CN1200312C - 信号传输膜、控制信号部分以及包括该膜的液晶显示器 - Google Patents

Abstract

本发明公开了信号传输膜、控制信号部分以及包括信号传输膜的液晶显示器，其可以阻止电解作用造成的导线损坏。在本发明中，通过在高分子膜上印刷或构图铜导线，从而在信号传输膜上形成几微米到几十微米厚的引线。信号传输膜包括传输第一信号电压的第一信号引线；传输低于第一信号电压的第二信号电压的第二信号引线；和在第一引线和第二引线之间形成的第三引线。引线可以为几微米到几十微米的厚度，与第一信号电压相同的电压可以加载到引线上，并且该引线可以是虚拟引线。

Description

信号传输膜、控制信号部分以及 包括该膜的液晶显示器

                         技术领域

本发明涉及信号传输膜、控制信号部分以及包括该信号传输膜的液晶显示器。

                         背景技术

液晶显示器是一种现今广泛使用的平面显示器件。该液晶显示器包括：其上形成有多个电极的两个基底，夹在两个基底之间的液晶层，以及用于极化加载到基底的每一个外表面的光的两个极化膜。液晶显示器控制透光率，因此通过施加不同电压到电极来显示图片图像，同时形成用于改变液晶层的液晶分子取向的电场。在这样一种液晶显示器中，在两个基底中的一个上形成有薄膜晶体管，该基底称作TFT基底，并且可以转换加载到电极上的电压。

用于显示图片图像的显示区域位于TFT基底的中心。多个信号线路、多个门线路和数据线路分别在横、竖方向形成。门线路和数据线路彼此相交，从而确定多个象素元素区域。每一个象素元素都有象素电极，以使数据信号通过数据线作用于其上。通过经由门线路传输的门信号，薄膜晶体管将经由数据线路传输的数据信号发送到象素电极。

连接到门线路的多个门焊点和连接到数据线路的多个数据焊点形成在显示区域的外侧。这些焊点被连接到外部驱动集成电路以接收外部集成电路的门信号和数据信号，然后传输上述信号到门线路和数据线路。

用于门信号传输的印刷电路板和用于数据信号传输的印刷电路板使用各向异性传导膜通过加热和压缩过程连接到薄膜晶体管基底，从而传输门和数据信号到薄膜晶体管。该薄膜晶体管和用于数据信号传输的印刷电路板通过其上安装有数据驱动集成电路的数据信号传输膜连接。数据驱动集成电路把电信号转换成数据信号，并发送数据信号到数据线。而且，该薄膜晶体管和用于门信号传输的印刷电路板通过其上安装有门驱动集成电路的门信号传输膜连接。门驱动集成电路把电信号转换成门信号，并发送门信号到门线路。

在此，用于控制门信号的门控制信号可以从用于数据信号传输的印刷电路板输出，而不是从用于门信号传输的印刷电路板输出。并且，上述门控制信号可以传输到门信号传输膜。

门控制信号可以是各种各样的控制信号，例如在薄膜晶体管中的门导通电压、门截止电压和用于相对数据电压差值的基准电压的公共电压。

输入到门驱动集成电路、同时驱动液晶显示器的上述门控制信号具有各种各样的电压值，并通过门控制信号连接线传输。门控制信号连接线并列且密接设置在薄膜晶体管基底上。因此，传输高压如门导通电压的高压信号线和传输低压如门截止电压的低压信号线并列且密接设置。

在导线的这种配置中，当驱动液晶显示器时，在高压信号线和低压信号线之间形成电位差。然而，在制造和操作液晶显示器期间，根据原电池的原理，这种电位差引起与渗入导线的水分发生电解反应，从而损害了高压信号线并产生了劣质装置。

                         发明内容

本发明的一个目的是提供一种信号传输膜、一种控制信号部分和一种包括信号传输膜的液晶显示器，它能够阻止导线由于电解作用受到损害。

根据本发明，该目的是通过位于控制信号传输膜中薄膜晶体管基底的高压信号线和低压信号线之间的厚引线实现的。换句话说，本发明通过在高分子膜上印刷或构图铜线来提供在信号传输膜上的几微米到几十微米厚的引线。这里，引线设置在控制信号传输膜上，以使其位于几百到几千个信号线中的高压信号线和低压信号线之间。

根据本发明的一个方面，信号传输膜包括：传输第一信号电压的第一信号引线；传输低于第一信号电压的第二信号电压的第二信号引线；和在第一信号引线和第二信号引线之间形成的引线，与第一信号电压相同的电压加载到第三引线上。

引线可以具有几微米到几十微米的厚度，与第一信号电压相同的电压可以加载到引线上，并且该引线可以是虚拟引线。

根据本发明的另一个方面，控制信号部分包括：由基底以及基底上的第一和第二信号线构成的控制信号线部分；由对应于基底的膜、膜上的第一和第二信号引线和膜上的引线构成的控制信号传输部分，其中第一和第二信号引线连接到第一和第二信号线上，并且该引线位于第一和第二信号线之间，与第一信号电压相同的电压加载到第三引线上。第一信号引线传输第一信号电压，而第二信号引线传输低于第一信号电压的第二信号电压。

引线可以有几微米到几十微米的厚度。并且每一个信号引线可能与相当于其本身的信号线的至少一部分交叠。

与第一信号电压相同的电压可以加载到引线上。该引线至少与导线的一部分重叠。

连接到引线上的导线可以形成在基底上。该导线也可以连接到第一信号线上或与第一信号线隔离。

该导线可以由氧化性比第二信号线低的导电材料形成。并且，该导线可以由ITO(氧化铟锡)或IZO(氧化铟锌)形成。

第一信号引线可以延伸到引线上，以使其和引线成一体。并且，引线可以是虚拟引线。

根据本发明的另一个方面，液晶显示器包括：基底上的显示区，其中显示区包括门线路、与门线路交叉的数据线路以确定象素元素区域、连接到象素元素区域中的门线路和数据线路的薄膜晶体管和电连接到该薄膜晶体管的象素电极；基底上的控制信号线部分，其中控制信号部分包括第一和第二信号线；由对应于基底的膜、膜上的第一和第二信号引线和膜上的引线构成的控制信号传输部分，其中第一和第二信号引线被连接到第一和第二信号线上，并且引线位于第一和第二信号线之间，第三引线接收与第一信号电压相同的电压。

