JP4561932B2 - 無線icデバイス - Google Patents

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Description

この発明は、電磁波により非接触でデータ通信を行うRFID(Radio Frequency Identification)システムに適用する無線ICデバイスに関するものである。
近年、物品の管理システムとして、誘導電磁界を発生するリーダライタと物品に付された所定の情報を記憶した無線ICデバイスとで非接触通信し、情報を伝達するRFIDシステムが利用されている。
図1はその特許文献1に示されている、ICタグ用アンテナにICタグラベルを装着した非接触ICタグ(RFIDタグ)の例を示す図である。
この非接触ICタグT0は、誘電体基板84の片面に、左右一対の主アンテナ素子81,81と、補助アンテナ素子82と、左右一対の整合部83,83とが形成されてなる。
主アンテナ素子81,81は、導体線がメアンダライン状に形成されたメアンダ型アンテナであって、誘電体基板84に左右対称に配置されている。主アンテナ素子81,81は誘電体基板84の両端エリアを占有していて、これら左右一対の主アンテナ素子81,81間に補助アンテナ素子82が配置されている。
整合部83,83はメアンダライン状に形成された導体線(インダクタ)である。整合部83,83の各一端部はそれぞれ主アンテナ素子81,81の内側端部に接続されていて、この整合部83,83の各他端部に無線ICチップ86が搭載されている。
特開2005−244778号公報
ところが、特許文献1の非接触ICタグには次のような問題点がある。
(a)整合部が主アンテナと同一基板上に隣接して形成されているため、無線タグのサイズが大きくなる。
(b)誘電率の高い物品にタグを貼付すると、物品の誘電率の影響を受けて整合回路部分の周波数特性が変化し、タグの周波数特性が大きく変化してしまう。また、タグを貼付する物品やタグの表面に保護膜等を被覆した場合にも整合部のインピーダンスがずれるため、無線タグの使用状態に合わせて設計する必要がある。
(c)主アンテナ素子の設計自由度を上げるために補助アンテナを使用しているので、タグのサイズが大きくなる。また、整合設計が整合部のみで行われないため、設計パラメータが増えて設計が複雑化する。
(d)主アンテナおよび整合部を配置した大きな基板の小さな実装電極にICチップを実装する必要があるため高精度な実装機が必要になり、さらに、実装位置合わせに時間を要することにより作製時間が長くなるのでタグのコストが高くなる。
(e)主アンテナとICチップとが直流的に導通するように接続されているため、主アンテナから静電気が流入した場合に無線ICチップが破壊されるおそれがある。
そこで、この発明の目的は、全体のサイズを縮小化するとともに設計を容易にし、且つ低コスト化を図った無線ICデバイスを提供することにある。
前記課題を解決するために、この発明の無線ICデバイスは次のように構成する。
(1)無線ICチップと、放射電極を有する放射板と、無線ICチップと放射電極との間のインピーダンス整合をとる整合回路を有する機能基板とを備える。機能基板は、前記放射電極と結合する外部結合電極を有する。整合回路は、機能基板内に構成されたインダクタンス素子および/またはキャパシタンス素子を含む。無線ICチップと機能基板との接続部から無線ICチップ側を見たインピーダンスのリアクタンス成分と、無線ICチップと機能基板との接続部から放射電極側を見たインピーダンスのリアクタンス成分とが共役の関係になるように整合回路を定める。
(2)前記外部結合電極は前記放射電極と電磁界結合するものとする。
(3)前記機能基板は、電極パターンを形成した誘電体層を積層した多層基板で構成する。
(4)前記放射電極は長尺状であり、前記外部結合電極は、前記機能基板を区分する2つの領域をそれぞれ占有する第1・第2の外部結合電極からなり、放射電極の2つの端部を第1・第2の外部結合電極にそれぞれ結合させる。
(5)放射電極は両端部が互いに対向するループ状をなし、その両端部のうち一方端部に前記第1の外部結合電極を結合させ、他方端部に前記第2の外部結合電極を結合させる。
(6)前記放射電極の2つの端部近傍同士を接続する整合用電極と、前記放射電極の2つの端部から前記整合用電極に接続される部分とで補助整合回路部を構成する。
(7)前記インダクタンス素子はループ形状をなし、前記ループ形状の巻回軸は前記放射電極の形成領域と交わるように形成されている請求項1〜6のいずれかに記載の無線ICデバイス。
