JP5576065B2 - 半導体装置及びその設計方法 - Google Patents
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Description
11,12,21〜23,31,32 配線層L3に形成された配線
13,14,24〜26,33,34 配線層L1に形成された配線
18,19,38,39 配線層L2に形成された配線
15,16,27〜29,35,36 コンタクト導体
17,37 禁止領域
11a,12a,21a,23a,33a,34a 突出部
11b,12b,33b,34b 切り欠き部
40 設計装置
41 データエリア
42 プログラムエリア
43 処理部
44 入出力部
Claims (11)
- 第1の配線層に設けられ、第1の方向へ平行に延在する第1及び第2の配線と、
第2の配線層に設けられ、前記第1の方向と交差する第2の方向へ平行に延在する複数の第3及び第4の配線と、
前記第1の配線層と前記第2の配線層との間に位置する第3の配線層に設けられた第5の配線と、
前記第1の配線と前記複数の第3の配線を接続する複数の第1のコンタクト導体と、
前記第2の配線と前記複数の第4の配線を接続する複数の第2のコンタクト導体と、を備え、
前記複数の第1及び第2のコンタクト導体が前記第1の方向に配列されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記第5の配線が前記第1の方向に延在することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1及び第2の配線は、前記第2の方向に突出する複数の突出部を有しており、
前記複数の第1及び第2のコンタクト導体は、前記複数の突出部にて前記第1及び第2の配線と接続されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。 - 前記第1の配線の複数の突出部と前記第2の配線の複数の突出部は、互いに逆方向に突出していることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記第1及び第2の配線は、前記第2の方向に切り欠かれた複数の切り欠き部を有しており、
前記第1の配線の複数の突出部の少なくとも一部は、前記第2の配線の複数の切り欠き部の対応するものに囲まれるように配置され、
前記第2の配線の複数の突出部の少なくとも一部は、前記第1の配線の複数の切り欠き部の対応するものに囲まれるように配置されることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。 - 前記第1の配線層は前記第3の配線層よりも上層に位置する配線層であり、前記第2の配線層は前記第3の配線層よりも下層に位置する配線層であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第1の配線及び前記複数の第3の配線は第1の電位が与えられる第1の電源配線であり、前記第2の配線及び前記複数の第4の配線は前記第1の電位とは異なる第2の電位が与えられる第2の電源配線であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第5の配線は信号配線であることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。
- 半導体装置に形成すべき配線及びコンタクト導体のレイアウトを行う半導体装置の設計方法であって、
配線データからレイアウトデータを生成するステップと、
前記レイアウトデータを検証することによって、2層以上離れた第1及び第2の配線層を用いて第1の方向及びこれと交差する第2の方向に形成されたメッシュ状の配線パターンを検出するステップと、
前記レイアウトデータをさらに検証することによって、前記第1の配線層にて前記第1の方向へ平行に延在する第1及び第2の配線と、前記第2の配線層にて前記第2の方向へ平行に延在する複数の第3及び第4の配線と、前記第1の配線と前記複数の第3の配線を接続する複数の第1のコンタクト導体と、前記第2の配線と前記複数の第4の配線を接続する複数の第2のコンタクト導体と、を含む要補正領域を検出するステップと、
前記第1及び第2の配線に前記第2の方向へ突出する複数の突出部が形成されるよう、前記レイアウトデータを補正するステップと、
前記複数の第1及び第2のコンタクト導体が前記第1の方向に配列されるよう、前記複数の第1及び第2のコンタクト導体を前記突出部にレイアウトするステップと、を備えることを特徴とする半導体装置の設計方法。 - 第1の配線層に設けられ、第1の方向へ平行に延在する第1及び第2の配線と、
第2の配線層に設けられ、前記第1の方向と交差する第2の方向へ平行に延在する第3及び第4の配線と、
前記第1の配線層と前記第2の配線層との間に位置する第3の配線層に設けられた第5の配線と、
前記第1の配線と前記第3の配線を接続する第1のコンタクト導体と、
前記第2の配線と前記第4の配線を接続する第2のコンタクト導体と、を備え、
前記第1及び第2のコンタクト導体が前記第1の方向に配列され、
前記第1及び第2の配線は、前記第2の方向に突出する突出部を有しており、
前記第1及び第2のコンタクト導体は、前記突出部にて前記第1及び第2の配線と接続されており、
前記第1の配線の突出部と前記第2の配線の突出部は、互いに逆方向に突出しており、
前記第1及び第2の配線は、前記第2の方向に切り欠かれた切り欠き部を有しており、
前記第1の配線の突出部の少なくとも一部は、前記第2の配線の切り欠き部に囲まれるように配置され、
前記第2の配線の突出部の少なくとも一部は、前記第1の配線の切り欠き部に囲まれるように配置されることを特徴とする半導体装置。 - 第1の配線層に設けられ、第1の方向へ平行に延在する第1、第2第6の配線と、
第2の配線層に設けられ、前記第1の方向と交差する第2の方向へ平行に延在する第3、第4及び第7の配線と、
前記第1の配線層と前記第2の配線層との間に位置する第3の配線層に設けられた第5の配線と、
前記第1の配線と前記第3の配線を接続する第1のコンタクト導体と、
前記第2の配線と前記第4の配線を接続する第2のコンタクト導体と、
前記第6の配線と前記第7の配線を接続する第3のコンタクト導体と、を備え、
前記第1乃至第3のコンタクト導体が前記第1の方向に配列されていることを特徴とする半導体装置。
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