第一信号引线传输第一信号电压，而第二信号引线传输低于第一信号电压的第二信号电压。

上述引线可以有几微米到几十微米的厚度。每一个信号引线可能与对应于其本身的信号线的至少一部分交叠。并且与第一信号电压相同的电压可以加载到引线上。

控制信号传输部分可以包括数据驱动集成电路或门驱动集成电路。

第一信号电压可以是门导通电压或供电电压。

第二信号电压可以是门截止电压或接地电压。

引线是虚拟引线。而且，连接到引线的导线可以在基底上形成。

引线可以至少与导线的一部分重叠。

导线可以由氧化性比第二信号线低的导电材料形成，如ITO或IZO。

同样的，由导电材料形成的导线可以用于形成门线路、数据线路或象素电极。

液晶显示器可以包括：在基底上覆盖导线的绝缘层，露出绝缘层中导线部分的接触孔和通过接触孔连接到导线上的辅助焊点，其中引线连接到导线上以在接触孔的长度方向上完全覆盖接触孔。在此，在接触孔的宽度方向上，引线至少覆盖接触孔的一侧。而且，引线位于接触孔的内部区域中，以使接触孔的两侧露出。

液晶显示器可以包括连接到基底的门信号传输膜，其中导线是通过将连接到门信号传输膜的第一导线和连接到控制信号传输部分的第二导线连接起来形成的。这里，第一和第二导线可以通过某种方式彼此连接，这种方式是第一导线形成在基底上，覆盖第一导线的第一绝缘层和露出第一绝缘层中第一导线端部的第一接触孔还包括在其中，并且第二导线通过在第一绝缘层上的第一接触孔连接到第一导线上。并且，更进一步的，覆盖第二导线的第二绝缘层，露出第二导线的焊点的第二接触孔，以及通过第二接触孔和第三接触孔露出第一下行导线的焊点和连接到第一导线和第二导线的焊点的辅助焊点的第三接触孔也可以包括在其中。

在液晶显示器中，第一信号线包括：在基底上具有焊点的下行导线，覆盖下行导线的第一绝缘层，在第一绝缘层上具有焊点的上行导线，在第一和第二绝缘层中露出下行导线的第一接触孔，在第二绝缘层中露出上行导线的第二接触孔，以及同时连接到下行导线的焊点和上行导线的焊点的辅助焊点。

                         附图说明

通过参照针对附图的下述详细说明，将会对本发明有更充分的理解，而且本发明的优点将更加显而易见，附图中相同的附图标记表示相同或相似的元件，其中：

图1是包括控制信号部分的液晶显示器的示意图；

图2是示出控制信号部分的线路结构的平面图，其中未形成高压冗余线；

图3是沿图2中III-III′线截取的控制信号部分的线路结构的横截面图；

图4是根据本发明第一实施例的控制信号部分的平面图；

图5是沿图4中V-V′线截取的控制信号部分的横截面图；

图6是本发明第二实施例的控制信号部分的平面图；

图7是沿图6中VII-VII′线截取的控制信号部分的横截面图；

图8是本发明第三实施例的液晶显示器的平面图；

图9是沿图8中IX-IX′线截取的液晶显示器的横截面图；

图10是本发明第四实施例的液晶显示器的平面图；

图11是沿图10中XI-XI′线截取的液晶显示器的横截面图；

图12是信号引线和信号线的重叠结构的平面图；

图13是沿图12中XIII-XIII′线截取的重叠结构的横截面图；

图14是信号引线和信号线的另一种重叠结构的平面图；

图15是沿图14中XV-XV′线截取的重叠结构的横截面图；

图16是控制信号部分的信号线的另一个模式的平面图；

图17是沿图16中XVII-XVII′线截取的信号线的横截面图；

图18是信号线的焊点的另一个模式的平面图；和

图19是沿图18中XIX-XIX′线截取的焊点的横截面图。

                       具体实施方式

本发明的优选实施例将参照附图进行说明。

图1是具有薄膜晶体管基底的液晶显示器的示意图，其中在基底上形成有门控制信号线。

滤色器基底100与薄膜晶体管基底200结合。用于输出数据信号到数据线130的数据驱动集成电路310和用于输出门信号到门线路140的门驱动集成电路410位于薄膜晶体管基底200的外侧。数据驱动集成电路310安装在数据信号传输膜300上，该数据信号传输膜300电连接到用于数据信号传输500的印刷电路板和薄膜晶体管基底200上。并且，门驱动集成电路410安装在电连接到薄膜晶体管基底200的门信号传输膜400上。

通过加热和压缩过程，使用各向异性传导膜(ACF)的上述门和数据传输膜300和400电连接到薄膜晶体管基底200上。这里，形成在膜300和400中的引线通过ACF的导体材料(未示出)以一一对应关系电连接到形成在薄膜晶体管基底200中的导线上。

用于控制门驱动集成电路410的驱动的门控制信号经由门控制互连线路520传输到门驱动集成电路410。在门控制互连线路520中，用于数据信号传输500的印刷电路板的线路、数据信号传输膜300的控制信号引线、薄膜晶体管基底200的控制信号线路和门信号传输膜400的控制信号引线彼此电连接。在门控制互连线路520上的箭头表示门控制信号的传输方向。

门控制信号是门导通电压(Von)、门截止电压(Voff)、用于薄膜晶体管中基准电压到数据电压的差值的公共电压(Vcom)、门时钟(CPV)、起始竖直信号(STV)、线反向信号(RVS)、门启动(OE)、接地电压(VGND)等等。上述门控制信号控制门驱动电路410的驱动。

在上述门控制信号中，每一个门导通电压和功率电压是10V到20V，同时，每一个门截止电压和接地电压在0V以下。

用于传输高压如门导通电压的高压信号线和用于传输低压如门截止电压的低压信号线密接设置。在这种情况下，当液晶显示器工作时，这两种线路之间形成电位差。该电位差等于高压如门导通电压和低压如门截止电压之间的电压差。

