JP2004128315A - 半導体集積回路及びその配線方法 - Google Patents

Abstract

【課題】コンピュータ支援による自動配線ツールを用いて多層配線を行う場合であれ、より少ない層数で、配線遅延の増加等を回避したより効率のよい多層配線構造を実現することのできる半導体集積回路及びその配線方法を提供する。
【解決手段】半導体集積回路は、２層目の配線層と４層目の配線層と、これらの配線層の間に設けられる３層目の配線層とを備える多層配線構造を有している。この場合、２層目の配線層の配線である２層配線１と４層目の配線層の配線である４層配線４とを接続するビアホール５が、３層目の配線層の配線である３層配線２との接触を避けて、同３層配線２に隣接する位置に設けられる。
【選択図】　　　　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、横方向（Ｘ方向）及び縦方向（Ｙ方向）の配線以外に斜め方向の配線が可能な自動配線ツールを用いて配線された多層配線構造を有する半導体集積回路及びその配線方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路の技術進歩により回路が大規模化、且つ高集積化されるにつれ、回路の論理設計量も膨大になり、また配線密度も極めて高くなりつつある。そこで近年は、人間の手作業による配線設計からコンピュータ支援による自動配線ツールを用いての自動配線が実用化されるに至っている。
【０００３】
このような自動配線ツールを用いての配線には、一般にグリッド配線が採用されており、２つの配線層で構成される別々の配線を接続するには、これら２つの配線が交差するグリッド上で、ビアホールを介しての接続が行われる。
【０００４】
ここで、従来よく使用される自動配線ツールとしては、直交型多層配線に用いられるツールが知られている（例えば、特許文献１参照）。この直交型多層配線では、１つの配線層では同一方向の配線しか形成できず、その配線方向も横方向と縦方向といったＸ−Ｙ方向の２方向のみとなる。このため、例えば図１２に示されるように、縦方向に配線された２層配線１０１〜１０３と、横方向に配線された３層配線１０４〜１０７と、縦方向に配線された４層配線１０８とが形成される場合、それら配線層に形成された別々の配線を接続するには、同図１２に示される態様でその接続が行われる。すなわち、それら接続対象となる配線が交差するグリッド（図示略）上で、ビアホール１０９、１１０、１１１、１１２、１１３を介した接続が行われる。ここで、１層配線は通常、セルの電極等に使用され、接続用の配線層としては２層目以上の配線層が使用されるため、図１２では、これらセルや１層配線についての図示は省略した。
【０００５】
一方、近年は、上記自動配線ルーツとして、直交する配線に加え、斜め方向（左右４５度、１３５度方向）の配線を使用することによって配線長の短縮を可能とした配線ツールも提案されている（例えば、特許文献２及び特許文献３参照）。
【０００６】
すなわちこのツールでは、図１３に示すように、縦方向に配線された２層配線１１４、１１５と、横方向に配線された３層配線１１６〜１１８とに加えて、右下がり斜め方向に配線された４層配線１１９や、右上がり斜め方向に配線された５層配線１２０なども形成することができる。ただし、この配線ツールでも、１つの配線層では同一方向の配線しか形成することができないため、その配線方向は、縦方向と、横方向と、右上がり斜め方向と、右下がり斜め方向と、の４方向となる。そしてこの場合も、異なる２つの配線層に形成された別々の配線を接続するには、同図１３に示されるように、それら接続対象となる配線が交差するグリッド（図示略）上で、ビアホール１２１、１２２、１２３、１２４を介した接続が行われる。なお、図１２の例と同様、１層配線は通常、セルの電極等に使用され、接続用の配線層としては２層目以上の配線層が使用されるため、図１３でも、これらセルや１層配線についての図示は省略した。
【０００７】
【特許文献１】
特許第３１１９１９７号公報（第３−４頁、図１）
【特許文献２】
特開２０００−８２７４３号公報（第７−８頁、図１）
【特許文献３】
特開２００１−１４２９３１号公報（第６−７頁、図１）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、半導体集積回路の配線には、それぞれ独自のデザインルールがあり、そのルールの中で、配線抵抗、配線容量の増加によって引き起こされるタイミング違反、ＩＲドロップの原因となる配線長、及びビアホール数の増加を回避する必要がある。
【０００９】
このため、例えば２つの配線層の間に別の配線層が存在し、且つそれら２つの配線層の配線がビアホールによって接続されている場合、それら配線層の間の別の配線層に形成される配線は、ビアホールを避けつつも、最短の配線長をもって効率よく配線されることが望ましい。
【００１０】
この点、先の図１２に例示したような直交型多層配線では、２層配線１０１と４層配線１０８とを接続するためにビアホール１０９が形成される場合、３層配線１０５と３層配線１０７との間を配線するには、３本の回避配線１０２、１０６、１０３と４つのビアホール１１０、１１１、１１２、１１３が必要となる。そのため、ビアホール１０９を回避するための回避配線の配線長は自ずと長くなり、またそれら回避配線を接続するためのビアホールの数も多くなってしまう。
【００１１】
また、図１３に例示したような斜め配線を取り入れた配線方法でも、２層配線１１４と４層配線１１９とを接続するためにビアホール１２１が形成される場合、３層配線１１７と３層配線１１８との間を配線するには、２本の回避配線１１５、１２０と３つのビアホール１２２、１２３、１２４が必要となる。そのため、この場合もビアホール回避のための回避配線の配線長は長くなり、また回避配線を接続するためのビアホールの数も多くなってしまう。
【００１２】
そして、このようなビアホール回避のための回避配線の配線長の増大やビアホールの増加は、ひいては上述した配線抵抗、配線容量の増加につながり、タイミング違反やＩＲドロップなどの原因となる。
【００１３】
また、上記回避配線を形成するためには、更に別の配線層を用いて同じ配線方向の配線を新たに形成することも考えられるが、これでは配線層数の増大につながり、コストアップの原因になる。例えば先の図１３に例示した５層配線の場合、同じ配線方向（縦方向、横方向、右上がり斜め方向、右下がり斜め方向、の４方向）の配線を新たに形成してこれを回避配線にすると８〜９層の配線層が必要となる。
【００１４】