(8)前記外部結合電極は、前記放射電極と対向して当該放射電極と容量結合する容量結合電極とする。
(9)前記容量結合電極は前記放射板に対向する前記機能基板の面に形成され、前記放射電極は前記機能基板に対向する面に形成され、前記容量結合電極と前記放射電極とが対向した状態で、放射板に機能基板を貼着した構造とする。
(10)前記機能基板の外部結合電極は、機能基板の前記放射板に対向する面以外の面にまで延出形成したものとする。
(11)前記外部結合電極は、前記放射電極と磁界結合するループをなすものとする。
(12)前記インダクタンス素子のうち少なくとも一つは2本の異なる線状電極をそれぞれ隣接させた二重の螺旋形状をなし、それらの一端同士を電気的に接続する。
(13)前記放射電極は、前記機能基板の前記インダクタンス素子と電磁界結合するループをなすものとする。
(14)前記整合回路は、前記機能基板内に構成された素子と前記機能基板上に実装された素子とで構成する。
(15)前記無線ICチップ、前記機能基板、または前記放射板の少なくとも一つを保護膜で覆う。
この発明によれば、次のような効果を奏する。
(1)小型の機能基板上に無線ICチップを搭載することになるので従来のIC実装機等が使用でき、実装コストを低減できる。また、使用する無線ICチップを入出力インピーダンスの異なるものに変更し、RFIDの周波数特性が変わっても、機能基板内の整合回路の設計を変更するだけでよく、設計コストを大幅に低減できる。
(2)無線ICチップおよび機能基板が放射電極から直流的に絶縁されるので、無線ICチップおよび機能基板が静電破壊されることなく、静電気に対する耐性を高めることができる。
(3)多層基板内にインダクタンス素子および/またはキャパシタンス素子を内蔵させることにより、インダクタンス値やキャパシタンス値が安定し、保護膜や取り付け物品などの外部要因によるインピーダンス変化が小さくなる。そのため、取り付ける物品の誘電率に応じた設計変更も不要となる。
(4)機能基板を区分する2つの領域をそれぞれ占有する第1・第2の外部結合電極を設け、長尺状の放射電極の2つの端部が第1・第2の外部結合電極にそれぞれ対向することによって放射電極への給電を容易に行うことができる。
(5)放射電極は両端部が互いに対向するループ状をなし、その両端部で機能回路の外部結合電極と結合することにより、磁界による通信が行え、取り付け物品の誘電率の影響を殆ど受けることがなく、さらに安定した特性が得られる。
(6)放射電極の2つの端部近傍同士を接続する整合用電極と、放射電極の2つの端部から整合用電極に接続される部分とで補助整合回路部を構成することによって、機能基板と放射電極との間で二重にインピーダンスマッチングを行うことになり、広い周波数帯域で整合状態となり広い周波数帯域で高利得が得られる。
(7)前記インダクタンス素子がループ形状をなし、このループ形状の巻回軸が前記放射電極の形成領域と交わるように形成されていることによって、インダクタンス素子には、その巻回軸に平行な方向で放射電極に対して垂直な方向に磁界が発生する。また、放射電極は基材上に形成された平面電極であるので、その電極の周囲に磁界が発生する。そのため、機能基板で発生する磁界ループと放射電極で発生する磁界ループとは鎖交し、インダクタンス素子と放射電極との結合をより強くできる。
(8)機能基板に設ける外部結合電極を、放射電極と容量結合する容量結合電極とすることによって、外部結合電極と放射電極との結合を強くすることができる。また、外部結合電極および放射電極の形状は単純化でき、低コストに構成できる。
(9)放射板に対向する機能基板の面に容量結合電極が形成され、機能基板に対向する面に放射電極が形成され、容量結合電極と放射電極とが対向した状態で、放射板に機能基板が貼着された構造とすることにより、容量結合電極と放射電極とのギャップが小さくなって、そのギャップに生じる容量が大きくなり、容量結合電極と放射電極との結合を強くすることができる。
(10)機能基板の外部結合電極が機能基板の放射板に対向する面以外の面にまで延出形成することにより、半田等の導電性接合材で接合した場合の接合強度を高めて、耐衝撃性を高めることができる。
(11)外部結合電極が放射電極と磁界結合するループをなすものとすることにより、機能基板搭載時にその方向性を無くすことができる。また、機能基板と放射板とを接合する接合材の誘電率の影響を少なくすることができる。
