CN1229680C - 显示装置和液晶显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种显示装置和液晶显示装置。该显示装置包括：基板；栅驱动集成电路；形成在该基板上传输用于控制该栅驱动集成电路的第一栅控制信号电压的第一信号布线；形成在该基板上传输用于控制该栅驱动集成电路的第二栅控制信号电压的第二信号布线；以及形成在第一信号布线和第二信号布线之间的第一冗余布线，其中，该第二栅控制信号电压小于该第一信号电压。在本发明中，由电解导致的对布线的破坏得以清除。

Description

显示装置和液晶显示装置
                        技术领域
本发明涉及显示装置和液晶显示装置。
                        背景技术
液晶显示装置是一种在当前被广泛使用的平面显示装置。液晶显示装置包括在其中形成有多个电极的两个基板，夹在所述两个基板之间的液晶层，和用于使从所述基板的每个外表面输出的光产生偏振的两个偏振膜。液晶显示装置控制光的透射率，从而借助于对电极施加不同的电压同时形成用于改变液晶层的液晶分子的取向的电场来显示图像。在这种液晶显示装置中，在两个基板的一个上形成有薄膜晶体管，该基板被称为TFT基板，并且所述薄膜晶体管切换被加于所述电极上的电压。
用于显示图像的显示区域位于TFT基板的中心。沿水平方向和垂直方向分别形成有多个信号线，或多个栅线和数据线。栅线和数据线彼此交叉，从而限定多个像素元素区域。每个像素元素具有像素电极，数据信号经过数据线施加于所述像素电极上。借助于经过栅线传递的栅信号，薄膜晶体管将通过数据线传递的数据信号发送给像素电极。
在显示区域的外部形成有和栅线相连的一组栅焊点和与数据线相连的数据焊点。这些焊点和外部驱动集成电路相连，并接收来自外部驱动集成电路的栅信号和数据信号。此外，所述焊点还向栅线和数据线发送所述信号。
用于栅信号传输的印刷电路板和用于数据信号传输的印刷电路板通过热压缩处理使用一种各相异性的导电膜与薄膜晶体管基板相连，从而向薄膜晶体管发送栅信号和数据信号。
薄膜晶体管和用于数据信号传输的印刷电路板借助于一种数据信号传输薄膜相连，在所述数据信号传输薄膜上安装有数据驱动集成电路。所述数据驱动集成电路把电信号转换成数据信号，并把所述数据信号发送给数据线。此外，薄膜晶体管和用于栅信号传输的印刷电路板借助于一种栅信号传输膜相连，在所述栅信号传输膜上，安装有栅驱动集成电路。所述栅驱动集成电路把电信号转换成栅信号，并把所述栅信号发送给栅线。
其中，用于控制栅信号的栅控制信号可以从用于数据传输的印刷电路板输出，而不从用于栅传输的印刷电路板输出。并且，这些栅控制信号可以被传递给栅信号传输膜。在这种情况下，栅控制信号的布线在与用于数据信号传输的印刷电路板相连的数据信号传输膜上形成，相应于栅控制信号布线的栅控制信号连接布线形成在薄膜晶体管基板上。然后，数据信号传输膜的栅控制信号布线与薄膜晶体管的栅控制信号连接布线相连。因而，栅控制信号从数据信号传输膜传输到栅信号传输膜上的栅驱动集成电路中。
栅控制信号为多种控制信号，例如栅导通电压、栅截止电压和用作薄膜晶体管中数据电压的电位差的参考电压的公共电压。
被输入给栅驱动集成电路并驱动液晶显示装置的这些栅控制信号具有不同的电压幅值，并通过栅控制信号连接布线而传输。栅控制信号连接布线被并排地且紧密地设置在薄膜晶体管基板上。因而，用于传输诸如栅导通电压的高压的高压信号布线和用于传输诸如栅截止电压的低压的低压信号布线被并排地且紧密地设置。
在这种布线设置中，在驱动液晶显示装置同时，在高压信号布线和低压信号布线之间形成电位差。在液晶显示装置的制造和操作期间，当湿气进入所述布线时，所述电位差将引起电解反应。结果，引起高压信号布线的破坏，而这种破坏导致劣质装置的生产。
                        发明内容
本发明的目的在于提供一种显示装置和液晶显示装置，其能够防止由于电解而引起的破坏。
根据本发明，通过在高压信号布线的一侧或两侧上形成高压冗余布线，从而在高压信号布线周围形成等电位，上述目的得以实现。
根据本发明的一个方面，显示装置包括：基板；栅驱动集成电路；形成在基板上用于传输用于控制栅驱动集成电路的第一栅控制信号电压的第一信号布线；形成在基板上传输用于控制栅驱动集成电路的第二栅控制信号电压的第二信号布线；以及形成在第一和第二信号布线间的第一冗余布线，其中第二栅控制信号电压小于该第一信号电压。所述第一冗余布线形成在第一信号布线和第二信号布线之间。所述控制信号部分还可以包括传输与第一信号电压相同的电压的第二冗余布线。其中，第一冗余布线位于第一信号布线的一侧，第二冗余布线位于第一信号布线的另一侧。
所述第一冗余布线可以和第一信号布线相连，或者和第一信号布线分开。所述第一冗余布线和第二冗余布线中的至少一个可以和第一信号布线相连。并且所述第一冗余布线和第二冗余布线可以和第一信号布线分开。
第一冗余布线可以由比用于形成第二信号布线的导电材料更不易氧化的导电材料制成。此外，第一冗余布线可以由诸如选自铜族、银族、铬族或钼族中的一种导电材料制成，其中包括氮化铬和氮化钼。在另一种方案中，第一冗余布线可以由ITO(氧化铟锡)或IZO(氧化铟锌)制成。
根据本发明的另一个方面，液晶显示装置包括包含栅线的显示区域、与栅线交叉从而限定一个像素元素区域的数据线、与所述像素元素区域中的栅线和数据线相连的薄膜晶体管，以及与所述薄膜晶体管电连接的像素电极；驱动集成电路部分，包括用于向栅线输出栅信号的栅驱动集成电路，以及用于向数据线输出数据信号的数据驱动集成电路；用于控制所述驱动集成电路部分的控制信号部分，所述控制信号部分包括传输第一信号电压的第一信号布线、传输小于所述第一信号电压的第二信号电压的第二信号线，以及传输与第一信号电压相同的电压的第一冗余布线，其中第一冗余布线形成在第一信号布线和第二信号布线之间。