本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであって、その目的は、コンピュータ支援による自動配線ツールを用いて多層配線を行う場合であれ、より少ない層数で、配線遅延の増加等を回避したより効率のよい多層配線構造を実現することのできる半導体集積回路及びその配線方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
以下、上記目的を達成するための手段及びその作用効果について記載する。
請求項１に記載の発明は、横方向及び縦方向の配線以外に斜め方向の配線が可能な自動配線ツールを用いて形成された多層配線構造を有する半導体集積回路において、第１の配線層と第２の配線層とこれら第１及び第２の配線層の間に設けられる第３の配線層とを有し、前記第１の配線層の配線である第１の配線及び前記第２の配線層の配線である第２の配線の少なくとも一方の一部が横方向または縦方向の途中から斜め方向に延設され、前記第１の配線と前記第２の配線とを接続するビアホールが、前記第３の配線との接触を避けて同第３の配線に隣接する位置に形成されてなることをその要旨とする。
【００１６】
上記構成によれば、横方向及び縦方向の配線以外に斜め方向の配線が可能な自動配線ツールを用いて形成された多層配線構造を有する半導体集積回路で、第１の配線及び第２の配線の少なくとも一方の一部が横方向または縦方向の途中から斜め方向に延設される。そのため、第１の配線と第２の配線とをビアホールで接続する為の配線長を極力短くすることができる。
【００１７】
また、ビアホールが第３の配線との接触を避けて隣接する位置に形成されるため、ビアホール自体の数を増やすこと無くビアホールと第３の配線との接触を避けることができる。
【００１８】
よって、配線抵抗、配線容量の増加によって引き起こされるタイミング違反、ＩＲドロップ等の原因となる配線長及びビアホール数の増加を効率よく回避することができる。
【００１９】
請求項２に記載の発明は、横方向及び縦方向の配線以外に斜め方向の配線が可能な自動配線ツールを用いて形成された多層配線構造を有する半導体集積回路において、第１の配線層と第２の配線層とこれら第１及び第２の配線層の間に設けられる第３の配線層とを有し、前記第１の配線層の配線である第１の配線と前記第２の配線層の配線である第２の配線とがビアホールを介して接続されてなり、前記第３の配線層の配線である第３の配線の一部が、縦方向または横方向と斜め方向とによる配線の組み合せからなって前記ビアホールとの接触を避ける回避配線として形成されてなることをその要旨とする。
【００２０】
上記構成によれば、横方向及び縦方向の配線以外に斜め方向の配線が可能な自動配線ツールを用いて形成された多層配線構造を有する半導体集積回路で、第３の配線の一部が、縦方向または横方向と斜め方向とによる配線の組み合せからなってビアホールとの接触を避ける回避配線として形成される。そのため、ビアホールによって遮られる第３の配線に関して、ビアホール回避の為の配線長を極力短くすることができる。
【００２１】
また、ビアホールの形成位置は変更されないため、ビアホール自体の数を増やすこと無くビアホールと第３の配線との接触を避けることができる。
よってこの場合も、配線抵抗、配線容量の増加によって引き起こされるタイミング違反、ＩＲドロップ等の原因となる配線長及びビアホール数の増加を効率よく回避することができる。
【００２２】
請求項３に記載の発明は、横方向及び縦方向の配線以外に斜め方向の配線が可能な自動配線ツールを用いて形成された多層配線構造を有する半導体集積回路において、第１の配線層と第２の配線層と、これら第１及び第２の配線層の間に設けられる第３の配線層と、同第１及び第２の配線層の間以外に設けられる第４の配線層とを有し、前記第１の配線層の配線である第１の配線と前記第２の配線層の配線である第２の配線とがビアホールを介して接続されてなり、前記第４の配線層の配線である第４の配線の一部が、前記ビアホールの上方もしくは下方を迂回して前記第３の配線層の配線である第３の配線に他のビアホールを介して接続されてなることをその要旨とする。
【００２３】
上記構成によれば、横方向及び縦方向の配線以外に斜め方向の配線が可能な自動配線ツールを用いて形成された多層配線構造を有する半導体集積回路で、第４の配線の一部が、ビアホールの上方もしくは下方を迂回して第３の配線に他のビアホールを介して接続される。すなわち、ビアホールによって遮られる第３の配線に関して、第４の配線の一部を使用してビアホールが回避されるようになる。
【００２４】
よって、この場合も、配線長を極力短くすることができ、配線抵抗、配線容量の増加によって引き起こされるタイミング違反、ＩＲドロップ等の原因となる配線長の増大を効率よく回避することができる。
【００２５】
なお、上記請求項２または３に記載の発明の構成は、請求項４に記載の発明のように、前記第１及び第２の配線は、その一方が前記斜め方向の配線として形成されるとともに、それら第１及び第２の配線の差交する点において前記ビアホールを介して接続されてなる構成においても有効である。
【００２６】
請求項５に記載の発明は、横方向及び縦方向の配線以外に斜め方向の配線が可能な自動配線ツールを用いて、第１の配線層と第２の配線層とこれら第１及び第２の配線層の間に設けられる第３の配線層とを有する半導体集積回路の配線を行う半導体集積回路の配線方法であって、前記第１の配線層及び前記第２の配線層の少なくとも一方の一部に通常の配線を禁止する配線禁止領域を設定して、該配線禁止領域の中に、前記第１の配線層の配線である第１の配線及び前記第２の配線層の配線である第２の配線の少なくとも一方として横方向または縦方向の途中から斜め方向に延設される配線を別途形成し、同配線禁止領域に対応する領域にて前記第１の配線と前記第２の配線とを接続するビアホールを、前記第３の配線と差交するグリッドに隣接するグリッドに形成するようにしたことをその要旨とする。
【００２７】
上記配線方法によれば、第１の配線層及び第２の配線層の少なくとも一方の一部に配線禁止領域が設定され、その配線禁止領域の中に、第１の配線及び第２の配線の少なくとも一方として横方向または縦方向の途中から斜め方向に延設される配線が別途形成される。そのため、１つの配線層に横方向または縦方向の途中から斜め方向に延設される２方向以上の配線を形成することができ、ビアホールを回避するための配線長を極力短く形成することができる。さらに、配線禁止領域が形成される配線層での配線同士による交差を避けることができ、配線ショート等の問題も解消することができる。
【００２８】
また、上記配線方法では、第１の配線と第２の配線とを接続するビアホールを、第３の配線と差交するグリッドに隣接するグリッドに形成する。そのため、ビアホール自体の数を増やすこと無くビアホールと第３の配線との接触を避けることができる。
【００２９】
