638491B2 - シナカルセト塩酸塩結晶フォームiの調製方法 - Google Patents
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Description
本発明は、(R)−α−メチル−N−[3−[3−(トリフルオロメチル)フェニル]プロピル]−1−ナフタレンメタンアミン塩酸塩からの結晶形の調製方法に向けられる。
(R)−α−メチル−N−[3−[3−(トリフルオロメチル)フェニル]プロピル]−1−ナフタレンメタンアミン(“シナカルセト”又は“CNC”)は、226256−56−0のCAS番号、C22H22F3Nの式、及び次の構造:
本発明は、約13.9、19.0、21.3及び25.5±0.2°2θでの粉末X−線回折ピークにより特徴づけられるシナカルセト塩酸塩結晶形(フォームIと命名される)の調製法に向けられる。
本明細書において使用される場合、“RT”とは、室温を意味し、そして約18℃〜約25℃、好ましくは約20℃〜約22℃の温度を意味する。
本明細書において使用される場合、“シナカルセト塩酸塩結晶フォームI”とは、約13.9、19.0、21.3及び25.5±0.2°2θでの粉末X−線回折(“XRD”)ピークにより特徴づけられるシナカルセト塩酸塩の結晶形を意味する。
混合物の酸性化は、気体又は水性塩酸によってである。好ましくは、溶液が水性塩酸により酸性化される場合、酸は、シナカルセト塩基の実質的にすべてと反応するのに十分な量で、より好ましくはシナカルセト塩基1モル当たり約1〜約2モルの量で存在する。水溶液は滴下されるか又は少しずつ添加され得る。好ましくは、溶液が気体塩酸により酸性化される場合、それは、沈殿物が形成されなくなるまで、酸性化される。
シナカルセト塩酸塩結晶フォームIは、当業界において知られているいずれかの方法、例えば好ましくは濾過、使用される溶媒による洗浄及び乾燥により回収され得る。乾燥は好ましくは、一定量が得られるまで、好ましくは約45℃〜約55度、好ましくは約50℃の温度で、減圧下で行われる。
好ましくは、溶媒は、水、MTBE及びn−ヘキサンから成る群から選択される。好ましくは、溶媒は、非晶性シナカルセト塩酸塩1g当たり約5〜約25mlの量で使用される。
回収段階は、濾過、洗浄及び乾燥を包含する。乾燥は好ましくは、減圧、好ましくは真空下で、約40℃〜約60℃、より好ましくは約45℃O〜約50℃の温度で行われる。好ましくは、生成物は、少なくとも約5時間、及びより好ましくは、約7〜約24時間、乾燥される。
本発明は、本発明の調製方法を詳細に記載する次の例により、さらに定義される。当業者は、材料及び方法についての多くの修飾が本発明の範囲内に行われることは、当業者に明らかだろう。
例1:
4mlの水中、0.5gの非晶性シナカルセト塩酸塩のスラリーを、還流温度で23.5時間、攪拌し、そして次に、室温に冷却した。生成物を、濾過し、2mlの水により洗浄し、そして50℃で真空オーブンにおいて23時間、乾燥し、0.43gのシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを得た。
4mlのMTBE中、0.3gの非晶性シナカルセト塩酸塩のスラリーを、室温で18.5時間、攪拌した。次に、生成物を、濾過し、2mlのMTBEにより洗浄し、そして50℃で真空オーブンにおいて7時間、乾燥し、0.26gのシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを得た。
6mlのMTBE中、0.3gの非晶性シナカルセト塩酸塩のスラリーを、還流温度で2時間、攪拌し、室温に冷却し、そして次に、室温でさらに16時間、攪拌した。生成物を、濾過し、4mlのMTBEにより洗浄し、そして50℃で真空オーブンにおいて7時間、乾燥し、0.19gのシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを得た。
6mlのn−ヘキサン中、0.3gの非晶性シナカルセト塩酸塩のスラリーを、還流温度で4時間、攪拌し、そして室温に冷却した。生成物を、濾過し、5mlのn−ヘキサンにより洗浄し、そして45℃で真空オーブンにおいて15時間、乾燥し、0.23gのシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを得た。
例5:
シナカルセト塩基の溶液を、4mlの無水エタノールに1.0gのシナカルセト塩基を溶解することにより形成した。次に、15mlの1Nの塩酸(“HCl”)を、前記溶液に滴下した。得られる混合物を、周囲温度で20時間、攪拌し、沈殿物を生成した。生成物を、濾過により単離し、6mlの水により洗浄し、そして50℃での真空オーブンにおいて24時間、乾燥し、0.97gのシナカルセト塩酸塩を得た。最終生成物を、粉末XRDにより分析した。図2に示される、得られる粉末XRDディフラクトグラムは、生成物がシナカルセト塩酸塩結晶フォームIであることを示す。
