TW577036B - Signal transmission film, control signal part and liquid crystal display including the film - Google Patents

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wires
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Dong-Gyu Kim
Sin-Ku Kang
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Samsung Electronics Co Ltd
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Description

577036 玖、發明說明： 發明背景 (a) 發明領域 本發明係與訊號傳輸薄膜，一控制訊號組件及一包括該 訊號傳輸薄膜之液晶顯示器相關。 (b) 相關技藝之說明 液晶顯示器是目前廣泛使用的平面顯示器之一。液晶顯 示器包含二個在其中形成多個電極之基底，一夾在二個基 底之間的液晶層以及二個極化用薄膜以將附加至基底的每 個向外表面上之光極化。液晶顯示器控制光線傳輸，藉此 以顯示圖片影像，藉由應用不同的電壓至電極上，同時形 成電場以變化液晶層之液晶分子之方位。在這樣一個液晶 辦員示条中’薄膜電晶體是形成於二個基底之一中，其稱為 一 TFT基底，且切換應用至電極上的電壓。 一用以顯示圖片影像之顯示器區域位於TFT基底之中 央。多個訊號線，或多個閘線和資料線分別以列和行之方 向形成。閘線與資料線彼此跨越，藉此以定義多個像素元 素區域。每個像素元素具有一像素電極，資料訊號經由資 料線加至其上。薄膜電晶體經由資料線將資料訊號送至像 素電極，藉由通過閘線傳輸之閘訊號。 多個連接至閉線之閘墊及多個連接至資料線之資料墊形 成於顯示區域外部。這些塾連接至外部驅動積體電路，藉 此接收來自外部驅動積體電路之閘訊號及資料訊號，並將 其送至閘線及資科線。
O:\66\66569-921024.DOC 577036 一供閘訊號傳輸用之印刷電路板及一供資料訊號傳輸之.— ί7刷甩路板疋使用一非等向性導通薄膜經過熱和壓力處理· 而附著糸薄膜笔曰曰體基底上，藉此將閘和資料訊號送至薄 膜電晶體。薄膜電晶體和供資料訊號傳輸用之印刷電路板 以一資料訊號傳輸薄膜來連接，在其上安裝資料驅動積體 電路。資料驅動積體電路將一電訊號轉換成一資料訊號且 將貝料訊號送至資料線。另外，薄膜電晶體和供閘訊號傳 輸用之印刷電路板以一閘訊號傳輸薄膜來連接，在其上安 裝閘驅動積體電路。閘驅動積體電路將一電訊號轉換成一鲁 閘訊號且將閘訊號送至閘線。 在此’用以控制閘訊號之閘控制訊號可能由供資料訊號 傳輸用之印刷電路板輸出而非由供閘訊號傳輸用之印刷電 路板輸出。而且，這些閘控制訊號可能被傳輸至閘訊號傳 輸薄膜。 閘控制訊號是許多不同種類的控制訊號，諸如一閘開電 壓’一閘閉電壓以及一共用電壓以做為薄膜電晶體中之資 料電壓之差異的參考電壓。 9 這些輸入閘驅動積體電路同時驅動液晶顯示器之閘控制 訊號具有各種不同的電壓大小且經由閘控制訊號連接線來 傳輸。閘控制訊號連接線是並列緊密配置在薄膜電晶體基 底上。因此，一傳輸諸如閘開電壓之高電壓之高壓訊號線 及一傳輸諸如閘閉電壓之低電壓之低壓訊號線是並列且緊 密地配置。 在此電線配置中，一位差形成於高壓訊號線及低壓訊號
O:\66\66569-921024.DOC 線之間，並驅動液晶顯示器。然而，此位差以一直流電、、也 律造成一與製造和操作液晶顯示器期間滲入電線中的濕氣 之電解反應，藉此損害高壓訊號線，結果導致製造出較声 的裝置。 發明總結 本發明之一目的為提供一訊號傳輸薄膜，一控制訊號組 件及一包括该訊號傳輸薄版之液晶顯示器，在其中防止了 因電解所造成的電線損害。 根據本發明，此目的是藉由形成位於控制訊號傳輸薄膜 中薄膜電晶體基底之高壓訊號線及低壓訊號線之間的厚導 線來提供的。換句話說，本發明藉由在一高分子薄膜上印 刷一銅線並將之形成圖樣以在訊號傳輸薄膜上提供數微米 至數十微米之導線。於此，在控制訊號傳輸薄膜上配置導 線使能佔據於高壓訊號線和低壓訊號線之間，且為數百至 數千埃之訊號線。 根據本發明之另一觀點，一訊號傳輸薄膜包含一傳輸第 一訊號電壓之第一訊號線；一傳輸小於第一訊號電壓之第 二訊號電壓之第二訊號線；以及一形成於第一訊號線及第 二訊號線之間的導線。 導線可能具有數微米至數十微米之厚度，與第一訊號電 壓相同之電壓可能應用至導線上，且導線可能為一替代導 線。 根據本發明之另一個觀點，一控制訊號組件包含一控制 ⑨號線組件，其包含一基底，在該基底上之第一和第二訊
O:\66\66569-921024.DOC 577036 號線；一控制訊號傳輸組件，其包含一對應於該基底之薄 膜’在該薄膜上之第一和第二訊號導線及在該薄膜上之導 線，其中第一和第二訊號導線連接至第一和第二訊號線， 且導線佔據在第一和第二訊號線之間。第一訊號導線傳輸 第一訊號電壓，而第二訊號導線傳輸小於第一訊號電歷之 第二訊號電壓。 導線可能具有數微米至數十微米之厚度。而且，每個訊 號導線可能至少重疊對應於其本身之訊號線之一組件。
與第一訊號電壓相同之電壓可能被加至導線上。導線可 能至少重疊電線之一組件。 一連接至導線之電線可能形成於基底上。電線可能連接 至第一訊號線，或與第一訊號線隔離。 電線可能藉由導通性材料來形成，該材料具有小於形成 第一訊號線之導通性材料之氧化傾向。而且，電線可能由 ITO或IZO形成。
體。而且，導線可能為一替代導線。 根據本發明之另一個觀點，一液晶顯示器包含一在 上 < 顯示區域，其中顯示區域包含一閘線，一橫越閘 資料線，藉此以定義一像素元素區域，—連接至在像 素區域中之閘線及資料線之薄膜電晶體及一電性地連 薄B吴電晶體之像素電極；一在該其危μ、^ 杜戎暴底上又控制訊號 件，其中控制訊號組件包含第一和第二訊號線；一 號傳輸組件包含一對應於該基底之薄膜，^該薄膜
