JP4627621B2 - 半導体集積回路 - Google Patents
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Description
第1の配線と、第1の配線と異なる配線層に設けられ且つ第1の配線と直交する第2の配線との間に形成される第1の矩形領域と、
第1の配線と、第1の配線と異なる配線層に設けられ且つ第1の配線と直交する第3の配線との間に形成される、第1の矩形領域よりも面積が大きい第2の矩形領域とに、
それぞれ敷設される第1のコンタクトアレイと第2のコンタクトアレイを備えた半導体集積回路であって、
第1のコンタクトアレイのコンタクト敷設間隔は製造プロセスによって決まるコンタクト敷設間隔以上の第1の間隔であり、
第2のコンタクトアレイのコンタクト敷設間隔は前記第1の間隔よりも広い第2の間隔である。
第1配線層と、前記第1の配線層の上層にある第2配線層との間と、
前記第2配線層と、前記第2の配線層の上層にある第3配線層との間と、
前記第3配線層と、前記第3の配線層の上層にある第4配線層との間と、
前記第4配線層と、前記第4の配線層の上層にある第5配線層との間をそれぞれ接続し、
前記第2配線層と前記第3配線層とを接続するコンタクトアレイの領域、及び、前記第3配線層と前記第4配線層とを接続するコンタクトアレイの領域は前記第1配線層と前記2配線層を接続するコンタクトアレイの領域、及び、前記第4配線層と前記第5配線層を接続するコンタクトアレイの領域より狭い。
本発明における実施の形態1について図面を用いて説明する。
本発明における実施の形態2について図面を用いて説明する。
本発明における実施の形態3について図面を用いて説明する。
本発明における実施の形態4について図面を用いて説明する。
本発明における実施の形態5について図面を用いて説明する。
本発明における実施の形態6について図面を用いて説明する。
本発明における実施の形態7について図面を用いて説明する。
本発明における実施の形態8について図面を用いて説明する。
本発明における実施の形態9について図面を用いて説明する。
102 横方向の配線
103 X方向広ピッチコンタクトアレイ
104 Y方向広ピッチコンタクトアレイ
105 コンタクト
201 両方向広ピッチコンタクトアレイ
202 コンタクト
301 千鳥コンタクトアレイ
302 第1のコンタクトアレイユニット
303 コンタクト
304 第2のコンタクトアレイユニット
305 コンタクト
306 コンタクト
401 縦方向の配線
402a,402b 横方向の配線
403 コンタクトアレイ
404 コンタクトアレイ
405 コンタクト
406 コンタクト
407 領域
408 仮想コンタクトアレイ
409 コンタクト
410 コンタクトアレイ
411 コンタクト
501 コンタクトアレイ
502 コンタクトアレイ
503,504 コンタクト
601 縦方向の配線
602a,602b 横方向の配線
603 コンタクトアレイ
604 コンタクトアレイ
605,606 コンタクト
607,608 コンタクトアレイ
609,610 コンタクト
611 コンタクトアレイ
612 コンタクト
701 縦方向の配線
702 横方向の配線
703 第1のコンタクトアレイ分割領域
704 第2のコンタクトアレイ分割領域
705 第3のコンタクトアレイ分割領域
706 第4のコンタクトアレイ分割領域
707 コンタクト
708 コンタクト
801 縦方向の配線
802 横方向の配線
803 複数のコンタクトアレイ分割領域
804 コンタクト
901 第1層配線
902 コンタクトアレイ
903 第2層配線
904 コンタクトアレイ
905 第3層配線
906 コンタクトアレイ
907 第4層配線
908 コンタクトアレイ
909 第5層配線
1001 コンタクトアレイ
1002 第3層配線
1003 コンタクトアレイ
1004 コンタクトアレイ
1005 第3層配線
1006 コンタクトアレイ
1201 コンタクトアレイ
1202 第3層配線
1203 コンタクトアレイ
1301 縦方向の配線
1302 横方向の配線
1303 コンタクトアレイ
Claims (2)
- 製造プロセスによって決まる縦方向の寸法と横方向の寸法を持つ複数のコンタクトが縦方向および横方向に整列して、
第1の配線と、前記第1の配線と異なる配線層に設けられ且つ前記第1の配線と直交する第2の配線との間に形成される第1の矩形領域と、
前記第1の配線と、前記第1の配線と異なる配線層に設けられ且つ前記第1の配線と直交する第3の配線との間に形成される、前記第1の矩形領域よりも面積が大きい第2の矩形領域とに、
それぞれ敷設される第1のコンタクトアレイと第2のコンタクトアレイを備えた半導体集積回路であって、
前記第1のコンタクトアレイのコンタクト敷設間隔は製造プロセスによって決まるコンタクト敷設間隔以上の第1の間隔であり、
前記第2のコンタクトアレイのコンタクト敷設間隔は前記第1の間隔よりも広い第2の間隔である半導体集積回路。 - 製造プロセスによって決まる縦方向の寸法と横方向の寸法を持つ複数のコンタクトが縦方向および横方向に整列して敷設され、縦方向および横方向の少なくとも何れか一方のコンタクト敷設間隔が、製造プロセスによって決まるコンタクト敷設間隔より広いコンタクトアレイが
第1配線層と、前記第1の配線層の上層にある第2配線層との間と、
前記第2配線層と、前記第2の配線層の上層にある第3配線層との間と、
前記第3配線層と、前記第3の配線層の上層にある第4配線層との間と、
前記第4配線層と、前記第4の配線層の上層にある第5配線層との間をそれぞれ接続し、
前記第2配線層と前記第3配線層とを接続するコンタクトアレイの領域、及び、前記第3配線層と前記第4配線層とを接続するコンタクトアレイの領域は前記第1配線層と前記2配線層を接続するコンタクトアレイの領域、及び、前記第4配線層と前記第5配線層を接続するコンタクトアレイの領域より狭い半導体集積回路。
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