よって、配線抵抗、配線容量の増加によって引き起こされるタイミング違反、ＩＲドロップ等の原因となる配線長及びビアホール数の増加を効率よく回避することができる。
【００３０】
請求項６に記載の発明は、横方向及び縦方向の配線以外に斜め方向の配線が可能な自動配線ツールを用いて、第１の配線層と第２の配線層とこれら第１及び第２の配線層の間に設けられる第３の配線層とを有する半導体集積回路の配線を行う半導体集積回路の配線方法であって、前記第１の配線層の配線である第１の配線と前記第２の配線層の配線である第２の配線とが差交するグリッドにおいてそれら第１及び第２の配線をビアホールを介して接続するとともに、前記第３の配線層の前記ビアホールに対応する一部に通常の配線を禁止する配線禁止領域を設定して、該配線禁止領域の中に、前記第３の配線層の配線である第３の配線として、縦方向または横方向と斜め方向とによる配線の組み合わせからなって前記ビアホールを回避する配線を別途形成するようにしたことをその要旨とする。
【００３１】
上記配線方法によれば、第３の配線を、第１の配線と第２の配線とを接続するビアホール部分に配線する必要がある場合に、第３の配線の一部として、縦方向または横方向と斜め方向とによる配線の組み合わせからなってビアホールを回避する配線が配線禁止領域の中に別途形成される。そのため、ビアホールによって遮られる第３の配線に関して、１つの配線層に縦方向または横方向と斜め方向とによる配線の組み合わせによる２方向以上の配線を形成することができ、ビアホールを回避するための配線長を極力短く形成することができる。さらに、配線禁止領域が形成される配線層での配線同士による交差を避けることができ、配線ショート等の問題も解消することができる。
【００３２】
また、上記ビアホールの設定グリッド位置についてはこれを変更せずに済むため、ビアホールそのものの数は増えず、配線長及びビアホール数の増大による配線抵抗、配線容量の増加により生じる、タイミング違反、配線遅延、ＩＲドロップなどの問題についてもこれを効率よく解消することができる。
【００３３】
請求項７に記載の発明は、横方向及び縦方向の配線以外に斜め方向の配線が可能な自動配線ツールを用いて、第１の配線層と第２の配線層と、これら第１及び第２の配線層の間に設けられる第３の配線層と、同第１及び第２の配線層の間以外に設けられる第４の配線層とを有する半導体集積回路の配線を行う半導体集積回路の配線方法であって、前記第１の配線層の配線である第１の配線と前記第２の配線層の配線である第２の配線とが差交するグリッドにおいてそれら第１及び第２の配線をビアホールを介して接続するとともに、前記第４の配線層の前記ビアホールを含む一部に通常の配線を禁止する配線禁止領域を設定して、該配線禁止領域の中に、前記第４の配線層の配線である第４の配線として、前記ビアホールの上方もしくは下方を迂回して前記第３の配線層の配線である第３の配線に他のビアホールを介して接続される配線を別途形成するようにしたことをその要旨とする。
【００３４】
上記配線方法によれば、第３の配線を、第１の配線と第２の配線とを接続するビアホールを通過して配線する必要がある場合に、第４の配線の一部として、ビアホールの上方もしくは下方を迂回して第３の配線に他のビアホールを介して接続される配線が配線禁止領域の中に別途形成される。そのため、ビアホールによって遮られる第３の配線に関して、第４の配線の一部と他のビアホールとを介して上記第１の配線と第２の配線とを接続するビアホールを回避することができるようになる。
【００３５】
よって、この場合も、配線長を極力短くすることができ、配線抵抗、配線容量の増加によって引き起こされるタイミング違反、ＩＲドロップ等の原因となる配線長の増大を効率よく回避することができる。
【００３６】
なお、上記請求項６または７に記載の配線方法は、請求項８に記載の発明のように、前記第１及び第２の配線の一方を、前記斜め方向の配線として形成する際にも有効である。
【００３７】
請求項９に記載の発明は、横方向及び縦方向の配線以外に斜め方向の配線が可能な自動配線ツールを用いて、第１の配線層と第２の配線層とこれら第１及び第２の配線層の間に設けられる第３の配線層とを有する半導体集積回路の配線を行う半導体集積回路の配線方法であって、前記第１の配線層の配線である第１の配線と前記第２の配線層の配線である第２の配線との混雑度からそれら配線を接続するために必要とされるビアホールの位置をグリッド換算にて推定しつつ、前記第１及び第２の配線の接続に用いようとしているビアホールに隣接するグリッドに同ビアホールを再配置可能か否かを判断し、該再配置が可能であると判断されるとき、（Ａ）前記第１の配線層及び前記第２の配線層の少なくとも一方の一部に通常の配線を禁止する配線禁止領域を設定して、該配線禁止領域の中に、前記第１及び第２の配線の少なくとも一方として横方向または縦方向の途中から斜め方向に延設される配線を別途形成し、同配線禁止領域に対応する領域にて前記第１の配線と前記第２の配線とを接続するビアホールを、前記第３の配線と差交するグリッドに隣接するグリッドに形成し、前記ビアホールの再配置が不可能であると判断されるとき、前記第３の配線の両隣の配線領域の少なくとも一方が空いていることを条件に、（Ｂ）前記第１及び第２の配線が差交するグリッドにおいてそれら第１及び第２の配線をビアホールを介して接続するとともに、前記第３の配線層の前記ビアホールに対応する一部に前記配線禁止領域を設定して、該配線禁止領域の中に、前記第３の配線層の配線である第３の配線として、縦方向または横方向と斜め方向とによる配線の組み合わせからなって前記ビアホールを回避する配線を別途形成し、前記第３の配線の両隣の配線領域に空きがないと判断されるとき、第１及び第２の配線層の間以外に設けられる第４の配線層が存在することを条件に、（Ｃ）前記第１及び第２の配線が差交するグリッドにおいてそれら第１及び第２の配線をビアホールを介して接続するとともに、前記第４の配線層の前記ビアホールを含む一部に前記配線禁止領域を設定して、該配線禁止領域の中に、前記第４の配線層の配線である第４の配線として、前記ビアホールの上方もしくは下方を迂回して前記第３の配線層の配線である第３の配線に他のビアホールを介して接続される配線を別途形成することをその要旨とする。
【００３８】
上記配線方法によれば、各種配線状況に応じて、それら状況に最適な配線パターンやビアホールの設定が行われる。このため、ビアホール回避のための回避配線の配線長の増大やビアホールの増加を効率よく抑えることができ、ひいては、配線長及びビアホールの増加による配線抵抗、配線容量の増加により生じるタイミング違反、ＩＲドロップなどの問題を効率よく解消することができる。
【００３９】