所述控制信号部分还可以包括用于驱动栅驱动集成电路的信号布线。甚至控制信号部分还可以包括用于驱动数据驱动集成电路的信号布线。
所述第一信号电压可以是栅导通电压或电源供给电压，所述第二信号电压可以是栅截止电压或接地电压。
可以包括传输与第一信号电压相等的电压的第二冗余布线。其中，第一冗余布线位于第一信号布线的一侧，第二冗余布线位于第一信号布线的另一侧。
第一冗余布线可以与第一信号布线相连，或者与所述第一信号布线分开。并且所述第一冗余布线和第二冗余布线中的至少一个可以和第一信号布线相连。此外，第一冗余布线和第二冗余布线可以和第一信号布线分开。
第一冗余布线可以由比用于形成第二信号布线的导电材料更不易氧化的导电材料制成。此外，第一冗余布线可以由从铜族、银族、铬族或钼族中选择的一种材料制成，其中包括氮化铬和氮化钼。第一冗余布线可以由ITO或IZO制成。
并且第一冗余布线可以由用于形成栅线、数据线或像素电极的导电材料制成。
第一信号布线可以具有第一布线与第二布线相连的布线结构。其中，第一布线与栅驱动集成电路相连，第二布线和数据驱动集成电路相连。第一布线可以由用于制成栅线或数据线的导电材料制成，第二布线可以由用于形成数据线或栅线的导电材料制成。
第一冗余布线可以具有第一布线和第二布线相连的布线结构。其中，第一布线和栅驱动集成电路相连，第二布线和数据驱动集成电路相连。第一布线可以由用于制成栅线或数据线的导电材料制成，第二布线可以由用于形成数据线或栅线的导电材料制成。
所述控制信号部分的信号布线可以包括具有焊点的且可以由用于形成栅线的导电材料制成的下层布线。控制信号部分的信号布线还可以包括覆盖下层布线的第一绝缘层、暴露所述下层布线的一端的第一接触孔，以及具有焊点的并且由用于形成数据线的导电材料制成的上层布线。其中，上层布线通过第一接触孔和下层布线相连。此外，控制信号部分的信号布线还可以包括覆盖上层布线、暴露上层布线的焊点的第二接触孔和暴露下层布线的焊点的第三接触孔的第二绝缘层，以及覆盖上下层布线的焊点并通过第二和第三接触孔和上下层布线的焊点相连的辅助焊点。
                        附图说明
通过参照以下结合附图的详细描述，对本发明的更完整的评价及本发明的诸多优点将随之被更好地理解而变得更清晰，附图中相似的附图标记表明相同的或相似的组元，其中；
图1是包括控制信号部分的液晶显示装置的略图；
图2是表示其中未形成高压冗余布线的控制信号部分的布线结构的平面图；
图3是沿着图2的线III-III′截取的控制信号部分的布线结构的横截面图；
图4是根据本发明第一实施例的控制信号部分的平面图；
图5是沿着图4的线V-V′截取的控制信号部分的横截面图；
图6是根据本发明第二实施例的控制信号部分的平面图；
图7是根据本发明第三实施例的液晶显示装置的平面图；
图8是沿着图7的线IX-IX′截取的液晶显示装置的横截面图；
图9是控制信号部分的信号布线的另一种构图的平面图；
图10是沿图9的X-X′线截取的信号布线的横截面图；
图11是信号布线的焊点的另一种构图的平面图；
图12是沿着图11的XII-XII′线截取的焊点的横截面图；
图13是根据本发明第四实施例的液晶显示装置的平面图；以及
图14是沿着图13的XIV-XIV′线截取的液晶显示装置的横截面图。
                      具体实施方式
下面结合附图说明本发明的优选实施例。
图1是包括形成在薄膜晶体管上的控制信号部分的液晶显示装置的略图。
滤色板100和薄膜晶体管基板200结合。用于向数据线130输出数据信号的数据驱动集成电路310和用于向栅线140输出栅信号的栅驱动集成电路410位于薄膜晶体管基板200之外。数据驱动集成电路310安装在数据信号传输膜300上，其和用于数据信号传输的印刷电路板500以及薄膜晶体管基板200电相连。栅驱动集成电路410安装在栅信号传输膜400上，其和薄膜晶体管基板200电相连。
栅传输膜300和数据传输膜400通过加热和压缩处理利用各向异性的导电膜(ACF)与薄膜晶体管基板200电相连。其中，在薄膜300和400中形成的引线与在薄膜晶体管基板200内形成的布线通过ACF导电材料(未示出)一一对应地电相连。
用于控制栅驱动集成电路410的驱动的栅控制信号通过栅控制互连布线520而传递给栅驱动集成电路410。在栅控制互连布线520中，用于数据信号传输的印刷电路板500的布线、数据信号传输膜300的控制信号引线、薄膜晶体管基板200的控制信号布线以及栅信号传输膜400的控制信号引线相互电相连。在栅控制互连布线520上的箭头表示栅控制信号的传输方向。
栅控制信号是栅导通电压(Von)、栅截止电压(Voff)、用作薄膜晶体管中数据电压之差的参考电压的公共电压(Vcom)、栅时钟(CPV)、启动垂直信号(STV)，行反向信号(RVS)、栅导通可(gate on enable)(OE)、接地电压(VGND)等等。这些栅控制信号控制栅驱动电路410的驱动。
在这些栅控制信号当中，栅导通电压和电源电压均是10V到20V，而栅截止电压和接地电压均低于0V。
用于传输例如栅导通电压的高压的高压信号布线和用于传输例如栅截止电压的低压的低压信号布线被紧密地设置。在这种情况下，在液晶显示装置操作期间，在两个布线之间形成电位差。所述电位差等于例如栅导通电压的高压和例如栅截止电压的低压之间的电压差。
在液晶显示装置被制造和操作时，在布线中会渗入湿气，特别是在潮湿的环境中。具体地，湿气渗入栅传输膜300和数据传输膜400与薄膜晶体管10相连的位置的布线中，并集中在所述布线的台阶差的部分上。
