KR20020020451A - 신호 전송용 필름, 이를 포함하는 제어 신호부 및 액정표시 장치 - Google Patents

신호 전송용 필름, 이를 포함하는 제어 신호부 및 액정표시 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 신호 전송용 필름, 이를 포함하는 제어 신호부 및 액정 표시 장치에 관한 것으로, 배선의 손상을 방지하기 위하여, 박막 트랜지스터 기판의 제어 신호 배선에 대응되어 부착되는 제어 신호 전송용 필름에, 박막 트랜지스터 기판의 고전압 신호 배선과 저전압 신호 배선 사이에 위치하게 되는 두꺼운 리드선을 형성한다. 즉, 본 발명은 고분자 필름 위에 구리 배선을 프린트하여 제조된 제어 신호 전송용 필름의 수~수십 ㎛의 리드선을 형성하되, 이 리드선이 박막트랜지스터 기판의 수백~수천Å 두께의 신호 배선 중 고전압 신호 배선 및 저전압 신호 배선 사이에 공간적으로 위치하도록 신호 전송용 필름 위에 배열한다. 본 발명에 따른 신호 전송용 필름에는, 제1 신호 전압이 인가되는 제1 신호 리드선이 형성되어 있고, 제1 신호 전압보다 작은 전압 크기를 가지는 제2 신호 전압이 인가되는 제2 신호 리드선이 형성되어 있고, 제1 신호 리드선과 제2 신호 리드선 사이에 위치하는 리드선이 형성되어 있다. 본 발명은 이러한 신호 전송용 필름을 포함하는 제어 신호부 및 액정 표시 장치도 제공한다.

Description

신호 전송용 필름, 이를 포함하는 제어 신호부 및 액정 표시 장치{SIGNAL TRANSMISSION FILM, CONTROL SIGNAL PART INCLUDING AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY INCLUDING THE FILM}
본 발명은 신호 전송용 필름, 이를 포함하는 제어 신호부 및 액정 표시 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중의 하나로서, 전기장을 생성하는 다수의 전극이 형성되어 있는 두 장의 기판과 두 기판 사이의 액정층, 각각의 기판의 바깥 면에 부착되어 빛을 편광시키는 두 장의 편광판으로 이루어지며, 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시킴으로써 투과되는 빛의 양을 조절하는 표시 장치이다. 이러한 액정 표시 장치의 한 기판에는 박막 트랜지스터가 형성되어 있는데, 이는 전극에 인가되는 전압을 스위칭하는 역할을 한다.
박막 트랜지스터가 형성되는 기판의 중앙부에는 화면이 표시되는 표시 영역이 위치한다. 표시 영역에는 다수의 신호선, 즉 다수의 게이트선 및 데이터선이교차하여 형성되어 있다. 게이트선과 데이터선의 교차로 정의되는 화소 영역에는 화소 전극이 형성되어 있으며, 박막 트랜지스터는 게이트선을 통하여 전달되는 게이트 신호에 따라 데이터선을 통하여 전달되는 데이터 신호를 제어하여 화소 전극으로 내보낸다.
표시 영역의 밖에는 게이트선과 데이터선에 각각 연결되어 있는 다수의 게이트 패드 및 데이터 패드가 형성되어 있으며, 이 패드들은 외부 구동 집적 회로와 직접 연결되어 외부로부터의 게이트 신호 및 데이터 신호를 인가 받아 게이트선과 데이터선에 전달한다.
박막 트랜지스터 기판에 이러한 게이트 신호 및 데이터 신호를 전달하기 위하여 게이트용 인쇄 회로 기판 및 데이터용 인쇄 회로 기판이 이방성 도전막(ACF; anisotropic conducting film)을 이용한 열압착 공정을 통하여 부착된다. 박막 트랜지스터 기판과 데이터용 인쇄 회로 기판 사이에는 전기적인 신호를 데이터 신호로 변환하여 데이터선에 출력하는 데이터 구동 집적 회로가 실장되어 있는 데이터 신호 전송용 필름이 연결되어 있다. 또한, 박막 트랜지스터 기판과 게이트용 인쇄 회로 기판 사이에는 전기적인 신호를 게이트 신호로 변환하여 게이트선에 출력하는 게이트 구동 집적 회로가 실장되어 있는 게이트 신호 전송용 필름이 연결되어 있다.
이때, 게이트용 인쇄 회로 기판을 사용하지 않고 데이터용 인쇄 회로 기판에서 게이트 신호를 제어하는 게이트 제어 신호를 출력하고, 이러한 신호를 박막 트랜지스터 기판을 통하여 게이트 신호 전송용 필름에 전달할 수도 있다.
게이트 제어 신호는 게이트 구동 직접 회로가 출력하는 게이트 온 전압(Von)과 게이트 오프 전압(Voff) 및 박막 트랜지스터 기판 내의 데이터 전압 차이에 대한 기준이 되는 공통 전압(Vcom)을 포함하는 각종 제어 신호를 포함하고 있다.
게이트 구동 직접 회로로 입력되는 이러 각종 게이트 제어 신호는 액정 표시 장치 구동시, 서로 다른 크기의 전압을 가지고 게이트 제어 신호용 연결 배선을 통하여 전달된다. 박막 트랜지스터 기판 위에 형성된 게이트 제어 신호용 연결 배선은 서로 인접하게 나란히 배치되어 있으므로, 게이트 온 전압(Von)과 같은 고전압을 전달하는 배선과 게이트 오프 전압(Voff)과 같은 저전압 전달하는 배선이 서로 인접하게 나란히 배열되어 있다.
그러나, 이와 같은 배선들의 배치 구조는 액정 표시 장치 구동시, 고전압 배선과 저전압 배선 사이에 전위차를 발생시키는데, 이러한 전위차는 액정 표시 장치 제조 공정 중 또는, 사용 중에 침투한 수분과 함께 갈바닉 전지 원리에 의한 전기 분해로 고전압 배선에 손상을 주는 등 배선 불량을 야기한다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 배선의 손상을 방지하는 신호 전송용 필름, 이를 포함하는 제어 신호부 및 액정 표시 장치를 제공하고자 한다.
도 1은 제어 신호부를 포함하는 액정 표시 장치의 개략도이고,
도 2는 고전압 더미 리드선이 형성되지 않은 경우의 제어 신호부의 배선 배치도이고,
도 3은 도 2에 보인 절단선 Ⅲ-Ⅲ'을 따라 나타낸 단면도이고,
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 제어 신호부의 배선 배치도이고,
도 5는 도 4에 보인 절단선 Ⅴ-Ⅴ'을 따라 나타낸 단면도이고,
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 제어 신호부의 배선 배치도이고,
도 7은 도 6에 보인 절단선 VI-VI'을 따라 나타낸 단면도이고,
도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고,
도 9는 도 8에 보인 절단선 IX-IX'을 따라 나타낸 단면도이고,
도 10은 본 발명의 제4 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고,
도 11은 도 10에 보인 절단선 XI-XI’을 따라 나타낸 단면도이고,
도 12은 신호 리드선과 신호 배선의 중첩 상태를 나타낸 평면도이고,
도 13은 도 12에 보인 절단선 XIII-XIII’을 따라 나타낸 단면도이고,
도 14는 신호 리드선과 신호 배선의 다른 중첩 상태를 나타낸 평면도이고,
도 15는 도 14에 보인 절단선 XV-XV’을 따라 나타낸 단면도이고,
도 16은 신호 배선의 다른 패턴을 나타낸 평면도이고,
도 17은 도 16에 보인 절단선 XVII-XVII’을 나타낸 단면도이고,
도 18은 신호 배선의 패드 부분의 다른 패턴을 나타낸 평면도이고,
도 19는 도 18에 보인 절단선 ⅩIX-ⅩIX’을 따라 나타낸 단면도이다.
본 발명은 이러한 기술적 과제를 해결하기 위하여, 박막 트랜지스터 기판의 제어 신호 배선에 대응되어 부착되는 제어 신호 전송용 필름에, 박막 트랜지스터 기판의 고전압 신호 배선과 저전압 신호 배선 사이에 위치하게 되는 두꺼운 리드선을 형성한다. 즉, 본 발명은 고분자 필름 위에 구리 배선을 프린트하여 제조된 제어 신호 전송용 필름의 수~수십 ㎛의 리드선을 형성하되, 이 리드선이 박막트랜지스터 기판의 수백~수천Å 두께의 신호 배선 중 고전압 신호 배선 및 저전압 신호 배선 사이에 공간적으로 위치하도록 신호 전송용 필름 위에 배열한다.
상세하게 본 발명에 따른 신호 전송용 필름에는, 제1 신호 전압이 인가되는 제1 신호 리드선이 형성되어 있고, 제1 신호 전압보다 작은 전압 크기를 가지는 제2 신호 전압이 인가되는 제2 신호 리드선이 형성되어 있고, 제1 신호 리드선과 제2 신호 리드선 사이에 위치하는 리드선이 형성되어 있다. 여기서, 리드선은 더미 리드선일 수 있다. 또한, 리드선은 수 ~ 수십 ㎛의 두께를 가지며, 제1 신호 전압과 동일한 크기의 전압이 인가될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 제어 신호부에는, 기판, 기판 위에 형성되는 제1 신호 배선 및 제2 신호 배선을 포함하는 제어 신호 배선부가 있고, 기판에 대응하는 필름, 필름 위에 형성되되, 제1 및 제2 신호 배선에 각각 접촉되는 제1 및 제2 신호 리드선 및 제1 신호 배선과 제2 신호 배선 사이에 위치하는 리드선을 포함하는 제어 신호 전송부가 있다. 여기서, 리드선은 더미 리드선일 수 있다.
또한, 제1 신호 리드선에는 제1 신호 전압이 인가되고, 제2 신호 리드선에는 제1 신호 전압보다 작은 크기의 제2 신호 전압이 인가되며, 리드선은 수 ~ 수십 ㎛의 두께로 형성되며, 제1 신호 전압과 동일한 크기의 전압이 인가될 수 있다.
