JP2010003712A - 半導体装置、半導体装置の配置配線方法、及びデータ処理システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】異なる配線層の配線(L11,L12)を接続するのに、異なる配線層のL字状に屈曲された配線(30,31)を電気的に接続するためのビア(32,33)をL字状の屈曲部を挟んだ両側に備える多重ビアセル部(20)を用いる。多重ビアセル部のビアは最小配線ピッチで規定されるX方向のグリッド線とY方向のグリッド線に載り、前記第1の多重ビアセル部の全部又は一部のビアは前記X方向のグリッド線とY方向のグリッド線の交点からずれている。第1の多重ビアセル部のビアはL字状に対応してX方向のグリッド線とY方向のグリッド線の夫々に載るから、第1の多重ビアセル部から見たX方向のスペース条件と、Y方向のスペース条件が大幅に相違しない。したがって、X方向とY方向の夫々の方向における配線可能性が均一になる。
【選択図】図1
Description
先ず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。代表的な実施の形態についての概要説明で括弧を付して参照する図面中の参照符号はそれが付された構成要素の概念に含まれるものを例示するに過ぎない。
異なる配線層の配線パターンを接続する箇所に前記第1の多重ビアセルをそのデータを利用して配置する処理である。
項3_2の配置配線方法は、コンピュータ装置を用いて、所要の回路を構成するために必要な回路セルを配置し、配置した回路セルに配線パターンを接続するときの別の具体的な処理として以下の処理を行う。当該処理は、異なる配線層のL字状に屈曲された配線パターンを電気的に接続するビアをそのL字状の屈曲部を挟む両側に備えた第1の多重ビアセルのデータを読み込む処理;
異なる配線層の配線パターンを単一のビアを用いて電気的に接続するためのシングルビアセルのデータを読み込む処理;
異なる配線層の配線パターンを接続する箇所に前記シングルビアセルをそのデータを利用して配置する処理;
配置されたシングルビアセルの周囲に、当該シングルビアセルを第1の多重ビアセルに置換するために必要なスペース条件が満足されているか否かを判定する処理;及び
前記スペース条件が満足されていると判定された箇所のシングルビアセルに代えて前記第1の多重ビアセルをそのデータを利用して再配置する処理である。
項3_2の配置配線方法は、コンピュータ装置を用いて、所要の回路を構成するために必要な回路セルを配置し、配置した回路セルに配線パターンを接続するときの別の具体的な処理として以下の処理を行う。当該処理は、異なる配線層のL字状に屈曲された配線パターンを電気的に接続するビアをそのL字状の屈曲部を挟む両側に備えた第1の多重ビアセルのデータを読み込む処理;
異なる配線層の配線パターンを単一のビアを用いて電気的に接続するためのシングルビアセルのデータを読み込む処理;
異なる配線層の配線パターンを接続する箇所に前記シングルビアセルをそのデータを利用して配置する処理;
配置されたシングルビアセルに代えて前記第1の多重ビアセルをそのデータを利用して再配置する処理;及び
再配置された前記第1の多重ビアセルがその周囲との間でスペース条件を満足していないとき当該第1の多重ビアセルの周囲の配置パターンにスペース条件を満足させる処理である。
《シングルビアセルを選択的に第2の多重ビアセルに置換し、置換不可能なシングルビアセルを強制的に第1の多重ビアセルに置換》
項3_2の配置配線方法は、コンピュータ装置を用いて、所要の回路を構成するために必要な回路セルを配置し、配置した回路セルに配線パターンを接続するときの更に別の具体的な処理として以下の処理を行う。当該処理は、異なる配線層のL字状に屈曲された配線パターンを電気的に接続するビアをそのL字状の屈曲部を挟む両側に備えた第1の多重ビアセルのデータを読み込む処理;
直線状に延在された異なる配線層の配線パターンを直線的に並列された複数個のビアを用いて電気的に接続する第2の多重ビアセルのデータを読み込む処理;
異なる配線層の配線パターンを単一のビアを用いて電気的に接続するためのシングルビアセルのデータを読み込む処理;