O:\66\66569-921024.DOC 577036 一和^一第二訊號導線以及一在該薄膜上之導線’其中弟 和第二訊號線連接至第一和第二訊號線，且導線佔據在第 —和第二訊號線之間。 第一訊號導線傳輸第一訊號電壓，而第二訊號導線傳輸 小於第一訊號電壓之第二訊號電壓。 導線可能具有數微米至數十微米之厚度。每個訊號導線 可能重疊至少對應於其本身之訊號線之一組件。與第一訊 號電壓相同的電壓可能被應用於該導線上。 控制訊號傳輸組件可能包含一驅動積體電路之資料或驅 動積體電路之閘。 弟一訊號電壓可能為一閘開電壓或一電力供應電壓。 第二訊號電壓可能為一閘閉電壓或一接地電壓。 導線為一替代導線。而且，一連接至導線之電線可能形 成於該基底上。 導線可能重疊至少電線之一組件。 電線可能以導通性材料來形成，該材料具有小於形成第 一訊號線之導通性材料之氧化傾向，如叮〇或IZ〇。 另外，電線可以供形成閘線，資料線或像素電極用之導 通性材料來形成。 液晶顯示器可能包含一覆蓋在基底上的電線之絕緣層， 以使在絕緣層中的電線之一組件暴露之接觸孔，以及一經 由接觸孔連接至電線之輔助墊，其中導線被連接至電線以 完全地在接觸孔之長度方向上覆蓋接觸孔。另外，導線可 能位於接觸孔之區域㈣，藉此以使接觸孔之兩侧暴露出
O:\66\66569-921024. DOC 577036 來。 液晶顯示器可能包含一連接至基底之閘訊號傳輸薄膜， 其中電線藉由連接一連接至閘訊號傳輸薄膜之第一電線以 及一連接至控制訊號傳輸組件之第一電線來形成。於此， 第一和第二電線可能以下列方式彼此連接，在此方式中第 一電線形成於基底上，進一步包含一覆蓋第一電線之第一 絕緣層以及一使第一絕緣層中之第一電線之末端暴露之第 一接觸孔，且第一電線經由在第一絕緣層上的接觸孔連接 至第一電線。再者，可能包含一覆蓋第二電線之第二絕緣 層，一使第二電線之墊暴露之第二接觸孔，以及一使第一 下方私線之墊暴露出來之第三接觸孔，以及經由第二和第 二接觸孔連接至第一和第二電線之墊之辅助墊。 在液晶顯示器中，第一訊號線可能包含一具有在基底上 的藝之下方電線-覆蓋下方電線之第_絕緣層，—具有在 第-絕緣層上的塾之上方電線，—使第—和第二絕緣層中 下方、.泉暴路之第—接觸孔，__使在第二絕緣層中之上方 電線暴露之第二接觸孔， ^ 運接至下万電線之墊和上 方電線之墊之辅助墊。 圖式簡述 藉由參考下列詳細的說明，盥 的# m ^ /、附圖、、、口合考慮時，發明 的更凡整說明，及及許多優备
愛-占 曰頒而易見，且蠻得承K 了解，在附圖中相似的參考 其中： 亏付唬扣出相同或類似的組件， 圖1為一包括一控制訊號 、”件硬阳顯示器之輪廓圖；
O:\66\66569-921024. DOC -10- 577036 圖2為一平而_ 圖’其顯示一控制訊號組件之接線結構，其 中未形成一高壓冗線； 圖3為一沿著圖2之ιπ_ιπ，線所取的控制訊號組件之接線 結構之橫截面圖； 圖4為根據本發明之第一實施例之控制訊號組件之平 面圖； 圖5為一沿著圖4之ν·ν，圖所取的控制訊號組件之橫截面 圖； 圖6為一根據本發明之第二實施例之控制訊號組件之平 面圖； 圖7為一沿著圖4之Vll-Vir線所取的控制訊號組件之橫 截面圖； 圖8為一根據本發明之第三實施例之液晶顯示器之平面 圖； 圖9為一沿著圖8之ΙΧ-ΙΧ，線所取的液晶顯示器之橫截面 圖； 圖10為一根據本發明之第四實施例之液晶顯示器之平面 圖； 圖11為一沿著圖10之ΧΙ-ΧΓ線所取的液晶顯示器之橫截 面圖； 圖12為一訊號導線及訊號線之重疊結構之平面圖； 圖13為一沿著圖線所取的重疊結構之橫截 面圖； 圖14為一訊號導線及訊號線之另一種重疊結構之平面 O:\66\66569-921024.DOC -11- 577036 圖； 圖15為一沿著圖14之XV-XV’線所取的重疊結構之橫截 面圖。 圖16為一控制訊號組件之訊號線之另一種樣式之平面 圖； 圖17為一沿著圖16之XVII-XVII’線所取的訊號線之橫截 面圖； 圖18為一訊號線之墊之另一種樣式之平面圖； 圖19為一沿著圖18之XIX-XIX1線所取的塾之橫截面圖； 較佳實施例之詳細說明 將參考附圖來說明本發明之較佳實施例。 圖1為一具有一薄膜電晶體之液晶顯示器之輪廓圖，在該 基底上形成閘控制訊號線。 一顏色過濾器基底100與一薄膜電晶體基底200組合。一 用以輸出資料訊號至資料線130之資料驅動積體電路310及 一用以輸出閘訊號至閘線140之閘驅動積體電路4丨〇位於薄 膜電晶體基底200之外部。資料驅動積體電路31〇安裝在一 資料訊號傳輸薄膜300上，其是電性連接至一供資料訊號 傳輸用之印刷電路板500以及薄膜電晶體基底2〇〇。以及， 閘驅動積體電路410安裝在一閘訊號傳輸薄膜4〇〇上，其是 電性連接至薄膜電晶體基底2〇〇。 這些閘和資料傳輸線300和4〇〇是電性地連接至薄膜電晶 把基底200，使用一非等向導通性薄膜（acf)經由熱和壓力 處理來做。於此，形成在薄膜3〇〇和4〇〇中的導線是電性地
O:\66\66569-921024.DOC -12- 連接至形成在薄膜電晶體基底200中的電線，經由acf之導 通性材料（未顯7JT ) —對一地對應。 用以控制閘驅動積體電路410之驅動的閘控制訊號經由 閘控制互連線520傳輸至閘驅動積體電路410。閘控制互連 線520中，一用以供資料訊號傳輸5〇〇之印刷電路板之電 線，資料訊號傳輸薄膜300之控制訊號導線，薄膜電晶體基 底200之控制訊號線及閘訊號傳輸薄膜4〇〇之控制訊號導線 彼此電性連接。在閘控制互連線520上的箭頭顯示閘控制訊 號之傳輸方向。 閘控制訊號為開電壓（Von)，閘閉電壓（v〇ff)，對在薄膜 電晶體中的資料電壓之差異之參考電壓（Vc〇m)，閘時鐘 (CPV)，啟動垂直訊號（STV)，線反向訊號（RVS)，閘開致 能（OE)，接地電壓原（VGND)。這些閘控制訊號控制閘驅動 電路410之驅動。 在這些閘控制訊號中，每個閘開電壓和電源供應電壓為 10V至20V，而每個閘閉電壓和接地電壓為低於〇v。 一用以傳輸諸如閘開電壓之高電壓的高壓訊號線以及一 用以傳輸諸如閘閉電壓之低電壓的低壓訊號線被緊密地配 置這樣的情況中’在操作液晶顯示器期間於二電線之間 形成一位差。位差等效於諸如閘開電壓之高電壓和諸如閘 閉電壓之低電壓之間的電壓差。 濕氣在液晶顯示器製造或操作時滲入電線中，特別是在 潮濕環境下。特別地，濕氣在閘和資料傳輸薄膜3〇〇和4〇〇 附著至薄膜電晶體10之位置上滲入電線中，且集中在電線 O:\66\66569-921024.DOC -13- 之步階差異組件上。 濕氣本身具有離子。它們的陰離子從低壓訊號線移至高 壓訊號線，利用ACF做為一電解質，藉由在高壓訊號線和 低壓訊號線之間的位差。 向壓訊號線與陰離子電性地作用，藉此融化在電解質 中。結果，高壓訊號線之斷開會因電解作用而發生。 這樣的電解作用所生之電線斷開發生在電線中閘和資料 傳輸薄膜300和400附著至薄膜電晶體1〇之位置上，特別 地，在被指示為”A，，和”B，，之電線中。 本發明藉由防止陰離子移至高壓訊號線來防止高壓訊號 線之損害。 這將參考下列圖形來說明。 圖2為一平面圖，顯示資料訊號傳輸薄膜之閘控制訊號導 線及薄膜電晶體基底之閘控制訊號線之接線結構，在其中 緊密地配置一高壓訊線及一低壓訊號線。 