0.93gのシナカルセト塩基を、50mlのn−ヘプタンに室温で溶解した。次に、HClガスを、前記溶液中に泡立て、沈殿物を生成した。HClガスを、沈殿がもはや観察されなくなるまで、添加した。次に、得られるスラリーを、室温で0.5時間、攪拌した。生成物を濾過により単離し、10mlのn−ヘプタンにより洗浄し、そして50℃で真空オーブンにおいて17時間、乾燥し、0.75gのシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを得た。
0.3gのシナカルセト塩基を、6mlのn−ヘプタンにおいて室温で攪拌した。次に、3mlの1NのHClを少しずつ添加し、中間体沈殿物を得た。その得られる混合物を、室温で、すなわち約20〜約25℃で一晩、攪拌した。生成物を濾過により単離し、4mlのn−ヘプタンにより洗浄し、そして50℃で真空オーブンにおいて25時間、乾燥し、0.3gのシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを得た。
0.8gのシナカルセト塩基を、50mlのn−ヘキサンに室温で溶解した。次に、HClガスを、前記溶液中に泡立て、沈殿物を生成した。HClガスを、沈殿がもはや観察されなくなるまで、添加した。次に、得られるスラリーを、室温で20分間、攪拌した。生成物を濾過により単離し、10mlのn−ヘキサンにより洗浄し、そして50℃で真空オーブンにおいて17時間、乾燥し、0.76gのシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを得た。
0.85gのシナカルセト塩基を、50mlのシクロヘキサンに室温で溶解した。次に、HClガスを、前記溶液中に泡立て、油状沈殿物を得た。次に、その混合物を、室温で16時間、攪拌した。生成物を濾過により単離し、そして50℃で真空オーブンにおいて24時間、乾燥し、0.54gのシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを得た。
0.75gのシナカルセト塩基を、50mlのジエチルエーテルに室温で溶解した。次に、HClガスを、前記溶液中に泡立て、沈殿物を生成した。得られるスラリーを、室温で20分間、攪拌した。次に、生成物を濾過により単離し、10mlのジエチルエーテルにより洗浄し、そして50℃で真空オーブンにおいて16時間、乾燥し、0.55gのシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを得た。
0.3gのシナカルセト塩基を、6mlのジエチルエーテルにおいて室温、すなわち約20℃〜約25℃で溶解した。次に、3mlの1NのHClを少しずつ添加し、中間体沈殿物を得た。得られるスラリーを、室温、すなわち約20℃〜約25℃で一晩、攪拌した。次に、生成物を濾過により単離し、5mlのジエチルエーテルにより洗浄し、そして50℃で真空オーブンにおいて24時間、乾燥し、0.26gのシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを得た。
0.72gのシナカルセト塩基を、50mlの水において室温で攪拌した。次に、HClガスを、前記溶液中に泡立て、沈殿物を得た。得られるスラリーを、室温で2.5時間、攪拌した。次に、生成物を濾過により単離し、20mlの水により洗浄し、そして50℃で真空オーブンにおいて19時間、乾燥し、0.56gのシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを得た。
1.0gのシナカルセト塩基を、30mlのn−ペンタンに室温で一部溶解した。次に、HClガスを、前記溶液中に泡立て、沈殿物を生成した。HClガスを、沈殿がもはや観察されなくなるまで、添加した。次に、得られるスラリーを、室温で0.5時間、攪拌した。生成物を濾過により単離し、25mlのn−ペンタンにより2度洗浄し、そして50℃で真空オーブンにおいて16時間、乾燥し、0.87gのシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを得た。
2.2gのシナカルセト塩基を2mlのアセトンに室温で溶解した。次に、10mlの1NのHClを少しずつ添加し、そしてその混合物を室温で1時間、攪拌し、沈殿物を得た。生成物を濾過により単離し、10mlの水により洗浄し、そして50℃で真空オーブンにおいて24時間、乾燥し、1.75gのシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを得た。純度:99.9HPLC面積%。
2.0gのシナカルセト塩基を、アセトン(10ml)に溶解した。次に、HClガス(0.3g;1.5当量)を、前記溶液中に泡立てた。得られる溶液を、乾燥まで、減圧下で蒸発し、2.1gのシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを得た。