각각의 신호 리드선은 이에 대응하는 각각의 신호 배선에 최소한 일부분이 중첩하도록 접촉되는 것이 바람직하며, 기판에 리드선에 접촉되는 배선을 더 포함할 수 있는데, 리드선은 배선에 최소한 일부분이 중첩하도록 접촉되는 것이 바람직하다.
배선은 제1 신호 배선과 연결되거나, 제1 신호 배선과 절연될 수 있으며, 제1 신호 배선을 형성하는 도전 물질보다 산화 경향이 작은 도전 물질로 형성되는 것이 바람직한데, ITO 또는 IZO로 형성될 수 있다. 이 때, 제1 신호 리드선이 리드선까지 확장되어 리드선과 일체를 이루도록 형성될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 액정 표시 장치에는, 기판 위에 형성되고, 게이트선, 게이트 선에 절연되어 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터선, 화소 영역에 게이트선과 데이터 선에 전기적으로 연결되는 박막 트랜지스터, 화소 영역에 박막 트랜지스터의 일 전극에 연결되는 화소 전극을 포함하는 화면 표시부가 있고, 기판의 일부에 형성되는 제1 신호 배선 및 제2 신호 배선을 포함하는 제어 신호 배선부가 있고, 기판에 대응하는 필름, 필름 위에 형성되되, 제1 및 제2 신호 배선에 각각 접촉되는 제1 및 제2 신호 리드선 및 제1 신호 배선과 제2 신호 배선 사이에 위치하는 리드선을 포함하는 제어 신호 전송부가 있다. 여기서, 제어 신호 전송부의 리드선은 더미 리드선일 수 있다.
이 때, 제1 신호 리드선에는 제1 신호 전압이 인가되고, 제2 신호 리드선에는 제1 신호 전압보다 작은 크기의 제2 신호 전압이 인가될 수 있으며, 리드선은 수 ~ 수십 ㎛의 두께로 형성되는데, 제1 신호 전압과 동일한 크기의 전압이 인가될 수 있다.
각각의 신호 리드선은 이에 대응하는 각각의 신호 배선에 최소한 일부분이중첩하도록 접촉되는 것이 바람직하며, 제어 신호 전송부의 필름에는 데이터 직접 구동 회로가 실장되거나, 게이트 구동 직접 회로가 실장될 수 있다.
이 때, 제1 신호 전압은 게이트 온 전압 또는 전원 전압일 수 있고, 제2 신호 전압은 게이트 오프 전압 또는 접지 전압일 수 있다.
그리고, 기판에 리드선에 접촉되는 배선을 더 포함할 수 있는데, 리드선은 배선에 최소한 일부분이 중첩하도록 접촉될 수 있으며, 제2 신호 배선을 형성하는 도전 물질보다 산화 경향이 작은 도전 물질로 형성되는 것이 바람직한데, ITO 또는 IZO로 형성될 수 있다. 또한, 배선은 게이트선을 형성하는 물질, 데이터선을 형성하는 물질, 화소 전극을 형성하는 물질 중의 하나로 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 액정 표시 장치는, 기판 위에 배선을 덮는 절연막, 절연막에 배선의 일부를 드러내는 접촉 구멍, 접촉 구멍을 통하여 배선에 연결되는 보조 패드를 더 포함하며, 리드선은 접촉 구멍의 길이 방향으로 접촉 구멍을 충분히 덮도록 배선에 접촉될 수 있다. 이 때, 리드선은 접촉 구멍의 폭 방향으로 접촉 구멍의 최소한 한 측변을 덮도록 배선에 접촉될 수 있다. 또한, 리드선은 접촉 구멍의 내부 영역에 위치하여 접촉 구멍의 양측변을 덮지 않도록 형성될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 액정 표시 장치는 기판에 연결되는 게이트 전송용 필름을 더 포함하고, 기판 위의 배선들이 게이트 전송용 필름에 전기적으로 연결되는 제1 배선과 제어 신호 전송부에 전기적으로 연결되는 제2 배선이 접촉되어 있는 구조로 형성될 수 있다. 이 때, 제1 배선과 제2 배선의 접촉 구조는, 기판 위에 제1 배선이 형성되고, 제1 배선을 덮는 제1 절연막, 제1 절연막에 제1 배선의 일단을드러내는 제1 접촉 구멍을 더 포함하고, 제1 절연막 위에 제1 접촉 구멍을 통하여 제1 배선에 연결되는 제2 배선이 형성된다. 여기서, 제2 배선을 덮는 제2 절연막, 제2 배선의 패드를 드러내는 제2 접촉 구멍 및 제1 배선의 패드를 드러내는 제3 접촉 구멍, 제2 및 제3 접촉 구멍을 통하여 제1 배선의 패드 및 제2 배선의 패드를 각각 덮는 보조 패드를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 액정 표시 장치에서, 제1 신호 배선은, 기판 위에 패드를 포함하는 하층 배선이 형성되고, 하층 배선 위에 제1 절연막이 형성되고, 제1 절연막 위에 패드를 포함하는 상층 배선이 형성되고, 상층 배선을 덮는 제2 절연막이 형성되고, 제1 및 제2 절연막에 하층 배선을 드러내는 제1 접촉 구멍 및 제2 절연막에 상층 배선을 드러내는 제2 접촉 구멍이 형성되고, 제1 및 제2 접촉구멍을 통하여 하층 배선의 패드 및 상층 배선의 패드에 연결되는 보조 패드를 포함할 수 있다.
그러면, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.
도 1은 박막 트랜지스터 기판(10)에 게이트 제어용 신호 배선이 형성되어 있는 액정 표시장치의 배치 구조를 개략적으로 나타낸 것이다.
컬러 필터 기판(200)에 합착되어 있는 박막 트랜지스터 기판(10)의 가장자리 부분에는 데이터선(130)에 데이터 신호를 인가할 데이터 구동 직접 회로(310) 및 게이트선(140)에 게이트 신호를 인가할 게이트 구동 직접 회로(410)가 위치하고 있다. 데이터 구동 직접 회로(310)는 데이터용 인쇄 회로 기판(300)과 박막 트랜지스터 기판(10)을 전기적으로 연결하는 데이터 전송용 필름(300) 위에 실장되어 있고, 게이트 구동 직접 회로(410)는 박막 트랜지스터 기판(10)에 전기적으로 연결되어 있는 게이트 전송용 필름(400) 위에 실장되어 있다.
이러한 게이트 및 데이터 신호 전송용 필름(300, 400)은 이방성 도전막(ACF; anisotropic conducting film)(도면 미표시)을 이용한 열압착 공정을 통하여 박막 트랜지스터 기판(10)과 전기적으로 연결된다. 이 때, 각기 필름(300, 400)에 형성된 신호 리드선 및 박막 트랜지스터 기판(10)에 형성된 신호 배선은 일대일로 대응하고, 이방성 도전막의 도전 입자(도면 미표시)를 통하여 전기적으로 연결되어 있다.
게이트 구동 직접 회로(410)의 구동을 제어하기 위한 게이트 제어 신호는 게이트 제어 신호 연결 배선부(520)를 통하여 게이트 구동 직접 회로(410)에 전달된다. 게이트 제어 신호 연결 배선부(520)에서는 데이터용 인쇄 회로 기판(500), 데이터 신호 전송용 필름(300), 박막 트랜지스터 기판(10) 및 게이트 신호 전송용 필름(400) 각각에 형성된 배선들이 서로 전기적으로 연결되어 있다.
게이트 구동 직접 회로(410)는 게이트 제어 신호에 조절되면서 박막 트랜지스터 기판(10)의 게이트선(140)에 게이트 신호를 전달한다. 게이트 제어 신호 연결 배선부(520)에 표시된 화살표는 게이트 제어 신호의 전송 방향을 나타낸 것이다.
게이트 제어 신호는 게이트 구동 직접 회로(410)가 출력하는 게이트 온 전압(Von), 게이트 오프 전압(Voff), 박막 트랜지스터 기판(10) 내의 데이터 전압 차의 기준이 되는 공통 전압(Vcom), 게이트 클락(CPV), 초기 수직 신호(START VERTICAL SIGNAL, STV), 라인 반전 신호(LINE REVERSE SIGNAL, RVS), 게이트 온 이너블(GATE ON ENABLE, OE), 접지 전압(VGND) 및 전원 전압(VDD)을 포함하는 각종 제어 신호를 포함하는데, 이 들 게이트 제어 신호는 게이트 구동 회로(410)의 구동을 제어한다.
이러한 게이트 제어 신호에서, 게이트 온 전압(Von), 전원 전압(VDD) 등은 10∼25V의 전압 크기를 가지며, 게이트 오프 전압(Voff), 접지 전압(VGND) 등은 OV 이하의 전압 크기를 가지는데, 두 전압은 약 10V 이상의 전압 차이가 있다.
게이트 온 전압과 같은 고전압이 인가되는 고전압 신호 배선과 게이트 오프 전압과 같이 고전압 신호 배선에 인가된 전압에 비하여 상대적으로 작은 전압이 인가되는 저전압 신호 배선을 이웃하게 배치하면, 액정 표시 장치 구동시, 두 신호 배선 사이에 고전압과 저전압의 전압 차이에 해당하는 전위차가 걸린다.
한 편, 액정 표시 장치를 제작 및 사용하는 과정 특히, 습기가 있는 공정 및 사용 환경 중에 수분이 배선 주위의 단자부에 침투하게 되는 경우가 발생한다.
수분은 자체내에 이온 입자를 함유하고 있는데, 그 중 음이온 입자는 고전압 신호 배선과 저전압 신호 배선 사이에 걸리는 전위차에 의하여 저전압 신호 배선에서 고전압 신호 배선으로 ACF를 전해질로 하여 이동한다. 고전압 신호 배선은 음이온 입자와의 전기 화학적 반응에 의하여 그 일부가 주위의 전해질에 녹게 되어 배선 오픈이 유발되는 등 전기 분해에 의한 손상을 입게 된다.