在液晶显示器的制造和工作过程中，水分渗入到线路中。特别是，水分渗入到位于连接到薄膜晶体管10的门和数据传输膜300和400的线路上，并且集中在线路的步差部分。

水分本身含有离子。通过高压信号线和低压信号线之间的电位差，使用作为电解液的ACF，水分中的阴离子从低压信号线移动到高压信号线。

在电化学方面，高压信号线与阴离子起反应，以至于在电解液中熔化。因此，高压信号线的开口是由于电解作用引起的。

这种线路的开口是由于电解作用发生在线路中，特别是连接到薄膜晶体管10的门传输膜300和数据传输膜400的位置上，在线路中标识为“A”和“B”。

本发明通过阻止在高压信号线周围阴离子的移动来防止高压信号线的损坏。

这将参照附图进行说明。

图2是示出数据信号传输膜的门控制信号引线和薄膜晶体管基底的门控制信号线结构的平面图，其中高压信号线和低压信号线密接设置。图3是沿图2中III-III′线的线路结构的横截面图。

使用包括导电材料和粘结树脂的各向异性传导膜(ACF)，具有门控制信号线201、202、203、204和205的薄膜晶体管基底200连接到具有门控制信号引线301、302、303、304和305的数据信号传输膜300。这里，通过ACF的导电材料(未示出)，膜300的引线以一一对应关系连接到薄膜晶体管基底10的导线。

在数据信号传输膜300中，低压控制引线302位于高压信号引线301的一侧，而门公共电压信号引线303位于高压信号引线301的另一侧。大约20V的高压如门导通电压加载到高压控制引线301上，0V以下的低压如门截止电压加载到低压控制引线302上，并且大约3V的门公共电压加载到门公共电压引线303上。

与门导通电压相比，门公共电压可以是低压。然而，低于门公共电压的门截止电压将作为在下文描述中低压的实例。

并且，以一一对应关系连接到引线301、302、303、304和305的高压信号线201、低压信号线202、门公共电压信号线203和其它信号线204和205在薄膜晶体管基底200上形成。

为了驱动液晶显示器，门控制信号经由数据信号传输膜300的控制信号引线301、302、303、304和305、薄膜晶体管基底200的数据信号线201、202、203、304和205以及门信号传输膜的引线(未示出)输入到门驱动集成电路(未示出)。

在这个过程中，门导通电压加载到高压信号引线301和高压信号线201，而门截止电压加载到低压信号引线302和低压信号线302。因此，高压信号引线301/高压信号线201和低压信号引线302/低压信号线202之间形成了电位差。该电位差等于门导通电压和门截止电压之间的电压差。

当液晶显示器制造或工作时，水分渗入到线路中。特别是，水分渗入到线路中的连接到薄膜晶体管10的门和数据传输膜300和400的位置上，并且集中在线路的步差部分。

水分本身含有离子。通过高压信号线201和低压信号线202之间的电位差，使用作为电解液的ACF，水分中的阴离子500从低压信号线202移动到高压信号线201。在电化学方面，高压信号线201与阴离子500起反应，以至于在电解液中熔化。因此，由于电解作用，高压信号线201断开了。

然而，当使用具有位于薄膜晶体管基底的高压信号线和低压信号线之间的引线的控制信号传输膜时，功能为墙的引线可以阻止阴离子移动进入高压信号线。在这种情况下，尽管水分渗入到连接到薄膜晶体管基底的控制信号传输膜的控制信号部分，但是阴离子不能到达高压信号线，以至于不能由于电解作用而熔化高压信号线。

这将通过本发明下述实施例进行说明。

图4是本发明第一实施例的控制信号部分的平面图，图5是沿图4中V-V′线截取的控制信号部分的横截面图。

使用由导电材料251和粘结树脂252构成的各向异性传导膜250，具有门控制信号引线301、302、303和高压冗余引线310和320的数据信号传输膜300连接到具有门控制信号线201、202、203的薄膜晶体管基底200。这里，通过各向异性传导膜250的导电材料251，薄膜晶体管基底200的导线201、202和203以一一对应关系电连接到数据信号传输膜300的引线301、302和303上。

传输门导通电压的高压信号引线301、传输门截止电压的低压信号引线302、传输门公共电压的公共电压信号引线303在数据信号传输膜300中形成。传输与高压信号引线相同电压的高压虚拟(dummy)引线310和320在高压信号引线301的两侧形成。

并且，以一一对应关系连接到高压信号引线301、低压信号引线302和公共电压信号引线303的高压信号线201、低压信号线202和公共电压信号线203在薄膜基底10上形成。高压虚拟线310和320在薄膜晶体管10上不具有对应的导线。

数据信号传输膜300的引线301、302、303、310和320是通过在用作数据信号传输膜的高分子膜上印刷和构图几微米到几十微米厚的铜线而形成的。数据信号传输膜300的引线301、302、303、310和320远厚于薄膜晶体管基底200的导线201、202和203。尽管数据信号传输膜300和薄膜晶体管基底200使用各向异性传导膜250通过加热和压缩过程彼此连接，但粘结树脂252的高压虚拟引线310和320所在的部分通过厚引线310和320推进，以至于被压缩。这里，粘结树脂252变得如此致密，以至于在电解液中的阴离子500的移动可以被抑制。因此，高压虚拟引线310和320象墙一样作用，阻止阴离子围绕它移动。

为了驱动液晶显示器，门控制信号经由数据信号传输膜300的引线301、302和303、薄膜显示器基底200的信号线201、202和203以及门信号传输膜上的引线(未示出)输入到门驱动集成电路(未示出)。

在这个过程中，在高压信号引线301(或高压信号线201)和高压虚拟引线310和320之间形成等电位。因为相同的电压既加载到高压信号引线301(或高压信号引线)上又加载到高压虚拟引线310和320上。并且，因为低压如门截止电压加载到低压信号引线302(或低压线信号线202)上，等于门导通电压和门截止电压之差的电位差在低压信号线202(或低压信号引线302)和高压虚拟引线310和320之间形成。

