JP2004158846A

JP2004158846A - 半導体集積回路およびその製造方法

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Publication number: JP2004158846A
Application number: JP2003356283A
Authority: JP
Inventors: Kenya Fujino; 健哉藤野; Fumihiro Kimura; 文浩木村
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2002-10-18
Filing date: 2003-10-16
Publication date: 2004-06-03
Anticipated expiration: 2023-10-16
Also published as: JP4627621B2

Abstract

【課題】コンタクトを形成する層や絶縁膜の剥がれ、ＬＳＩの破壊の防止を実現する。
【解決手段】複数のコンタクト２０２が縦方向および横方向に整列して敷設されるコンタクトアレイ２０１を備え、コンタクトアレイ２０１における縦方向および横方向の両方のコンタクト敷設間隔を、製造プロセスによって決まるコンタクト敷設間隔より広くしている。これによって、プロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能な個数もしくはそれより少ない個数まで、コンタクトアレイ２０１に形成するコンタクト２０２の個数を減らすことが可能で、これによってコンタクト２０２を形成する層や絶縁膜の剥がれ、ＬＳＩの破壊の防止を実現することができる。
【選択図】図２

Description

本発明は半導体集積回路およびその製造方法に関するものである。特に、コンタクトホール数を削減することによって、コンタクトが形成される層や絶縁膜が剥がれたり、ＬＳＩが破壊したりするのを防止することが可能な半導体集積回路の構造および製造方法に関するものである。

現在、半導体集積回路の設計において、配線を行う際に配線層を乗り換える場合には、異なる配線の互いに重なっている配線領域間にプロセス毎のデザインルールによって決まる高さ、幅、間隔で規則正しく、打てる数だけのコンタクトをコンタクト高さ方向およびコンタクト幅方向に整列して敷設している。

上記のプロセス毎のデザインルールによって決まる高さというのは、矩形のコンタクトの縦方向の寸法のことである。また、同じく幅というのは、矩形のコンタクトの横方向の寸法のことである。なお、以下では、“プロセス毎のデザインルールによって決まる”を“プロセスによって決まる”と略記する。

また、配線層を２層以上乗り換える場合には、中間階層のコンタクトも上下層の配線が重なっている領域と同じ領域にプロセスによって決まる高さ、幅、間隔で規則正しく打てるだけ敷設している。

コンタクトアレイは、予め定められた大きさと間隔で規則正しく２次元的に、つまりマトリクス状に並んだ複数のコンタクトからなる。例えば、自動レイアウト装置で異なる層の配線同士をつなぐ際に、上記のような構成のコンタクトアレイどうしが互いに隣接することで発生する、デザインルールエラーを防止する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

このように、一般的にコンタクトアレイは、配線層を乗り換える場合に、異なる配線の重なっている領域と同じ領域に、プロセスによって決まるコンタクトの高さ、幅、間隔で規則正しく打てる数だけコンタクトが敷設される。
特開２０００−２８４５３６号公報（第１頁、図２）

近年のプロセスの微細化進歩に伴い、コンタクト１つ１つの面積は小さくなり、コンタクト間隔も狭くなっている。

そのため、図１３に示すように、縦方向の配線１３０１から横方向の配線１３０２へ配線層を乗り換える場合において、異なる配線の重なっている領域にプロセスによって決まるコンタクトの高さ、幅、間隔で規則正しく打てるだけの数のコンタクトを敷設すると、コンタクトアレイ１３０３に占めるコンタクトの数が増大する。その結果、プロセス毎のデザインルールによって決まる単位面積、例えば所定の大きさの矩形の領域あたりに敷設可能なコンタクト数を超えるおそれがある。

図１３に示すように、コンタクトが近接して大量に敷設されると、コンタクトが形成される層や絶縁膜が剥がれ、ＬＳＩの破壊が発生することがある。このようなコンタクトが形成される層や絶縁膜の剥がれを防止するためには、配線層の重なり領域に占めるコンタクトの数を削減することが有効である。

本発明は、上記先行技術の問題点を解決するもので、プロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能な個数、あるいはそれ以下の個数まで、コンタクトアレイに形成されるコンタクトの個数を減らすことによって、コンタクトが形成される層や絶縁膜の剥がれ、ＬＳＩの破壊の防止を実現することができる半導体集積回路およびその製造方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、第１の発明の半導体集積回路は、複数のコンタクトが縦方向および横方向に整列して敷設されるコンタクトアレイを備えている。そして、コンタクトアレイにおける縦方向および横方向の何れか一方のコンタクト敷設間隔を、製造プロセスによって決まるコンタクト敷設間隔より広くしている。

この構成によれば、コンタクトアレイにおける縦方向および横方向の何れか一方のコンタクト敷設間隔を、製造プロセスによって決まるコンタクト敷設間隔より広くすることにより、プロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能な個数もしくはそれより少ない個数まで、コンタクトアレイに形成するコンタクトの個数を減らすことが可能である。これによって、コンタクトが形成される層や絶縁膜の剥がれ、ＬＳＩの破壊の防止を実現することができる。

第２の発明の半導体集積回路は、複数のコンタクトが縦方向および横方向に整列して敷設されるコンタクトアレイを備えている。そして、コンタクトアレイにおける縦方向および横方向の両方のコンタクト敷設間隔を、製造プロセスによって決まるコンタクト敷設間隔より広くしている。

この構成によれば、コンタクトアレイにおける縦方向および横方向の両方のコンタクト敷設間隔を、製造プロセスによって決まるコンタクト敷設間隔より広くすることにより、プロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能な個数もしくはそれより少ない個数まで、コンタクトアレイに形成するコンタクトの個数を減らすことが可能である。これによって、コンタクトが形成される層や絶縁膜の剥がれ、ＬＳＩの破壊の防止を実現することができる。しかも、コンタクトアレイにおける縦方向および横方向の両方のコンタクト敷設間隔を、製造プロセスによって決まるコンタクト敷設間隔より広くすることにより、縦方向および横方向の両方向について剥がれを防止することができ、コンタクトが形成される層や絶縁膜の剥がれ、ＬＳＩの破壊の防止をより確実に実現することができる。

第３の発明の半導体集積回路は、複数のコンタクトが縦方向および横方向に整列して敷設されるコンタクトアレイを備え、コンタクトアレイが第１および第２のコンタクトアレイユニットを重ね合わせて合成した構造を有し、第１および第２のコンタクトアレイユニットが複数のコンタクトを縦方向および横方向に整列して敷設した構造を有している。そして、第１および第２のコンタクトアレイユニットの各々における縦方向および横方向の何れか少なくとも一方のコンタクト敷設間隔を、製造プロセスによって決まるコンタクト敷設間隔より広くし、かつ第１のコンタクトアレイのコンタクト形成位置が縦方向および横方向ともに第２のコンタクトアレイのコンタクト形成位置の中間に位置するように第１および第２のコンタクトアレイの重ね合わせ位置をずらせている。

この構成によれば、第１および第２のコンタクトアレイユニットの各々における縦方向および横方向の何れか少なくとも一方のコンタクト敷設間隔を、製造プロセスによって決まるコンタクト敷設間隔より広くし、かつ第１のコンタクトアレイのコンタクト形成位置が縦方向および横方向ともに第２のコンタクトアレイのコンタクト形成位置の中間に位置させている。そのため、プロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能な個数もしくはそれより少ない個数まで、コンタクトアレイに形成するコンタクトの個数を減らすことが可能である。これによって、コンタクトが形成される層や絶縁膜の剥がれ、ＬＳＩの破壊の防止を実現することができる。しかも、同じ面積に同じ大きさ、同じ個数で敷設した場合に、縦方向および横方向とも、より広い間隔でコンタクトを敷設可能であり、剥がれの発生防止効果を高めることができる。

第４の発明の半導体集積回路は、複数のコンタクトが縦方向および横方向に整列して敷設されるコンタクトアレイを備え、製造プロセスによって決まる単位面積の領域の重なりを許してチップ全体を掃引して、単位面積の領域内に存在する縦横に整列して敷設されたコンタクトの個数または面積を求め、単位面積の領域内部に含まれるコンタクトの個数または面積が規定値以下になるようにコンタクト敷設間隔を広げている。

この構成によれば、単位面積の領域単位でみて敷設可能のコンタクト数を超えることがなくなり、コンタクトが形成される層や絶縁膜の剥がれ、ＬＳＩの破壊の発生を防止できる。

上記第１ないし第４の発明の半導体集積回路においては、コンタクト敷設間隔を広げるときのコンタクトの削減率を、コンタクトアレイの大きさによって異ならせるようにしてもよい。

この構成によれば、小さい面積のコンタクトアレイにおけるコンタクトの削減のしすぎによるエレクトロマイグレーション、ＩＲ−ＤＲＯＰ現象（電流Ｉ×配線抵抗Ｒに相当する電圧降下）が発生することを防止できる。

第５の発明の半導体集積回路は、複数のコンタクトが縦方向および横方向に整列して敷設されるコンタクトアレイを備え、コンタクトアレイを２つ以上のコンタクトアレイ領域に分割している。そして、少なくとも１つのコンタクトアレイ領域には製造プロセスによって決まるコンタクト敷設間隔以上の間隔でコンタクトを敷設し、残りのコンタクトアレイ領域には上記少なくとも１つのコンタクトアレイ領域のコンタクト敷設間隔よりも広いコンタクト敷設間隔でコンタクトを敷設している。