圖3為一沿著圖2之ΙΙΙ-ΐπ，線所取的接線結構之橫截面 圖。 一具有閘控制訊號線201，202, 2〇3, 2〇4和2〇5之薄膜電 晶體基底200被附著至一具有閘控制訊號導線3〇1，3〇2， 303，304和305之資料訊號傳輸薄膜3〇〇，使用一非等向導 通性薄膜（ACF)，其包含導通性材料及一黏著性樹脂。於 此，薄膜300之導線電性地連接至薄膜電晶體基底1〇之電 線，經由ACF之導通性材料（未顯示）一對一地對應。 在資料訊號傳輸薄膜300中，一低電壓控制導線3〇2位於 O:\66\66569-921024.DOC -14- 577036 一高壓訊號導線301之一側，而一閘共用電壓訊號導線3〇3 · 位於咼壓訊號導線301之另一側。一諸如閘開電壓之約2〇v -之高電壓應用於高壓控制導線301上，一諸如閘閉電壓之低 於0V之低電壓應用於低壓控制導線3〇2而一約3v之閘共用 電壓應用於閘共用電壓導線303上。 閘共用電壓可為一與閘開電壓相比之低電壓。然而，低 於閘共用電壓之閘閉電壓在下面的說明中將被用來做為低 電壓之例子。 又’在薄膜電晶體基底200上形成一高壓訊號線2〇1，一 低壓訊號線202，一閘共用電壓訊號線2〇3以及其他訊號線 204和205，其連接至導線310，302，303，304和305，一對 一地對應。 為驅動液晶顯示器，閘控制訊號經由資料訊號傳輸薄膜 300之控制訊號導線301，302，303，304和305，薄膜電晶. 體基底200之訊號線201，202，203，204和205以及閘訊號 傳輸薄膜（未顯示）之導線輸入至一閘驅動積體電路（未顯 示）。 在此程序中，閘開電壓應用至高壓訊號導線3〇丨和高壓訊 號線201，而閘閉電壓應用至低壓訊號導線3〇2和低壓訊號 線202。因此，一位差形成於高壓訊號導線3〇1/高壓訊號線 201和低壓訊號導線302/低壓訊號線202之間。位差等效於 閘開電壓和閘閉電壓之間的電壓差。 當液晶顯示器製造或操作時濕氣滲入電線，特別是在潮 濕環境下。特別地，濕氣在閘和資料傳輸薄膜300和400附 O:\66\66569-921024.DOC -15- 者至薄膜電晶體10之位置上渗人電線，且集中在電線之步 階差異組件上。 濕氣本身具有離子。它們的陰離子500從低壓訊號線202 移至高壓訊號線201，使用ACF25〇做為一電解質，藉由高 壓訊號線201和低壓訊號線2〇2之間的位差。高壓訊號線2〇1 與陰離子500電化學地作用，藉此融化於電解質中。結果， 而壓訊號線201之斷開因電解作用而發生。 然而，當使用具有一佔據於薄膜電晶體基底之高壓訊號 線和低壓訊號線之間的導線之控制訊號傳輸薄膜時，導線 作用如一牆壁，以防止陰離子移入高壓訊號線中。在此情 況中’雖然濕氣在控制訊號傳輸薄膜附著至薄膜電晶體基 底處滲入控制訊號組件，但陰離子無法接觸高壓訊號線， 藉此不會因為電解作用而融化高壓訊號線。 這將經由下列本發明的實施例來說明。 圖4為一根據本發明之第一實施例之控制訊號組件，而圖 5為一沿著圖4之V-V’線所取的控制訊號組件之橫截面圖。 一具有閘控制訊號導線3〇1，302，303之資料訊號傳輸薄 膜300和鬲壓冗導線31〇和32〇使用一由導通性材料251和一 黏著性樹脂252構成之非等向導通性薄膜250附著至一具有 閘控制訊號線2(H，202，203之薄膜電晶體基底200。於此， 薄膜電晶體基底200之電線2〇1，202和203電性地連接至資 料訊號傳輸薄膜300之導線3〇1，302和303上，一對一地對 應，經由非等向導通性薄膜250之導通性材料251。 在資料訊號傳輸薄膜300中，形成一傳輸閘開電壓之高壓 O:\66\66569-921024.DOC -16- 577036 訊號導線301，一傳輸閘閉電壓之低壓訊號導線302，一傳 輸閘共用電壓之共用電壓訊號導線303。傳輸與高壓訊號導 線相同之電壓之高壓替代導線310和320形成於高壓訊號導 線3 01之兩侧。 又，一南壓訊號線201，一低壓訊號線202，一共用電壓r 訊號線203形成於薄膜基底1〇上以連接至高壓訊號導線 301，低壓訊號導線302，以及共用電壓訊號導線3〇3，一對 一地對應。對應於高壓替代導線310和320之電線不是形成 於薄膜電晶體10上。 資料訊號傳輸薄膜300之導線301，302，303，310和320 藉由在一供資料訊號傳輸薄膜用之高分子薄膜上印刷一數 微米至數十微米之銅線並使之形成圖樣而成形。資料訊號 傳輸薄膜300之導線301，302，303，3 10和320是遠較薄膜 電晶體基底200之電線201，202和203來得厚。在資料訊號 傳輸薄膜300和薄膜電晶體基底2〇〇使用非等向導通性薄膜 250經過熱和壓力處理彼此附著之同時，黏著性樹脂252之 一組件’其中存在著高壓替代導線31〇和32〇，被厚導線31〇 和320推動’藉此以被壓緊。在此，黏著性樹脂252變得濃 稠使彳于電解質中的陰離子5〇〇可能被制止。因此，高壓替代 導線3 10和320作用如用以防止圍繞它的陰離子移動之牆 壁。 為驅動液晶顯示器，閘控制訊號被輸入至一閘驅動積體 電路（未顯示），經由資料訊號傳輸薄膜300之導線3〇1，3〇2 和303 ’薄膜電晶體基底2〇〇之訊號線2〇1，202和203以及閘
O:\66\66569-921024.DOC -17- 577036 訊號傳輸薄膜（未顯示）之導線。 在此程序中，於高壓訊號導線3〇1(或高壓訊號線2〇1)和高 壓替代導線3 10和320會形成等電位。因為相同的電壓應用 至高壓訊號導線301 (或高壓訊號導線）和高壓替代導線3 1〇 和320。此外，因為一諸如閘閉電壓之低電壓應用至低壓訊 號導線302(或低壓訊號線2〇2)，一等效於閘開電壓和閘閉 電壓之間的差異之位差形成於低壓訊號線2〇2(或低壓訊號 導線3〇2)和高壓替代導線31〇和320之間。 當液晶顯示器製造或操作時，濕氣滲入電線中，特別是 在潮濕的環境之下。特別地，濕氣會在閘和資料傳輸薄膜 300和400附著至薄膜電晶體ι〇〇之位置上滲入電線中，並集 中在電線之步階差異組件上。濕氣本身具有離子。它們的 陰離子500從低壓訊號線2〇2移動至高壓替代導線3丨〇，使用 ACF做為一電解質，藉由高壓替代導線31〇和低壓訊號導線 202之間的位差。 在此’高壓替代導線310和320可能因與陰離子500之電化 學反應而融化在高壓替代導線310和320周圍的電解質中。 然而，高壓替代導線3 10和320夠厚而提供了足夠的陽離子 給陰離子，藉此只受到些微的損害。 移動至高壓替代導線3 1 〇和320之陰離子被高壓替代導線 3 10和320封鎖住，藉此不進一步移動。