2.0gのシナカルセト塩基を、4mlのアセトンに室温で溶解した。次に、1NのHCl(1.5)当量)及び水40mlを前記溶液に添加した。得られる混合物を室温で4時間、攪拌し、沈殿物を得た。生成物を濾過により単離し、10mlの水により洗浄し、そして50℃で真空オーブンにおいて24時間、乾燥し、1.75gのシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを得た。
0.3gのシナカルセト塩基を、4mlのイソブチルアセテートにおいて室温、すなわち約20℃〜約25℃で溶解した。次に、2mlの1NのHClを少しずつ添加し、そしてその混合物を、室温で一晩、攪拌し、沈殿物を得た。生成物を濾過により単離し、5mlのイソブチルアセテートにより洗浄し、そして50℃で真空オーブンにおいて24時間、乾燥し、0.12gのシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを得た。
0.49gのシナカルセト塩基を、10mlのトルエンにおいて室温、すなわち約20℃〜約25℃で溶解した。次に、2mlの1NのHClを少しずつ添加し、そしてその得られる混合物を、室温で一晩、攪拌し、沈殿物を得た。生成物を濾過により単離し、10mlのトルエンにより洗浄し、そして50℃で真空オーブンにおいて17時間、乾燥し、0.02gのシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを得た。
1.2gのシナカルセト塩基を、20mlのMTBEにおいて室温で攪拌した。次に、10mlの1NのHClを少しずつ添加他。沈殿がすぐに生じた。その混合物を、室温で4時間、攪拌した。生成物を濾過により単離し、5mlのMTBEにより洗浄し、そして50℃で真空オーブンにおいて16.5時間、乾燥し、0.58gのシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを得た。
0.83gのシナカルセト塩基を、50mlのMTBEに室温で溶解した。次に、HClガスを、前記溶液中に泡立た。その溶液を、室温で0.5時間、攪拌し、沈殿物を得た。生成物を濾過により単離し、8mlのMTBEにより洗浄し、そして50℃で真空オーブンにおいて15時間、乾燥し、0.5gのシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを得た。
3.15gのCNC塩基を、15体積のMTBEに室温で溶解した。HClガスを、前記溶液中に泡立て、沈殿物を生成した。HClガスを、沈殿がもはや観察されなくなるまで、添加した。そのスラリーを、室温でさらに1時間、攪拌した。生成物を濾過により単離し、2×2mlのMTBEにより洗浄し、そして50℃で真空オーブンにおいて16時間、乾燥し、1.93gのシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを得た。
3.0gのCNC塩基を、20体積のMTBEに室温で溶解した。HClガスを、前記溶液中に泡立て、沈殿物を生成した。HClガスを、沈殿がもはや観察されなくなるまで、添加した。そのスラリーを、室温でさらに1時間、攪拌した。生成物を濾過により単離し、2×2mlのMTBEにより洗浄し、そして50℃で真空オーブンにおいて15時間、乾燥し、2.08gのシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを得た。
0.75gのシナカルセト塩基を、3mlの無水エタノールにおいて室温で溶解した。次に、14mlの1NのHClを滴下し、そしてその得られる混合物を、室温で3.5時間、攪拌し、沈殿物を得た。生成物を濾過により単離し、2mlの水により洗浄し、そして50℃で真空オーブンにおいて17時間、乾燥し、0.5gのシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを得た。
5gのCNC塩基を、5mlのDMFに室温で溶解した。次に、50mlの1NのHClを前記溶液に4分間にわたって滴下した。その得られるスラリーを、室温で3時間、攪拌した。生成物を濾過により単離し、2×10mlの水により洗浄し、そして50℃で真空オーブンにおいて14.5時間、乾燥し、4.13gのシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを得た。
5gのCNC塩基を、5mlのDMSOに室温で溶解した。次に、50mlの1NのHClを前記溶液に10分間にわたって滴下した。その得られるスラリーを、室温で3時間、攪拌した。生成物を濾過により単離し、2×15mlの水により洗浄し、そして50℃で真空オーブンにおいて14.5時間、乾燥し、4.11gのシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを得た。