湿气本身具有离子。由于高压信号布线和低压信号布线之间的电位差，离子中的阴离子通过湿气从低压信号布线向高压信号布线运动。
高压信号布线和阴离子发生电化学反应，从而溶解在湿气中。结果，由于电解作用而使高压信号布线断开。
由于电解作用而导致的布线的断开发生在栅传输膜300和数据传输膜400与薄膜晶体管10相连的位置的布线中，特别是在由“A”和“B”标示的布线中。
本发明提出了一种在高压信号布线周围形成等电位的布线结构，以防止由于电解作用而导致的对高压信号布线的破坏。在本发明中，在高压信号布线和低压信号布线之间形成一种布线结构，或者一种高压冗余布线。所述冗余布线传输与高压信号布线相同的电压。
在这种情况下，形成在高压信号布线和低压信号布线之间的电位差，使得高压冗余布线可能因电解作用而破坏。然而，因为在高压冗余布线和高压信号布线之间形成了等电位，所以不会发生由于电解作用而导致的高压信号布线的破坏。
这可以参照附图进行说明。
图2到图5显示被选择的位于数据信号传输膜300和薄膜晶体管基板200的连接部分的栅控制信号布线的结构。
图2是表示数据信号传输膜300的栅控制信号引线301、302、303、304和305与薄膜晶体管基板200的栅控制信号引线201、202、203、204和205的布线结构的平面图，其中，紧密地排列着高压信号布线和低压信号布线。图3是沿图2的III-III′线截取的布线结构的横截面图。
具有栅控制信号布线201、202、203、204和205的薄膜晶体管基板200使用各向异性导电膜(AFC)与具有栅控制信号引线301、302、303、304和305的数据信号传输膜300相连，所述各向异性导电膜包括导电材料和粘结树脂。薄膜300的引线与薄膜晶体管基板10的引线通过ACF导电材料(未示出)一一相应地电相连。
在数据信号传输膜300中，低压控制引线302位于高压信号引线301的一侧，栅公共电压信号引线303位于高压信号引线301的另一侧。例如栅导通电压的大约20V的高压被加于高压控制引线301上，例如栅截止电压的低于0V的低压被加于低压控制引线302上，大约3V的栅公共电压被加于栅公共电压引线303上。
此外，与引线301、302、303、304和305一一对应相连的高压信号布线201、低压信号布线202、栅公共电压信号布线203以及其它信号布线204和205形成在薄膜晶体管基板200上。
为了驱动液晶显示装置，栅控制信号通过数据信号传输膜300的信号引线301、302、303、304和305，薄膜晶体管基板200的信号引线201、202、203、204和205，以及栅信号传输膜(未示出)的引线而输入到栅驱动集成电路(未示出)内。
在此处理中，栅导通电压被加于高压信号引线301和高压信号布线201上，并且栅截止电压被加于低压信号引线302和低压信号布线202上。因而，在高压信号引线301/高压信号布线201与低压信号引线302/低压信号布线202之间形成电位差。所述电位差等于栅导通电压和栅截止电压之间的电压差。
在液晶显示装置被制造和操作时，在布线中会渗入湿气，特别是在潮湿的环境中。具体地，湿气渗入栅传输膜300和数据传输膜400与薄膜晶体管200相连的位置的布线中。水汽集中在所述布线的台阶差(step difference)的部分上。
湿气本身具有离子。由于高压信号引线201和低压信号布线202之间的电位差，离子中的阴离子500通过湿气从低压信号布线202向高压信号布线201运动。高压信号布线201和阴离子500发生电化学反应，从而溶解在湿气中。结果，由于电解作用而使高压信号布线201断开。
然而，当借助于形成高压冗余布线而在高压信号布线201周围形成等电位时，可以防止由于电解而导致的高压信号布线201的破坏，所述高压冗余布线传输与在高压信号布线201的一侧或两侧上的高压信号布线201相同的电压。
图4是根据本发明第一实施例的控制信号部分的平面图，图5是沿图4的V-V′线截取的所述控制信号部分的横截面图。
具有栅控制信号布线301、302、303和高压冗余引线310和320的数据信号传输膜300与具有栅控制信号布线201、202、203和高压冗余布线210和220的薄膜晶体管基板200利用包括导电材料251和粘结树脂252的各向异性导电膜250相连。其中薄膜晶体管基板200的布线201、202和203与数据信号传输膜300的引线301、302和303通过各向异性导电膜250的导电材料251一一对应地电相连。
在数据信号传输膜300中，传输与高压信号引线301相同的电压的高压冗余引线310和320形成在传输栅导通电压的高压信号引线301的两侧。传输栅截止电压的低压信号引线302形成在高压冗余引线310的一侧，传输栅公共电压的公共电压信号引线303形成在另一个高压冗余引线320的一侧。高压信号引线301位于两个高压冗余引线310和320之间。
此外，高压信号布线201、底压信号布线202、公共电压信号布线203以及高压冗余布线210和220一一对应地与引线301、302、303、310和320相连。
为了驱动液晶显示装置，栅控制信号通过数据信号传输膜300的信号引线301、302和303，薄膜晶体管基板200的信号引线201、202和203，以及栅信号传输膜(未示出)的引线而输入栅驱动集成电路(未示出)。
在这个处理中，在高压信号布线201/高压信号引线301与高压冗余布线210/高压冗余引线310之间形成等电位。其发生因为对高压信号布线210/高压信号引线310和高压冗余布线210/高压冗余引线310施加有相同的电压。此外，例如栅截止电压的低压被加于低压信号布线202/低压信号引线302上，且例如栅导通电压的高压被加于高压信号布线201/高压信号引线301上。因而，在低压信号布线202/低压信号引线302和高压信号布线201/高压信号引线301之间形成等于栅导通电压和栅截止电压之间的电压差的电位差。