水分在门传输膜300和数据传输膜400连接到薄膜晶体管100的位置渗入到导线中，并且集中在线路的步差部分。水分本身含有离子。通过高压虚拟引线310和低压信号引线202之间的电位差，使用作为电解液的ACF，水分中的阴离子500从低压信号引线202移动到高压虚拟引线310。

这里，通过与阴离子500的电化学反应，高压虚拟引线310和320可以熔化在高压虚拟引线310和320周围的电解液中。然而，高压虚拟引线310和320是如此的厚，以至于可以提供足够的阳离子给阴离子。因此，腐蚀最小。

移动到高压虚拟引线310和320的阴离子被高压虚拟引线310和320阻塞，不能进一步移动。换句话说，高压虚拟引线310和320阻止渗入的水分的阴离子移动到高压信号线201，并停留在高压信号线201和低压信号线202之间。

并且，由于在高压信号引线301(或高压信号线201)和高压虚拟引线310和320之间的等电位，渗入到高压信号线201周围的阴离子失去它们的移动方向，并围绕高压信号线201漂浮。

在根据本发明第一实施例的控制信号部分中，高压虚拟引线310和320与数据信号传输膜300上的高压信号引线301分离。然而，高压信号引线301通过使它的区域延伸到高压虚拟引线310和320，可以与高压虚拟引线310和320成为一体。在这种情况下，延伸的高压信号引线301位于高压信号线201周围。这里，尽管阴离子移动到高压信号引线301并且和高压信号引线301起作用，高压信号引线301如此大且宽以致于提供足够的阳离子给阴离子，几乎不产生腐蚀。

与本发明第一实施例不同，在图6和图7所示的本发明第二实施例的控制信号部分中，对应于数据信号传输膜300的高压虚拟引线310和320的高压虚拟导线210和220可以在薄膜晶体管基底200上形成。该实施例有在高压信号线201周围形成较宽等电位区域的优点。

这里，如图6所示，高压虚拟导线210和220与高压信号线201分离，或连接到高压信号线201上。当高压虚拟导线210和220连接到高压信号线201时，高压虚拟引线210和220变成用于高压信号线201的冗余导线。

在薄膜晶体管基底上的高压虚拟导线可以通过使用传统导电材料如用于形成门和数据线的导电材料形成。这里，高压虚拟导线可以由氧化性比低压信号线小的导电材料构成，例如铜族之一、银族之一、铬族之一、或包括氮化铬和氮化钼的钼族之一。在这种情况下，由于电解作用，高压虚拟导线可能损害较小。而且，当高压虚拟导线通过氧化的导电材料如ITO或IZO形成时，高压虚拟导线几乎不与阴离子起反应。

由于高压信号线201和低压信号线202之间的电位差，数据信号传输膜300的高压虚拟引线310和320形成，以阻止电解作用。因此，当低压信号线202仅仅位于高压信号线201的一侧时，在高压信号线201和低压信号线202之间可能仅仅形成一根高压虚拟线。

在上述本发明的第一实施例中，传输门导通电压的导线作为高压信号线的一个例子，传输门截止电压的导线作为低压信号线的一个例子。然而，高压信号线的另一个例子可以是传输供电电压的导线，而低压信号线的另一个实例可以是传输接地电压的导线。

在根据本发明的第一和第二实施例的控制信号部分中，形成在数据信号传输膜上的控制信号部分作为一个示例。然而，本发明可以应用于控制信号部分形成在门传输膜上的这种情况中。

在上述本发明的第一和第二实施例中，仅仅描述了传输门控制信号的门控制信号线。然而，本发明也可以应用于传输数据控制信号的数据控制信号线形成在薄膜晶体管基底上的这种情况中。并且，本发明可以应用到打算阻止由于通过两根导线之间的电位差所引起的电解作用而产生的导线熔化的所有情况中。

包括上述控制信号部分的液晶显示器的说明如下。

图8是根据本发明第三实施例的液晶显示器的平面图，图9是沿图8中IX-IX′线截取的液晶显示器的横截面图。

在本发明第三实施例的液晶显示器中，传输门控制信号的控制信号导线由用于形成数据线的导电材料形成，而对应于高压虚拟引线的高压虚拟导线没有形成。

由包括连接到门线路20末端的门电极22和门焊点21的门线路20构成的门导线20、21和22形成在绝缘基底10上。

门线路20在水平方向延伸并将从门驱动集成电路(未示出)输出的门信号传输到象素区域。门线路20、21和22可以由传统的导电材料构成，例如铜族之一、银族之一、铬族之一、或包括氮化铬和氮化钼的钼族之一，并可以具有单层结构或多层结构。

并且，由绝缘材料如氮化硅、氧化硅等构成的门绝缘层30被形成用于覆盖门线路20、21和22。

由非晶硅构成并对应于门电极22的半导体层40形成在门绝缘层30上。

并且，数据线路60、61、62和63形成在门绝缘层40上。数据线路包括：在垂直方向延伸并且交叉门线路20以确定象素区的数据线60、连接到数据线60末端的数据焊点61、从数据线60突出并电连接到半导体层40的源极62、以及对应于源极61并且电连接到半导体层40的漏极63。

并且，门控制信号线201、202、203形成在门绝缘层40上。门控信号线201、202和203是：传输高压如门导通电压的高压信号线201；传输低压如门截止电压的低压信号线202；以及传输公共信号电压的公共电压信号线203。

每一个门控制信号线201、202和203都包括连接到门控制信号线两端的门控制信号线和门控制信号焊点。门控制信号线201、202和203的端部可以连接到位于薄膜晶体管基底200上部的数据信号传输膜300的引线301、302和303上，而其它端部可以连接到位于薄膜晶体管基底200左部分的门信号传输膜300的引线401、402和403上。

因为线路的上述配置，经由数据信号传输膜300的引线301、302和303传输的门控制信号经由薄膜晶体管基底200的门控制信号线201、202和203和门信号传输膜400的引线401、402和403发送到门驱动集成电路(未示出)。

数据线60、61、62、63和门控制信号线201、202、203可以通过导电材料例如铜族之一、银族之一、铬族之一、或包括氮化铬和氮化钼的钼族之一形成在单层类型中或多层类型中。