請求項１０に記載の発明は、請求項５〜９のいずれかに記載の半導体集積回路の配線方法において、前記配線禁止領域が、以下の規則
（ａ）同配線禁止領域中への形成が所望される配線の終端部については該終端部のグリッドを取り囲む態様で、各々隣接するグリッドにより囲まれる単位正方形領域を割り当てる。
【００４０】
（ｂ）前記配線に屈折部が存在するときには該屈折部のグリッドを取り囲む態様で、各々隣接するグリッドにより囲まれる単位正方形領域を割り当てる。
（ｃ）斜め方向の配線の両サイドには、各々隣接するグリッドによって囲まれる単位菱形領域を割り当てる。
【００４１】
（ｄ）横方向及び縦方向の配線の両サイドには、各々隣接するグリッドによって囲まれる単位正方形領域を割り当てる。
に基づいて設定されることをその要旨とする。
【００４２】
上記配線方法によれば、請求項５〜９のいずれかに記載の半導体集積回路の配線方法において、配線禁止領域が、上記（ａ）〜（ｄ）の規則に基づいて設定される。そのため、配線に使用できない配線禁止領域の面積を極力減らすことができ、効率のよい配線を行うことができる。
【００４３】
なお、上記設定される配線禁止領域の輪郭が各々対応するグリッド線よりも若干内側に設定されることで、それらグリッド線をも有効利用することができ、配線密度を最大限に高めることができる。
【００４４】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
以下、本発明にかかる半導体集積回路及びその配線方法の第１の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
【００４５】
この実施形態の半導体集積回路は、横方向（Ｘ方向）及び縦方向（Ｙ方向）の配線以外に斜め方向（左右４５度、１３５度方向）の配線が可能な自動配線ツールを用いて配線された多層配線構造を有する半導体集積回路である。
【００４６】
半導体集積回路の各セルが配置され、１層目の配線層の配線により各セルの電極等が形成された上に、各セル間や配線間の接続用の配線層として２層目以上の配線層による配線が形成されている。ここでセルとは、論理演算素子、フリップフロップ、ＲＡＭ等のメモリ、またはそれらを用いて形成される回路である。
【００４７】
また、異なる配線層で形成される別々の配線を接続するには、これら別々の配線が交差するグリッド上で、ビアホールを介して接続が行われる。
ここで、各セル間や配線間の接続用の配線層としての２層目以上の配線層に関して、自動配線ツールを用いて配線された第１の実施形態の半導体集積回路についてその具体例の一部略図を図１に示す。
【００４８】
この例ではまず、２層目の配線層（第１の配線層）の配線である２層配線１（第１の配線）が形成され、その上には３層目の配線層（第３の配線層）の配線である３層配線２、３（第３の配線）が形成され、またその上には４層目の配線層（第２の配線層）の配線である４層配線４（第２の配線）が形成されている。なお、便宜上、図示は省略したが、上記各配線層間には絶縁膜からなる絶縁層が形成されて、それら各配線層間の配線の接触を防止している。
【００４９】
またこの例において、２層目の配線層の配線である２層配線１と４層目の配線層の縦方向の途中から斜め方向に延設された配線である４層配線４とはビアホール５により電気的に接続されている。
【００５０】
また、２層配線１と４層配線４との間の配線層である３層目の配線層の３層配線２とビアホール５との接触を避けるため、ビアホール５は、同図１に示されるように、３層配線２の隣接する位置に形成されている。
【００５１】
以下、図１及び図２を参照して、このような構造を有して構成される第１の実施形態の半導体集積回路の配線方法について説明する。
この半導体集積回路の配線に際しては、まず半導体集積回路の各セルの配置や各セルの配線条件に基づいて自動配線ツールにより、各セル間や配線間等を接続するための配線が設定される。
【００５２】
図１に示す配線は、上記２層配線１と上記４層配線４とがビアホール５によって接続される場合で、その間の配線層の配線である３層配線２がビアホール５と接触せずに効率よく配線できるように、自動配線ツールにより各配線層の配線やビアホールの位置が設定された一例である。
【００５３】
この場合、２層配線１と４層配線４との間の配線層の配線である３層配線２とビアホール５との接触を避けるため、ビアホール５は上述のように、３層配線２とは接触しない隣接する位置、詳しくは自動配線ツール上で定義される１グリッド離れた位置に形成される。
【００５４】
また、縦方向の途中から斜め方向に延設される配線である４層配線４は、自動配線ツールにより、図２に例示する態様で設定される配線禁止領域６の中に、回避配線として別途に形成される。ここで、この配線禁止領域６とは、４層配線としての通常の配線が禁止される領域であり、下記（ａ）〜（ｄ）の規則に従って領域設定される。
【００５５】
（ａ）配線禁止領域中への形成が所望される配線の終端部については、終端部のグリッドを取り囲む態様で、各々隣接するグリッドにより囲まれる単位正方形領域を割り当てる。
【００５６】
（ｂ）配線に屈折部が存在するときには屈折部のグリッドを取り囲む態様で、各々隣接するグリッドにより囲まれる単位正方形領域を割り当てる。
（ｃ）斜め方向の配線の両サイドには、各々隣接するグリッドによって囲まれる単位菱形領域を割り当てる。
【００５７】
（ｄ）横方向及び縦方向の配線の両サイドには、各々隣接するグリッドによって囲まれる単位正方形領域を割り当てる。
なお、この配線禁止領域は、同図２に示されるように、その輪郭が各々対応するグリッド線よりも若干内側に設定されるものとする。これにより、それら隣接するグリッド線をも有効利用することができ、配線密度を最大限に高めることができるようになる。
【００５８】
このような方法によって半導体集積回路の配線が行われることにより、２層配線１と４層配線４の接続に用いようとしているビアホールに隣接するグリッドに同ビアホールを再配置することが可能である場合における３層配線２とビアホールとの接触回避を的確に、且つ効率よく行うことが可能になる。
【００５９】
以上説明したように、この第１の実施形態にかかる半導体集積回路及びその配線方法によれば、以下のような効果が得られるようになる。
（１）２層配線１と４層配線４とを接続するビアホール５を、３層配線２と差交するグリッドに隣接するグリッドに形成するため、ビアホール自体の数を増やすこと無くビアホールと第３の配線との接触を避けることができる。
【００６０】
（２）配線禁止領域６を設定して、その配線禁止領域６の中に４層配線４を別途形成するため、１つの配線層に横方向または縦方向の途中から斜め方向に延設される２方向以上の配線を形成することができる。そのため、２層配線１と４層配線４とをビアホール５で接続するための配線長を極力短く形成することができる。さらに、配線禁止領域が形成される配線層での配線同士による交差を避けることができ、配線ショート等の問題を解消することができる。