(12)前記インダクタンス素子のうち少なくとも一つは2本の異なる線状電極をそれぞれ隣接させた二重の螺旋形状とすることにより、線路長の違いによりそれぞれ異なる共振周波数を持つことができ、無線ICデバイスとしての使用周波数帯域を広くすることができる。
(13)前記放射電極が機能基板のインダクタンス素子と電磁界結合するループをなすことにより、磁界結合を強くすることができるとともに、短い範囲内に必要なインダクタンス成分を確保できるので、全体に小型化できる。また、放射電極のループ状部分と機能基板側のループ状外部結合電極とが磁界結合するので、放射板に対する機能基板の実装の方向性を無くすことができどの向きに実装しても所定の特性が得られる
(14)前記整合回路を機能基板内に構成された素子と機能基板上に実装された素子とで構成することにより、機能基板上にインダクタンス値の大きなチップインダクタやキャパシタンス値の大きなチップコンデンサを実装して機能基板内の素子値を小さくすることで、機能基板のサイズを小さくすることができる。
(15)無線ICチップ、機能基板、または放射板の少なくとも一つを覆う保護膜を備えることにより、耐環境性を高めることができ、環境による特性変動も抑えられる。
特許文献1に示されている無線ICデバイスの構成を示す図である。 第1の実施形態に係る無線ICデバイスの断面図および主要部の平面図である。 同無線ICデバイスの機能基板を構成する多層基板の分解斜視図である。 無線ICチップを搭載した状態での機能基板の透視斜視図である。 同無線ICデバイスの等価回路図である。 第2の実施形態に係る無線ICデバイスで用いる放射板上の放射電極の形状を示す平面図である。 第3の実施形態に係る無線ICデバイスで用いる放射板上の放射電極の形状を示す平面図である。 第4の実施形態に係る幾つかの無線ICデバイスの主要部の断面図である。 第4の実施形態に係るさらに別の幾つかの無線ICデバイスの主要部の断面図である。 第5の実施形態に係る無線ICデバイスの主要部の断面図である。 第6の実施形態に係る無線ICデバイスの主要部の断面図である。 第6の実施形態に係る別の無線ICデバイスの主要部の断面図である。 第7の実施形態に係る無線ICデバイスの主要部の断面図である。 第8の実施形態に係る無線ICデバイスの主要部の断面図である。 同無線ICデバイスの放射板上の放射電極の構成および機能基板側のループ状外部結合電極の形状を示す図である。 同無線ICデバイスのインピーダンス回路図である。 第9の実施形態に係る無線ICデバイスの主要部の断面図である。 同無線ICデバイスのインピーダンス回路図である。 第10の実施形態に係る無線ICデバイスで用いる電磁結合モジュールの平面図である。
《第1の実施形態》
第1の実施形態に係る無線ICデバイスについて図2〜図5を参照して説明する。
図2(A)は第1の実施形態に係る無線ICデバイスの主要部の断面図、図2(B)はその主要部の平面図である。
図2(A)に示すように、無線ICデバイス300は、無線ICチップ1、機能基板20、および放射板30によって構成している。無線ICチップ1はRFIDタグとしての信号処理を行う回路を備えた半導体チップである。
放射板30は、PETフィルム等を基材31とし、この基材31の上面に放射電極32a,32bを形成したものである。
機能基板20は多層基板21で構成していて、その多層基板21の上面に無線ICチップ1を実装するための実装電極22a,22b等を設けている。また多層基板21の内部には、放射電極32a,32bとの間で容量結合する容量結合電極24a,24bを設けている。この容量結合電極24a,24bは機能基板20の外部結合電極である。また、この容量結合電極24a,24bを含んで、無線ICチップ1と放射板30の放射電極32a,32bとの間でインピーダンス整合を行う整合回路23を設けている。
この機能基板20は、容量結合電極24a,24bが放射電極32a,32bの内側の端部にそれぞれ対向するように接着剤40を介して放射板30に載置している。
無線ICチップ1の実装面には半田もしくはAuなどによるバンプを形成していて、機能基板20の実装電極22a,22b等の部分に実装した状態で無線ICチップ1と機能基板20との間にアンダーフィルが充填されるようにしている。
図2(B)は放射板30の上面に形成した放射電極32a,32bの形成領域部分の平面図である。但し、無線ICチップ1およびその実装電極22a,22b等は省略している。図2(B)に示すように機能基板20の容量結合電極24a,24bは機能基板20を区分する2つの領域を占有するように形成している。放射電極32a,32bは長尺状であり、2つの容量結合電極24a,24bが放射電極32a,32bの内側の端部にそれぞれ対向するように、放射板30上に機能基板20を配置している。