이러한 전기 분해에 의한 배선 오픈은 신호 전송용 필름(300, 400)과 박막 트랜지스터 기판(10)이 부착되는 부분, 특히, "A" 영역과 "B" 영역으로 표시되어 있는 부분에서 많이 발생한다.
본 발명은 전기 분해에 의한 고전압 신호 배선의 손상을 방지하기 위하여,음이온 입자가 고전압 신호 배선으로 이동하는 것을 방지하고자 한다.
이를 다음 도면을 참조하여 좀더 상세히 설명한다.
도 2는 고전압 신호 배선과 저전압 신호 배선을 이웃하게 배치한 경우에 있어서의 제어 신호부의 배치도를 나타낸 것이고, 도 3은 도 2에 보인 절단선 Ⅲ-Ⅲ'에 따른 단면도를 나타낸 것이다.
게이트 제어 신호 배선(201, 202, 203, 204, 205)이 형성되어 있는 박막 트랜지스터 기판(10)과 게이트 제어 신호 리드선(301, 302, 303, 304, 305)이 형성되어 있는 데이터 전송용 필름(300)이 도전성 입자(251)와 접착제(252)로 이루어진 이방성 도전막(250)에 의하여 접착되어 있다. 박막 트랜지스터 기판(10)의 게이트 제어 신호 배선(201, 202, 203, 204, 205)과 데이터 전송용 필름(300)의 게이트 제어 신호 리드선(301, 302, 303, 304, 305)은 도전성 입자(251)에 의하여 전기적으로 연결되어 있다.
데이터 전송용 필름(300)에서, 20V 정도의 고전압 예를 들어, 게이트 온 전압(Von)이 인가되는 고전압 신호 리드선(301)의 일 측에는 0V 이하의 저전압 예를 들어, 게이트 오프 전압(Voff)이 인가되는 저전압 신호 리드선(302)이 형성되어 있고, 고전압 신호 리드선(301)의 다른 일측에는 3V 정도의 게이트 공통 전압(Vcom)이 인가되는 공통 전압 리드선(303)이 형성되어 있다. 그리고, 다른 종류의 게이트 제어 신호(V1, V2)가 인가되는 기타 게이트 제어 신호 리드선(304, 305)이 형성되어 있다.
공통 전압(Vcom)은 게이트 온 전압에 비하여 저전압이 될 수 있지만, 본 명세서에서는 공통 전압보다 더 낮은 전압인 게이트 오프 전압을 저전압의 일예로 하여 본 발명을 설명한다.
박막 트랜지스터 기판(10)에는 이들 리드선(301, 302, 303, 404, 305)과 일대일 대응으로 접촉되는 고전압 신호 배선(201), 저전압 신호 배선(202), 공통 전압 배선(203) 및 다른 게이트 제어 신호 배선(204, 205)이 형성되어 있다.
액정 표시 장치 구동시, 게이트 제어 신호는 데이터 전송용 필름(300)의 리드선(301, 302, 303, 304, 305), 박막 트랜지스터 기판(10)의 배선(201, 202, 203, 204, 205) 및 게이트 전송용 필름(도면 미표시)의 리드선을 통하여 게이트 구동 직접 회로(도면 미표시)에 입력된다.
이 과정에서, 게이트 온 전압(Von)이 인가되는 고전압 신호 리드선(301) 및 고전압 신호 배선(201)과 게이트 오프 전압(Voff)이 인가되는 저전압 신호 리드선(302) 및 저전압 신호 배선(202) 사이에는 게이트 온 전압과 게이트 오프 전압의 차이에 해당하는 전위차가 걸린다.
한 편, 액정 표시 장치를 제작 또는 사용하는 과정 특히, 습기가 있는 공정 환경 내지 사용 환경 중에 수분이 침투하여 배선 주위의 단차부에 집중된다. 수분은 자체내에 이온 입자를 함유하고 있는데, 그 중 음이온 입자(500)는 고전압 신호 배선(201)과 저전압 신호 배선(202) 사이에 발생되는 전위차에 의하여 저전압 신호 배선(202)에서 고전압 신호 배선(201)으로 ACF를 전해질로 하여 이동한다. 고전압 신호 배선(201)은 음이온 입자와의 전기 화학적 반응에 의하여 그 일부가 주위의전해질에 녹게 되어 배선 오픈이 유발되는 등 전기 분해에 의한 손상을 입게 된다.
그러나, 박막 트랜지스터 기판의 고전압 신호 배선과 저전압 신호 배선 사이에 위치하는 리드선을 가지는 제어 신호 전송용 필름을 사용할 경우, 이 리드선은 음이온 입자가 고전압 신호 배선으로 이동하는 것을 방지하는 장벽 역할을 하게 된다. 그 결과, 제어 신호 전송용 필름과 박막 트랜지스터 기판에 접착되는 제어 신호부에 수분이 침투하더라도, 음이온 입자가 고전압 신호 배선에 도달할 수 없어서, 고전압 신호 배선을 녹일 수 없게 된다.
이를 다음의 본 발명의 실시예들을 통하여 자세히 설명한다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 제어 신호부의 배선 배치도의 일부를 나타낸 것이고, 도 5는 도 4에 보인 절단선 Ⅴ-Ⅴ'에 따른 단면도를 나타낸 것이다.
게이트 제어 신호 배선(201, 202, 203)이 형성되어 있는 박막 트랜지스터 기판(10)과 게이트 제어 신호 리드선(301, 302, 303) 및 고전압 더미 리드선(310, 320)이 형성되어 있는 데이터 전송용 필름(300)이 도전성 입자(251)와 접착제(252)로 이루어진 이방성 도전막(250)에 의하여 접착되어 있다. 박막 트랜지스터 기판(10)의 게이트 제어 신호 배선(201, 202, 203)과 데이터 전송용 필름(300)의 게이트 제어 신호 리드선(301, 302, 303)은 이방성 도전막(250) 내의 도전성 입자(251)를 통하여 전기적으로 연결되어 있다.
데이터 전송용 필름(300)에는, 게이트 온 전압(Von)이 인가되는 고전압 신호 리드선(301), 게이트 오프 전압(Voff)이 인가되는 저전압 신호 리드선(302), 게이트 공통 전압(Vcom)이 인가되는 공통 전압 신호 리드선(303)이 형성되어 있고, 고전압 신호 리드선(301)의 양측에는 게이트 온 전압(Von)과 동일한 크기의 전압이 인가되는 고전압 더미 리드선(310, 320)이 형성되어 있다.
그리고, 박막 트랜지스터 기판(10)에는 고전압 신호 배선(201), 저전압 신호 배선(202) 및 공통 전압 신호 배선(203)이 형성되어 있다. 이들 배선(201, 202, 203)은 고전압 신호 리드선(301), 저전압 신호 리드선(302) 및 공통 전압 신호 리드선(303)과 일대일 대응으로 접촉되어 있다. 박막 트랜지스터 기판(10)에는 고전압 더미 리드선(310, 320)에 대응되는 배선은 형성되어 있지 않다.
데이터 전송용 필름(300)의 리드선(301, 302, 303, 310, 320)은 데이터 전송용 필름을 위한 고분자 필름 위에 프린트 공정에 의하여 수∼수십 ㎛의 두께로 박막트랜지스터 기판의 신호 배선(201, 202, 203)보다 현저히 두껍게 형성된다. 데이터 전송용 필름(300)과 박막 트랜지스터 기판(10)이 이방성 도전막(250)을 매개로, 열압착을 통하여 부착될 때, 고전압 더미 리드선(310, 320)이 있는 이방성 도전막(250)의 접착제(252) 부분은 그 조직이 두꺼운 리드선(310, 320)에 밀리면서 압착되는데, 이 때, 음이온 입자의 이동을 저지할 수 있을 만큼 조직이 조밀해진다. 따라서, 고전압 더미 리드선(310, 320)은 그 주변에 존재하는 음이온의 이동을 막는 장벽 역할을 한다.
액정 표시 장치 구동시, 게이트 제어 신호는 데이터 전송용 필름(300)의 리드선(301, 302, 303), 박막 트랜지스터 기판(10)의 배선(201, 202, 203) 및 게이트 전송용 필름(도면 미표시)의 리드선(도면 미표시)을 통하여 게이트 구동 직접회로(도면 미표시)에 입력된다.
이 과정에서, 게이트 온 전압(Von)이 인가되는 고전압 신호 리드선(301)(또는, 고전압 신호 배선(301))과 고전압 더미 리드선(310, 320)에는 동일한 크기의 전압이 인가되어, 고전압 신호 리드선(301)(또는, 고전압 신호 배선(301))과 고전압 더미 리드선(310, 320) 사이 즉, 고전압 신호 배선(301)의 주변 공간은 등전위가 걸리게 된다. 또한, 저전압 신호 리드선(301)(또는, 저전압 신호 배선(201))에는 게이트 오프 전압(Voff)과 같은 저전압이 인가되어, 저전압 신호 리드선(301)(또는, 저전압 신호 배선(201))과 고전압 더미 리드선(310, 320) 사이에는 게이트 온 전압과 게이트 오프 전압의 차이에 해당하는 전위차가 걸린다.
한 편, 액정 표시 장치를 제작 또는 사용하는 과정 특히, 습기가 있는 공정 환경 내지 사용 환경중에 침투된 수분 중의 음이온 입자(500)는 고전압 더미 리드선(301)과 저전압 신호 리드선(또는, 저전압 신호 배선(201)) 사이에 걸리는 전위차에 의하여 저전압 신호 배선(202)에서 고전압 더미 리드선(301)으로 ACF를 전해질로 하여 이동하게 된다.
이 때, 음이온 입자(500)와 고전압 더미 리드선(310, 320)의 전기 화학적 반응에 의하여 고전압 더미 리드선(310, 320) 일부가 주위의 전해질에 녹을 수 있다. 그러나, 고전압 더미 리드선(310, 320)이 충분히 두껍기 때문에, 충분한 양이온을 음이온 입자에 공급해줄 수 있어서 자신을 거의 부식되지 않는다.