由掺杂有杂质的非晶硅构成的电阻接触层51、52分别在半导体层40和源极62之间以及半导体40和漏极63之间形成。

并且，由氮化硅或氧化硅构成的钝化层70形成在包括数据线60、61、62和63、门控制信号线201、202和203和半导体层40的合成基底上。

露出漏极63的接触孔71、露出数据焊点61的接触孔73和露出门控制信号线201、202和203的焊点的接触孔C1、C2和C3分别形成在钝化层70上。

并且，通过接触孔71连接到漏极61并且位于象素区中的象素电极80、通过接触孔72连接到门焊点21的门辅助焊点81、通过接触孔73连接到数据焊点61的数据辅助焊点82形成在钝化层80上。

同样的，通过C1、C2和C3连接到门控制信号线201、202和203的焊点的辅助焊点83、85和87也形成在钝化层70上。

具有门驱动集成电路(未示出)的门信号传输膜400和具有数据驱动集成电路(未示出)的数据信号传输膜300使用各向异性的传导膜250连接到上述的薄膜晶体管基底200。

用于传输数据信号的数据信号引线350和用于传输驱动门驱动集成电路的门控制信号的门控制信号引线301、302和303形成在数据信号传输膜300上。

数据信号引线350连接到绝缘基底10上的数据焊点82，以传输数据信号到连接到数据线路20的数据焊点82。同样的，门控制信号引线301、302和303电连接于位于绝缘基底10上部的门控制信号线201、202和203的焊点上，并传输门控制信号到门控制信号线201、202和203。

在数据信号传输膜300中，高压虚拟引线310和320形成在高压信号线201和低压信号线202或另外的信号线203之间。

数据信号传输膜300的引线301、302、303、310和320是通过在用作数据信号传输膜的高分子膜上印刷和构图几微米到几十微米厚的铜线形成的。数据信号传输膜300的引线301、302、303、310和320远厚于薄膜晶体管基底200的导线201、202和203。尽管数据信号传输膜300和薄膜晶体管基底200使用各向异性传导膜250通过加热和压缩过程彼此连接，但粘结树脂252的高压虚拟引线310和320所在的部分通过厚引线310和320推进，以至于被压缩。这里，粘结树脂252变得如此致密，以至于在电解液中的阴离子500不能自由地移动。因此，高压虚拟引线310和320象墙一样作用，阻止阴离子围绕它移动。

并且，与高压信号线201相同的电压加载到高压虚拟引线301上，以在高压信号线201周围形成等电位。

在门信号传输膜400中，形成有门信号引线450和门控制信号引线401、402和403。门控制信号引线401、402和403从门控制信号引线201、202和203接收门控制信号，并传输它们到门驱动集成电路(未示出)。门信号引线450传输门信号到门线路20。

门控制信号引线401、402和403连接到在基底10左部分的门控制信号线201、202和203的焊点，并经由门控制信号线201、202和203接收门控制信号。经由门信号传输膜400的门控制信号引线401、402和403传输的门控制信号输入到门驱动集成电路(未示出)，并控制门驱动集成电路的驱动。

门控制信号引线450电连接到形成在绝缘基底10上的门焊点82，并传输来自门驱动集成电路的门信号到连接于门焊点81的门线路20。

在门信号传输膜400中，高压虚拟引线410和420等于数据信号传输膜300的高压虚拟引线310和320。

门信号传输膜400连接到薄膜晶体管基底200处的控制信号部分的构成和操作与连接到薄膜晶体管基底200的数据信号传输膜300相同。因此，在下述说明中就不再描述。

当驱动液晶显示器时，门控制信号经由数据信号传输膜300上的信号引线301、302、303和薄膜晶体管基底200的信号导线201、202、203以及门信号传输膜上的信号引线401、402、403(未示出)输入到门驱动集成电路(未示出)。

在这个过程中，在高压信号引线301(或高压信号线201)和高压虚拟引线310和320之间形成等电位。因为相同的电压既加载到高压信号引线301(或高压信号线201)上，又加载到高压虚拟引线310和320上。并且，因为低压如门截止电压加载到低压信号引线302(或低压线信号线202)，等于门导通电压和门截止电压之间电压差的电位差在低压信号线202(或低压信号引线202)和高压虚拟引线310和320之间形成。

在门传输膜300和数据传输膜400连接到薄膜晶体管100的位置，水分渗入到导线中，并且集中在线路的步差部分。水分本身含有离子。通过在高压虚拟引线310和低压信号引线202之间的电位差，使用作为电解液的ACF，水分中的阴离子从低压信号线202移动到高压虚拟引线310。

这里，通过与阴离子的电化学反应，高压虚拟引线310和320可以熔化在高压虚拟引线310和320周围的电解液中。然而，高压虚拟引线310和320是如此的厚，以至于可以提供足够的阳离子给阴离子。因此，腐蚀最小。

移动到高压虚拟引线310和320的阴离子被高压虚拟引线310和320阻塞，以至于不能进一步的移动。换句话说，高压虚拟引线310和320阻止渗入的水分的阴离子移动到高压信号线201，并停留在高压信号线201和低压信号线202之间。

并且，由于在高压信号引线301(或高压信号线201)和高压虚拟引线310和320之间的等电位，渗入到高压信号线201周围的阴离子失去它们的移动方向，并围绕高压信号线201漂浮。

因此，当液晶显示器的驱动最小时，高压信号线几乎不引起与阴离子的电化学反应和因阴离子导致的损坏。

在根据本发明第三实施例的液晶显示器中，对应于门和数据信号传输膜300和400的高压虚拟引线310、320、410和420的导线没有在薄膜晶体管基底200上形成。然而，如根据本发明的第四实施例在图10和图11中所示的液晶显示器那样，本发明可以应用到这样一种情况，其中对应于门和数据信号传输膜300的高压虚拟引线310和320的高压虚拟导线210和220在薄膜晶体管基底200上形成。

在根据本发明第四实施例的液晶显示器中，门控制信号线201、202和203通过形成数据线60、61、62和63的导电材料形成，而高压虚拟导线210和220通过形成象素电极例如ITO或IZO的导电材料形成。