この構成によれば、少なくとも１つのコンタクトアレイ領域には製造プロセスによって決まるコンタクト敷設間隔以上の間隔でコンタクトを敷設し、残りのコンタクトアレイ領域には上記少なくとも１つのコンタクトアレイ領域のコンタクト敷設間隔よりも広いコンタクト敷設間隔でコンタクトを敷設しているため、コンタクトが形成される層や絶縁膜の剥がれ、ＬＳＩの破壊の防止をより確実に実現することができる。

第６の発明の半導体集積回路は、複数のコンタクトが縦方向および横方向に整列して敷設されるコンタクトアレイを備え、コンタクトアレイを３つ以上のコンタクトアレイ領域に分割している。そして、単位面積の領域内に存在するコンタクトの個数または面積を求め、単位面積の領域内部に含まれるコンタクトの個数または面積が規定値以下になるように、指定領域間隔をあけて配置された少なくとも２つ以上のコンタクトアレイ領域の各々に、製造プロセスによって決まるコンタクト敷設間隔以上の間隔でコンタクトを敷設している。

この構成によれば、２つ以上のコンタクトアレイ領域に指定領域間隔をあけて製造プロセスによって決まるコンタクト敷設間隔以上の間隔でコンタクトを敷設しているため、コンタクトが形成される層や絶縁膜の剥がれ、ＬＳＩの破壊の防止をより確実に実現することができる。

上記第１ないし第４の発明の半導体集積回路においては、以下のように構成してもよい。すなわち、コンタクトアレイが３層以上にわたって縦積みされた構成を有し、中間層のコンタクトアレイは、コンタクト敷設間隔を広げた結果、中間層のコンタクトアレイに残るコンタクトを、プロセスによって決まるコンタクト間隔以上の間隔で並べ直すことにより、中間層のコンタクトアレイの領域を最上層および最下層のコンタクトアレイの領域より狭めるようにしてもよい。なお、この構成に、コンタクト敷設間隔を広げるときのコンタクトの削減率を、コンタクトアレイの大きさによって異ならせる構成を組み合わせてもよい。

この構成によれば、中間層のコンタクトアレイの領域を最上層および最下層のコンタクトアレイの領域より狭めているので、中間階層のコンタクトアレイの側方の同一配線層を他の配線が配線領域として使用することが可能である。そのため、配線リソース不足による未結線を防止できる。

第７の発明の半導体集積回路の製造方法は、複数のコンタクトが縦方向および横方向に整列して敷設されるコンタクトアレイを備えた半導体集積回路を製造する方法であり、コンタクトアレイにおける縦方向および横方向の何れか一方のコンタクト敷設間隔を、製造プロセスによって決まるコンタクト敷設間隔より広くする。

この方法によれば、コンタクトアレイにおける縦方向および横方向の何れか一方のコンタクト敷設間隔を、製造プロセスによって決まるコンタクト敷設間隔より広くすることにより、プロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能な個数もしくはそれより少ない個数まで、コンタクトアレイに形成するコンタクトの個数を減らすことが可能である。これによって、コンタクトが形成される層や絶縁膜の剥がれ、ＬＳＩの破壊の防止を実現することができる。

第８の発明の半導体集積回路の製造方法は、複数のコンタクトが縦方向および横方向に整列して敷設されるコンタクトアレイを備えた半導体集積回路を製造する方法であり、コンタクトアレイにおける縦方向および横方向の両方のコンタクト敷設間隔を、製造プロセスによって決まるコンタクト敷設間隔より広くする。

この方法によれば、コンタクトアレイにおける縦方向および横方向の両方のコンタクト敷設間隔を、製造プロセスによって決まるコンタクト敷設間隔より広くすることにより、プロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能な個数もしくはそれより少ない個数まで、コンタクトアレイに形成するコンタクトの個数を減らすことが可能である。これによって、コンタクトが形成される層や絶縁膜の剥がれ、ＬＳＩの破壊の防止を実現することができる。しかも、コンタクトアレイにおける縦方向および横方向の両方のコンタクト敷設間隔を、製造プロセスによって決まるコンタクト敷設間隔より広くすることにより、縦方向および横方向の両方向について剥がれを防止することができ、コンタクトが形成される層や絶縁膜の剥がれ、ＬＳＩの破壊の防止をより確実に実現することができる。

第９の発明の半導体集積回路の製造方法は、複数のコンタクトが縦方向および横方向に整列して敷設されるコンタクトアレイを備えた半導体集積回路を製造する方法であり、複数のコンタクトを縦方向および横方向に整列して敷設した第１および第２のコンタクトアレイユニットを重ね合わせてコンタクトアレイを合成する。このときに、第１および第２のコンタクトアレイユニットの各々における縦方向および横方向の何れか少なくとも一方のコンタクト敷設間隔を、製造プロセスによって決まるコンタクト敷設間隔より広くし、かつ第１のコンタクトアレイのコンタクト形成位置が縦方向および横方向ともに第２のコンタクトアレイのコンタクト形成位置の中間に位置するように第１および第２のコンタクトアレイの重ね合わせ位置をずらせている。

この方法によれば、第１および第２のコンタクトアレイユニットの各々における縦方向および横方向の何れか少なくとも一方のコンタクト敷設間隔を、製造プロセスによって決まるコンタクト敷設間隔より広くし、かつ第１のコンタクトアレイのコンタクト形成位置が縦方向および横方向ともに第２のコンタクトアレイのコンタクト形成位置の中間に位置させている。そのため、プロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能な個数もしくはそれより少ない個数まで、コンタクトアレイに形成するコンタクトの個数を減らすことが可能である。これによって、コンタクトが形成される層や絶縁膜の剥がれ、ＬＳＩの破壊の防止を実現することができる。しかも、同じ面積に同じ大きさ、同じ個数で敷設した場合に、縦方向および横方向とも、より広い間隔でコンタクトを敷設可能であり、剥がれの発生防止効果を高めることができる。

第１０の発明の半導体集積回路の製造方法は、複数のコンタクトが縦方向および横方向に整列して敷設されるコンタクトアレイを備えた半導体集積回路を製造する方法であり、製造プロセスによって決まる単位面積の領域の重なりを許してチップ全体を掃引して、単位面積の領域内に存在する縦横に整列して敷設されたコンタクトの個数または面積を求め、単位面積の領域内部に含まれるコンタクトの個数または面積が規定値以下になるようにコンタクト敷設間隔を広げる。

この方法によれば、単位面積の領域単位でみて敷設可能のコンタクト数を超えることがなくなり、コンタクトが形成される層や絶縁膜の剥がれ、ＬＳＩの破壊の発生を防止できる。

上記第７ないし第１０の発明の半導体集積回路の製造方法においては、コンタクト敷設間隔を広げるときのコンタクトの削減率を、コンタクトアレイの大きさによって異ならせるようにしてもよい。

この方法によれば、小さい面積のコンタクトアレイにおけるコンタクトの削減のしすぎによるエレクトロマイグレーション、ＩＲ−ＤＲＯＰ現象が発生することを防止できる。

第１１の発明の半導体集積回路の製造方法は、複数のコンタクトが縦方向および横方向に整列して敷設されるコンタクトアレイを備えた半導体集積回路を製造する方法であり、コンタクトアレイを２つ以上のコンタクトアレイ領域に分割し、少なくとも１つのコンタクトアレイ領域には製造プロセスによって決まるコンタクト敷設間隔以上の間隔でコンタクトを敷設し、残りのコンタクトアレイ領域には少なくとも１つのコンタクトアレイ領域のコンタクト敷設間隔よりも広いコンタクト敷設間隔でコンタクトを敷設する。

この方法によれば、少なくとも１つのコンタクトアレイ領域には製造プロセスによって決まるコンタクト敷設間隔以上の間隔でコンタクトを敷設し、残りのコンタクトアレイ領域には少なくとも１つのコンタクトアレイ領域のコンタクト敷設間隔よりも広いコンタクト敷設間隔でコンタクトを敷設しているため、コンタクトが形成される層や絶縁膜の剥がれ、ＬＳＩの破壊の防止をより確実に実現することができる。

第１２の発明の半導体集積回路の製造方法は、複数のコンタクトが縦方向および横方向に整列して敷設されるコンタクトアレイを備えた半導体集積回路を製造する方法であり、コンタクトアレイを、３つ以上のコンタクトアレイ領域に分割し、単位面積の領域内に存在するコンタクトの個数または面積を求め、単位面積の領域内部に含まれるコンタクトの個数または面積が規定値以下になるように、指定領域間隔をあけて配置された少なくとも２つ以上のコンタクトアレイ領域の各々に、製造プロセスによって決まるコンタクト敷設間隔以上の間隔でコンタクトを敷設する。

この方法によれば、２つ以上のコンタクトアレイ領域に指定領域間隔をあけて製造プロセスによって決まるコンタクト敷設間隔以上の間隔でコンタクトを敷設しているため、コンタクトが形成される層や絶縁膜の剥がれ、ＬＳＩの破壊の防止をより確実に実現することができる。