5gのCNC塩基を、5mlのNMPに室温で溶解した。次に、50mlの1NのHClを前記溶液に8分間にわたって滴下した。その得られるスラリーを、室温で3時間、攪拌した。生成物を濾過により単離し、2×10mlの水により洗浄し、そして50℃で真空オーブンにおいて14.5時間、乾燥し、4.31gのシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを得た。
5gのCNC塩基を、5mlのアセトニトリルに室温で溶解した。次に、50mlの1NのHClを前記溶液に7分間にわたって滴下した。その得られるスラリーを、室温で5時間、攪拌した。生成物を濾過により単離し、2×10mlの水により洗浄し、そして50℃で真空オーブンにおいて14.5時間、乾燥し、4.30gのシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを得た。
5gのCNC塩基を、5mlのジメチルアセトアミドに室温で溶解した。次に、50mlの1NのHClを前記溶液に12分間にわたって滴下した。その得られるスラリーを、室温で4時間、攪拌した。生成物を濾過により単離し、2×10mlの水により洗浄し、そして50℃で真空オーブンにおいて14.5時間、乾燥し、4.53gのシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを得た。
例29:
0.3gのシナカルセト塩酸塩を、7mlのアセトンに室温で溶解した。次に、35mlのn−ヘプタンを少しずつ添加し、そしてその混合物を室温で16時間、攪拌した。生成物を濾過により単離し、4mlのn−ヘプタンにより洗浄し、そして50℃で真空オーブンにおいて23時間、乾燥し、0.26gのシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを得た。
0.3gのシナカルセト塩酸塩を、9mlのアセトンに室温で溶解した。次に、45mlのジエチルエーテルを少しずつ添加し、そしてその混合物を室温で16時間、攪拌した。生成物を濾過により単離し、4mlのn−ヘプタンにより洗浄し、そして50℃で真空オーブンにおいて23時間、乾燥し、0.18gのシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを得た。
1.0gのシナカルセト塩酸塩を、18mlのアセトンに室温で溶解した。その得られるよう液を少しずつ、300mlのジエチルエーテルに添加し、そしてその混合物を室温で2時間、攪拌した。生成物を濾過により単離し、そして50℃で真空オーブンにおいて16時間、乾燥し、0.53gのシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを得た。
0.3gのシナカルセト塩酸塩を、9mlのアセトンに室温で溶解した。次に、50mlのn−ヘキサンを少しずつ添加し、そしてその混合物を室温で5時間、攪拌した。生成物を濾過により単離し、2mlのn−ヘキサンにより洗浄し、そして50℃で真空オーブンにおいて16時間、乾燥し、0.3gのシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを得た。
0.3gのシナカルセト塩酸塩を、9mlのアセトンに室温で溶解した。次に、70mlのMTEBを少しずつ添加し、そしてその混合物を室温で16時間、攪拌した。生成物を濾過により単離し、そして50℃で真空オーブンにおいて24時間、乾燥し、0.16gのシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを得た。
0.3gのシナカルセト塩酸塩を、7mlのアセトンに室温で溶解した。次に、50mlのシクロヘキサンを少しずつ添加し、そしてその混合物を室温で4時間、攪拌した。生成物を濾過により単離し、4mlのシクロヘキサンにより洗浄し、そして50℃で真空オーブンにおいて16時間、乾燥し、0.23gのシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを得た。
0.3gのシナカルセト塩酸塩を、9mlのアセトンに室温で溶解した。次に、50mlのn−ペンタンを少しずつ添加し、そしてその混合物を室温で4時間、攪拌した。生成物を濾過により単離し、3mlのn−ペンタンにより洗浄し、そして50℃で真空オーブンにおいて16時間、乾燥し、0.35gのシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを得た。
0.3gのシナカルセト塩酸塩を、2mlの無水エタノールに室温で溶解した。次に、15mlのn−ペンタンを少しずつ添加し、そしてその混合物を室温で2.5時間、攪拌した。生成物を濾過により単離し、2mlのn−ペンタンにより洗浄し、そして50℃で真空オーブンにおいて18時間、乾燥し、0.24gのシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを得た。