图10是所选的门控制信号线的门控制线号线的平面图，图11是沿图10中XI-XI′线截取的横截面图。

当本发明的第四实施例与第三实施例比较时，显示区的结构是相同的，但门控制信号部分的结构是不同的。因此，将描述除了显示区的结构以外的门控制信号部分的结构。

门绝缘层30形成在绝缘层10上，并且由形成数据线20、21、22和23的导体材料构成的门控制信号线201、202和202形成在绝缘基底10上。每个门控制信号线201、202和203包括门控制信号线和连接到门控制信号线两侧的门控制信号焊点。

而且，覆盖门控制信号线201、202和202的钝化层70形成在门绝缘层30上。

在钝化层70中，形成了露出门控制信号线201、202和203的焊点的接触孔C1、C2和C3。并且，通过在钝化层70上的接触孔C1、C2和C3，形成了连接到门控制信号线201、202和203的焊点的门控制信号，辅助焊点83、85和87。

而且，在钝化层70上，高压冗余线210和220形成在传输门导通电压的高压信号线201的两侧。高压冗余线210和220由形成象素电极如ITO或IZO的导体材料形成。

当高压冗余线210和220由ITO或IZO形成时，如本发明的第四实施例那样，高压冗余线210和220不仅阻止高压信号线201，而且防止由于电解作用而产生的损坏。

当高压虚拟线210和220形成在薄膜晶体管基底上时，围绕在高压信号线201的等电位差区域可以更广泛地形成。这里，如图所示的高压虚拟线210和220可以与高压信号线201分离。另一方面，高压虚拟线210和220可以连接到高压信号线201上。当高压虚拟线210和220连接到高压信号线201时，高压虚拟线210和220成为用于高压信号线201的冗余线。

在薄膜晶体管基底上的高压虚拟线可以通过使用传统的导电材料例如形成门线路和数据线路的导电材料构成。这里，高压虚拟线可以通过氧化性低于低压信号线的导电材料构成，例如铜族之一、银族之一、铬族之一、或包括氮化铬和氮化钼的钼族之一。在这种情况下，高压虚拟线可以减小由于电解作用产生的损坏。并且，当高压虚拟线由氧化的导电材料例如ITO或IZO形成时，高压虚拟线可以减小与阴离子的反应。

并且，高压冗余线210和220可以通过连接两根导线形成。其中一个导线位于将要连接到数据信号传输膜300的基底10的上部，而另一个导线位于将要连接到门信号传输膜400的基底的左部分。

数据信号传输膜300的高压虚拟引线310和320被形成，以阻止由在高压信号线201和低压信号线202之间的电位差引起的电解作用。因此，当低压信号线202仅仅位于高压信号线201的一侧时，在高压信号线201和低压信号线202之间仅仅形成一个高压虚拟线是可能的。

在根据本发明的第三和第四实施例的液晶显示器中，传输门导通电压的导线作为高压信号线的一个实例，并且传输门截止电压的导线作为低压信号线的一个实例。然而，高压信号线的另一个实例可以是传输供电电压的导线，并且低压信号线的另一个实例可以是传输接地电压的导线。

在根据本发明的第三和第四实施例的液晶显示器中，仅仅描述了门控制信号输入其中的门控制信号线。然而，本发明也可以用在这种情况中，其中输入有数据控制信号的数据控制信号线在薄膜晶体管基底上形成。并且，本发明可以应用到打算阻止由于通过两根导线之间的电位差所引起的电解作用而产生的导线熔化的所有情况中。

在根据本发明的第三和第四实施例的液晶显示器中，连接到数据信号传输膜300和门信号传输膜400的门控制信号线201、202和203由用于形成数据线的导电材料形成。然而，门控制信号线201、202和203也可以由用于形成门线路的导电材料形成。

在本发明的液晶显示器中，信号传输膜的引线和薄膜晶体管的导线的交叠结构如下所述。

图12是信号引线和信号线的交叠结构平面图，图13是沿图12中XIII-XIII′线截取的横截面图。

在薄膜晶体管基底中，第一绝缘层如门绝缘层30形成在绝缘层10上，并且信号线201、210、220和高压信号线201以及高压虚拟线210和220形成在门绝缘层30上。并且，第二绝缘层如钝化层70形成在信号线201、210和220上，露出信号线201、210和220部分的接触孔C1、C2和C3形成在钝化层70中。并且，连接到信号线201、210和220的焊点上的辅助焊点85、86和87通过在钝化层70上的接触孔C1、C2和C3形成。

当信号传输膜300连接到上述薄膜晶体管基底时，高压信号引线301连接到高压信号线201上。

覆盖接触孔的层具有位于接触孔处的步差。辅助焊点不能完全交叠步差。因此，渗入到导线中的水分集中到步差上并进一步损坏位于接触孔处的信号导线部分。因此，优选的是，高压信号引线301被形成以完全交叠接触孔C1，特别是在接触孔C1的长度方向上完全交叠接触孔C1。

然而，高压信号引线301在接触孔宽度的方向上可以不完全覆盖接触孔C1。尽管高压信号线201没有完全与高压信号引线301交叠，并且它的侧面部分是暴露的，因为在高压信号线201周围形成的等位差，所以阴离子不能到达高压信号线201以及与高压信号线201起电化学反应。

引线和导线的交叠结构不是仅仅限制于高压信号引线和高压信号导线的交叠的，而是可应用到所有引线和所有信号导线的交叠。图12和图13示出高压虚拟导线310和320在接触孔的长度方向上完全交叠接触孔C1和C2以及在接触孔的宽度方向上部分交叠接触孔C1和C2。

图14是信号引线和信号线的重叠结构的另一个平面图，图15是沿图14中XV-XV′线截取的横截面图。

在薄膜晶体管基底中，第一绝缘层如门绝缘层30形成在绝缘层10上，高压信号线201形成在门绝缘层30上。并且，第二绝缘层如钝化层70形成在高压信号线201上，露出高压信号线201的接触孔C1形成在绝缘层70中。并且，通过接触孔C1连接到高压信号线201的焊点的辅助焊点85形成在钝化层70上。并且，高压虚拟线210和220形成在辅助焊点85的两侧。