このようにして無線ICチップは機能基板20を介して放射電極32a,32bに給電することにより、放射電極32a,32bはダイポールアンテナとして作用する。
上記無線ICチップ1、機能基板20、および放射板30によって無線ICデバイス300を組み立てる手順としては幾つかあるが、無線ICチップ1を機能基板20に実装したものを先ず電磁結合モジュールとして構成し、この電磁結合モジュールを放射板30に実装する方法がよい。比較的小さな機能基板20に対する無線ICチップ1の実装には通常の半導体チップの実装方法が適用できる。また、電磁結合モジュールの状態であれば、比較的大きな放射板30に対してそれを接着剤40を介して容易に取り付けられる。
図3は上記機能基板20を構成する多層基板21の分解斜視図である。但し、この例では無線ICチップ1を含めて示している。多層基板21は誘電体層21a,21b,21c,21d,21e,21f,21gからなり、誘電体層21aには無線ICチップ1を実装するための実装電極22a,22b,22c,22dを形成している。誘電体層21b〜21fにはインダクタ電極23a〜23eを形成している。また誘電体層21b〜21dにはインダクタ電極23f〜23hを形成している。また誘電体層21gには容量結合電極24a,24bを形成している。そして、各誘電体層の層間は図に示すようにビアホールを介して接続している。
図4は無線ICチップ1を搭載した状態での機能基板20の透視斜視図である。機能基板20を構成する多層基板内には上記インダクタ電極23a〜23eによるインダクタとインダクタ電極23f〜23hによるインダクタとを構成している。
図5は上記無線ICチップ、機能基板、および放射板の等価回路図である。図5に示すように機能基板内の整合回路23は放射板、キャパシタC1,C2、およびインダクタL1,L2で構成している。ここでインダクタL1は図3・図4に示したインダクタ電極23a〜23eによるインダクタ、インダクタL2はインダクタ電極23f〜23hによるインダクタである。またキャパシタC1,C2は図2に示した容量結合電極24a,24bと放射電極32a,32bとの間に構成されるキャパシタである。
無線ICチップと機能基板との接続部から無線ICチップ側を見たインピーダンスはRIC+jXICである。また機能基板と放射板との接続部から放射板の放射電極を見たインピーダンスはRant+jXantである。機能基板の整合回路23は、例えばUHF帯などの周波数範囲内もしくはその近傍で無線ICチップと機能基板との接続部から放射板(放射電極)を見たインピーダンスをR1+jX1とした場合に、XICとX1とが共役の関係、すなわちX1 = −XICになるように回路定数を定めている。
これにより機能基板の整合回路23は無線ICチップと放射板(放射電極)とのインピーダンスマッチングを行う。もちろんRIC=R1の関係になれば、すなわちRIC+jXICとR1+jX1とが複素共役の関係になれば完全にインピーダンスマッチングすることになるが、実数部を等しく(RIC=R1)にすることは現実には困難であるため、少なくともリアクタンス成分を共役関係とする。このインピーダンス整合には実数部より虚数部成分の整合性が重要である。
このように第1の実施形態によれば、無線ICチップ1を機能基板20に実装してなる電磁結合モジュールの容量結合電極24a,24bを、放射電極32a,32bを形成した放射板30に対して離間して実装した構造であるので、上記電磁結合モジュールと放射電極32a,32bとは直流的に絶縁状態でありESD(electro-static discharge;静電気放電)特性に優れる。
また、無線ICチップ1と放射板30との間に配置される、多層基板21からなる機能基板20内に整合回路23を構成したため、すなわち放射板側にインピーダンス整合回路を設ける必要がないので、放射板30への放射電極32a,32bの形成面積を小さくできる。そのため全体に小型化できる。
また、整合回路23を多層基板21の内部に構成したので、この無線ICデバイス300を誘電率の高い物体に貼着しても整合回路の特性変化が小さく、無線ICデバイスの周波数特性の変化が小さい。そのため貼着すべき物品ごとに無線ICデバイスの設計を行うといったことが不要となる。さらに、多層基板を用いて整合回路23を構成したので、一面のパターンでは形成困難な複雑な整合回路を構成でき、インピーダンスの整合性を高めて高利得な無線ICデバイスが構成できる。
