JP4619656B2 - アリールアミンの製造方法 - Google Patents

アリールアミンの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4619656B2
JP4619656B2 JP2003540127A JP2003540127A JP4619656B2 JP 4619656 B2 JP4619656 B2 JP 4619656B2 JP 2003540127 A JP2003540127 A JP 2003540127A JP 2003540127 A JP2003540127 A JP 2003540127A JP 4619656 B2 JP4619656 B2 JP 4619656B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
butyl
tert
groups
palladium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2003540127A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006502960A5 (ja
JP2006502960A (ja
Inventor
フィリップ ストーセル
フーベルト スプリッアー
ヘインリッチ ベッカー
Original Assignee
メルク パテント ゲーエムベーハー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by メルク パテント ゲーエムベーハー filed Critical メルク パテント ゲーエムベーハー
Publication of JP2006502960A publication Critical patent/JP2006502960A/ja
Publication of JP2006502960A5 publication Critical patent/JP2006502960A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4619656B2 publication Critical patent/JP4619656B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C209/00Preparation of compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton
    • C07C209/04Preparation of compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton by substitution of functional groups by amino groups
    • C07C209/06Preparation of compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton by substitution of functional groups by amino groups by substitution of halogen atoms
    • C07C209/10Preparation of compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton by substitution of functional groups by amino groups by substitution of halogen atoms with formation of amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings or from amines having nitrogen atoms bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C209/00Preparation of compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton
    • C07C209/04Preparation of compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton by substitution of functional groups by amino groups
    • C07C209/06Preparation of compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton by substitution of functional groups by amino groups by substitution of halogen atoms
    • C07C209/12Preparation of compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton by substitution of functional groups by amino groups by substitution of halogen atoms with formation of quaternary ammonium compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C2603/00Systems containing at least three condensed rings
    • C07C2603/93Spiro compounds
    • C07C2603/95Spiro compounds containing "not free" spiro atoms
    • C07C2603/96Spiro compounds containing "not free" spiro atoms containing at least one ring with less than six members
    • C07C2603/97Spiro compounds containing "not free" spiro atoms containing at least one ring with less than six members containing five-membered rings
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)