当信号传输膜300连接到上面引用的薄膜晶体管基底200时，引线可以在接触孔的长度方向上完全覆盖露出信号线的接触孔，而在接触孔的宽度方向上部分覆盖接触孔。

在附图中，高压信号引线301位于露出高压信号引线301的接触孔C1的内侧区域中，并因此露出高压信号线301的两侧。

高压虚拟线210和220由用于形成象素电极的导电材料形成，并在宽度方向上完全暴露和覆盖高压虚拟引线310和320。

在本发明的液晶显示器中，高压虚拟引线310和320与数据信号传输膜300上的高压信号引线301分离。然而，高压信号引线301通过使它的区域延伸到高压虚拟引线310和320从而与高压虚拟引线310和320成一体。在这种情况下，延伸的高压信号引线301位于高压信号线201周围的空间。这里，尽管阴离子移动到高压信号引线301并且和高压信号引线301起反应，高压信号引线301是如此大且宽以致于提供足够的阳离子给阴离子，因此腐蚀最小。

在本发明中，门控制信号线201、202和203可以通过连接两个或更多的导线形成。在这种情况下，其中一个导线可以通过形成数据线的导电材料形成，另一个导线可以通过形成门导线的导电材料形成。这些线路结构可以用于高压冗余线。这将参照附图16和图17进行说明。

图16是门控制信号线路的选定的一个门控制信号线路的平面图，图17是沿图16中XVII-XVII′线截取的横截面图。

由形成门导线的导电材料组成的第一信号线208形成在第一方向的绝缘基底10上。形成在第一信号线208的一端焊点位于将被连接到数据信号传输膜300的基底上部。

由氮化硅或氧化硅组成的门绝缘层30形成在绝缘基底10上以覆盖第一信号线208。

在门绝缘层30中，形成了露出第一信号线208另一端的不存在焊点的接触孔32。

并且，由形成数据线的导电材料构成的第二信号线209形成在门绝缘层30的第二方向上。形成在第二信号线209一端的焊点位于将被连接到门信号传输膜400的基底左部分上。第二信号线209通过接触孔32连接到第一信号线208以从数据信号传输膜300传输门控制信号到门传输膜400。

由氮化硅或氧化硅构成的钝化层70形成在门绝缘层30上。钝化层70覆盖第二信号线209。

露出第二信号线209的焊点的接触孔C9形成在钝化层70中，露出第一信号线208的焊点的另一个接触孔C8形成在钝化层70和门绝缘层30。

通过接触孔C8连接到第一信号线208的焊点的第一信号辅助焊点88和通过接触孔C9连接到第二信号线209的焊点的第二信号辅助焊点89形成在钝化层70上。

当数据信号传输膜300连接在上述薄膜晶体管基底的控制信号部分时，数据信号传输膜300的引线308设置并连接在对应的第一信号辅助焊点88上。数据传输膜300使用各向异性传导膜250通过加热和压缩过程连接在薄膜晶体管基底的控制信号部分。这里，数据信号传输膜300的引线308通过各向异性传导膜250的导电材料251电连接到第一信号辅助焊点88。并且用同样的方式，门信号传输膜400的引线409设置并连接在对应的第二信号辅助焊点89上。门传输膜400使用各向异性传导膜250通过加热和压缩过程连接在薄膜晶体管基底的控制信号部分。这里，门信号传输膜400的引线409通过各向异性传导膜250的导电材料251电连接到第二信号辅助焊点89。

在本发明的第三实施例中，连接部分的导线结构在导线的步差部分具有惰性槽(sluggish slot)以使渗入的水分量最小，其中，数据和门传输膜300和400的每一个引线301、302、303、310、320、401、402、403、410和420都连接到薄膜晶体管基底200的每一个导线201、202、203、210和220上。这将参照图18和图19进行描述。

图18是控制信号线和引线的连接部分的导线结构平面图。图19是沿图18中XIX-XIX′线截取的横截面图。引线通过两个连接部分连接到具有双层的门信号线的每一层。

由形成门导线的导电材料构成的并在其端点具有焊点的第一信号线29形成在绝缘基底10上。并且，由氮化硅组成并覆盖第一信号线29的门绝缘层30形成在绝缘基底10上以覆盖第一信号线29。

由形成数据线的导电材料构成的并在其端点具有焊点的第二信号线69形成在门绝缘基底30上。第二信号线69小于第一信号线29，因此不能到达第一信号线29的焊点，并且遵循第一信号线29的模式以交叠第一信号线29。并且，由氮化硅或氧化硅组成的钝化层70形成在门绝缘层30上以覆盖第二信号线69。

露出第二信号线69的焊点的接触孔C6形成在钝化层70中，而露出第一信号线29的焊点的另一个接触孔C7形成在钝化层70和门绝缘层30上。

通过接触孔C6和C7连接到第一信号线29和第二信号线69的控制信号辅助焊点89形成在钝化层70上。

当数据信号传输膜300连接在上述控制信号部分时，数据信号传输膜300的引线309设置并连接在对应的控制信号辅助焊点89上。数据信号传输膜300的附属物和控制信号部分使用各向异性传导膜250通过加热和压缩过程执行。这里，数据信号传输膜300的引线309通过各向异性传导膜250中的导电材料251电连接到控制信号部分的控制信号辅助焊点89。连接部分的导线结构可以减小由于导线步差和导线开口造成的损坏导线连接的数量，以及使渗入的水分量最小。

如上所述，在本发明中，在液晶显示器的制造和工作期间，通过在薄膜晶体管基底上的高压信号线和低压信号线之间定位而在控制信号传输膜上形成厚虚拟引线，由此厚虚拟引线阻止渗入水分的阴离子的移动。并且，当与高压信号线相同的电压加载到厚虚拟引线以在高压信号线周围形成等电位时，通过使阴离子在高压信号线的周围漂浮，虚拟引线阻止了阴离子移动到高压信号线。这里，当信号传输膜的引线完全交叠薄膜晶体管基底的导线时，就可以阻止水分渗入到导线中。

虽然已经针对优选实施例对本发明进行了详细描述，但本领域的普通技术人员将意识到，在不脱离本发明权利要求书所述精神和范围的前提下，可以进行各种修改和代替。

Claims (36)