異なる配線層の配線パターンを接続する箇所に前記シングルビアセルをそのデータを利用して配置する処理;
配置されたシングルビアセルの周囲に、当該シングルビアセルを第2の多重ビアセルに置換するために必要なスペース条件が満足されているか否かを判定する処理;
前記スペース条件が満足されていると判定された箇所のシングルビアセルに代えて前記第2の多重ビアセルをそのデータを利用して再配置する処理;
前記スペース条件が満足されていないと判定された箇所のシングルビアセルに代えて前記第1の多重ビアセルをそのデータを利用して再配置する処理;及び
再配置された前記第1の多重ビアセルがその周囲との間でスペース条件を満足していないとき当該第1の多重ビアセルの周囲の配線パターンにスペース条件を満足させる処理である。
《シングルビアセルを選択的に第1の多重ビアセルに置換し、置換不可能なシングルビアセルを強制的に第2の多重ビアセルに置換》
項3_2の配置配線方法は、コンピュータ装置を用いて、所要の回路を構成するために必要な回路セルを配置し、配置した回路セルに配線パターンを接続するときの更に別の具体的な処理として以下の処理を行う。当該処理は、異なる配線層のL字状に屈曲された配線パターンを電気的に接続するビアをそのL字状の屈曲部を挟む両側に備えた第1の多重ビアセルのデータを読み込む処理;
直線状に延在された異なる配線層の配線パターンを直線的に並列された複数個のビアを用いて電気的に接続する第2の多重ビアセルのデータを読み込む処理;
異なる配線層の配線パターンを単一のビアを用いて電気的に接続するためのシングルビアセルのデータを読み込む処理;
異なる配線層の配線パターンを接続する箇所に前記シングルビアセルをそのデータを利用して配置する処理;
配置されたシングルビアセルの周囲に、当該シングルビアセルを第1の多重ビアセルに置換するために必要なスペース条件が満足されているか否かを判定する処理;
前記スペース条件が満足されていると判定された箇所のシングルビアセルに代えて前記第1の多重ビアセルをそのデータを利用して再配置する処理;
前記スペース条件が満足されていないと判定された箇所のシングルビアセルに代えて前記第2の多重ビアセルをそのデータを利用して再配置する処理;及び
再配置された前記第2の多重ビアセルがその周囲との間でスペース条件を満足していないとき当該第2の多重ビアセルの周囲の配線パターンにスペース条件を満足させる処理である。
実施の形態について更に詳述する。
図2には半導体装置に配置された回路セルが例示される。半導体装置1は特に制限されないが相補型MOS集積回路製造技術などにより単結晶シリコンなどの半導体基板に形成されている。半導体基板上には多数の回路セル部が配置される。回路セル部としてナンドゲートセル部2、インバータセル部3、及びオアゲートセル部4が代表的に示される。回路セル部の信号端子Tsは信号配線SLによって接続されることによって所要の論理が形成される。回路セル部2,3,4の電源系端子Tpは電源配線VL及びグランド配線GLに接続される。
図17には上記半導体装置の配置配線設計を支援するデータ処理システムが例示される。データ処理システムはプログラムを実行するデータプロセッサ(DPRCS)70、記憶装置としてメモリ(MRY)71、及びポインティングデバイスやディスプレイ等の入出力回路(IO)79を有し、メモリ71には補助記憶装置(STRG)72が保有するプログラムやデータがロードされる。補助記憶装置72は、上記半導体装置のセルベールの配置配線設計を支援するデータ処理を行なうためのレイアウト処理プログラム(LYOTPGM)73、配置配線処理に利用する各種レイアウトルールを保有するレイアウトルールデータ(LYOTRUL)74、半導体装置の回路接続関係を規定するネットリスト(NETLST)75、ゲート回路やフリップフロップ若しくは演算期等の基本回路を構成する検証済みの各種回路セルデータを保有する回路セルデータベース(CCLDB)76、各種ビアセルのデータを保有するビアセルデータベース(VCLDB)77、および配置配線によって逐次得られた配線層毎のパターンデータ(LYPD:レイヤパターン情報)78を記憶する領域を備える。