Description

本発明は、アリールアミンの製造方法に関するものである。
芳香族−又はヘテロ芳香族アミンは、工業的には、重要な役割を示す。その用途としては、例えば、医薬品又は農業化学品用の応用剤や、中間体として用いられている。その他、ファインケミストリーや電子化学の分野において広く応用されているが、その数は未だ少ない、その他、中でも、これらの化合物は、大きく成長している有機半導体の分野(例えば、有機又はポリマー状発光ダイオード、有機太陽電池、有機ICsへの応用)において非常に重要である。
その製造には、種々の方法が知られているが、そのいくつかのケースでは、経済的ではなく、経済的に満足し得る解決法を与えるものではない。
いわゆるC−N−カップリング反応におけるアミンとアリールハライドとの間の直接結合を採用する方法が、多くの場合採用されている(スキーム1を参照)。
Figure 0004619656
スキーム1(C−N−カップリングに対する一般的反応式)
この反応は、多数年にわたって既に研究課題となってきたが、実用性ある工業的方法は未だ開発されていない。この方法における最初の努力は、Buchwald et al、Tosoh Co.及びDupont de Nemours Companyの研究グループによってなされた。これらの研究(US5576460、EP−A−0802173及びWO01/40147を参照)は、この出願以前の最新の技術状態を示すものであり、その引用により、本発明の構成部とみなされる。これは、アミノ化−又はC−N−カップリング反応の点に関する一般的技術状態に関してここに与えられた詳細な記述の繰り返しを回避するためである。US5576460において、Buchwald et alは、セカンダリー又はターシャリーアミンを、適当なハロ−アロマテック又はハロヘテロアロマテックと適当なプライマリー又はセカンダリーアミンと反応させることによって得ている。この場合、反応系には、溶媒中の塩基、パラジウム化合物及び必要に応じてのターシャリーホスフィンを存在させる。このようにして、そして、工業的実施と両立する条件下で、90%に達する転化率を得ることができる。
WO01/40147においては、C−N−カップリングはまた、一般式H(O)PRを有する第2級ホスフィンのホスフィンオキシドによって触媒効果が得られることが示されている。該ホスフィンオキシドは、プロセスにおいてはそのまま使用することができる。また、それは、反応成分を添加する以前に、対応する易加水分解性ホスフィンオキシド先駆体の加水分解によって導入することができる。クロロ−アロマティックスと、プライマリーアルキル−及びアリールアミンとの反応においては、セカンダリーアルキルアミンとの反応に関し、67%までの転化率が記載されている。但し、ここには、ハロ−アロマティックス、特に、ブロモ−アロマティックスとジアリールアミンとの反応については何らの参照もなされていない(WO01/40147の実験部、表1を参照)。
EP−A−0802173においては、大きなコーンアングル(Tolman Angle)を持つ第3級ホスフィン、特に、トリアルキルホスフィンの使用によって達成される、第2級アミンと適切なハロ−アロマティックス又はハロヘテロアロマティックスとのカップリングは、よりすぐれた結果を与える。大きなコーンアングルを持ったトリアルキルホスフィン、例えば、トリ−tert−ブチルホスフィンを使用した場合には、技術的に許容し得る97%までの転化率が達成される(EP−A−0802173における、特に、実施例14、20〜24、34、40及び47を参照)。
EP−A−802173に示されている条件は、経済的に許容し得る方法を達成するための多くの単純転化の開発に適したものである。しかし、多官能化合物の場合には、問題が起こる。本発明の場合、用語「多官能」は、化合物がいくつかの、(即ち、2、3、4、5等)同じ又は同様の官能ユニット(センター)を含有することを意味する。この場合、そのユニット全てが対応する転化プロセスで反応し、生成物分子を生成する。多官能化合物の転化は、第1には、多官能化合物といくつかの単官能化合物とを反応させて特定の”低分子量”化合物を生成させることを示すために用いられる(スキーム2を参照)。
Figure 0004619656
スキーム2
[多官能化合物の反応例(4センター)]
多官能化合物の場合、99%ものレジオ(regio)選択率を伴う99%に達する転化率は、明確な問題を生じる。
カップリング活性を有する前記レジオ化学からの変動は、前記方法の一般的副反応である。これは、生成したC−N−結合(リンク)は、以前にはハロ−アロマティックス−又はハロヘテロアロマティックスのハロゲン原子によって占められていた位置を占めないことから生じる。即ち、新しく生じたC−N−結合が1つの位置だけ転位することから生じる(スキーム3を参照)。
Figure 0004619656
スキーム3(レジオ−異性体の配置例)
スキーム2、3に示されているように、99%の代表的転化速度(シングルステージ当たり)では、その代表的レジオ−選択率は99%と推定され(それぞれの各添加に対して、所望置換生成物の収率=0.99×0.99=98%)、その結果、全収率は約92%となる。経験によれば、US5576460及びEP−A−0802173に記載の方法を用いるときには、前記実施例における転化率は99%に達し、レジオ−選択率は99%に達する。これは、ある種の選ばれた物質の場合のみに実際上達成し得る顕著な場合であり、特に立体的に基を密集化させることによってレジオ−異性体の形成を抑制した場合である(EP−A−0802173の実施例47を参照)。
しかしながら、例えば、電子分野への応用における+99.9%の純度要求の観点からは、比較的高収率が得られても不満足である。というのは、製品には多数の異なった副生成物が存在し、特に、所望異性体と非常に類似した結晶化挙動を示すレジオ−異性体が存在するために、その精製操作はコスト高となり、しかも、最終収率レベルも大きく低減するからである(本明細書の表1参照)。前記実施例は、高度に精製された多機能性化合物の合成にとっては、前記した手法の使用は適当でないことを示すものである。
EP−A−0802173による触媒システムに使用されているターシャリーホスフィンの欠点は、空気に対するその顕著な感応性にある。トリ−ターシャリーブチルホスフィンの場合、その感応性が非常に高いために、該ホスフィンを空気に接触させたときに、直ぐに爆発が起こる。特に、技術的応用の場合、該化合物を用いるときには、特別の注意を必要とする。該化合物は、高価であるのに加えて、大規模での使用の困難なものである。
前記したように、提示されたC−N−カップリング手法は、適切なアリールアミンに関しては、原理的には満足のいくものであるが、使用される方法は、ある種の要求(多数の反応点、多機能性)に対しては、未だ不適当である。従って、前記した技術の状態においては、改良に対する明らかな必要性が存在する。
