JP4618951B2 - 信号伝送用フィルム、これを含む制御信号部及び液晶表示装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は信号伝送用フィルム、これを含む制御信号部及び液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置は現在最も広く用いられている平板表示装置の中の一つであって、電気場を生成する多数の電極が形成されている二枚の基板と二枚の基板の間の液晶層、それぞれの基板の外側面に付着されて光を偏光させる二枚の偏光板からなり、電極に電圧を印加して液晶層の液晶分子を再配列させることによって透過される光の量を調節する表示装置である。このような液晶表示装置の一つの基板には薄膜トランジスタが形成されているが、これは電極に印加される電圧をスイッチングする役割を果たす。
【０００３】
薄膜トランジスタが形成される基板の中央部には画面が表示される表示領域が位置する。表示領域には多数の信号線、つまり多数のゲート線及びデータ線が交差して形成されている。ゲート線とデータ線との交差で定義される画素領域には画素電極が形成されており、薄膜トランジスタはゲート線を通じて伝えられるゲート信号によってデータ線を通じて伝えられるデータ信号を制御して画素電極に伝送する。
【０００４】
表示領域の外にはゲート線とデータ線に各々連結されている多数のゲートパッド及びデータパッドが形成されており、このパッドは外部駆動集積回路と直接連結されて外部からのゲート信号及びデータ信号の印加を受けゲート線とデータ線に伝達する。
【０００５】
薄膜トランジスタ基板にこのようなゲート信号及びデータ信号を伝達するためにゲート用印刷回路基板及びデータ用印刷回路基板が異方性導電膜（ACF; anisotropic conducting film）を利用した熱圧着工程によって付着される。薄膜トランジスタ基板とデータ用印刷回路基板との間には、電気的な信号をデータ信号に変換してデータ線に出力するデータ駆動集積回路が実装されているデータ信号伝送用フィルムが連結されている。また、薄膜トランジスタ基板とゲート用印刷回路基板との間には、電気的な信号をゲート信号に変換してゲート線に出力するゲート駆動集積回路が実装されているゲート信号伝送用フィルムが連結されている。
【０００６】
この時、ゲート用印刷回路基板を使用せずに、データ用印刷回路基板でゲート信号を制御するゲート制御信号を出力し、このような信号を薄膜トランジスタ基板を通じてゲート信号伝送用フィルムに伝達することも可能である。
【０００７】
ゲート制御信号はゲート駆動集積回路が出力するゲートオン電圧（Von）とゲートオフ電圧（Voff）及び薄膜トランジスタ基板内のデータ電圧の差異に対する基準になる共通電圧（Vcom）を含む各種制御信号を含んでいる。
【０００８】
ゲート駆動集積回路に入力されるこのような各種ゲート制御信号は液晶表示装置駆動の時、互いに異なる大きさの電圧を有してゲート制御信号用連結配線を通じて伝達される。薄膜トランジスタ基板上に形成されたゲート制御信号用連結配線は互いに隣接するように並んで配置されているので、ゲートオン電圧のような高電圧を伝達する配線とゲートオフ電圧のような低電圧を伝達する配線が互いに隣接するように並んで配列されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このような配線の配置構造は液晶表示装置駆動の時、高電圧配線と低電圧配線との間に電位差を発生させるが、このような電位差は液晶表示装置の製造工程中、または使用中に浸透した水分と共にガルバニック電池原理による電気分解で高電圧配線に損傷を与えるなどの配線不良を招く。
【００１０】
本発明が目的とする技術的課題は、配線の損傷を防止する信号伝送用フィルム、これを含む制御信号部及び液晶表示装置を提供することである。
【００１１】
基板と、前記基板上に形成される第１信号配線及び第２信号配線を含む制御信号配線部と、前記基板に対応するフィルムと、前記フィルム上に形成され前記第１及び第２信号配線に各々接触し、第１信号電圧が印加される第１信号リード線及び前記第１信号電圧より小さい電圧の大きさを有する第２信号電圧が印加される第２信号リード線と、前記第１信号リード線と前記第２信号リード線との間に位置し、前記第１信号電圧が印加されるダミーリード線を含む制御信号伝送部と、前記基板上に、前記第１信号リード線、前記第２信号リード線及び前記ダミーリード線にそれぞれ対応して形成されている、第１信号配線、第２信号配線及びダミー配線と、を含み、前記ダミー配線は、前記第２信号配線を形成する導電物質より酸化傾向が小さい導電物質で形成される制御信号部を提供する。
【００１２】
前記ダミーリード線は、前記第１信号配線、前記第２信号配線及び前記ダミー配線を含む配線よりも厚く形成されている。
前記第１信号リード線、前記第２信号リード線及び前記ダミーリード線それぞれは、これに対応する前記第１信号配線、前記第２信号配線及び前記ダミー配線に一部分が重畳するように接触されている。
【００１３】
前記ダミー配線は前記第１信号配線と連結されている。
【００１４】
前記ダミー配線は前記第１信号配線と絶縁されている。
前記ダミー配線はＩＴＯまたはＩＺＯで形成される。
【００１５】
前記第１信号リード線が前記ダミーリード線まで拡張されて前記ダミーリード線と一体なす。
【００１６】
基板上に形成され、ゲート線、ゲート線に絶縁されて交差して画素領域を定義するデータ線、画素領域にゲート線とデータ線とに電気的に連結される薄膜トランジスタ、画素領域に薄膜トランジスタの一電極に連結される画素電極を含む画面表示部と、請求項１〜８のいずれかに記載の信号制御部と、を含む液晶表示装置を提供する。
【００１７】
前記制御信号伝送部のフィルムにはデータ駆動集積回路が実装されている。
前記制御信号伝送部のフィルムにはゲート駆動集積回路が実装されている。
【００１８】
前記第１信号電圧はゲートオン電圧または電源電圧である。
前記第２信号電圧はゲートオフ電圧または接地電圧である。
【００１９】
前記基板上に前記第１信号配線、前記第２信号配線及び前記ダミー配線を覆う絶縁膜、
前記絶縁膜に前記第１信号配線及び前記第２信号配線の一部を露出する接触孔、
前記接触孔を通じて前記第１信号配線及び前記第２信号配線に連結される補助パッドをさらに含み、
前記第１信号リード線及び前記第２信号リード線は前記接触孔の長さ方向に前記接触孔を十分に覆うように前記第１信号配線及び前記第２信号配線に接触する。
【００２０】
前記第１信号リード線及び前記第２信号リード線は前記接触孔の幅方向に前記接触孔の最小限一側辺を覆うように前記第１信号配線及び前記第２信号配線に接触する。
前記第１信号リード線及び前記第２信号リード線は前記接触孔の内部領域に位置して前記接触孔の両側辺を覆わないように形成される。
【００２１】
前記基板に連結されるゲート伝送用フィルムをさらに含み、
前記第１信号配線及び前記第２信号配線が、前記ゲート伝送用フィルムに電気的に連結される第１配線と前記制御信号伝送部に電気的に連結される第２配線とが接触されている構造で形成される。
【００２２】
前記第１配線と前記第２配線の接触構造は、前記基板上に前記第１配線が形成され、前記第１配線を覆う第１絶縁膜、前記第１絶縁膜に前記第１配線の一端を露出する第１接触孔をさらに含み、前記第１絶縁膜上に前記第１接触孔を通じて前記第１配線に連結される前記第２配線が形成されている。
【００２３】
前記第２配線を覆う第２絶縁膜、前記第２配線のパッドを露出する第２接触孔及び前記第１配線のパッドを露出する第３接触孔、前記第２及び第３接触孔を通じて前記第１配線のパッド及び前記第２配線のパッドを各々覆う補助パッドをさらに含む。
【００２４】
前記第１信号配線は、前記基板上にパッドを含んで形成される下層配線、前記下層配線上に形成される第１絶縁膜、前記第１絶縁膜上にパッドを含んで形成される上層配線、
前記上層配線を覆う第２絶縁膜、前記第１及び第２絶縁膜に前記下層配線を露出する第１接触孔及び前記第２絶縁膜に前記上層配線を露出する第２接触孔、前記第１及び第２接触孔を通じて前記下層配線のパッド及び前記上層配線のパッドに連結される補助パッドを含む。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図面を参照して本発明について詳細に説明する。
【００２６】
図１は薄膜トランジスタ基板にゲート制御用信号配線が形成されている液晶表示装置の配置構造を概略的に示した図面である。
【００２７】
カラーフィルター基板１００に合着されている薄膜トランジスタ基板２００の端部には、データ線１３０にデータ信号を印加するデータ駆動集積回路３１０及びゲート線１４０にゲート信号を印加するゲート駆動集積回路４１０が位置している。データ駆動集積回路３１０はデータ用印刷回路基板５００と薄膜トランジスタ基板２００を電気的に連結するデータ伝送用フィルム３００上に実装されており、ゲート駆動集積回路４１０は薄膜トランジスタ基板２００に電気的に連結されているゲート伝送用フィルム４００上に実装されている。
【００２８】
このようなゲート及びデータ信号伝送用フィルム３００、４００は異方性導電膜（ACF; anisotropic conducting film）を利用した熱圧着工程によって薄膜トランジスタ基板２００と電気的に連結される。この時、それぞれフィルム３００、４００に形成された信号リード線及び薄膜トランジスタ基板２００に形成された信号配線は一対一に対応し、異方性導電膜の導電粒子（図示せず）を通じて電気的に連結されている。
【００２９】
ゲート駆動集積回路４１０の駆動を制御するためのゲート制御信号はゲート制御信号連結配線部５２０を通じてゲート駆動集積回路４１０に伝達される。ゲート制御信号連結配線部５２０ではデータ用印刷回路基板５００、データ信号伝送用フィルム３００、薄膜トランジスタ基板２００及びゲート信号伝送用フィルム４００の各々に形成された配線が互いに電気的に連結されている。
【００３０】
ゲート駆動集積回路４１０はゲート制御信号によって調節されながら薄膜トランジスタ基板２００のゲート線１４０にゲート信号を伝達する。ゲート制御信号連結配線部５２０に表示された矢印はゲート制御信号の伝送方向を示す。
【００３１】
ゲート制御信号はゲート駆動集積回路４１０が出力するゲートオン電圧、ゲートオフ電圧、薄膜トランジスタ基板２００内のデータ電圧差の基準になる共通電圧（Vcom）、ゲートクロック（CPV）、初期垂直信号（START VERTICAL SIGNAL、STV）、ライン反転信号（LINE REVERSE SIGNAL、RVS）、ゲートオンイネーブル（GATE ON ENABLE、OE）、接地電圧（VGND）及び電源電圧（VDD）を含む各種制御信号を含むが、これらゲート制御信号はゲート駆動回路４１０の駆動を制御する。
【００３２】
このようなゲート制御信号で、ゲートオン電圧、電源電圧等は１０〜２５Ｖの電圧大きさを有し、ゲートオフ電圧、接地電圧等はＯＶ以下の電圧大きさを有するが、二つの電圧は約１０Ｖ以上の電圧差がある。
【００３３】
ゲートオン電圧のような高電圧を伝送する高電圧信号配線と高電圧信号配線が伝送する電圧に比べて相対的に小さい電圧を伝送する低電圧信号配線とを隣接するように配置すると、液晶表示装置を駆動する時二つの信号配線の間に高電圧と低電圧との電圧差に該当する電位差がかかる。
【００３４】
一方、液晶表示装置を製作及び用いる過程、特に湿気のある工程及び使用環境中に水分が配線周囲の端子部に浸透する場合が発生する。
【００３５】
水分は自体内にイオン粒子を含有しているが、そのうち陰イオン粒子は高電圧信号配線と低電圧信号配線との間にかかる電位差によって低電圧信号配線から高電圧信号配線にＡＣＦを電解質として移動する。高電圧信号配線は陰イオン粒子との電気化学的反応によってその一部が周囲の電解質に溶けて配線オープンが誘発されるなどの電気分解による損傷を受けるようになる。
【００３６】
このような電気分解による配線オープンは信号伝送用フィルム３００、４００と薄膜トランジスタ基板２００が付着される部分、特に"Ａ"領域と"Ｂ"領域に表示されている部分で多く発生する。
【００３７】
本発明は電気分解による高電圧信号配線の損傷を防止するために、陰イオン粒子が高電圧信号配線に移動することを防止しようとする。
【００３８】
これを次の図面を参照してさらに詳しく説明する。
【００３９】
図２は高電圧信号配線と低電圧信号配線とを隣接するように配置した場合における制御信号部の配置図を示した図面であり、図３は図２に示した切断線III−III'による断面図を示した図面である。
【００４０】
ゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３、２０４、２０５が形成されている薄膜トランジスタ基板２００と、ゲート制御信号リード線３０１、３０２、３０３、３０４、３０５が形成されているデータ伝送用フィルム３００とが、導電性粒子２５１と接着剤２５２からなる異方性導電膜２５０によって接着されている。薄膜トランジスタ基板２００のゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３、２０４、２０５とデータ伝送用フィルム３００のゲート制御信号リード線３０１、３０２、３０３、３０４、３０５は導電性粒子２５１によって電気的に連結されている。
【００４１】
データ伝送用フィルム３００で、２０Ｖ程度の高電圧、例えばゲートオン電圧を伝送する高電圧信号リード線３０１の一側には０Ｖ以下の低電圧、例えばゲートオフ電圧を伝送する低電圧信号リード線３０２が形成されており、高電圧信号リード線３０１の他の側には３Ｖ程度のゲート共通電圧を伝送する共通電圧リード線３０３が形成されている。そして、他の種類のゲート制御信号Ｖ１、Ｖ２を伝送するその他ゲート制御信号リード線３０４、３０５が形成されている。
【００４２】
共通電圧はゲートオン電圧に比べて低電圧になることがあるが、本明細書では共通電圧よりさらに低い電圧であるゲートオフ電圧を低電圧の一例として説明する。
【００４３】
薄膜トランジスタ基板２００にはこれらリード線３０１、３０２、３０３、４０４、３０５と一対一に対応して接触する高電圧信号配線２０１、低電圧信号配線２０２、共通電圧配線２０３及び他のゲート制御信号配線２０４、２０５が形成されている。
【００４４】
液晶表示装置駆動の時、ゲート制御信号はデータ伝送用フィルム３００のリード線３０１、３０２、３０３、３０４、３０５、薄膜トランジスタ基板２００の配線２０１、２０２、２０３、２０４、２０５及びゲート伝送用フィルム（図示せず）のリード線を通じてゲート駆動集積回路（図示せず）に入力される。
【００４５】
この過程で、ゲートオン電圧を伝送する高電圧信号リード線３０１及び高電圧信号配線２０１とゲートオフ電圧を伝送する低電圧信号リード線３０２及び低電圧信号配線２０２の間にはゲートオン電圧とゲートオフ電圧との差に該当する電位差がかかる。
【００４６】
一方、液晶表示装置を製作または使用する過程、特に湿気のある工程環境乃至使用環境中に水分が浸透して配線周囲の段差部に集中される。水分は自体内にイオン粒子を含有しているが、そのうち陰イオン粒子５００は高電圧信号配線２０１と低電圧信号配線２０２との間に発生する電位差によって低電圧信号配線２０２から高電圧信号配線２０１にＡＣＦを電解質として移動する。高電圧信号配線２０１は陰イオン粒子との電気化学的反応によってその一部が周囲の電解質に溶けて配線オープンが誘発される等電気分解による損傷を受ける。
【００４７】
しかし、薄膜トランジスタ基板の高電圧信号配線と低電圧信号配線との間に位置するリード線を有する制御信号伝送用フィルムを用いる場合、このリード線は陰イオン粒子が高電圧信号配線に移動することを防止する障壁役割を果たす。その結果、制御信号伝送用フィルムと薄膜トランジスタ基板に接着される制御信号部に水分が浸透しても、陰イオン粒子が高電圧信号配線に到達できなないため高電圧信号配線を溶かすことができなくなる。
【００４８】
これを次の本発明の実施例を通じて詳細に説明する。
【００４９】