換句話說，高壓替 代導線310和320藉由位於高壓訊號線201和低壓訊號線202 之間而防止了滲入的濕氣之陰離子移動至高壓訊號線2(Π。 又，滲入高壓訊號線201之周圍的陰離子會因為在高壓訊 O:\66\66569-92 丨 024.DOC -18 - 577036 號導線3 01 (或南壓訊號線2 01)和南壓替代導線3 10和3 2 0之 間之等電位而失去其移動方向且浮動在高壓訊號線2〇1之 周圍。 因此，高壓訊號線些微地造成與陰離子之電化學反應且 些微地接收由陰離子在驅動液晶顯示器期間所造成的損 害0 在根據本發明之第一實施例之控制訊號組件中，高壓替 代導線310和320被從在資料訊號傳輸薄膜3〇〇上的高壓訊 號導線301分離開來。然而，高壓訊號導線3〇1可能藉由使 其區域延伸至高壓替代導線310和320而與高壓替代導線 3 10和320成為一體。在此情況中，延伸的高壓訊號導線3〇i 佔據於高壓訊號線201之周圍。在此，雖然陰離子移動至高 壓訊號導線301且與高壓訊號導線3〇1作用，但高壓訊號導 線301夠大且寬使能提供足夠的陽離子給陰離子，藉此只些 微地受到損害。 在根據本發明之第二實施例之控制訊號組件中，如圖6和 圖7中所顯示的，其與根據本發明之第一實施例者不同，對 應於資料訊號傳輸薄膜300之高壓替代導線31〇和320之高 壓假線210和220可形成於薄膜電晶體基底2〇〇上。此實施例 具有一形成圍繞高壓訊號線2〇1周圍之較寬的等位區域之 優點。 在此，高壓假線210和220，如圖6中所示的，可能與高壓 訊號線201分離，且與此不同，連接至高壓訊號線2〇1上。 當南壓假線210和220連接至高壓訊號線2〇1時，高壓替代導 O:\66\66569-921024. DOC -19- 線210和220變成高壓訊號線201之冗線。 在薄膜電晶體基底上的高壓假線可能藉由使用諸如供形 成閘和資料線之導通性材料之傳統的導通性材料來形成。 在此，高壓假線可以小於供形成低壓訊號線之導通性材料 之導通性材料來形成，傾向用氧化物，諸如銅族之一，銀 之一，鉻族之一，或鉬之一，包含氮化鉻和氮化鉬。在此 情況中，高壓假線可能較不受因電解作用所引起的損害。 且，當高壓線以氧化導通性材料諸如IT〇4IZ〇來形成時， 高壓假線可能較不與陰離子反應。 資料訊號傳輸薄膜300之高壓替代導線31〇和220形成以 防止因高壓訊號線201和低壓訊號線2〇2之間的能量差異所 引起之電解作用。因此，有可能只形成一在高壓訊號線2〇1 和低壓訊號線202之間的高壓假線，當低壓訊號線2〇2只位 於高壓訊號線201之一側上時。 在本發明之上述第一實施例中，傳輸閘開電壓之電線被 用做南壓訊號線之一例，而傳輸閘閉電壓之電線被用做低 壓訊號線之一例。然而，高壓訊號線之另外的例子可為一 傳知電源供應電壓之電線，而低壓訊號線之另一個例子為 一傳輸接地電壓之電線。 在根據本發明之第一和第二實施例之控制訊號組件中， 形成於資料訊號傳輸薄膜上的控制訊號組件被做為一例 子。然而，本發明亦應用於控制訊號組件形成於閘傳輸薄 膜上的情況。 在本發明之上述的第一和第二實施例中，只有說明傳輸
〇：\66\66569-921024.DOC -20- _制訊號之閘控制訊號線。然而，本發明亦應用於傳輸 貝:控制訊號之資料控制訊號線形成於薄膜電晶體基底上 、月、中X’本發明可應用S所有g出的情況以防止電 線因二電線間之位差所造成的電解作用而融化。 匕括上面所舉出的控制訊號組件之液晶顯示器之說明如 圖為根據本發明之第三實施例之液晶顯示器之平面 圖而圖9為一沿著圖8之IX-IX，線所取的液晶顯示器之橫 截面圖。 ” ^ :本各月之第一貝訑例之液晶顯示器中，傳輸一閘控制 訊唬 < 控制訊號線藉由供形成資料線之導通性材料來形 成，而對應於高壓假導之高壓假線未形成。 一包含一包括閘極22之閘線2〇之閘線2〇，21，和22以及 連接至閘線20之末端之閘墊21形成於絕緣基底1〇上。 閘、、泉20在水平方向上延伸並傳輸由一閘驅動積體電路 (未顯示）輸出至像素區域之閘訊號。閘線2〇，21和22可由 諸如銅族之-’銀族之一，絡族之一，或*目之一之傳統導鲁 通性材料，包括氮化鉻和氮化鉬來形成，且可具有一單層 結構或多層結構。 又，一由諸如氮化矽，氧化矽等之絕緣材料構成之閘絕 緣層30形成以覆蓋閘線2〇，21和22。 一由非晶矽構成且對應於閘電極22之半導體層4〇形成於 閘絕緣層30上。 又，貝料線60，61，62和63形成於閘絕緣層40上。資料
O:\66\66569-921024.DOC • 21 - 線包含一在垂直方向上延伸並跨越閘線20以定義一像素區 域之資料線60，一連接至資料線60之末端之資料墊61，一 由資料線60突出且電性地連接至半導體層40之源極電極 62 ’以及一對應於源極電極6丨且電性連接至半導體層4〇之 沒極電極63。 又，閘控制訊號線201，202和203形成於閘絕緣層40上。 閘控制訊號線201，202和203為一傳輸諸如閘開電壓之高電 壓之高壓訊號線201，一傳輸諸如閘閉電壓之低電壓之低壓 訊號線202，以及一傳輸共用訊號電壓之共用電壓訊號線 203。 每個閘控制訊號線201，202和203包含一閘控制訊號列以 及連接至閘控制訊號列之兩末端之閘控制訊號墊。控制訊 號線201，202和203之末端可連接至一位於薄膜電晶體基底 200之上方組件之資料訊號傳輸薄膜300之導線301，302和 303，而它們的另一末端可連接至位於薄膜電晶體基底200 之左側階上之閘訊號傳輸薄膜300之導線4(H，402，和403。 因為電線的上述配置，經由資料訊號傳輸薄膜300之導線 301，302和303所傳輸之訊號經由薄膜電晶體基底200之閘 控制訊號線201，202和203以及閘訊號傳輸薄膜400之導線 401，402和403送至閘驅動積體電路（未顯示）。 資料線60，61，62，63和閘控制訊號線201，202，203可 以單層型式或多層型式形成，藉由諸如銅之一，銀族之一， 絡族之一，或鉬族之一之導通性材料’包含氮化絡和氮化 !目〇