《第2の実施形態》
図6は第2の実施形態に係る無線ICデバイスにおける放射板上面の主要部の電極パターンを示す平面図である。放射板の上面には長尺状の放射電極32a,32bを形成するとともに、それらの内側の端部から所定距離離れた部分同士を接続する整合用電極34を形成している。
放射電極32a,32bの内側の端部付近には、図2(B)に示した場合と同様に機能基板の容量結合電極24a,24bが対向するように機能基板20を実装する。なお、機能基板の上面に搭載する無線ICチップについては図示を省略している。
2つの放射電極32a,32bの内側の端部から整合用電極34までの部分と整合用電極34とによって補助整合回路部35を構成している。このように2つの放射電極32a,32bの所定部分同士を整合用電極34で接続することによって、無線ICチップは機能基板20を介してダイポールアンテナにタップ給電を行うことになる。このタップ給電を行う部分で補助整合回路部35が機能基板20と放射電極32a,32bとの間で二重にインピーダンスマッチングを行うことになり、広い周波数帯域で整合状態となり広い周波数帯域で高利得が得られる。すなわちタップ給電を行う部分で補助整合回路部35が形成されるが、面積の都合上、放射板上に大きなインダクタは形成できない。また、キャパシタや配線がクロスオーバーするような回路を形成することも困難である。しかし機能基板を使用すれば、インダクタの形成や、容量およびクロスオーバー配線なども形成することができ、上述したとおり広い周波数帯域で整合状態となり広い周波数帯域で高利得が得られる。
《第3の実施形態》
図7は第3の実施形態に係る無線ICデバイスにおける放射板上面の主要部の電極パターンを示す平面図である。放射板の上面にはループ状放射電極36を形成している。このループ状放射電極36は、その両端部を互いに対向するとともに所定の領域を周回するように形成している。このループ状放射電極36の互いに対向する両端部に機能基板20の容量結合電極24a,24bが対向するように機能基板20を実装する。
機能基板20に無線ICチップを搭載してモジュールを構成している点、および機能基板20の構成については第1・第2の実施形態と同様である。
このようにして無線ICチップは機能基板20を介して放射電極32a,32bに給電を行うことにより、放射電極32a,32bは磁界アンテナとして作用し、無線ICデバイスのリーダライタアンテナとの間で磁界での通信が可能となる。
《第4の実施形態》
図8・図9は第4の実施形態に係る幾つかの無線ICデバイスの構成を示す断面図である。これらの図において放射板30および無線ICチップ1の構成については第1〜第3の実施形態の場合と同様である。この第4の実施形態では機能基板に構成する整合回路の幾つかの例について示すものである。
図8(A)の例では、機能基板120にインダクタL1,L2,L3および容量結合電極24a,24bによって整合回路を構成している。図5に示した例では実装電極22bとキャパシタC2との間をスルー接続していたが、この整合回路によれば、そのスルー接続部分にインダクタL3を設けているので、インダクタL1〜L3のそれぞれのインダクタンス値を小さくすることができ、多層基板内へのインダクタの構成が容易になる。
図8(B)の例では、機能基板121にインダクタL1,L3および容量結合電極24a,24bによって整合回路を構成している。この例では容量結合電極24a−24b間のシャントのインダクタを設けていないので、微小なインピーダンス変換を容易に行うことができる。すなわち上記シャントのインダクタは、そのインダクタンス値が小さいとインピーダンス整合回路のインピーダンスを大きく変えてしまうが、この例ではシャントのインダクタがないのでその問題が生じない。
図8(C)の例では、機能基板122にインダクタL3および容量結合電極24a,24bによって整合回路を構成している。この例では単一のインダクタL3を設けるだけであるので構成が容易である。
図8(D)の例では、機能基板123にインダクタL11,L12,L21,L31,L32および容量結合電極24a,24bによって整合回路を構成している。この例ではインダクタL12,L32を付加しているので、その分、放射電極32a,32bのインダクタンス値を小さくすることができ、放射電極の小型化が図れる。
図9(A)の例では、機能基板124にインダクタL21,L31,L32および容量結合電極24a,24bによって整合回路を構成している。この例では図8(D)に示したインダクタL11,L12を省略した構造であるので図8(D)に示した特徴を有しながらインダクタの数を減らした分、容易に構成できるようになる。