図４は本発明の第１実施例による制御信号部の配線配置図の一部を示した図面であり、図５は図４に示した切断線V−V'による断面図を示した図面である。
【００５０】
ゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３が形成されている薄膜トランジスタ基板２００とゲート制御信号リード線３０１、３０２、３０３及び高電圧ダミーリード線３１０、３２０が形成されているデータ伝送用フィルム３００が導電性粒子２５１と接着剤２５２からなる異方性導電膜２５０によって接着されている。薄膜トランジスタ基板２００のゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３とデータ伝送用フィルム３００のゲート制御信号リード線３０１、３０２、３０３は異方性導電膜２５０内の導電性粒子２５１を通じて電気的に連結されている。
【００５１】
データ伝送用フィルム３００には、ゲートオン電圧を伝送する高電圧信号リード線３０１、ゲートオフ電圧を伝送する低電圧信号リード線３０２、ゲート共通電圧を伝送する共通電圧信号リード線３０３が形成されており、高電圧信号リード線３０１の両側にはゲートオン電圧と同一大きさの電圧を伝送する高電圧ダミーリード線３１０、３２０が形成されている。
【００５２】
そして、薄膜トランジスタ基板２００には高電圧信号配線２０１、低電圧信号配線２０２及び共通電圧信号配線２０３が形成されている。これら配線２０１、２０２、２０３は高電圧信号リード線３０１、低電圧信号リード線３０２及び共通電圧信号リード線３０３と一対一対応で接触している。薄膜トランジスタ基板２００には高電圧ダミーリード線３１０、３２０に対応される配線は形成されていない。
【００５３】
データ伝送用フィルム３００のリード線３０１、３０２、３０３、３１０、３２０はデータ伝送用フィルムのための高分子フィルム上にプリント工程によって数〜数十μｍの厚さで薄膜トランジスタ基板２００の信号配線２０１、２０２、２０３より顕著に厚く形成される。データ伝送用フィルム３００と薄膜トランジスタ基板２００が異方性導電膜２５０を媒介として熱圧着によって付着される時、高電圧ダミーリード線３１０、３２０がある異方性導電膜２５０の接着剤２５２部分はその組織が厚いリード線３１０、３２０に押されながら圧着されるが、この時、陰イオン粒子の移動が阻止できるほど組織が稠密になる。従って、高電圧ダミーリード線３１０、３２０はその周辺に存在する陰イオンの移動を防止する障壁役割を果たす。
【００５４】
液晶表示装置を駆動する時、ゲート制御信号はデータ伝送用フィルム３００のリード線３０１、３０２、３０３、薄膜トランジスタ基板２００の配線２０１、２０２、２０３及びゲート伝送用フィルム（図示せず）のリード線（図示せず）を通じてゲート駆動集積回路（図示せず）に入力される。
【００５５】
この過程で、ゲートオン電圧を伝送する高電圧信号リード線３０１（または、高電圧信号配線２０１）と高電圧ダミーリード線３１０、３２０は同一な大きさの電圧を伝送して、高電圧信号リード線３０１（または、高電圧信号配線３０１）と高電圧ダミーリード線３１０、３２０との間、つまり高電圧信号配線３０１の周辺空間は等電位がかかるようになる。また、低電圧信号リード線３０２（または、低電圧信号配線２０２）にはゲートオフ電圧のような低電圧を伝送して、低電圧信号リード線３０２（または、低電圧信号配線２０２）と高電圧ダミーリード線３１０、３２０との間にはゲートオン電圧とゲートオフ電圧との差に該当する電位差がかかる。
【００５６】
一方、液晶表示装置を製作または使用する過程、特に湿気のある工程環境乃至使用環境中に浸透された水分のうちの陰イオン粒子５００は高電圧ダミーリード線３１０と低電圧信号リード線（または、低電圧信号配線２０２）の間にかかる電位差によって低電圧信号配線２０２から高電圧ダミーリード線３１０にＡＣＦを電解質として移動する。
【００５７】
この時、陰イオン粒子５００と高電圧ダミーリード線３１０、３２０の電気化学的反応によって高電圧ダミーリード線３１０、３２０の一部が周囲の電解質に溶けることがある。しかし、高電圧ダミーリード線３１０、３２０が十分に厚いために、充分な陽イオンを陰イオン粒子に供給できるので殆ど腐食されない。
【００５８】
高電圧ダミーリード線３１０、３２０に移動した陰イオン粒子は高電圧ダミーリード線３１０、３２０にふさがってそれ以上移動できなくなる。つまり、高電圧ダミーリード線３１０、３２０は高電圧信号配線２０１と低電圧信号配線２０２との間に位置し、浸透された水分内の陰イオン粒子５００が電位差によって高電圧信号配線２０１に移動することを防止する。
【００５９】
また、高電圧信号配線２０１の周辺に浸透した陰イオン粒子５００は高電圧信号リード線３０１（または、高電圧信号配線２０１）と高電圧ダミーリード線３１０、３２０との間にかかる等電位によって、高電圧信号配線２０１の周辺空間で移動方向を失ってフローティング（floating）する。
【００６０】
従って、高電圧信号配線が陰イオン粒子と電気化学反応を起こす場合は殆どなく、高電圧信号配線は液晶表示装置駆動時にも、陰イオン粒子による損傷を受けない。
【００６１】
上述した本発明の第１実施例による制御信号部では、データ制御信号伝送用フィルム３００に形成された高電圧ダミーリード線３１０、３２０がそれに隣接する高電圧信号リード線３０１と分離されているが、高電圧信号リード線３０１の面積を高電圧ダミーリード線３１０、３２０がある部分にまで拡張させて高電圧信号リード線３０１と高電圧ダミーリード線３１０、３２０を一体に形成することができる。この場合、高電圧信号配線２０１の周辺部に拡張された高電圧信号リード線３０１が位置するが、陰イオン粒子が拡張された高電圧信号リード線３０１に移動して高電圧信号リード線３０１と反応しても、高電圧信号リード線３０１が顕著に大きくてて広くなったために、充分な陽イオンを陰イオン粒子に供給できて殆ど腐食されない。
【００６２】
一方、本発明の第１実施例による制御信号部とは異なって、図６及び図７に示した本発明の第２実施例による制御信号部のように、データ伝送用フィルム３００の高電圧ダミーリード線３１０、３２０に対応される高電圧ダミー配線２１０、２２０が薄膜トランジスタ基板２００に形成することが可能である。この場合には、高電圧信号配線２０１の周辺にさらに広い等電位領域が形成されるという長所がある。
【００６３】
この時、高電圧ダミー配線２１０、２２０は図６に示したように、同一な電圧を伝送する高電圧信号配線２０１とは連結されないように形成することができ、これとは異なって、少なくとも一つの高電圧ダミー配線が高電圧信号配線２０１に連結されるように形成することもできる。高電圧ダミー配線２１０、２２０が高電圧信号配線２０１に連結されるように形成する場合には、高電圧ダミー配線２１０、２２０は高電圧信号配線２０１の冗長（redundancy）配線になる。
【００６４】
薄膜トランジスタ基板に形成される高電圧ダミー配線は通常の金属物質、例えばゲート配線またはデータ配線形成用導電物質で形成することができる。この時、高電圧ダミー配線は低電圧信号配線を形成する金属物質より酸化傾向が小さい導電物質、例えば銅系列、銀系列、クロム系列またはモリブデン系列または窒化クロムまたは窒化モリブデンで形成されるのが電気分解にあまり影響を受けないので有利である。または、高電圧ダミー配線がＩＴＯやＩＺＯのように酸化されている導電物質で形成される場合にも陰イオン粒子による反応を減らすことができて有利である。
【００６５】
データ伝送用フィルム３００の高電圧ダミーリード線３１０、３２０は高電圧信号配線２０１とこれに隣接する低電圧信号配線２０２の間に発生する電位差による電気分解を防止するために形成されるので、低電圧信号配線２０２が高電圧信号配線２０１の一側にだけある場合には低電圧信号配線２０２がある側にだけ高電圧ダミーリード線を形成することも可能である。
【００６６】
上述した本発明の第１及び第２実施例による制御信号部では、ゲートオン電圧を伝送するリード線を高電圧信号リード線の一例とし、ゲートオフ電圧を伝送するリード線を低電圧信号リード線の一例とした。しかし、ゲート制御信号リード線のうち高電圧信号リード線としてはゲートオン電圧を伝送するリード線以外に電源電圧（Vdd）を伝送するリード線などが他の例でありえ、低電圧信号リード線としては接地電圧（VGND）を伝送するリード線などが他の例でありうる。
【００６７】
上述した本発明の第１及び第２実施例による制御信号部では、データ伝送用フィルムを使用する制御信号部を一例として本発明を説明したが、ゲート伝送用フィルムを使用する制御信号部にも本発明を同一に適用することができる。
【００６８】
上述した本発明の第１及び第２実施例ではゲート制御信号が入力されるゲート制御信号配線部分にだけ説明したが、データ制御信号が入力されるデータ制御信号配線が基板に形成される場合にも本発明を同一に適用することができる。また、本発明は二つの配線の間の電圧差と浸透された水分によって発生する電気分解によって引き起こされる配線の溶出を防止するための全ての例に適用が可能である。
【００６９】
以下、このような制御信号部の構造を含む液晶表示装置について説明する。
【００７０】
図８は本発明の第３実施例による液晶表示装置の配置図を示したものであって、図９は図８に示した切断線IX−IX'に沿って示した断面図である。
【００７１】
本発明の第３実施例による液晶表示装置はゲート制御信号部でゲート制御信号を伝送する信号配線がデータ配線形成用導電物質で形成され、高電圧ダミーリード線に対応する高電圧ダミー配線を形成しない場合を例として示した。
【００７２】
絶縁基板１０上にゲート電極２２を有するゲート線２０、ゲート線２０の一端に連結されるゲートパッド２１を含むゲート配線２０、２１、２２が形成されている。
【００７３】
ゲート線２０は横方向にのびており、ゲート駆動集積回路（図示せず）から出力されるゲート信号を画素領域に伝達する。ゲート配線２０、２１、２２は銅系列、アルミニウム系列、クロム系列またはモリブデン系列または窒化クロムまたは窒化モリブデンのような通常の導電物質で単一膜または多層膜に形成することができる。
【００７４】
絶縁基板１０上にはゲート配線２０、２１、２２を覆う窒化シリコンまたは酸化シリコンなどのような絶縁物質からなるゲート絶縁膜３０が形成されている。
【００７５】
ゲート絶縁膜３０上にはゲート電極２２に対応する位置に非晶質シリコンからなる半導体層４０が形成されている。
【００７６】
ゲート絶縁膜３０上には縦方向にのびてゲート線２０に交差して画素領域を定義するデータ線６０、データ線６０の一端に形成されるデータパッド６１、データ線６０で突出されて半導体層４０に接触するソース電極６２、ソース電極６２に対応して半導体層４０に接触するドレーン電極６３を含むデータ配線６０、６１、６２、６３が形成されている。
【００７７】
また、ゲート絶縁膜４０上にはゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３が形成されている。ゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３はゲートオン電圧のような高電圧を伝送する高電圧信号配線２０１、ゲートオフ電圧のような低電圧を伝送する低電圧信号配線２０２及び共通信号電圧を伝送する共通電圧信号配線２０３を含む。
【００７８】
ゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３はゲート制御信号線及びゲート制御信号線の両端に形成されるゲート制御信号パッドを含む。ゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３はその一端が薄膜トランジスタ基板２００の上部面に位置してデータ伝送用フィルム３００のリード線３０１、３０２、３０３と接触できるように形成されており、他の一端は薄膜トランジスタ基板２００の左側面に位置してゲート伝送用フィルム４００のリード線４０１、４０２、４０３と接触できるように形成されている。
【００７９】
このような構造によって、データ伝送用フィルム３００のリード線３０１、３０２、３０３を通じて伝えられるゲート制御信号は薄膜トランジスタ基板２００のゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３及びゲート伝送用フィルム４００のリード線４０１、４０２、４０３を通じてゲート駆動直接回路（図示せず）に伝達される。
【００８０】
データ配線６０、６１、６２、６３とゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３は銅系列、アルミニウム系列、クロム系列またはモリブデン系列または窒化クロムまたは窒化モリブデンのような通常の導電物質で単一膜または多層膜に形成することができる。
【００８１】
半導体層４０とソース電極６２との間または半導体層４０とドレーン電極６３との間には不純物がドーピングされた非晶質シリコンなどからなる抵抗性接触層５１、５２が介されている。
【００８２】
そして、データ配線６０、６１、６２、６３、ゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３及び半導体層４０を含む基板の前面には窒化シリコンまたは酸化シリコンのような絶縁物質からなる保護膜７０が形成されている。
【００８３】
保護膜７０にはドレーン電極６３を露出する接触孔７１、データパッド６１を露出する接触孔７３、ゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３の両端に位置するパッドを露出する接触孔（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３）が各々形成されている。
【００８４】
そして、保護膜７０上には接触孔７１を通じてドレーン電極６３に連結されて画素領域に形成される画素電極８０、他の接触孔７２を通じてゲートパッド２１に連結されるゲート補助パッド８１、他の接触孔７３を通じてデータパッド６１に連結されるデータ補助パッド８２が形成されている。
【００８５】
また、保護膜７０上には接触孔（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３）を通じてゲート制御信号連結配線２０１、２０２、２０３の両端に位置するパッドに連結されるゲート制御信号部の補助パッド８３、８５、８７が各々形成されている。
【００８６】
このように形成された薄膜トランジスタ基板２００にゲート駆動集積回路（図示せず）を実装したゲート伝送用フィルム４００とデータ駆動集積回路（図示せず）を実装したデータ伝送用フィルム３００が異方性導電膜２５０によって付着されている。
【００８７】
データ伝送用フィルム３００にはデータ信号を伝送するデータ信号リード線３５０と、ゲート駆動集積回路の駆動を制御するためのゲート制御信号を伝送するゲート制御信号リード線３０１、３０２、３０３が形成されている。
【００８８】
データ信号リード線３５０は絶縁基板１０上に形成されたデータパッド８２に電気的に接触し、データパッド８２に連結されるデータ線６０にデータ信号を伝達する。そして、ゲート制御信号リード線３０１、３０２、３０３は絶縁基板１０の上部面上に形成されたゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３のパッドに電気的に接触されて、ゲート制御信号連結配線２０１、２０２、２０３にゲート制御信号を伝達する。
【００８９】
また、データ伝送用フィルム３００には薄膜トランジスタ基板２００との付着時、高電圧信号配線２０１と低電圧信号配線２０２または他の信号配線２０３の間に位置する高電圧ダミー信号リード線３１０、３２０が形成されている。
【００９０】
データ伝送用フィルム３００のリード線３０１、３０２、３０３、３１０、３２０は高分子フィルム上にプリント工程によって形成され、数〜数十μｍの厚さを有するが、薄膜トランジスタ基板２００の数百〜数千Å厚さの信号配線２０１、２０２、２０３より顕著に厚い。データ伝送用フィルム３００と薄膜トランジスタ基板２００が異方性導電膜２５０を媒介として、熱圧着によって付着される時、高電圧ダミーリード線３１０、３２０がある異方性導電膜２５０の接着剤２５２部分はその組織が厚いリード線３１０、３２０に押されながら圧着されるが、この時、陰イオン粒子の移動が阻止できるほど組織が細かくなる。従って、高電圧ダミーリード線３１０、３２０はその周辺に存在する陰イオンの移動を防止する障壁役割を果たす。