【００６１】
（３）上述した（１）、（２）により、配線抵抗、配線容量の増加によって引き起こされるタイミング違反、ＩＲドロップ等の原因となる配線長及びビアホール数の増加を回避することができる。
【００６２】
（４）上記規則（ａ）〜（ｄ）に基づき配線禁止領域６を形成することにより、配線に使用できない配線禁止領域の面積を極力減らすことができ、効率のよい配線を行うことができる。
【００６３】
（５）また、配線禁止領域６の輪郭が各々対応するグリッド線よりも若干内側に設定されることで、それらグリッド線をも有効利用することができ、配線密度を最大限に高めることができる。
【００６４】
なお、上記第１の実施形態では、横方向または縦方向の途中から斜め方向に延設される配線として４層配線４（第２の配線）が選ばれる場合について例示したが、２層配線１（第１の配線）側を横方向または縦方向の途中から斜め方向に延設される配線として形成してもよい。この場合には、２層目の配線層（第１の配線層）に対して、図２に例示した配線禁止領域６に準ずる配線禁止領域が設定されることになる。
【００６５】
（第２の実施形態）
次に、本発明にかかる半導体集積回路及びその配線方法の第２の実施形態について、図３〜図５を参照しつつ説明する。
【００６６】
この第２の実施形態にかかる半導体集積回路も、横方向（Ｘ方向）及び縦方向（Ｙ方向）の配線以外に斜め方向の配線が可能な自動配線ツールを用いて配線された多層配線構造を有する半導体集積回路である。また、その基本的な構造も、先の第１の実施形態の半導体集積回路と同様であるが、ここでは、第１の配線と第２の配線とを接続するビアホールに対して第３の配線の両隣の配線領域の少なくとも一方が空いている場合の配線構造について例示する。なおここでも、先の第１の実施形態と同様に、半導体集積回路の各セルが配置され、１層目の配線層の配線により各セルの電極等が形成された上に、各セル間や配線間の接続用の配線層として２層目以上の配線層による配線が形成されている。
【００６７】
さて、この第２の実施形態では、図３及びそのＡ−Ａ線に沿った断面図である図５に示すように、まず２層目の配線層（第１の配線層）の配線である２層配線１１（第１の配線）が形成され、その上には３層目の配線層（第３の配線層）の配線である３層配線１２、１３（第３の配線）が形成される。またその上には、４層目の配線層の配線である４層配線（図示略）が形成され、更にその上には５層目の配線層（第２の配線層）の配線である５層配線１４（第２の配線）が形成されている。また、ここでも便宜上、図示は省略したが、各配線層間には絶縁膜からなる絶縁層が形成されて、それら各配線層間の配線の接触を防止している。
【００６８】
また、図３において、縦方向の配線である２層配線１１と斜め方向の配線である５層配線１４とはビアホール１５により電気的に接続されている。そして、２層配線１１と５層配線１４との間の配線層の配線である３層配線１２とビアホール１５との接触を避けるため、横方向と斜め方向とによる配線の組み合わせからなる３層配線１２による回避配線が形成されている。
【００６９】
以下、図４を併せ参照して、このような構造を有して構成される第２の実施形態にかかる半導体集積回路の配線方法について説明する。
この半導体集積回路の配線に際しては、先の第１の実施形態と同様に、まず半導体集積回路の各セルの配置や各セルの配線条件に基づいて自動配線ツールにより、各セル間や配線間等を接続するための配線が設定される。
【００７０】
図３及び図５に示す配線は、上記２層配線１１と上記５層配線１４とがビアホール１５によって接続される場合で、その間の配線層の配線である３層配線１２がビアホール１５と接触せずに効率よく配線できるように、自動配線ツールにより各配線層の配線やビアホールの位置が設定された一例である。
【００７１】
この場合、本実施形態では、２層配線１１と５層配線１４との間の配線層の配線である３層配線１２とビアホール１５との接触を避けるため、３層配線１２を横方向と斜め方向とによる組合せからなる回避配線として形成する。
【００７２】
また、この横方向と斜め方向とによる組合せからなる３層配線１２は、自動配線ツールにより、図４に例示する態様で設定される配線禁止領域１６の中に、上記回避配線として別途に形成される。なお、この配線禁止領域１６も、先の規則（ａ）〜（ｄ）に従って設定されるとともに、その輪郭は各々対応するグリッド線よりも若干内側に設定されている。
【００７３】
そしてその後、ビアホール１５を介して上記２層配線１１との電気的な接続を確保しつつ、５層配線１４が図３に示される態様で形成される。
以上説明したように、この第２の実施形態によれば、以下のような効果が得られるようになる。
【００７４】
（１）２層配線１１と５層配線１４とを接続するビアホール１５の設定グリッド位置を変更しないため、ビアホール自体の数を増やす事無くビアホール１５と３層配線１２との接触を避けることができる。
【００７５】
（２）配線禁止領域１６を設定して、その配線禁止領域１６の中に３層配線１２を別途形成するため、１つの配線層に横方向と斜め方向とによる配線の組合せからなる２方向以上の回避配線を形成することができる。そのため、ビアホール１５を回避するための３層配線１２による回避配線の配線長を極力短く形成することができる。さらに、配線禁止領域が形成される配線層での配線同士による交差を避けることができ、配線ショート等の問題を解消することができる。
【００７６】
（３）上述した（１）、（２）により、配線抵抗、配線容量の増加によって引き起こされるタイミング違反、ＩＲドロップ等の原因となる配線長及びビアホール数の増加を回避することができる。
【００７７】
（４）先の規則（ａ）〜（ｄ）に基づき配線禁止領域１６を形成することにより、配線に使用できない配線禁止領域の面積を極力減らすことができ、効率のよい配線を行うことができる。
【００７８】
（５）また、配線禁止領域１６の輪郭が各々対応するグリッド線よりも若干内側に設定されることで、それらグリッド線をも有効利用することができ、配線密度を最大限に高めることができる。
【００７９】
なお、この第２の実施形態は他に、例えば図６及び図７に例示する半導体集積回路及びその配線方法として実施することもでき、これによっても同第２の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００８０】
ちなみにこの図６の例では、２層目の配線層（第１の配線層）の縦方向の配線である２層配線１７（第１の配線）と４層目の配線層（第２の配線層）の斜め方向の配線である４層配線２０（第２の配線）とがビアホール２１により接続されている。