고전압 더미 리드선(310, 320)으로 이동된 음이온 입자는 고전압 더미 리드선(310, 320)에 막혀서 더 이상 이동하지 못하게 된다. 즉, 고전압 더미리드선(310, 320)은 고전압 신호 배선(201)과 저전압 신호 배선(202) 사이에 위치하여, 침투된 수분 내의 음이온 입자(500)가 전위차에 의하여 고전압 신호 배선(201)으로 이동하는 것을 막는다.
또한, 고전압 신호 배선(201)의 주변으로 침투하게 된 음이온 입자(500)는 고전압 신호 리드선(301)(또는, 고전압 신호 배선(301))과 고전압 더미 리드선(310, 320) 사이에 걸리는 등전위로 인하여, 고전압 신호 배선(301)의 주변 공간에서 이동 방향을 잃고 플로팅(floating)된다.
따라서, 고전압 신호 배선이 음이온 입자와 전기 화학 반응을 일으키는 경우는 거의 없으며, 고전압 신호 배선은 액정 표시 장치 구동시에도, 음이온 입자에 의한 손상을 받지 않는다.
상술한 본 발명의 제1 실시예에 따른 제어 신호부에서는, 데이터 제어 신호 전송용 필름(300)에 형성된 고전압 더미 리드선(310, 320)이 그에 이웃하는 고전압 신호 리드선(301)과 분리되어 있지만, 고전압 신호 리드선(301)의 면적을 고전압 더미 리드선(310, 320)이 있는 부분에까지 확장시켜 고전압 신호 리드선(301)과 고전압 더미 리드선(310, 320)을 일체로 형성할 수 있다. 이 경우, 고전압 신호 배선(201) 주변부에 확장된 고전압 신호 리드선(301)이 위치하게 되는데, 음이온 입자가 확장된 고전압 신호 리드선(301)으로 이동하여 고전압 신호 리드선(301)과 반응하여도, 고전압 신호 리드선(301)이 현저히 크고 넓어졌기 때문에, 충분한 양이온을 음이온 입자에 공급할 수 있어서 자신을 거의 부식되지 않는다.
한 편, 본 발명의 제1 실시예에 따른 제어 신호부와는 다르게, 도 6 및 도7에 도시한 본 발명의 제2 실시예에 따른 제어 신호부에서와 같이, 데이터 전송용 필름(300)의 고전압 더미 리드선(310. 320)에 대응되는 고전압 더미 배선(210, 220)이 박막 트랜지스터 기판(10)에 형성될 수 있다. 이 경우에는, 고전압 신호 배선(201)의 주변에 더 넓은 등전위 영역이 형성된다는 장점이 있다.
이 때, 고전압 더미 배선(210, 220)은 도 6에 보인 바와 같이, 동일한 전압이 인가되는 고전압 신호 배선(201)과는 연결되지 않게 형성될 수 있고, 이와는 다르게, 적어도 하나의 고전압 더미 배선이 고전압 신호 배선(201)에 연결되게 형성될 수 도 있다. 고전압 더미 배선(210, 220)이 고전압 신호 배선(201)에 연결되게 형성되는 경우에는, 고전압 더미 배선(210, 220)은 고전압 신호 배선(201)의 리던던시 배선이 된다.
박막 트랜지스터 기판에 형성되는 고전압 더미 배선은 통상의 금속 물질, 예를 들어, 게이트 배선 또는 데이터 배선 형성용 도전 물질로 형성될 수 있다. 이 때, 고전압 더미 배선은 저전압 신호 배선을 형성하는 금속 물질보다 산화 경향이 작은 도전 물질 예를 들어, 구리 계열, 은 계열, 크롬 계열 또는 몰리브덴 계열 또는 질화 크롬 또는 질화 몰리브덴으로 형성되는 것이 전기 분해에 영향을 덜 받을 수 있어서 유리하다. 또는, 고전압 더미 배선이 ITO나 IZO와 같이 산화가 되어 있는 도전 물질로 형성되는 경우에도 음이온 입자에 의한 반응을 줄일 수 있어서 유리하다.
데이터 전송용 필름(300)의 고전압 더미 리드선(310, 320)은 고전압 신호 배선(201)과 이에 이웃하는 저전압 신호 배선(202)의 사이에 발생하는 전위차에 의한전기 분해를 방지하기 위하여 형성되는 것이므로, 저전압 신호 배선(202)이 고전압 신호 배선(201)의 한 측에만 있을 경우에는 저전압 신호 배선(202)이 있는 측에만 고전압 더미 리드선을 형성하는 것도 가능하다.
상술한 본 발명의 제1 및 제2 실시예에 따른 제어 신호부에서는, 게이트 온 전압이 인가되는 리드선을 고전압 신호 리드선의 일 예로 하고, 게이트 오프 전압이 인가되는 리드선을 저전압 신호 리드선의 일 예로 한 것이다. 그러나, 게이트 제어 신호 리드선 중 고전압 신호 리드선으로는 게이트 온 전압이 인가되는 리드선 이외에 전원 전압(Vdd)이 인가되는 리드선 등이 다른 예일 수 있고, 저전압 신호 리드선으로는 접지 전압(VGND)이 인가되는 리드선 등이 다른 예일 수 있다.
상술한 본 발명의 제1 및 제2 실시예에 따른 제어 신호부에서는, 데이터 전송용 필름을 사용하는 제어 신호부를 일예로 하여 본 발명을 설명하였지만, 게이트 전송용 필름을 사용하는 제어 신호부에도 본 발명을 동일하게 적용할 수 있다.
상술한 본 발명의 제1 및 제2 실시예에서는 게이트 제어 신호가 입력되는 게이트 제어 신호 배선 부분만에 대하여 설명하였지만, 데이터 제어 신호가 입력되는 데이터 제어 신호 배선이 기판에 형성되는 경우에도 본 발명을 동일하게 적용할 수 있다. 또한, 본 발명은 두 배선 사이의 전압 차이와 침투된 수분에 의하여 발생되는 전기 분해에 의하여 야기되는 배선의 용출을 방지하기 위한 모든 예에 적용이 가능하다.
이하에서는, 이러한 제어 신호부의 구조를 포함하는 액정 표시 장치에 대하여 후술한다.
도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도를 나타낸 것이고, 도 9는 도 8에 보인 절단선 IX-IX’ 을 따라 나타낸 단면도이다.
본 발명의 제3 실시예에 따른 액정 표시 장치는 게이트 제어 신호부에서 게이트 제어 신호가 인가되는 신호 배선이 데이터 배선 형성용 도전 물질로 형성되고, 고전압 더미 리드선에 대응되는 고전압 더미 배선은 형성되지 않은 경우를 예로 하여 나타낸 것이다.
절연 기판(10) 위에 게이트 전극(22)을 가지는 게이트선(20), 게이트선(20)의 일단에 연결되는 게이트 패드(21)를 포함하는 게이트 배선(20, 21, 22)이 형성되어 있다.
게이트선(20)은 가로 방향으로 뻗어 있고, 게이트 구동 직접 회로(도면 미표시)에서 출력되는 게이트 신호를 화소 영역에 전달한다. 게이트 배선(20, 21, 22)은 구리 계열, 알루미늄 계열, 크롬 계열 또는 몰리브덴 계열 또는 질화 크롬 또는 질화 몰리브덴과 같은 통상의 도전 물질로 단일막 또는 다층막으로 형성될 수 있다.
절연 기판(10) 위에는 게이트 배선(20, 21, 22)을 덮는 질화 규소 또는 산화 규소 등과 같은 절연 물질로 이루어진 게이트 절연막(30)이 형성되어 있다.
게이트 절연막(30) 위에는 게이트 전극(22)에 대응하는 위치에 비정질 규소로 이루어진 반도체층(40)이 형성되어 있다.
게이트 절연막(40) 위에는 세로 방향으로 뻗어 게이트선(20)에 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터선(60), 데이터선(60)의 일단에 형성되는 데이터패드(61), 데이터선(60)에서 돌출되어 반도체층(40)에 접촉되는 소스 전극(62), 소스 전극(62)에 대응되어 반도체층(40)에 접촉되는 드레인 전극(63)을 포함하는 데이터 배선(60, 61, 62, 63)이 형성되어 있다.
또한, 게이트 절연막(40) 위에는 게이트 제어 신호 배선(201, 202, 203)이 형성되어 있다. 게이트 제어 신호 배선(201, 202, 203)은 게이트 온 전압(Von)과 같은 고전압이 인가되는 고전압 신호 배선(201), 게이트 오프 전압(Voff)과 같은 저전압이 인가되는 저전압 신호 배선(202) 및 공통 신호 전압이 인가되는 공통 전압 신호 배선(203)을 포함한다.
게이트 제어 신호 배선(201, 202, 203)은 게이트 제어 신호선 및 게이트 제어 신호선의 양단에 형성되는 게이트 제어 신호 패드를 포함한다. 게이트 제어 신호 배선(201, 202, 203)은 그 일단이 기판(10)의 상부면에 위치하여 데이터 전송용 필름(300)의 리드선(301, 302, 303)과 접촉될 수 있도록 형성되어 있고, 다른 일단은 기판(10)의 좌측면에 위치하여 게이트 전송용 필름(400)의 리드선(401, 402, 403)과 접촉될 수 있도록 형성되어 있다.
이와 같은 구조로 인하여, 데이터 전송용 필름(300)의 리드선(301, 302, 303)을 통하여 전달되는 게이트 제어 신호는 박막 트랜지스터 기판(100)의 게이트 제어 신호 배선(201, 202, 203) 및 게이트 전송용 필름(400)의 리드선(401, 402, 403)을 통하여 게이트 구동 직접 회로 (도면 미표시)에 전달된다.
데이터 배선(60, 61, 62, 63)과 게이트 제어 신호 배선(201, 202, 203)은 구리 계열, 알루미늄 계열, 크롬 계열 또는 몰리브덴 계열 또는 질화 크롬 또는 질화몰리브덴과 같은 통상의 도전 물질로 단일막 또는 다층막으로 형성될 수 있다.