【００９１】
また、高電圧ダミーリード線３１０、３２０は高電圧信号配線２０１の周辺部に等電位をかけるようにするために、高電圧信号配線２０１が伝送する電圧と同一な大きさの電圧を伝送する。
【００９２】
ゲート伝送用フィルム４００には、ゲート信号を伝送するゲート信号リード線４５０と薄膜トランジスタ基板２００に形成されたゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３からゲート制御信号の伝達を受けてゲート駆動集積回路（図示せず）に伝送するゲート制御信号リード線４０１、４０２、４０３が形成されている。
【００９３】
ゲート制御信号リード線４０１、４０２、４０３は基板の左側面上に形成されたゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３のパッドに電気的に接触されて、ゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３を通じてゲート制御信号を受ける。
ゲート伝送用フィルム４００のゲート制御信号リード線４０１、４０２、４０３を通じて入ったゲート制御信号はゲート伝送用フィルム４００上に実装されたゲート駆動集積回路（図示せず）に入力されてゲート駆動集積回路の駆動を制御する。
【００９４】
ゲート信号リード線４５０は薄膜トランジスタ基板２００上に形成されたゲートパッド８２に電気的に接触し、ゲート駆動集積回路から出るゲート信号をゲートパッド８１に連結されるゲート線２０にゲート信号を伝達する。
【００９５】
また、ゲート伝送用フィルム４００にはデータ伝送用フィルム３００の高電圧ダミーリード線３１０、３２０と同一種類の高電圧ダミーリード線４１０、４２０が形成されている。
【００９６】
ゲート伝送用フィルム４００とこれに対応する薄膜トランジスタ基板２００がなす制御信号部の構成と動作はデータ伝送用フィルム３００とこれに対応する薄膜トランジスタ基板２００がなす制御信号部のそれと同一であるので、これに関する説明は省略する。
【００９７】
液晶表示装置の駆動時、ゲート制御信号はデータ伝送用フィルム３００のリード線３０１、３０２、３０３、薄膜トランジスタ基板２００の配線２０１、２０２、２０３及びゲート伝送用フィルム４００のリード線４０１、４０２、４０３を通じてゲート駆動集積回路（図示せず）に入力される。
【００９８】
この過程で、ゲートオン電圧を伝送する高電圧信号リード線３０１（または、高電圧信号配線２０１）と高電圧ダミーリード線３１０、３２０は同一な大きさの電圧を伝送して、高電圧信号リード線３０１（または、高電圧信号配線２０１）と高電圧ダミーリード線３１０、３２０の間には等電位がかかるようになる。
また、低電圧信号リード線３０２（または、低電圧信号配線２０２）はゲートオフ電圧のような低電圧を伝送し、低電圧信号リード線３０２（または、低電圧信号配線２０２）と高電圧ダミーリード線３１０、３２０の間にはゲートオン電圧とゲートオフ電圧の差異に該当する電位差がかかる。
【００９９】
一方、液晶表示装置を製作または使用する過程、特に湿気のある工程環境乃至使用環境中に浸透された水分のうち陰イオン粒子５００は高電圧ダミーリード線３１０と低電圧信号リード線３０２（または、低電圧信号配線２０２）の間にかかる電位差によって低電圧信号配線２０２から高電圧ダミーリード線３１０にＡＣＦを電解質として移動する。
【０１００】
この時、陰イオン粒子５００と高電圧ダミーリード線３１０、３２０の電気化学的反応によって高電圧ダミーリード線３１０、３２０の一部が周囲の電解質に溶けることができる。しかし、高電圧ダミーリード線３１０、３２０が十分に厚いために、充分な陽イオンを陰イオン粒子に供給することができて殆ど腐食されない。
【０１０１】
高電圧ダミーリード線３１０、３２０に移動した陰イオン粒子は高電圧ダミーリード線３１０、３２０にふさがれてそれ以上移動できなくなる。つまり、高電圧ダミーリード線３１０、３２０は高電圧信号配線２０１と低電圧信号配線２０２との間に位置して、浸透した水分内の陰イオン粒子５００が電位差によって高電圧信号配線２０１に移動することを防止する。
【０１０２】
また、高電圧信号配線２０１の周辺に浸透した陰イオン粒子５００は高電圧信号リード線３０１（または、高電圧信号配線２０１）と高電圧ダミーリード線３１０、３２０の間にかかる等電位によって、高電圧信号配線２０１の周辺空間で移動方向を失ってフローティングされる。
【０１０３】
従って、高電圧信号配線が陰イオン粒子と電気化学反応を起こす場合は殆どなく、高電圧信号配線は液晶表示装置駆動時にも、陰イオン粒子による損傷を受けない。
【０１０４】
上述した本発明の第３実施例による液晶表示装置では、薄膜トランジスタ基板２００にデータ及びゲート伝送用フィルム３００、４００の高電圧ダミーリード線３１０、３２０、４１０、４２０に対応される配線が形成されない場合を例としたが、図１０と図１１に示したような本発明の第４実施例による液晶表示装置でのように、高電圧ダミーリード線３１０、３２０に対応される高電圧ダミー配線２１０、２２０が薄膜トランジスタ基板２００に形成される場合にも本発明を適用することができる。
【０１０５】
次に説明する本発明の第４実施例による液晶表示装置はゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３がデータ配線６０、６１、６２、６３形成用導電物質で形成され、高電圧ダミー配線２１０、２２０が画素電極８０形成用導電物質、例えばＩＴＯまたはＩＺＯで形成された例を示したものである。
【０１０６】
図１０は本発明の第４実施例による液晶表示装置の配置図を示した図面であり、図１１は図１０に示した切断線XI−XI'に沿って示した断面図である。
【０１０７】
本発明の第３実施例による液晶表示装置と比較して、画面表示部は同一である反面、ゲート制御信号部の構造は異なる。画面表示部は本発明の第３実施例で説明した通りであるのでこの部分に関する説明を省略し、構造が異なるゲート制御信号部についてだけ説明する。
【０１０８】
絶縁基板２００にゲート絶縁膜３０が形成されており、ゲート絶縁膜３０上にデータ配線２０、２１、２２、２３形成用導電物質からなるゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３が形成されている。ゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３はゲート制御信号線とゲート制御信号線の両端に連結されるゲート制御信号パッドを含む。
【０１０９】
そして、ゲート絶縁膜３０上にはゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３を覆う保護膜７０が形成されている。
【０１１０】
保護膜７０にはゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３の各パッドを露出する接触孔（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３）が各々形成されている。そして、保護膜７０上には接触孔（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３）を通じてゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３のパッドに連結されるゲート制御信号補助パッド８５、８３、８７が形成されている。
【０１１１】
また、保護膜７０上にはゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３のうち高電圧信号配線２０１の両側に位置する高電圧ダミー配線２１０、２２０が形成されている。高電圧ダミー配線２１０、２２０は異方性導電膜２５０の導電粒子２５１によってデータ伝送用フィルム３００の高電圧ダミーリード線３１０、３２０と電気的に連結されている。この高電圧ダミー配線２１０、２２０は画素電極８０形成物質、例えばＩＴＯまたはＩＺＯのような透明導電物質で形成されている。
【０１１２】
本発明の第４実施例による液晶表示装置でのように、高電圧ダミー配線２１０、２２０がＩＴＯやＩＺＯで形成される場合には、高電圧ダミー配線２１０、２２０によって高電圧信号配線２０１が電気分解によって損傷を受けることを防止することができる外に、高電圧ダミー配線２１０、２２０も電気分解による損傷の恐れが大きくないとの長所がある。
【０１１３】
このように、高電圧ダミー配線が形成される場合には高電圧ダミー配線２１０、２２０の存在によって高電圧信号配線２０１周辺にかかる等電位領域をさらに広く形成することができる。この時、高電圧ダミー配線２１０、２２０は図面に示したように、高電圧信号配線２０１とは連結されないように形成することもでき、これとは異なって、少なくとも一つの高電圧ダミー配線２１０、２２０が高電圧信号配線２０１に連結されるように形成されるすることもできる。高電圧ダミー配線２１０、２２０が高電圧信号配線２０１に連結されるように形成される場合には、高電圧ダミー配線２１０、２２０が高電圧信号配線２０１の冗長配線になる。
【０１１４】
高電圧ダミー配線２１０、２２０は通常の金属物質、例えばゲート配線またはデータ配線形成用導電物質で形成されることができる。この時、高電圧ダミー配線２１０、２２０は低電圧信号配線を形成する導電物質より酸化傾向が小さい導電物質、例えば銅系列、銀系列、クロム系列またはモリブデン系列または窒化クロムまたは窒化モリブデンで形成されるのが電気分解に影響をあまり受けないので有利である。また、高電圧ダミー配線がＩＴＯやＩＺＯのように酸化されている導電物質で形成される場合にも陰イオン粒子による反応を減らすことができて有利である。
【０１１５】
高電圧ダミー配線２１０、２２０は基板２００の上部面に位置してデータ伝送用フィルム３００に連結される部分と基板２００の左側面に位置してゲート伝送用フィルム４００に連結される部分を連結して一つの配線で形成されることができる。
【０１１６】
また、高電圧ダミー配線２１０、２２０は高電圧信号配線２０１とこれに隣接する低電圧信号配線２０２の間に発生する電位差による電気分解を防止するために形成されるものであるので、低電圧信号配線２０２が高電圧信号配線２０１の一側にだけある場合には低電圧信号配線２０２がある側にだけ高電圧ダミー配線を形成することも可能である。
【０１１７】
上述した本発明の実施例による液晶表示装置では、ゲートオン電圧を伝送する配線を高電圧信号配線の一例とし、ゲートオフ電圧を伝送する配線を低電圧信号配線の一例とした。しかし、ゲート制御信号配線のうち高電圧信号配線としてはゲートオン電圧を伝送する配線以外に電源電圧を伝送する配線などが他の例でありえ、低電圧信号配線としては接地電圧を伝送する配線などが他の例であり得る。
【０１１８】
上述した本発明の実施例による液晶表示装置では、薄膜トランジスタ基板２００でゲート制御信号が入力されるゲート制御信号配線部分だけについて説明したが、データ制御信号が入力されるデータ制御信号配線が薄膜トランジスタ基板に形成される場合にも本発明を同一に適用することができる。また、本発明は二つの配線の間にかかる電位差によって発生する電気分解に引き起こされる配線の溶出を防止するための全ての例に適用が可能である。
【０１１９】
本発明の実施例で、データ用伝送フィルム３００とゲート伝送用フィルム４００に連結されるように形成されるゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３はデータ配線形成用導電物質で形成されたものを例としたが、ゲート配線形成用導電物質で形成されるものも可能である。
【０１２０】
一方、制御信号部において、伝送用フィルムの信号リード線と薄膜トランジスタ基板の信号配線の重畳構造に関する説明は以下の通りである。
【０１２１】
図１２は信号リード線と信号配線の重畳状態を示す配置図であり、図１３は図１２に示した切断線XIII-XIII'に沿って示した断面図である。
【０１２２】
薄膜トランジスタ基板には、絶縁基板１０上に第１絶縁膜、例えばゲート絶縁膜３０が形成されており、ゲート絶縁膜３０上には高電圧信号配線２０１及び高電圧ダミー配線２１０、２２０を含む信号配線２０１、２１０、２２０が形成されている。そして、信号配線２０１、２１０、２２０上には第２絶縁膜、例えば保護膜７０が形成されており、保護膜７０には信号配線２０１、２１０、２２０の一部を各々露出する接触孔（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３）が形成されている。保護膜７０上にはそれぞれの接触孔（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３）を通じてそれぞれの信号配線２０１、２１０、２２０に連結される補助パッド８５、８６、８７が形成されている。
【０１２３】
このような薄膜トランジスタ基板に信号伝送用フィルム３００を付着する場合に、高電圧信号リード線３０１は高電圧信号配線２０１に接触される。
【０１２４】
接触孔を覆う膜は接触孔部分に位置する段差を有している。このような段差部分を補助パッドが完全に覆えないために水分が段差部に集中的に分布されるようになり、さらに、信号配線を損傷させる。従って、高電圧信号リード線３０１が接触孔（Ｃ１）を十分に覆うように形成するのが有利である。高電圧信号リード線３０１は接触孔（Ｃ１）の長さ方向に接触孔（Ｃ１）を完全に覆うことが有利である。
【０１２５】
しかし、高電圧信号リード線３０１が接触孔（Ｃ１）の幅方向に接触孔（Ｃ１）を完全に覆わなくてもいい。高電圧信号配線２０１が高電圧信号リード線３０１に遮らずその側部分が露出されても、高電圧信号配線２０１の周辺部は等電位がかかるので、陰イオン粒子は高電圧信号配線２０１に到達しないだけでなく高電圧信号配線２０１と反応することは殆どないためである。
【０１２６】
このようなリード線と信号配線の重畳構造は高電圧信号リード線と高電圧信号配線の重畳にだけ限定されず、全てのリード線と信号配線の重畳にその適用が可能である。図１２と図１３で高電圧ダミーリード線３１０、３２０と高電圧ダミー配線２１０、２２０が重なる部分で高電圧ダミーリード線３１０、３２０が接触孔（Ｃ２、Ｃ３）を長さ方向には全て覆い、幅方向には一部だけ覆うように位置することを見ることができる。
【０１２７】
図１４は信号リード線と信号配線の重畳状態を示す他の配置図であり、図１５は図１４に示した切断線XV-XV'に沿って示した断面図である。
【０１２８】
薄膜トランジスタ基板には絶縁基板１０上に第１絶縁膜、例えばゲート絶縁膜３０が形成されており、ゲート絶縁膜３０上には高電圧信号配線２０１が形成されている。そして、高電圧信号配線２０１上には第２絶縁膜、例えば保護膜７０が形成されており、保護膜７０には高電圧信号配線２０１を露出する接触孔（Ｃ１）が形成されている。そして、保護膜７０上には接触孔（Ｃ１）を通じて高電圧信号配線２０１に連結される補助パッド８５が形成されており、補助パッド８５の両側には高電圧ダミー配線２１０、２２０が形成されている。
【０１２９】
このような薄膜トランジスタ基板２００に信号伝送用フィルム３００を付着する時にも、リード線が信号配線を露出する接触孔を長さ方向には全て覆っても幅方向には一部だけを覆うようにすることができる。
【０１３０】
図面には高電圧信号リード線３０１が高電圧信号配線２０１を露出する接触孔（Ｃ１）の内部領域に位置し、高電圧信号配線２０１の両側部分を露出している。
【０１３１】
高電圧ダミー配線２１０、２２０は保護膜７０上に画素電極形成用導電物質で形成されるものの、前面が露出されていて高電圧ダミーリード線３１０、３２０によって幅方向に完全に覆われている。
【０１３２】