【００８１】
また、２層配線１７と４層配線２０との間の配線層である３層目の配線層（第３の配線層）の配線である３層配線１９（第３の配線）とビアホール２１との接触を避けるため、横方向と斜め方向とによる配線の組み合わせからなる３層配線１９による回避配線が形成されている。
【００８２】
また、この横方向と斜め方向とによる組合せからなる３層配線１９は、自動配線ツールにより、図７に例示する態様で設定される配線禁止領域２２の中に、上記回避配線として別途に形成される。そしてこの配線禁止領域２２も、先の規則（ａ）〜（ｄ）に従って設定されるとともに、その輪郭は各々対応するグリッド線よりも若干内側に設定されている。
【００８３】
（第３の実施形態）
次に、本発明にかかる半導体集積回路及びその配線方法の第３の実施形態について、図８〜図１０を参照しつつ説明する。
【００８４】
この第３の実施形態にかかる半導体集積回路も、横方向（Ｘ方向）及び縦方向（Ｙ方向）の配線以外に斜め方向の配線が可能な自動配線ツールを用いて配線された多層配線構造を有する半導体集積回路である。また、その基本的な構造も、先の第１及び第２の実施形態の半導体集積回路と同様であるが、ここでは、前記第１及び第２の配線層の間以外に設けられる第４の配線層（ここでの例では５層目の配線層）が存在する場合の配線構造について例示する。なおここでも、先の第１及び第２の実施形態と同様に、半導体集積回路の各セルが配置され、１層目の配線層の配線により各セルの電極等が形成された上に、各セル間や配線間の接続用の配線層として２層目以上の配線層による配線が形成されている。
【００８５】
さて、この第３の実施形態では、図８及びそのＢ−Ｂ線に沿った断面図である図１０に示すように、２層目の配線層（第１の配線層）の配線である２層配線２３（第１の配線）が形成され、その上には３層目の配線層（第３の配線層）の配線である３層配線２４、２５、２６、２７（第３の配線）が形成されている。またその上には、４層目の配線層（第２の配線層）の配線である４層配線２８（第２の配線）が形成され、そしてその上には、５層目の配線層（第４の配線層）の配線である５層配線２９（第４の配線）が形成されている。また、ここでも便宜上、図示は省略したが、各配線層間には絶縁膜からなる絶縁層が形成されて、それら各配線層間の配線の接触を防止している。
【００８６】
また、図８において縦方向の配線である２層配線２３と斜め方向の配線である４層配線２８とはビアホール３２により電気的に接続されている。そして、２層配線２３と４層配線２８との間の配線層の配線である３層配線２５、２６との接触を避けるため、上記５層配線２９によって、上記ビアホール３２の上方を迂回するかたちで回避配線が形成されている。
【００８７】
なお、回避配線である５層配線２９と３層配線２５、２６とは、他のビアホール３０、３１により接続されている。
以下、図９を併せ参照して、このような構造を有して構成される第３の実施形態にかかる半導体集積回路の配線方法について説明する。
【００８８】
この半導体集積回路の配線に際しては、先の第１及び第２の実施形態と同様に、まず半導体集積回路の各セルの配置や各セルの配線条件に基づいて自動配線ツールにより、各セル間や配線間等を接続するための配線が設定される。
【００８９】
図８及び図１０に示す配線も、上記２層配線２３と上記４層配線２８とがビアホール３２によって接続される場合で、その間の配線層の配線である３層配線２５、２６がビアホール３２と接触せずに効率よく配線できるように、自動配線ツールにより各配線層の配線やビアホールの位置が設定された一例である。
【００９０】
この場合、本実施形態では、２層配線２３と４層配線２８との間の配線層の配線である３層配線２５、２６とビアホール３２との接触を避けるため、２層目の配線層と４層目の配線層との間の配線層ではない上記５層目の配線層の配線である５層配線２９によって回避配線を形成する。
【００９１】
そして、ビアホール３２の上方を迂回した５層配線２９と３層配線２５、２６とがビアホール３０、３１によって電気的に接続される。
なお、このビアホール３２の上方を迂回する配線である５層配線２９は、自動配線ツールにより、図９に例示する態様で設定される配線禁止領域３３の中に、上記回避配線として別途に形成される。そしてこの配線禁止領域３３も、先の規則（ａ）〜（ｄ）に従って設定されるとともに、その輪郭は各々対応するグリッド線よりも若干内側に設定されている。
【００９２】
このような方法によって半導体集積回路の配線が行われることにより、前記第１及び第２の配線層の間以外に設けられる第４の配線層が存在する場合における３層配線２５及び２６とビアホール３２との接触回避を的確に、且つ効率よく行うことが可能となる。
【００９３】
以上説明したように、この第３の実施形態によれば、以下のような効果が得られるようになる。
（１）配線禁止領域を設定して、その配線禁止領域の中にビアホール３２の上方を迂回して３層配線２５、２６に他のビアホール３０、３１を介して接続される５層配線２９を別途形成した。そのため、ビアホール３２によって遮られる３層配線２５、２６に関して、５層配線２９の一部と他のビアホール３０、３１とを介してこのビアホール３２が回避されるようになる。また、配線長を極力短くすることができるようにもなる。さらに、配線禁止領域が形成される配線層での配線同士による交差を避けることができ、配線ショート等の問題を解消することもできる。
【００９４】
（２）上述した（１）により、配線抵抗、配線容量の増加によって引き起こされるタイミング違反、ＩＲドロップ等の原因となる配線長を回避することができる。
【００９５】
（３）先の規則（ａ）〜（ｄ）に基づき配線禁止領域３３を形成することにより、配線に使用できない配線禁止領域の面積を極力減らすことができ、効率のよい配線を行うことができる。
【００９６】
（４）また、配線禁止領域３３の輪郭が各々対応するグリッド線よりも若干内側に設定されることで、それらグリッド線をも有効利用することができ、配線密度を最大限に高めることができる。
【００９７】
（第４の実施形態）
次に、図１１のフローチャートを参照して、本発明にかかる半導体集積回路の配線方法の第４の実施形態について説明する。
【００９８】
この第４の実施形態にかかる半導体集積回路の配線方法は、第１の配線層と第２の配線層とこれら第１及び第２の配線層の間に設けられる第３の配線層とを基本的に有する半導体集積回路について、その配線条件に応じて選択的に先の第１〜３の実施形態の配線方法を適用する配線方法である。
【００９９】