驚くべきことには、技術状態を示す前記のC−N−カップリング反応は、明確に定義される変更により、明確に改良し得ることが見出された。これにより、前記問題点を解決することができる。
本発明による新しい方法は、下記式(I)
Ar−(NR1R2)n (I)
のターシャリーアミン(第3級アミン)を、下記式(II)
H−NR1R2 (II)
のセカンダリーアミン(第2級アミン)と、下記式(III)
(X)n−Ar (III)
のアロマティックス又はヘテロアロマティックスとを、塩基及びニッケル又はパラジウムの化合物の存在下、さらに、モノマー状、オリゴマー状及び/又はポリマー状の一般式Y−PR4R5のハロ−ホスフィン、一般式(Y)PR4のジハロ−ホスフィン、一般式R3O−PR4R5のアルコキシ−及び/又はアリ−ロキシ−ホスフィン、一般式(R3O)−PR4のジアルコキシ−及び/又はジアリ−ロキシ−ホスフィン及びそれら各々の混合物の中から選ばれる1つ又はそれ以上のホスフィンの存在下、不活性溶媒中で反応させることによって製造する方法である。
本発明におけるアロマティックス又はヘテロアロマティックス(X)n−Arは、6〜40のC−原子を持つアロマティックス又は2〜40のC−原子を持つヘテロアロマティックスである。それらのものは、置換体又は未置換体であることができる。置換体の場合、1つ又はそれ以上の、1〜20のC−原子を持つ直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキル−又はアルコキシ基による置換体であることができ(この場合、1つ又はそれ以上の非隣接CH−基は、O、S、C=O又はカルボキシ基で置換されていてもよい)、さらに、未置換のC−4〜C−20のアリール−又はヘテロアリール基、フッ素又はシアノ−もしくはニトロ基によって置換された置換体であることができる。好ましく使用し得る化合物は、ベンゾール、ナフタレン、アントラセン、ピレン、ビフェニル、フルオレン、スピロ−9,9’−ビフルオレン、フェナンスレン、トリプチセン、ピリジン、フラン、チオフェン、ピロール、キノリン、キノサリン、ピリジン及びピラジンの置換又は未置換の誘導体である。
単官能性アロマティックスは、n=1で区別され、多官能性アロマティックスはN>1で区別される。nは、好ましくは10又はそれ以下である。好ましくは、nは、1、2、3、4、5、6、7、8、9又は10の整数を示し、特に好ましくは、整数1、2、3、4、5又は6の中の1つである。
アリール−又はヘテロアリール化合物における官能基Xは、前記反応に適した反応性残基である。好ましいものは、塩素、臭素、ヨウ素、メチルスルホネート、トシレート、トリフレート、ノンアフレート又はジアゾニウム塩のグループから選ばれる。
本発明において使用されるタイプH−NR1NR2のセカンダリーアミンの場合、基R1及びR2は、同一又は異なっていてもよく、炭素数1〜20の直鎖状、分岐鎖状、モノ、ビ、トリ、又はポリ−環状の脂肪族基(この場合、窒素は環システムの一部を形成することができ、さらに、1つ又はそれ以上の非隣接CH−基は、NR4、O、S、C=O又はカルボキシ基で置換されていてもよい)、炭素数6〜40のアロマティックス又は炭素数2〜40のヘテロアロマティックス(この場合、それらのアロマティックスは、いずれも、置換体又は未置換体であることができ、置換体の場合、1つ又はそれ以上の、炭素数1〜20の直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキル−又はアルコキシ基による置換体であることができ、さらに、1つ又はそれ以上の非隣接CH−基は、O、S、C=O又はカルボキシ基によって置換されていてもよい)、さらに、未置換のC−4〜C−20のアリール−又はヘテロアリール基、フッ素又はシアノ−もしくはニトロ基によって置換された置換体であることができる。
R1及びR2に関する好ましいアルキル基は、メチル−、エチル−、プロピル−、イソ−プロピル−、ブチル−、イソ−ブチル−、sec−ブチル−、tert−ブチル−シクロペンチル−、シクロヘキシル−、シクロヘプチル−、N−メチルピペラジニル−及びモルホリノ−の中から選ばれる基である。
R1及びR2に関する好ましアリール又はヘテロアリール基は、ベンゾール、ナフタレン、アントラセン、ピレン、ビフェニル、フルオレン、スピロ−9−9’−ビフルオレン、フェナンスレン、トリプティセン、ピリジン、フラン、チオフェン、ピロール、キノリン、キノキサリン、ピリジン及びピラジンの中から選ばれる対応する置換体又は未置換体の誘導体である。
塩基は、US5576460及びEP−A−0802172の出願に示されているものと同様の方法で使用することができる。使用されるこれらのものは、無機塩基、特に、アルカリ−、アルカリ土類の金属カルボキシレート、−カルボネート、−ハイドロゲンカーボネート及びホスフェート、例えば、ナトリウム−及びカリウムアセテート、−カーボネート及び−ホスフェート等であり、さらに、有機塩基、特に、タイプMO−R3の金属アルコレートである。この場合Mは電子的にポジティブである金属を示し、好ましくは、リチウム、ナトリウム、カリウム、マグネシウム及び亜鉛であり、R3は、炭素数1〜12の単純な直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を示し、好ましくは、メチル−、エチル−、プロピル−、ブチル−、sec−ブチル−、イソ−ブチル−、tert−ブチル−、tert−ペンチル−、tert−ヘキシル−又は炭素数6〜12の単純なアリール基を示し、好ましくは、フェニルである。オリゴマー状又はポリマー状の金属−アルコレートを好ましく使用することができる。この場合には、R3は、オリゴマー状又はポリマー状のアルコールに対応し、この場合には、R3は、広い意味で、オリゴマー状又はポリマー状のアルコールを示す。
塩基としては、金属アルコレート、ソジウム−tert−ブタノレートの使用が特に好ましい。場合よっては、塩基の混合物使用することができる。使用されているモノマー状、オリゴマー状及び/又はポリマー状のホスフィンの場合には、それらのものは、タイプY−PR4R5のハロ−ホスフィン、タイプ(Y)−PR4のジハロ−ホスフィン、タイプR3O−PR4R5のアルコキシ及び/又はアリ−ロキシ−ホスフィン、タイプ(R3O)−PR4のジアルコキシ−及び/又はジアリ−ロキシ−ホスフィン及びそれらの混合物からなる群の中から選ばれる1つ又はそれ以上の化合物である。
それらの各々の場合において、基R4及びR5は、同一又は異なっていてもよく、炭素数1〜12の直鎖状、分岐鎖状又はモノ−、ジ−もしくはトリ−環状のアルキル基(この場合1つ又はそれ以上の非−隣接CH−基は、Oで置換されていてもよい)又は炭素数4〜12のアリール又はヘテロアリール−基(この場合、1つ又はそれ以上の非−隣接CH−基は、O、S、C=O又はカルボキシ基によって置換されていてもよい)を示す。