O:\66\66569-921024.DOC -22- 577036 由雜質摻雜的非晶矽構成之歐姆接觸層5丨，52分別形成 ’ 半導體層40和源極電極62和半導體40和汲極電極63之間。 ， 又’一由氮化矽或氧化矽所構成的鈍性層70形成於組合 基底上，包含資料線60，61，62和63，閘控制訊號線201， 2〇2和203以及半導體層40。 一使沒極電極63暴露出來的接觸孔71，一使資料整61暴 路出來的接觸孔73，以及使閘控制訊號線2〇1，202和203 暴露出來的接觸孔C1，C2和C3分別形成於鈍性層70中。 又，經由接觸孔71連接至汲極電極6丨且位於像素區域中 鲁 之像素電極80，一經由接觸孔72連接至閘墊21之閘辅助墊 81，經由接觸孔73連接至資料墊61之資料輔助墊82形成於 鈍性層80上。 另外’經由Cl，C2和C3連接至閘控制訊號線2〇1，202和 203之輔助塾83，85和87形成於鈍性層7〇上。 一具有一閘驅動積體電路（未顯示）之閘訊號傳輸薄膜4〇() 以及具有一資料驅動積體電路（未顯示）之資料訊號傳輸薄 膜300利用一非等向導通性薄膜25〇附著至上述的薄膜電晶 體基底2 0 0。 供傳輸資料訊號之資料訊號導線35〇以及供傳輸用以驅 動閘驅動積體電路之閘控制訊號之閘控制訊號導線3〇1， 302和303形成於資料訊號傳輸薄膜3〇〇中。 資料訊號導線350連接至絕緣基底1〇上的資料墊82以傳 輸資料訊號至連接至資列2〇之資料墊82。又，閘控制訊號 導線301，302和303電性地連接至位於絕緣基底1〇之上方組
O:\66\66569-921024.DOC -23- 577036 件之閘控制訊號線201，202和203之墊，並傳輸閘控制訊號 至閘控制訊號線201，202和203。 在資料訊號傳輸薄膜300中，高壓替代導線31〇和32〇形成 以佔據在高壓訊號線201和低壓訊號線2〇2或其他訊號線 203之間。 資料訊號傳輸薄膜300之導線301，3〇2，303，310和320 由在一供貝料訊號傳輸薄膜之高分子薄膜上印刷數微米至 數十微米之銅線並使之形成圖樣來成形變厚。資料訊號傳 幸則薄膜300之導線301 ’ 302 ’ 303，310和320遠比薄膜電晶 體基底200之電線201，202和203來得厚。當資料訊號傳輸 薄膜300和薄膜電晶體基底200使用非等向導通性薄膜250 經由熱和壓力處理來彼此附著時，黏合樹脂252有高壓替代 導線310和320存在之組件被厚導線310和320推擠，因而被 壓縮。在此，黏合樹脂252變得很黏稠使得陰離子500在電 解質中的移動可被壓制。因此，高壓替代導線310和320作 用如防止在其周圍之陰離子移動之牆壁。 且，與高壓訊號線201相同的電壓應用至高壓替代導線 301以形成在高壓訊號線201周圍的等電位。 在閘訊號傳輸薄膜400中，閘訊號導線450和閘控制訊號 導線401，401和403形成。閘控制訊號導線401，402和403 接收來自閘控制訊號線201，202和203之閘控制訊號，且將 之送到閘驅動積體電路（未顯示）。閘訊號導線450傳輸閘訊 號至閘列20。 閘控制訊號導線401，402和403連接至閘控制訊號線 O:\66\66569-921024.DOC -24- 577036 201，202和203之墊，在基底10的左組件上，並經由閑控制 訊號線201，202和203接收閘控制訊號。經由閘訊號傳輸薄 膜400之閘控制訊號導線401 ’ 402和403傳輸的閉控制訊號 被輸入閘驅動積體電路（未顯不）並控制閘驅動積體電路之 驅動。 閘控制訊號導線450電性地連接至形成於絕緣基底丨〇上 形成的閘墊82，並將由閘驅動積體電路所輸出的問訊號傳 輸至連接到閘墊8 1之閘列20上。 在閘訊號傳輸薄膜400中，高壓替代導線410和420等於資 料訊號傳輸薄膜300之高壓替代導線3 10和320。 控制訊號組件，在該處閘訊號傳輸薄膜400附著至薄膜電 晶體基底200，其之組成與操作與是資料訊號傳輸薄膜3〇〇 附著至薄膜電晶體基底200處的相同，且因此不在下面的說 明中描述。 當驅動液晶顯示器時，閘控制訊號經由資料訊號傳輸薄 膜300之訊號導線3(H，302和303，薄膜電晶體基底200之訊 號線201 ’ 202和203 ’以及閘訊號傳輸薄膜（未顯示）之訊號 導線4 01 ’ 4 0 2和4 0 3輸入至閘驅動積體電路（未顯示）。 在此程序中，在高壓訊號導線301(或高壓訊號線2〇1)和高 壓替代導線310和320之間形成等電位。因為相同的電壓應 用至高壓訊號導線301 (或高壓訊號線201)和高壓替代導線 3 10和320。另外，因為一諸如閘閉電壓之低電壓應用至低 壓訊號導線302(或低壓訊號線202)，一等於閘開電壓和閘 閉電壓之間的壓差之位差形成於低壓訊號導線302(或低壓 O:\66\66569-921024.DOC -25- 577036 訊號線202)和高壓替代導線310和32〇之間。 濕氣在液晶顯示器製造或操作時滲入電線，特別是在潮 濕的環境之下。特別地，濕氣在閘和資料傳輸薄膜3〇〇和4〇〇 附著至薄膜電晶體100之位置上滲入電線中，且集中在電線 之步階差兴組件上。濕氣本身具有離子。它們的陰離子5〇〇 從低壓訊號線202移動至高壓替代導線31〇，使用ACF做為 一電解質，藉由高壓替代導線3 10和低壓訊號導線202之間 的位差。 於此’咼壓替代導線3 10和320可能藉由與陰離子5〇〇之電 化學反應而融化在高壓替代導線3 1 〇和320周圍的電解質 中。然而，高壓替代導線3 10和320甚厚而提供足夠的陽離 子給陰離子，因此只受到些微地損害。 移動至高壓替代導線310和320之陰離子被高壓替代導線 3 10和320封鎖，因此不會進一步移動。換句話說，高壓替 代導線3 10和320防止滲入的濕氣之陰離子因位於高壓訊號 線2 01和低壓訊號線2 0 2之間而移動至高壓訊號線2 〇 1。 而且’滲入高壓訊號線201之周圍的陰離子因為高壓訊號 導線301(或高壓訊號線201)以及高壓替代導線31〇和32〇之 間的等電位而失去其移動方向並浮動於高壓訊號線2〇1周 圍。 因此’向壓訊號線些微地造成與陰離子之電化學反麻， 且些彳政地接收在驅動液晶顯不益期間由陰離子所造成的損 害0 在根據本發明之第三實施例之液晶顯示器中，對應間和 OA66\66569-921024.DOC -26- 577036 資料訊號傳輸薄膜300和400之高壓替代導線31〇, 320,410 和420非形成於薄膜電晶體基底2〇〇上。然而，如根據本發 明之第四實施例之圖10和圖丨1中所示的液晶顯示器，本發 明可應用至對應於閘和資料訊號傳輸薄膜3〇〇之高壓替代 導線3 10和320之鬲壓假線21〇和220形成於薄膜電晶體基底 200之情況。 在根據本發明之第四實施例之液晶顯示器中，閘控制訊 號線201 ’ 202和203是以供形成資料線60，61，62和63之導 通性材料來形成，而高壓假線21〇和220是藉由供形成像素 電極之導通性材料諸如ITO或IZO來形成。 圖10為一閘控制訊號線之選定的一閘控制訊號線之平面 圖，而圖11為一沿著圖10之XI-XI’線之橫截面圖。 當本發明之第四實施例與第三實施例比較時，顯示區域 之結構是相同的，但閘控制訊號組件之結構是不同的。因 此，將說明閘控制訊號組件之結構，而排除顯示區域之結 構。 一形成於絕緣層10上的閘絕緣層30，以及由供形成資料 線20，2卜22和23之導通性材料構成之閘控制訊號線“I， 202和203形成於絕緣基底1〇上。