図20には半導体装置の設計処理における配置配線設計の位置付けが示される。半導体装置の設計は、HDL等の機能記述言語を用いた機能設計(S1)、HDL等で記述されたデータを用いてゲートレベルの論理を構成する論理合成(S2)、論理合成結果に対する論理シミュレーション等による論理検証(S3)、セルベースの配置配線(レイアウト)設計(S4)、配置配線結果に対するレイアウト検証(S5)、及びレオアウトデータに基づいてパターンを設計するマスクアートワーク(S6)からなる。
図21は多重ビアセルの自動配置処理S4Cの具体例が示される。S4Bの処理において配線層の異なる配線間の接続にはシングルビアセルが用いられ、S4Bの処理結果は配線層毎のレイヤ情報78として補助記憶装置72に格納される。多重ビアセルの自動配置に当たり、データプロセッサ70は補助記憶装置72からシングルビアセルの所在、その周辺の配線パターンの図形データを含むレイ情報を読み込む。併せて、多重ビアセルのセルデータ77を補助記憶装置72から読み込む(S40)。データプロセッサ70は読み込んだ情報に基づいて、シングルビアセルを第1の多重ビアセルに置き変え可能な箇所を抽出する。即ち、その箇所のシングルビアの周囲には第1の多重ビアセルへの置き換えに必要なスペース条件が満足されているかを判定する(S41)。スペース条件とは、他の配線とのショート、他の配線等との間に確保する最小間隔違反、異電ビアとの隣接間隔違反等である。スペース条件が満足されている場合には、対応するシングルビアセルのセル名を第1の多重ビアセルのセル名に変更し(S42)、第1の多重ビアセルのセルデータを用いてシングルビアセルの位置に第1の多重ビアセルを再配置するようにパターンを生成する(S43)。空出されたシングルビアセルの全てに対して上記処理を行なう。その処理を終了したとき、データプロセッサ70はその旨のメッセージを出力する(S44)。
図23は多重ビアセルの自動配置処理S4Cの別の具体例が示される。S4Bの処理において配線層の異なる配線間の接続にはシングルビアセルが用いられ、S4Bの処理結果は配線層毎のレイヤ情報78として補助記憶装置72に格納される。多重ビアセルの自動配置に当たり、データプロセッサ70は補助記憶装置72からシングルビアセルの所在、その周辺の配線パターンの図形データを含むレイ情報を読み込む。併せて、多重ビアセルのセルデータ77を補助記憶装置72から読み込む(S40)。データプロセッサ70は読み込んだ情報に基づいて、シングルビアセルが配置されている箇所を抽出する(S41A)。抽出されたシングルビアセルのセル名を無条件に第1の多重ビアセルのセル名に変更し(S42A)、第1の多重ビアセルのセルデータを用いてシングルビアセルの位置に第1の多重ビアセルを強制的に再配置するようにパターンを生成する(S43A)。強制的とは、周囲でスペース条件が満足されるか否かを問わない、と言う意味である。抽出されたシングルビアセルの全てに対して上記処理を行なう。例えば図24に例示されるようなY方向の配線とX方向の配線にショートを生じても良いとする。
図25にはビアセルの初期配置から第1の多重ルビアセルを用いる場合の処理手順が示される。この場には、図20のS4Bの処理においてシングルビアを用いず第1の多重ビアセルを用いる。処理S4Cは行なわない。即ち、図25に示されるように、S4Bの処理において、データプロセッサ70はレイヤ情報及び多重ビアセルデータを読み込み(S60)、異なる配線層の配線を接続する箇所に第1の多重ビアセルを配置する(S61)。
図26には初期配置したシングルビアセルを選択的に第2の多重ビアセルに置換し、置換不可能なシングルビアセルを強制的に第1の多重ビアセルに置換する処理手順が示される。S4B及びS40の処理は図21と同じである。
図27は初期配置のシングルビアセルを選択的に第1の多重ビアセルに置換し、置換不可能なシングルビアセルを強制的に第2の多重ビアセルに置換する処理手順が示される。S4B、S40,S41,S421,S43までの処理は図21と同じである。処理S43の後には、スペース条件が満足されていないと判定された箇所にはシングルビアセルが残っている。この箇所には、シングルビアセルに代えて前記第2の多重ビアセルを強制的に配置する処理を行ない、再配置された前記第2の多重ビアセルがその周囲との間でスペース条件を満足していないとき当該第2の多重ビアセルの周囲の配線パターンにスペース条件を満足させる処理を行なう(S80)。