반도체층(40)과 소스 전극(62) 사이 또는 반도체층(40)과 드레인 전극(63) 사이에는 불순물이 도핑된 비정질 규소 따위로 이루어진 저항성 접촉층(51, 52)이 개재되어 있다.
그리고, 데이터 배선(60, 61, 62, 63), 게이트 제어 신호 배선(201, 202, 203) 및 반도체층(40)을 포함하는 기판의 전면에는 질화 규소 또는 산화 규소와 같은 절연 물질로 이루어진 보호막(70)이 형성되어 있다.
보호막(70)에는 드레인 전극(63)을 드러내는 접촉 구멍(71), 데이터 패드(61)를 드러내는 접촉 구멍(73), 게이트 제어 신호 배선(201, 202, 203)의 양단에 위치하는 패드를 드러내는 접촉 구멍(C1, C2, C3)이 각각 형성되어 있다.
그리고, 보호막(70) 위에는 접촉 구멍(71)을 통하여 드레인 전극(61)에 연결되어 화소 영역에 형성되는 화소 전극(80), 다른 접촉 구멍(72)을 통하여 게이트 패드(21)에 연결되는 게이트 보조 패드(81), 또 다른 접촉 구멍(73)을 통하여 데이터 패드(61)에 연결되는 게이트 보조 패드(82)가 형성되어 있다. 또한, 보호막(70) 위에는 접촉 구멍(C1, C2, C3)을 통하여 게이트 제어 신호 연결 배선(201, 202, 203)의 양단에 위치하는 패드에 연결되는 게이트 제어 신호부의 보조 패드(83, 85, 87)가 각각 형성되어 있다.
이렇게 형성된 박막 트랜지스터 기판(10)에 게이트 구동 직접 회로(도면 미표시)를 실장한 게이트 전송용 필름(400)과 데이터 구동 직접 회로(도면 미표시)를 실장한 데이터 전송용 필름(300)이 이방성 도전막(250)에 의하여 부착되어 있다.
데이터 전송용 필름(300)에는 데이터 신호가 인가되는 데이터 신호 리드선(350)과, 게이트 구동 직접 회로의 구동을 제어하기 위한 게이트 제어 신호가 인가되는 게이트 제어 신호 리드선(301, 302, 303)이 형성되어 있다.
데이터 신호 리드선(350)은 절연 기판(10) 위에 형성된 데이터 패드(82)에 전기적으로 접촉되어, 데이터 패드(82)에 연결되는 데이터선(20)에 데이터 신호를 전달한다. 그리고, 게이트 제어 신호 리드선(301, 302, 303)은 절연 기판(10)의 상부면 위에 형성된 게이트 제어 신호 배선(201, 202, 203)의 패드에 전기적으로 접촉되어, 게이트 제어 신호 연결 배선(201, 202, 203)에 게이트 제어 신호를 전달한다.
또한, 데이터 전송용 필름(300)에는 박막 트랜지스터 기판(10)과의 부착시, 고전압 신호 배선(201)과 저전압 신호 배선(202) 또는, 다른 신호 배선(203) 사이에 위치하게 될 고전압 더미 신호 리드선(310, 320)이 형성되어 있다.
데이터 전송용 필름(300)의 리드선(301, 302, 303, 310, 320)은 고분자 필름 위에 프린트 공정에 의하여 수∼수십 ㎛의 두께를 가지는데, 박막 트랜지스터 기판의 수백~수천Å 두께의 신호 배선(201, 202, 203)보다 현저히 두껍다. 데이터 전송용 필름(300)과 박막 트랜지스터 기판(10)이 이방성 도전막(250)을 매개로, 열압착을 통하여 부착될 때, 고전압 더미 리드선(310, 320)이 있는 이방성 도전막(250)의 접착제(252) 부분은 그 조직이 두꺼운 리드선(310, 320)에 밀리면서 압착되는데, 이 때, 음이온 입자의 이동을 저지할 수 있을 만큼 조직이 조밀해진다. 따라서, 고전압 더미 리드선(310, 320)은 그 주변에 존재하는 음이온의 이동을 막는 장벽 역할을 한다.
또한, 고전압 더미 리드선(301)에는 고전압 신호 배선(201)의 주변부에 등전위를 걸게 하기 위하여, 고전압 신호 배선(201)에 인가되는 전압과 동일한 크기의 전압이 인가된다.
게이트 전송용 필름(400)에는, 게이트 신호가 인가되는 게이트 신호 리드선(450)과 박막 트랜지스터 기판(10)에 형성된 게이트 제어 신호 배선(201, 202, 203)으로부터 게이트 제어 신호를 전달 받아 게이트 구동 직접 회로(도면 미표시)에 전송하는 게이트 제어 신호 리드선(401, 402, 403)이 형성되어 있다.
게이트 제어 신호 리드선(401, 402, 403)은 절연 기판(10)의 좌측면 위에 형성된 게이트 제어 신호 배선(201, 202, 203)의 패드에 전기적으로 접촉되어, 게이트 제어 신호 배선(201, 202, 203)을 통하여 게이트 제어 신호를 받는다. 게이트 전송용 필름(400)의 게이트 제어 신호 리드선(401, 402, 403)을 통하여 들어온 게이트 제어 신호는 게이트 전송용 필름(400) 위에 실장된 게이트 구동 직접 회로(도면 미표시)에 입력되어 게이트 구동 직접 회로의 구동을 제어한다.
게이트 신호 리드선(450)은 박막 트랜지스터 기판(10) 위에 형성된 게이트 패드(82)에 전기적으로 접촉되어, 게이트 구동 직접 회로에서 나오는 게이트 신호를 게이트 패드(81)에 연결되는 게이트선(20)에 게이트 신호를 전달한다.
또한, 게이트 전송용 필름(400)에는 데이터 전송용 필름(300)의 고전압 더미 리드선(310, 320)과 동일한 종류의 고전압 더미 리드선(410, 420)이 형성되어 있다.
게이트 전송용 필름(400)과 이에 대응되는 박막 트랜지스터 기판(10)이 이루는 제어 신호부의 구성과 동작은 데이터 전송용 필름(300)과 이에 대응되는 박막 트랜지스터 기판(10)이 이루는 제어 신호부의 것과 동일하므로, 이에 대한 설명은 생략한다.
액정 표시 장치 구동시, 게이트 제어 신호는 데이터 전송용 필름(300)의 리드선(301, 302, 303), 박막 트랜지스터 기판(200)의 배선(201, 202, 203) 및 게이트 전송용 필름(400)의 리드선(401, 402, 403)을 통하여 게이트 구동 직접 회로(도면 미표시)에 입력된다.
이 과정에서, 게이트 온 전압(Von)이 인가되는 고전압 신호 리드선(301)(또는, 고전압 신호 배선(301))과 고전압 더미 리드선(310, 320)에는 동일한 크기의 전압이 인가되어, 고전압 신호 리드선(301)(또는, 고전압 신호 배선(301))과 고전압 더미 리드선(310, 320) 사이에는 등전위가 걸리게 된다. 또한, 저전압 신호 리드선(301)(또는, 저전압 신호 배선(201))에는 게이트 오프 전압(Voff)과 같은 저전압이 인가되어, 저전압 신호 리드선(301)(또는, 저전압 신호 배선(201))과 고전압 더미 리드선(310, 320) 사이에는 게이트 온 전압과 게이트 오프 전압의 차이에 해당하는 전위차가 걸린다.
한 편, 액정 표시 장치를 제작 또는 사용하는 과정 특히, 습기가 있는 공정 환경 내지 사용 환경중에 침투된 수분 중의 음이온 입자(500)는 고전압 더미 리드선(301)과 저전압 신호 리드선(또는, 저전압 신호 배선(201)) 사이에 걸리는 전위차에 의하여 저전압 신호 배선(202)에서 고전압 더미 리드선(301)으로 ACF를 전해질로 하여 이동하게 된다.
이 때, 음이온 입자(500)와 고전압 더미 리드선(310, 320)의 전기 화학적 반응에 의하여 고전압 더미 리드선(310, 320) 일부가 주위의 전해질에 녹을 수 있다. 그러나, 고전압 더미 리드선(310, 320)이 충분히 두껍기 때문에, 충분한 양이온을 음이온 입자에 공급해줄 수 있어서 자신을 거의 부식되지 않는다.
고전압 더미 리드선(310, 320)으로 이동된 음이온 입자는 고전압 더미 리드선(310, 320)에 막혀서 더 이상 이동하지 못하게 된다. 즉, 고전압 더미 리드선(310, 320)은 고전압 신호 배선(201)과 저전압 신호 배선(202) 사이에 위치하여, 침투된 수분 내의 음이온 입자(500)가 전위차에 의하여 고전압 신호 배선(201)으로 이동하는 것을 막는다.
또한, 고전압 신호 배선(201)의 주변으로 침투하게 된 음이온 입자(500)는 고전압 신호 리드선(301)(또는, 고전압 신호 배선(301))과 고전압 더미 리드선(310, 320) 사이에 걸리는 등전위로 인하여, 고전압 신호 배선(301)의 주변 공간에서 이동 방향을 잃고 플로팅(floating)된다.
따라서, 고전압 신호 배선이 음이온 입자와 전기 화학 반응을 일으키는 경우는 거의 없으며, 고전압 신호 배선은 액정 표시 장치 구동시에도, 음이온 입자에 의한 손상을 받지 않는다.
상술한 본 발명의 제3 실시예에 따른 액정 표시 장치에서는, 박막 트랜지스터 기판(10)에 데이터 및 게이트 전송용 필름(300, 400)의 고전압 더미 리드선(310, 320, 410, 420)에 대응되는 배선이 형성되지 않은 경우를 예로 하였지만, 도 10과 도 11에 보인 바와 같은 본 발명의 제4 실시예에 따른 액정 표시 장치에서와 같이, 고전압 더미 리드선(310, 320)에 대응되는 고전압 더미 배선(210, 220)이 박막 트랜지스터 기판(10)에 형성되는 경우에도 본 발명을 적용할 수 있다.