一方、データ制御信号伝送用フィルム３００に形成された高電圧ダミーリード線３１０、３２０がそれに隣接する高電圧信号リード線３０１と分離されているが、高電圧信号リード線３０１の面積を高電圧ダミーリード線３１０、３２０がある部分にまで拡張させて高電圧信号リード線３０１と高電圧ダミーリード線３１０、３２０を一体に形成することができる。この場合、高電圧信号配線２０１の周辺部に拡張された高電圧信号リード線３０１が位置するが、陰イオン粒子が拡張された高電圧信号リード線３０１に移動して高電圧信号リード線３０１と反応しても、高電圧信号リード線３０１が顕著に大きくて広くなったために、充分な陽イオンを陰イオン粒子に供給できて殆ど腐食されない。
【０１３３】
ゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３を二つ以上の配線に分離して互いに連結される構造で形成することができる。信号制御配線を二つ以上の配線に分離して互いに連結される構造で形成する場合には、一つの配線はゲート配線形成用導電物質で形成され、他の一つの配線はデータ配線形成用導電物質で形成されるようにして二つの配線が連結されるようにすることができる。このような信号制御配線の構造は制御信号部での高電圧ダミー配線にもその適用が可能である。
これを図１６及び図１７を参照して後述する。
【０１３４】
図１６はゲート制御信号配線のうち一つのゲート制御信号配線の平面構造を示した図面であり、図１７は図１６に示した切断線XVII-XVII'による断面構造を示した図面である。
【０１３５】
絶縁基板１０上にゲート配線形成用導電物質からなる第１信号配線２０８が第１方向にのびている。第１信号配線２０８の一端に形成されるパッドはデータ伝送用フィルム３００のリード線に連結できるように基板の上部面に位置する。
【０１３６】
絶縁基板１０上にはこのような第１信号配線２０８を覆う窒化シリコンまたは酸化シリコンなどからなるゲート絶縁膜３０が形成されている。
【０１３７】
ゲート絶縁膜３０には第１信号配線２０８のパッドが位置しない他の一端を露出する接触孔３２が形成されている。
【０１３８】
そして、ゲート絶縁膜３０上にはデータ配線形成用導電物質からなる第２信号配線２０９が第２方向にのびている。第２信号配線２０９の一端に形成されるパッドはゲート伝送用フィルム４００のリード線に連結できるように基板の左側面に位置する。第２信号配線２０９は接触孔３２を通じて第１信号配線２０８と連結されていて、データ伝送用フィルム３００からゲート制御信号を受けてゲート伝送用フィルム４００に伝達する。
【０１３９】
ゲート絶縁膜３０上には第２信号配線２０９を覆う窒化シリコンまたは有機膜からなる保護膜７０が形成されている。
【０１４０】
保護膜７０には第２信号配線２０９のパッドを露出する接触孔（Ｃ９）が形成されており、ゲート絶縁膜３０と共に第１信号配線２０８のパッドを露出する接触孔（Ｃ８）が形成されている。
【０１４１】
保護膜７０上には接触孔（Ｃ８）を通じて第１信号配線２０８のパッドに連結される第１信号補助パッド８８と接触孔（Ｃ９）を通じて第２信号配線８９のパッドに連結される第２信号補助パッド２０９が形成されている。
【０１４２】
上述した構造を有する制御信号部の上部にデータ伝送用フィルム３００を付着する時には、データ伝送用フィルム３００のリード線３０８と第１信号補助パッド８８を対応するように整列させた後、異方性導電膜２５０を通じた熱圧着工程によってリード線３０８と第１信号補助パッド８８を付着させる。データ伝送用フィルム３００のリード線３０８と第１信号補助パッド８８は導電粒子２５１によって電気的に連結される。また、同一方法でゲート伝送用フィルム４００のリード線４０９と第２信号補助パッド８９を対応するように整列させた後、異方性導電膜２５０を通じた熱圧着工程によってリード線３０９と第２信号補助パッド８９を付着させる。ゲート伝送用フィルム４００のリード線４０９は導電粒子２５１によって電気的に連結される。
【０１４３】
一方、上述した本発明の実施例で、データ及びゲート伝送用フィルム３００、４００のリード線３０１、３０２、３０３、４０１、４０２、４０３と薄膜トランジスタ基板２００の配線２０１、２０２、２０３の付着部分はこの部分に浸透する水分量を最少化するために、配線の段差を緩和する構造を有することができる。これについて図１８と図１９を参照して次に説明する。
【０１４４】
図１８は信号配線とリード線が接触する部分の配線配置構造を示した図面であり、図１９は図１８に示した切断線XIX−XIX'による断面構造を示した図面である。信号配線を二重層に形成し、リード線と信号配線が二つの接触部を通じて連結した場合を示した図面である。
【０１４５】
絶縁基板１０上にゲート配線形成用導電物質からなり、一端にパッドを有する第１信号配線２９が形成されている。また、ゲート絶縁膜１０上には窒化シリコンなどからなる第１信号配線２９を覆うゲート絶縁膜３０が形成されている。
【０１４６】
ゲート絶縁膜３０上にはデータ配線形成用導電物質からなる第２信号配線６９が形成されている。第２信号配線６９は第１信号配線２９に重なるように第１信号配線２９のパターンによって形成され、第１信号配線２９のパッド部分に至らないように第１信号配線２９よりは短く形成されている。また、ゲート絶縁膜３０上には第２信号配線６９を覆う窒化シリコンまたは有機絶縁物質からなる保護膜７０が形成されている。
【０１４７】
保護膜７０には第２信号配線６９のパッドを露出する接触孔（Ｃ６）が形成されており、ゲート絶縁膜３０と共に第１信号配線２９のパッドを露出する接触孔（Ｃ７）が形成されている、
【０１４８】
そして、保護膜７０上には二つの接触孔（Ｃ６、Ｃ７）を通じて第１信号配線２９と第２信号配線６９に連結される制御信号補助パッド８９が形成されている。
【０１４９】
このような構造を有する制御信号配線にデータ伝送用フィルム３００を付着する場合には、基板の信号補助パッド８９とデータ伝送用フィルム３００のリード線３０９を対応されるように整列させた後、異方性導電膜２５０によって付着する。この時、基板の信号補助パッド８９とデータ伝送用フィルム３００のリード線３０９は導伝性粒子２５１によって電気的に連結される。
【０１５０】
接触部でのこのような配線の構造は段差による接触不良を減らすことができるだけでなく、制御信号配線の断線を補完することができ、パッド部分に流入される水分の浸透を最小化することができる。
【０１５１】
【発明の効果】
上述したように、本発明では薄膜トランジスタ基板の制御信号配線に対応されて付着される制御信号伝送用フィルムに、薄膜トランジスタ基板の高電圧信号配線と低電圧信号配線の間に位置するダミーリード線を形成することによって、ダミーリード線が工程環境または使用環境中に浸透する陰イオン粒子が高電圧信号配線に移動することを防止する。また、このようなダミーリード線は高電圧信号配線が伝送する電圧と同一な大きさの電圧を伝送して高電圧信号配線周辺部に等電位がかかるようにし、陰イオン粒子が高電圧配線の周辺部にフローティングされるようにすることによって陰イオン粒子が高電圧信号配線に移動することを防止する。このように、陰イオン粒子の移動を制御することによって、電気分解によって高電圧信号配線が損傷を受けることを防止することができる。この時、信号伝送用フィルムのリード線で薄膜トランジスタ基板の配線を十分に覆うように形成する場合、水分が配線部分に浸透することを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】制御信号部を含む液晶表示装置の概略図である。
【図２】高電圧ダミーリード線が形成されない場合の制御信号部の配線配置図である。
【図３】図２に示した切断線III−III'に沿って示した断面図である。
【図４】本発明の第１実施例による制御信号部の配線配置図である。
【図５】図４に示した切断線V−V'に沿って示した断面図である。
【図６】本発明の第２実施例による制御信号部の配線配置図である。
【図７】図６に示した切断線VI−VI'に沿って示した断面図である。
【図８】本発明の第３実施例による液晶表示装置の配置図である。
【図９】図８に示した切断IX−IX'に沿って示した断面図である。
【図１０】発明の第４実施例による液晶表示装置の配置図である。
【図１１】図１０に示した切断線XI−XI'に沿って示した断面図である。
【図１２】信号リード線と信号配線の重畳状態を示した平面図である。
【図１３】図１２に示した切断線XIII−XIII'に沿って示した断面図である。
【図１４】信号リード線と信号配線の異なる重畳状態を示した平面図である。
【図１５】図１４に示した切断線XV−XV'に沿って示した断面図である。
【図１６】信号配線の異なるパターンを示した平面図である。
【図１７】図１６に示した切断線XVII−XVII'を示した断面図である。
【図１８】信号配線のパッド部分の異なるパターンを示した平面図である。
【図１９】図１８に示した切断線XIX−XIX'に沿って示した断面図である。
【符号の説明】
１０ 絶縁基板
２０、２１、２２ ゲート配線
２９ 第１信号配線
３０ ゲート絶縁膜
４０ 半導体層
５１、５２ 抵抗性接触層
６０、６１、６２、６３ データ配線
６９ 第２信号配線
７０ 保護膜
７１ 接触孔
８０ 画素電極
８１ ゲート補助パッド
８２ データ補助パッド
８３、８５、８６、８７ 補助パッド
８８ 第１信号補助パッド
８９ 第２信号補助パッド
１００ カラーフィルター基板
１３０ データ線
１４０ ゲート線
２００ 薄膜トランジスタ基板
２０１、２０２、２０３、２０４、２０５ ゲート制御信号配線
２１０、２２０ 高電圧ダミー配線
２５０ 異方性導電膜
２５１ 導電性粒子
２５２ 接着剤
３００ データ伝送用フィルム
３０１、３０２、３０３、３０４、３０５ ゲート制御信号リード線
３０８、３０９ リード線
３１０ データ駆動集積回路
３１０、３２０ 高電圧ダミーリード線
３５０ データ信号リード線
４００ ゲート伝送用フィルム
４０１、４０２、４０３ リード線
４１０ ゲート駆動集積回路
４５０ ゲート信号リード線
５００ データ用印刷回路
５２０ ゲート制御信号連結配線部
【発明が属する技術分野】
本発明は信号伝送用フィルム、これを含む制御信号部及び液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置は現在最も広く用いられている平板表示装置の中の一つであって、電気場を生成する多数の電極が形成されている二枚の基板と二枚の基板の間の液晶層、それぞれの基板の外側面に付着されて光を偏光させる二枚の偏光板からなり、電極に電圧を印加して液晶層の液晶分子を再配列させることによって透過される光の量を調節する表示装置である。このような液晶表示装置の一つの基板には薄膜トランジスタが形成されているが、これは電極に印加される電圧をスイッチングする役割を果たす。
【０００３】
薄膜トランジスタが形成される基板の中央部には画面が表示される表示領域が位置する。表示領域には多数の信号線、つまり多数のゲート線及びデータ線が交差して形成されている。ゲート線とデータ線との交差で定義される画素領域には画素電極が形成されており、薄膜トランジスタはゲート線を通じて伝えられるゲート信号によってデータ線を通じて伝えられるデータ信号を制御して画素電極に伝送する。
【０００４】
表示領域の外にはゲート線とデータ線に各々連結されている多数のゲートパッド及びデータパッドが形成されており、このパッドは外部駆動集積回路と直接連結されて外部からのゲート信号及びデータ信号の印加を受けゲート線とデータ線に伝達する。
【０００５】
薄膜トランジスタ基板にこのようなゲート信号及びデータ信号を伝達するためにゲート用印刷回路基板及びデータ用印刷回路基板が異方性導電膜（ACF; anisotropic conducting film）を利用した熱圧着工程によって付着される。薄膜トランジスタ基板とデータ用印刷回路基板との間には、電気的な信号をデータ信号に変換してデータ線に出力するデータ駆動集積回路が実装されているデータ信号伝送用フィルムが連結されている。また、薄膜トランジスタ基板とゲート用印刷回路基板との間には、電気的な信号をゲート信号に変換してゲート線に出力するゲート駆動集積回路が実装されているゲート信号伝送用フィルムが連結されている。
【０００６】
この時、ゲート用印刷回路基板を使用せずに、データ用印刷回路基板でゲート信号を制御するゲート制御信号を出力し、このような信号を薄膜トランジスタ基板を通じてゲート信号伝送用フィルムに伝達することも可能である。
【０００７】
ゲート制御信号はゲート駆動集積回路が出力するゲートオン電圧（Von）とゲートオフ電圧（Voff）及び薄膜トランジスタ基板内のデータ電圧の差異に対する基準になる共通電圧（Vcom）を含む各種制御信号を含んでいる。
【０００８】
ゲート駆動集積回路に入力されるこのような各種ゲート制御信号は液晶表示装置駆動の時、互いに異なる大きさの電圧を有してゲート制御信号用連結配線を通じて伝達される。薄膜トランジスタ基板上に形成されたゲート制御信号用連結配線は互いに隣接するように並んで配置されているので、ゲートオン電圧のような高電圧を伝達する配線とゲートオフ電圧のような低電圧を伝達する配線が互いに隣接するように並んで配列されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このような配線の配置構造は液晶表示装置駆動の時、高電圧配線と低電圧配線との間に電位差を発生させるが、このような電位差は液晶表示装置の製造工程中、または使用中に浸透した水分と共にガルバニック電池原理による電気分解で高電圧配線に損傷を与えるなどの配線不良を招く。
【００１０】
本発明が目的とする技術的課題は、配線の損傷を防止する信号伝送用フィルム、これを含む制御信号部及び液晶表示装置を提供することである。
【００１１】
基板と、前記基板上に形成される第１信号配線及び第２信号配線を含む制御信号配線部と、前記基板に対応するフィルムと、前記フィルム上に形成され前記第１及び第２信号配線に各々接触し、第１信号電圧が印加される第１信号リード線及び前記第１信号電圧より小さい電圧の大きさを有する第２信号電圧が印加される第２信号リード線と、前記第１信号リード線と前記第２信号リード線との間に位置し、前記第１信号電圧が印加されるダミーリード線を含む制御信号伝送部と、前記基板上に、前記第１信号リード線、前記第２信号リード線及び前記ダミーリード線にそれぞれ対応して形成されている、第１信号配線、第２信号配線及びダミー配線と、を含み、前記ダミー配線は、前記第２信号配線を形成する導電物質より酸化傾向が小さい導電物質で形成される制御信号部を提供する。
【００１２】
前記ダミーリード線は、前記第１信号配線、前記第２信号配線及び前記ダミー配線を含む配線よりも厚く形成されている。
前記第１信号リード線、前記第２信号リード線及び前記ダミーリード線それぞれは、これに対応する前記第１信号配線、前記第２信号配線及び前記ダミー配線に一部分が重畳するように接触されている。
【００１３】
前記ダミー配線は前記第１信号配線と連結されている。
【００１４】
前記ダミー配線は前記第１信号配線と絶縁されている。
前記ダミー配線はＩＴＯまたはＩＺＯで形成される。
【００１５】
前記第１信号リード線が前記ダミーリード線まで拡張されて前記ダミーリード線と一体なす。
【００１６】
基板上に形成され、ゲート線、ゲート線に絶縁されて交差して画素領域を定義するデータ線、画素領域にゲート線とデータ線とに電気的に連結される薄膜トランジスタ、画素領域に薄膜トランジスタの一電極に連結される画素電極を含む画面表示部と、請求項１〜８のいずれかに記載の信号制御部と、を含む液晶表示装置を提供する。
【００１７】
前記制御信号伝送部のフィルムにはデータ駆動集積回路が実装されている。
前記制御信号伝送部のフィルムにはゲート駆動集積回路が実装されている。
【００１８】
前記第１信号電圧はゲートオン電圧または電源電圧である。
前記第２信号電圧はゲートオフ電圧または接地電圧である。
【００１９】
前記基板上に前記第１信号配線、前記第２信号配線及び前記ダミー配線を覆う絶縁膜、