図9(B)の例では、機能基板125にインダクタL11,L21,L32および容量結合電極24a,24bによって整合回路を構成している。この例では図9(A)に示したインダクタL31の位置を変えたものであり、図9(A)と同様の効果を有しながら多層基板内での配線が容易になる。
図9(C)の例では、機能基板126にキャパシタC11,C31、インダクタL22,L23および容量結合電極24a,24bによって整合回路を構成している。この例では直列に接続したキャパシタC11,C31を含む整合回路とすることよって、インピーダンスが容量性の放射電極(アンテナ)と、インピーダンスが容量性の無線ICチップ1との間で広い周波数範囲に亘ってインピーダンスマッチングを取ることができる。
図9(D)の例では、機能基板127にインダクタL22,L23、キャパシタC31および容量結合電極24a,24bによって整合回路を構成している。この例では図9(C)に示したキャパシタC11,C31を1つのキャパシタC31にまとめたものであるので、図9(C)と同様の効果を有しながら、多層基板内でのパターン形成が容易となる。
上記機能基板120〜127に示した整合回路のいずれも、無線ICチップと機能基板との接続部から無線ICチップ側を見たインピーダンスのリアクタンス成分と、無線ICチップと機能基板との接続部から放射電極側を見たインピーダンスのリアクタンス成分が共役の関係となるように回路定数を定めている。このように整合回路は少なくとも1つのインダクタンス素子を含み、必要に応じて少なくとも1つのキャパシタンス素子を設ける。
《第5の実施形態》
図10は第5の実施形態に係る無線ICデバイスの主要部の断面図である。
図10に示すように、機能基板20の上面に無線ICチップ1を搭載し、この機能基板20の上面で無線ICチップ1の全体を樹脂41で覆うとともにその上面を平坦にしている。その他の構成は第1の実施形態で示したものと同様である。
このように機能基板20に対して無線ICチップ1を搭載した電磁結合モジュールを放射板30に実装する際に電磁結合モジュールの吸引チャッキングが容易となる。また無線ICチップ1が樹脂41の内部に埋設されることになり、無線ICチップ1の耐環境性が高まる。
なお、無線ICチップ1以外に、機能基板20または放射板30に保護膜を形成してもよい。さらに、これらの全体に保護膜を形成してもよい。このことは他の実施形態についても同様である。
《第6の実施形態》
図11および図12は第6の実施形態に係る無線ICデバイスの主要部の断面図である。
図11に示す例では、機能基板128を多層基板21で構成するとともに、多層基板21の下面に露出するように容量結合電極224a,224bを形成している。
この容量結合電極224a,224bは32a,32bの内側の端部に対して絶縁性接着剤40を介して近接した状態で対向することになり、その間に大きなキャパシタンスを生じさせることができる。
図12に示す例では、機能基板129の下面から側面にかけて外部結合電極225a,225bを形成している。そして放射板30の放射電極32a,32bに対して半田等の導電性接合材42を介して接合している。
この構成により機能基板129の外部結合電極225a,225bと放射板30の放射電極32a,32bとを直接導通させることができる。また半田付けの接合面積を稼ぐことによって機械的な強度を増すことができる。
《第7の実施形態》
図13は第7の実施形態に係る無線ICデバイスの主要部の断面図である。図13において機能基板220は多層基板で構成し、その内部に電極によるインダクタおよび容量結合電極を構成するとともに、上面に個別部品であるチップインダクタ51を搭載している。この機能基板220の内部の電極による素子と外部のチップ部品による素子とによって整合回路を構成している。
このような構成によって、機能基板上にインダクタンス値の大きなチップインダクタやキャパシタンス値の大きなチップコンデンサを実装して機能基板内の素子値を小さくすることで、機能基板のサイズを小さくすることができる。
《第8の実施形態》
第8の実施形態に係る無線ICデバイスについて図14〜図16を参照して説明する。
図14はその無線ICデバイスの主要部の断面図である。放射板130は基材31の上面に放射電極32a,32b,32cを形成している。機能基板221の内部にはループ状外部結合電極226を構成していて、このループ状外部結合電極226が放射電極32cと磁界結合するように、機能基板221と無線ICチップ1からなる電磁結合モジュールを放射板130に実装している。