上記第７ないし第１０の発明の半導体集積回路の製造方法においては、以下のように構成してもよい。すなわち、コンタクトアレイが３層以上にわたって縦積みされた構成を有し、中間層のコンタクトアレイは、コンタクト敷設間隔を広げた結果、中間層のコンタクトアレイに残るコンタクトを、プロセスによって決まるコンタクト間隔以上の間隔で並べ直すことにより、中間層のコンタクトアレイの領域を最上層および最下層のコンタクトアレイの領域より狭めるようにしてもよい。なお、この構成に、コンタクト敷設間隔を広げるときのコンタクトの削減率を、コンタクトアレイの大きさによって異ならせる構成を組み合わせてもよい。

この方法によれば、中間層のコンタクトアレイの領域を最上層および最下層のコンタクトアレイの領域より狭めているので、中間階層のコンタクトアレイの側方の同一配線層を他の配線が配線領域として使用することが可能である。そのため、配線リソース不足による未結線を防止できる。

第１３の発明の半導体集積回路は、複数のコンタクトが縦方向および横方向に整列して敷設されるコンタクトアレイを備え、コンタクトアレイが奇数行のコンタクト群と、奇数行のコンタクト群に対して行方向に略半ピッチシフトした位置に配置される偶数行のコンタクト群とからなり、奇数行のコンタクト群のコンタクト間隔および偶数行のコンタクト群のコンタクト間隔と、奇数行のコンタクト群同士の行間隔および偶数行のコンタクト群同士の行間隔とのいずれか少なくとも一方の間隔を、製造プロセスによって決まるコンタクト敷設間隔より広くしている。

この構成によれば、プロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能な個数もしくはそれより少ない個数まで、コンタクトアレイに形成するコンタクトの個数を減らすことが可能である。これによって、コンタクトが形成される層や絶縁膜の剥がれ、ＬＳＩの破壊の防止を実現することができる。しかも、同じ面積に同じ大きさ、同じ個数で敷設した場合に、縦方向および横方向とも、より広い間隔でコンタクトを敷設可能であり、剥がれの発生防止効果を高めることができる。

本発明の半導体装置およびその製造方法は、上記構成を有し、コンタクトが形成される層や絶縁膜の剥がれ、ＬＳＩの破壊の防止を実現することができる。

以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。

（実施の形態１）
本発明における実施の形態１について図面を用いて説明する。

本発明を実施するにあたり、一般的なレイアウト設計と同様にプロセスで定められたデザインルールを用いて各種配線を生成する。なお、プロセスで定められたデザインルールでは、コンタクトは、プロセスによって決まるコンタクトの高さ、幅、間隔でマトリクス状に規則正しく打てるだけ敷設されることになる。

その際、プロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能なコンタクト数を超えるコンタクトアレイを生成することになってしまう場合には、それを避けるために、図１Ａまたは図１Ｂに示す一方向広ピッチコンタクトアレイを用いて配線を行う。

図１Ａおよび図１Ｂは、２種類の一方向広ピッチコンタクトアレイを示している。図１Ａにおいて、符号１０１は縦方向の配線を示し、符号１０２は配線１０１とは層が異なる横方向の配線を示し、符号１０３はＸ（横）方向広ピッチコンタクトアレイを示し、符号１０５はマトリクス状に整列配置されたコンタクトを示す。図１Ｂにおいて、符号１０４はＹ（縦）方向広ピッチコンタクトアレイを示す。その他の符号は図１Ａに記載されたものと同じである。

Ｘ方向広ピッチコンタクトアレイ１０３は、プロセスによって決まるコンタクトの高さ、幅、間隔で規則正しく打てるだけコンタクトを敷設する先行技術のコンタクトアレイとは異なる。すなわち、コンタクト１０５の高さ、幅および縦方向の敷設間隔については、プロセス毎のデザインルールによって決まるコンタクトの高さ、幅、敷設間隔に設定される。ところが、コンタクト１０５の横方向の敷設間隔については、プロセスによって決まる間隔より広い間隔に設定される。

Ｙ方向広ピッチコンタクトアレイ１０４は、プロセスによって決まるコンタクトの高さ、幅、間隔で規則正しく打てるだけコンタクトを敷設する先行技術のコンタクトアレイとは異なる。すなわち、コンタクト１０５の高さ、幅および横方向の敷設間隔についてはプロセス毎のデザインルールによって決まるコンタクトの高さ、幅、敷設間隔に設定される。ところが、コンタクト１０５の縦方向の敷設間隔については、プロセスによって決まる間隔より広い間隔に設定される。

なお、実施の形態１では、配線時に横方向もしくは縦方向の何れか一方向のみコンタクト敷設間隔がプロセスによって決まる敷設間隔よりも広いコンタクトアレイ１０３，１０４を設ける方法を記載した。これ限らず、先行技術のコンタクトアレイを用いていったん全ての配線を行った配線結果に対し、プロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能なコンタクト数を超えるコンタクトアレイのみを、Ｘ方向広ピッチコンタクトアレイ１０３、あるいは、Ｙ方向広ピッチコンタクトアレイ１０４に置き換える方法を用いても良い。

コンタクト数をプロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能なコンタクト数以下まで削減する際、エレクトロマイグレーション、ＩＲ−ＤＲＯＰを考慮した結果、コンタクトの個数をさらに削減できる場合には、削減、あるいは、幾らかのマージンを残した上で削減しても良い。

以上の方法で、コンタクトが形成される層や絶縁膜の剥がれの発生を防止するものである。

このように構成された半導体集積回路およびその製造方法によると、プロセスによって決まる間隔より広い間隔でコンタクト１０５を敷設することで、コンタクトアレイ１０３，１０４内のコンタクト数をプロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能なコンタクト数以下に削減できる。そのため、コンタクト１０５が形成される層や絶縁膜の剥がれの発生の防止を実現し、したがってＬＳＩの破壊の防止を実現できる。

（実施の形態２）
本発明における実施の形態２について図面を用いて説明する。

実施の形態１に記載した方法と同様に、プロセスで定められたデザインルールを用いて各種配線を生成する。なお、プロセスで定められたデザインルールでは、コンタクトは、プロセスによって決まるコンタクトの高さ、幅、間隔でマトリクス状に規則正しく打てるだけ敷設されることになる。

その際、プロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能なコンタクト数を超えるコンタクトアレイを生成することになってしまう場合には、それを避けるために、図２に示す両方向広ピッチコンタクトアレイを用いて配線を行う。

図２は、両方向広ピッチコンタクトアレイを示している。図２において、符号１０１は縦方向の配線を示し、符号１０２は配線１０１とは層が異なる横方向の配線を示し、符号２０１は両方向広ピッチコンタクトアレイを示す。符号２０２はマトリクス状に整列配置されたコンタクトを示す。

両方向広ピッチコンタクトアレイ２０１は、プロセスによって決まるコンタクトの高さ、幅、間隔で規則正しく打てるだけコンタクトを敷設する先行技術のコンタクトアレイとは異なる。すなわち、コンタクト２０２の高さ、幅についてはプロセスによって決まるコンタクトの高さ、幅に設定される。ところが、コンタクト２０２の横方向および縦方向の敷設間隔については、ともにプロセスによって決まる間隔より広い間隔に設定される。

実施の形態１で説明した方法では、コンタクトが形成される層や絶縁膜の剥がれの発生を防止することに有効である。しかし、横方向、縦方向のいずれか一方向でしかコンタクトが形成される層や絶縁膜の剥がれの発生を防止できない。本実施の形態２では、横方向および縦方向の両方向からのコンタクトが形成される層や絶縁膜の剥がれの発生を防止できる。

なお、実施の形態２では、配線時に両方向のコンタクト敷設間隔が広いコンタクトアレイ２０１を敷設する方法を記載したが、先行技術のコンタクトアレイを用いて、いったん全ての配線を行った配線結果に対し、プロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能なコンタクト数を超えるコンタクトアレイのみを、両方向広ピッチコンタクトアレイ２０１に置き換えても良い。

コンタクト数をプロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能なコンタクト数以下まで削減する際、エレクトロマイグレーション、ＩＲ−ＤＲＯＰを考慮した結果、コンタクトの個数をさらに削減できる場合には、削減、あるいは幾らかのマージンを残した上で削減しても良い。

このように構成された半導体集積回路およびその製造方法によると、プロセスによって決まる間隔より広い間隔でコンタクト２０２を敷設することで、コンタクトアレイ２０１内のコンタクト数をプロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能なコンタクト数以下に削減できる。そのため、コンタクト２０２が形成される層や絶縁膜の剥がれ、ＬＳＩの破壊の発生を防止できる。

さらに、横方向および縦方向ともにプロセスによって決まる間隔より広い間隔でコンタクト２０２を敷設することで、横方向および縦方向の両方向からのコンタクト２０２が形成される層や絶縁膜の剥がれの発生を防止できる。

（実施の形態３）
本発明における実施の形態３について図面を用いて説明する。

その際、プロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能なコンタクト数を超えるコンタクトアレイを生成することになってしまう場合には、それを避けるために、図３Ａに示す千鳥コンタクトアレイを用いて配線を行う。

図３Ａは、千鳥コンタクトアレイを示している。図３Ａにおいて、符号１０１は縦方向の配線を示し、符号１０２は配線１０１とは層が異なる横方向の配線を示し、符号３０１は千鳥コンタクトアレイを示す。符号３０６は千鳥格子状に整列配置されたコンタクトを示し、奇数行と偶数行とで半ピッチ、位置をずらして配置、もしくは奇数列と偶数列とで半ピッチ、位置をずらして配置されている。