다음에 설명되는 본 발명의 제4 실시예에 따른 액정 표시 장치는 게이트 제어 신호 배선(201, 202, 203)이 데이터 배선(60, 61, 62, 63) 형성용 도전 물질로 형성된 것이고, 고전압 더미 배선(210, 220)이 화소 전극(80) 형성용 도전 물질 예를 들어, ITO 또는, IZO로 형성된 예를 나타낸 것이다.
도 10은 본 발명의 제4 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도를 나타낸 것이고, 도 11은 도 10에 보인 절단선 X1-X1’을 따라 나타낸 단면도이다.
본 발명의 제3 실시예에 따른 액정 표시 장치와 비교하여, 화면 표시부는 동일한 반면에, 게이트 제어 신호부의 구조는 다르다. 화면 표시부는 본 발명의 제3 실시예에서 설명한 바와 같으므로 이 부분에 대한 설명을 생략하고, 구조가 다른 게이트 제어 신호부에 대해서만 설명한다.
절연 기판(10)에 게이트 절연막(30)이 형성되어 있고, 게이트 절연막(30) 위에 데이터 배선(20, 21, 22, 23) 형성용 도전 물질로 이루어진 게이트 제어 신호 배선(201, 202, 203)이 형성되어 있다. 게이트 제어 신호 배선(201, 202, 203)은 게이트 제어 신호선과 게이트 제어 신호선의 양단에 연결되는 게이트 제어 신호 패드를 포함한다.
그리고, 게이트 절연막(30) 위에는 게이트 제어 신호 배선(201, 202, 203)을 덮는 보호막(70)이 형성되어 있다.
보호막(70)에는 게이트 제어 신호 배선(201, 202, 203)의 각 패드를 드러내는 접촉 구멍(C1, C2, C3)이 각각 형성되어 있다. 그리고, 보호막(70) 위에는 접촉 구멍(C1, C2, C3)을 통하여 게이트 제어 신호 배선(201, 202, 203)의 패드에 연결되는 게이트 제어 신호 보조 패드(85, 83, 87)가 형성되어 있다.
또한, 보호막(70) 위에는 게이트 제어 신호 배선(201, 202, 203) 중 고전압 신호 배선(201)의 양측에 위치하는 고전압 더미 배선(210, 220)이 형성되어 있다. 고전압 더미 배선(210, 220)은 이방성 도전막(250)의 도전 입자(251)에 의하여 데이터 전송용 필름(300)의 고전압 더미 리드선(310, 320)과 전기적으로 연결되어 있다. 이 고전압 더미 배선(210, 220)은 화소 전극(80) 형성 물질 예를 들어, ITO 또는 IZO와 같은 투명 도전 물질로 형성되어 있다.
본 발명의 제4 실시예에 따른 액정 표시 장치에서와 같이, 고전압 더미 배선(210, 220)이 ITO나 IZO로 형성되는 경우에는, 고전압 더미 배선(210, 220)에 의하여 고전압 신호 배선(201)이 전기 분해에 의하여 손상받는 것을 방지할 수 있는 것 이외에 고전압 더미 배선(210, 220)도 전기 분해에 의한 손상의 우려가 크지 않다는 장점이 있다.
이와 같이, 고전압 더미 배선이 형성되는 경우에는 고전압 더미 배선(210, 220)의 존재로 인하여 고전압 신호 배선(201) 주변에 걸리는 등전위 영역이 더 넓게 형성될 수 있다. 이 때, 고전압 더미 배선(210, 220)은 도면에 보인 바와 같이, 고전압 신호 배선(201)과는 연결되지 않게 형성될 수 도 있고, 이와는 다르게, 적어도 하나의 고전압 더미 배선(210, 220)이 고전압 신호 배선(201)에 연결되게형성될 수 도 있다. 고전압 더미 배선(210, 220)이 고전압 신호 배선(201)에 연결되게 형성되는 경우에는, 고전압 더미 배선(210, 220)이 고전압 신호 배선(201)의 리던던시 배선이 된다.
고전압 더미 배선(210, 220)은 통상의 금속 물질, 예를 들어, 게이트 배선 또는, 데이터 배선 형성용 도전 물질로 형성될 수 있다. 이 때, 고전압 더미 배선(210, 220)은 저전압 신호 배선을 형성하는 도전 물질보다 산화 경향이 작은 도전 물질 예를 들어, 구리 계열, 은 계열, 크롬 계열 또는 몰리브덴 계열 또는 질화 크롬 또는 질화 몰리브덴으로 형성되는 것이 전기 분해에 영향을 덜 받을 수 있어서 유리하다. 또한, 고전압 더미 배선이 ITO나 IZO와 같이 산화가 되어 있는 도전 물질로 형성되는 경우에도 음이온 입자에 의한 반응을 줄일 수 있어서 유리하다.
고전압 더미 배선(210, 220)은 기판(10)의 상부면에 위치하여 데이터 전송용 필름(300)에 연결되는 부분과 기판(10)의 좌측면에 위치하여 게이트 전송용 필름(400)에 연결되는 부분을 연결하여 하나의 배선으로 형성될 수 있다.
또한, 고전압 더미 배선(210, 220)은 고전압 신호 배선(201)과 이에 이웃하는 저전압 신호 배선(202)의 사이에 발생하는 전위차에 의한 전기 분해를 방지하기 위하여 형성되는 것이므로, 저전압 신호 배선(202)이 고전압 신호 배선(201)의 한 측에만 있을 경우에는 저전압 신호 배선(202)이 있는 측에만 고전압 더미 배선을 형성하는 것도 가능하다.
상술한 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치에서는, 게이트 온 전압이 인가되는 배선을 고전압 신호 배선의 일 예로 하고, 게이트 오프 전압이 인가되는배선을 저전압 신호 배선의 일 예로 한 것이다. 그러나, 게이트 제어 신호 배선 중 고전압 신호 배선으로는 게이트 온 전압이 인가되는 배선 이외에 전원 전압(Vdd)이 인가되는 배선 등이 다른 예일 수 있고, 저전압 신호 배선으로는 접지 전압(VGND)이 인가되는 배선 등이 다른 예일 수 있다.
상술한 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치에서는, 기판(10)에서 게이트 제어 신호가 입력되는 게이트 제어 신호 배선 부분만에 대하여 설명하였지만, 데이터 제어 신호가 입력되는 데이터 제어 신호 배선이 박막 트랜지스터 기판에 형성되는 경우에도 본 발명을 동일하게 적용할 수 있다. 또한, 본 발명은 두 배선 사이에 걸리는 전위차에 의하여 발생되는 전기 분해로 야기되는 배선의 용출을 방지하기 위한 모든 예에 적용이 가능하다.
본 발명의 실시예에서, 데이터용 전송 필름(300)과 게이트 전송용 필름(400)에 연결되도록 형성되는 게이트 제어 신호 배선(201, 202, 203)은 데이터 배선 형성용 도전 물질로 형성된 것을 예로 하였으나, 게이트 배선 형성용 도전 물질로 형성되는 것도 가능하다.
한 편, 제어 신호부에 있어서, 전송용 필름의 신호 리드선과 박막 트랜지스터 기판의 신호 배선의 중첩 구조에 대한 설명은 다음과 같다.
도 12는 신호 리드선과 신호 배선의 중첩 상태를 보여주는 배치도이고, 도 13은 도 12에 보인 절단선 XIII-XIII’을 따라 나타낸 단면도이다.
박막 트랜지스터 기판에는, 절연 기판(10) 위에 제1 절연막 예를 들어, 게이트 절연막(30)이 형성되어 있고, 게이트 절연막(30) 위에는 고전압 신호 배선(201)및 고전압 더미 배선(210, 220)을 포함하는 신호 배선(201, 210, 220)이 형성되어 있다. 그리고, 신호 배선(201, 210, 220) 위에는 제2 절연막 예를 들어, 보호막(70)이 형성되어 있으며, 보호막(70)에는 신호 배선(201, 210, 220)의 일부를 각각 드러내는 접촉 구멍(C1, C2, C3)이 형성되어 있다. 보호막(70) 위에는 각각의 접촉 구멍(C1, C2, C3)을 통하여 각각의 신호 배선(201, 210, 220)에 연결되는 보조 패드(85, 86, 87)가 형성되어 있다.
이러한 박막 트랜지스터 기판에 신호 전송용 필름(300)을 부착하는 경우에, 고전압 신호 리드선(301)은 고전압 신호 배선(201)에 접촉된다.
접촉 구멍이 있는 신호 배선 부분은 그의 상부막에 단차 부분이 생긴다. 이러한 단차 부분을 보조 패드가 완전히 덮지 못하기 때문에 수분이 단차부에 집중적으로 몰리게 되고, 나아가서, 신호 배선을 손상시킨다. 따라서, 고전압 신호 리드선(301)이 접촉 구멍(C1)을 충분히 덮도록 형성하는 것이 유리하다. 고전압 신호 리드선(301)은 접촉 구멍(C1)의 길이 방향으로 접촉 구멍(C1)을 완전히 덮는 것이 유리하다.
그러나, 고전압 신호 리드선(301)이 접촉 구멍(C1)의 폭 방향으로 접촉 구멍(C1)을 완전히 덮지 않아도 된다. 고전압 신호 배선(201)이 고전압 신호 리드선(301)에 가려지지 않고 그 측부분이 드러나도, 고전압 신호 배선(201)의 주변부는 등전위가 걸리기 때문에, 음이온 입자는 고전압 신호 배선(201)에 도달하지 않을 뿐더러 고전압 신호 배선(201)과 반응하는 일은 거의 없기 때문이다.
이러한 리드선과 신호 배선의 중첩 구조는 고전압 신호 리드선과 고전압 신호 배선의 중첩에만 국한되지 않고, 모든 리드선과 신호 배선의 중첩에 그 적용이 가능하다. 도 12와 도 13에서 고전압 더미 리드선(310, 320)과 고전압 더미 배선(210, 220)이 중첩되는 부분에서 고전압 더미 리드선(310, 320)이 접촉 구멍(C2, C3)을 길이 방향으로는 모두 덮고, 폭 방향으로는 일부만 덮도록 위치하는 것을 볼 수 있다.