每個閘控制訊號線2〇1，2〇2 和203包含一閘控制訊號列以及連接至閘控制訊列之兩端 之閘控制訊號墊。 又，一覆蓋閘控制訊號線201，202和203之鈍性層70形成 於閘絕緣層3 0上。 在鈍性層70中，形成了使閘控制訊號線2〇1，202和203之 O:\66\66569-921024.DOC -27- 577036 塾暴露出來的接觸孔c 1，C2和C3。此外，連接至閘控制訊 -號線201，202和203之墊之閘控制訊號輔助墊85，83和87 · 是經由在鈍性層70上的接觸孔Cl，C2和C3形成。 以及’在鈍性層70上，高壓冗線210和220形成於傳輸閘 開電壓之高壓訊號線201之兩側。高壓冗線21〇和220是以供 形成像素電極之導通性材料諸如IT〇4IZ〇來形成的。 高壓冗線210和220以ΙΤΟ或ΙΖΟ來形成時，如本發明之第 四實施例一般，高壓冗線210和220不只防止高壓訊號線 201 ’亦防止其本身因電解作用而被損害。 _ 當高壓假線210和220形成在薄膜電晶體基底上時，一等 位區域可形成在高壓訊號線201周圍更廣範圍。在此，高壓 假線210和220,如圖中所示的，可與高壓訊號線2〇1分離， 且人此不同的，連接至咼壓訊號線2〇 1。當高壓線21 〇和 連接至南壓訊號線201時，高壓替代導線21〇和22〇變成高壓 訊號線201之冗線。 在薄膜電晶體基底上的高壓假線可藉由使用諸如供形成 閘和俎斗線之導通性材料之傳統的導通性材料來形成。纟鲁 此，高壓假線可以小於供形成低壓訊號線之導通性材料來 士成’傾向氧化物，諸如銅族之一，銀族之一，鉻族之一 或族之-，包含氮化鉻和氮化。在這樣的情況中，高壓假 線較不受電解作用所生的損害。且，當高壓假線由氧化導 通性材料諸如ΙΤ〇或㈣來形成時，高壓假線可較不與陰離 子作.用。 又，高壓冗線21〇和，可藉由連接兩電線來形成。它們 O:\66\66569-921024.DOC -28- 577036 之一位於基底10之上方組件以連接至資料訊號傳輸薄膜 3 00，而其另一線位於基底之左方組件以連接至閘訊號傳輸 薄膜400。 資料訊號傳輸薄膜300之高壓替代導線3 10和320形成以 防止因高壓訊號線201和低壓訊號線202之間之位差所形成 的電解作用。因此，當低壓訊號線202只位於高壓琥線201 之一側時，在高壓訊號線201和低壓訊號線202之間有可能 只形成一高壓假線。 在根據本發明之第三和第四實施例之液晶顯示器中，傳 輸閘開電壓之電線被取作為高壓訊號線之一例，而傳輸閘 閉電壓之電線被取做為低壓訊號線之一例。然而，高壓訊 號線之其他例子可為一傳輸電源供應電壓之電線，而低壓 訊號線之另外的子可為傳輸一接地電壓之電線。 在根據本發明之第三和第四實施例之液晶顯示器中，只 說明了閘控制訊號所輸入至的閘控制訊號線。然而，本發 明亦應用至資料控制訊號所輸入至的資料控制訊號線形成 於薄膜電晶體基底上的情況。又，本發明可應用至所提出 的所有情況以防止電線因為在兩線之間的位差所造成的電 解作用所引起的融化。 在根據本發明的第三和第四實施例之液晶顯示器中，連 接至資料訊號傳輸薄膜300和閘訊號傳輸薄膜4〇〇之閘控制 訊號線201 ’ 202和203是以供形成資料線用之導通性材料所 形成的。然而，閘控制訊號線2〇 1，202和203可以供形成間 線之導通性材料來形成。 O:\66\66569-921024.DOC -29- 577036 在本發明之液晶顯示器中，訊號傳輸薄膜之導線和薄膜 電晶體之電線的重疊結構如下說明。 圖12為一訊號導線和訊號線之重疊的平面圖，而圖13為 沿著圖12之ΧΙΠ_ΧΙΙΓ線之橫截面圖。 在薄膜電晶體基底中，諸如閘絕緣層3〇之第一絕緣層形 成於絕緣層10上，而訊號列201，210，220，一高壓訊號線 2 01和而壓假線21 〇和2 2 0，形成於閘絕緣層3 〇上。又，諸如 一純性層70之第二絕緣層形成於訊號線2〇1，2 1〇和220上， 且使訊號線201，210和220之組件暴露出來的接觸孔ci， C2和C3形成於鈍性層70中。又，連接至訊號線2〇1，210和 221之墊之輔助墊85，86和87經由在鈍性層70上的接觸孔 Cl，C2和C3來形成。 當一訊號傳輸薄膜300附著至上述的薄膜電晶體基底 時，高壓訊號導線301連接至高壓訊號線201。 覆蓋接觸孔之層具有位於接觸孔上的步階差異。輔助塾 無法完全重疊步階差異。因此，滲入電線之濕氣集中在步 階差異上，且進一步地損害位於接觸孔上的訊號線組件。 因此，最好高壓訊號導線301形成以完全地重疊接觸孔ci， 特別地，在接觸孔C1之長度方向上完全地重疊接觸孔c 1。 然而，高壓訊號導線301不可能在接觸孔之寬度方向上完 全地重疊接觸孔C1。雖然高壓訊號線201不是完全地與高壓 訊號導線3 01重疊，閱其側邊組件為暴露的，但陰離子不會 接觸高壓訊號線201，且電化學地與高壓訊號線2〇 1反應， 因為在高壓訊號線201之周圍形成了等電位。 O:\66\66569-921024.DOC -30- 此導線與電線之重疊結構非只限制於高壓訊號導線和高 壓訊號線之重疊，亦可應用至所有導線與所有訊號線之重 ®。圖12和圖13顯示了高壓替代導線310和320在接觸孔之 長度方向上完全地重疊接觸孔C1和C2，且組件地在接觸孔 的寬度方向上與接觸孔C1和C2重疊。 圖14為訊號導線與訊號線之重疊之另一平面圖，而圖15 為沿著圖14之XV-XV，線之橫截面圖。 在薄膜電晶體基底中，一諸如閘絕緣層3〇之第一絕緣層 形成在絕緣層10上，且一高壓訊號線2〇1形成於閘絕緣層3〇 上。又，一諸如鈍性層70之第二絕緣層形成於高壓訊號線 201上’且使高壓訊號線2〇 1暴露出來的接觸孔c丨形成在鈍 性層70中。又，經由接觸孔c丨連接至高壓訊號線2〇丨之墊之 輔助墊85形成於鈍性層70上。另外，高壓假線21〇和220形 成在辅助塾85之兩側。 當訊號傳輸薄300附著於上面所提出的薄膜電晶體基底 2〇〇時，導線可在接觸孔的長度方向上完全地覆蓋使訊號線 暴露出來的接觸孔，但只在接觸孔的寬度方向上組件覆蓋 接觸孔。 在圖中，高壓訊號導線301位於使高壓訊號導線3〇1暴露 出來的接觸孔cl之區域内，藉此使高壓訊號線3〇1之兩側暴 露出來。 高壓假線210和220是以供形成像素電極之導通性材料所 形成，完成地暴露，且以高壓替代導線31〇和32〇在寬度方 向上覆蓋。 O:\66\66569-921024.DOC -31- 577036 在本發明之液晶顯示器中，高壓替代導線310和320與在 資料訊號傳薄膜300上的高壓訊號導線3〇1分離。然而，高 壓訊號導線301可與高壓替代導線3 10和320藉由使其區域 延伸至高壓替代導線310和320來成為一體。