図３Ｂは千鳥コンタクトアレイ３０１を構成するための２つのコンタクトアレイユニットの一方を示している。同図において、符号３０２は第１のコンタクトアレイユニットを示し、符号３０３はマトリクス状に整列配置されたコンタクトを示す。

図３Ｃは千鳥コンタクトアレイを構成する２つのコンタクトアレイユニットの他方を示している。同図において、符号３０４は第２のコンタクトアレイユニットを示し、符号３０５はマトリクス状に整列配置されたコンタクトを示す。

千鳥コンタクトアレイ３０１は、プロセスによって決まるコンタクトの高さ、幅、間隔で規則正しく打てるだけ敷設する先行技術のコンタクトアレイとは異なる。すなわち、横方向および縦方向ともにプロセスによって決まる間隔より広い間隔で敷設されている第１のコンタクトアレイユニット３０２および第２のコンタクトアレイユニット３０４を互いに重ね合わせて千鳥格子状に敷設されている。

千鳥コンタクトアレイ３０１は、上記したように、奇数行のコンタクト群と、奇数行のコンタクト群に対して行方向に略半ピッチシフトした位置に配置される偶数行のコンタクト群とからなる。そして、奇数行のコンタクト群のコンタクト間隔および偶数行のコンタクト群のコンタクト間隔と、奇数行のコンタクト群同士の行間隔および偶数行のコンタクト群同士の行間隔とのいずれか少なくとも一方の間隔が、製造プロセスによって決まるコンタクト敷設間隔より広くされる。

また、奇数行のコンタクト群３１２と偶数行のコンタクト群３１３の各々のコンタクト間隔とは同じ値に設定される。また、奇数行のコンタクト群３１２同士の行間隔と偶数行のコンタクト群３１３同士の行間隔も同じ値に設定される。また、奇数行のコンタクト群３１２と偶数行のコンタクト群３１３との行間隔は均一に設定される。

この際、奇数行のコンタクト群を構成する各コンタクトと、偶数行のコンタクト群を構成する各コンタクトとの間の間隔については、製造プロセスによって必要とされる間隔よりも狭くなることがないように設定されるのはいうまでもないことである。

実施の形態２で説明した方法では、横方向および縦方向からのコンタクトが形成される層や絶縁膜の剥がれの発生を防止することに有効である。

しかし、同じ面積に同じ大きさ、同じ個数でコンタクトを敷設した場合、本実施の形態３の構成で敷設した方が、縦方向および横方向ともに、より大きな間隔でコンタクト３０６を敷設可能となり、コンタクト３０６が形成される層や絶縁膜の剥がれの発生の防止効果を高くすることができる。

なお、先行技術のコンタクトアレイを用いて、いったん全ての配線を行った配線結果に対し、プロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能なコンタクト数を超えるコンタクトアレイのみを、千鳥コンタクトアレイ３０１に置き換えても良い。

また、上記の実施の形態３では、第１および第２のコンタクトアレイユニット３０２，３０４は、縦方向および横方向ともに、プロセスで決まる間隔よりも広い間隔でコンタクトを配置していたが、いずれか一方向だけ間隔を広くするのみでもよい。

プロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能なコンタクト面積以下に削減できれば、プロセスによって決まるコンタクトの高さ、幅を変更したものを用いても、同様の効果が得られる。具体的に説明すると、コンタクトの個数を減少させる際に、コンタクトの高さ、幅を大きくしてもよいということである。

このように構成された半導体集積回路の膜剥がれ防止方法によると、同じ面積に同じ大きさ、同じ個数でコンタクトを敷設した場合、縦方向および横方向ともに、実施の形態２に比べてより大きな間隔で敷設可能となる。

また、コンタクトアレイ内のコンタクト数をプロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能なコンタクト数以下に削減できる。そのため、よりコンタクトが形成される層や絶縁膜の剥がれ、ＬＳＩの破壊の発生を防止できる。

（実施の形態４）
本発明における実施の形態４について図面を用いて説明する。

先行技術のコンタクトアレイを用いて、全ての配線を行った配線結果に対して、検証を行う検証ステップでは、プロセス（プロセス毎のデザインルール）によって決まる領域単位で単位面積あたりに敷設可能なコンタクト数を超えているか、超えていないか検証を行う。

ここで、検証は、製造プロセスによって決まる単位面積の領域の重なりを許してチップ全体を掃引して、単位面積の領域内に存在する縦横に整列して敷設されたコンタクトの個数または面積を求めることにより行う。単位面積の領域の重なりを許してチップ全体を掃引するというのは、具体的には、単位面積の領域をサンプリングするときに、順次サンプリングする領域を単位面積の領域の水平および垂直方向の寸法に比べて微小な寸法ずつ水平方向および垂直方向に逐次ずらせながら、掃引を行うことである。

その際、プロセスによって決まる領域内で１つのコンタクトアレイのみが存在する場合には、プロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能なコンタクト数を超えない場合であっても、プロセスによって決まる領域内で隣接する同一ネットの他のコンタクトアレイが存在する場合、単位面積あたりに敷設可能なコンタクト数を超えてしまうことがある。

図４Ａは同一ネットで隣接する先行技術のコンタクトアレイを示している。図４Ａにおいて、符号４０１は縦方向の配線を示し、符号４０２ａ，４０２ｂは配線４０１とは層が異なる横方向の配線を示し、符号４０３および４０４は先行技術のコンタクトアレイを示す。符号４０５，４０６は、コンタクトアレイ４０３，４０４にそれぞれ設けられたコンタクトを示し、各々マトリクス状に整列配置されている。コンタクト４０５，４０６は、プロセスによって決まるコンタクトの高さ、幅、間隔で規則正しく打てるだけ敷設されている。

先行技術のコンタクトアレイ４０４は、単体で存在するのみではプロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能なコンタクト数を超えないコンタクトアレイである。しかし、プロセスによって決まる領域（例えば、矩形の領域）内で隣接する同一ネットのコンタクトアレイ４０３が存在するため、その領域では単位面積あたりに敷設可能なコンタクト数を超えてしまう。

したがって、本発明では、プロセスによって決まる単位面積の領域内で隣接する同一ネットのコンタクトアレイ４０３，４０４が存在するか確認する。プロセスによって決まる単位面積の領域内で隣接する同一ネットのコンタクトアレイ４０３，４０４が存在する場合、２つのコンタクトアレイ４０３，４０４を仮想的に１つのコンタクトアレイとみなす。

プロセスによって決まる単位面積の領域内に存在する半導体集積回路の格子状のコンタクト数、または、面積を求め、単位面積あたりのコンタクトの数または面積が規定値以下になるように、上記したように仮想的に１つのコンタクトアレイとみなした領域に、第１から実施の形態３に記載した何れかの方法と同じ方法でコンタクトを敷設する。

図４Ｂは、２つのコンタクトアレイ４０３，４０４を仮想的に１つのコンタクトアレイとみなしていることを示している。図４Ｂにおいて、符号４０１は縦方向の配線を示し、符号４０２ａ，４０２ｂは配線４０１とは層が異なる横方向の配線を示し、４０８は仮想コンタクトアレイを示す。仮想コンタクトアレイ４０８は、隣接する同一ネットのコンタクトアレイを１つのコンタクトアレイとみなしている。４０９は仮想コンタクトアレイ４０８におけるコンタクトである。符号４０７は単位面積の領域を示している。

図４Ｃは、コンタクトを敷設し直したコンタクトアレイを示している。図４Ｃにおいて、符号４０１は縦方向の配線を示し、符号４０２ａ，４０２ｂは横方向の配線を示し、符号４１０はコンタクトアレイを示す。符号４１１はコンタクトアレイ４１０におけるコンタクトを示し、例えば、千鳥格子状（実施の形態３参照）に整列配置されている。第１または実施の形態２と同様の手法でコンタクトを形成してもよい。

この実施の形態４では、仮想的コンタクトアレイ４０８の領域に、実施の形態１〜３に記載した何れかの方法と同じ方法でコンタクトアレイ４１０を生成している。

実施の形態１〜３で説明した方法では、プロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能なコンタクト数を超えないコンタクトアレイにすることには有効である。しかし、配線後の検証ではプロセスによって決まる領域単位でプロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能なコンタクト数を超えるか確認するため、同一ネットで隣接するコンタクトアレイが存在する場合には、敷設可能なコンタクト数を超えることがある。本手法では、プロセスによって決まる領域単位で処理を行うため、領域単位で見ても敷設可能なコンタクト数を超えることが無くなる。

なお、実施の形態１〜３に記載した何れかの方法と同じ方法でコンタクトアレイ４０６を生成した後、図５に示すように、もとのコンタクトアレイ４０３，４０４と同じ大きさ２つのコンタクトアレイ５０１，５０２に戻して、コンタクトアレイ５０１，５０２間の領域を他の配線の配線領域として用いても良い。

図５は、コンタクトアレイ４１０をもとの大きさに戻した結果を示している。図５において、符号４０１は縦方向の配線を示し、符号４０２は横方向の配線を示し、符号５０１および５０２はコンタクトアレイを示す。符号５０３，５０４はそれぞれコンタクトを示す。コンタクトアレイをもとの大きさに戻すことで、コンタクトアレイ５０１，５０２間の領域を他の配線が同一配線層で利用可能になっていることが分かる。