도 14는 신호 리드선과 신호 배선의 중첩 상태를 보여주는 다른 배치도이고, 도 15는 도 14에 보인 절단선 XV-XV’을 따라 나타낸 단면도이다.
박막 트랜지스터 기판에는 절연 기판(10) 위에 제1 절연막 예를 들어, 게이트 절연막(30)이 형성되어 있고, 게이트 절연막(30) 위에는 고전압 신호 배선(201)이 형성되어 있다. 그리고, 고전압 신호 배선(201) 위에는 제2 절연막 예를 들어, 보호막(70)이 형성되어 있고, 보호막(70)에는 고전압 신호 배선(201)을 드러내는 접촉 구멍(C1)이 형성되어 있다. 그리고, 보호막(70) 위에는 접촉 구멍(C1)을 통하여 고전압 신호 배선(201)에 연결되는 보조 패드(85)가 형성되어 있고, 보조 패드(85)의 양측에는 고전압 더미 배선(210, 220)이 형성되어 있다.
이러한 박막 트랜지스터 기판(10)에 신호 전송용 필름(300)을 부착할 때에도, 리드선이 신호 배선을 드러내는 접촉 구멍을 길이 방향으로는 모두 덮어도 폭 방향으로는 일부만을 덮도록 할 수 있다.
도면에는 고전압 신호 리드선(301)이 고전압 신호 배선(301)을 드러내는 접촉 구멍(C1)의 내부 영역에 위치하여, 고전압 신호 배선(301)의 양측 부분을 드러내고 있다.
고전압 더미 배선(210, 220)은 보호막(70) 위에 화소 전극 형성용 도전 물질로 형성되되, 전면이 드러나 있고, 고전압 더미 리드선(310, 320)에 의하여 폭 방향으로 완전히 덮혀 있다.
한편, 데이터 제어 신호 전송용 필름(300)에 형성된 고전압 더미 리드선(310, 320)이 그에 이웃하는 고전압 신호 리드선(301)과 분리되어 있지만, 고전압 신호 리드선(301)의 면적을 고전압 더미 리드선(310, 320)이 있는 부분에까지 확장시켜 고전압 신호 리드선(301)과 고전압 더미 리드선(310, 320)을 일체로 형성할 수 있다. 이 경우, 고전압 신호 배선(201) 주변부에 확장된 고전압 신호 리드선(301)이 위치하게 되는데, 음이온 입자가 확장된 고전압 신호 리드선(301)으로 이동하여 고전압 신호 리드선(301)과 반응하여도, 고전압 신호리드선(301)이 현저히 크고 넓어졌기 때문에, 충분한 양이온을 음이온 입자에 공급할 수 있어서 자신을 거의 부식되지 않는다.
게이트 제어 신호 배선(201, 202, 203)을 둘 이상의 배선으로 분리하여 서로 연결되는 구조로 형성할 수 있다. 신호 제어 배선을 둘 이상의 배선으로 분리하여 서로 연결되는 구조로 형성할 경우에는, 하나의 배선은 게이트 배선 형성용 도전 물질로 형성되고, 다른 하나의 배선은 데이터 배선 형성용 도전 물질로 형성되게 하여 두 배선이 연결되도록 할 수 있다. 이러한 신호 제어 배선의 구조는 제어 신호부에서의 고전압 더미 배선에도 그 적용이 가능하다. 이를 도 16 및 도 17을 참조하여 다음에서 설명한다.
도 16은 게이트 제어 신호 배선 중 하나의 게이트 제어 신호 배선의 평면 구조를 나타낸 것이고, 도 17은 도 16에 보인 절단선 ⅩVI-ⅩVI'에 따른 단면 구조를 나타낸 것이다.
절연 기판(10) 위에 게이트 배선 형성용 도전 물질로 이루어지는 제1 신호 배선(208)이 제1 방향으로 뻗어 있다. 제1 신호 배선(208)의 일단에 형성되는 패드는 데이터 전송용 필름(300)의 리드선에 연결될 수 있도록 기판(10)의 상부면에 위치한다.
절연 기판(10) 위에는 이러한 제1 신호 배선(208)을 덮는 질화 규소 또는 산화 규소 따위로 이루어진 게이트 절연막(30)이 형성되어 있다.
게이트 절연막(30)에는 제1 신호 배선(208)의 패드가 위치하지 않는 다른 일단을 드러내는 접촉 구멍(32)이 형성되어 있다.
그리고, 게이트 절연막(30) 위에는 데이터 배선 형성용 도전 물질로 이루어진 제2 신호 배선(209)이 제2 방향으로 뻗어 있다. 제2 신호 배선(209)의 일단에 형성되는 패드는 게이트 전송용 필름(400)의 리드선에 연결될 수 있도록 기판(10)의 좌측면에 위치한다. 제2 신호 배선(209)은 접촉 구멍(32)을 통하여 제1 신호 배선(208)과 연결되어 있어서, 데이터 전송용 필름(300)으로부터 게이트 제어 신호를 받아 게이트 전송용 필름(400)에 전달하게 된다.
게이트 절연막(30) 위에는 제2 신호 배선(209)을 덮는 질화 규소 또는 유기막으로 이루어진 보호막(70)이 형성되어 있다.
보호막(80)에는 제2 신호 배선(209)의 패드를 드러내는 접촉 구멍(C9)이 형성되어 있고, 게이트 절연막(30)과 함께 제1 신호 배선(208)의 패드를 드러내는 접촉 구멍(C8)이 형성되어 있다.
보호막(80) 위에는 접촉 구멍(C8)을 통하여 제1 신호 배선(208)의 패드에 연결되는 제1 신호 보조 패드(88)와 접촉 구멍(C9)을 통하여 제2 신호 배선(209)의 패드에 연결되는 제2 신호 보조 패드(208)가 형성되어 있다.
상술한 구조를 가지는 제어 신호부의 상부에 데이터 전송용 필름(300)을 부착할 때에는, 데이터 전송용 필름(300)의 리드선(308)과 제1 신호 보조 패드(88)를 대응되도록 정렬시킨 후, 이방성 도전막(250)을 통한 열압착 공정에 의하여 리드선(308)과 제1 신호 보조 패드(88)를 부착시킨다. 데이터 전송용 필름(300)의 리드선(308)과 제1 신호 보조 패드(88)는 도전 입자(251)에 의하여 전기적으로 연결된다. 또한, 동일한 방법으로 게이트 전송용 필름(400)의 리드선(409)과 제2 신호 보조 패드(89)를 대응되도록 정렬시킨 후, 이방성 도전막(250)을 통한 열압착 공정에 의하여 리드선(309)과 제2 신호 보조 패드(89)를 부착시킨다. 게이트 전송용 필름(400)의 리드선(409)은 도전 입자(251)에 의하여 전기적으로 연결된다.
한편, 상술한 본 발명의 실시예에서, 데이터 및 게이트 전송용 필름(300, 400)의 리드선과 박막 트랜지스터 기판의 배선의 부착 부분은 이 부분에 침투하는 수분량을 최소화하기 위하여, 배선의 단차를 완화해주는 구조를 가질 수 있다. 이에 대하여 도 18과 도 19를 참조하여 다음에 설명한다.
도 18은 신호 배선과 리드선이 접촉하는 부분의 배선 배치 구조를 나타낸 것이고, 도 19는 도 18에 보인 절단선 XIX-XIX’에 따른 단면 구조를 나타낸 것이다. 신호 배선을 이중층으로 형성하고, 리드선과 신호 배선이 두 접촉부를 통하여 연결한 경우를 나타낸 것이다.
절연 기판(10) 위에 게이트 배선 형성용 도전 물질로 이루어지고 일단에 패드를 가진 제1 신호 배선(29)이 형성되어 있다. 또한, 게이트 절연막(10) 위에는 질화 규소 따위로 이루어진 제1 신호 배선(29)을 덮는 게이트 절연막(30)이 형성되어 있다.
게이트 절연막(30) 위에는 데이터 배선 형성용 도전 물질로 이루어진 제2 신호 배선(69)이 형성되어 있다. 제2 신호 배선(69)은 제1 신호 배선(29)에 중첩되도록 제1 신호 배선(29)의 패턴을 따라 형성되되, 제1 신호 배선(29)의 패드 부분에 미치지 않도록 제1 신호 배선(29)보다는 짧게 형성되어 있다. 또한, 게이트 절연막(30) 위에는 제2 신호 배선(69)을 덮는 질화 규소 또는 유기 절연 물질로 이루어진 보호막(70)이 형성되어 있다.
보호막(70)에는 제2 신호 배선(69)의 패드를 드러내는 접촉 구멍(C6)이 형성되어 있고, 게이트 절연막(30)과 함께 제1 신호 배선(29)의 패드를 드러내는 접촉 구멍(C7)이 형성되어 있다,
그리고, 보호막(70) 위에는 두 접촉 구멍(C6, C7)을 통하여 제1 신호 배선(29)과 제2 신호 배선(69)에 연결되는 제어 신호 보조 패드(89)가 형성되어 있다.
이러한 구조를 가지는 제어 신호 배선에 데이터 전송용 필름(300)을 부착할 경우에는, 기판의 신호 보조 패드(89)와 데이터 전송용 필름(300)의 리드선(309)을 대응되도록 정렬시킨 후, 이방성 도전막(250)에 의하여 부착한다. 이 때, 기판의신호 보조 패드(89)와 데이터 전송용 필름(300)의 리드선(309)은 도전성 입자(251)에 의하여 전기적으로 연결된다.