0.5gのシナカルセト塩酸塩を、3mlの無水エタノールに室温で溶解した。その得られる溶液を、300mlのn−ペンタンを少しずつ添加し、そしてその混合物を室温で10分間、攪拌した。生成物を濾過により単離し、そして50℃で真空オーブンにおいて17.5時間、乾燥し、0.30gのシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを得た。
0.3gのシナカルセト塩酸塩を、2mlの無水エタノールに室温で溶解した。次に、15mlのn−ペンタンを少しずつ添加し、そしてその混合物を室温で3時間、攪拌した。生成物を濾過により単離し、2mlのn−ペンタンにより洗浄し、そして50℃で真空オーブンにおいて18時間、乾燥し、0.18gのシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを得た。
0.3gのシナカルセト塩酸塩を、2mlの無水エタノールに室温で溶解した。次に、15mlのMTBEを少しずつ添加し、そしてその混合物を室温で3時間、攪拌した。生成物を濾過により単離し、そして50℃で真空オーブンにおいて18時間、乾燥し、0.16gのシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを得た。
0.3gのシナカルセト塩酸塩を、2mlの無水エタノールに室温で溶解した。次に、15mlの水を少しずつ添加し、そしてその混合物を室温で3.5時間、攪拌した。生成物を濾過により単離し、5mlの水により洗浄し、そして50℃で真空オーブンにおいて18時間、乾燥し、0.19gのシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを得た。
0.3gのシナカルセト塩酸塩を、2mlの無水エタノールに室温で溶解した。次に、15mlのジエチルエーテルを少しずつ添加し、そしてその混合物を室温で16時間、攪拌した。生成物を濾過により単離し、そして50℃で真空オーブンにおいて17時間、乾燥し、0.14gのシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを得た。
0.24gのシナカルセト塩酸塩を、1.5mlの無水エタノールに室温で溶解した。次に、15mlのn−ヘキサンを少しずつ添加し、そしてその混合物を室温で16時間、攪拌した。生成物を濾過により単離し、そして50℃で真空オーブンにおいて17時間、乾燥し、0.23gのシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを得た。
0.4gのシナカルセト塩酸塩を、13mlのIPAに室温で溶解した。次に、50mlのn−ヘキサンを少しずつ添加し、そしてその混合物を室温で6.5時間、攪拌した。生成物を濾過により単離し、そして50℃で真空オーブンにおいて16時間、乾燥し、0.05gのシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを得た。
0.3gのシナカルセト塩酸塩を、10mlのIPAに室温で溶解した。次に、50mlのn−ペンタンを少しずつ添加し、そしてその混合物を室温で2.5時間、攪拌した。生成物を濾過により単離し、そして50℃で真空オーブンにおいて17.5時間、乾燥し、0.1gのシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを得た。
0.64gのシナカルセト塩酸塩を、2mlのメタノールに室温で溶解した。次に、15mlの水を少しずつ添加し、そしてその混合物を室温で50分間、攪拌した。生成物を濾過により単離し、そして50℃で真空オーブンにおいて17時間、乾燥し、0.4gのシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを得た。
本明細書に開示される発明は上記に言及される目的を実現するために十分に計算されていることは明らかであるが、多くの修飾及び態様が当業者により考案され得ることは理解されるであろう。従って、そのようなすべての修飾及び態様は、本発明の範囲内で行われる。
Claims (8)
a.水、C3-C6ケトン、C5-C8脂肪族又は芳香族炭化水素、酢酸エチル以外のC3-C6エステル、C2-C5アルコール、C2-C5エーテル、アセトニトリル、DMAc、DMF、DMSO、NMP及びそれらの混合物から成る群から選択されるシナカルセト塩酸塩が低い溶解性を有する溶媒中、シナカルセト塩基:
b.前記溶液を塩酸により酸性化し、反応混合物を得;
c.前記反応混合物を維持し、沈殿物を得;そして
d.沈殿されたシナカルセト塩酸塩結晶フォームIを回収する;
ことを含んで成る方法。
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