2 ナンドゲートセル部
3 インバータセル部
4 オアゲートセル部
Ts 回路セル部の信号端子
SL 信号配線
Tp 電源系端子
VL 電源配線
GL グランド配線
5 回路セル部(CEL)
10 不純物拡散領域
11 ソース電極(SRC)
12 ドレイン電極(DRN)
13 チャネル形成領域(CNL)
14 ゲート電極(GTE)
L11,L12 セルに端子である配線
M1 第1配線層
M2 第2配線層
M3 第3配線層
M4 第4配線層
20 第1の多重ビアセル部
22 シングルビアセル部
30,31 L字状に屈曲され配線
32,33 ビア
GLD_X,GRD_Y グリッド線
40 第2の多重ビアセル部
41,42 直線状に延在された相隣り合う配線層M1,M2の配線
43,44 ビア
Claims (24)
- 半導体基板上に規則的に配置された多数の回路セル部を有し、配置された回路セル部の端子が第1配線層に形成され、前記第1配線層の上層の第2配線層に前記回路セル部の端子を接続するのに第1階層の複数のビアセル部を有する半導体装置であって、
前記第1階層のビアセル部として、相隣合う配線層のL字状に屈曲された配線を電気的に接続するためのビアをL字状の屈曲部を挟んだ両側に備える第1の多重ビアセル部を有し、
前記第1の多重ビアセル部のビアは最小配線ピッチで規定されるX方向のグリッド線とY方向のグリッド線に載り、前記第1の多重ビアセル部の全部又は一部のビアは前記X方向のグリッド線とY方向のグリッド線の交点からずれている、半導体装置。 - 前記複第1階層のビアセル部として、直線状に延在され絶縁層が介在された相隣合う夫々の配線層の配線を電気的に接続するためのビアを直線状に複数個備える第2の多重ビアセル部を有し、
前記第2の多重ビアセル部の夫々のビアは最小配線ピッチで規定されるグリッド線上に載り、前記第2の多重ビアセル部の全部又は一部のビアは前記グリッド線の交点からずれている、請求項1記載の半導体装置。 - 前記第2配線層の配線を第3配線層の配線に接続するのに第2階層の複数のビアセル部を有し、
前記第2階層のビアセル部は前記第1の多重ビアセル部を有する、請求項1記載の半導体装置。 - 前記第3配線層の配線を第4配線層の配線に接続するのに第3階層の複数のビアセル部を有し、
前記第3階層のビアセル部は前記第1の多重ビアセル部を有する、請求項3記載の半導体装置。 - 半導体基板上に規則的に配置された多数の回路セル部を有し、配置された回路セル部の端子が第1配線層に形成され、前記第1配線層の上層の第2配線層に前記回路セル部の端子を接続するのに第1階層の複数のビアセル部を有し、第2配線層の配線を第3配線層の配線に接続するのに第2階層の複数のビアセル部を有する半導体装置であって、
前記第1階層及び第2階層のビアセル部として、相隣合う配線層のL字状に屈曲された配線を電気的に接続するためのビアをL字状の屈曲部を挟んだ両側に備える第1の多重ビアセル部を有し、
前記第1階層のビアセル部は前記第2階層のビアセル部よりも前記第1の多重ビアセル部を多く備えている、半導体装置。 - 第3配線層の配線を第4配線層の配線に接続するのに第3階層の複数のビアセル部を有し、
前記第3階の複数のビアセル部として前記第1の多重ビアセル部を有し、
前記第2階層のビアセル部は前記第3階層のビアセル部よりも前記第1の多重ビアセル部を多く備えている、請求項5記載の半導体装置。 - 前記複第1階層のビアセル部として、直線状に延在された相隣合う夫々の配線層の配線を電気的に接続するためのビアを直線状に複数個備える第2の多重ビアセル部を有する、請求項5又は6記載の半導体装置。
- 前記第2階層のビアセル部として前記第2の多重ビアセル部を有する、請求項7記載の半導体装置。
- 前記第3階層のビアセル部として前記第2の多重ビアセル部を有する、請求項8記載の半導体装置。
- 前記ビアは、上下の配線層と配線層の間の絶縁層に貫通されたビアホールに、前記上下の夫々の配線層の配線に結合された導電性のビアプラグが充填されて成る、請求項5乃至9の何れか1項記載の半導体装置。
- 半導体装置の配置配線方法であって、
コンピュータ装置を用いて、所要の回路を構成するために必要な回路セルを配置し、配置した回路セルに配線パターンを接続するとき、異なる配線層の配線パターンを接続する箇所に、異なる配線層のL字状に屈曲された配線パターンを電気的に接続するビアをそのL字状の屈曲部を挟む両側に備えた第1の多重ビアセルを配置する処理を行なう、半導体装置の配置配線方法。 - 前記第1の多重ビアセルを配置するとき、前記第1の多重ビアセル部のビアを最小配線ピッチで規定されるX方向のグリッド線とY方向のグリッド線に載せ、前記第1の多重ビアセル部の全部又は一部のビアを前記X方向のグリッド線とY方向のグリッド線の交点からずらす、請求項11記載の半導体装置の配置配線方法。
- コンピュータ装置を用いて、所要の回路を構成するために必要な回路セルを配置し、配置した回路セルに配線パターンを接続するとき、
異なる配線層のL字状に屈曲された配線パターンを電気的に接続するビアをそのL字状の屈曲部を挟む両側に備えた第1の多重ビアセルのデータを読み込む処理と、
異なる配線層の配線パターンを接続する箇所に前記第1の多重ビアセルをそのデータを利用して配置する処理と、を行なう請求項12記載の半導体装置の配置配線方法。 - コンピュータ装置を用いて、所要の回路を構成するために必要な回路セルを配置し、配置した回路セルに配線パターンを接続するとき、
異なる配線層のL字状に屈曲された配線パターンを電気的に接続するビアをそのL字状の屈曲部を挟む両側に備えた第1の多重ビアセルのデータを読み込む処理と、
異なる配線層の配線パターンを単一のビアを用いて電気的に接続するためのシングルビアセルのデータを読み込む処理と、
異なる配線層の配線パターンを接続する箇所に前記シングルビアセルをそのデータを利用して配置する処理と、
配置されたシングルビアセルの周囲に、当該シングルビアセルを第1の多重ビアセルに置換するために必要なスペース条件が満足されているか否かを判定する処理と、
前記スペース条件が満足されていると判定された箇所のシングルビアセルに代えて前記第1の多重ビアセルをそのデータを利用して再配置する処理と、を行う請求項12記載の半導体装置の配置配線方法。 - コンピュータ装置を用いて、所要の回路を構成するために必要な回路セルを配置し、配置した回路セルに配線パターンを接続するとき、
異なる配線層のL字状に屈曲された配線パターンを電気的に接続するビアをそのL字状の屈曲部を挟む両側に備えた第1の多重ビアセルのデータを読み込む処理と、
異なる配線層の配線パターンを単一のビアを用いて電気的に接続するためのシングルビアセルのデータを読み込む処理と、
異なる配線層の配線パターンを接続する箇所に前記シングルビアセルをそのデータを利用して配置する処理と、
配置されたシングルビアセルに代えて前記第1の多重ビアセルをそのデータを利用して再配置する処理と、
再配置された前記第1の多重ビアセルがその周囲との間でスペース条件を満足していないとき当該第1の多重ビアセルの周囲の配置パターンにスペース条件を満足させる処理とを行う、請求項12記載の半導体装置の配置配線方法。 - コンピュータ装置を用いて、所要の回路を構成するために必要な回路セルを配置し、配置した回路セルに配線パターンを接続するとき、
異なる配線層のL字状に屈曲された配線パターンを電気的に接続するビアをそのL字状の屈曲部を挟む両側に備えた第1の多重ビアセルのデータを読み込む処理と、
直線状に延在された異なる配線層の配線パターンを直線的に並列された複数個のビアを用いて電気的に接続する第2の多重ビアセルのデータを読み込む処理と、
異なる配線層の配線パターンを単一のビアを用いて電気的に接続するためのシングルビアセルのデータを読み込む処理と、
異なる配線層の配線パターンを接続する箇所に前記シングルビアセルをそのデータを利用して配置する処理と、
配置されたシングルビアセルの周囲に、当該シングルビアセルを第2の多重ビアセルに置換するために必要なスペース条件が満足されているか否かを判定する処理と、
前記スペース条件が満足されていると判定された箇所のシングルビアセルに代えて前記第2の多重ビアセルをそのデータを利用して再配置する処理と、
前記スペース条件が満足されていないと判定された箇所のシングルビアセルに代えて前記第1の多重ビアセルをそのデータを利用して再配置する処理と、
再配置された前記第1の多重ビアセルがその周囲との間でスペース条件を満足していないとき当該第1の多重ビアセルの周囲の配線パターンにスペース条件を満足させる処理と、を行う請求項12記載の半導体装置の配置配線方法。 - コンピュータ装置を用いて、所要の回路を構成するために必要な回路セルを配置し、配置した回路セルに配線パターンを接続するとき、
異なる配線層のL字状に屈曲された配線パターンを電気的に接続するビアをそのL字状の屈曲部を挟む両側に備えた第1の多重ビアセルのデータを読み込む処理と、
直線状に延在された異なる配線層の配線パターンを直線的に並列された複数個のビアを用いて電気的に接続する第2の多重ビアセルのデータを読み込む処理と、
異なる配線層の配線パターンを単一のビアを用いて電気的に接続するためのシングルビアセルのデータを読み込む処理と、
異なる配線層の配線パターンを接続する箇所に前記シングルビアセルをそのデータを利用して配置する処理と、
配置されたシングルビアセルの周囲に、当該シングルビアセルを第1の多重ビアセルに置換するために必要なスペース条件が満足されているか否かを判定する処理と、
前記スペース条件が満足されていると判定された箇所のシングルビアセルに代えて前記第1の多重ビアセルをそのデータを利用して再配置する処理と、
前記スペース条件が満足されていないと判定された箇所のシングルビアセルに代えて前記第2の多重ビアセルをそのデータを利用して再配置する処理と、
再配置された前記第2の多重ビアセルがその周囲との間でスペース条件を満足していないとき当該第2の多重ビアセルの周囲の配線パターンにスペース条件を満足させる処理と、を行う請求項12記載の半導体装置の配置配線方法。 - 半導体装置の配置配線設計を支援するデータ処理システムであって、
プログラムを実行するデータプロセッサと記憶装置とを有し、
前記データプロセッサは、所要の回路を構成するために必要な回路セルを配置し、配置した回路セルに配線パターンを接続するとき、異なる配線層の配線パターンを接続する箇所に、異なる配線層のL字状に屈曲された配線パターンを電気的に接続するビアをそのL字状の屈曲部を挟む両側に備えた第1の多重ビアセルを配置する処理を行なう、データ処理システム。 - 前記第1の多重ビアセルを配置するとき、前記第1の多重ビアセル部のビアを最小配線ピッチで規定されるX方向のグリッド線とY方向のグリッド線に載せ、前記第1の多重ビアセル部の全部又は一部のビアを前記X方向のグリッド線とY方向のグリッド線の交点からずらす、請求項18記載のデータ処理システム。
- 前記データプロセッサは、所要の回路を構成するために必要な回路セルを配置し、配置した回路セルに配線パターンを接続するとき、
異なる配線層のL字状に屈曲された配線パターンを電気的に接続するビアをそのL字状の屈曲部を挟む両側に備えた第1の多重ビアセルのデータを前記記憶装置から読み込む処理と、
異なる配線層の配線パターンを接続する箇所に前記第1の多重ビアセルをそのデータを利用して配置する処理と、を行なう請求項19記載の半導体集積回路におけるデータ処理システム。 - 前記データプロセッサは、所要の回路を構成するために必要な回路セルを配置し、配置した回路セルに配線パターンを接続するとき、
異なる配線層のL字状に屈曲された配線パターンを電気的に接続するビアをそのL字状の屈曲部を挟む両側に備えた第1の多重ビアセルのデータを前記記憶装置から読み込む処理と、
異なる配線層の配線パターンを単一のビアを用いて電気的に接続するためのシングルビアセルのデータを前記記憶装置から読み込む処理と、
異なる配線層の配線パターンを接続する箇所に前記シングルビアセルのそのデータを利用して配置する処理と、
配置されたシングルビアセルの周囲に、当該シングルビアセルを第1の多重ビアセルに置換するために必要なスペース条件が満足されているか否かを判定する処理と、