このように構成された半導体集積回路およびその製造方法によると、プロセスによって決まる領域単位で処理を行うため、領域単位で見ても単位面積あたりに敷設可能なコンタクト数を超えることが無くなる。

また、プロセスによって決まる間隔より広い間隔でコンタクト４１１，５０３，５０４を敷設することで、コンタクトアレイ４１０，５０１，５０２内のコンタクト数をプロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能なコンタクト数以下に削減できる。そのため、コンタクトが形成される層や絶縁膜の剥がれ、ＬＳＩの破壊の発生を防止できる。

（実施の形態５）
本発明における実施の形態５について図面を用いて説明する。

先行技術のコンタクトアレイを用いて、いったん全ての配線を行った配線結果に対し、プロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能なコンタクト数を超えるコンタクトアレイを、実施の形態４に記載した方法と同じ方法でコンタクトアレイを敷設する。しかし、コンタクトアレイの大きさが大きいものと、小さいものについて、同じ削減率でコンタクトを削減すると、小さいコンタクトアレイでコンタクトの削減しすぎが原因でエレクトロマイグレーション、ＩＲ−ＤＲＯＰ現象が発生することがある。例えば、コンタクト数が少なくなることで、接続が切れたり、電源供給の不足によるＬＳＩの誤動作が発生したりする。

図６Ａは、先行技術のコンタクトアレイを示している。図６Ａにおいて、符号６０１は縦方向の配線を示し、符号６０２ａ，６０２ｂは配線６０１とは層が異なる横方向の配線を示し、符号６０３，６０４は先行技術のコンタクトアレイを示している。符号６０５，６０６はそれぞれコンタクトアレイ６０３，６０４に設けたコンタクトを示す。２つのコンタクトアレイ６０３，６０４は、大きさが異なるが、プロセスによって決まるコンタクトの高さ、幅、間隔で規則正しく打てるだけ敷設されていることが分かる。

図６Ｂは実施の形態４に記載した方法と同じ方法で敷設したコンタクトアレイを示している。図６Ｂにおいて、符号６０１は縦方向の配線を示し、符号６０２ａ，６０２ｂは横方向の配線を示し、符号６０７，６０８はコンタクトアレイを示している。符号６０９，６１０はコンタクトアレイ６０７，６０８に設けたコンタクトを示す。コンタクトアレイ６０７，６０８は大きさが異なるが、ともに実施の形態４に記載した方法と同じ方法で敷設したコンタクトアレイであり、プロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能なコンタクト数を超えないコンタクトアレイであることが分かる。また、コンタクトアレイ６０７，６０８は、同じ削減率でコンタクトを削減しているため、コンタクトアレイ６０８ではコンタクト６１０の削減しすぎが原因でエレクトロマイグレーション、ＩＲ−ＤＲＯＰ現象が発生しやすい状態であることが分かる。

本発明では、プロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能なコンタクト数を超えるコンタクトアレイが敷設されるのを避けるために、コンタクトアレイ中のコンタクト数を削減するが、コンタクトアレイの大きさによってコンタクトの削減率を変えてコンタクトアレイを生成する。

図６Ｃは、削減率を変えてコンタクトアレイを生成した結果を示している。図６Ｃにおいて、符号６０１は縦方向の配線を示し、符号６０２は横方向の配線を示し、符号６０７、６１１はコンタクトアレイを示す。符号６０９，６１２はコンタクトを示す。コンタクトアレイ６１１のコンタクトの削減率を変えているため、図６Ｂのコンタクトアレイ６０８よりもコンタクト数が多いことが分かる。

実施の形態４で説明した方法では、コンタクトアレイの大きさに関係なく同じ削減率でコンタクトを削減するため、小さいコンタクトアレイでコンタクトの削減しすぎが原因でエレクトロマイグレーション、ＩＲ−ＤＲＯＰ現象が発生することがある。本発明では、コンタクトアレイの大きさによってコンタクトの削減率を変えるため、小さいコンタクトアレイ６１１でコンタクト６１２の削減しすぎが原因でエレクトロマイグレーション、ＩＲ−ＤＲＯＰ現象が発生することを防止できる。

このように構成された半導体集積回路およびその製造方法によると、面積の小さいコンタクトアレイほど、コンタクト数の削減率を小さくすることにより、小さいコンタクトアレイでコンタクトの削減しすぎが原因でエレクトロマイグレーション、ＩＲ−ＤＲＯＰ現象が発生することを防止できる。

また、プロセスによって決まる間隔より広い間隔でコンタクト６０９，６１２を敷設することで、コンタクトアレイ６０７，６１１内のコンタクト数をプロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能なコンタクト数以下に削減できる。そのため、コンタクト６０９，６１２が形成される層や絶縁膜の剥がれ、ＬＳＩの破壊の発生を防止できる。

（実施の形態６）
本発明における実施の形態６について図面を用いて説明する。

コンタクトアレイを小さい領域で見た場合、先行技術のコンタクトアレイ同様にプロセスによって決まるコンタクトの高さ、幅、間隔でコンタクトを敷設した方が、膜剥がれに強い構造となるが、先行技術のコンタクトアレイ同様にプロセスによって決まるコンタクトの高さ、幅、間隔で大量に敷設されるとコンタクトが形成される層や絶縁膜の膜剥がれが発生しやすい。

本発明では、先行技術のコンタクトアレイを用いて、いったん全ての配線を行った後、プロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能なコンタクト数を超えるコンタクトアレイに対し、コンタクトを敷設する領域を２つ以上に分割し、その一部分を先行技術と同様にプロセスによって決まるコンタクトの高さ、幅、間隔で敷設する。残りの領域は、実施の形態１〜３に記載した何れかの方法と同じ方法でコンタクトを敷設する。

図７Ａは、コンタクトアレイを敷設する領域を２つ以上（この例では４個）に分割した結果を示している。図７Ａにおいて、符号７０１は縦方向の配線を示し、符号７０２は配線７０１とは層が異なる横方向の配線を示し、符号７０３は第１のコンタクトアレイ分割領域を示し、符号７０４は第２のコンタクトアレイ分割領域を示し、符号７０５は第３のコンタクトアレイ分割領域を示し、符号７０６は第４のコンタクトアレイ分割領域を示している。コンタクトアレイを敷設する領域を２つ以上に分割したことが分かる。

図７Ｂは、第１のコンタクトアレイ分割領域７０３に先行技術のコンタクトを敷設した結果を示している。図７Ｂにおいて、符号７０１は縦方向の配線を示し、符号７０２は横方向の配線を示し、符号７０３は第１のコンタクトアレイ分割領域を示し、符号７０４は第２のコンタクトアレイ分割領域を示し、符号７０５は第３のコンタクトアレイ分割領域を示し、符号７０６は第４のコンタクトアレイ分割領域を示し、符号７０７は先行技術のコンタクトを示している。第１のコンタクトアレイ分割領域７０３には、先行技術と同様にプロセスによって決まるコンタクトの高さ、幅、間隔でコンタクト７０７が敷設されていることが分かる。

図７Ｃは、第１のコンタクトアレイ分割領域７０３以外の領域にもコンタクトを敷設した結果を示している。図７Ｃにおいて、符号７０１は縦方向の配線を示し、符号７０２は横方向の配線を示し、符号７０３は第１のコンタクトアレイ分割領域を示し、符号７０４は第２のコンタクトアレイ分割領域を示し、符号７０５は第３のコンタクトアレイ分割領域を示し、符号７０６は第４のコンタクトアレイ分割領域を示し、符号７０７は先行技術のコンタクトを示し、符号７０８は実施の形態１〜３で説明した何れかの方法と同じ方法で敷設したコンタクトを示している。第１のコンタクトアレイ分割領域以外の領域７０４〜７０６に、実施の形態１〜３で説明した方法でコンタクト７０８が敷設されていることが分かる。

実施の形態１〜３で説明した方法では、コンタクトアレイ内に先行技術と同様の方法で敷設されたコンタクト領域が無いために、膜剥がれに強い構造とはいえない。本発明では、コンタクトアレイの一部の領域には、先行技術と同様にプロセスによって決まるコンタクトの高さ、幅、間隔でコンタクトを敷設することで、膜剥がれに強い構造をとることができ、膜剥がれを防止することができる。

なお、コンタクト数をプロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能なコンタクト数以下まで削減する際、エレクトロマイグレーション、ＩＲ−ＤＲＯＰを考慮した結果、コンタクトの個数をさらに削減できる場合には、先行技術のコンタクト領域以外のコンタクトを削減、あるいは幾らかのマージンを残した上で削減しても良い。

このように構成された半導体集積回路およびその製造方法によると、コンタクトアレイの一部の領域については、先行技術と同様にプロセスによって決まるコンタクトの高さ、幅、間隔でコンタクトを敷設し、膜剥がれに強い構造をとることができる。そのため膜剥がれを防止することができる。

また、コンタクトアレイの残りの領域については、プロセスによって決まる間隔より広い間隔でコンタクトを敷設することで、コンタクトアレイ内のコンタクト数をプロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能なコンタクト数以下に削減できる。そのため、コンタクトが形成される層や絶縁膜の剥がれ、ＬＳＩの破壊の発生を防止できる。