図15は、図14に示した放射板130の上面に形成した放射電極と機能基板221に形成したループ状外部結合電極の平面図である。放射電極32a,32bは長尺状をなし、この2つの放射電極32a,32b同士をループ状の放射電極32cで接続している。機能基板側のループ状外部結合電極226はループ状の放射電極32cとほぼ同じサイズで複数回巻回した螺旋状に形成している。
このようにインダクタンス素子であるループ状外部結合電極226はループ形状(複数周回の螺旋形状)をなし、このループ形状の巻回軸が放射電極32cの形成領域と交わるように形成されていることによって、ループ状外部結合電極226には、その巻回軸に平行な方向で放射電極に対して垂直な方向に磁界が発生する。また、放射電極32cの周囲(内外)に磁界が発生する。そのため、機能基板221で発生する磁界ループと放射電極32cで発生する磁界ループとが鎖交し、ループ状外部結合電極226と放射電極32cとの結合をより強くできる。
なお、図14・図15に示した例では、ループ状の放射電極32cを設けたが、ループを成さず、例えばダイポール状の電極であっても、上記ループ状外部結合電極226の磁束が放射電極の周囲を通って磁界結合するので、ループ状の放射電極の場合と同様に強く結合させることができる。
また、図14・図15に示した例では、螺旋状のループ状外部結合電極226を設けたが、この結合電極は必ずしも螺旋状である必要はなく、ほぼ1周回のループ状であってもよい。
図16は上記無線ICチップ、機能基板、および放射板のインピーダンス回路図である。図16(A)において放射板側のインダクタLaは放射電極32c部分のインダクタである。また機能基板側のインダクタLbはループ状外部結合電極226によるインダクタである。無線ICチップ1の一方の端子にはさらに直列にインダクタLcを接続している。
図16(A)に示した磁界結合するインダクタLa−Lb間の相互インダクタンスをMで表すと、図16(B)のような回路に変形できる。この図16(B)に示した回路でXICとX1とが共役の関係となるように、図16(A)のインダクタLa,Lb,Lcを定める。
このようにして放射電極32cのインダクタも含めて整合回路とすることによって、放射電極32a,32bによるアンテナと無線ICチップとの間のインピーダンスマッチングをとることができる。
この第8の実施形態によれば、放射板側の放射電極32cおよび機能基板側のループ状外部結合電極226が共にループ状であるので、機能基板221と無線ICチップ1によるモジュールの、放射板130に対する実装の方向性の影響が小さい。すなわちどの向きに実装しても所定の特性が得られる。
《第9の実施形態》
図17は第9の実施形態に係る無線ICデバイスの主要部の断面図である。この例では機能基板222に、放射板130のループ状の放射電極32cと磁界結合する二重螺旋外部結合電極227を構成している。
この二重螺旋外部結合電極227は、2本の異なる線状電極をそれぞれ隣接させるとともに二重の螺旋形状をなし、それらの一端同士を電気的に接続したものである。放射板130上の放射電極のパターンは図15に示したものと同様である。
図18は、図17に示した無線ICデバイスのインピーダンス回路図である。機能基板内のインダクタLb1,Lb2は二重螺旋外部結合電極227によるインダクタである。またキャパシタCa,Cbはいずれも機能基板222の多層基板内に構成したキャパシタである。放射板のインダクタLaはループ状の放射電極32cによるインダクタである。このインダクタLaは二重螺旋外部結合電極によるインダクタLb1,Lb2と磁界結合する。
無線ICチップと機能基板との接続部から無線ICチップ側を見たインピーダンスのリアクタンス成分XICと無線ICチップと機能基板との接続部から放射電極(32a,32b)側を見たインピーダンスのリアクタンス成分X1とが共役となるように機能基板内の整合回路の回路要素の定数を定めている。
このように外部結合電極を二重螺旋形状とすることによって放射電極との結合度が高めることができ、また二重螺旋外部結合電極の2つの線路の線路長の違いにより、それぞれ異なる共振周波数を持たせることができ、無線ICデバイスとしての使用周波数帯域を広くすることができる。
《第10の実施形態》