1.一种信号传输膜，包括：

传输第一信号电压的第一引线；

传输低于第一信号电压的第二信号电压的第二引线；和

在第一引线和第二引线之间形成的第三引线，

与第一信号电压相同的电压加载到第三引线上。

2.如权利要求1所述的信号传输膜，其特征在于，第三引线有几微米到几十微米的厚度。

3.如权利要求1所述的信号传输膜，其特征在于，第三引线是虚拟引线。

4.一种控制信号部分，包括：

控制信号线部分，其包括基底、在基底上的第一信号线和第二信号线；以及

控制信号传输部分，其包括对应于具有在膜上的第一引线、第二引线和第三引线的基底的膜，

其中第一引线和第二引线分别连接到第一信号线和第二信号线上，并且第三引线位于第一信号线和第二信号线之间，

与第一信号电压相同的电压加载到第三引线上。

5.如权利要求4所述的控制信号部分，其特征在于，第一引线传输第一信号电压，而第二引线传输低于第一信号电压的第二信号电压。

6.如权利要求4所述的控制信号部分，其特征在于，第三引线有几微米到几十微米的厚度。

7.如权利要求4所述的控制信号部分，其特征在于，第一引线和第二引线分别至少交叠第一信号线和第二信号线的一部分。

8.如权利要求4所述的控制信号部分，其特征在于，还包括连接到基底上的第三引线的第三导线。

9.如权利要求8所述的控制信号部分，其特征在于，第三引线至少交叠第三导线的一部分。

10.如权利要求8所述的控制信号部分，其特征在于，第三导线连接到第一信号线。

11.如权利要求8所述的控制信号部分，其特征在于，第三导线独立于第一信号线。

12.如权利要求8所述的控制信号部分，其特征在于，第三导线由氧化性比第二信号线小的导电材料构成。

13.如权利要求8所述的控制信号部分，其特征在于，导线由氧化铟锡或氧化铟锌形成。

14.如权利要求4所述的控制信号部分，其特征在于，第一引线延伸到第三引线而与引线成为一体。

15.如权利要求4所述的控制信号部分，其特征在于，第三引线是虚拟引线。

16.一种液晶显示器，包括：

基底上的显示区，其中显示区包括门线路，与门线路交叉的数据线路以确定象素元素区域，连接到象素元素区中的数据线路和门线路的薄膜晶体管，和电连接到薄膜晶体管的象素电极；

基底上的控制信号线部分，其中控制信号部分包括第一信号线和第二信号线；

控制信号传输部分，包括：对应于基底的膜，膜上的第一引线、第二引线和第三引线，其中第一引线和第二引线连接到第一信号线和第二信号线，第三引线位于第一信号线和第二信号线之间，第三引线接收与第一信号电压相同的电压。

17.如权利要求16所述的液晶显示器，其特征在于，第一信号引线传输第一信号电压，第二信号引线传输比第一信号电压低的第二信号电压。

18.如权利要求16所述的液晶显示器，其特征在于，引线有几微米到几十微米的厚度。

19.如权利要求16所述的液晶显示器，其特征在于，第一引线和第二引线分别至少交叠第一信号线和第二信号线的一部分。

20.如权利要求16所述的液晶显示器，其特征在于，控制信号传输部分还包括数据驱动集成电路。

21.如权利要求16所述的液晶显示器，其特征在于，控制信号传输部分还包括门驱动集成电路。

22.如权利要求16所述的液晶显示器，其特征在于，第一信号电压是门导通电压或供电电压。

23.如权利要求16所述的液晶显示器，其特征在于，第二信号电压是门截止电压或接地电压。

24.如权利要求16所述的液晶显示器，其特征在于，第三引线是虚拟引线。

25.如权利要求16所述的液晶显示器，其特征在于，还包括连接到基底上的第三引线的第三导线。

26.如权利要求25所述的液晶显示器，其特征在于，第三引线至少交叠第三导线的一部分。

27.如权利要求25所述的液晶显示器，其特征在于，第三导线由氧化性比第二信号线小的导电材料构成。

28.如权利要求25所述的液晶显示器，其特征在于，第三导线由氧化铟锡或氧化铟锌形成。

29.如权利要求25所述的液晶显示器，其特征在于，第三导线由形成门线路、数据线路或象素电极的导电材料构成。

30.如权利要求25所述的液晶显示器，其特征在于，还包括在基底上覆盖第三导线的绝缘层，在绝缘层中露出第三导线部分的接触孔和通过接触孔连接到第三导线的辅助焊点，其中第三引线连接到第三导线以在接触孔的长度方向上完全覆盖接触孔。

31.如权利要求30所述的液晶显示器，其特征在于，第三引线在接触孔的宽度方向上至少覆盖接触孔的一侧。

32.如权利要求30所述的液晶显示器，其特征在于，第三引线位于接触孔的内部区域，以露出接触孔的两侧。

33.如权利要求30所述的液晶显示器，其特征在于，还包括连接到基底上的门信号传输膜，其中第三导线通过将连接到门信号传输膜的第一导线和连接到控制信号传输部分的第二导线连接起来而形成。

34.如权利要求33所述的液晶显示器，其特征在于，第一导线和第二导线彼此连接以使第一导线形成在基底上，并还包括覆盖第一导线的第一绝缘层和露出第一绝缘层中第一导线一端的第一接触孔，以及第二导线通过第一绝缘层上的第一接触孔连接到第一导线。

35.如权利要求34所述的液晶显示器，其特征在于，还包括覆盖第二导线的第二绝缘层，露出第二导线的焊点的第二接触孔，以及通过第二接触孔和第三接触孔露出下行的第一导线的焊点和连接到第一导线和第二导线的焊点的辅助焊点的第三接触孔。

36.如权利要求25所述的液晶显示器，其特征在于，其中第一信号线包括在基底上具有焊点的下行导线，覆盖下行导线的第一绝缘层，在第一绝缘层上具有焊点的上行导线，在第一和第二绝缘层中露出下行导线的第一接触孔，在第二绝缘层中露出上行导线的第二接触孔，以及同时连接到下行导线的焊点和上行导线的焊点的辅助焊点。

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