在這樣的情況 中’延伸的高壓訊號導線301係位在高壓訊號線201的周 圍。在此’雖然陰離子移動至高壓訊號導線3〇1，且與高壓 訊號導線301作用，但高壓訊號導線301甚大又寬，而能提 供足夠的陽離子給陰離子，藉此只受到些微地損害。 在本發明中，閘控制線2(H，2〇2和2〇3可藉由連接二或多 ‘線來形成。在這樣的情況中，其之一線可由供形成資料 線<導通性材料來形成，而其之另一線可以供形成閘線之 導通性材料來形成。這些線結構可應用至高壓冗線。這將 參考下列圖形，圖16和圖17來說明。 固16為閘控制訊號線之選定的一閘控制訊號線之平面 圖，而圖17為一沿著圖Μ之XVII-XVII，線之橫截面圖。 斤由供形成閘線之導通性材料所構成的第一訊號線208在 第一万向上形成於絕緣基底1〇上。形成於第一訊號線2〇8 之一末端上的墊位於基底的上方組件以連接至資料訊號傳 輸薄膜300。 一由氮化矽或氧化矽所構成的閘絕緣層30形成於絕緣基 底丨〇上以覆蓋第一訊號線208。 在閘絕緣層30中，形成一使第一訊號線2〇8之另一末端暴 露出來的接觸孔32，墊子非位於該處。 ' 又，-由供形成資料線之導通性材料所構成的第二訊號
O:\66\66569-921024. DOC -32- 577036 線209以第二方向形成於閘絕緣層3〇上。形成於第二訊號線_ 209之一末端上的墊子位於基底的左方組件以連接至閘訊 · 號傳輸薄膜400。第二訊線209經由接觸孔32連接至第一訊 號線208以將來自資料訊號傳輸薄膜3〇〇之閘控制訊號傳輸 至閘傳輸薄膜400。 一由氮化矽或氧化矽所構成的鈍性層7〇形成於閘絕緣層 30上。純性層30覆蓋了第二訊號線209。 一使第二訊號線2〇9之墊暴露出來的接觸孔C9形成於鈍 性層80中，而另一個第第一訊號線2〇8之塾暴露出來的接觸 鲁 孔C8形成於鈍性層和閘絕緣層8〇和3〇中。 一經由接觸孔C8連接至第一訊號線208之第一輔助墊88 以及經由接觸孔209連接至第二訊號線209之墊之第二訊號 助塾89形成於鈍性層8〇上。 當資料訊號傳輸薄膜3〇〇附著於上述的薄膜電晶體基底 之控制號組件上時，資料訊號傳輸薄膜3〇〇之導線3〇8被配 置並附著於對應的第一訊助墊88。資料傳輸薄膜3〇〇至薄膜 電晶體基底之控制訊號組件之附著是經由熱和壓力處理來 鲁 執行，使用一非等向的導通性薄膜250。在此，資料訊號傳 輸薄膜300之導線308電性地連接至第一訊號助墊88，藉由 非等向導通性薄膜250之導通性材料25 1。而以相同的方 式，閘訊號傳輸薄膜400之導線409被配置並附著至對應的 第二訊號助整89。閘傳輸薄膜4〇〇至薄膜電晶體基底之控制 訊號組件之附著是經由熱和壓力處理來執行的，使用一非 等向導通性薄膜250。在此，閘訊號傳輸薄膜400之導線4〇9 O:\66\66569-921024.DOC -33- 577036 包性地連接至第二訊號助墊89，藉由非等向導通性薄膜乃〇 · 之導通性材料251。 ， 在本發明之第三實施例中，連接組件之線結構在電線的 ㈣差異中具有-緩和的斜率以使滲人之濕氣的量最小 化，而在連接組件中每個資料與閘傳輸薄膜3〇〇和4〇〇之導 線 3〇1，3〇2,303,310,320,4〇1，4〇2,4〇3,41〇和42〇 連接至每個薄膜電晶體基底2〇〇之電線2〇丨，202，203，210 和220。此將參考下列圖形，圖18和圖19來說明。 圖18為一控制訊號線與導線之連接組件之電線結構之平 _ 面圖，而圖19為沿著圖18之沿1沿乂，之橫截面圖。導線經 由二連接組件連接至每個具有一雙層型式之閘訊號線之 層。 一由供形成閘線之導通性材料構成且具有一塾在其末端 之第一訊號線29形成於絕緣基底1〇上。又，由氮化石夕構成 並覆盍第一訊號線29之閘絕緣層30形成於絕緣基底上以 覆蓋第一訊號線29。 一由供形成資料線之導通性材料所構成且具有整子在其 _ 末^上之弟一^訊號線6 9形成於閘絕緣基底3 〇上。第二訊號 線69小於第一訊號線29，因此不會接觸第一訊號線29之 墊，並跟隨第一訊號線29之樣式以重疊第一訊號線29。又， 一由氮化矽或氧化矽所構成的鈍性層70形成於閘絕緣層3〇 上以覆蓋第二訊號線69。 使弟一 A *5虎線6 9之塾暴路出來的接觸孔c 6形成於純性 層70中，而另一使第一訊號線29之墊暴露出來的接觸孔C7 O:\66\66569-921024.DOC -34- 577036 形成於鈍性和閘絕緣層80和30中。 一經由接觸孔C6和C7連接至第一和第二訊號線29和69 之控制訊號輔助墊89形成於鈍性層70上。 當資料訊號傳輸薄膜300附著至上述的控制訊號組件 時，資料訊號傳輸薄膜300之導線309被配置並附著至對應 的控制訊號辅助墊89。資料訊號傳輸薄膜300與控制訊號組 件之附著是經由熱與壓力處理來執行的，使用一非等向導 通性薄膜250。在此，資料訊號傳輸薄膜3〇〇之導線3〇9電性 地連接至控制訊號組件之控制訊號辅助墊89，藉由非等向 導通性薄膜250中的導通性材料25 1。 如所述的，在本發明中，厚的替代導線防止了在製造或 操作液晶顯示器期間所滲入的陰離子移動，藉由在控制訊 號傳輸薄膜上形成厚的替代導線以佔據在薄膜電晶體基底 上的高壓訊號線和低壓訊號線之間。又，當與高壓訊號線 相同的電壓應用至此厚替代導線以形成在高壓訊號線周圍 的等電位時，替代導線防止了陰離子移動至高壓訊號線， 藉由使陰離子在高壓訊號線的周圍浮動之方式。在此，當 訊號傳輸薄膜之導線形成以完全地重疊薄膜電晶體基底之 電線時，其防止濕氣滲入電線中。 當本發明已詳細地參考較佳實施例來說明之同時，熟悉 技藝的人士會欣賞不同的修改與替代可加至其上而不達反 本發明之精神與範圍，如在所附申請專利範圍中所提出的。 元件符號說明 10 薄膜電晶體
O:\66\66569-921024. D〇C -35- 577036 20-23 閘線 29,208 第一信號線 30 閘絕緣層 40 半導體層 51,52 歐姆接觸層 60-63 資料線 69,209 第二信號線 70,80 純性層 71-73 接觸孔 80 像素電極 81-89 閘輔助墊 100 色濾波器基體 130 資料線 140 閘線 200 薄膜電晶體基體 201-205 閘控制訊號線 210,220 高壓假線 250 導通性薄膜 251 導通性材料 252 黏著性樹脂 300,400 資料傳輸薄膜 301-309 閘控制訊號導線 310 資料驅動積體電路 320 導線
O:\66\66569-921024.DOC -36- 577036 350 資料訊息導線 401-409 導線 410,420 閘驅動積體電路 450 閘控制訊號導線 500 印刷電路板 520 閘控制互連線 Cl-C9,32 接觸孔 O:\66\66569-921024.DOC -37