図19は第10の実施形態に係る無線ICデバイスで用いる機能基板の構成を示す平面図である。この例では機能基板223の上面にのみ電極パターンを形成している。図に示すように機能基板223の上面に二重螺旋外部結合電極228を形成するとともに、その内側の両端部を無線ICチップ1の実装電極22a,22bとして形成している。また実装電極22a,22bの近傍に他の実装電極22c,22dを形成している。これらの実装電極22a〜22dに無線ICチップ1を実装することによって電磁結合モジュールを構成する。
放射板側の放射電極の構成は図15に示したものと同様であり、図19に示した電磁結合モジュールを図15に示したようにループ状の放射電極32cに対向するように配置する。これにより二重螺旋外部結合電極228はループ状の放射電極に電磁結合する。このようにして多層基板を用いることなくインピーダンス整合回路を構成することもできる。
なお、以上に示した各実施形態では各種の典型的な例について示したが、各実施形態の構成を組み合わせて、本発明の特許請求の範囲の各請求項に記載の無線ICデバイスを構成することもできる。

Claims (15)

  1. 無線ICチップと、
    放射電極を有する放射板と、
    前記無線ICチップと前記放射電極との間のインピーダンス整合をとる整合回路を有する機能基板とを備え、
    前記機能基板は前記放射電極と結合する外部結合電極を有し、
    前記整合回路は、前記機能基板内に構成されたインダクタンス素子および/またはキャパシタンス素子を含み、
    前記無線ICチップと前記機能基板との接続部から前記無線ICチップ側を見たインピーダンスのリアクタンス成分と、前記無線ICチップと前記機能基板との接続部から前記放射電極側を見たインピーダンスのリアクタンス成分とが共役の関係になるように前記整合回路を定めた無線ICデバイス。
  2. 前記外部結合電極は前記放射電極と電磁界結合する、請求項1に記載の無線ICデバイス。
  3. 前記機能基板は、電極パターンを形成した誘電体層を積層した多層基板で構成した請求項1または2に記載の無線ICデバイス。
  4. 前記放射電極は長尺状であり、前記外部結合電極は、前記機能基板を区分する2つの領域をそれぞれ占有する第1・第2の外部結合電極からなり、前記放射電極の2つの端部が前記第1・第2の外部結合電極にそれぞれ結合する請求項1〜3のいずれかに記載の無線ICデバイス。
  5. 放射電極は両端部が互いに対向するループ状をなし、その両端部のうち一方端部に前記第1の外部結合電極が結合し、他方端部に前記第2の外部結合電極が結合する請求項1〜3のいずれかに記載の無線ICデバイス。
  6. 前記放射電極の2つの端部近傍同士を接続する整合用電極と、前記放射電極の2つの端部から前記整合用電極に接続される部分とで補助整合回路部を構成する、請求項1〜5のいずれかに記載の無線ICデバイス。
  7. 前記インダクタンス素子はループ形状をなし、前記ループ形状の巻回軸は前記放射電極の形成領域と交わるように形成されている請求項1〜6のいずれかに記載の無線ICデバイス。
  8. 前記外部結合電極は、前記放射電極と対向して当該放射電極と容量結合する容量結合電極である請求項1〜7のいずれかに記載の無線ICデバイス。
  9. 前記容量結合電極は前記放射板に対向する前記機能基板の面に形成され、前記放射電極は前記機能基板に対向する面に形成され、前記容量結合電極と前記放射電極とが対向した状態で、前記放射板に前記機能基板を貼着した請求項8に記載の無線ICデバイス。
  10. 前記機能基板の外部結合電極は、前記機能基板の前記放射板に対向する面以外の面にまで延出形成されている請求項8に記載の無線ICデバイス。
  11. 前記外部結合電極は、前記放射電極と磁界結合するループをなす請求項1〜3のいずれかに記載の無線ICデバイス。
  12. 前記インダクタンス素子のうち少なくとも一つは2本の異なる線状電極をそれぞれ隣接させた二重の螺旋形状をなし、それらの一端同士が電気的に接続されている請求項11に記載の無線ICデバイス。
  13. 前記放射電極は、前記機能基板の前記インダクタンス素子と電磁界結合するループをなす請求項11または12に記載の無線ICデバイス。
  14. 前記整合回路は、前記機能基板内に構成された素子と前記機能基板上に実装された素子とで構成されている請求項1〜13のいずれかに記載の無線ICデバイス。
  15. 前記無線ICチップ、前記機能基板、または前記放射板の少なくとも一つを覆う保護膜を備えた請求項1〜14のいずれかに記載の無線ICデバイス。
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