R4及びR5に関する好ましいアルキル基は、メチル−、エチル−、プロピル−、イソ−プロピル−、ブチル−、イソ−ブチル−、sec−ブチル−、tert−ブチル−、tert−ペンチル−、tert−ヘキシル−、シクロペンチル−、シクロヘキシル−基である。
R4及びR5に関する好ましいアリール−又はヘテロアリール−基は、フェニル−、O−トリル−、2,6−ジメチルフェニル、メシチル−、2−イソ−プロピルフェニル−、2,6−ジ−イソ−プロピルフェニル−、2−tert−ブチルフェニル−、2−メトキシフェニル−、2,6−ジメトキシフェニル、2,4,6−トリメトキシフェニル−及び2−ビスフェニル−基である。
前記したモノマー状のハロ−、ジハロ−、アルコキシ−、アリ−ロキシ−、ジアルコキシ−及び/又はジアリ−ロキシ−ホスフィンの代わりに、好ましくは、スキーム4に対応するオリゴマー状又はポリマー状のサポートされたハロ−、ジハロ−、アルコキシ−、アリ−ロキシ−及び/又はジアリ−ロキシホスフィン(この場合、R4及び/又はR5は、広い意味でのオリゴマー状又はポリマー状マトリックスであることができる)を用いることができる。
Figure 0004619656
図4:オリゴマー状/ポリマー状のサポートされたホスフィンの一般的表示を示す。R4及び/又はR5は広い意味でのオリゴマー状又はポリマー状のマトリックスである。
前記したモノマー状のアルコキシ−、アリ−ロキシ−ジアルコキシ−及び/又はジアリ−ロキシホスフィンの代わりに、スキーム5に示すように、オリゴマー状又はポリマー状のサポートされたアルコキシ−、アリ−ロキシ−、ジアルコキシ−及び/又はジアリ−ロキシホスフィンの使用が好ましい。この場合、R3は、広い意味でのオリゴマー状又はポリマー状のアルコールに対応する。
Figure 0004619656
図5:オリゴマー状/ポリマー状のサポート(担持)されたホスフィンの一般的表示を示す。R3は、オリゴマー状又はポリマー状のアルコールを示す。
基Yは、ハロゲン、好ましくは塩素又は臭素を示す。
本発明の方法は、問題のホスフィンとして、タイプY−PR4R5のハロ−ホスフィンを使用することを特徴とするが、前記したように実施例に限定されるものではない。
反応条件下では、ハロ−ホスフィン又はジハロ−ホスフィンは、おそらくその場において反応して、アルコキシ−、アリ−ロキシ−、ジアルコキシ−又はジアリ−ロキシ−又はジアリ−ロキシ−ホスフィンに転化される。この場合、該ホスフィンは、スキーム6に従って、添加された塩基(金属アルコレートMO−R3)塩−複分解反応する。
Figure 0004619656
スキーム6
(ハロ−ホスフィンと塩基との塩−複分解反応)
アルコキシ−、アリ−ロキシ−、ジアルコキシ−又はジアリ−ロキシ−又はジアリ−ロキシ−ホスフィン等は、同様に、本発明の構成となる。この場合、それらのものは、混合物中でその場合で形成されたものであってもよく、また、タイプY−PR4R5のハロ−ホスフィン又はタイプY−PR4のジハロ−ホスフィンと金属アルコレートMO−R3との反応によりあらかじめ形成されたものであってもよい。該ホスフィンは、混合物又は純物質の状態で反応混合物に添加することができる。
好ましく用いられるハロ−ホスフィンとしては、以下のものが挙げられる。
クロロ−ジ(イソ−プロピル)ホスフィン、クロロ−ジ(イソ−ブチル)ホスフィン、クロロ−ジ(tert−ブチル)ホスフィン、クロロ−ジ(シクロヘキシル)ホスフィン、クロロ−ジ(0−トリル)ホスフィン、クロロ−ジ(メシチル)ホスフィン、クロロ−ビス(2メトキシフェニル)ホスフィン、クロロ−ビス(2,4,6−トリメトキシフェニル)ホスフィン又はそれらに類似するもの又はそれから誘導されたアルコキシ又はアリ−ロキシホスフィン。
好ましく使用されるジハロ−ホスフィンとしては、以下のものが挙げられる。
ジクロロ−イソプロピルホスフィン、ジクロロ−イソ−ブチルホスフィン、ジクロロ−tert−ブチルホスフィン、ジクロロシクロヘキシルホスフィン、ジクロロ−O−トリルホスフィン、ジクロロ−メシチルホスフィン、ジクロロ−2−メトキシフェニルホスフィン、ジクロロ−2,4,6−トリメトキシフェニルホスフィン又はそれらに類似するもの又はそれから誘導されたジアルコキシ又はジアリールホスフィン。
特に、好ましく使用されるハロ−ホスフィンとしては、以下のものが挙げられる。
クロロ−ジ(イソ−プロピル)ホスフィン、クロロ−ジ(tert−ブチル)ホスフィン及びクロロ−ビス(2,4,6−トリメトキシフェニル)ホスフィン又はそれらに類似するもの又はそれらから誘導されたアルコキシ又はアリ−ロキシホスフィン。
特に好ましく使用されるジハロ−ホスフィンとしては、以下のものが挙げられる。
ジクロロ−イソ−プロピルホスフィン、ジクロロ−tert−ブチルホスフィン、ジクロロ−2,4,6トリメトキシフェニルホスフィン、又はそれらの類似物又はそれらから誘導されたアルコキシ−又はジアリ−ロキシ−ホスフィン。
本発明におけるニッケル化合物には、ニッケル(II)化合物、好ましくはニッケル−(II)−ハロゲニド、ニッケル−(II)−ビスカルボキシレート、ニッケル−(II)−ケトナート又はそれから誘導されたコンプレックス(例えば、オレフィンニッケル−(II)−ハロゲニド、アリルニッケル−(II)−ハロゲニド)又は分散状又はコロイド状の担持又は無担持金属ニッケル又は他のニッケル−(II)−化合物である。
本発明におけるパラジウム化合物は、パラジウム−(II)−化合物、好ましくは、パラジウム−(II)−ハロゲニド、パラジウム−(II)−ビスカルボキシレート、パラジウム−(II)−ケトナート又はそれから誘導される単純コンプレックス(例えば、ニトリルパラジウム−(II)−ハロゲニド、オレフィン−パラジウム−(II)−ハロゲニド、アリル−パラジウム−(II)−ハロゲニド)又は分散状又はコロイダル状の担持又は無担持金属パラジウム又は他のパラジウム−(O)−化合物。
特に好ましく使用されるパラジウム化合物は、パラジウム−(II)−アセテート、又はトリス−(ジベンジリデンアセトン)−ジパラジウム(O)Pd(dba)又はPd(bda)×CHClである。
溶媒としては不活性溶媒が用いられる。好ましく用いられる非プロトン性溶媒としては、特に、芳香族溶媒(トルオール、異性体キシロール又はそれらの混合物等)、エーテル、環状エーテル、ポリエーテル(例えば、ジ−イソ−プロピルエーテル、メチル−tert−ブチルエーテル、ジ−n−ブチルエーテル、アニソール、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジ−、トリ−及びテトラ−エチレングリコールジメチル−又はエチルエーテル及びオリゴ−又はポリエチレングリコール−又はエチルエーテル等)、N,N−ジアルキルカルボン酸アミド及びN−アルキルラクトン(例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等)又はN−メチルピロリジンである。もちろん、それら溶媒の混合物も使用可能である。