この配線方法ではまず、ステップ９０において、自動配線ツールにより、第１及び第２の配線層の混雑度の予想からそれら配線を接続するためのビアホールの位置をグリッド換算にて推定しつつ、ｎグリッド分隣接するグリッドに配置可能かを設定する。ちなみにここでは、離れて設定できるグリッド数をｉとし、離れて設定できる最大のグリッド数をｊとして、それぞれの初期値（ｉ＝０、ｊ＝ｎ）が設定される。
【０１００】
次に、ステップ９１により、第１及び第２の配線の接続に用いようとしているビアホールに隣接するグリッドにビアホールを再配置可能か否かを判断し、再配置が可能であると判断されると、ステップ９２の配線方法「１」を適用する。ここで配線方法「１」とは、第１の実施形態で用いた配線方法である。もし再配置が不可能であると判断されると、ステップ９３に進む。
【０１０１】
ステップ９３では、離れて設定できるグリッド数ｉの値に１をプラスし、ステップ９４に進み、ステップ９４にて、離れて設定できるグリッド数ｉと離れて設定できる最大のグリッド数ｊとを比較して、ｉ≦ｊであるかどうか判断する。ｉ≦ｊと判断されると、ステップ９１に戻り、もしｉ≦ｊでないと判断されると、ステップ９５に進む。
【０１０２】
ステップ９５では、第３の配線の両隣の配線領域の少なくとも一方が空いているか否かを判断し、第３の配線の両隣の配線領域の少なくとも一方が空いていると判断されると、ステップ９６の配線方法「２」を適用する。ここで配線方法「２」とは、第２の実施形態で用いた配線方法である。もし第３の配線の両隣の配線領域に空きがないと判断されると、ステップ９７に進む。
【０１０３】
ステップ９７では、第１及び第２の配線層の間以外に設けられる第４の配線層が存在するか否かを判断し、第１及び第２の配線層の間以外に設けられる第４の配線層が存在すると判断されると、ステップ９８の配線方法「３」を適用する。ここで配線方法「３」とは、第３の実施形態で用いた配線方法である。もし第１及び第２の配線層の間以外に設けられる第４の配線層が存在しないと判断されると、ステップ９９にて、例えば先の図１３に例示したような従来の配線方法を適用する。
【０１０４】
以上説明したように、この第４の実施形態によれば、以下のような効果が得られるようになる。
（１）種々の配線状況に応じて、配線パターンを選択しその状況に最適な配線やビアホールの設定を行うため、ビアホール回避のための回避配線の配線長の増大やビアホールの増加を効率よく抑えることができる。そして、これによっても、配線長及びビアホールの増加による配線抵抗、配線容量の増加により生じる、タイミング違反、ＩＲドロップなどの問題を解消することができる。
【０１０５】
（その他の実施形態）
なお、本発明は、上記各実施形態に限定されるものではなく、以下のように実施しても、同等あるいはそれに準じた作用効果を得ることができる。
【０１０６】
・上記各実施形態では、横方向及び縦方向の配線以外に斜め方向の配線が可能な自動配線ツールを用いて形成された多層配線構造を有する半導体集積回路としたが、斜め配線の角度は具体的には何度でも構わない。
【０１０７】
・上記各実施形態では、２層目の配線層から５層目の配線層までの配線についてその配線態様及び配線方法を例示したが、基本的に上記各実施形態での条件が満たされるものであれば、その配線層数や配線態様は任意である。また、各実施形態では、１層目の配線層は各セルの電極等形成用に用いられるとしたが、この１層目の配線層の配線についても、上記各実施形態に適用される配線、あるいは回避配線として用いることができる。
【０１０８】
・上記各実施形態では、配線禁止領域の設定規則として前記（ａ）〜（ｄ）の規則を例示したが、この規則については適宜変更することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる半導体集積回路及びその配線方法の第１の実施形態についてその多層配線構造を示す概略図。
【図２】第１の実施形態で適用される配線禁止領域についてその設定例を示す概略図。
【図３】本発明にかかる半導体集積回路及びその配線方法の第２の実施形態についてその多層配線構造を示す概略図。
【図４】第２の実施形態で適用される配線禁止領域についてその設定例を示す概略図。
【図５】図３のＡ−Ａ線に沿った断面図。
【図６】本発明にかかる半導体集積回路及びその配線方法の第２の実施形態の変形例を示す概略図。
【図７】第２の実施形態の変形例で適用される配線禁止領域についてその設定例を示す概略図。
【図８】本発明にかかる半導体集積回路及びその配線方法の第３の実施形態についてその多層配線構造を示す概略図。
【図９】第３の実施形態で適用される配線禁止領域についてその設定例を示す概略図。
【図１０】図８のＢ−Ｂ線に沿った断面図。
【図１１】本発明にかかる半導体集積回路の配線方法の第４の実施形態についてその配線方法を示すフローチャート。
【図１２】従来のＸ−Ｙ方向の自動配線ツールを用いて形成された半導体集積回路についてその多層配線構造を示す概略図。
【図１３】従来のＸ−Ｙ方向と斜め方向の自動配線ツールを用いて形成された半導体集積回路についてその多層配線構造を示す概略図。
【符号の説明】１〜４、１１〜１４、１７〜２０、２３〜２９…配線、５、１５、２１、３０〜３２…ビアホール、６、１６、２２、３３…配線禁止領域。

Claims (10)

1. 横方向及び縦方向の配線以外に斜め方向の配線が可能な自動配線ツールを用いて形成された多層配線構造を有する半導体集積回路において、
   第１の配線層と第２の配線層とこれら第１及び第２の配線層の間に設けられる第３の配線層とを有し、前記第１の配線層の配線である第１の配線及び前記第２の配線層の配線である第２の配線の少なくとも一方の一部が横方向または縦方向の途中から斜め方向に延設され、前記第１の配線と前記第２の配線とを接続するビアホールが、前記第３の配線との接触を避けて同第３の配線に隣接する位置に形成されてなる
   ことを特徴とする半導体集積回路。
2. 横方向及び縦方向の配線以外に斜め方向の配線が可能な自動配線ツールを用いて形成された多層配線構造を有する半導体集積回路において、
   第１の配線層と第２の配線層とこれら第１及び第２の配線層の間に設けられる第３の配線層とを有し、前記第１の配線層の配線である第１の配線と前記第２の配線層の配線である第２の配線とがビアホールを介して接続されてなり、前記第３の配線層の配線である第３の配線の一部が、縦方向または横方向と斜め方向とによる配線の組み合わせからなって前記ビアホールとの接触を避ける回避配線として形成されてなる
   ことを特徴とする半導体集積回路。
3. 横方向及び縦方向の配線以外に斜め方向の配線が可能な自動配線ツールを用いて形成された多層配線構造を有する半導体集積回路において、