前記絶縁膜に前記第１信号配線及び前記第２信号配線の一部を露出する接触孔、
前記接触孔を通じて前記第１信号配線及び前記第２信号配線に連結される補助パッドをさらに含み、
前記第１信号リード線及び前記第２信号リード線は前記接触孔の長さ方向に前記接触孔を十分に覆うように前記第１信号配線及び前記第２信号配線に接触する。
【００２０】
前記第１信号リード線及び前記第２信号リード線は前記接触孔の幅方向に前記接触孔の最小限一側辺を覆うように前記第１信号配線及び前記第２信号配線に接触する。
前記第１信号リード線及び前記第２信号リード線は前記接触孔の内部領域に位置して前記接触孔の両側辺を覆わないように形成される。
【００２１】
前記基板に連結されるゲート伝送用フィルムをさらに含み、
前記第１信号配線及び前記第２信号配線が、前記ゲート伝送用フィルムに電気的に連結される第１配線と前記制御信号伝送部に電気的に連結される第２配線とが接触されている構造で形成される。
【００２２】
前記第１配線と前記第２配線の接触構造は、前記基板上に前記第１配線が形成され、前記第１配線を覆う第１絶縁膜、前記第１絶縁膜に前記第１配線の一端を露出する第１接触孔をさらに含み、前記第１絶縁膜上に前記第１接触孔を通じて前記第１配線に連結される前記第２配線が形成されている。
【００２３】
前記第２配線を覆う第２絶縁膜、前記第２配線のパッドを露出する第２接触孔及び前記第１配線のパッドを露出する第３接触孔、前記第２及び第３接触孔を通じて前記第１配線のパッド及び前記第２配線のパッドを各々覆う補助パッドをさらに含む。
【００２４】
前記第１信号配線は、前記基板上にパッドを含んで形成される下層配線、前記下層配線上に形成される第１絶縁膜、前記第１絶縁膜上にパッドを含んで形成される上層配線、
前記上層配線を覆う第２絶縁膜、前記第１及び第２絶縁膜に前記下層配線を露出する第１接触孔及び前記第２絶縁膜に前記上層配線を露出する第２接触孔、前記第１及び第２接触孔を通じて前記下層配線のパッド及び前記上層配線のパッドに連結される補助パッドを含む。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図面を参照して本発明について詳細に説明する。
【００２６】
図１は薄膜トランジスタ基板にゲート制御用信号配線が形成されている液晶表示装置の配置構造を概略的に示した図面である。
【００２７】
カラーフィルター基板１００に合着されている薄膜トランジスタ基板２００の端部には、データ線１３０にデータ信号を印加するデータ駆動集積回路３１０及びゲート線１４０にゲート信号を印加するゲート駆動集積回路４１０が位置している。データ駆動集積回路３１０はデータ用印刷回路基板５００と薄膜トランジスタ基板２００を電気的に連結するデータ伝送用フィルム３００上に実装されており、ゲート駆動集積回路４１０は薄膜トランジスタ基板２００に電気的に連結されているゲート伝送用フィルム４００上に実装されている。
【００２８】
このようなゲート及びデータ信号伝送用フィルム３００、４００は異方性導電膜（ACF; anisotropic conducting film）を利用した熱圧着工程によって薄膜トランジスタ基板２００と電気的に連結される。この時、それぞれフィルム３００、４００に形成された信号リード線及び薄膜トランジスタ基板２００に形成された信号配線は一対一に対応し、異方性導電膜の導電粒子（図示せず）を通じて電気的に連結されている。
【００２９】
ゲート駆動集積回路４１０の駆動を制御するためのゲート制御信号はゲート制御信号連結配線部５２０を通じてゲート駆動集積回路４１０に伝達される。ゲート制御信号連結配線部５２０ではデータ用印刷回路基板５００、データ信号伝送用フィルム３００、薄膜トランジスタ基板２００及びゲート信号伝送用フィルム４００の各々に形成された配線が互いに電気的に連結されている。
【００３０】
ゲート駆動集積回路４１０はゲート制御信号によって調節されながら薄膜トランジスタ基板２００のゲート線１４０にゲート信号を伝達する。ゲート制御信号連結配線部５２０に表示された矢印はゲート制御信号の伝送方向を示す。
【００３１】
ゲート制御信号はゲート駆動集積回路４１０が出力するゲートオン電圧、ゲートオフ電圧、薄膜トランジスタ基板２００内のデータ電圧差の基準になる共通電圧（Vcom）、ゲートクロック（CPV）、初期垂直信号（START VERTICAL SIGNAL、STV）、ライン反転信号（LINE REVERSE SIGNAL、RVS）、ゲートオンイネーブル（GATE ON ENABLE、OE）、接地電圧（VGND）及び電源電圧（VDD）を含む各種制御信号を含むが、これらゲート制御信号はゲート駆動回路４１０の駆動を制御する。
【００３２】
このようなゲート制御信号で、ゲートオン電圧、電源電圧等は１０〜２５Ｖの電圧大きさを有し、ゲートオフ電圧、接地電圧等はＯＶ以下の電圧大きさを有するが、二つの電圧は約１０Ｖ以上の電圧差がある。
【００３３】
ゲートオン電圧のような高電圧を伝送する高電圧信号配線と高電圧信号配線が伝送する電圧に比べて相対的に小さい電圧を伝送する低電圧信号配線とを隣接するように配置すると、液晶表示装置を駆動する時二つの信号配線の間に高電圧と低電圧との電圧差に該当する電位差がかかる。
【００３４】
一方、液晶表示装置を製作及び用いる過程、特に湿気のある工程及び使用環境中に水分が配線周囲の端子部に浸透する場合が発生する。
【００３５】
水分は自体内にイオン粒子を含有しているが、そのうち陰イオン粒子は高電圧信号配線と低電圧信号配線との間にかかる電位差によって低電圧信号配線から高電圧信号配線にＡＣＦを電解質として移動する。高電圧信号配線は陰イオン粒子との電気化学的反応によってその一部が周囲の電解質に溶けて配線オープンが誘発されるなどの電気分解による損傷を受けるようになる。
【００３６】
このような電気分解による配線オープンは信号伝送用フィルム３００、４００と薄膜トランジスタ基板２００が付着される部分、特に"Ａ"領域と"Ｂ"領域に表示されている部分で多く発生する。
【００３７】
本発明は電気分解による高電圧信号配線の損傷を防止するために、陰イオン粒子が高電圧信号配線に移動することを防止しようとする。
【００３８】
これを次の図面を参照してさらに詳しく説明する。
【００３９】
図２は高電圧信号配線と低電圧信号配線とを隣接するように配置した場合における制御信号部の配置図を示した図面であり、図３は図２に示した切断線III−III'による断面図を示した図面である。
【００４０】
ゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３、２０４、２０５が形成されている薄膜トランジスタ基板２００と、ゲート制御信号リード線３０１、３０２、３０３、３０４、３０５が形成されているデータ伝送用フィルム３００とが、導電性粒子２５１と接着剤２５２からなる異方性導電膜２５０によって接着されている。薄膜トランジスタ基板２００のゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３、２０４、２０５とデータ伝送用フィルム３００のゲート制御信号リード線３０１、３０２、３０３、３０４、３０５は導電性粒子２５１によって電気的に連結されている。
【００４１】
データ伝送用フィルム３００で、２０Ｖ程度の高電圧、例えばゲートオン電圧を伝送する高電圧信号リード線３０１の一側には０Ｖ以下の低電圧、例えばゲートオフ電圧を伝送する低電圧信号リード線３０２が形成されており、高電圧信号リード線３０１の他の側には３Ｖ程度のゲート共通電圧を伝送する共通電圧リード線３０３が形成されている。そして、他の種類のゲート制御信号Ｖ１、Ｖ２を伝送するその他ゲート制御信号リード線３０４、３０５が形成されている。
【００４２】
共通電圧はゲートオン電圧に比べて低電圧になることがあるが、本明細書では共通電圧よりさらに低い電圧であるゲートオフ電圧を低電圧の一例として説明する。
【００４３】
薄膜トランジスタ基板２００にはこれらリード線３０１、３０２、３０３、４０４、３０５と一対一に対応して接触する高電圧信号配線２０１、低電圧信号配線２０２、共通電圧配線２０３及び他のゲート制御信号配線２０４、２０５が形成されている。
【００４４】
液晶表示装置駆動の時、ゲート制御信号はデータ伝送用フィルム３００のリード線３０１、３０２、３０３、３０４、３０５、薄膜トランジスタ基板２００の配線２０１、２０２、２０３、２０４、２０５及びゲート伝送用フィルム（図示せず）のリード線を通じてゲート駆動集積回路（図示せず）に入力される。
【００４５】
この過程で、ゲートオン電圧を伝送する高電圧信号リード線３０１及び高電圧信号配線２０１とゲートオフ電圧を伝送する低電圧信号リード線３０２及び低電圧信号配線２０２の間にはゲートオン電圧とゲートオフ電圧との差に該当する電位差がかかる。
【００４６】
一方、液晶表示装置を製作または使用する過程、特に湿気のある工程環境乃至使用環境中に水分が浸透して配線周囲の段差部に集中される。水分は自体内にイオン粒子を含有しているが、そのうち陰イオン粒子５００は高電圧信号配線２０１と低電圧信号配線２０２との間に発生する電位差によって低電圧信号配線２０２から高電圧信号配線２０１にＡＣＦを電解質として移動する。高電圧信号配線２０１は陰イオン粒子との電気化学的反応によってその一部が周囲の電解質に溶けて配線オープンが誘発される等電気分解による損傷を受ける。
【００４７】
しかし、薄膜トランジスタ基板の高電圧信号配線と低電圧信号配線との間に位置するリード線を有する制御信号伝送用フィルムを用いる場合、このリード線は陰イオン粒子が高電圧信号配線に移動することを防止する障壁役割を果たす。その結果、制御信号伝送用フィルムと薄膜トランジスタ基板に接着される制御信号部に水分が浸透しても、陰イオン粒子が高電圧信号配線に到達できなないため高電圧信号配線を溶かすことができなくなる。
【００４８】
これを次の本発明の実施例を通じて詳細に説明する。
【００４９】
図４は本発明の第１実施例による制御信号部の配線配置図の一部を示した図面であり、図５は図４に示した切断線V−V'による断面図を示した図面である。
【００５０】
ゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３が形成されている薄膜トランジスタ基板２００とゲート制御信号リード線３０１、３０２、３０３及び高電圧ダミーリード線３１０、３２０が形成されているデータ伝送用フィルム３００が導電性粒子２５１と接着剤２５２からなる異方性導電膜２５０によって接着されている。薄膜トランジスタ基板２００のゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３とデータ伝送用フィルム３００のゲート制御信号リード線３０１、３０２、３０３は異方性導電膜２５０内の導電性粒子２５１を通じて電気的に連結されている。
【００５１】
データ伝送用フィルム３００には、ゲートオン電圧を伝送する高電圧信号リード線３０１、ゲートオフ電圧を伝送する低電圧信号リード線３０２、ゲート共通電圧を伝送する共通電圧信号リード線３０３が形成されており、高電圧信号リード線３０１の両側にはゲートオン電圧と同一大きさの電圧を伝送する高電圧ダミーリード線３１０、３２０が形成されている。
【００５２】
そして、薄膜トランジスタ基板２００には高電圧信号配線２０１、低電圧信号配線２０２及び共通電圧信号配線２０３が形成されている。これら配線２０１、２０２、２０３は高電圧信号リード線３０１、低電圧信号リード線３０２及び共通電圧信号リード線３０３と一対一対応で接触している。薄膜トランジスタ基板２００には高電圧ダミーリード線３１０、３２０に対応される配線は形成されていない。
【００５３】
データ伝送用フィルム３００のリード線３０１、３０２、３０３、３１０、３２０はデータ伝送用フィルムのための高分子フィルム上にプリント工程によって数〜数十μｍの厚さで薄膜トランジスタ基板２００の信号配線２０１、２０２、２０３より顕著に厚く形成される。データ伝送用フィルム３００と薄膜トランジスタ基板２００が異方性導電膜２５０を媒介として熱圧着によって付着される時、高電圧ダミーリード線３１０、３２０がある異方性導電膜２５０の接着剤２５２部分はその組織が厚いリード線３１０、３２０に押されながら圧着されるが、この時、陰イオン粒子の移動が阻止できるほど組織が稠密になる。従って、高電圧ダミーリード線３１０、３２０はその周辺に存在する陰イオンの移動を防止する障壁役割を果たす。
【００５４】
液晶表示装置を駆動する時、ゲート制御信号はデータ伝送用フィルム３００のリード線３０１、３０２、３０３、薄膜トランジスタ基板２００の配線２０１、２０２、２０３及びゲート伝送用フィルム（図示せず）のリード線（図示せず）を通じてゲート駆動集積回路（図示せず）に入力される。
【００５５】
この過程で、ゲートオン電圧を伝送する高電圧信号リード線３０１（または、高電圧信号配線２０１）と高電圧ダミーリード線３１０、３２０は同一な大きさの電圧を伝送して、高電圧信号リード線３０１（または、高電圧信号配線３０１）と高電圧ダミーリード線３１０、３２０との間、つまり高電圧信号配線３０１の周辺空間は等電位がかかるようになる。また、低電圧信号リード線３０２（または、低電圧信号配線２０２）にはゲートオフ電圧のような低電圧を伝送して、低電圧信号リード線３０２（または、低電圧信号配線２０２）と高電圧ダミーリード線３１０、３２０との間にはゲートオン電圧とゲートオフ電圧との差に該当する電位差がかかる。
【００５６】
一方、液晶表示装置を製作または使用する過程、特に湿気のある工程環境乃至使用環境中に浸透された水分のうちの陰イオン粒子５００は高電圧ダミーリード線３１０と低電圧信号リード線（または、低電圧信号配線２０２）の間にかかる電位差によって低電圧信号配線２０２から高電圧ダミーリード線３１０にＡＣＦを電解質として移動する。
【００５７】
この時、陰イオン粒子５００と高電圧ダミーリード線３１０、３２０の電気化学的反応によって高電圧ダミーリード線３１０、３２０の一部が周囲の電解質に溶けることがある。しかし、高電圧ダミーリード線３１０、３２０が十分に厚いために、充分な陽イオンを陰イオン粒子に供給できるので殆ど腐食されない。
【００５８】
高電圧ダミーリード線３１０、３２０に移動した陰イオン粒子は高電圧ダミーリード線３１０、３２０にふさがってそれ以上移動できなくなる。つまり、高電圧ダミーリード線３１０、３２０は高電圧信号配線２０１と低電圧信号配線２０２との間に位置し、浸透された水分内の陰イオン粒子５００が電位差によって高電圧信号配線２０１に移動することを防止する。
【００５９】
また、高電圧信号配線２０１の周辺に浸透した陰イオン粒子５００は高電圧信号リード線３０１（または、高電圧信号配線２０１）と高電圧ダミーリード線３１０、３２０との間にかかる等電位によって、高電圧信号配線２０１の周辺空間で移動方向を失ってフローティング（floating）する。
【００６０】
従って、高電圧信号配線が陰イオン粒子と電気化学反応を起こす場合は殆どなく、高電圧信号配線は液晶表示装置駆動時にも、陰イオン粒子による損傷を受けない。
【００６１】
上述した本発明の第１実施例による制御信号部では、データ制御信号伝送用フィルム３００に形成された高電圧ダミーリード線３１０、３２０がそれに隣接する高電圧信号リード線３０１と分離されているが、高電圧信号リード線３０１の面積を高電圧ダミーリード線３１０、３２０がある部分にまで拡張させて高電圧信号リード線３０１と高電圧ダミーリード線３１０、３２０を一体に形成することができる。この場合、高電圧信号配線２０１の周辺部に拡張された高電圧信号リード線３０１が位置するが、陰イオン粒子が拡張された高電圧信号リード線３０１に移動して高電圧信号リード線３０１と反応しても、高電圧信号リード線３０１が顕著に大きくてて広くなったために、充分な陽イオンを陰イオン粒子に供給できて殆ど腐食されない。
【００６２】
一方、本発明の第１実施例による制御信号部とは異なって、図６及び図７に示した本発明の第２実施例による制御信号部のように、データ伝送用フィルム３００の高電圧ダミーリード線３１０、３２０に対応される高電圧ダミー配線２１０、２２０が薄膜トランジスタ基板２００に形成することが可能である。この場合には、高電圧信号配線２０１の周辺にさらに広い等電位領域が形成されるという長所がある。