本発明において、ニッケル−又はパラジウム−化合物は、閉鎖すべきC−N−カップリング点の量に対して、通常、0.00001mol%〜10mol%(ニッケル又はパラジウム)の割合で用いられる。好ましくは、0.001〜5%、特に好ましくは0.01〜2.5%の範囲で用いられる。
本発明の場合、ニッケル−又はパラジウム化合物と、一般式Y−PR4R5を有するハロ−ホスフィンとのモル比、一般式YPR4R5のジハロホスフィンとのモル比、一般式R3O−PR4R5のアルコキシ−又はアリ−ロキシ−ホスフィンとのモル比又は一般式(R3O)−PR4のジアルコキシ−又はジアリ−ロキシ−ホスフィンとのモル比は0.5〜20、好ましくは1〜8である。
一般的には、塩基、特に金属アルコレート(又はアルコラート)M−OR3は、閉鎖すべきC−N−結合点に対して、0.5〜10当量、好ましくは0.8〜5当量、特に好ましくは1.0〜3当量の割合で添加される。
溶液中の反応成分の濃度は、包含される特定反応に依存することはもちろんである。しかし、生起する反応に関しては、閉鎖すべきC−N−結合の量に対して、0.1モル/l〜5モル/lの範囲である。
本発明における反応は、熱的に活性化される。従って、通常は、室温以上の温度で起こり、その温度は、好ましくは40〜200℃、より好ましくは60〜180℃、特に好ましくは80〜160℃である。
本発明における反応において、その反応時間は、通常、10分〜48時間、好ましくは1〜6時間である。
場合によっては、反応混合物を均一化するために、不活性な固体物質、例えば、金属−、ガラス−、セラミックのコーン又はRaschigもしくはPallリングを添加することができる。
しかし、本発明の方法は、前記の化合物に適用するのが好ましいが、それらに限定されるものではない。ジアミンやジ−ハロアリーレン等の好ましい製品が用いられれば、それらのものは、オリゴマー状又はポリマー状の化合物の合成に使用することができる本発明の方法は、以下に示す予想外の利点を示す。
採用されたハロ−、ジハロ−、アルキロキシ−、アリーロキシ−、ジアリロキシ−、又はジアルキロキシ−ホスフィンは、空気と接触したときに、自然発火の挙動を示さない。それらの有機基に依存するが、それは、部分的には大気中酸素や水に対して安定である。これは、従来技術の方法に比べて、防爆帯域での工業的使用にとって特に有利である。
ある程度は、採用されるハロ−、ジハロ−、アルキロキシ−、アリーロキシ−、ジアリロキシ−、又はジアルキロキシ−ホスフィンは、文献により知られている単純な手法により経済的に製造することができる。あるいは、ある程度は、商業的に入手可能である。
本発明では、高い反応完結速度の結果、高い粗製品収率が得られる。そして、副生物の割合が非常に少ないこと、特に、蒸留や結晶化では非常に分離困難なレジオー異性体含量が非常に少ないことから、>99.5%純度の製品の収率、あるいは>99.9%純度の高純度製品の収率が得られるが、これは従来技術の方法を用いて得られた結果よりもはるかにすぐれたものである(本出願の実験結果部における表1を参照)。
ここに記載の方法により達成される純度レベルは、高価な精製操作による従来の方法によってのみ得ることができるものであり、それ故、ここに記載の方法により99.5%以上の純度で得られた化合物は、この発明の構成部を形成する。
同様に、ここに記載の方法により得られる化合物において、そのレジオ(regio)−異性体(C−Nカップリング間に形成)の割合(%)(H−NMR及び/又はHPLCにより決定)は、所望異性体に関して1%より低く、これは本発明の構成部を形成する。
実験例
次に本発明を実験例により説明するが、これは本発明をその実験例限定するものではない。むしろ、熟練技術者であれば、それに含まれる原理を、単純かつ自然な方法で、前記システムや参照文献に記載のシステムに適用することが可能である。
(アリールアミンの合成)
以下に示す合成は、乾燥溶剤を用いる乾燥−窒素又はアルゴン雰囲気下で実施された。使用された化合物[ソジウム(ナトリウム)−tert−ブタノ−レート、パラジウム(II)アセテート、クロロ−ジ−tert−ブチルホスフィン、ジフェニルアミン1−ナフチル−フェニルアミン、ビス(4−メトキシフェニル)アミン]は、ALDRICHから入手され、さらに精製することなく使用された。2,2’,7,7’−テトラブロム−9,9’スピロビフルオレン(純度>99.7%)は、R.Wu、J.S.Schumm,D.L.Person,J.M.Tour,J.Org.Chem.,1996,61,6906−6921に記載の方法で合成され、ジオキサンからの再結晶による適切な精製により得られたものである。
生成物の構造特性は、H−NMR−スペクトロスコピィで決定され、生成物の純度はHPLCで決定された。
実験例1(2,2’,7,7’−テトラキス(N,N’−ジフェニルアミノ)スピロ−9,9’−ビフルオレン)
31.6g(50mmol)の2,2’,7,7’−テトラブロモ−9,9’スピロビフルオレンの脱ガス化サスペンジョンと30.3g(315mmol)のソジウム−tert−ブタノレートを、400mlのトルエンと361mg(380μl)(2mmol)のクロロ−ジ−tert−ブチルホスフィンとの混合物に加えた。5分間撹拌後、該反応混合物に、225mg(1mmol)のパラジウム(II)アセテートを加え、次いで38.1g(225mmol)のジフェニルアミンを加えた。この反応混合物をリフラックス下で2時間加熱した。60℃に冷却後、500mlの水を加え、1時間撹拌を続けた。沈殿生成物を濾別し、水洗し、真空下80℃で一定重量になるまで乾燥した。有機相を100mlに濃縮して、第2生成物を得た。これを濾過して生成した沈殿物を分離した。
合一した生成物を、少量のヒドラジンハイドレートを加えて、ジオキサン(2.2ml/1g)から、所定純度が得られるまで再結晶した。その後、生成物を高真空下(P=5×10−5mbar、T=375℃)(表1参照)で昇華させた。
H−NMR(0.8mlCDClと30μlヒドラジンハイドレートとの混合物):7.44(d,HH=8.2Hz,H4,4H),
7.20−7.16(m,16H),6.99−6.95(m,24H),6.91(ddJHH=8.2Hz,HH=2.0Hz,H3,4|H),6.68(d,HH=2.0Hz,H1,4H)
実験例2
実験例1において、2,2’,7,7’−テトラブロモ−9,9’スピロビフルオレンとジフェニルアミンを最初に加え、次いでソジウム−tert−ブタノレートを加えた以外は同様にして実験を行った。収率/純度レベルに関しては表1を参照。