   第１の配線層と第２の配線層と、これら第１及び第２の配線層の間に設けられる第３の配線層と、同第１及び第２の配線層の間以外に設けられる第４の配線層とを有し、前記第１の配線層の配線である第１の配線と前記第２の配線層の配線である第２の配線とがビアホールを介して接続されてなり、前記第４の配線層の配線である第４の配線の一部が、前記ビアホールの上方もしくは下方を迂回して前記第３の配線層の配線である第３の配線に他のビアホールを介して接続されてなる
   ことを特徴とする半導体集積回路。
4. 前記第１及び第２の配線は、その一方が前記斜め方向の配線として形成されるとともに、それら第１及び第２の配線の差交する点において前記ビアホールを介して接続されてなる
   請求項２または請求項３に記載の半導体集積回路。
5. 横方向及び縦方向の配線以外に斜め方向の配線が可能な自動配線ツールを用いて、第１の配線層と第２の配線層とこれら第１及び第２の配線層の間に設けられる第３の配線層とを有する半導体集積回路の配線を行う半導体集積回路の配線方法であって、
   前記第１の配線層及び前記第２の配線層の少なくとも一方の一部に通常の配線を禁止する配線禁止領域を設定して、該配線禁止領域の中に、前記第１の配線層の配線である第１の配線及び前記第２の配線層の配線である第２の配線の少なくとも一方として横方向または縦方向の途中から斜め方向に延設される配線を別途形成し、同配線禁止領域に対応する領域にて前記第１の配線と前記第２の配線とを接続するビアホールを、前記第３の配線と差交するグリッドに隣接するグリッドに形成するようにした
   ことを特徴とする半導体集積回路の配線方法。
6. 横方向及び縦方向の配線以外に斜め方向の配線が可能な自動配線ツールを用いて、第１の配線層と第２の配線層とこれら第１及び第２の配線層の間に設けられる第３の配線層とを有する半導体集積回路の配線を行う半導体集積回路の配線方法であって、
   前記第１の配線層の配線である第１の配線と前記第２の配線層の配線である第２の配線とが差交するグリッドにおいてそれら第１及び第２の配線をビアホールを介して接続するとともに、前記第３の配線層の前記ビアホールに対応する一部に通常の配線を禁止する配線禁止領域を設定して、該配線禁止領域の中に、前記第３の配線層の配線である第３の配線として、縦方向または横方向と斜め方向とによる配線の組み合わせからなって前記ビアホールを回避する配線を別途形成するようにした
   ことを特徴とする半導体集積回路の配線方法。
7. 横方向及び縦方向の配線以外に斜め方向の配線が可能な自動配線ツールを用いて、第１の配線層と第２の配線層と、これら第１及び第２の配線層の間に設けられる第３の配線層と、同第１及び第２の配線層の間以外に設けられる第４の配線層とを有する半導体集積回路の配線を行う半導体集積回路の配線方法であって、
   前記第１の配線層の配線である第１の配線と前記第２の配線層の配線である第２の配線とが差交するグリッドにおいてそれら第１及び第２の配線をビアホールを介して接続するとともに、前記第４の配線層の前記ビアホールを含む一部に通常の配線を禁止する配線禁止領域を設定して、該配線禁止領域の中に、前記第４の配線層の配線である第４の配線として、前記ビアホールの上方もしくは下方を迂回して前記第３の配線層の配線である第３の配線に他のビアホールを介して接続される配線を別途形成するようにした
   ことを特徴とする半導体集積回路の配線方法。
8. 前記第１及び第２の配線の一方を、前記斜め方向の配線として形成する
   請求項６または７記載の半導体集積回路の配線方法。
9. 横方向及び縦方向の配線以外に斜め方向の配線が可能な自動配線ツールを用いて、第１の配線層と第２の配線層とこれら第１及び第２の配線層の間に設けられる第３の配線層とを有する半導体集積回路の配線を行う半導体集積回路の配線方法であって、
   前記第１の配線層の配線である第１の配線と前記第２の配線層の配線である第２の配線との混雑度からそれら配線を接続するために必要とされるビアホールの位置をグリッド換算にて推定しつつ、前記第１及び第２の配線の接続に用いようとしているビアホールに隣接するグリッドに同ビアホールを再配置可能か否かを判断し、該再配置が可能であると判断されるとき、
   （Ａ）前記第１の配線層及び前記第２の配線層の少なくとも一方の一部に通常の配線を禁止する配線禁止領域を設定して、該配線禁止領域の中に、前記第１及び第２の配線の少なくとも一方として横方向または縦方向の途中から斜め方向に延設される配線を別途形成し、同配線禁止領域に対応する領域にて前記第１の配線と前記第２の配線とを接続するビアホールを、前記第３の配線と差交するグリッドに隣接するグリッドに形成し、
   前記ビアホールの再配置が不可能であると判断されるとき、前記第３の配線の両隣の配線領域の少なくとも一方が空いていることを条件に、
   （Ｂ）前記第１及び第２の配線が差交するグリッドにおいてそれら第１及び第２の配線をビアホールを介して接続するとともに、前記第３の配線層の前記ビアホールに対応する一部に前記配線禁止領域を設定して、該配線禁止領域の中に、前記第３の配線層の配線である第３の配線として、縦方向または横方向と斜め方向とによる配線の組み合わせからなって前記ビアホールを回避する配線を別途形成し、
   前記第３の配線の両隣の配線領域に空きがないと判断されるとき、第１及び第２の配線層の間以外に設けられる第４の配線層が存在することを条件に、
   （Ｃ）前記第１及び第２の配線が差交するグリッドにおいてそれら第１及び第２の配線をビアホールを介して接続するとともに、前記第４の配線層の前記ビアホールを含む一部に前記配線禁止領域を設定して、該配線禁止領域の中に、前記第４の配線層の配線である第４の配線として、前記ビアホールの上方もしくは下方を迂回して前記第３の配線層の配線である第３の配線に他のビアホールを介して接続される配線を別途形成する
   ことを特徴とする半導体集積回路の配線方法。
10. 前記配線禁止領域が、以下の規則
    （ａ）同配線禁止領域中への形成が所望される配線の終端部については該終端部のグリッドを取り囲む態様で、各々隣接するグリッドにより囲まれる単位正方形領域を割り当てる
    （ｂ）前記配線に屈折部が存在するときには該屈折部のグリッドを取り囲む態様で、各々隣接するグリッドにより囲まれる単位正方形領域を割り当てる
    （ｃ）斜め方向の配線の両サイドには、各々隣接するグリッドによって囲まれる単位菱形領域を割り当てる
    （ｄ）横方向及び縦方向の配線の両サイドには、各々隣接するグリッドによって囲まれる単位正方形領域を割り当てる
    に基づいて設定される
    請求項５〜９のいずれかに記載の半導体集積回路の配線方法。

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