前記スペース条件が満足されていると判定された箇所のシングルビアセルに代えて前記第1の多重ビアセルをそのデータを利用して再配置する処理と、を行う請求項19記載のデータ処理システム。 - 前記データプロセッサは、所要の回路を構成するために必要な回路セルを配置し、配置した回路セルに配線パターンを接続するとき、
異なる配線層のL字状に屈曲された配線パターンを電気的に接続するビアをそのL字状の屈曲部を挟む両側に備えた第1の多重ビアセルのデータを前記記憶装置から読み込む処理と、
異なる配線層の配線パターンを単一のビアを用いて電気的に接続するためのシングルビアセルのデータを前記記憶装置から読み込む処理と、
異なる配線層の配線パターンを接続する箇所に前記シングルビアセルをそのデータを利用して配置する処理と、
配置されたシングルビアセルに代えて前記第1の多重ビアセルをそのデータを利用して再配置する処理と、
再配置された前記第1の多重ビアセルがその周囲との間でスペース条件を満足していないとき当該第1の多重ビアセルの周囲の配線パターンにスペース条件を満足させる処理と、を行う請求項19記載のデータ処理システム。 - 前記データプロセッサは、所要の回路を構成するために必要な回路セルを配置し、配置した回路セルに配線パターンを接続するとき、
異なる配線層のL字状に屈曲された配線パターンを電気的に接続するビアをそのL字状の屈曲部を挟む両側に備えた第1の多重ビアセルのデータを前記記憶装置から読み込む処理と、
直線状に延在された異なる配線層の配線パターンを直線的に並列された複数個のビアを用いて電気的に接続する第2の多重ビアセルのデータを前記記憶装置から読み込む処理と、
異なる配線層の配線パターンを単一のビアを用いて電気的に接続するためのシングルビアセルのデータを前記記憶装置から読み込む処理と、
異なる配線層の配線パターンを接続する箇所に前記シングルビアセルをそのデータを利用して配置する処理と、
配置されたシングルビアセルの周囲に、当該シングルビアセルを第2の多重ビアセルに置換するために必要なスペース条件が満足されているか否かを判定する処理と、
前記スペース条件が満足されていると判定された箇所のシングルビアセルに代えて前記第2の多重ビアセルをそのデータを利用して再配置する処理と、
前記スペース条件が満足されていないと判定された箇所のシングルビアセルに代えて前記第1の多重ビアセルをそのデータを利用して再配置する処理と、
再配置された前記第1の多重ビアセルがその周囲との間でスペース条件を満足していないとき当該第1の多重ビアセルの周囲の配線パターンにスペース条件を満足させる処理と、を行う請求項19記載のデータ処理システム。 - 前記データプロセッサは、所要の回路を構成するために必要な回路セルを配置し、配置した回路セルに配線パターンを接続するとき、
異なる配線層のL字状に屈曲された配線パターンを電気的に接続するビアをそのL字状の屈曲部を挟む両側に備えた第1の多重ビアセルのデータを前記記憶装置から読み込む処理と、
直線状に延在された異なる配線層の配線パターンを直線的に並列された複数個のビアを用いて電気的に接続する第2の多重ビアセルのデータを前記記憶装置から読み込む処理と、
異なる配線層の配線パターンを単一のビアを用いて電気的に接続するためのシングルビアセルのデータを前記記憶装置から読み込む処理と、
異なる配線層の配線パターンを接続する箇所に前記シングルビアセルをそのデータを利用して配置する処理と、
配置されたシングルビアセルの周囲に、当該シングルビアセルを第1の多重ビアセルに置換するために必要なスペース条件が満足されているか否かを判定する処理と、
前記スペース条件が満足されていると判定された箇所のシングルビアセルに代えて前記第1の多重ビアセルをそのデータを利用して再配置する処理と、
前記スペース条件が満足されていないと判定された箇所のシングルビアセルに代えて前記第2の多重ビアセルをそのデータを利用して再配置する処理と、
再配置された前記第2の多重ビアセルがその周囲との間でスペース条件を満足していないとき当該第2の多重ビアセルの周囲の配線パターンにスペース条件を満足させる処理と、を行う請求項19記載のデータ処理システム。
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