−NMRに関しては、実施例1を参照。
実験例3(EP−A−802173による、実験例1に対する比較実験例)
実験例1において、クロロ−ジ−tert−ブチルホスフィンの代わりに、405mg(2mmol)のトリ−tert−ブチルホスフィンを用いた以外は同様にして実験を行った。収率/純度レベルについては表1を参照。
−NMRに関しては、実施例1を参照。
実験例4(WO01/40147による、実験例1に対する比較実験例)
実験例1において、ホスフィンとして、ジ−tert−ブチルホスフィンオキシドを用いた以外は同様にして実験を行った。この場合、該オキシドは、”WO01/40147による実験2”に記載に従って、361mg=380μl(2mmol)のクロロ−ジ−tert−ブチルホスフィンを加水分解して得られたものである。反応速度が低いために、該反応混合物は、リフレックス下で24時間加熱した。この時間の後でさえも、その2,2’,7,7’−テトラブロモ−9,9’スピロビフルオレンの完全転化は達成できなかった。表1参照。
実験例5(2,2’,7,7’−テトラキス−(N−フェニル−N’−(1−ナフチル)アミノスピロ−9,9’−ビフルオレン)
31.6g(50mmol)の2,2’,7,7’−テトラブロモ−9,9’スピロビフルオレンの脱ガス化サスペンジョンと30.3g(315mmol)のソジウム−tert−ブタノレートを、400mlのトルエンと361mg=380μl(2mmol)のクロロ−ジ−tert−ブチルホスフィンとの混合物中で反応させた。5分間撹拌後、該反応混合物に、先ず、225mg(1mmol)のパラジウムアセテートを加え、次いで49.3g(225mmol)の1−ナフチル−フェニルアミンを加えた。該反応混合物をリフラックス下で2時間加熱した。60℃に冷却後、500mlの水を加え、1時間撹拌を続けた。有機相を分別し、濃縮し、乾燥した。残渣物を500mlのジクロロメタンに入れ、撹拌下で、1000mlのメタノール中に徐々に加えた。このようにして得た生成物を、サクションで分離し、メタノール洗浄し乾燥した。このものを、少量のヒドラジンハイドレートを添加したジオキサン(2.0ml/1g)から、所定純度が得られるまで再結晶化した。その後、生成物を高真空下で昇華させた(P=5×10−5mbar、T=405℃)。収率/純度は表1を参照。
H−NMR(0.8mlCDClと30μlヒドラジンハイドレートとの混合物):7.88−7.84(m,8H)7.75−7.73(m,4H),7.46−7.41(m,8H),7.34−7.26(m,8H)7.22−7.20(m,4H),7.12−7.08(m,8H),6.86−6.80(m,16H),6.77−6.74(m、4H)。
実験例6(EP−A−0802173による、実験例5に対する比較実験例)
実験例4において、クロロ−ジ−tert−ブチルホスフィンの代わりに、405mg(2mmol)のトリ−tert−ブチルホスフィンを用いた以外は同様にして実験を行った。収率と純度については表1を参照。
実験例7(2,2’,7,7’−テトラキス−(N−N’−ジ(4−メトキシ)フェニルアミンスピロ−9,9’−ビフルオレン)
31.6g(50mmol)の2,2’,7,7’−テトラブロモ−9,9’スピロビフルオレンの脱ガス化サスペンジョンと30.3g(315mmol)のソジウム−tert−ブタノレートを、400mlのトルエンと361mg=380μl(2mmol)のクロロ−ジ−tert−ブチルホスフィンとの混合物に加えた。5分間撹拌後、該反応混合物に、先ず、225mg(1mmol)のパラジウムアセテートを加え、次いで51.6g(225mmol)のビス(4−メトキシフェニルアミン)を加えた。該反応混合物をリフラックス下で2時間加熱した。60℃に冷却後、500mlの水を加え、1時間撹拌を続けた。有機相を濾別し、濃縮し、乾燥した。残渣物を500mlのジクロロメタンに入れ、撹拌下で、1000mlのメタノール中に徐々に加えた。このようにして得た生成物を、サクションで分離し、メタノール洗浄し乾燥した。このものを、少量のヒドラジンハイドレートを添加したジオキサン(1.6g/1ml)から、所定純度が得られるまで再結晶化した。その後、生成物を高真空下でその融点以下で乾燥した。収率及び純度については表1を参照。
H−NMR(0.8mlCDClと30μlヒドラジンハイドレートとの混合物):7.35(d,HH=10.4Hz,H4,4H),6.92−6.89(m,16H),6.79(dd,HH=10.4Hz,HH=2.5Hz,H3,4|H),6.77−6.73(m,16H),6.54(d,HH=2.5Hz,H1,4H),3.69(s,CH,24H)。
実験例8(EP−A−0802173による、実験例7に対する比較実験例)
実験例6において、クロロ−ジ−tert−ブチルホスフィンの代わりに、405mg(2mmol)のトリ−tert−ブチルホスフィンを用いた以外は同様にして実験を行った。収率及び純度については表1を参照。
実験例9(4,4’−ビス(4−tert−ブチルフェニルアミノ)ビフェニルの合成)
2リットルのキシロールを、4リットルの窒素フラスコ中で窒素下で脱ガスした。このものに対し、86.5g(0.90mol)のソジウム−tert−ブタノレートを加え、その後、85.0ml(0.45mol)のクロロ−ジ−tert−ブチルホスフィンを撹拌下で5分間にわたって加えた。10.0kg(29.7mol)のN,N’−ジフェニルベンジンを170リットルのキシロールに溶かしたものを、アンカースターラーの付いた500リットルの容器に入れた。撹拌を行いながら、フラスコを3回真空化して、内圧を約50mbalにした後、乾燥窒素(99.998%)を挿入した。このようにして不活性化された溶液に、8.7kg(90.5mol)の固体状ソジウム−tert−ブタノレートを加え、フラスコ内容物を室温で30分間撹拌した。
次いで、2リットル中のクロロ−tert−ブチルホスフィンとソジウム−tert−ブタノレートとの混合物を加え、全体を15分間撹拌した。次いで33.5g(0.15mol)のパラジウム(II)アセテートを加えた後、15分間撹拌した。最後に、13.9kg(65.2mol)の1−ブロモ−4−tert−ブチルベンゾールを加えた。この反応混合物を、撹拌下リフラックス下で3時間加熱した。60℃に冷却した後、75リットルの脱イオン水を加え、少なくともさらに3時間撹拌を続けた。沈殿した固体物質を圧力フィルターにより吸引により回収し、次いで、3回撹拌した。この場合、75リットルの脱イオン水とともに1回、75リットルのエタノールとともに2回撹拌した。窒素を用いて乾燥した後、フィルターケーキを乾燥棚で減圧下で乾燥した。
収率:11.0kg(18.3モル)、61.6%
純度:99.8%(HPLC)、レジオ−異性体<0.1%(HPLC)
Figure 0004619656