在液晶显示装置被制造和操作时，在布线中会渗入湿气，特别是在潮湿的环境中。具体地说，湿气渗入栅传输膜300和数据传输膜400与薄膜晶体管200相连的位置的布线中，并集中在所述布线的台阶差的部分上。
湿气本身具有离子。由于高压冗余布线210和低压信号布线202之间的电位差，离子中的阴离子500通过湿气从低压信号布线202向高压冗余布线210运动。高压信号布线210和阴离子500发生电化学反应，从而溶解在湿气中。结果，由于电解作用而使高压冗余布线断开。
然而，在高压信号布线201与高压冗余布线210和220之间形成了等电位。其发生是因为相同的电压被施加于高压信号布线201与高压冗余布线210和220上。在形成等电位的高压信号布线201的周围，阴离子500不会集中在高压信号布线201上。取而代之地，阴离子随机地飘浮在湿气中。因而，高压信号布线201与阴离子500不会发生电化学反应。结果，高压信号布线201不会被溶解。
换句话说，作为高压冗余布线210和220的牺牲的结果高压信号布线201不溶解。因此，可以维持良好的布线环境而不会破坏高压信号布线201。
在本发明的第一实施例中，高压冗余布线210和220位于高压信号布线201的两侧，并和高压信号布线201分开。当两个高压冗余布线210和220中的至少一个布线与高压信号布线201相连时，也可以在高压信号布线201的周围形成等电位，如图6所示。图6是根据本发明第二实施例的控制信号部分的平面图。
高压冗余布线210和220形成以防止可能由于高压信号布线201和低压信号布线202之间的电位差引起的电解作用。因而，当低压信号布线202只位于高压信号布线201的一侧时，在高压信号布线201和低压信号布线202之间可以只形成一个高压冗余布线。
在本发明的上述第一实施例中，传输栅导通电压的布线是高压信号布线201的一个例子，而传输栅截止电压的布线是低压信号布线202的一个例子。不过，高压信号布线201的另一个例子是传输电源电压的布线，而低压信号布线202的另一个例子是传输接地电压的布线。
简明地说，本发明防止了高压信号布线201因渗入布线的湿气内的阴离子而破坏。这通过使用高压冗余布线来实现，所述高压冗余布线传输与高压信号布线201相同的电压，以在高压信号布线201的周围形成等电位。
高压冗余布线可以通过使用常规的导电材料例如用于形成栅布线和数据布线的导电材料制成。其中，高压冗余布线可以由比用于形成低压信号布线202的导电材料更不易氧化的导电材料制成，例如可以是从铜族、银族、铬族或钼族中选择的一种材料，其中包括氮化铬和氮化钼。在这种情况下，因电解作用对高压冗余布线的破坏较小。当高压冗余布线由氧化的导电材料例如ITO或IZO制成时，高压冗余布线与阴离子的化学反应甚至可以更小。
在本发明的上述第一和第二实施例中，只说明了传输栅控制信号的栅控制信号布线。然而，本发明也可应用于在薄膜晶体管基板上形成传输数据控制信号的数据控制信号布线的情况。此外，本发明可以应用于被提出以防止由于两个布线之间的电位差导致的电解作用而引起的布线的溶解的各种情况。
下面说明包括上述控制信号部分的液晶显示装置。
图7是根据本发明第三实施例的液晶显示装置的平面图，图8是沿着图7的线IX-IX′截取的液晶显示装置的横截面图。
在本发明的第三实施例中，用于传输栅控制信号的控制信号布线，例如高压信号布线、低压信号布线和公共电压信号布线，由用于形成数据布线的导电材料制成，而高压冗余布线由用于形成栅布线的导电材料制成。
栅布线20、21和22和高压冗余布线210和220形成在绝缘基板10上，该栅布线中包括具有栅电极22和与栅线20的端部相连的栅焊点21的栅线20。每个高压冗余布线210和220包括高压冗余布线和与所述高压冗余布线相连的焊点。
高压冗余布线210和220被设置在高压信号布线201的两侧(下面说明)。例如栅导通电压的高压被施加于高压冗余布线210和220上。高压冗余布线210和220形成布线对的构图。高压冗余布线对210和220分别从基板的上部和左部开始，并且互不连接地延伸。
栅线20沿着水平方向延伸，并把由栅驱动集成电路(未示出)输出的栅信号传递到像素区域。
栅布线20、21和22以及高压冗余布线210和220可以由常规的导电材料制成，例如从铜族、银族、铬族或钼族中选择的一种材料制成，其中包括氮化铬和氮化钼。此外，栅布线20、21和22以及高压冗余布线210和220可以具有单层结构或多层结构。
此外，形成包括诸如氮化硅、氧化硅等绝缘材料的栅绝缘层30，以覆盖栅布线20、21和22以及高压冗余布线210和220。
包括无定形硅的半导体层40形成在栅绝缘层30上并和栅电极22相应。
在栅绝缘层30上形成数据布线60、61、62和63以及栅控制信号布线201、202和203。数据布线包括沿垂直方向延伸并和栅线20交叉以限定像素区域的数据线60、与数据线60的端部相连的数据焊点61、从数据线60伸出的并和半导体层40相连的源极62，以及和源极61相应并和半导体层40相连的漏极63。
每个栅控制信号布线201、202和203包括栅控制信号线和与所述栅控制信号线的两个端部相连的栅控制信号焊点。
栅控制信号布线201、202和203的端部可以和位于薄膜晶体管基板200的上部的数据信号传输膜300的引线301、301和303相连。栅控制布线201、202和203的其它端部可以和位于薄膜晶体管基板200的左部的栅信号传输膜400的引线401、402和403相连。