【００６３】
この時、高電圧ダミー配線２１０、２２０は図６に示したように、同一な電圧を伝送する高電圧信号配線２０１とは連結されないように形成することができ、これとは異なって、少なくとも一つの高電圧ダミー配線が高電圧信号配線２０１に連結されるように形成することもできる。高電圧ダミー配線２１０、２２０が高電圧信号配線２０１に連結されるように形成する場合には、高電圧ダミー配線２１０、２２０は高電圧信号配線２０１の冗長（redundancy）配線になる。
【００６４】
薄膜トランジスタ基板に形成される高電圧ダミー配線は通常の金属物質、例えばゲート配線またはデータ配線形成用導電物質で形成することができる。この時、高電圧ダミー配線は低電圧信号配線を形成する金属物質より酸化傾向が小さい導電物質、例えば銅系列、銀系列、クロム系列またはモリブデン系列または窒化クロムまたは窒化モリブデンで形成されるのが電気分解にあまり影響を受けないので有利である。または、高電圧ダミー配線がＩＴＯやＩＺＯのように酸化されている導電物質で形成される場合にも陰イオン粒子による反応を減らすことができて有利である。
【００６５】
データ伝送用フィルム３００の高電圧ダミーリード線３１０、３２０は高電圧信号配線２０１とこれに隣接する低電圧信号配線２０２の間に発生する電位差による電気分解を防止するために形成されるので、低電圧信号配線２０２が高電圧信号配線２０１の一側にだけある場合には低電圧信号配線２０２がある側にだけ高電圧ダミーリード線を形成することも可能である。
【００６６】
上述した本発明の第１及び第２実施例による制御信号部では、ゲートオン電圧を伝送するリード線を高電圧信号リード線の一例とし、ゲートオフ電圧を伝送するリード線を低電圧信号リード線の一例とした。しかし、ゲート制御信号リード線のうち高電圧信号リード線としてはゲートオン電圧を伝送するリード線以外に電源電圧（Vdd）を伝送するリード線などが他の例でありえ、低電圧信号リード線としては接地電圧（VGND）を伝送するリード線などが他の例でありうる。
【００６７】
上述した本発明の第１及び第２実施例による制御信号部では、データ伝送用フィルムを使用する制御信号部を一例として本発明を説明したが、ゲート伝送用フィルムを使用する制御信号部にも本発明を同一に適用することができる。
【００６８】
上述した本発明の第１及び第２実施例ではゲート制御信号が入力されるゲート制御信号配線部分にだけ説明したが、データ制御信号が入力されるデータ制御信号配線が基板に形成される場合にも本発明を同一に適用することができる。また、本発明は二つの配線の間の電圧差と浸透された水分によって発生する電気分解によって引き起こされる配線の溶出を防止するための全ての例に適用が可能である。
【００６９】
以下、このような制御信号部の構造を含む液晶表示装置について説明する。
【００７０】
図８は本発明の第３実施例による液晶表示装置の配置図を示したものであって、図９は図８に示した切断線IX−IX'に沿って示した断面図である。
【００７１】
本発明の第３実施例による液晶表示装置はゲート制御信号部でゲート制御信号を伝送する信号配線がデータ配線形成用導電物質で形成され、高電圧ダミーリード線に対応する高電圧ダミー配線を形成しない場合を例として示した。
【００７２】
絶縁基板１０上にゲート電極２２を有するゲート線２０、ゲート線２０の一端に連結されるゲートパッド２１を含むゲート配線２０、２１、２２が形成されている。
【００７３】
ゲート線２０は横方向にのびており、ゲート駆動集積回路（図示せず）から出力されるゲート信号を画素領域に伝達する。ゲート配線２０、２１、２２は銅系列、アルミニウム系列、クロム系列またはモリブデン系列または窒化クロムまたは窒化モリブデンのような通常の導電物質で単一膜または多層膜に形成することができる。
【００７４】
絶縁基板１０上にはゲート配線２０、２１、２２を覆う窒化シリコンまたは酸化シリコンなどのような絶縁物質からなるゲート絶縁膜３０が形成されている。
【００７５】
ゲート絶縁膜３０上にはゲート電極２２に対応する位置に非晶質シリコンからなる半導体層４０が形成されている。
【００７６】
ゲート絶縁膜３０上には縦方向にのびてゲート線２０に交差して画素領域を定義するデータ線６０、データ線６０の一端に形成されるデータパッド６１、データ線６０で突出されて半導体層４０に接触するソース電極６２、ソース電極６２に対応して半導体層４０に接触するドレーン電極６３を含むデータ配線６０、６１、６２、６３が形成されている。
【００７７】
また、ゲート絶縁膜４０上にはゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３が形成されている。ゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３はゲートオン電圧のような高電圧を伝送する高電圧信号配線２０１、ゲートオフ電圧のような低電圧を伝送する低電圧信号配線２０２及び共通信号電圧を伝送する共通電圧信号配線２０３を含む。
【００７８】
ゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３はゲート制御信号線及びゲート制御信号線の両端に形成されるゲート制御信号パッドを含む。ゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３はその一端が薄膜トランジスタ基板２００の上部面に位置してデータ伝送用フィルム３００のリード線３０１、３０２、３０３と接触できるように形成されており、他の一端は薄膜トランジスタ基板２００の左側面に位置してゲート伝送用フィルム４００のリード線４０１、４０２、４０３と接触できるように形成されている。
【００７９】
このような構造によって、データ伝送用フィルム３００のリード線３０１、３０２、３０３を通じて伝えられるゲート制御信号は薄膜トランジスタ基板２００のゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３及びゲート伝送用フィルム４００のリード線４０１、４０２、４０３を通じてゲート駆動直接回路（図示せず）に伝達される。
【００８０】
データ配線６０、６１、６２、６３とゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３は銅系列、アルミニウム系列、クロム系列またはモリブデン系列または窒化クロムまたは窒化モリブデンのような通常の導電物質で単一膜または多層膜に形成することができる。
【００８１】
半導体層４０とソース電極６２との間または半導体層４０とドレーン電極６３との間には不純物がドーピングされた非晶質シリコンなどからなる抵抗性接触層５１、５２が介されている。
【００８２】
そして、データ配線６０、６１、６２、６３、ゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３及び半導体層４０を含む基板の前面には窒化シリコンまたは酸化シリコンのような絶縁物質からなる保護膜７０が形成されている。
【００８３】
保護膜７０にはドレーン電極６３を露出する接触孔７１、データパッド６１を露出する接触孔７３、ゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３の両端に位置するパッドを露出する接触孔（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３）が各々形成されている。
【００８４】
そして、保護膜７０上には接触孔７１を通じてドレーン電極６３に連結されて画素領域に形成される画素電極８０、他の接触孔７２を通じてゲートパッド２１に連結されるゲート補助パッド８１、他の接触孔７３を通じてデータパッド６１に連結されるデータ補助パッド８２が形成されている。
【００８５】
また、保護膜７０上には接触孔（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３）を通じてゲート制御信号連結配線２０１、２０２、２０３の両端に位置するパッドに連結されるゲート制御信号部の補助パッド８３、８５、８７が各々形成されている。
【００８６】
このように形成された薄膜トランジスタ基板２００にゲート駆動集積回路（図示せず）を実装したゲート伝送用フィルム４００とデータ駆動集積回路（図示せず）を実装したデータ伝送用フィルム３００が異方性導電膜２５０によって付着されている。
【００８７】
データ伝送用フィルム３００にはデータ信号を伝送するデータ信号リード線３５０と、ゲート駆動集積回路の駆動を制御するためのゲート制御信号を伝送するゲート制御信号リード線３０１、３０２、３０３が形成されている。
【００８８】
データ信号リード線３５０は絶縁基板１０上に形成されたデータパッド８２に電気的に接触し、データパッド８２に連結されるデータ線６０にデータ信号を伝達する。そして、ゲート制御信号リード線３０１、３０２、３０３は絶縁基板１０の上部面上に形成されたゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３のパッドに電気的に接触されて、ゲート制御信号連結配線２０１、２０２、２０３にゲート制御信号を伝達する。
【００８９】
また、データ伝送用フィルム３００には薄膜トランジスタ基板２００との付着時、高電圧信号配線２０１と低電圧信号配線２０２または他の信号配線２０３の間に位置する高電圧ダミー信号リード線３１０、３２０が形成されている。
【００９０】
データ伝送用フィルム３００のリード線３０１、３０２、３０３、３１０、３２０は高分子フィルム上にプリント工程によって形成され、数〜数十μｍの厚さを有するが、薄膜トランジスタ基板２００の数百〜数千Å厚さの信号配線２０１、２０２、２０３より顕著に厚い。データ伝送用フィルム３００と薄膜トランジスタ基板２００が異方性導電膜２５０を媒介として、熱圧着によって付着される時、高電圧ダミーリード線３１０、３２０がある異方性導電膜２５０の接着剤２５２部分はその組織が厚いリード線３１０、３２０に押されながら圧着されるが、この時、陰イオン粒子の移動が阻止できるほど組織が細かくなる。従って、高電圧ダミーリード線３１０、３２０はその周辺に存在する陰イオンの移動を防止する障壁役割を果たす。
【００９１】
また、高電圧ダミーリード線３１０、３２０は高電圧信号配線２０１の周辺部に等電位をかけるようにするために、高電圧信号配線２０１が伝送する電圧と同一な大きさの電圧を伝送する。
【００９２】
ゲート伝送用フィルム４００には、ゲート信号を伝送するゲート信号リード線４５０と薄膜トランジスタ基板２００に形成されたゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３からゲート制御信号の伝達を受けてゲート駆動集積回路（図示せず）に伝送するゲート制御信号リード線４０１、４０２、４０３が形成されている。
【００９３】
ゲート制御信号リード線４０１、４０２、４０３は基板の左側面上に形成されたゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３のパッドに電気的に接触されて、ゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３を通じてゲート制御信号を受ける。
ゲート伝送用フィルム４００のゲート制御信号リード線４０１、４０２、４０３を通じて入ったゲート制御信号はゲート伝送用フィルム４００上に実装されたゲート駆動集積回路（図示せず）に入力されてゲート駆動集積回路の駆動を制御する。
【００９４】
ゲート信号リード線４５０は薄膜トランジスタ基板２００上に形成されたゲートパッド８２に電気的に接触し、ゲート駆動集積回路から出るゲート信号をゲートパッド８１に連結されるゲート線２０にゲート信号を伝達する。
【００９５】
また、ゲート伝送用フィルム４００にはデータ伝送用フィルム３００の高電圧ダミーリード線３１０、３２０と同一種類の高電圧ダミーリード線４１０、４２０が形成されている。
【００９６】
ゲート伝送用フィルム４００とこれに対応する薄膜トランジスタ基板２００がなす制御信号部の構成と動作はデータ伝送用フィルム３００とこれに対応する薄膜トランジスタ基板２００がなす制御信号部のそれと同一であるので、これに関する説明は省略する。
【００９７】
液晶表示装置の駆動時、ゲート制御信号はデータ伝送用フィルム３００のリード線３０１、３０２、３０３、薄膜トランジスタ基板２００の配線２０１、２０２、２０３及びゲート伝送用フィルム４００のリード線４０１、４０２、４０３を通じてゲート駆動集積回路（図示せず）に入力される。
【００９８】
この過程で、ゲートオン電圧を伝送する高電圧信号リード線３０１（または、高電圧信号配線２０１）と高電圧ダミーリード線３１０、３２０は同一な大きさの電圧を伝送して、高電圧信号リード線３０１（または、高電圧信号配線２０１）と高電圧ダミーリード線３１０、３２０の間には等電位がかかるようになる。
また、低電圧信号リード線３０２（または、低電圧信号配線２０２）はゲートオフ電圧のような低電圧を伝送し、低電圧信号リード線３０２（または、低電圧信号配線２０２）と高電圧ダミーリード線３１０、３２０の間にはゲートオン電圧とゲートオフ電圧の差異に該当する電位差がかかる。
【００９９】
一方、液晶表示装置を製作または使用する過程、特に湿気のある工程環境乃至使用環境中に浸透された水分のうち陰イオン粒子５００は高電圧ダミーリード線３１０と低電圧信号リード線３０２（または、低電圧信号配線２０２）の間にかかる電位差によって低電圧信号配線２０２から高電圧ダミーリード線３１０にＡＣＦを電解質として移動する。
【０１００】
この時、陰イオン粒子５００と高電圧ダミーリード線３１０、３２０の電気化学的反応によって高電圧ダミーリード線３１０、３２０の一部が周囲の電解質に溶けることができる。しかし、高電圧ダミーリード線３１０、３２０が十分に厚いために、充分な陽イオンを陰イオン粒子に供給することができて殆ど腐食されない。
【０１０１】
高電圧ダミーリード線３１０、３２０に移動した陰イオン粒子は高電圧ダミーリード線３１０、３２０にふさがれてそれ以上移動できなくなる。つまり、高電圧ダミーリード線３１０、３２０は高電圧信号配線２０１と低電圧信号配線２０２との間に位置して、浸透した水分内の陰イオン粒子５００が電位差によって高電圧信号配線２０１に移動することを防止する。
【０１０２】
また、高電圧信号配線２０１の周辺に浸透した陰イオン粒子５００は高電圧信号リード線３０１（または、高電圧信号配線２０１）と高電圧ダミーリード線３１０、３２０の間にかかる等電位によって、高電圧信号配線２０１の周辺空間で移動方向を失ってフローティングされる。
【０１０３】
従って、高電圧信号配線が陰イオン粒子と電気化学反応を起こす場合は殆どなく、高電圧信号配線は液晶表示装置駆動時にも、陰イオン粒子による損傷を受けない。
【０１０４】
上述した本発明の第３実施例による液晶表示装置では、薄膜トランジスタ基板２００にデータ及びゲート伝送用フィルム３００、４００の高電圧ダミーリード線３１０、３２０、４１０、４２０に対応される配線が形成されない場合を例としたが、図１０と図１１に示したような本発明の第４実施例による液晶表示装置でのように、高電圧ダミーリード線３１０、３２０に対応される高電圧ダミー配線２１０、２２０が薄膜トランジスタ基板２００に形成される場合にも本発明を適用することができる。
【０１０５】
次に説明する本発明の第４実施例による液晶表示装置はゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３がデータ配線６０、６１、６２、６３形成用導電物質で形成され、高電圧ダミー配線２１０、２２０が画素電極８０形成用導電物質、例えばＩＴＯまたはＩＺＯで形成された例を示したものである。
【０１０６】
図１０は本発明の第４実施例による液晶表示装置の配置図を示した図面であり、図１１は図１０に示した切断線XI−XI'に沿って示した断面図である。
【０１０７】