Claims (8)

  1. 下記式(I)
    Ar−(NR1R2)n (I)
    の第3級アミンを、下記式(II)
    H−NR1R2 (II)
    の第2級アミンと、下記式(III)
    (X)n−Ar (III)
    のアロマティックス又はヘテロアロマティックスとを、不活性溶媒中で反応させることによって製造する方法であって、酢酸ナトリウム、炭酸ナトリウム、燐酸ナトリウム、酢酸カリウム、炭酸カリウム、燐酸カリウムおよびMO−R3(Mはリチウム、ナトリウム、カリウム、マグネシウム又は亜鉛であり、R3はメチル−、エチル−、プロピル−、イソプロピル−、ブチル−、イソ−ブチル−、sec−ブチル−、tert−ブチル−、tert−ペンチル−、tert−ヘキシル又はフェニル−である)の金属アルコレートから選ばれる塩基及びニッケル−(II)−ハロゲニド、ニッケル−(II)−ビスカルボキシレート、ニッケル−(II)−ケトナート、オレフィンニッケル−(II)−ハロゲニド、アリルニッケル−(II)−ハロゲニド、又は担持もしくは無担持の分散状又はコロイダル状金属ニッケルから選ばれるニッケルの化合物又は分散状又はコロイダル状の担持又は無担持金属パラジウム、パラジウム−(II)−ハロゲニド、パラジウム−(II)−ビスカルボキシレート、パラジウム−(II)−ケトナート、ニトリルパラジウム−(II)−ハロゲニド、オレフィンパラジウム−(II)−ハロゲニド、アリルパラジウム−(II)−ハロゲニドから選ばれるパラジウムの化合物及びモノマー状の一般式Y−PR4R5のハロ−ホスフィン、一般式(Y)PR4のジハロ−ホスフィン、一般式R3O−PR4R5のアルコキシ−及び/又はアリ−ロキシ−ホスフィン、一般式(R3O)−PR4のジアルコキシ−及び/又はジアリ−ロキシ−ホスフィン及びそれら相互の混合物の中から選ばれる1つ又はそれ以上のホスフィンを存在させることを特徴とする前記方法。
    但し、前記式中、各符号は次の意味を有する。
    Arは、炭素数6〜40のアリール基又は炭素数2〜40のヘテロアリール基[それらは、未置換体であることができるし、1つ又はそれ以上の炭素数1〜20の直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキル−又はアルコキシ基(1つ又はそれ以上の非隣接CH−基は、O、S又はC=Oによって置換されていてもよい)又は未置換の炭素数4〜20のアリール−又はヘテロアリール基、フッ素又はシアノ−もしくはニトロ基によって置換されていてもよい]を示す。
    R1及びR2は、同一又は異なっていてもよく、炭素数1〜20の直鎖状、分岐鎖状又は、モノ−環状のアルキル基(つ又はそれ以上の非隣接CH−基は、NR4、O、S、C=O又はカルボキシ基によって置換されていてもよい)又は炭素数6〜40のアリール基もしくは炭素数2〜40のヘテロアリール基[それらは未置換体であっても、1つ又はそれ以上の、炭素数1〜20の直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキル−又はアルコキシ基(1つ又はそれ以上の非隣接CH−基は、O、S又はC=Oによって置換されていてもよい)又は炭素数4〜20のアリール−又はヘテロアリール基、フッ素又はシアノ−もしくはニトロ基によって置換されていてもよい]を示す。
    R3は、炭素数1〜12の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基又は炭素数6〜12のアリール基を示す。
    R4及びR5は、同一又は異なっていてもよく、炭素数1〜12の直鎖状、分岐鎖状又はモノ−環状のアルキル−基(1つ又はそれ以上の非隣接CH−基は、Oによって置換されていてもよい)又は炭素数4〜12のアリール−又はヘテロアリール−基[1つ又はそれ以上の炭素数1〜10の直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキル−又はアルコキシ基(1つ又はそれ以上の非隣接CH−基は、O、S又はC=Oで置換されていてもよい)で置換されていてもよい]を示す。
    Xは、塩素、臭素、ヨウ素、メチルスルホネート、トシレート、トリフレート、ノナフレート及びジアゾニウム塩基からなる群より選択される反応性脱離基を示す。
    Yは、フッ素、塩素、臭素又はヨウ素を示す。
    nは、1〜10の整数を示す。
  2. Arが、フェニル、ナフチル、アントリル、ピレニル、ビフェニル、フルオレニル、スピロ−9,9’−ビフルオレニル、フェナントレニル、トリプチセニル、ピリジ、フラニル、チエニル、ピロル、キノリニル、キノキサリニル、ピリミジ又はピラジニル[それらは、未置換体であることができるし、1つ又はそれ以上の炭素数1〜20の直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキル−又はアルコキシ基(1つ又はそれ以上の非隣接CH−基は、O、S又はC=Oによって置換されていてもよい)又は未置換の炭素数4〜20のアリール−又はヘテロアリール基、フッ素又はシアノ−もしくはニトロ基によって置換されていてもよい]を意味する請求項1記載の方法。
  3. アルキル−、アリール−又はヘテロアリール基R1及びR2が、メチル−、エチル−、プロピル−、イソ−プロピル−、ブチル−、イソ−ブチル−、sec−ブチル−、tert−ブチル−、シクロペンチル−、シクロヘキシル−、シクロヘプチル−、N−メチルピペラジニル−、もしくはモルホリノ−、又はフェニル、ナフチル、アントリル、ピレニル、ビフェニル、フルオレニル、スピロ−9,9’−ビフルオレニル、フェナントレニル、トリプチセニル、ピリジ、フラニル、チエニル、ピロル、キノリニル、キノキサリニル、ピリミジ又はピラジニル[それらは、未置換体であることができるし、1つ又はそ
    れ以上の炭素数1〜20の直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキル−又はアルコキシ基(1つ又はそれ以上の非隣接CH−基は、O、S又はC=Oによって置換されていてもよい)又は未置換の炭素数4〜20のアリール−又はヘテロアリール基、フッ素又はシアノ−もしくはニトロ基によって置換されていてもよい]を示す請求項1又は2記載の方法。
  4. 基R3が、メチル−、エチル−、プロピル−、イソプロピル−、ブチル−、イソ−ブチル−、sec−ブチル−、tert−ブチル−、tert−ペンチル−、tert−ヘキシル又はフェニル−である請求項1〜3のいずれか1項記載の方法。
  5. アルキル−、アリール−又はヘテロアリール基R4及びR5が、メチル−、エチル−、プロピル−、イソ−プロピル−、ブチル−、イソ−ブチル−、sec−ブチル−、tert−ブチル−、tert−ペンチル−、tert−ヘキシル−、シクロペンチル−、シクロヘキシル−、フェニル−、O−トリル−、2,6−ジメチルフェニル、メシチル−、2−イソ−プロピルフェニル−、2,6−ジ−イソ−プロピルフェニル−、2−tert−ブチルフェニル−、2−メトキシフェニル−、2,6−ジメトキシフェニル−、2,4,6−トリメトキシフェニル−、2−ビスフェニル−を意味する請求項1〜4のいずれか1項記載の方法。
  6. 基R4及びR5が、tert−ブチル基である請求項1〜5のいずれかの方法。
  7. パラジウム化合物が、パラジウム−(II)−アセテート、又はPd(dba)である請求項1〜6のいずれか1項記載の方法。
  8. 溶媒が、芳香族溶媒、エーテル、環状エーテル、ポリエーテル、N,N−ジアルキルカルボン酸アミド、もしくはN−メチルピロリジン−2−オン、又はそれらの混合物である請求項1〜7のいずれか1項記載の方法。
JP2003540127A 2001-10-30 2002-10-25 アリールアミンの製造方法 Expired - Fee Related JP4619656B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10153450A DE10153450A1 (de) 2001-10-30 2001-10-30 Verfahren zur Herstellung von Arylaminen
PCT/EP2002/011942 WO2003037844A1 (de) 2001-10-30 2002-10-25 Verfahren zur herstellung von arylaminen