접촉부에서의 이러한 배선의 구조는 단차로 인한 접촉 불량을 줄일 수 있을 뿐만 아니라, 제어 신호 배선의 단선을 보완할 수 있으며, 패드 부분에 유입되는 수분의 침투를 최소화할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에서는 박막 트랜지스터 기판의 제어 신호 배선에 대응되어 부착되는 제어 신호 전송용 필름에, 박막 트랜지스터 기판의 고전압 신호 배선과 저전압 신호 배선 사이에 위치하게 되는 더미 리드선을 형성함으로써, 더미 리드선이 공정 환경 또는 사용 환경 중에 침투하는 음이온 입자가 고전압 신호 배선으로 이동하는 것을 방지한다. 또한, 이러한 더미 리드선에 고전압 신호 배선에 인가되는 전압과 동일한 크기의 전압을 인가하여 고전압 신호 배선 주변부에 등전위가 걸리도록 하여 음이온 입자가 고전압 배선 주변부에 플로팅되게 함으로써 음이온 입자가 고전압 신호 배선으로 이동하는 것을 방지한다. 이와 같이, 음이온 입자의 이동을 제어함으써, 전기 분해로 인하여 고전압 신호 배선이 손상 받는 것을 방지할 수 있다. 이 때, 신호 전송용 필름의 리드선으로 박막 트랜지스터 기판의 배선을 충분히 덮도록 형성할 경우, 수분이 배선 부분에 침투하는 것을 방지할 수 있다.

Claims (39)

  1. 제1 신호 전압이 인가되는 제1 신호 리드선,
    상기 제1 신호 전압보다 작은 전압 크기를 가지는 제2 신호 전압이 인가되는 제2 신호 리드선,
    상기 제1 신호 리드선과 상기 제2 신호 리드선 사이에 위치하는 리드선을 포함하는 신호 전송용 필름.
  2. 제1 항에서,
    상기 리드선은 수 ~ 수십 ㎛의 두께를 가지는 신호 전송용 필름.
  3. 제1 항에서,
    상기 리드선은 상기 제1 신호 전압과 동일한 크기의 전압이 인가되는 신호 전송용 필름.
  4. 제1 항에서,
    상기 리드선을 더미 리드선인 신호 전송용 필름.
  5. 기판, 상기 기판 위에 형성되는 제1 신호 배선 및 제2 신호 배선을 포함하는 제어 신호 배선부,
    상기 기판에 대응하는 필름, 상기 필름 위에 형성되되, 상기 제1 및 제2 신호 배선에 각각 접촉되는 제1 및 제2 신호 리드선 및 상기 제1 신호 배선과 상기 제2 신호 배선 사이에 위치하는 리드선을 포함하는 제어 신호 전송부
    를 포함하는 제어 신호부.
  6. 제5항에서,
    상기 제1 신호 리드선에는 제1 신호 전압이 인가되고,
    상기 제2 신호 리드선에는 상기 제1 신호 전압보다 작은 크기의 제2 신호 전압이 인가되는 제어 신호부.
  7. 제5 항에서,
    상기 리드선은 수 ~ 수십 ㎛의 두께를 가지는 제어 신호부.
  8. 제5항에서,
    상기 각각의 신호 리드선은 이에 대응하는 상기 각각의 신호 배선에 최소한 일부분이 중첩하도록 접촉되어 있는 제어 신호부.
  9. 제5항에서,
    상기 리드선은 상기 제1 신호 전압과 동일한 크기의 전압이 인가되는 제어 신호부.
  10. 제5항에서,
    상기 기판에 상기 리드선에 접촉되는 배선을 더 포함하는 제어 신호부.
  11. 제10항에서,
    상기 리드선은 상기 배선에 최소한 일부분이 중첩하도록 접촉되어 있는 제어 신호부.
  12. 제10항에서,
    상기 배선은 상기 제1 신호 배선과 연결되어 있는 제어 신호부.
  13. 제10항에서,
    상기 배선은 상기 제1 신호 배선과 절연되어 있는 제어 신호부.
  14. 제10항에서,
    상기 배선은 상기 제2 신호 배선을 형성하는 도전 물질보다 산화 경향이 작은 도전 물질로 형성되는 제어 신호부.
  15. 제10항에서,
    상기 배선은 ITO 또는 IZO로 형성되는 제어 신호부.
  16. 제5항에서,
    상기 제1 신호 리드선이 상기 리드선까지 확장되어 상기 리드선과 일체를 이루는 제어 신호부.
  17. 제5항에서,
    상기 리드선은 더미 리드선인 제어 신호부.
  18. 기판 위에 형성되고, 게이트선, 게이트 선에 절연되어 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터선, 화소 영역에 게이트선과 데이터 선에 전기적으로 연결되는 박막 트랜지스터, 화소 영역에 박막 트랜지스터의 일 전극에 연결되는 화소 전극을 포함하는 화면 표시부,
    상기 기판의 일부에 형성되는 제1 신호 배선 및 제2 신호 배선을 포함하는 제어 신호 배선부,
    상기 기판에 대응하는 필름, 상기 필름 위에 형성되되, 상기 제1 및 제2 신호 배선에 각각 접촉되는 제1 및 제2 신호 리드선 및 상기 제1 신호 배선과 상기 제2 신호 배선 사이에 위치하는 리드선을 포함하는 제어 신호 전송부
    를 포함하는 액정 표시 장치.
  19. 제18항에서,
    상기 제1 신호 리드선에는 제1 신호 전압이 인가되고,
    상기 제2 신호 리드선에는 상기 제1 신호 전압보다 작은 크기의 제2 신호 전압이 인가되는 액정 표시 장치.
  20. 제18항에서,
    상기 리드선은 수 ~ 수십 ㎛의 두께를 가지는 액정 표시 장치.
  21. 제18항에서,
    상기 각각의 신호 리드선은 이에 대응하는 상기 각각의 신호 배선에 최소한 일부분이 중첩하도록 접촉되어 있는 액정 표시 장치.
  22. 제18항에서,
    상기 리드선은 상기 제1 신호 전압과 동일한 크기의 전압이 인가되는 액정 표시 장치.
  23. 제18항에서,
    상기 제어 신호 전송부의 필름에는 데이터 직접 구동 회로가 실장되어 있는 액정 표시 장치.
  24. 제18항에서,
    상기 제어 신호 전송부의 필름에는 게이트 구동 직접 회로가 실장되어 있는 액정 표시 장치.
  25. 제18항에서,
    상기 제1 신호 전압은 게이트 온 전압 또는 전원 전압인 액정 표시 장치.
  26. 제18항에서,
    상기 제2 신호 전압은 게이트 오프 전압 또는 접지 전압인 액정 표시 장치.
  27. 제18항에서,
    상기 리드선은 더미 리드선인 액정 표시 장치.
  28. 제18항에서,
    상기 기판에 상기 리드선에 접촉되는 배선을 더 포함하는 액정 표시 장치.
  29. 제28항에서,
    상기 리드선은 상기 배선에 최소한 일부분이 중첩하도록 접촉되어 있는 액정 표시 장치.
  30. 제28항에서,
    상기 배선은 상기 제2 신호 배선을 형성하는 도전 물질보다 산화경향이 작은 도전 물질로 형성되는 액정 표시 장치.
  31. 제28항에서,
    상기 배선은 ITO 또는 IZO로 형성되는 액정 표시 장치.
  32. 제28항에서,
    상기 배선은 상기 게이트선을 형성하는 물질, 상기 데이터선을 형성하는 물질, 상기 화소 전극을 형성하는 물질 중의 하나로 형성되는 액정 표시 장치.
  33. 제28항에서,
    상기 기판 위에 상기 배선을 덮는 절연막,
    상기 절연막에 상기 배선의 일부를 드러내는 접촉 구멍,
    상기 접촉 구멍을 통하여 상기 배선에 연결되는 보조 패드를 더 포함하며,
    상기 리드선은 상기 접촉 구멍의 길이 방향으로 상기 접촉 구멍을 충분히 덮도록 상기 배선에 접촉되는 액정 표시 장치.
  34. 제33항에서,
    상기 리드선은 상기 접촉 구멍의 폭 방향으로 상기 접촉 구멍의 최소한 한 측변을 덮도록 상기 배선에 접촉되는 액정 표시 장치.
  35. 제33항에서,
    상기 리드선은 상기 접촉 구멍의 내부 영역에 위치하여 상기 접촉 구멍의 양측변을 덮지 않도록 형성되는 액정 표시 장치.
  36. 제23항에서,
    상기 기판에 연결되는 게이트 전송용 필름을 더 포함하고,
    상기 배선들이 상기 게이트 전송용 필름에 전기적으로 연결되는 제1 배선과 상기 제어 신호 전송부에 전기적으로 연결되는 제2 배선이 접촉되어 있는 구조로 형성되는 액정 표시 장치.
  37. 제36항에서,
    상기 제1 배선과 상기 제2 배선의 접촉 구조는,
    상기 기판 위에 상기 제1 배선이 형성되고,
    상기 제1 배선을 덮는 제1 절연막, 상기 제1 절연막에 상기 제1 배선의 일단을 드러내는 제1 접촉 구멍을 더 포함하고,
    상기 제1 절연막 위에 상기 제1 접촉 구멍을 통하여 상기 제1 배선에 연결되는 상기 제2 배선이 형성되어 있는 액정 표시 장치.
  38. 제37항에서,
    상기 제2 배선을 덮는 제2 절연막,
    상기 제2 배선의 패드를 드러내는 제2 접촉 구멍 및 상기 배선의 패드를 드러내는 제3 접촉 구멍,
    상기 제2 및 제3 접촉 구멍을 통하여 상기 제1 배선의 패드 및 상기 제2 배선의 패드를 각각 덮는 보조 패드를 더 포함하는 액정 표시 장치.
  39. 제28항에서,
    상기 제1 신호 배선은,
    상기 기판 위에 패드를 포함하는 하층 배선이 형성되고,
    상기 하층 배선 위에 제1 절연막이 형성되고,
    상기 제1 절연막 위에 패드를 포함하는 상층 배선이 형성되고,
    상기 상층 배선을 덮는 제2 절연막이 형성되고,
    상기 제1 및 제2 절연막에 상기 하층 배선을 드러내는 제1 접촉 구멍 및 상기 제2 절연막에 상기 상층 배선을 드러내는 제2 접촉 구멍이 형성되고,
    상기 제1 및 제2 접촉구멍을 통하여 상기 하층 배선의 패드 및 상기 상층 배선의 패드에 연결되는 보조 패드를 포함하는 액정 표시 장치.
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