由于上述的布线结构，通过数据信号传输膜300的引线301、302和303传输的栅控制信号通过薄膜晶体管基板200的栅控制信号布线201、202和203以及栅控制信号传输膜400的引线401、402和403而发送给栅驱动集成电路(未示出)。
栅控制信号布线201、202和203包括高压信号布线201、低压信号布线202和公共电压信号布线203。例如栅导通电压的高压被施加于高压信号布线201上，例如栅截止电压的低压被施加于低压信号布线202上，栅公共电压被施加于公共电压信号布线203上。高压信号布线201被设置在高压冗余布线210和220之间。
数据布线60、61、62、63和栅控制信号布线201、202、203可以由导电材料成型为单层或多层的形式，例如从铜族、银族、铬族或钼族中选择的一种材料，其中包括氮化铬和氮化钼。
包括掺杂无定形硅的欧姆接触层51和52分别形成在半导体层40和源极62之间以及半导体层40与漏极63之间。
包括氮化硅或氧化硅的钝化层70形成在包括数据布线60、61、62和63，栅控制信号布线201、202和203以及半导体层40的合成基板上。
露出漏极63的接触孔71、露出数据焊点61的接触73和露出连接在栅控制信号布线201、202和203的两个端部的焊点的接触C1、C2和C3分别形成在钝化层70中。露出栅焊点21的接触72以及露出高压冗余布线210和220的焊点的接触C4、C5形成在钝化层70和栅绝缘层中。
在钝化层70上形成有：通过接触孔71与漏极61相连且位于像素区内的像素电极80、通过接触孔72与栅焊点21相连的栅辅助焊点81、通过接触孔73与数据焊点61相连的数据辅助焊点82、与在栅控制信号布线201、202和203的两侧的焊点相连的辅助焊点83、84、85、86和87，以及高压冗余布线210和220。
使用各向异性导电膜250，具有栅驱动集成电路(未示出)的栅信号传输膜400、具有数据驱动集成电路(未示出)的数据信号传输膜300、栅控制信号引线301、302和303，以及高压冗余引线310和320，与上述的薄膜晶体管基板200相连。
传输数据信号的数据信号引线350和传输用于驱动栅驱动集成电路的栅控制信号的栅控制信号引线301、302和303形成在数据信号传输膜300中。
数据信号引线350和数据焊点82相连，用于向与数据线20相连的数据焊点82传递数据信号。栅控制信号引线301、302和303与位于薄膜晶体管基板200的上部的栅控制布线201、202和203的焊点电相连。栅控制引线301、302和303向栅控制信号布线201、202和203传输栅控制信号。
在数据信号传输膜300中，形成高压冗余引线310和320，它们传输和在高压信号布线201的两侧的高压冗余布线210和220相同的电压，以便防止由于电解作用而导致的对高压信号布线201的破坏。高压冗余引线310和320以及高压冗余布线210和220借助于各向异性导电膜250的导电材料251彼此相连。
在栅信号传输膜400中，形成栅信号引线450和栅控制信号引线401、402和403。栅控制信号引线401、402和403接收来自薄膜晶体管基板200的栅控制信号布线201、202和203的栅控制信号，并将这些信号传递给栅驱动集成电路(未示出)。栅信号引线450把栅信号传递给栅线20。
在这种布线结构中，在驱动液晶显示装置的过程中，在高压信号布线201和位于基板的上部的高压冗余布线210和220之间形成等电位。
栅控制信号引线401、402和403与在薄膜晶体管基板200的左部的栅控制信号布线201、202和203的焊点相连，并通过栅控制信号布线201、202和203接收栅控制信号。通过栅信号传输膜400的栅控制信号引线401、402和403传输的栅控制信号被输入给栅驱动集成电路(未示出)，并且所述栅控制信号控制对栅驱动集成电路的驱动。
栅控制信号引线450与形成在绝缘基板10上的栅焊点82电相连。栅控制信号引线450向与栅焊点81相连的栅线20传递从栅驱动集成电路输出的栅信号。
在栅信号传输膜400中，传输与高压冗余引线210和220相同的电压的高压冗余引线410和420形成在高压信号布线201的两侧，以便防止由于电解作用而导致的高压信号布线201的破坏。高压冗余引线410和420以及高压冗余布线210和220借助于各向异性导电膜250的导电材料251相连。
在这种布线结构中，在驱动液晶显示装置的过程中，在高压信号布线201与位于基板的左部的高压冗余布线210和220之间形成等电位。
为了驱动液晶显示装置，栅控制信号通过数据信号传输膜300的信号引线301、302、303、310和320，薄膜晶体管基板200的信号布线201、202、203、210和220，以及栅信号传输膜(未示出)的信号引线401、402、403、410和420而输入给栅驱动集成电路(未示出)。
在这种处理中，在高压信号引线301/高压信号布线201和高压冗余布线310和320/高压冗余布线210和220之间形成等电位。其发生是因为相同的电压被加在高压信号引线301/高压信号布线201和高压冗余引线310和320/高压冗余布线210和220上。此外，例如栅截止电压的低压被加于低压信号引线302/低压信号布线202上，而例如栅导通电压的高压被加于高压冗余引线310/高压冗余布线210。因而，在低压信号引线302/低压信号布线202和高压冗余引线310/高压冗余布线210之间形成等于栅导通电压和栅截止电压之间的电压差的电位差。
在液晶显示装置被制造和操作时，在布线中会渗入湿气，特别是在潮湿的环境中。具体地说，湿气渗入栅传输膜300和数据传输膜400与薄膜晶体管基板200相连的位置的布线中，并集中在所述布线的台阶差的部分上。
湿气本身具有离子。由于高压冗余布线210和低压信号布线202之间的电位差，离子中的阴离子通过湿气从低压信号布线202向高压信号布线210运动。高压冗余布线210和阴离子发生电化学反应，从而溶解在湿气中。结果，由于电解作用而使高压冗余布线210断开。
然而，在高压信号布线201与高压冗余布线210和220之间形成等电位。这是因为相同的电压被施加于高压信号布线201和高压冗余布线210和220上。在形成等电位的高压信号布线201的周围，阴离子不集中在高压信号布线201上。作为替代地，阴离子随机地飘浮在湿气中。因而，高压信号布线201和阴离子不会发生电化学反应。结果，高压信号布线201不会被溶解。
换句话说，作为高压冗余布线210和220牺牲的结果，高压信号布线201不会溶解。因此，可以维持好的布线环境而不会破坏高压信号布线201。
在本发明的第三实施例中，高压冗余布线210和220位于高压信号布线201的两侧，并和高压信号布线201分开。不过，在本发明中，两个高压冗余布线210和220中的至少一个与高压信号布线201相连。
此外，高压冗余布线210和220可以通过连接两个布线而形成。这些布线中的一个可以位于要被和数据传输膜300连接的基板10的上部，而另一个布线可以位于要和栅信号传输膜400相连的基板的左部。
高压冗余布线210和220被形成以防止由于高压信号布线201和低压信号布线202之间的电位差而引起的电解作用。因而，当低压信号布线202只位于高压信号布线201的一侧时，在高压信号布线201和低压信号布线202之间可以只形成一个高压冗余信号布线。
在本发明的上述第三实施例中，传输栅导通电压的布线作为高压信号布线的一个例子，传输栅截止电压的布线作为低压信号布线的一个例子。不过，高压信号布线的另一个例子是传输电源电压的布线，低压信号布线的另一个例子是传输接地电压的布线。
简明地说，本发明防止高压信号布线201由于在布线中渗入的湿气内的阴离子而导致的破坏。这通过使用传输与高压信号布线201相同的电压的高压冗余布线201来实现，使得在高压信号布线201的周围形成等电位。
高压冗余布线可以使用常规的导电材料例如用于形成栅布线和数据布线的导电材料制成。其中，高压冗余布线可以由比用于形成低压信号布线的导电材料更不易于氧化的导电材料制成，例如从铜族、银族、铬族或钼族中选择的一种材料，其中包括氮化铬和氮化钼。在这种情况下，因电解导致的对高压冗余布线的破坏较小。当高压冗余布线由氧化的导电材料例如ITO或IZO制成时，高压冗余布线和阴离子的化学反应甚至可以更小。
在本发明的上述的第三实施例中，只说明了传输栅控制信号的栅控制信号布线。然而，本发明也可应用于在薄膜晶体管基板上形成传输数据控制信号的数据控制信号布线的情况。此外，本发明可以应用于被提出以防止由于在两个布线之间的电位差而导致的电解作用而引起的布线的溶解的各种情况。
在本发明的第三实施例中，与数据信号传输膜300以及栅信号传输膜400均相连的栅控制信号布线201、202和203由用于形成数据线的导电材料制成。不过，栅控制信号布线201、202、203也可以由用于形成栅布线的导电材料制成。
此外，栅控制信号布线201、202和203可以通过连接两个或多个布线而形成。在这种情况下，布线中的一个可以用用于形成数据布线的导电材料制成，而另一个布线可以用用于形成栅布线的导电材料制成。这种布线结构可以应用于高压冗余布线。下面参照图9和图10进行说明。
图9是栅控制信号布线的一个所选栅控制信号布线的平面图，图10是沿图9的X-X′线截取的横截面图。
包括形成栅布线的导电材料的第一信号布线208沿第一方向形成在绝缘基板10上。在第一布线208的一端形成的焊点位于所述基板的上部，使得可以与数据信号传输膜300相连。
包括氮化硅或氧化硅的栅绝缘层30形成在绝缘基板10上，以盖住第一信号布线208。
在栅绝缘层30中，形成有暴露第一信号布线208的另一端部的接触孔32，在该端部没有焊点。
此外，包括用于形成数据布线的导电材料的第二信号布线209沿第二方向形成在栅绝缘层30上。在第二信号布线209的一端形成的焊点位于将要与栅信号传输膜400连接的基板的左部。第二信号布线209通过接触孔32与第一信号布线208相连，使得向栅传输膜400发送来自数据信号传输膜300的栅控制信号。
包括氮化硅或氧化硅的钝化层70形成在栅绝缘层30上。钝化层30盖住第二信号布线209。
暴露第二信号布线209的焊点的接触孔C9形成在钝化层70中，暴露第一信号布线208的焊点的另一个接触孔C8形成在钝化层70和栅绝缘层30中。
通过接触孔C8和第一信号布线208的焊点相连的第一信号辅助焊点88，以及通过接触孔209和第二信号布线209的焊点相连的第二辅助焊点89，形成在钝化层70上。
当数据信号传输膜300与上述的控制信号部分相连时，设置数据信号传输膜300的引线308，并且使其和相应的第一信号辅助焊点88相连。数据传输膜300和薄膜晶体管基板的控制信号部分和连接利用各向异性导电膜250通过加热和压缩处理进行。数据信号传输膜300的引线308借助于各向异性导电膜250的导电材料251和第一信号辅助焊点88电相连。并且以相同方式，设置栅信号传输膜400的引线409，并使之和相应的第二信号辅助焊点89相连。栅传输膜400和薄膜晶体管基板的控制信号部分的连接利用各向异性导电膜250通过加热和压缩处理进行。栅信号传输膜400的引线409借助于各向异性导电膜250的导电材料251和第二信号辅助焊点89电相连。
在本发明的第三实施例中，其中数据传输膜300和栅传输膜400的引线301、302、303、310、320、401、402、403、410和420中的每一个与薄膜晶体管基板200的引线201、202、203、210和220中的每一个相连，在布线的台阶差中的连接部分的布线结构具有缓慢的坡度，以便使渗入的湿气最少。这将参照图11和图12进行说明。
图11是控制信号布线和引线的连接部分的布线结构的平面图，图12是沿图11的线XII-XII′的横截面图。所述引线通过两个连接部分与具有双层形式的栅信号布线的每一层相连。
包括用于形成栅布线的导电材料并在其端部具有焊点的第一信号布线29形成在栅绝缘基板10上。包括氮化硅并且覆盖第一信号布线29的栅绝缘层30形成在绝缘基板10上，以便盖住第一信号布线29。
包括用于形成数据布线的导电材料并在其端部具有焊点的第二信号布线69形成在栅绝缘基板30上。第二信号布线69小于第一信号布线29，因而未触及到第一信号布线29的焊点。第二信号布线69跟随第一信号布线29的构图，使得和第一信号布线29重叠。包括氮化硅或氧化硅的钝化层70形成在栅绝缘层30上，以盖住第二信号布线69。
暴露第二信号布线69的焊点的接触孔C6形成在钝化层70中，暴露第一信号布线29的焊点的另一个接触孔C7形成在钝化层80和绝缘层30中。
控制信号辅助焊点89形成在钝化层70上，此焊点通过接触孔C6和C7与第一和第二信号布线29和69的焊点相连。
当数据信号传输膜300与上述的控制信号部分相连时，设置数据信号传输膜300的引线309，并且使其和相应的控制信号辅助焊点89相连。数据信号传输膜300和控制信号部分的连接利用各向异性导电膜250通过加热和压缩处理进行。其中，数据信号传输膜300的引线309借助于各向异性导电膜250中的导电材料251与控制信号部分的控制信号辅助焊点89电相连。所述连接部分的这种布线结构可以减少由于布线的台阶差引起的坏布线连接的数量和布线的断开，且可以使渗入的湿气的量减至最少。
在本发明的第三实施例中，栅控制信号布线201、202和203由用于形成数据布线60、61、62和63的导电材料制成，高压冗余布线210和220由用于形成栅布线20、21和22的导电材料制成。不过，除去数据布线60、61、62和63外，栅控制信号布线201、202和203可以由用于形成栅布线20、21和22或像素电极80的导电材料制成。
同样，除数据布线60、61、62和63之外，高压冗余布线210和220可以由用于形成栅布线20、21和22或像素电极80的导电材料制成。其中，高压冗余布线210和220可以由比用于形成低压信号布线的导电材料具有较少氧化趋势的导电材料制成，例如从铜族、银族、铬族或钼族中选择的一种材料，其中包括氮化铬和氮化钼，或者由氧化的导电材料例如ITO或IZO制成。在这种情况下，高压冗余布线可以较少地受到由电解作用引起的破坏。
在根据本发明第四实施例的液晶显示装置中，例如高压信号布线201、低压信号布线202和公共电压信号布线203的栅控制信号布线201、202和203由用于形成数据布线60、61、62和63的导电材料制成，高压冗余布线210和220由用于形成像素电极的导电材料例如ITO或IZO制成。
图13是根据本发明第四实施例的液晶显示装置的平面图，图14是沿图13的线XIV-XIV’截取的液晶显示装置的横截面图。
当第四实施例和本发明的第三实施例比较时，其显示区域的结构是相同的，但是栅控制信号部分的结构不同。因而，只说明栅控制信号部分结构，而不再说明显示区域的结构。
栅绝缘层30形成在绝缘层10上，并且包括用于形成数据布线20、21、22和23的导电材料的栅控制信号布线201、202和203形成在绝缘基板10上。每个栅控制信号布线201、202和203包括栅控制信号线和与所述栅控制信号线的两侧相连的栅控制信号焊点。
此外，覆盖栅控制信号布线201、202和203的钝化层70形成在栅绝缘层30上。
在钝化层70中，形成暴露栅控制信号布线201、202和203的焊点的接触孔C1、C2和C3。并且通过接触孔C1、C2和C3在钝化层70上形成与栅控制信号布线201、202和203的焊点相连的栅控制信号辅助焊点85、83和87。
在钝化层70上，在传输栅导通电压的高压信号布线201的两侧形成高压冗余布线210和220。所述高压冗余布线210、220由用于形成像素电极的导电材料例如ITO或IZO制成。
当高压冗余布线210和220利用ITO或IZO形成时，如在本发明第四实施例中那样，高压冗余布线210和220不仅防止由于电解而引起的对高压信号布线201的破坏，而且还防止对高压冗余布线210和220的破坏。
根据上述说明，本发明通过形成高压冗余布线在高压信号布线周围形成等电位。以这种方式，可以防止由于电解而引起的对高压信号布线的破坏。此外，还改善了液晶显示装置的器件特性。
虽然本发明参照优选实施例进行了详细说明，但是，本领域的技术人员应当理解，在不脱离所附权利要求限定的本发明的精髓和范围的情况下，可以对其作出各种改变和替换。

Claims (37)

1.一种显示装置，包括：
基板；
栅驱动集成电路；
形成在该基板上传输用于控制该栅驱动集成电路的第一栅控制信号电压的第一信号布线；
形成在该基板上传输用于控制该栅驱动集成电路的第二栅控制信号电压的第二信号布线；以及
形成在第一信号布线和第二信号布线之间的第一冗余布线，
其中，该第二栅控制信号电压小于该第一信号电压。
2.如权利要求1所述的显示装置，还包括第二冗余布线，所述第一冗余布线位于第一信号布线的一侧，所述第二冗余布线位于第一信号布线的另一侧。
3.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一冗余布线和所述第一信号布线相连。
4.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一冗余布线与所述第一信号布线分开。
5.如权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一冗余布线和第二冗余布线中的至少一个与第一信号布线相连。
6.如权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一冗余布线和第二冗余布线均与第一信号布线分开。
7.如权利要求1所述的显示装置，其中，第一冗余布线由比用于形成第二信号布线的导电材料具有更小的氧化趋势的导电材料制成。
8.如权利要求7所述的显示装置，其中，第一冗余布线由从包括铜族中的一种、银族中的一种、铬族中的一种或钼族中的一种的组中选择的导电材料制成，其中包括氮化铬和氮化钼。
9.如权利要求1所述的显示装置，其中，第一冗余布线由从包括氧化铟锡和氧化铟锌的组中选择的材料制成。
10.如权利要求1所述的显示装置，其中，第一信号冗余布线传输与第一信号电压相同的电压。
11.如权利要求2所述的显示装置，其中，第二信号冗余布线传输与第一信号电压相同的电压。
12.一种液晶显示装置，包括：
显示区域，所述显示区域包括栅线、与栅线交叉借以限定一个像素元素区域的数据线、与所述像素元素区域中的栅线和数据线相连的薄膜晶体管，以及与所述薄膜晶体管电相连的像素电极；
驱动集成电路部分，其包括用于向栅线输出栅信号的栅驱动集成电路，以及用于向数据线输出数据信号的数据驱动集成电路；
控制信号部分，用于控制所述驱动集成电路部分，所述控制信号部分包括传输第一信号电压的第一信号布线、传输小于所述第一信号电压的第二信号电压的第二信号线，以及形成在第一信号布线和第二信号布线之间的第一冗余布线。
13.如权利要求12所述的液晶显示装置，其中，所述控制信号部分还包括用于驱动栅驱动集成电路的信号布线。
14.如权利要求12所述的液晶显示装置，其中，控制信号部分还包括用于驱动数据驱动集成电路的信号布线。
15.如权利要求12所述的液晶显示装置，其中，所述第一信号电压是栅导通电压或电源电压。
16.如权利要求12所述的液晶显示装置，其中，所述第二信号电压是栅截止电压或接地电压。
17.如权利要求12所述的液晶显示装置，还包括传输与第一信号电压相等的电压的第二冗余布线，所述第一冗余布线位于第一信号布线的一侧，第二冗余布线位于第一信号布线的另一侧。
18.如权利要求12所述的液晶显示装置，其中，所述第一冗余布线和所述第一信号布线相连。
19.如权利要求12所述的液晶显示装置，其中，所述第一冗余布线和所述第一信号布线分开。
20.如权利要求17所述的液晶显示装置，其中，所述第一冗余布线和第二冗余布线中的至少一个和第一信号布线相连。
21.如权利要求17所述的液晶显示装置，其中，所述第一冗余布线和第二冗余布线与第一信号布线分开。
22.如权利要求17所述的液晶显示装置，其中，第一冗余布线由比用于形成第二信号布线的导电材料更不易氧化的导电材料制成。
23.如权利要求12所述的液晶显示装置，其中，第一冗余布线由从包括铜族中的一种、银族中的一种、铬族中的一种或钼族中的一种的组中选择的导电材料制成，其中包括氮化铬和氮化钼。
24.如权利要求12所述的液晶显示装置，其中，第一冗余布线由从包括氧化铟锡和氧化铟锌的组中选择的材料制成。
25.如权利要求12所述的液晶显示装置，其中，第一冗余布线由用于形成栅线的导电材料制成。
26.如权利要求12所述的液晶显示装置，其中，第一冗余布线由用于形成数据线的导电材料制成。
27.如权利要求12所述的液晶显示装置，其中，第一冗余布线由用于形成像素电极的导电材料制成。
28.如权利要求12所述的液晶显示装置，其中，第一信号布线具有这样一种布线结构，其中第一布线与第二布线相连、第一布线与栅驱动集成电路相连，以及第二布线与数据驱动集成电路相连。
29.如权利要求28所述的液晶显示装置，其中，第一布线由用于形成栅线的导电材料制成，第二布线由用于形成数据线的导电材料制成。
30.如权利要求28所述的液晶显示装置，其中，第一布线由用于形成数据线的导电材料制成，第二布线由用于形成栅线的导电材料制成。
31.如权利要求12所述的液晶显示装置，其中，第一冗余布线具有这样一种布线结构，其中第一布线与第二布线相连、第一布线与栅驱动集成电路相连，以及第二布线与数据驱动集成电路相连。
32.如权利要求31所述的液晶显示装置，其中，所述第一布线由用于制成栅线的导电材料制成，第二布线由用于形成数据线的导电材料制成。
33.如权利要求31所述的液晶显示装置，其中，所述第一布线由用于制成数据线的导电材料制成，第二布线由用于形成栅线的导电材料制成。
34.如权利要求12所述的液晶显示装置，其中，所述控制信号部分的信号布线包括具有焊点并且由用于形成栅线的导电材料制成的下层布线、覆盖下层布线的第一绝缘层、暴露所述下层布线的一端的第一接触孔，以及具有焊点并且由用于形成数据线的导电材料制的上层布线，所述上层布线通过第一接触孔和下布线相连。
35.如权利要求34所述的液晶显示装置，还包括覆盖所述上层布线、暴露出上层布线的焊点的第二接触孔和暴露出下层布线的焊点的第三接触孔的第二绝缘层，以及盖住下上层布线的焊点并通过第二和第三接触孔与下上层布线的焊点相连的辅助焊点。
36.如权利要求12所述的液晶显示装置，其中第一信号冗余布线传输与第一信号电压相同的电压。
37.如权利要求12所述的液晶显示装置，其中第二信号冗余布线传输与第一信号电压相同的电压。
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