本発明の第３実施例による液晶表示装置と比較して、画面表示部は同一である反面、ゲート制御信号部の構造は異なる。画面表示部は本発明の第３実施例で説明した通りであるのでこの部分に関する説明を省略し、構造が異なるゲート制御信号部についてだけ説明する。
【０１０８】
絶縁基板２００にゲート絶縁膜３０が形成されており、ゲート絶縁膜３０上にデータ配線２０、２１、２２、２３形成用導電物質からなるゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３が形成されている。ゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３はゲート制御信号線とゲート制御信号線の両端に連結されるゲート制御信号パッドを含む。
【０１０９】
そして、ゲート絶縁膜３０上にはゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３を覆う保護膜７０が形成されている。
【０１１０】
保護膜７０にはゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３の各パッドを露出する接触孔（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３）が各々形成されている。そして、保護膜７０上には接触孔（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３）を通じてゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３のパッドに連結されるゲート制御信号補助パッド８５、８３、８７が形成されている。
【０１１１】
また、保護膜７０上にはゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３のうち高電圧信号配線２０１の両側に位置する高電圧ダミー配線２１０、２２０が形成されている。高電圧ダミー配線２１０、２２０は異方性導電膜２５０の導電粒子２５１によってデータ伝送用フィルム３００の高電圧ダミーリード線３１０、３２０と電気的に連結されている。この高電圧ダミー配線２１０、２２０は画素電極８０形成物質、例えばＩＴＯまたはＩＺＯのような透明導電物質で形成されている。
【０１１２】
本発明の第４実施例による液晶表示装置でのように、高電圧ダミー配線２１０、２２０がＩＴＯやＩＺＯで形成される場合には、高電圧ダミー配線２１０、２２０によって高電圧信号配線２０１が電気分解によって損傷を受けることを防止することができる外に、高電圧ダミー配線２１０、２２０も電気分解による損傷の恐れが大きくないとの長所がある。
【０１１３】
このように、高電圧ダミー配線が形成される場合には高電圧ダミー配線２１０、２２０の存在によって高電圧信号配線２０１周辺にかかる等電位領域をさらに広く形成することができる。この時、高電圧ダミー配線２１０、２２０は図面に示したように、高電圧信号配線２０１とは連結されないように形成することもでき、これとは異なって、少なくとも一つの高電圧ダミー配線２１０、２２０が高電圧信号配線２０１に連結されるように形成されるすることもできる。高電圧ダミー配線２１０、２２０が高電圧信号配線２０１に連結されるように形成される場合には、高電圧ダミー配線２１０、２２０が高電圧信号配線２０１の冗長配線になる。
【０１１４】
高電圧ダミー配線２１０、２２０は通常の金属物質、例えばゲート配線またはデータ配線形成用導電物質で形成されることができる。この時、高電圧ダミー配線２１０、２２０は低電圧信号配線を形成する導電物質より酸化傾向が小さい導電物質、例えば銅系列、銀系列、クロム系列またはモリブデン系列または窒化クロムまたは窒化モリブデンで形成されるのが電気分解に影響をあまり受けないので有利である。また、高電圧ダミー配線がＩＴＯやＩＺＯのように酸化されている導電物質で形成される場合にも陰イオン粒子による反応を減らすことができて有利である。
【０１１５】
高電圧ダミー配線２１０、２２０は基板２００の上部面に位置してデータ伝送用フィルム３００に連結される部分と基板２００の左側面に位置してゲート伝送用フィルム４００に連結される部分を連結して一つの配線で形成されることができる。
【０１１６】
また、高電圧ダミー配線２１０、２２０は高電圧信号配線２０１とこれに隣接する低電圧信号配線２０２の間に発生する電位差による電気分解を防止するために形成されるものであるので、低電圧信号配線２０２が高電圧信号配線２０１の一側にだけある場合には低電圧信号配線２０２がある側にだけ高電圧ダミー配線を形成することも可能である。
【０１１７】
上述した本発明の実施例による液晶表示装置では、ゲートオン電圧を伝送する配線を高電圧信号配線の一例とし、ゲートオフ電圧を伝送する配線を低電圧信号配線の一例とした。しかし、ゲート制御信号配線のうち高電圧信号配線としてはゲートオン電圧を伝送する配線以外に電源電圧を伝送する配線などが他の例でありえ、低電圧信号配線としては接地電圧を伝送する配線などが他の例であり得る。
【０１１８】
上述した本発明の実施例による液晶表示装置では、薄膜トランジスタ基板２００でゲート制御信号が入力されるゲート制御信号配線部分だけについて説明したが、データ制御信号が入力されるデータ制御信号配線が薄膜トランジスタ基板に形成される場合にも本発明を同一に適用することができる。また、本発明は二つの配線の間にかかる電位差によって発生する電気分解に引き起こされる配線の溶出を防止するための全ての例に適用が可能である。
【０１１９】
本発明の実施例で、データ用伝送フィルム３００とゲート伝送用フィルム４００に連結されるように形成されるゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３はデータ配線形成用導電物質で形成されたものを例としたが、ゲート配線形成用導電物質で形成されるものも可能である。
【０１２０】
一方、制御信号部において、伝送用フィルムの信号リード線と薄膜トランジスタ基板の信号配線の重畳構造に関する説明は以下の通りである。
【０１２１】
図１２は信号リード線と信号配線の重畳状態を示す配置図であり、図１３は図１２に示した切断線XIII-XIII'に沿って示した断面図である。
【０１２２】
薄膜トランジスタ基板には、絶縁基板１０上に第１絶縁膜、例えばゲート絶縁膜３０が形成されており、ゲート絶縁膜３０上には高電圧信号配線２０１及び高電圧ダミー配線２１０、２２０を含む信号配線２０１、２１０、２２０が形成されている。そして、信号配線２０１、２１０、２２０上には第２絶縁膜、例えば保護膜７０が形成されており、保護膜７０には信号配線２０１、２１０、２２０の一部を各々露出する接触孔（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３）が形成されている。保護膜７０上にはそれぞれの接触孔（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３）を通じてそれぞれの信号配線２０１、２１０、２２０に連結される補助パッド８５、８６、８７が形成されている。
【０１２３】
このような薄膜トランジスタ基板に信号伝送用フィルム３００を付着する場合に、高電圧信号リード線３０１は高電圧信号配線２０１に接触される。
【０１２４】
接触孔を覆う膜は接触孔部分に位置する段差を有している。このような段差部分を補助パッドが完全に覆えないために水分が段差部に集中的に分布されるようになり、さらに、信号配線を損傷させる。従って、高電圧信号リード線３０１が接触孔（Ｃ１）を十分に覆うように形成するのが有利である。高電圧信号リード線３０１は接触孔（Ｃ１）の長さ方向に接触孔（Ｃ１）を完全に覆うことが有利である。
【０１２５】
しかし、高電圧信号リード線３０１が接触孔（Ｃ１）の幅方向に接触孔（Ｃ１）を完全に覆わなくてもいい。高電圧信号配線２０１が高電圧信号リード線３０１に遮らずその側部分が露出されても、高電圧信号配線２０１の周辺部は等電位がかかるので、陰イオン粒子は高電圧信号配線２０１に到達しないだけでなく高電圧信号配線２０１と反応することは殆どないためである。
【０１２６】
このようなリード線と信号配線の重畳構造は高電圧信号リード線と高電圧信号配線の重畳にだけ限定されず、全てのリード線と信号配線の重畳にその適用が可能である。図１２と図１３で高電圧ダミーリード線３１０、３２０と高電圧ダミー配線２１０、２２０が重なる部分で高電圧ダミーリード線３１０、３２０が接触孔（Ｃ２、Ｃ３）を長さ方向には全て覆い、幅方向には一部だけ覆うように位置することを見ることができる。
【０１２７】
図１４は信号リード線と信号配線の重畳状態を示す他の配置図であり、図１５は図１４に示した切断線XV-XV'に沿って示した断面図である。
【０１２８】
薄膜トランジスタ基板には絶縁基板１０上に第１絶縁膜、例えばゲート絶縁膜３０が形成されており、ゲート絶縁膜３０上には高電圧信号配線２０１が形成されている。そして、高電圧信号配線２０１上には第２絶縁膜、例えば保護膜７０が形成されており、保護膜７０には高電圧信号配線２０１を露出する接触孔（Ｃ１）が形成されている。そして、保護膜７０上には接触孔（Ｃ１）を通じて高電圧信号配線２０１に連結される補助パッド８５が形成されており、補助パッド８５の両側には高電圧ダミー配線２１０、２２０が形成されている。
【０１２９】
このような薄膜トランジスタ基板２００に信号伝送用フィルム３００を付着する時にも、リード線が信号配線を露出する接触孔を長さ方向には全て覆っても幅方向には一部だけを覆うようにすることができる。
【０１３０】
図面には高電圧信号リード線３０１が高電圧信号配線２０１を露出する接触孔（Ｃ１）の内部領域に位置し、高電圧信号配線２０１の両側部分を露出している。
【０１３１】
高電圧ダミー配線２１０、２２０は保護膜７０上に画素電極形成用導電物質で形成されるものの、前面が露出されていて高電圧ダミーリード線３１０、３２０によって幅方向に完全に覆われている。
【０１３２】
一方、データ制御信号伝送用フィルム３００に形成された高電圧ダミーリード線３１０、３２０がそれに隣接する高電圧信号リード線３０１と分離されているが、高電圧信号リード線３０１の面積を高電圧ダミーリード線３１０、３２０がある部分にまで拡張させて高電圧信号リード線３０１と高電圧ダミーリード線３１０、３２０を一体に形成することができる。この場合、高電圧信号配線２０１の周辺部に拡張された高電圧信号リード線３０１が位置するが、陰イオン粒子が拡張された高電圧信号リード線３０１に移動して高電圧信号リード線３０１と反応しても、高電圧信号リード線３０１が顕著に大きくて広くなったために、充分な陽イオンを陰イオン粒子に供給できて殆ど腐食されない。
【０１３３】
ゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３を二つ以上の配線に分離して互いに連結される構造で形成することができる。信号制御配線を二つ以上の配線に分離して互いに連結される構造で形成する場合には、一つの配線はゲート配線形成用導電物質で形成され、他の一つの配線はデータ配線形成用導電物質で形成されるようにして二つの配線が連結されるようにすることができる。このような信号制御配線の構造は制御信号部での高電圧ダミー配線にもその適用が可能である。
これを図１６及び図１７を参照して後述する。
【０１３４】
図１６はゲート制御信号配線のうち一つのゲート制御信号配線の平面構造を示した図面であり、図１７は図１６に示した切断線XVII-XVII'による断面構造を示した図面である。
【０１３５】
絶縁基板１０上にゲート配線形成用導電物質からなる第１信号配線２０８が第１方向にのびている。第１信号配線２０８の一端に形成されるパッドはデータ伝送用フィルム３００のリード線に連結できるように基板の上部面に位置する。
【０１３６】
絶縁基板１０上にはこのような第１信号配線２０８を覆う窒化シリコンまたは酸化シリコンなどからなるゲート絶縁膜３０が形成されている。
【０１３７】
ゲート絶縁膜３０には第１信号配線２０８のパッドが位置しない他の一端を露出する接触孔３２が形成されている。
【０１３８】
そして、ゲート絶縁膜３０上にはデータ配線形成用導電物質からなる第２信号配線２０９が第２方向にのびている。第２信号配線２０９の一端に形成されるパッドはゲート伝送用フィルム４００のリード線に連結できるように基板の左側面に位置する。第２信号配線２０９は接触孔３２を通じて第１信号配線２０８と連結されていて、データ伝送用フィルム３００からゲート制御信号を受けてゲート伝送用フィルム４００に伝達する。
【０１３９】
ゲート絶縁膜３０上には第２信号配線２０９を覆う窒化シリコンまたは有機膜からなる保護膜７０が形成されている。
【０１４０】
保護膜７０には第２信号配線２０９のパッドを露出する接触孔（Ｃ９）が形成されており、ゲート絶縁膜３０と共に第１信号配線２０８のパッドを露出する接触孔（Ｃ８）が形成されている。
【０１４１】
保護膜７０上には接触孔（Ｃ８）を通じて第１信号配線２０８のパッドに連結される第１信号補助パッド８８と接触孔（Ｃ９）を通じて第２信号配線８９のパッドに連結される第２信号補助パッド２０９が形成されている。
【０１４２】
上述した構造を有する制御信号部の上部にデータ伝送用フィルム３００を付着する時には、データ伝送用フィルム３００のリード線３０８と第１信号補助パッド８８を対応するように整列させた後、異方性導電膜２５０を通じた熱圧着工程によってリード線３０８と第１信号補助パッド８８を付着させる。データ伝送用フィルム３００のリード線３０８と第１信号補助パッド８８は導電粒子２５１によって電気的に連結される。また、同一方法でゲート伝送用フィルム４００のリード線４０９と第２信号補助パッド８９を対応するように整列させた後、異方性導電膜２５０を通じた熱圧着工程によってリード線３０９と第２信号補助パッド８９を付着させる。ゲート伝送用フィルム４００のリード線４０９は導電粒子２５１によって電気的に連結される。
【０１４３】
一方、上述した本発明の実施例で、データ及びゲート伝送用フィルム３００、４００のリード線３０１、３０２、３０３、４０１、４０２、４０３と薄膜トランジスタ基板２００の配線２０１、２０２、２０３の付着部分はこの部分に浸透する水分量を最少化するために、配線の段差を緩和する構造を有することができる。これについて図１８と図１９を参照して次に説明する。
【０１４４】
図１８は信号配線とリード線が接触する部分の配線配置構造を示した図面であり、図１９は図１８に示した切断線XIX−XIX'による断面構造を示した図面である。信号配線を二重層に形成し、リード線と信号配線が二つの接触部を通じて連結した場合を示した図面である。
【０１４５】
絶縁基板１０上にゲート配線形成用導電物質からなり、一端にパッドを有する第１信号配線２９が形成されている。また、ゲート絶縁膜１０上には窒化シリコンなどからなる第１信号配線２９を覆うゲート絶縁膜３０が形成されている。
【０１４６】
ゲート絶縁膜３０上にはデータ配線形成用導電物質からなる第２信号配線６９が形成されている。第２信号配線６９は第１信号配線２９に重なるように第１信号配線２９のパターンによって形成され、第１信号配線２９のパッド部分に至らないように第１信号配線２９よりは短く形成されている。また、ゲート絶縁膜３０上には第２信号配線６９を覆う窒化シリコンまたは有機絶縁物質からなる保護膜７０が形成されている。
【０１４７】
保護膜７０には第２信号配線６９のパッドを露出する接触孔（Ｃ６）が形成されており、ゲート絶縁膜３０と共に第１信号配線２９のパッドを露出する接触孔（Ｃ７）が形成されている、
【０１４８】
そして、保護膜７０上には二つの接触孔（Ｃ６、Ｃ７）を通じて第１信号配線２９と第２信号配線６９に連結される制御信号補助パッド８９が形成されている。
【０１４９】
このような構造を有する制御信号配線にデータ伝送用フィルム３００を付着する場合には、基板の信号補助パッド８９とデータ伝送用フィルム３００のリード線３０９を対応されるように整列させた後、異方性導電膜２５０によって付着する。この時、基板の信号補助パッド８９とデータ伝送用フィルム３００のリード線３０９は導伝性粒子２５１によって電気的に連結される。
【０１５０】
接触部でのこのような配線の構造は段差による接触不良を減らすことができるだけでなく、制御信号配線の断線を補完することができ、パッド部分に流入される水分の浸透を最小化することができる。
【０１５１】
【発明の効果】
上述したように、本発明では薄膜トランジスタ基板の制御信号配線に対応されて付着される制御信号伝送用フィルムに、薄膜トランジスタ基板の高電圧信号配線と低電圧信号配線の間に位置するダミーリード線を形成することによって、ダミーリード線が工程環境または使用環境中に浸透する陰イオン粒子が高電圧信号配線に移動することを防止する。また、このようなダミーリード線は高電圧信号配線が伝送する電圧と同一な大きさの電圧を伝送して高電圧信号配線周辺部に等電位がかかるようにし、陰イオン粒子が高電圧配線の周辺部にフローティングされるようにすることによって陰イオン粒子が高電圧信号配線に移動することを防止する。このように、陰イオン粒子の移動を制御することによって、電気分解によって高電圧信号配線が損傷を受けることを防止することができる。この時、信号伝送用フィルムのリード線で薄膜トランジスタ基板の配線を十分に覆うように形成する場合、水分が配線部分に浸透することを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】制御信号部を含む液晶表示装置の概略図である。
【図２】高電圧ダミーリード線が形成されない場合の制御信号部の配線配置図である。
【図３】図２に示した切断線III−III'に沿って示した断面図である。
【図４】本発明の第１実施例による制御信号部の配線配置図である。
【図５】図４に示した切断線V−V'に沿って示した断面図である。
【図６】本発明の第２実施例による制御信号部の配線配置図である。
【図７】図６に示した切断線VI−VI'に沿って示した断面図である。
【図８】本発明の第３実施例による液晶表示装置の配置図である。
【図９】図８に示した切断IX−IX'に沿って示した断面図である。
【図１０】発明の第４実施例による液晶表示装置の配置図である。
【図１１】図１０に示した切断線XI−XI'に沿って示した断面図である。
【図１２】信号リード線と信号配線の重畳状態を示した平面図である。
【図１３】図１２に示した切断線XIII−XIII'に沿って示した断面図である。
【図１４】信号リード線と信号配線の異なる重畳状態を示した平面図である。
【図１５】図１４に示した切断線XV−XV'に沿って示した断面図である。
【図１６】信号配線の異なるパターンを示した平面図である。
【図１７】図１６に示した切断線XVII−XVII'を示した断面図である。
【図１８】信号配線のパッド部分の異なるパターンを示した平面図である。
【図１９】図１８に示した切断線XIX−XIX'に沿って示した断面図である。
【符号の説明】
１０ 絶縁基板
２０、２１、２２ ゲート配線
２９ 第１信号配線
３０ ゲート絶縁膜
４０ 半導体層
５１、５２ 抵抗性接触層
６０、６１、６２、６３ データ配線
６９ 第２信号配線
７０ 保護膜
７１ 接触孔
８０ 画素電極
８１ ゲート補助パッド
８２ データ補助パッド
８３、８５、８６、８７ 補助パッド
８８ 第１信号補助パッド
８９ 第２信号補助パッド
１００ カラーフィルター基板
１３０ データ線
１４０ ゲート線
２００ 薄膜トランジスタ基板
２０１、２０２、２０３、２０４、２０５ ゲート制御信号配線
２１０、２２０ 高電圧ダミー配線
２５０ 異方性導電膜
２５１ 導電性粒子
２５２ 接着剤
３００ データ伝送用フィルム
３０１、３０２、３０３、３０４、３０５ ゲート制御信号リード線
３０８、３０９ リード線
３１０ データ駆動集積回路
３１０、３２０ 高電圧ダミーリード線
３５０ データ信号リード線
４００ ゲート伝送用フィルム
４０１、４０２、４０３ リード線
４１０ ゲート駆動集積回路
４５０ ゲート信号リード線
５００ データ用印刷回路
５２０ ゲート制御信号連結配線部
Claims (19)
- 基板と、
前記基板上に形成される第１信号配線及び第２信号配線を含む制御信号配線部と、
前記基板に対応するフィルムと、前記フィルム上に形成され前記第１及び第２信号配線に各々接触し、第１信号電圧が印加される第１信号リード線及び前記第１信号電圧より小さい電圧の大きさを有する第２信号電圧が印加される第２信号リード線と、前記第１信号リード線と前記第２信号リード線との間に位置し、前記第１信号電圧が印加されるダミーリード線を含む制御信号伝送部と、
前記基板上に、前記第１信号リード線、前記第２信号リード線及び前記ダミーリード線にそれぞれ対応して形成されている、第１信号配線、第２信号配線及びダミー配線と、
を含み、
前記ダミー配線は、前記第２信号配線を形成する導電物質より酸化傾向が小さい導電物質で形成される制御信号部。 - 前記ダミーリード線は、前記第１信号配線、前記第２信号配線及び前記ダミー配線を含む配線よりも厚く形成されている、請求項１に記載の制御信号部。
- 前記第１信号リード線、前記第２信号リード線及び前記ダミーリード線それぞれは、これに対応する前記第１信号配線、前記第２信号配線及び前記ダミー配線に一部分が重畳するように接触されている、請求項１に記載の制御信号部。
- 前記ダミー配線は前記第１信号配線と連結されている、請求項１に記載の制御信号部。
- 前記ダミー配線は前記第１信号配線と絶縁されている、請求項１に記載の制御信号部。
- 前記ダミー配線はＩＴＯまたはＩＺＯで形成される、請求項１に記載の制御信号部。
- 前記第１信号リード線が前記ダミーリード線まで拡張されて前記ダミーリード線と一体なす、請求項１に記載の制御信号部。
- 基板上に形成され、ゲート線、ゲート線に絶縁されて交差して画素領域を定義するデータ線、画素領域にゲート線とデータ線とに電気的に連結される薄膜トランジスタ、画素領域に薄膜トランジスタの一電極に連結される画素電極を含む画面表示部と、
請求項１〜７のいずれかに記載の信号制御部と、
を含む液晶表示装置。 - 前記制御信号伝送部のフィルムにはデータ駆動集積回路が実装されている、請求項８に記載の液晶表示装置。
- 前記制御信号伝送部のフィルムにはゲート駆動集積回路が実装されている、請求項８に記載の液晶表示装置。
- 前記第１信号電圧はゲートオン電圧または電源電圧である、請求項８に記載の液晶表示装置。
- 前記第２信号電圧はゲートオフ電圧または接地電圧である、請求項８に記載の液晶表示装置。
- 前記基板上に前記第１信号配線、前記第２信号配線及び前記ダミー配線を覆う絶縁膜、
前記絶縁膜に前記第１信号配線及び前記第２信号配線の一部を露出する接触孔、
前記接触孔を通じて前記第１信号配線及び前記第２信号配線に連結される補助パッドをさらに含み、
前記第１信号リード線及び前記第２信号リード線は前記接触孔の長さ方向に前記接触孔を十分に覆うように前記第１信号配線及び前記第２信号配線に接触する、請求項８に記載の液晶表示装置。 - 前記第１信号リード線及び前記第２信号リード線は前記接触孔の幅方向に前記接触孔の最小限一側辺を覆うように前記第１信号配線及び前記第２信号配線に接触する、請求項８に記載の液晶表示装置。
- 前記第１信号リード線及び前記第２信号リード線は前記接触孔の内部領域に位置して前記接触孔の両側辺を覆わないように形成される、請求項１３に記載の液晶表示装置。
- 前記基板に連結されるゲート伝送用フィルムをさらに含み、
前記第１信号配線及び前記第２信号配線が、前記ゲート伝送用フィルムに電気的に連結される第１配線と前記制御信号伝送部に電気的に連結される第２配線とが接触されている構造で形成される、請求項９に記載の液晶表示装置。 - 前記第１配線と前記第２配線の接触構造は、
前記基板上に前記第１配線が形成され、
前記第１配線を覆う第１絶縁膜、前記第１絶縁膜に前記第１配線の一端を露出する第１接触孔をさらに含み、
前記第１絶縁膜上に前記第１接触孔を通じて前記第１配線に連結される前記第２配線が形成されている、請求項１６に記載の液晶表示装置。 - 前記第２配線を覆う第２絶縁膜、
前記第２配線のパッドを露出する第２接触孔及び前記第１配線のパッドを露出する第３接触孔、
前記第２及び第３接触孔を通じて前記第１配線のパッド及び前記第２配線のパッドを各々覆う補助パッドをさらに含む、請求項１７に記載の液晶表示装置。 - 前記第１信号配線は、
前記基板上にパッドを含んで形成される下層配線、
前記下層配線上に形成される第１絶縁膜、
前記第１絶縁膜上にパッドを含んで形成される上層配線、
前記上層配線を覆う第２絶縁膜、
前記第１及び第２絶縁膜に前記下層配線を露出する第１接触孔及び前記第２絶縁膜に前記上層配線を露出する第２接触孔、
前記第１及び第２接触孔を通じて前記下層配線のパッド及び前記上層配線のパッドに連結される補助パッドを含む、請求項８に記載の液晶表示装置。
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| KR100898784B1 (ko) * | 2002-10-14 | 2009-05-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 구동방법 |
| KR100864501B1 (ko) * | 2002-11-19 | 2008-10-20 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 |
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| JP2007003965A (ja) * | 2005-06-27 | 2007-01-11 | Mitsubishi Electric Corp | 画像表示装置 |
| KR20080008795A (ko) * | 2006-07-21 | 2008-01-24 | 삼성전자주식회사 | 표시 기판 및 이를 구비한 표시 장치 |
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| KR101427587B1 (ko) * | 2008-01-25 | 2014-08-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정패널유닛, 디스플레이장치 및 그 제조방법 |
| CN101546053B (zh) * | 2008-03-24 | 2012-02-29 | 索尼公司 | 安装结构体、电光装置及电子设备 |
| JP2009258655A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-11-05 | Epson Imaging Devices Corp | 実装構造体、電気光学装置及び電子機器 |
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| KR101896377B1 (ko) * | 2012-10-12 | 2018-09-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 베젤이 최소화된 액정표시소자 |
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| KR102156341B1 (ko) * | 2013-11-21 | 2020-09-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| JP6398804B2 (ja) * | 2015-03-10 | 2018-10-03 | 株式会社デンソー | 電子装置 |
| US9583421B2 (en) * | 2015-07-16 | 2017-02-28 | Semiconductor Components Industries, Llc | Recessed lead leadframe packages |
| KR102518426B1 (ko) * | 2016-09-09 | 2023-04-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102569727B1 (ko) * | 2017-11-08 | 2023-08-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
| KR102586043B1 (ko) * | 2018-04-10 | 2023-10-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0792918A (ja) * | 1993-09-20 | 1995-04-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 画像表示パネル検査装置 |
| JPH0926593A (ja) * | 1995-07-11 | 1997-01-28 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JPH11142871A (ja) * | 1997-11-12 | 1999-05-28 | Casio Comput Co Ltd | 配線基板 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5068688A (ja) * | 1973-10-19 | 1975-06-09 | ||
| JP3086606B2 (ja) | 1994-11-14 | 2000-09-11 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| US6169530B1 (en) * | 1995-04-20 | 2001-01-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Display apparatus and assembly of its driving circuit |
| KR100237887B1 (ko) * | 1997-07-28 | 2000-01-15 | 구본준 | 액정판넬용 전압발생회로 |
| KR100243914B1 (ko) * | 1997-07-29 | 2000-02-01 | 구본준 | 액정표시패널의 탭패드부 구조 및 그 제조방법 |
| KR100266217B1 (ko) * | 1997-11-20 | 2000-09-15 | 구본준; 론 위라하디락사 | 플리커 방지용 액정표시장치 |
| JPH11212100A (ja) | 1998-01-28 | 1999-08-06 | Seiko Epson Corp | 液晶装置、液晶装置の製造方法及び電子機器 |
| JP4017754B2 (ja) * | 1998-07-07 | 2007-12-05 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| JP3139549B2 (ja) * | 1999-01-29 | 2001-03-05 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| KR20020017322A (ko) * | 2000-08-29 | 2002-03-07 | 윤종용 | 제어 신호부 구조 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 |
-
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| JPH0926593A (ja) * | 1995-07-11 | 1997-01-28 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JPH11142871A (ja) * | 1997-11-12 | 1999-05-28 | Casio Comput Co Ltd | 配線基板 |
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