なお、上記の実施の形態６では、第１のコンタクトアレイ分割領域７０３には、プロセスによって決まるコンタクトの高さ、幅、間隔でコンタクトを敷設すると説明したが、それより大きい高さ、幅、間隔でコンタクトを敷設してもよい。この場合も、膜剥がれに強い構造を得ることができる。ただし、コンタクトアレイ分割領域７０４〜７０６のコンタクトの高さ、幅、間隔に比べて小さくすることは必要である。

また、コンタクトアレイは、各コンタクト（ホール）の座標を計算の上、個々に位置を指定することにより、作成することができる。

（実施の形態７）
本発明における実施の形態７について図面を用いて説明する。

本発明では、先行技術のコンタクトアレイを用いて、いったん全ての配線を行った後、プロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能なコンタクト数を超えるコンタクトアレイに対し、コンタクトを敷設する領域を３つ以上に分割し、プロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能なコンタクト数を求め、そのコンタクト数を超えないように、指定領域間隔でかつ、先行技術と同様にプロセスによって決まるコンタクトの高さ、幅、間隔でコンタクトの敷設を行う。

上記の指定領域間隔は、コンタクトアレイ上に敷設するコンタクト総数と、コンタクトを敷設する領域数や、領域の面積から、どの程度の領域間隔で敷設していけばバランスよく入るか検討して決定する。バランスよくというのは、最上段の領域だけに入り、中段、最下段に入らないとバランスが悪いので、コンタクトアレイ全体を見て、バランスよく敷設していく。理想的には、図８Ｂの千鳥状に配置することが望ましい。

図８Ａは、コンタクトアレイを敷設する領域を３つ以上に分割した結果を示している。図８Ａにおいて、符号８０１は縦方向の配線、符号８０２は配線８０１とは層が異なる横方向の配線、符号８０３は複数のコンタクトアレイ分割領域を示している。コンタクトアレイを敷設する領域を３つ以上に分割したことが分かる。

図８Ｂは、指定領域間隔で先行技術のコンタクトを敷設した結果を示している。図８Ｂにおいて、符号８０１は縦方向の配線を示し、符号８０２は横方向の配線を示し、符号８０３は複数のコンタクトアレイ分割領域を示し、符号８０４は先行技術のコンタクトを示している。複数のコンタクトアレイ分割領域８０３に指定領域間隔で先行技術と同様にプロセスによって決まるコンタクトの高さ、幅、間隔でコンタクトが敷設されていることが分かる。

実施の形態６で説明した方法では、コンタクトアレイの一部の領域のみを先行技術と同様の方法で敷設しているため、膜剥がれが発生しにくい構造になっているが、本発明では、敷設するコンタクト全てを指定領域間隔をあけたコンタクトアレイの複数のコンタクトアレイ分割領域８０３で先行技術と同様にプロセスによって決まるコンタクトの高さ、幅、間隔で敷設し、膜剥がれに強い構造をとることができる。そのため、より強固に膜剥がれを防止することができる。

なお、コンタクト数をプロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能なコンタクト数以下まで削減する際、エレクトロマイグレーション、ＩＲ−ＤＲＯＰを考慮した結果、さらに削減できる場合には、削減、あるいは幾らかのマージンを残した上で削減しても良い。

このように構成された半導体集積回路の膜剥がれ防止方法によると、指定領域間隔をあけたコンタクトアレイの複数のコンタクトアレイ分割領域８０３で先行技術と同様にプロセスによって決まるコンタクトの高さ、幅、間隔で敷設し、膜剥がれをより強固に防止することができる。

また、コンタクトアレイ内のコンタクト数をプロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能なコンタクト数以下に削減できる。そのため、コンタクト８０４が形成される層や絶縁膜の剥がれ、ＬＳＩの破壊の発生を防止できる。

なお、上記の実施の形態７では、コンタクトアレイ分割領域８０３には、プロセスによって決まるコンタクトの高さ、幅、間隔でコンタクトを敷設すると説明したが、それより大きい高さ、幅、間隔でコンタクトを敷設してもよい。この場合も、膜剥がれに強い構造を得ることができる。

（実施の形態８）
本発明における実施の形態８について図面を用いて説明する。

第１層の配線層から第５層の配線層までを一度に乗り換えるような場合には、先行技術のコンタクトアレイを用い第１層から第２層、第２層から第３層、第３層から第４層、第４層から第５層と４つのコンタクトアレイを縦に積み上げることで、第１層の配線層と第５層の配線層との間の接続を行う。そのため、本コンタクトアレイが半導体ウェハを縦断する大きな障害物となり、配線リソースが不足し未結線の配線が発生することがある。

図９は、先行技術のコンタクトアレイを縦に積み上げることで、第１層の配線層と第５層の配線層とを接続していることを示す断面図である。図９において、符号９０１は第１層配線を示し、符号９０３は第２層配線を示し、符号９０５は第３層配線を示し、符号９０７は第４層配線を示し、符号９０９は第５層配線を示す。符号９０２は第１層配線９０１と第２層配線９０３とを接続するコンタクトアレイを示す。符号９０４は第２層配線９０３と第３層配線９０５とを接続するコンタクトアレイを示す。符号９０６は第３層配線９０５と第４層配線９０７とを接続するコンタクトアレイを示す。符号９０８は第４層配線９０７と第５層配線９０９とを接続するコンタクトアレイを示す。４つのコンタクトアレイが縦に積み上げられることによって、第１層配線９０１と第５層配線９０９との接続が行われていることが分かる。

本発明では、先行技術のコンタクトアレイを用いて、いったん全ての配線を行った配線結果に対し、実施の形態１〜３に記載した何れかの方法と同じ方法でコンタクトアレイを生成し直す。つぎに、ダイレクトに配線と接続されていない中間階層のコンタクトアレイ９０４，９０６に限り、コンタクトアレイ内のコンタクトをプロセスによって決まる間隔以上の間隔で敷設しなおし、かつ、中間階層の配線もコンタクトを敷設しなおすのに必要な大きさに縮小させた場合に、プロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能なコンタクト数を超えるか確認を行う。

プロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能なコンタクト数を超えない場合、プロセスによって決まる間隔以上の間隔でコンタクトを敷設し、かつ、中間階層の配線を、コンタクトを敷設しなおすのに必要な大きさに縮小させる。

図１０Ａは、中間階層のコンタクトアレイを示す立体図である。図１０Ａにおいて、符号１００２は第３層配線を示し、符号１００１は第２層配線（図示せず）と第３層配線１００２とを接続するコンタクトアレイを示し、符号１００３は第３層配線１００２と第４層配線（図示せず）とを接続するコンタクトアレイを示す。図１０Ａでは、コンタクトアレイ１００１，１００３において、実施の形態１〜３に記載した何れかの方法と同じ方法で、コンタクトが生成し直されていることが分かる（図１０Ａでは、実施の形態３に示した例を示している）。

図１０Ｂは、敷設し直したコンタクトアレイを示す立体図である。図１０Ｂにおいて、符号１００５は３層配線を示し、符号１００４は第２層配線と第３層配線１００５とを接続するコンタクトアレイを示し、符号１００６は第３層配線１００５と第４層配線とを接続するコンタクトアレイを示す。図１０Ｂでは、コンタクトアレイ１００４，１００６において、プロセスによって決まる間隔以上の間隔でコンタクトが敷設し直され、かつ、中間階層の配線がコンタクトを敷設し直すのに必要な大きさに縮小されていることが分かる。

図１１は、中間階層のコンタクトアレイを縮小した結果を示す断面図である。図１１において、符号９０１は第１層配線を示し、符号９０３は第２層配線を示し、符号１００５は第３層配線を示し、符号９０７は第４層配線を示し、符号９０９は第５層配線を示す。符号９０２は第１層配線９０１と第２層配線９０３とを接続するコンタクトアレイを示す。符号１００４は第２層配線９０３と第３層配線１００５とを接続するコンタクトアレイを示す。符号１００６は第３層配線１００５と第４層配線９０７とを接続するコンタクトアレイを示す。符号９０８は第４層配線９０７と第５層配線９０９とを接続するコンタクトアレイを示す。

コンタクトアレイ１００４、第３層配線１００５、および、コンタクトアレイ１００６が、プロセスによって決まる間隔以上の間隔でコンタクトが敷設し直されたことで小さくなっているために、コンタクトアレイ１００４、第３層配線１００５、および、コンタクトアレイ１００６の横を他の配線が同一配線層で配線領域として使用することが可能になっていることが分かる。

実施の形態１〜３で説明した方法では、中間階層のコンタクトアレイもダイレクトに配線と接続されているコンタクトアレイ同様の大きさであるが、本発明では、中間階層のコンタクトアレイを縮小可能であれば縮小し、中間階層のコンタクトアレイの横を他の配線が同一配線層で配線領域として使用することが可能であるため、配線リソース不足による未結線を防止することができる。

なお、ダイレクトに配線と接続されていない中間階層のコンタクトアレイを敷設し直し、かつ、中間階層の配線も縮小させた際、プロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能なコンタクト数を超える場合には、図１２に示すようにプロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能なコンタクト数を超えない複数のコンタクトアレイに分割し配置しても良い。

図１２は複数のコンタクトアレイに分割し配置した結果を示す断面図である。図１２において、符号９０１は第１層配線を示し、符号９０３は第２層配線を示し、符号１２０２は第３層配線を示し、符号９０７は第４層配線を示し、符号９０９は第５層配線を示す。符号９０２は第１層配線９０１と第２層配線９０３とを接続するコンタクトアレイを示す。符号１２０１は第２層配線９０３と第３層配線１２０２とを接続するコンタクトアレイを示す。符号１２０３は第３層配線１２０２と第４層配線９０７とを接続するコンタクトアレイを示す。符号９０８は第４層配線９０７と第５層配線９０９とを接続するコンタクトアレイを示す。

コンタクトアレイ１２０１、第３層配線１２０２、および、コンタクトアレイ１２０３が、複数に分割され配置されているために、コンタクトアレイ１２０１、第３層配線１２０２、および、コンタクトアレイ１２０３の間を他の配線が同一配線層で配線領域として使用することが可能になっていることが分かる。

配線結果に対し、実施の形態１〜３に記載した何れかの方法と同じ方法でコンタクトアレイを生成し直す際に、ダイレクトに配線と接続されていない中間階層のコンタクトアレイに限り、コンタクトアレイ内のコンタクトをプロセスによって決まる間隔以上の間隔で敷設し直し、かつ、中間階層の配線もコンタクトを敷設し直すのに必要な大きさに縮小させた場合に、プロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能なコンタクト数を超えるか確認を仮想的に行い、超えない場合はプロセスによって決まる間隔でコンタクトを敷設し、かつ、中間階層の配線をコンタクトを敷設しなおすのに必要な大きさに縮小させても良い。

このように構成された半導体集積回路およびその製造方法によると、中間階層のコンタクトアレイを縮小可能であれば縮小し、中間階層のコンタクトアレイの側方の同一配線層を他の配線が配線領域として使用することが可能であるため、配線リソース不足による未結線を防止できる。

また、プロセスによって決まる間隔より広い間隔でコンタクトを敷設することで、コンタクトアレイ内のコンタクト数をプロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能なコンタクト数以下に削減できる。そのため、コンタクトが形成される層や絶縁膜の剥がれ、ＬＳＩの破壊の発生を防止できる。

（実施の形態９）
本発明における実施の形態９について図面を用いて説明する。

その際、プロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能なコンタクト数を超えるコンタクトアレイを生成することになってしまう場合には、それを避けるために、図１４Ａに示す千鳥コンタクトアレイを用いて配線を行う。

図１４Ａは、千鳥コンタクトアレイを示している。図１４Ａにおいて、符号１０１は縦方向の配線を示し、符号１０２は配線１０１とは層が異なる横方向の配線を示し、符号３１０は千鳥コンタクトアレイを示す。符号３１１は千鳥格子状に整列配置されたコンタクトを示し、奇数行と偶数行とで半ピッチ、位置をずらして配置、もしくは奇数列と偶数列とで半ピッチ、位置をずらして配置されている。

図１４Ｂは千鳥コンタクトアレイ３１０のみを図示している。同図において、符号３１２は奇数行のコンタクト群を示している。符号３１３は偶数行のコンタクト群を示している。この千鳥コンタクトアレイ３１０は、上記したように、奇数行のコンタクト群３１２と、奇数行のコンタクト群３１２に対して行方向に略半ピッチシフトした位置に配置される偶数行のコンタクト群３１３とからなる。そして、奇数行のコンタクト群３１２のコンタクト間隔および偶数行のコンタクト群３１３のコンタクト間隔と、奇数行のコンタクト群３１２同士の行間隔および偶数行のコンタクト群３１３同士の行間隔とのいずれか少なくとも一方の間隔が、製造プロセスによって決まるコンタクト敷設間隔より広くされる。

この千鳥コンタクトアレイ３１０は、コンタクト３１１を縦方向と横方向とで異なる間隔に配置し、かつ、奇数行と偶数行とで異なるオフセット位置を計算して指定することで、一つのコンタクトアレイ上にコンタクト３１１を千鳥格子状に配列している。

他の方法として、千鳥コンタクトアレイ３１０は、各コンタクト（ホール）の座標を計算の上、個々に指定することによって作成することもできる。

この際、奇数行のコンタクト群３１２を構成する各コンタクトと、偶数行のコンタクト群３１３を構成する各コンタクトとの間の間隔については、製造プロセスによって必要とされる間隔よりも狭くなることがないように設定されるのはいうまでもないことである。

しかし、同じ面積に同じ大きさ、同じ個数でコンタクトを敷設した場合、本実施の形態９の構成で敷設した方が、縦方向および横方向ともに、より大きな間隔でコンタクト３１１を敷設可能となり、コンタクト３１１が形成される層や絶縁膜の剥がれの発生の防止効果を高くすることができる。

なお、先行技術のコンタクトアレイを用いて、いったん全ての配線を行った配線結果に対し、プロセスによって決まる単位面積あたりに敷設可能なコンタクト数を超えるコンタクトアレイのみを、千鳥コンタクトアレイ３１０に置き換えても良い。

本発明にかかる半導体集積回路およびその製造方法は、コンタクトが形成される層や絶縁膜の剥がれ、ＬＳＩの破壊の防止を実現することが必要な半導体集積回路の設計等の用途にも適用できる。

本発明の実施の形態１の半導体集積回路における横方向広ピッチコンタクトアレイを示す模式図である。同じく本発明の実施の形態１の半導体集積回路における縦方向広ピッチコンタクトアレイを示す模式図である。本発明の実施の形態２の半導体集積回路における両方向広ピッチコンタクトアレイを示す模式図である。本発明の実施の形態３の半導体集積回路における千鳥コンタクトアレイを示す模式図である。本発明の実施の形態３の半導体集積回路における一方のコンタクトアレイユニットを示す模式図である。本発明の実施の形態３の半導体集積回路における他方のコンタクトアレイユニットを示す模式図である。同一ネットで隣接する先行技術の２つのコンタクトアレイを示す模式図である。図４Ａにおける２つのコンタクトアレイを仮想的に１つのコンタクトアレイとみなすことを示す模式図である。本発明の実施の形態４において敷設したコンタクトアレイを示す模式図である。図４のコンタクトアレイを元のコンタクトアレイの大きさに戻した結果を示す模式図である。先行技術のコンタクトアレイを示す模式図である。本発明の実施の形態１〜３の何れかの手法で敷設したコンタクトアレイを示す模式図である。本発明の実施の形態５において削減率を変えてコンタクトアレイを生成した結果を示す模式図である。本発明の実施の形態６において、コンタクトを敷設する領域を２つ以上に分割した結果を示す模式図である。本発明の実施の形態６において、第１のコンタクトアレイ分割領域に先行技術のコンタクトを敷設した結果を示す模式図である。本発明の実施の形態６において、第１のコンタクトアレイ分割領域以外の第２〜第４のコンタクトアレイ分割領域にもコンタクトを敷設した結果を示す模式図である。本発明の実施の形態７において、コンタクトアレイを敷設する領域を３つ以上に分割した結果を示す模式図である。本発明の実施の形態７において、指定領域間隔で先行技術のコンタクトを敷設した結果を示す模式図である。先行技術のコンタクトアレイを積み上げて接続していることを示す断面図である。本発明の実施の形態８において、中間階層のコンタクトアレイを示す立体図である。本発明の実施の形態８において、敷設しなおしたコンタクトアレイを示す立体図である。本発明の実施の形態８において、中間階層のコンタクトアレイを縮小した結果を示す立体図である。本発明の実施の形態８において、中間階層のコンタクトアレイを複数のコンタクトアレイに分割して配置した結果を示す断面図である。先行技術のコンタクトアレイを示す模式図である。本発明の実施の形態９の半導体集積回路における千鳥コンタクトアレイを示す模式図である。本発明の実施の形態９の半導体集積回路におけるコンタクトアレイユニットを示す模式図である。

符号の説明

１０１縦方向の配線
１０２横方向の配線
１０３Ｘ方向広ピッチコンタクトアレイ
１０４Ｙ方向広ピッチコンタクトアレイ
１０５コンタクト
２０１両方向広ピッチコンタクトアレイ
２０２コンタクト
３０１千鳥コンタクトアレイ
３０２第１のコンタクトアレイユニット
３０３コンタクト
３０４第２のコンタクトアレイユニット
３０５コンタクト
３０６コンタクト
４０１縦方向の配線
４０２ａ，４０２ｂ横方向の配線
４０３コンタクトアレイ
４０４コンタクトアレイ
４０５コンタクト
４０６コンタクト
４０７領域
４０８仮想コンタクトアレイ
４０９コンタクト
４１０コンタクトアレイ
４１１コンタクト
５０１コンタクトアレイ
５０２コンタクトアレイ
５０３，５０４コンタクト
６０１縦方向の配線
６０２ａ，６０２ｂ横方向の配線
６０３コンタクトアレイ
６０４コンタクトアレイ
６０５，６０６コンタクト
６０７，６０８コンタクトアレイ
６０９，６１０コンタクト
６１１コンタクトアレイ
６１２コンタクト
７０１縦方向の配線
７０２横方向の配線
７０３第１のコンタクトアレイ分割領域
７０４第２のコンタクトアレイ分割領域
７０５第３のコンタクトアレイ分割領域
７０６第４のコンタクトアレイ分割領域
７０７コンタクト
７０８コンタクト
８０１縦方向の配線
８０２横方向の配線
８０３複数のコンタクトアレイ分割領域
８０４コンタクト
９０１第１層配線
９０２コンタクトアレイ
９０３第２層配線
９０４コンタクトアレイ
９０５第３層配線
９０６コンタクトアレイ
９０７第４層配線
９０８コンタクトアレイ
９０９第５層配線
１００１コンタクトアレイ
１００２第３層配線
１００３コンタクトアレイ
１００４コンタクトアレイ
１００５第３層配線
１００６コンタクトアレイ
１２０１コンタクトアレイ
１２０２第３層配線
１２０３コンタクトアレイ
１３０１縦方向の配線
１３０２横方向の配線
１３０３コンタクトアレイ

Claims

複数のコンタクトが縦方向および横方向に整列して敷設されるコンタクトアレイを備えた半導体集積回路であって、
前記コンタクトアレイにおける縦方向および横方向の何れか一方のコンタクト敷設間隔を、製造プロセスによって決まるコンタクト敷設間隔より広くした半導体集積回路。
複数のコンタクトが縦方向および横方向に整列して敷設されるコンタクトアレイを備えた半導体集積回路であって、
前記コンタクトアレイにおける縦方向および横方向の両方のコンタクト敷設間隔を、製造プロセスによって決まるコンタクト敷設間隔より広くした半導体集積回路。
複数のコンタクトが縦方向および横方向に整列して敷設されるコンタクトアレイを備えた半導体集積回路であって、
前記コンタクトアレイが第１および第２のコンタクトアレイユニットを重ね合わせて合成した構造を有し、前記第１および第２のコンタクトアレイユニットが複数のコンタクトを縦方向および横方向に整列して敷設した構造を有し、前記第１および第２のコンタクトアレイユニットの各々における縦方向および横方向の何れか少なくとも一方のコンタクト敷設間隔を、製造プロセスによって決まるコンタクト敷設間隔より広くし、かつ前記第１のコンタクトアレイのコンタクト形成位置が縦方向および横方向ともに前記第２のコンタクトアレイのコンタクト形成位置の中間に位置するように前記第１および第２のコンタクトアレイの重ね合わせ位置をずらせている半導体集積回路。
複数のコンタクトが縦方向および横方向に整列して敷設されるコンタクトアレイを備えた半導体集積回路であって、
製造プロセスによって決まる単位面積の領域の重なりを許してチップ全体を掃引して、前記単位面積の領域内に存在する縦横に整列して敷設された前記コンタクトの個数または面積を求め、単位面積の領域内部に含まれるコンタクトの個数または面積が規定値以下になるようにコンタクト敷設間隔を広げた半導体集積回路。
コンタクト敷設間隔を広げるときのコンタクトの削減率を、コンタクトアレイの大きさによって異ならせた請求項１、２、３または４に記載の半導体集積回路。
複数のコンタクトが縦方向および横方向に整列して敷設されるコンタクトアレイを備えた半導体集積回路であって、
前記コンタクトアレイを２つ以上のコンタクトアレイ領域に分割し、少なくとも１つのコンタクトアレイ領域には製造プロセスによって決まるコンタクト敷設間隔以上の間隔で前記コンタクトを敷設し、残りのコンタクトアレイ領域には前記少なくとも１つのコンタクトアレイ領域のコンタクト敷設間隔よりも広いコンタクト敷設間隔で前記コンタクトを敷設した半導体集積回路。
複数のコンタクトが縦方向および横方向に整列して敷設されるコンタクトアレイを備えた半導体集積回路であって、
前記コンタクトアレイを、３つ以上のコンタクトアレイ領域に分割し、単位面積の領域内に存在する前記コンタクトの個数または面積を求め、単位面積の領域内部に含まれるコンタクトの個数または面積が規定値以下になるように、指定領域間隔をあけて配置された少なくとも２つ以上のコンタクトアレイ領域の各々に、製造プロセスによって決まるコンタクト敷設間隔以上の間隔で前記コンタクトを敷設した半導体集積回路。
コンタクトアレイが３層以上にわたって縦積みされており、中間層のコンタクトアレイは、コンタクト敷設間隔を広げた結果、中間層のコンタクトアレイに残るコンタクトを、プロセスによって決まるコンタクト間隔以上の間隔で並べ直すことにより、前記中間層のコンタクトアレイの領域を最上層および最下層のコンタクトアレイの領域より狭めた請求項１、２、３または４に記載の半導体集積回路。
複数のコンタクトが縦方向および横方向に整列して敷設されるコンタクトアレイを備えた半導体集積回路を製造する半導体集積回路の製造方法であって、
前記コンタクトアレイにおける縦方向および横方向の何れか一方のコンタクト敷設間隔を、製造プロセスによって決まるコンタクト敷設間隔より広くする半導体集積回路の製造方法。
複数のコンタクトが縦方向および横方向に整列して敷設されるコンタクトアレイを備えた半導体集積回路を製造する半導体集積回路の製造方法であって、
前記コンタクトアレイにおける縦方向および横方向の両方のコンタクト敷設間隔を、製造プロセスによって決まるコンタクト敷設間隔より広くする半導体集積回路の製造方法。
複数のコンタクトが縦方向および横方向に整列して敷設されるコンタクトアレイを備えた半導体集積回路を製造する半導体集積回路の製造方法であって、
複数のコンタクトを縦方向および横方向に整列して敷設した第１および第２のコンタクトアレイユニットを重ね合わせて前記コンタクトアレイを合成するときに、前記第１および第２のコンタクトアレイユニットの各々における縦方向および横方向の何れか少なくとも一方のコンタクト敷設間隔を、製造プロセスによって決まるコンタクト敷設間隔より広くし、かつ前記第１のコンタクトアレイのコンタクト形成位置が縦方向および横方向ともに前記第２のコンタクトアレイのコンタクト形成位置の中間に位置するように前記第１および第２のコンタクトアレイの重ね合わせ位置をずらせている半導体集積回路の製造方法。
複数のコンタクトが縦方向および横方向に整列して敷設されるコンタクトアレイを備えた半導体集積回路を製造する半導体集積回路の製造方法であって、
製造プロセスによって決まる単位面積の領域の重なりを許してチップ全体を掃引して、前記単位面積の領域内に存在する縦横に整列して敷設された前記コンタクトの個数または面積を求め、単位面積の領域内部に含まれるコンタクトの個数または面積が規定値以下になるようにコンタクト敷設間隔を広げる半導体集積回路の製造方法。
コンタクト敷設間隔を広げるときのコンタクトの削減率を、コンタクトアレイの大きさによって異ならせる請求項９、１０、１１または１２に記載の半導体集積回路の製造方法。
複数のコンタクトが縦方向および横方向に整列して敷設されるコンタクトアレイを備えた半導体集積回路を製造する半導体集積回路の製造方法であって、
前記コンタクトアレイを２つ以上のコンタクトアレイ領域に分割し、少なくとも１つのコンタクトアレイ領域には製造プロセスによって決まるコンタクト敷設間隔以上の間隔で前記コンタクトを敷設し、残りのコンタクトアレイ領域には少なくとも１つのコンタクトアレイ領域のコンタクト敷設間隔よりも広いコンタクト敷設間隔で前記コンタクトを敷設する半導体集積回路の製造方法。
複数のコンタクトが縦方向および横方向に整列して敷設されるコンタクトアレイを備えた半導体集積回路を製造する半導体集積回路の製造方法であって、
前記コンタクトアレイを、３つ以上のコンタクトアレイ領域に分割し、単位面積の領域内に存在する前記コンタクトの個数または面積を求め、単位面積の領域内部に含まれるコンタクトの個数または面積が規定値以下になるように、指定領域間隔をあけて配置された少なくとも２つ以上のコンタクトアレイ領域の各々に、製造プロセスによって決まるコンタクト敷設間隔以上の間隔で前記コンタクトを敷設する半導体集積回路の製造方法。
コンタクトアレイが３層以上にわたって縦積みされており、中間層のコンタクトアレイは、コンタクト敷設間隔を広げた結果、中間層のコンタクトアレイに残るコンタクトを、プロセスによって決まるコンタクト間隔以上の間隔で並べ直すことにより、前記中間層のコンタクトアレイの領域を最上層および最下層のコンタクトアレイの領域より狭める請求項９、１０、１１または１２に記載の半導体集積回路の製造方法。
複数のコンタクトが縦方向および横方向に整列して敷設されるコンタクトアレイを備えた半導体集積回路であって、
前記コンタクトアレイが奇数行のコンタクト群と、前記奇数行のコンタクト群に対して行方向に略半ピッチシフトした位置に配置される偶数行のコンタクト群とからなり、前記奇数行のコンタクト群のコンタクト間隔および前記偶数行のコンタクト群のコンタクト間隔と、前記奇数行のコンタクト群同士の行間隔および前記偶数行のコンタクト群同士の行間隔とのいずれか少なくとも一方の間隔を、製造プロセスによって決まるコンタクト敷設間隔より広くした半導体集積回路。
コンタクト敷設間隔を広げるときのコンタクトの削減率を、コンタクトアレイの大きさによって異ならせた請求項１７に記載の半導体集積回路。