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2006502960A JP2006502960A (ja) 2006-01-26
JP2006502960A5 JP2006502960A5 (ja) 2007-02-01
JP4619656B2 true JP4619656B2 (ja) 2011-01-26

Family

ID=7704164

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003540127A Expired - Fee Related JP4619656B2 (ja) 2001-10-30 2002-10-25 アリールアミンの製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7250519B2 (ja)
EP (1) EP1442007B1 (ja)
JP (1) JP4619656B2 (ja)
KR (1) KR100929517B1 (ja)
CN (1) CN100381417C (ja)
DE (2) DE10153450A1 (ja)
WO (1) WO2003037844A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9748492B2 (en) 2012-11-02 2017-08-29 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent device

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1080162B1 (en) 1998-05-05 2004-03-10 Massachusetts Institute Of Technology Emissive polymers and devices incorporating these polymers
US20050147534A1 (en) 1998-05-05 2005-07-07 Massachusetts Institute Of Technology Emissive sensors and devices incorporating these sensors
DE10238903A1 (de) 2002-08-24 2004-03-04 Covion Organic Semiconductors Gmbh Rhodium- und Iridium-Komplexe
CN100428521C (zh) * 2003-11-17 2008-10-22 富士施乐株式会社 有机半导体晶体管元件
RU2341913C2 (ru) * 2004-06-23 2008-12-20 Самсунг Электроникс Ко., Лтд. Способ конфигурирования и обновления идентификатора соединения в системе связи широкополосного беспроводного доступа
WO2006011879A1 (en) * 2004-06-30 2006-02-02 Eastman Kodak Company Process for forming an aromatic amine compound
WO2006034081A2 (en) * 2004-09-17 2006-03-30 Massachusetts Institute Of Technology Polymers for analyte detection
JP2006335712A (ja) * 2005-06-03 2006-12-14 Nagoya Industrial Science Research Inst トリアリールアミンの製造方法
US7671166B2 (en) * 2005-11-22 2010-03-02 Massachusetts Institute Of Technology High internal free volume compositions for low-k dielectric and other applications
DE102006037399A1 (de) * 2006-08-10 2008-02-14 Archimica Gmbh Verfahren zur Herstellung von Arylaminen
US8283423B2 (en) 2006-09-29 2012-10-09 Massachusetts Institute Of Technology Polymer synthetic technique
US8802447B2 (en) * 2006-10-05 2014-08-12 Massachusetts Institute Of Technology Emissive compositions with internal standard and related techniques
US20090215189A1 (en) 2006-10-27 2009-08-27 Massachusetts Institute Of Technology Sensor of species including toxins and chemical warfare agents
KR101434632B1 (ko) 2006-12-08 2014-08-27 에이전시 포 사이언스, 테크놀로지 앤드 리서치 아릴아민 화합물 및 전자 장치
US8283002B2 (en) 2008-11-18 2012-10-09 Plextronics, Inc. Aminobenzene compositions and related devices and methods
US8440785B2 (en) 2009-06-30 2013-05-14 Plextronics, Inc. Compositions, methods and polymers
KR20120059573A (ko) 2009-09-04 2012-06-08 플렉스트로닉스, 인크 광기전력 전지 및 디케톤 기재 및 디케토피롤로피롤 기재 중합체를 비롯한, 유기 전자 소자 및 중합체
DE102010013068A1 (de) 2010-03-26 2011-09-29 Merck Patent Gmbh Verbindungen für elektronische Vorrichtungen
FR2964102B1 (fr) * 2010-09-01 2013-03-29 Commissariat Energie Atomique Utilisation de sels de diazonium pour la formation de couches epaisses sur au moins une surface d'un substrat
DE102010045405A1 (de) * 2010-09-15 2012-03-15 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
CN102516089A (zh) * 2011-10-28 2012-06-27 黑龙江省科学院石油化学研究院 一种9,9-二甲基-2-(n-联苯基)-氨基芴的合成方法
CN103000812B (zh) * 2012-11-20 2015-04-01 溧阳市生产力促进中心 一种包括电子传输层和空穴传输层的太阳能电池的制造方法
WO2016182269A1 (ko) * 2015-05-08 2016-11-17 머티어리얼사이언스 주식회사 유기 전계 발광 소자용 화합물의 제조방법
CN106397355B (zh) * 2016-09-05 2019-04-09 华南理工大学 一种自掺杂共轭酚胺类空穴传输材料及制备与应用
CN112574042A (zh) * 2019-09-27 2021-03-30 广东石油化工学院 二级芳香胺的制备方法
CN115867426A (zh) 2020-06-23 2023-03-28 默克专利有限公司 生产混合物的方法
CN117355364A (zh) 2021-05-21 2024-01-05 默克专利有限公司 用于连续纯化至少一种功能材料的方法和用于连续纯化至少一种功能材料的装置
CN114315678B (zh) * 2021-11-24 2024-04-12 哈尔滨工业大学(深圳) 一种芳基双过氧酸及其制备方法和应用
CN114349587B (zh) * 2022-01-14 2024-02-23 浙江工业大学 一种合成9,9-螺二芴类化合物的方法
CN115286520A (zh) * 2022-08-19 2022-11-04 黑龙江省科学院石油化学研究院 一种空穴传输材料Spiro-OMeTAD的制备方法
CN115925685B (zh) * 2023-03-13 2023-05-16 南昌大学 一种三杂芳基叔胺及三杂芳基叔胺的合成方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3521770C2 (de) * 1984-06-28 1993-10-21 Basf Ag Verfahren zur Herstellung von Diarylalkoxyphosphinen
JP3161360B2 (ja) * 1996-04-19 2001-04-25 東ソー株式会社 アリールアミン類の製造方法
US5929281A (en) * 1996-04-19 1999-07-27 Tosoh Corporation Process for producing heterocyclic aromatic amine or arylamine
JP3216566B2 (ja) * 1996-07-15 2001-10-09 東ソー株式会社 複素環式芳香族アミン類の製造方法
DE19738860A1 (de) * 1997-09-05 1999-03-11 Hoechst Ag Verfahren zur Herstellung von Aryloligoaminen
JPH11322679A (ja) * 1998-05-08 1999-11-24 Tosoh Corp ビスアリールアミノフルオレン誘導体の製造方法
JP3975307B2 (ja) * 1998-06-18 2007-09-12 チッソ株式会社 ホスフィン類の製造法
DE60032936T2 (de) * 1999-11-30 2007-11-08 E.I. Du Pont De Nemours And Co., Wilmington Katalyse unter verwendung von phosphinoxid-verbindungen
US6124462A (en) * 1999-11-30 2000-09-26 E. I. Du Pont De Nemours And Company Catalysis using phosphine oxide compounds
DE10002561A1 (de) * 2000-01-19 2001-07-26 Syntec Ges Fuer Chemie Und Tec Verfahren zur Herstellung von Arylaminen

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9748492B2 (en) 2012-11-02 2017-08-29 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent device
US10388885B2 (en) 2012-11-02 2019-08-20 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent device

Also Published As

Publication number Publication date
WO2003037844A1 (de) 2003-05-08
DE50208864D1 (de) 2007-01-11
US7250519B2 (en) 2007-07-31
KR20050039720A (ko) 2005-04-29
US20050054854A1 (en) 2005-03-10
CN100381417C (zh) 2008-04-16
EP1442007A1 (de) 2004-08-04
KR100929517B1 (ko) 2009-12-03
DE10153450A1 (de) 2003-05-22
EP1442007B1 (de) 2006-11-29
JP2006502960A (ja) 2006-01-26
CN1582270A (zh) 2005-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4619656B2 (ja) アリールアミンの製造方法
JP6855083B2 (ja) 重水素化芳香族化合物の中間体及びこれを利用した重水素化芳香族化合物の調製方法
JP5164902B2 (ja) 9―アリール−10―ヨードアントラセン誘導体の合成方法及び発光材料の合成方法
JP5549879B2 (ja) ランダム共重合体
KR20140000693A (ko) 신규한 스피로비플루오렌 화합물
US7402717B2 (en) Method for producing olefin-substituted aromatic or heteroaromatic compounds
JP2001515879A (ja) アリールオリゴアミン類の調製法
JPH07101911A (ja) 新規なピレン誘導体ならびにその製造方法
JP6572498B2 (ja) フラーレン誘導体の製造方法
EP3495342B1 (en) Polymerizable triptycene derivative compound
KR20210082637A (ko) 중수소화 방향족 화합물의 제조 방법 및 이로부터 제조된 중수소화 방향족 화합물
CN113402525B (zh) 含有氰基芳香基的化合物、其合成方法、有机材料、功能层和有机电致发光器件
JP7429006B2 (ja) 電荷輸送性ポリマーの製造方法
CN114349609A (zh) 一种六苯并蔻二聚体的合成方法
JP2003277333A (ja) ハロトリアリールアミン類の製造法及びそれを用いたビニルトリアリールアミン類の製造法
CN115260057B (zh) 一种通过2,5-二硝基噻吩脱硫制备功能化的顺反式二氰基乙烯类化合物的改进方法
KR20240060025A (ko) N-아릴 아마이드 화합물의 제조방법
KR20220028658A (ko) 터페닐계 화합물의 제조 방법
CN116600588A (zh) 一种有机电致发光器件
JP2014084289A (ja) フルオレン誘導体の製造方法
JP2020122099A (ja) 電荷輸送性ポリマーの製造方法
CN117586169A (zh) 一种三取代羟胺类衍生物及其合成方法
JP6238290B2 (ja) N−ビニルアゾール類の製造方法
JP6238290B6 (ja) N−ビニルアゾール類の製造方法
KR20230035882A (ko) 유기 화합물의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20060602

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061121

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081021

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20090121

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20090128

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090223

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100302

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100526

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100615

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100903

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100928

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20101027

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131105

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees