JP2002207437A - 信号伝送用フィルム、これを含む制御信号部及び液晶表示装置 - Google Patents

信号伝送用フィルム、これを含む制御信号部及び液晶表示装置

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JP2002207437A JP2001273478A JP2001273478A JP2002207437A JP 2002207437 A JP2002207437 A JP 2002207437A JP 2001273478 A JP2001273478 A JP 2001273478A JP 2001273478 A JP2001273478 A JP 2001273478A JP 2002207437 A JP2002207437 A JP 2002207437A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 配線の損傷を防止する信号伝送用フィルム、
これを含む制御信号部及び液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 第１信号電圧を伝送する第１信号リード
線、第１信号電圧より小さい電圧の大きさを有する第２
信号電圧を伝送する第２信号リード線、第１信号リード
線と第２信号リード線との間に位置するリード線を含む
信号伝送用フィルム。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は信号伝送用フィル
ム、これを含む制御信号部及び液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は現在最も広く用いられて
いる平板表示装置の中の一つであって、電気場を生成す
る多数の電極が形成されている二枚の基板と二枚の基板
の間の液晶層、それぞれの基板の外側面に付着されて光
を偏光させる二枚の偏光板からなり、電極に電圧を印加
して液晶層の液晶分子を再配列させることによって透過
される光の量を調節する表示装置である。このような液
晶表示装置の一つの基板には薄膜トランジスタが形成さ
れているが、これは電極に印加される電圧をスイッチン
グする役割を果たす。
【０００３】薄膜トランジスタが形成される基板の中央
部には画面が表示される表示領域が位置する。表示領域
には多数の信号線、つまり多数のゲート線及びデータ線
が交差して形成されている。ゲート線とデータ線との交
差で定義される画素領域には画素電極が形成されてお
り、薄膜トランジスタはゲート線を通じて伝えられるゲ
ート信号によってデータ線を通じて伝えられるデータ信
号を制御して画素電極に伝送する。
【０００４】表示領域の外にはゲート線とデータ線に各
々連結されている多数のゲートパッド及びデータパッド
が形成されており、このパッドは外部駆動集積回路と直
接連結されて外部からのゲート信号及びデータ信号の印
加を受けゲート線とデータ線に伝達する。
【０００５】薄膜トランジスタ基板にこのようなゲート
信号及びデータ信号を伝達するためにゲート用印刷回路
基板及びデータ用印刷回路基板が異方性導電膜（ACF; a
nisotropic conducting film）を利用した熱圧着工程に
よって付着される。薄膜トランジスタ基板とデータ用印
刷回路基板との間には、電気的な信号をデータ信号に変
換してデータ線に出力するデータ駆動集積回路が実装さ
れているデータ信号伝送用フィルムが連結されている。
また、薄膜トランジスタ基板とゲート用印刷回路基板と
の間には、電気的な信号をゲート信号に変換してゲート
線に出力するゲート駆動集積回路が実装されているゲー
ト信号伝送用フィルムが連結されている。
【０００６】この時、ゲート用印刷回路基板を使用せず
に、データ用印刷回路基板でゲート信号を制御するゲー
ト制御信号を出力し、このような信号を薄膜トランジス
タ基板を通じてゲート信号伝送用フィルムに伝達するこ
とも可能である。
【０００７】ゲート制御信号はゲート駆動集積回路が出
力するゲートオン電圧（Von）とゲートオフ電圧（Vof
f）及び薄膜トランジスタ基板内のデータ電圧の差異に
対する基準になる共通電圧（Vcom）を含む各種制御信号
を含んでいる。
【０００８】ゲート駆動集積回路に入力されるこのよう
な各種ゲート制御信号は液晶表示装置駆動の時、互いに
異なる大きさの電圧を有してゲート制御信号用連結配線
を通じて伝達される。薄膜トランジスタ基板上に形成さ
れたゲート制御信号用連結配線は互いに隣接するように
並んで配置されているので、ゲートオン電圧のような高
電圧を伝達する配線とゲートオフ電圧のような低電圧を
伝達する配線が互いに隣接するように並んで配列されて
いる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような配
線の配置構造は液晶表示装置駆動の時、高電圧配線と低
電圧配線との間に電位差を発生させるが、このような電
位差は液晶表示装置の製造工程中、または使用中に浸透
した水分と共にガルバニック電池原理による電気分解で
高電圧配線に損傷を与えるなどの配線不良を招く。
【００１０】本発明が目的とする技術的課題は、配線の
損傷を防止する信号伝送用フィルム、これを含む制御信
号部及び液晶表示装置を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような技術
的課題を解決するために、薄膜トランジスタ基板の制御
信号配線に対応して付着される制御信号伝送用フィルム
に、薄膜トランジスタ基板の高電圧信号配線と低電圧信
号配線との間に位置する厚いリード線を形成する。つま
り、本発明は高分子フィルム上に銅配線をプリントして
製造された制御信号伝送用フィルムに厚さ数μｍ〜数十
μｍのリード線を形成し、このリード線が薄膜トランジ
スタ基板の数百Å〜数千Å厚さの信号配線のうち高電圧
信号配線及び低電圧信号配線の間に空間的に位置するよ
うに信号伝送用フィルム上に配列する。
【００１２】詳しくは、本発明による信号伝送用フィル
ムには、第１信号電圧を伝送する第１信号リード線が形
成されており、第１信号電圧より小さい電圧の大きさを
有する第２信号電圧を伝送する第２信号リード線が形成
されており、第１信号リード線と第２信号リード線との
間に位置するリード線が形成されている。ここで、リー
ド線はダミーリード線でありうる。また、リード線は数
μｍ〜数十μｍの厚さを有し、第１信号電圧と同一な大
きさの電圧を伝送することができる。
【００１３】また、本発明による制御信号部には、基
板、基板の上に形成される第１信号配線及び第２信号配
線を含む制御信号配線部があり、基板に対応するフィル
ム、フィルム上に形成されて第１及び第２信号配線に各
々接触される第１及び第２信号リード線及び第１信号配
線と第２信号配線との間に位置するリード線を含む制御
信号伝送部がある。ここで、リード線はダミーリード線
でありうる。
【００１４】また、第１信号リード線は第１信号電圧を
伝送し、第２信号リード線は第１信号電圧より小さい大
きさの第２信号電圧を伝送する構成とすることができ、
リード線は数μｍ〜数十μｍの厚さで形成でき、第１信
号電圧と同一な大きさの電圧を伝送することができる。
【００１５】それぞれの信号リード線はこれに対応する
それぞれの信号配線に一部分が重畳するように接触する
のが好ましく、基板にリード線に接触する配線をさらに
含むことができるが、リード線は配線に一部分が重畳す
るように接触するのが好ましい。
【００１６】配線は第１信号配線と連結された構成、ま
たは第１信号配線と絶縁された構成とすることができ、
第１信号配線を形成する導電物質より酸化傾向が小さい
導電物質で形成するのが好ましく、ＩＴＯまたはＩＺＯ
で形成することができる。この時、第１信号リード線が
リード線まで拡張されてリード線と一体をなすように形
成することができる。
【００１７】また、本発明による液晶表示装置には、基
板の上に形成され、ゲート線、ゲート線に絶縁されて交
差して画素領域を定義するデータ線、画素領域にゲート
線とデータ線に電気的に連結される薄膜トランジスタ、
画素領域に薄膜トランジスタの一電極に連結される画素
電極を含む画面表示部があり、基板の一部に形成される
第１信号配線及び第２信号配線を含む制御信号配線部が
あり、基板に対応するフィルム、フィルム上に形成され
て第１及び第２信号配線に各々接触する第１及び第２信
号リード線及び第１信号配線と第２信号配線との間に位
置するリード線を含む制御信号伝送部がある。ここで、
制御信号伝送部のリード線はダミーリード線でありう
る。
【００１８】この時、第１信号リード線は第１信号電圧
を伝送し、第２信号リード線は第１信号電圧より小さい
大きさの第２信号電圧を伝送することができ、リード線
は数μｍ〜数十μｍの厚さで形成でき、第１信号電圧と
同一な大きさの電圧を伝送することができる。
【００１９】それぞれの信号リード線はこれに対応する
それぞれの信号配線に一部分が重畳するように接触する
のが好ましく、制御信号伝送部のフィルムにはデータ駆
動集積回路を実装したりゲート駆動集積回路を実装でき
る。
【００２０】この時、第１信号電圧はゲートオン電圧ま
たは電源電圧であり得、第２信号電圧はゲートオフ電圧
または接地電圧でありうる。
【００２１】そして、基板にリード線に接触される配線
をさらに含むことができるが、リード線は配線に最小限
一部分が重畳するように接触でき、第２信号配線を形成
する導電物質より酸化傾向が小さい導電物質で形成する
のが好ましいが、ＩＴＯまたはＩＺＯで形成することが
できる。また、配線はゲート線を形成する物質、データ
線を形成する物質、画素電極を形成する物質のうち一つ
で形成することができる。
【００２２】本発明による液晶表示装置は、基板上に配
線を覆う絶縁膜、絶縁膜に配線の一部を露出する接触
孔、接触孔を通じて配線に連結される補助パッドをさら
に含み、リード線は接触孔の長さ方向に接触孔を十分に
覆うように配線に接触できる。この時、リード線は接触
孔の幅方向に接触孔の最小限一側辺を覆うように配線に
接触できる。また、リード線は接触孔の内部領域に位置
して接触孔の両側辺を覆わないように形成することがで
きる。
【００２３】また、本発明による液晶表示装置は、基板
に連結されるゲート伝送用フィルムをさらに含み、基板
の上の配線がゲート伝送用フィルムに電気的に連結され
る第１配線と制御信号伝送部に電気的に連結される第２
配線が接触されている構造で形成することができる。こ
の時、第１配線と第２配線の接触構造は、基板上に第１
配線が形成され、第１配線を覆う第１絶縁膜、第１絶縁
膜に第１配線の一端を露出する第１接触孔をさらに含
み、第１絶縁膜上に第１接触孔を通じて第１配線に連結
される第２配線が形成される。ここで、第２配線を覆う
第２絶縁膜、第２配線のパッドを露出する第２接触孔及
び第１配線のパッドを露出する第３接触孔、第２及び第
３接触孔を通じて第１配線のパッド及び第２配線のパッ
ドを各々覆う補助パッドをさらに含むことができる。
【００２４】また、本発明による液晶表示装置で、第１
信号配線は、基板の上にパッドを含む下層配線が形成さ
れ、下層配線上に第１絶縁膜が形成され、第１絶縁膜上
にパッドを含む上層配線が形成され、上層配線を覆う第
２絶縁膜が形成され、第１及び第２絶縁膜に下層配線を
露出する第１接触孔及び第２絶縁膜に上層配線を露出す
る第２接触孔が形成され、第１及び第２接触孔を通じて
下層配線のパッド及び上層配線のパッドに連結される補
助パッドを含むことができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面を参照して本
発明について詳細に説明する。
【００２６】図１は薄膜トランジスタ基板にゲート制御
用信号配線が形成されている液晶表示装置の配置構造を
概略的に示した図面である。
【００２７】カラーフィルター基板１００に合着されて
いる薄膜トランジスタ基板２００の端部には、データ線
１３０にデータ信号を印加するデータ駆動集積回路３１
０及びゲート線１４０にゲート信号を印加するゲート駆
動集積回路４１０が位置している。データ駆動集積回路
３１０はデータ用印刷回路基板５００と薄膜トランジス
タ基板２００を電気的に連結するデータ伝送用フィルム
３００上に実装されており、ゲート駆動集積回路４１０
は薄膜トランジスタ基板２００に電気的に連結されてい
るゲート伝送用フィルム４００上に実装されている。
【００２８】このようなゲート及びデータ信号伝送用フ
ィルム３００、４００は異方性導電膜（ACF; anisotrop
ic conducting film）を利用した熱圧着工程によって薄
膜トランジスタ基板２００と電気的に連結される。この
時、それぞれフィルム３００、４００に形成された信号
リード線及び薄膜トランジスタ基板２００に形成された
信号配線は一対一に対応し、異方性導電膜の導電粒子
（図示せず）を通じて電気的に連結されている。
【００２９】ゲート駆動集積回路４１０の駆動を制御す
るためのゲート制御信号はゲート制御信号連結配線部５
２０を通じてゲート駆動集積回路４１０に伝達される。
ゲート制御信号連結配線部５２０ではデータ用印刷回路
基板５００、データ信号伝送用フィルム３００、薄膜ト
ランジスタ基板２００及びゲート信号伝送用フィルム４
００の各々に形成された配線が互いに電気的に連結され
ている。
【００３０】ゲート駆動集積回路４１０はゲート制御信
号によって調節されながら薄膜トランジスタ基板２００
のゲート線１４０にゲート信号を伝達する。ゲート制御
信号連結配線部５２０に表示された矢印はゲート制御信
号の伝送方向を示す。
【００３１】ゲート制御信号はゲート駆動集積回路４１
０が出力するゲートオン電圧、ゲートオフ電圧、薄膜ト
ランジスタ基板２００内のデータ電圧差の基準になる共
通電圧（Vcom）、ゲートクロック（CPV）、初期垂直信
号（START VERTICAL SIGNAL、STV）、ライン反転信号
（LINE REVERSE SIGNAL、RVS）、ゲートオンイネーブル
（GATE ON ENABLE、OE）、接地電圧（VGND）及び電源電
圧（VDD）を含む各種制御信号を含むが、これらゲート
制御信号はゲート駆動回路４１０の駆動を制御する。
【００３２】このようなゲート制御信号で、ゲートオン
電圧、電源電圧等は１０〜２５Ｖの電圧大きさを有し、
ゲートオフ電圧、接地電圧等はＯＶ以下の電圧大きさを
有するが、二つの電圧は約１０Ｖ以上の電圧差がある。
【００３３】ゲートオン電圧のような高電圧を伝送する
高電圧信号配線と高電圧信号配線が伝送する電圧に比べ
て相対的に小さい電圧を伝送する低電圧信号配線とを隣
接するように配置すると、液晶表示装置を駆動する時二
つの信号配線の間に高電圧と低電圧との電圧差に該当す
る電位差がかかる。
【００３４】一方、液晶表示装置を製作及び用いる過
程、特に湿気のある工程及び使用環境中に水分が配線周
囲の端子部に浸透する場合が発生する。
【００３５】水分は自体内にイオン粒子を含有している
が、そのうち陰イオン粒子は高電圧信号配線と低電圧信
号配線との間にかかる電位差によって低電圧信号配線か
ら高電圧信号配線にＡＣＦを電解質として移動する。高
電圧信号配線は陰イオン粒子との電気化学的反応によっ
てその一部が周囲の電解質に溶けて配線オープンが誘発
されるなどの電気分解による損傷を受けるようになる。
【００３６】このような電気分解による配線オープンは
信号伝送用フィルム３００、４００と薄膜トランジスタ
基板２００が付着される部分、特に"Ａ"領域と"Ｂ"領域
に表示されている部分で多く発生する。
【００３７】本発明は電気分解による高電圧信号配線の
損傷を防止するために、陰イオン粒子が高電圧信号配線
に移動することを防止しようとする。
【００３８】これを次の図面を参照してさらに詳しく説
明する。
【００３９】図２は高電圧信号配線と低電圧信号配線と
を隣接するように配置した場合における制御信号部の配
置図を示した図面であり、図３は図２に示した切断線II
I−III'による断面図を示した図面である。
【００４０】ゲート制御信号配線２０１、２０２、２０
３、２０４、２０５が形成されている薄膜トランジスタ
基板２００と、ゲート制御信号リード線３０１、３０
２、３０３、３０４、３０５が形成されているデータ伝
送用フィルム３００とが、導電性粒子２５１と接着剤２
５２からなる異方性導電膜２５０によって接着されてい
る。薄膜トランジスタ基板２００のゲート制御信号配線
２０１、２０２、２０３、２０４、２０５とデータ伝送
用フィルム３００のゲート制御信号リード線３０１、３
０２、３０３、３０４、３０５は導電性粒子２５１によ
って電気的に連結されている。
【００４１】データ伝送用フィルム３００で、２０Ｖ程
度の高電圧、例えばゲートオン電圧を伝送する高電圧信
号リード線３０１の一側には０Ｖ以下の低電圧、例えば
ゲートオフ電圧を伝送する低電圧信号リード線３０２が
形成されており、高電圧信号リード線３０１の他の側に
は３Ｖ程度のゲート共通電圧を伝送する共通電圧リード
線３０３が形成されている。そして、他の種類のゲート
制御信号Ｖ１、Ｖ２を伝送するその他ゲート制御信号リ
ード線３０４、３０５が形成されている。
【００４２】共通電圧はゲートオン電圧に比べて低電圧
になることがあるが、本明細書では共通電圧よりさらに
低い電圧であるゲートオフ電圧を低電圧の一例として説
明する。
【００４３】薄膜トランジスタ基板２００にはこれらリ
ード線３０１、３０２、３０３、４０４、３０５と一対
一に対応して接触する高電圧信号配線２０１、低電圧信
号配線２０２、共通電圧配線２０３及び他のゲート制御
信号配線２０４、２０５が形成されている。
【００４４】液晶表示装置駆動の時、ゲート制御信号は
データ伝送用フィルム３００のリード線３０１、３０
２、３０３、３０４、３０５、薄膜トランジスタ基板２
００の配線２０１、２０２、２０３、２０４、２０５及
びゲート伝送用フィルム（図示せず）のリード線を通じ
てゲート駆動集積回路（図示せず）に入力される。
【００４５】この過程で、ゲートオン電圧を伝送する高
電圧信号リード線３０１及び高電圧信号配線２０１とゲ
ートオフ電圧を伝送する低電圧信号リード線３０２及び
低電圧信号配線２０２の間にはゲートオン電圧とゲート
オフ電圧との差に該当する電位差がかかる。
【００４６】一方、液晶表示装置を製作または使用する
過程、特に湿気のある工程環境乃至使用環境中に水分が
浸透して配線周囲の段差部に集中される。水分は自体内
にイオン粒子を含有しているが、そのうち陰イオン粒子
５００は高電圧信号配線２０１と低電圧信号配線２０２
との間に発生する電位差によって低電圧信号配線２０２
から高電圧信号配線２０１にＡＣＦを電解質として移動
する。高電圧信号配線２０１は陰イオン粒子との電気化
学的反応によってその一部が周囲の電解質に溶けて配線
オープンが誘発される等電気分解による損傷を受ける。
【００４７】しかし、薄膜トランジスタ基板の高電圧信
号配線と低電圧信号配線との間に位置するリード線を有
する制御信号伝送用フィルムを用いる場合、このリード
線は陰イオン粒子が高電圧信号配線に移動することを防
止する障壁役割を果たす。その結果、制御信号伝送用フ
ィルムと薄膜トランジスタ基板に接着される制御信号部
に水分が浸透しても、陰イオン粒子が高電圧信号配線に
到達できなないため高電圧信号配線を溶かすことができ
なくなる。
【００４８】これを次の本発明の実施例を通じて詳細に
説明する。
【００４９】図４は本発明の第１実施例による制御信号
部の配線配置図の一部を示した図面であり、図５は図４
に示した切断線V−V'による断面図を示した図面であ
る。
【００５０】ゲート制御信号配線２０１、２０２、２０
３が形成されている薄膜トランジスタ基板２００とゲー
ト制御信号リード線３０１、３０２、３０３及び高電圧
ダミーリード線３１０、３２０が形成されているデータ
伝送用フィルム３００が導電性粒子２５１と接着剤２５
２からなる異方性導電膜２５０によって接着されてい
る。薄膜トランジスタ基板２００のゲート制御信号配線
２０１、２０２、２０３とデータ伝送用フィルム３００
のゲート制御信号リード線３０１、３０２、３０３は異
方性導電膜２５０内の導電性粒子２５１を通じて電気的
に連結されている。
【００５１】データ伝送用フィルム３００には、ゲート
オン電圧を伝送する高電圧信号リード線３０１、ゲート
オフ電圧を伝送する低電圧信号リード線３０２、ゲート
共通電圧を伝送する共通電圧信号リード線３０３が形成
されており、高電圧信号リード線３０１の両側にはゲー
トオン電圧と同一大きさの電圧を伝送する高電圧ダミー
リード線３１０、３２０が形成されている。
【００５２】そして、薄膜トランジスタ基板２００には
高電圧信号配線２０１、低電圧信号配線２０２及び共通
電圧信号配線２０３が形成されている。これら配線２０
１、２０２、２０３は高電圧信号リード線３０１、低電
圧信号リード線３０２及び共通電圧信号リード線３０３
と一対一対応で接触している。薄膜トランジスタ基板２
００には高電圧ダミーリード線３１０、３２０に対応さ
れる配線は形成されていない。
【００５３】データ伝送用フィルム３００のリード線３
０１、３０２、３０３、３１０、３２０はデータ伝送用
フィルムのための高分子フィルム上にプリント工程によ
って数〜数十μｍの厚さで薄膜トランジスタ基板２００
の信号配線２０１、２０２、２０３より顕著に厚く形成
される。データ伝送用フィルム３００と薄膜トランジス
タ基板２００が異方性導電膜２５０を媒介として熱圧着
によって付着される時、高電圧ダミーリード線３１０、
３２０がある異方性導電膜２５０の接着剤２５２部分は
その組織が厚いリード線３１０、３２０に押されながら
圧着されるが、この時、陰イオン粒子の移動が阻止でき
るほど組織が稠密になる。従って、高電圧ダミーリード
線３１０、３２０はその周辺に存在する陰イオンの移動
を防止する障壁役割を果たす。
【００５４】液晶表示装置を駆動する時、ゲート制御信
号はデータ伝送用フィルム３００のリード線３０１、３
０２、３０３、薄膜トランジスタ基板２００の配線２０
１、２０２、２０３及びゲート伝送用フィルム（図示せ
ず）のリード線（図示せず）を通じてゲート駆動集積回
路（図示せず）に入力される。
【００５５】この過程で、ゲートオン電圧を伝送する高
電圧信号リード線３０１（または、高電圧信号配線２０
１）と高電圧ダミーリード線３１０、３２０は同一な大
きさの電圧を伝送して、高電圧信号リード線３０１（ま
たは、高電圧信号配線３０１）と高電圧ダミーリード線
３１０、３２０との間、つまり高電圧信号配線３０１の
周辺空間は等電位がかかるようになる。また、低電圧信
号リード線３０２（または、低電圧信号配線２０２）に
はゲートオフ電圧のような低電圧を伝送して、低電圧信
号リード線３０２（または、低電圧信号配線２０２）と
高電圧ダミーリード線３１０、３２０との間にはゲート
オン電圧とゲートオフ電圧との差に該当する電位差がか
かる。
【００５６】一方、液晶表示装置を製作または使用する
過程、特に湿気のある工程環境乃至使用環境中に浸透さ
れた水分のうちの陰イオン粒子５００は高電圧ダミーリ
ード線３１０と低電圧信号リード線（または、低電圧信
号配線２０２）の間にかかる電位差によって低電圧信号
配線２０２から高電圧ダミーリード線３１０にＡＣＦを
電解質として移動する。
【００５７】この時、陰イオン粒子５００と高電圧ダミ
ーリード線３１０、３２０の電気化学的反応によって高
電圧ダミーリード線３１０、３２０の一部が周囲の電解
質に溶けることがある。しかし、高電圧ダミーリード線
３１０、３２０が十分に厚いために、充分な陽イオンを
陰イオン粒子に供給できるので殆ど腐食されない。
【００５８】高電圧ダミーリード線３１０、３２０に移
動した陰イオン粒子は高電圧ダミーリード線３１０、３
２０にふさがってそれ以上移動できなくなる。つまり、
高電圧ダミーリード線３１０、３２０は高電圧信号配線
２０１と低電圧信号配線２０２との間に位置し、浸透さ
れた水分内の陰イオン粒子５００が電位差によって高電
圧信号配線２０１に移動することを防止する。
【００５９】また、高電圧信号配線２０１の周辺に浸透
した陰イオン粒子５００は高電圧信号リード線３０１
（または、高電圧信号配線２０１）と高電圧ダミーリー
ド線３１０、３２０との間にかかる等電位によって、高
電圧信号配線２０１の周辺空間で移動方向を失ってフロ
ーティング（floating）する。
【００６０】従って、高電圧信号配線が陰イオン粒子と
電気化学反応を起こす場合は殆どなく、高電圧信号配線
は液晶表示装置駆動時にも、陰イオン粒子による損傷を
受けない。
【００６１】上述した本発明の第１実施例による制御信
号部では、データ制御信号伝送用フィルム３００に形成
された高電圧ダミーリード線３１０、３２０がそれに隣
接する高電圧信号リード線３０１と分離されているが、
高電圧信号リード線３０１の面積を高電圧ダミーリード
線３１０、３２０がある部分にまで拡張させて高電圧信
号リード線３０１と高電圧ダミーリード線３１０、３２
０を一体に形成することができる。この場合、高電圧信
号配線２０１の周辺部に拡張された高電圧信号リード線
３０１が位置するが、陰イオン粒子が拡張された高電圧
信号リード線３０１に移動して高電圧信号リード線３０
１と反応しても、高電圧信号リード線３０１が顕著に大
きくてて広くなったために、充分な陽イオンを陰イオン
粒子に供給できて殆ど腐食されない。
【００６２】一方、本発明の第１実施例による制御信号
部とは異なって、図６及び図７に示した本発明の第２実
施例による制御信号部のように、データ伝送用フィルム
３００の高電圧ダミーリード線３１０、３２０に対応さ
れる高電圧ダミー配線２１０、２２０が薄膜トランジス
タ基板２００に形成することが可能である。この場合に
は、高電圧信号配線２０１の周辺にさらに広い等電位領
域が形成されるという長所がある。
【００６３】この時、高電圧ダミー配線２１０、２２０
は図６に示したように、同一な電圧を伝送する高電圧信
号配線２０１とは連結されないように形成することがで
き、これとは異なって、少なくとも一つの高電圧ダミー
配線が高電圧信号配線２０１に連結されるように形成す
ることもできる。高電圧ダミー配線２１０、２２０が高
電圧信号配線２０１に連結されるように形成する場合に
は、高電圧ダミー配線２１０、２２０は高電圧信号配線
２０１の冗長（redundancy）配線になる。
【００６４】薄膜トランジスタ基板に形成される高電圧
ダミー配線は通常の金属物質、例えばゲート配線または
データ配線形成用導電物質で形成することができる。こ
の時、高電圧ダミー配線は低電圧信号配線を形成する金
属物質より酸化傾向が小さい導電物質、例えば銅系列、
銀系列、クロム系列またはモリブデン系列または窒化ク
ロムまたは窒化モリブデンで形成されるのが電気分解に
あまり影響を受けないので有利である。または、高電圧
ダミー配線がＩＴＯやＩＺＯのように酸化されている導
電物質で形成される場合にも陰イオン粒子による反応を
減らすことができて有利である。
【００６５】データ伝送用フィルム３００の高電圧ダミ
ーリード線３１０、３２０は高電圧信号配線２０１とこ
れに隣接する低電圧信号配線２０２の間に発生する電位
差による電気分解を防止するために形成されるので、低
電圧信号配線２０２が高電圧信号配線２０１の一側にだ
けある場合には低電圧信号配線２０２がある側にだけ高
電圧ダミーリード線を形成することも可能である。
【００６６】上述した本発明の第１及び第２実施例によ
る制御信号部では、ゲートオン電圧を伝送するリード線
を高電圧信号リード線の一例とし、ゲートオフ電圧を伝
送するリード線を低電圧信号リード線の一例とした。し
かし、ゲート制御信号リード線のうち高電圧信号リード
線としてはゲートオン電圧を伝送するリード線以外に電
源電圧（Vdd）を伝送するリード線などが他の例であり
え、低電圧信号リード線としては接地電圧（VGND）を伝
送するリード線などが他の例でありうる。
【００６７】上述した本発明の第１及び第２実施例によ
る制御信号部では、データ伝送用フィルムを使用する制
御信号部を一例として本発明を説明したが、ゲート伝送
用フィルムを使用する制御信号部にも本発明を同一に適
用することができる。
【００６８】上述した本発明の第１及び第２実施例では
ゲート制御信号が入力されるゲート制御信号配線部分に
だけ説明したが、データ制御信号が入力されるデータ制
御信号配線が基板に形成される場合にも本発明を同一に
適用することができる。また、本発明は二つの配線の間
の電圧差と浸透された水分によって発生する電気分解に
よって引き起こされる配線の溶出を防止するための全て
の例に適用が可能である。
【００６９】以下、このような制御信号部の構造を含む
液晶表示装置について説明する。
【００７０】図８は本発明の第３実施例による液晶表示
装置の配置図を示したものであって、図９は図８に示し
た切断線IX−IX'に沿って示した断面図である。
【００７１】本発明の第３実施例による液晶表示装置は
ゲート制御信号部でゲート制御信号を伝送する信号配線
がデータ配線形成用導電物質で形成され、高電圧ダミー
リード線に対応する高電圧ダミー配線を形成しない場合
を例として示した。
【００７２】絶縁基板１０上にゲート電極２２を有する
ゲート線２０、ゲート線２０の一端に連結されるゲート
パッド２１を含むゲート配線２０、２１、２２が形成さ
れている。
【００７３】ゲート線２０は横方向にのびており、ゲー
ト駆動集積回路（図示せず）から出力されるゲート信号
を画素領域に伝達する。ゲート配線２０、２１、２２は
銅系列、アルミニウム系列、クロム系列またはモリブデ
ン系列または窒化クロムまたは窒化モリブデンのような
通常の導電物質で単一膜または多層膜に形成することが
できる。
【００７４】絶縁基板１０上にはゲート配線２０、２
１、２２を覆う窒化シリコンまたは酸化シリコンなどの
ような絶縁物質からなるゲート絶縁膜３０が形成されて
いる。
【００７５】ゲート絶縁膜３０上にはゲート電極２２に
対応する位置に非晶質シリコンからなる半導体層４０が
形成されている。
【００７６】ゲート絶縁膜３０上には縦方向にのびてゲ
ート線２０に交差して画素領域を定義するデータ線６
０、データ線６０の一端に形成されるデータパッド６
１、データ線６０で突出されて半導体層４０に接触する
ソース電極６２、ソース電極６２に対応して半導体層４
０に接触するドレーン電極６３を含むデータ配線６０、
６１、６２、６３が形成されている。
【００７７】また、ゲート絶縁膜４０上にはゲート制御
信号配線２０１、２０２、２０３が形成されている。ゲ
ート制御信号配線２０１、２０２、２０３はゲートオン
電圧のような高電圧を伝送する高電圧信号配線２０１、
ゲートオフ電圧のような低電圧を伝送する低電圧信号配
線２０２及び共通信号電圧を伝送する共通電圧信号配線
２０３を含む。
【００７８】ゲート制御信号配線２０１、２０２、２０
３はゲート制御信号線及びゲート制御信号線の両端に形
成されるゲート制御信号パッドを含む。ゲート制御信号
配線２０１、２０２、２０３はその一端が薄膜トランジ
スタ基板２００の上部面に位置してデータ伝送用フィル
ム３００のリード線３０１、３０２、３０３と接触でき
るように形成されており、他の一端は薄膜トランジスタ
基板２００の左側面に位置してゲート伝送用フィルム４
００のリード線４０１、４０２、４０３と接触できるよ
うに形成されている。
【００７９】このような構造によって、データ伝送用フ
ィルム３００のリード線３０１、３０２、３０３を通じ
て伝えられるゲート制御信号は薄膜トランジスタ基板２
００のゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３及び
ゲート伝送用フィルム４００のリード線４０１、４０
２、４０３を通じてゲート駆動直接回路（図示せず）に
伝達される。
【００８０】データ配線６０、６１、６２、６３とゲー
ト制御信号配線２０１、２０２、２０３は銅系列、アル
ミニウム系列、クロム系列またはモリブデン系列または
窒化クロムまたは窒化モリブデンのような通常の導電物
質で単一膜または多層膜に形成することができる。
【００８１】半導体層４０とソース電極６２との間また
は半導体層４０とドレーン電極６３との間には不純物が
ドーピングされた非晶質シリコンなどからなる抵抗性接
触層５１、５２が介されている。
【００８２】そして、データ配線６０、６１、６２、６
３、ゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３及び半
導体層４０を含む基板の前面には窒化シリコンまたは酸
化シリコンのような絶縁物質からなる保護膜７０が形成
されている。
【００８３】保護膜７０にはドレーン電極６３を露出す
る接触孔７１、データパッド６１を露出する接触孔７
３、ゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３の両端
に位置するパッドを露出する接触孔（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ
３）が各々形成されている。
【００８４】そして、保護膜７０上には接触孔７１を通
じてドレーン電極６３に連結されて画素領域に形成され
る画素電極８０、他の接触孔７２を通じてゲートパッド
２１に連結されるゲート補助パッド８１、他の接触孔７
３を通じてデータパッド６１に連結されるデータ補助パ
ッド８２が形成されている。
【００８５】また、保護膜７０上には接触孔（Ｃ１、Ｃ
２、Ｃ３）を通じてゲート制御信号連結配線２０１、２
０２、２０３の両端に位置するパッドに連結されるゲー
ト制御信号部の補助パッド８３、８５、８７が各々形成
されている。
【００８６】このように形成された薄膜トランジスタ基
板２００にゲート駆動集積回路（図示せず）を実装した
ゲート伝送用フィルム４００とデータ駆動集積回路（図
示せず）を実装したデータ伝送用フィルム３００が異方
性導電膜２５０によって付着されている。
【００８７】データ伝送用フィルム３００にはデータ信
号を伝送するデータ信号リード線３５０と、ゲート駆動
集積回路の駆動を制御するためのゲート制御信号を伝送
するゲート制御信号リード線３０１、３０２、３０３が
形成されている。
【００８８】データ信号リード線３５０は絶縁基板１０
上に形成されたデータパッド８２に電気的に接触し、デ
ータパッド８２に連結されるデータ線６０にデータ信号
を伝達する。そして、ゲート制御信号リード線３０１、
３０２、３０３は絶縁基板１０の上部面上に形成された
ゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３のパッドに
電気的に接触されて、ゲート制御信号連結配線２０１、
２０２、２０３にゲート制御信号を伝達する。
【００８９】また、データ伝送用フィルム３００には薄
膜トランジスタ基板２００との付着時、高電圧信号配線
２０１と低電圧信号配線２０２または他の信号配線２０
３の間に位置する高電圧ダミー信号リード線３１０、３
２０が形成されている。
【００９０】データ伝送用フィルム３００のリード線３
０１、３０２、３０３、３１０、３２０は高分子フィル
ム上にプリント工程によって形成され、数〜数十μｍの
厚さを有するが、薄膜トランジスタ基板２００の数百〜
数千Å厚さの信号配線２０１、２０２、２０３より顕著
に厚い。データ伝送用フィルム３００と薄膜トランジス
タ基板２００が異方性導電膜２５０を媒介として、熱圧
着によって付着される時、高電圧ダミーリード線３１
０、３２０がある異方性導電膜２５０の接着剤２５２部
分はその組織が厚いリード線３１０、３２０に押されな
がら圧着されるが、この時、陰イオン粒子の移動が阻止
できるほど組織が細かくなる。従って、高電圧ダミーリ
ード線３１０、３２０はその周辺に存在する陰イオンの
移動を防止する障壁役割を果たす。
【００９１】また、高電圧ダミーリード線３１０、３２
０は高電圧信号配線２０１の周辺部に等電位をかけるよ
うにするために、高電圧信号配線２０１が伝送する電圧
と同一な大きさの電圧を伝送する。
【００９２】ゲート伝送用フィルム４００には、ゲート
信号を伝送するゲート信号リード線４５０と薄膜トラン
ジスタ基板２００に形成されたゲート制御信号配線２０
１、２０２、２０３からゲート制御信号の伝達を受けて
ゲート駆動集積回路（図示せず）に伝送するゲート制御
信号リード線４０１、４０２、４０３が形成されてい
る。
【００９３】ゲート制御信号リード線４０１、４０２、
４０３は基板の左側面上に形成されたゲート制御信号配
線２０１、２０２、２０３のパッドに電気的に接触され
て、ゲート制御信号配線２０１、２０２、２０３を通じ
てゲート制御信号を受ける。ゲート伝送用フィルム４０
０のゲート制御信号リード線４０１、４０２、４０３を
通じて入ったゲート制御信号はゲート伝送用フィルム４
００上に実装されたゲート駆動集積回路（図示せず）に
入力されてゲート駆動集積回路の駆動を制御する。
【００９４】ゲート信号リード線４５０は薄膜トランジ
スタ基板２００上に形成されたゲートパッド８２に電気
的に接触し、ゲート駆動集積回路から出るゲート信号を
ゲートパッド８１に連結されるゲート線２０にゲート信
号を伝達する。
【００９５】また、ゲート伝送用フィルム４００にはデ
ータ伝送用フィルム３００の高電圧ダミーリード線３１
０、３２０と同一種類の高電圧ダミーリード線４１０、
４２０が形成されている。
【００９６】ゲート伝送用フィルム４００とこれに対応
する薄膜トランジスタ基板２００がなす制御信号部の構
成と動作はデータ伝送用フィルム３００とこれに対応す
る薄膜トランジスタ基板２００がなす制御信号部のそれ
と同一であるので、これに関する説明は省略する。
【００９７】液晶表示装置の駆動時、ゲート制御信号は
データ伝送用フィルム３００のリード線３０１、３０
２、３０３、薄膜トランジスタ基板２００の配線２０
１、２０２、２０３及びゲート伝送用フィルム４００の
リード線４０１、４０２、４０３を通じてゲート駆動集
積回路（図示せず）に入力される。
【００９８】この過程で、ゲートオン電圧を伝送する高
電圧信号リード線３０１（または、高電圧信号配線２０
１）と高電圧ダミーリード線３１０、３２０は同一な大
きさの電圧を伝送して、高電圧信号リード線３０１（ま
たは、高電圧信号配線２０１）と高電圧ダミーリード線
３１０、３２０の間には等電位がかかるようになる。ま
た、低電圧信号リード線３０２（または、低電圧信号配
線２０２）はゲートオフ電圧のような低電圧を伝送し、
低電圧信号リード線３０２（または、低電圧信号配線２
０２）と高電圧ダミーリード線３１０、３２０の間には
ゲートオン電圧とゲートオフ電圧の差異に該当する電位
差がかかる。
【００９９】一方、液晶表示装置を製作または使用する
過程、特に湿気のある工程環境乃至使用環境中に浸透さ
れた水分のうち陰イオン粒子５００は高電圧ダミーリー
ド線３１０と低電圧信号リード線３０２（または、低電
圧信号配線２０２）の間にかかる電位差によって低電圧
信号配線２０２から高電圧ダミーリード線３１０にＡＣ
Ｆを電解質として移動する。
【０１００】この時、陰イオン粒子５００と高電圧ダミ
ーリード線３１０、３２０の電気化学的反応によって高
電圧ダミーリード線３１０、３２０の一部が周囲の電解
質に溶けることができる。しかし、高電圧ダミーリード
線３１０、３２０が十分に厚いために、充分な陽イオン
を陰イオン粒子に供給することができて殆ど腐食されな
い。
【０１０１】高電圧ダミーリード線３１０、３２０に移
動した陰イオン粒子は高電圧ダミーリード線３１０、３
２０にふさがれてそれ以上移動できなくなる。つまり、
高電圧ダミーリード線３１０、３２０は高電圧信号配線
２０１と低電圧信号配線２０２との間に位置して、浸透
した水分内の陰イオン粒子５００が電位差によって高電
圧信号配線２０１に移動することを防止する。
【０１０２】また、高電圧信号配線２０１の周辺に浸透
した陰イオン粒子５００は高電圧信号リード線３０１
（または、高電圧信号配線２０１）と高電圧ダミーリー
ド線３１０、３２０の間にかかる等電位によって、高電
圧信号配線２０１の周辺空間で移動方向を失ってフロー
ティングされる。
【０１０３】従って、高電圧信号配線が陰イオン粒子と
電気化学反応を起こす場合は殆どなく、高電圧信号配線
は液晶表示装置駆動時にも、陰イオン粒子による損傷を
受けない。
【０１０４】上述した本発明の第３実施例による液晶表
示装置では、薄膜トランジスタ基板２００にデータ及び
ゲート伝送用フィルム３００、４００の高電圧ダミーリ
ード線３１０、３２０、４１０、４２０に対応される配
線が形成されない場合を例としたが、図１０と図１１に
示したような本発明の第４実施例による液晶表示装置で
のように、高電圧ダミーリード線３１０、３２０に対応
される高電圧ダミー配線２１０、２２０が薄膜トランジ
スタ基板２００に形成される場合にも本発明を適用する
ことができる。
【０１０５】次に説明する本発明の第４実施例による液
晶表示装置はゲート制御信号配線２０１、２０２、２０
３がデータ配線６０、６１、６２、６３形成用導電物質
で形成され、高電圧ダミー配線２１０、２２０が画素電
極８０形成用導電物質、例えばＩＴＯまたはＩＺＯで形
成された例を示したものである。
【０１０６】図１０は本発明の第４実施例による液晶表
示装置の配置図を示した図面であり、図１１は図１０に
示した切断線XI−XI'に沿って示した断面図である。
【０１０７】本発明の第３実施例による液晶表示装置と
比較して、画面表示部は同一である反面、ゲート制御信
号部の構造は異なる。画面表示部は本発明の第３実施例
で説明した通りであるのでこの部分に関する説明を省略
し、構造が異なるゲート制御信号部についてだけ説明す
る。
【０１０８】絶縁基板２００にゲート絶縁膜３０が形成
されており、ゲート絶縁膜３０上にデータ配線２０、２
１、２２、２３形成用導電物質からなるゲート制御信号
配線２０１、２０２、２０３が形成されている。ゲート
制御信号配線２０１、２０２、２０３はゲート制御信号
線とゲート制御信号線の両端に連結されるゲート制御信
号パッドを含む。
【０１０９】そして、ゲート絶縁膜３０上にはゲート制
御信号配線２０１、２０２、２０３を覆う保護膜７０が
形成されている。
【０１１０】保護膜７０にはゲート制御信号配線２０
１、２０２、２０３の各パッドを露出する接触孔（Ｃ
１、Ｃ２、Ｃ３）が各々形成されている。そして、保護
膜７０上には接触孔（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３）を通じてゲー
ト制御信号配線２０１、２０２、２０３のパッドに連結
されるゲート制御信号補助パッド８５、８３、８７が形
成されている。
【０１１１】また、保護膜７０上にはゲート制御信号配
線２０１、２０２、２０３のうち高電圧信号配線２０１
の両側に位置する高電圧ダミー配線２１０、２２０が形
成されている。高電圧ダミー配線２１０、２２０は異方
性導電膜２５０の導電粒子２５１によってデータ伝送用
フィルム３００の高電圧ダミーリード線３１０、３２０
と電気的に連結されている。この高電圧ダミー配線２１
０、２２０は画素電極８０形成物質、例えばＩＴＯまた
はＩＺＯのような透明導電物質で形成されている。
【０１１２】本発明の第４実施例による液晶表示装置で
のように、高電圧ダミー配線２１０、２２０がＩＴＯや
ＩＺＯで形成される場合には、高電圧ダミー配線２１
０、２２０によって高電圧信号配線２０１が電気分解に
よって損傷を受けることを防止することができる外に、
高電圧ダミー配線２１０、２２０も電気分解による損傷
の恐れが大きくないとの長所がある。
【０１１３】このように、高電圧ダミー配線が形成され
る場合には高電圧ダミー配線２１０、２２０の存在によ
って高電圧信号配線２０１周辺にかかる等電位領域をさ
らに広く形成することができる。この時、高電圧ダミー
配線２１０、２２０は図面に示したように、高電圧信号
配線２０１とは連結されないように形成することもで
き、これとは異なって、少なくとも一つの高電圧ダミー
配線２１０、２２０が高電圧信号配線２０１に連結され
るように形成されるすることもできる。高電圧ダミー配
線２１０、２２０が高電圧信号配線２０１に連結される
ように形成される場合には、高電圧ダミー配線２１０、
２２０が高電圧信号配線２０１の冗長配線になる。
【０１１４】高電圧ダミー配線２１０、２２０は通常の
金属物質、例えばゲート配線またはデータ配線形成用導
電物質で形成されることができる。この時、高電圧ダミ
ー配線２１０、２２０は低電圧信号配線を形成する導電
物質より酸化傾向が小さい導電物質、例えば銅系列、銀
系列、クロム系列またはモリブデン系列または窒化クロ
ムまたは窒化モリブデンで形成されるのが電気分解に影
響をあまり受けないので有利である。また、高電圧ダミ
ー配線がＩＴＯやＩＺＯのように酸化されている導電物
質で形成される場合にも陰イオン粒子による反応を減ら
すことができて有利である。
【０１１５】高電圧ダミー配線２１０、２２０は基板２
００の上部面に位置してデータ伝送用フィルム３００に
連結される部分と基板２００の左側面に位置してゲート
伝送用フィルム４００に連結される部分を連結して一つ
の配線で形成されることができる。
【０１１６】また、高電圧ダミー配線２１０、２２０は
高電圧信号配線２０１とこれに隣接する低電圧信号配線
２０２の間に発生する電位差による電気分解を防止する
ために形成されるものであるので、低電圧信号配線２０
２が高電圧信号配線２０１の一側にだけある場合には低
電圧信号配線２０２がある側にだけ高電圧ダミー配線を
形成することも可能である。
【０１１７】上述した本発明の実施例による液晶表示装
置では、ゲートオン電圧を伝送する配線を高電圧信号配
線の一例とし、ゲートオフ電圧を伝送する配線を低電圧
信号配線の一例とした。しかし、ゲート制御信号配線の
うち高電圧信号配線としてはゲートオン電圧を伝送する
配線以外に電源電圧を伝送する配線などが他の例であり
え、低電圧信号配線としては接地電圧を伝送する配線な
どが他の例であり得る。
【０１１８】上述した本発明の実施例による液晶表示装
置では、薄膜トランジスタ基板２００でゲート制御信号
が入力されるゲート制御信号配線部分だけについて説明
したが、データ制御信号が入力されるデータ制御信号配
線が薄膜トランジスタ基板に形成される場合にも本発明
を同一に適用することができる。また、本発明は二つの
配線の間にかかる電位差によって発生する電気分解に引
き起こされる配線の溶出を防止するための全ての例に適
用が可能である。
【０１１９】本発明の実施例で、データ用伝送フィルム
３００とゲート伝送用フィルム４００に連結されるよう
に形成されるゲート制御信号配線２０１、２０２、２０
３はデータ配線形成用導電物質で形成されたものを例と
したが、ゲート配線形成用導電物質で形成されるものも
可能である。
【０１２０】一方、制御信号部において、伝送用フィル
ムの信号リード線と薄膜トランジスタ基板の信号配線の
重畳構造に関する説明は以下の通りである。
【０１２１】図１２は信号リード線と信号配線の重畳状
態を示す配置図であり、図１３は図１２に示した切断線
XIII-XIII'に沿って示した断面図である。
【０１２２】薄膜トランジスタ基板には、絶縁基板１０
上に第１絶縁膜、例えばゲート絶縁膜３０が形成されて
おり、ゲート絶縁膜３０上には高電圧信号配線２０１及
び高電圧ダミー配線２１０、２２０を含む信号配線２０
１、２１０、２２０が形成されている。そして、信号配
線２０１、２１０、２２０上には第２絶縁膜、例えば保
護膜７０が形成されており、保護膜７０には信号配線２
０１、２１０、２２０の一部を各々露出する接触孔（Ｃ
１、Ｃ２、Ｃ３）が形成されている。保護膜７０上には
それぞれの接触孔（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３）を通じてそれぞ
れの信号配線２０１、２１０、２２０に連結される補助
パッド８５、８６、８７が形成されている。
【０１２３】このような薄膜トランジスタ基板に信号伝
送用フィルム３００を付着する場合に、高電圧信号リー
ド線３０１は高電圧信号配線２０１に接触される。
【０１２４】接触孔を覆う膜は接触孔部分に位置する段
差を有している。このような段差部分を補助パッドが完
全に覆えないために水分が段差部に集中的に分布される
ようになり、さらに、信号配線を損傷させる。従って、
高電圧信号リード線３０１が接触孔（Ｃ１）を十分に覆
うように形成するのが有利である。高電圧信号リード線
３０１は接触孔（Ｃ１）の長さ方向に接触孔（Ｃ１）を
完全に覆うことが有利である。
【０１２５】しかし、高電圧信号リード線３０１が接触
孔（Ｃ１）の幅方向に接触孔（Ｃ１）を完全に覆わなく
てもいい。高電圧信号配線２０１が高電圧信号リード線
３０１に遮らずその側部分が露出されても、高電圧信号
配線２０１の周辺部は等電位がかかるので、陰イオン粒
子は高電圧信号配線２０１に到達しないだけでなく高電
圧信号配線２０１と反応することは殆どないためであ
る。
【０１２６】このようなリード線と信号配線の重畳構造
は高電圧信号リード線と高電圧信号配線の重畳にだけ限
定されず、全てのリード線と信号配線の重畳にその適用
が可能である。図１２と図１３で高電圧ダミーリード線
３１０、３２０と高電圧ダミー配線２１０、２２０が重
なる部分で高電圧ダミーリード線３１０、３２０が接触
孔（Ｃ２、Ｃ３）を長さ方向には全て覆い、幅方向には
一部だけ覆うように位置することを見ることができる。
【０１２７】図１４は信号リード線と信号配線の重畳状
態を示す他の配置図であり、図１５は図１４に示した切
断線XV-XV'に沿って示した断面図である。
【０１２８】薄膜トランジスタ基板には絶縁基板１０上
に第１絶縁膜、例えばゲート絶縁膜３０が形成されてお
り、ゲート絶縁膜３０上には高電圧信号配線２０１が形
成されている。そして、高電圧信号配線２０１上には第
２絶縁膜、例えば保護膜７０が形成されており、保護膜
７０には高電圧信号配線２０１を露出する接触孔（Ｃ
１）が形成されている。そして、保護膜７０上には接触
孔（Ｃ１）を通じて高電圧信号配線２０１に連結される
補助パッド８５が形成されており、補助パッド８５の両
側には高電圧ダミー配線２１０、２２０が形成されてい
る。
【０１２９】このような薄膜トランジスタ基板２００に
信号伝送用フィルム３００を付着する時にも、リード線
が信号配線を露出する接触孔を長さ方向には全て覆って
も幅方向には一部だけを覆うようにすることができる。
【０１３０】図面には高電圧信号リード線３０１が高電
圧信号配線２０１を露出する接触孔（Ｃ１）の内部領域
に位置し、高電圧信号配線２０１の両側部分を露出して
いる。
【０１３１】高電圧ダミー配線２１０、２２０は保護膜
７０上に画素電極形成用導電物質で形成されるものの、
前面が露出されていて高電圧ダミーリード線３１０、３
２０によって幅方向に完全に覆われている。
【０１３２】一方、データ制御信号伝送用フィルム３０
０に形成された高電圧ダミーリード線３１０、３２０が
それに隣接する高電圧信号リード線３０１と分離されて
いるが、高電圧信号リード線３０１の面積を高電圧ダミ
ーリード線３１０、３２０がある部分にまで拡張させて
高電圧信号リード線３０１と高電圧ダミーリード線３１
０、３２０を一体に形成することができる。この場合、
高電圧信号配線２０１の周辺部に拡張された高電圧信号
リード線３０１が位置するが、陰イオン粒子が拡張され
た高電圧信号リード線３０１に移動して高電圧信号リー
ド線３０１と反応しても、高電圧信号リード線３０１が
顕著に大きくて広くなったために、充分な陽イオンを陰
イオン粒子に供給できて殆ど腐食されない。
【０１３３】ゲート制御信号配線２０１、２０２、２０
３を二つ以上の配線に分離して互いに連結される構造で
形成することができる。信号制御配線を二つ以上の配線
に分離して互いに連結される構造で形成する場合には、
一つの配線はゲート配線形成用導電物質で形成され、他
の一つの配線はデータ配線形成用導電物質で形成される
ようにして二つの配線が連結されるようにすることがで
きる。このような信号制御配線の構造は制御信号部での
高電圧ダミー配線にもその適用が可能である。これを図
１６及び図１７を参照して後述する。
【０１３４】図１６はゲート制御信号配線のうち一つの
ゲート制御信号配線の平面構造を示した図面であり、図
１７は図１６に示した切断線XVII-XVII'による断面構造
を示した図面である。
【０１３５】絶縁基板１０上にゲート配線形成用導電物
質からなる第１信号配線２０８が第１方向にのびてい
る。第１信号配線２０８の一端に形成されるパッドはデ
ータ伝送用フィルム３００のリード線に連結できるよう
に基板の上部面に位置する。
【０１３６】絶縁基板１０上にはこのような第１信号配
線２０８を覆う窒化シリコンまたは酸化シリコンなどか
らなるゲート絶縁膜３０が形成されている。
【０１３７】ゲート絶縁膜３０には第１信号配線２０８
のパッドが位置しない他の一端を露出する接触孔３２が
形成されている。
【０１３８】そして、ゲート絶縁膜３０上にはデータ配
線形成用導電物質からなる第２信号配線２０９が第２方
向にのびている。第２信号配線２０９の一端に形成され
るパッドはゲート伝送用フィルム４００のリード線に連
結できるように基板の左側面に位置する。第２信号配線
２０９は接触孔３２を通じて第１信号配線２０８と連結
されていて、データ伝送用フィルム３００からゲート制
御信号を受けてゲート伝送用フィルム４００に伝達す
る。
【０１３９】ゲート絶縁膜３０上には第２信号配線２０
９を覆う窒化シリコンまたは有機膜からなる保護膜７０
が形成されている。
【０１４０】保護膜７０には第２信号配線２０９のパッ
ドを露出する接触孔（Ｃ９）が形成されており、ゲート
絶縁膜３０と共に第１信号配線２０８のパッドを露出す
る接触孔（Ｃ８）が形成されている。
【０１４１】保護膜７０上には接触孔（Ｃ８）を通じて
第１信号配線２０８のパッドに連結される第１信号補助
パッド８８と接触孔（Ｃ９）を通じて第２信号配線８９
のパッドに連結される第２信号補助パッド２０９が形成
されている。
【０１４２】上述した構造を有する制御信号部の上部に
データ伝送用フィルム３００を付着する時には、データ
伝送用フィルム３００のリード線３０８と第１信号補助
パッド８８を対応するように整列させた後、異方性導電
膜２５０を通じた熱圧着工程によってリード線３０８と
第１信号補助パッド８８を付着させる。データ伝送用フ
ィルム３００のリード線３０８と第１信号補助パッド８
８は導電粒子２５１によって電気的に連結される。ま
た、同一方法でゲート伝送用フィルム４００のリード線
４０９と第２信号補助パッド８９を対応するように整列
させた後、異方性導電膜２５０を通じた熱圧着工程によ
ってリード線３０９と第２信号補助パッド８９を付着さ
せる。ゲート伝送用フィルム４００のリード線４０９は
導電粒子２５１によって電気的に連結される。
【０１４３】一方、上述した本発明の実施例で、データ
及びゲート伝送用フィルム３００、４００のリード線３
０１、３０２、３０３、４０１、４０２、４０３と薄膜
トランジスタ基板２００の配線２０１、２０２、２０３
の付着部分はこの部分に浸透する水分量を最少化するた
めに、配線の段差を緩和する構造を有することができ
る。これについて図１８と図１９を参照して次に説明す
る。
【０１４４】図１８は信号配線とリード線が接触する部
分の配線配置構造を示した図面であり、図１９は図１８
に示した切断線XIX−XIX'による断面構造を示した図面
である。信号配線を二重層に形成し、リード線と信号配
線が二つの接触部を通じて連結した場合を示した図面で
ある。
【０１４５】絶縁基板１０上にゲート配線形成用導電物
質からなり、一端にパッドを有する第１信号配線２９が
形成されている。また、ゲート絶縁膜１０上には窒化シ
リコンなどからなる第１信号配線２９を覆うゲート絶縁
膜３０が形成されている。
【０１４６】ゲート絶縁膜３０上にはデータ配線形成用
導電物質からなる第２信号配線６９が形成されている。
第２信号配線６９は第１信号配線２９に重なるように第
１信号配線２９のパターンによって形成され、第１信号
配線２９のパッド部分に至らないように第１信号配線２
９よりは短く形成されている。また、ゲート絶縁膜３０
上には第２信号配線６９を覆う窒化シリコンまたは有機
絶縁物質からなる保護膜７０が形成されている。
【０１４７】保護膜７０には第２信号配線６９のパッド
を露出する接触孔（Ｃ６）が形成されており、ゲート絶
縁膜３０と共に第１信号配線２９のパッドを露出する接
触孔（Ｃ７）が形成されている、
【０１４８】そして、保護膜７０上には二つの接触孔
（Ｃ６、Ｃ７）を通じて第１信号配線２９と第２信号配
線６９に連結される制御信号補助パッド８９が形成され
ている。
【０１４９】このような構造を有する制御信号配線にデ
ータ伝送用フィルム３００を付着する場合には、基板の
信号補助パッド８９とデータ伝送用フィルム３００のリ
ード線３０９を対応されるように整列させた後、異方性
導電膜２５０によって付着する。この時、基板の信号補
助パッド８９とデータ伝送用フィルム３００のリード線
３０９は導伝性粒子２５１によって電気的に連結され
る。
【０１５０】接触部でのこのような配線の構造は段差に
よる接触不良を減らすことができるだけでなく、制御信
号配線の断線を補完することができ、パッド部分に流入
される水分の浸透を最小化することができる。
【０１５１】
【発明の効果】上述したように、本発明では薄膜トラン
ジスタ基板の制御信号配線に対応されて付着される制御
信号伝送用フィルムに、薄膜トランジスタ基板の高電圧
信号配線と低電圧信号配線の間に位置するダミーリード
線を形成することによって、ダミーリード線が工程環境
または使用環境中に浸透する陰イオン粒子が高電圧信号
配線に移動することを防止する。また、このようなダミ
ーリード線は高電圧信号配線が伝送する電圧と同一な大
きさの電圧を伝送して高電圧信号配線周辺部に等電位が
かかるようにし、陰イオン粒子が高電圧配線の周辺部に
フローティングされるようにすることによって陰イオン
粒子が高電圧信号配線に移動することを防止する。この
ように、陰イオン粒子の移動を制御することによって、
電気分解によって高電圧信号配線が損傷を受けることを
防止することができる。この時、信号伝送用フィルムの
リード線で薄膜トランジスタ基板の配線を十分に覆うよ
うに形成する場合、水分が配線部分に浸透することを防
止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】制御信号部を含む液晶表示装置の概略図であ
る。
【図２】高電圧ダミーリード線が形成されない場合の制
御信号部の配線配置図である。
【図３】図２に示した切断線III−III'に沿って示した
断面図である。
【図４】本発明の第１実施例による制御信号部の配線配
置図である。
【図５】図４に示した切断線V−V'に沿って示した断面
図である。
【図６】本発明の第２実施例による制御信号部の配線配
置図である。
【図７】図６に示した切断線VI−VI'に沿って示した断
面図である。
【図８】本発明の第３実施例による液晶表示装置の配置
図である。
【図９】図８に示した切断IX−IX'に沿って示した断面
図である。
【図１０】発明の第４実施例による液晶表示装置の配置
図である。
【図１１】図１０に示した切断線XI−XI'に沿って示し
た断面図である。
【図１２】信号リード線と信号配線の重畳状態を示した
平面図である。
【図１３】図１２に示した切断線XIII−XIII'に沿って
示した断面図である。
【図１４】信号リード線と信号配線の異なる重畳状態を
示した平面図である。
【図１５】図１４に示した切断線XV−XV'に沿って示し
た断面図である。
【図１６】信号配線の異なるパターンを示した平面図で
ある。
【図１７】図１６に示した切断線XVII−XVII'を示した
断面図である。
【図１８】信号配線のパッド部分の異なるパターンを示
した平面図である。
【図１９】図１８に示した切断線XIX−XIX'に沿って示
した断面図である。
【符号の説明】
１０ 絶縁基板 ２０、２１、２２ ゲート配線 ２９ 第１信号配線 ３０ ゲート絶縁膜 ４０ 半導体層 ５１、５２ 抵抗性接触層 ６０、６１、６２、６３ データ配線 ６９ 第２信号配線 ７０ 保護膜 ７１ 接触孔 ８０ 画素電極 ８１ ゲート補助パッド ８２ データ補助パッド ８３、８５、８６、８７ 補助パッド ８８ 第１信号補助パッド ８９ 第２信号補助パッド １００ カラーフィルター基板 １３０ データ線 １４０ ゲート線 ２００ 薄膜トランジスタ基板 ２０１、２０２、２０３、２０４、２０５ ゲート制御
信号配線 ２１０、２２０ 高電圧ダミー配線 ２５０ 異方性導電膜 ２５１ 導電性粒子 ２５２ 接着剤 ３００ データ伝送用フィルム ３０１、３０２、３０３、３０４、３０５ ゲート制御
信号リード線 ３０８、３０９ リード線 ３１０ データ駆動集積回路 ３１０、３２０ 高電圧ダミーリード線 ３５０ データ信号リード線 ４００ ゲート伝送用フィルム ４０１、４０２、４０３ リード線 ４１０ ゲート駆動集積回路 ４５０ ゲート信号リード線 ５００ データ用印刷回路 ５２０ ゲート制御信号連結配線部
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H092 GA50 HA04 HA14 JA24 JB57 KB24 NA12 NA15 NA25 PA06 5C094 AA31 AA32 AA38 AA48 BA03 BA43 CA19 CA24 DA11 DA13 DA15 DB03 DB05 EA01 EA04 EA05 EA10 EB10 FA01 FA02 FB12 FB15 JA08 5G435 AA13 AA14 BB12 CC09 CC12 EE12 EE32 EE33 EE37 EE38 EE40 EE42 HH12 HH14

Claims (39)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】第１信号電圧を伝送する第１信号リード
    線、 前記第１信号電圧より小さい電圧の大きさを有する第２
    信号電圧を伝送する第２信号リード線、 前記第１信号リード線と前記第２信号リード線との間に
    位置するリード線を含む信号伝送用フィルム。
  2. 【請求項２】前記リード線は数μｍから数十μｍの厚さ
    を有する、請求項１に記載の信号伝送用フィルム。
  3. 【請求項３】前記リード線は前記第１信号電圧と同一な
    大きさの電圧を伝送する、請求項１に記載の信号伝送用
    フィルム。
  4. 【請求項４】前記リード線はダミーリード線である、請
    求項１に記載の信号伝送用フィルム。
  5. 【請求項５】基板、 前記基板上に形成される第１信号配線及び第２信号配線
    を含む制御信号配線部、 前記基板に対応するフィルム、前記フィルム上に形成さ
    れ前記第１及び第２信号配線に各々接触する第１及び第
    ２信号リード線及び前記第１信号リード線と前記第２信
    号配線との間に位置するリード線を含む制御信号伝送部
    を含む制御信号部。
  6. 【請求項６】前記第１信号リード線には第１信号電圧を
    伝送し、 前記第２信号リード線には前記第１信号電圧より小さい
    大きさの第２信号電圧を伝送する、請求項５に記載の制
    御信号部。
  7. 【請求項７】前記リード線は数μｍから数十μｍの厚さ
    を有する、請求項５に記載の制御信号部。
  8. 【請求項８】前記それぞれの信号リード線はこれに対応
    する前記それぞれの信号配線に一部分が重畳するように
    接触されている、請求項５に記載の制御信号部。
  9. 【請求項９】前記リード線は前記第１信号電圧と同一な
    大きさの電圧を伝送する、請求項５に記載の制御信号
    部。
  10. 【請求項１０】前記基板に前記リード線に接触する配線
    をさらに含む、請求項５に記載の制御信号部。
  11. 【請求項１１】前記リード線は前記配線に一部分が重畳
    するように接触している、請求項１０に記載の制御信号
    部。
  12. 【請求項１２】前記配線は前記第１信号配線と連結され
    ている、請求項１０に記載の制御信号部。
  13. 【請求項１３】前記配線は前記第１信号配線と絶縁され
    ている、請求項１０に記載の制御信号部。
  14. 【請求項１４】前記配線は前記第２信号配線を形成する
    導電物質より酸化傾向が小さい導電物質で形成される、
    請求項１０に記載の制御信号部。
  15. 【請求項１５】前記配線はＩＴＯまたはＩＺＯで形成さ
    れる、請求項１０に記載の制御信号部。
  16. 【請求項１６】前記第１信号リード線が前記リード線ま
    で拡張されて前記リード線と一体なす、請求項５に記載
    の制御信号部。
  17. 【請求項１７】前記リード線はダミーリード線である、
    請求項５に記載の制御信号部。
  18. 【請求項１８】基板上に形成され、ゲート線、ゲート線
    に絶縁されて交差して画素領域を定義するデータ線、画
    素領域にゲート線とデータ線とに電気的に連結される薄
    膜トランジスタ、画素領域に薄膜トランジスタの一電極
    に連結される画素電極を含む画面表示部、 前記基板の一部に形成される第１信号配線及び第２信号
    配線を含む制御信号配線部、 前記基板に対応するフィルム、前記フィルム上に形成さ
    れ前記第１及び第２信号配線に各々接触される第１及び
    第２信号リード線及び前記第１信号配線と前記第２信号
    配線との間に位置するリード線を含む制御信号伝送部を
    含む液晶表示装置。
  19. 【請求項１９】前記第１信号リード線には第１信号電圧
    を伝送し、 前記第２信号リード線には前記第１信号電圧より小さい
    大きさの第２信号電圧を伝送する、請求項１８に記載の
    液晶表示装置。
  20. 【請求項２０】前記リード線は数μｍから数十μｍの厚
    さを有する、請求項１８に記載の液晶表示装置。
  21. 【請求項２１】前記それぞれの信号リード線はこれに対
    応する前記それぞれの信号配線に一部分が重畳するよう
    に接触されている、請求項１８に記載の液晶表示装置。
  22. 【請求項２２】前記リード線は前記第１信号電圧と同一
    な大きさの電圧を伝送する、請求項１８に記載の液晶表
    示装置。
  23. 【請求項２３】前記制御信号伝送部のフィルムにはデー
    タ駆動集積回路が実装されている、請求項１８に記載の
    液晶表示装置。
  24. 【請求項２４】前記制御信号伝送部のフィルムにはゲー
    ト駆動集積回路が実装されている、請求項１８に記載の
    液晶表示装置。
  25. 【請求項２５】前記第１信号電圧はゲートオン電圧また
    は電源電圧である、請求項１８に記載の液晶表示装置。
  26. 【請求項２６】前記第２信号電圧はゲートオフ電圧また
    は接地電圧である、請求項１８に記載の液晶表示装置。
  27. 【請求項２７】前記リード線はダミーリード線である、
    請求項１８に記載の液晶表示装置。
  28. 【請求項２８】前記基板に前記リード線に接触する配線
    をさらに含む、請求項１８に記載の液晶表示装置。
  29. 【請求項２９】前記リード線は前記配線に一部分が重畳
    するように接触している、請求項２８に記載の液晶表示
    装置。
  30. 【請求項３０】前記配線は前記第２信号配線を形成する
    導電物質より酸化傾向が小さい導電物質で形成される、
    請求項２８に記載の液晶表示装置。
  31. 【請求項３１】前記配線はＩＴＯまたはＩＺＯで形成さ
    れる、請求項２８に記載の液晶表示装置。
  32. 【請求項３２】前記配線は前記ゲート線を形成する物
    質、前記データ線を形成する物質、前記画素電極を形成
    する物質のうちの一つで形成される、請求項２８に記載
    の液晶表示装置。
  33. 【請求項３３】前記基板上に前記配線を覆う絶縁膜、 前記絶縁膜に前記配線の一部を露出する接触孔、 前記接触孔を通じて前記配線に連結される補助パッドを
    さらに含み、 前記リード線は前記接触孔の長さ方向に前記接触孔を十
    分に覆うように前記配線に接触する、請求項２８に記載
    の液晶表示装置。
  34. 【請求項３４】前記リード線は前記接触孔の幅方向に前
    記接触孔の最小限一側辺を覆うように前記配線に接触す
    る、請求項３３に記載の液晶表示装置。
  35. 【請求項３５】前記リード線は前記接触孔の内部領域に
    位置して前記接触孔の両側辺を覆わないように形成され
    る、請求項３３に記載の液晶表示装置。
  36. 【請求項３６】前記基板に連結されるゲート伝送用フィ
    ルムをさらに含み、 前記配線が前記ゲート伝送用フィルムに電気的に連結さ
    れる第１配線と前記制御信号伝送部に電気的に連結され
    る第２配線が接触されている構造で形成される、請求項
    ２３に記載の液晶表示装置。
  37. 【請求項３７】前記第１配線と前記第２配線の接触構造
    は、 前記基板上に前記第１配線が形成され、 前記第１配線を覆う第１絶縁膜、前記第１絶縁膜に前記
    第１配線の一端を露出する第１接触孔をさらに含み、 前記第１絶縁膜上に前記第１接触孔を通じて前記第１配
    線に連結される前記第２配線が形成されている、請求項
    ３６に記載の液晶表示装置。
  38. 【請求項３８】前記第２配線を覆う第２絶縁膜、 前記第２配線のパッドを露出する第２接触孔及び前記第
    １配線のパッドを露出する第３接触孔、 前記第２及び第３接触孔を通じて前記第１配線のパッド
    及び前記第２配線のパッドを各々覆う補助パッドをさら
    に含む、請求項３７に記載の液晶表示装置。
  39. 【請求項３９】前記第１信号配線は、 前記基板上にパッドを含んで形成される下層配線、 前記下層配線上に形成される第１絶縁膜、 前記第１絶縁膜上にパッドを含んで形成される上層配
    線、 前記上層配線を覆う第２絶縁膜、 前記第１及び第２絶縁膜に前記下層配線を露出する第１
    接触孔及び前記第２絶縁膜に前記上層配線を露出する第
    ２接触孔、 前記第１及び第２接触孔を通じて前記下層配線のパッド
    及び前記上層配線のパッドに連結される補助パッドを含
    む、請求項２８に記載の液晶表示装置。
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