Claims (1)

  1. 577036 、申請專利範園： 1 · 一種訊號傳輸薄膜，其包含： 一傳輸一第一訊號電壓之第一訊號導線； 一傳輸一小於第一訊號電壓之第二訊號電壓之第二訊 號導線；以及 一形成於第一訊號導線和第二訊號導線之間的導線。 2·如申請專利範圍第1項之訊號傳輸薄膜，其中該導線具有 數微米至數十微米之厚度。 3·如申請專利範圍第1項之訊號傳輸薄膜，其中與第一訊號 電壓相同的電壓應用至該導線上。 4·如申請專利範圍第1項之訊號傳輸薄膜，其中該導線為一 替代導線。 5 · —種控制訊號組件，其包含： 一控制訊號線組件，包含一基底，一在該基底上的第 一和一第二訊號線； 一控制訊號傳輸組件，包含一對應於該基底之薄膜， 一在該薄膜上之第一和第二訊號導線以及一在該薄膜上 之導線，其中第一和第二訊號導線被連接至第一和第二訊 號線’而導線佔據在第一和第二訊號線之間。 6·如申請專利範圍第5項之控制訊號組件，其中第一訊號導 線傳輸一第一訊號電壓，而第二訊號導線傳輸一小於第 一訊號電壓之第二訊號電壓。 7·如申請專利範圍第5項之控制訊號組件，其中該導線具有 數微米至數十微米之厚度。 O:\66\66569-921024.DOC •:申請專：範園第5ί員之控制訊號組件，其中每個訊號導 9、、泉至少重叠對應於其本身之訊號線之一組件。 9·::請專利範圍第5項之控制訊號組件，其中與第一訊號 包壓相同的電壓應用至該導線上。 如申印專利範園第5項之控制訊號組件，進一步包含一連 接至在基底上的導線之電線。 U·如申請專利範園第1〇項之控制訊號組件，其中該導線至 重豐電線之一組件。 如申叫專利範圍第丨〇項之控制訊號組件，其中電線連接 至第一訊號線。 如申叫專利範圍第1 〇項之控制訊號組件，其中電線與第 一訊號線隔離。 14·如申請專利範圍第10項之控制訊號組件，其中電線是以 具有小於供形成第二訊號線之導通性材料之導通性材料 所形成，傾向氧化物。 15·如申請專利範圍第10項之控制訊號組件，其中電線是以 ITO和IZO來形成的。 16. 如申請專利範圍第5項之控制訊號組件，其中第一訊號導 線延伸至該導線上，因此與該導線成為一體。 17. 如申請專利範圍第5項之控制訊號組件，其中該導線為一 替代導線。 18. —種液晶顯示器，其包含： 一在一基底上之顯示區域，其中顯示區滅包含一閘 線’一跨越閘線以定義一像素元素區域之資料線，一連接 O:\66\66569-921024.DOC 577036 19. 20. 21. 22. 23. 24. 25. 26. 至閘線之薄膜電晶體’和在像素元素區域中之資料線，以， 及一電性連接至薄膜電晶體之像素電極； · 一在該基底上之控制訊號組件，其中控制訊號組件包 含一第一和第二訊號線； 一控制訊號傳輸組件，包含一對應於該基底之薄膜， 一在該薄膜上的第一和第二訊號導線，以及一在該薄膜上 的導線’其中第-和第二訊號導線連接至第一和第二訊號 線，且導線佔據在第一和第二訊號線之間。 如申叩專利範圍第18項之液晶顯示器，其中第一訊號導 線傳輸一第一訊號電壓，而第二訊號導線傳輸一小於第 一訊號電壓之第二訊號電壓。 如申印專利範圍第18項之液晶顯示器，其中該導線具有 數微米至數十微米之厚度。 如申請專利範圍第18項之液晶顯示器，其中每個訊號導 線至少重疊對應於其本身之訊號線之一組件。 如申請專利範圍第18項之液晶顯示器，其中與第一訊號 電壓相同的電壓應用至該導線上。 1 如申請專利範圍第18項之液晶顯示器，其中控制訊號傳 幸則組件進一步包含一資料驅動積體電路。 如申請專利範圍第18項之液晶顯示器，其中控制訊號傳 輸組件進一步包含一閘驅動積體電路。 如申請專利範圍第18項之液晶顯示器，其中第一訊號電 壓為一閘開電壓或一電源供應電壓。 如申請專利範圍第18項之液晶顯示器，其中第二訊號雨 O:\66\66569-921024.DOC 577036 壓為一閘閉電壓或一接地電壓。 · 27.如申請專利範圍第18項之液晶顯示器，其中該導線為一 ’ 替代導線。 28·如申請專利範圍第18項之液晶顯示器，進一步包含一連 接至在該基底上的導線之電線。 29·如申請專利範圍第28項之液晶顯示器，其中該導線至少 重疊電線之一組件。 30.如申請專利範圍第28項之液晶顯示器，其中電線是以具 有小於供形成第二訊號線之導通性材料之導通性材料所 馨 形成的，傾向氧化物。 3 1 ·如申请專利範圍第28項之液晶顯示器，其中電線是以itq 或IZO所形成的。 32·如申請專利範圍第28項之液晶顯示器，其中電線是以具 有供开^成閘線，資料線或像素電極之導通性材料所形成 的。 33·如申請專利範圍第28項之液晶顯示器，進一步包含一覆 盖在忒基底上之電線之絕緣層，一使絕緣層中之電線之 鲁 組件暴露出來的接觸孔，以及一經由接觸孔連接至電 線之輔助墊，其中該導線連接至電線以完全地在接觸孔 之長度方向上覆蓋接觸孔。 34·如申請專利範圍第33項之液晶顯示器，其中該導線至少 在接觸孔之寬度方向上覆蓋接觸孔之一側。 35.如申請專利範圍第33項之液晶顯示器，其中該導線位於 接觸孔之區域内部，因此使接觸孔之兩側暴露出來。、 O:\66\66569-921024.DOC 577036 36_如申請專利範圍第23項之液晶顯示器，進一步包含一連 接至該基底之閘訊號傳輸薄膜，其中電線是由連接一連 接至閘訊號傳輸薄膜之第一電線以及一連接至控制訊號 傳輸組件之第二電線所形成的。 37. 如申請專利範圍第36項之液晶顯示器，其中第一和第二 電線以第一電線形成於該基底上之方式來彼此連接，進 一步包含一覆蓋第一電線之第一絕緣層，以及一使在第 一絕緣層中的第一電線之末端暴露出來的接觸孔，且第 二電線經由在第一絕緣層上的第一接觸孔連接至第一電 線。 38. 如申請專利範圍第37項之液晶顯示器，進一步包含一覆 蓋第二電線之第二絕緣層，一使第二電線之墊暴露出來 的第二接觸孔，以及一使第一下方電線之墊暴露出來的 第三接觸孔，以及一經由第二和第三接觸孔連接至第一 和第二電線之墊之辅助墊。 39. 如申請專利範圍第28項之液晶顯示器，其中第一訊號線 包含一具有在基底上之墊之下方電線，一覆蓋該下方電 線之第一絕緣，一具有在第一絕緣層上之墊之上方電 線，一使在第一和第二絕緣層中之下方電線暴露出來之 第一接觸孔，一使在第二絕緣層中之上方電線暴露出來 的第二接觸孔以及一連接至下方電線之墊和上方電線之 墊之輔助塾。 O:\66\66569-921024.DOC
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