JP4536610B2 - 半導体試験装置 - Google Patents
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Description
また、上述したクロック生成手段は、クロック信号を生成するPLLシンセサイザと、位相差出力手段の出力値に応じた電圧をPLLシンセサイザ内の電圧制御発振器に印加する制御電圧に重畳する加算手段とを備えることが望ましい。これにより、第1の信号線路と第2の信号線路との差に相当する位相差を維持するようにクロック信号の発生タイミングを設定することができるため、この位相差に応じた値を安定した状態で取得することが可能になる。
最初に、位相比較器122、電圧制御型発振器128、分周器130、132によって構成される制御ループ(周波数シンセサイザ)を用いて再生クロック信号を生成する基本動作について説明する。例えば、モード信号Mがローレベルに設定されており、カウンタ136の出力値がアンド回路138によってマスクされているものとする。また、加算器140に入力されるオフセットデータも0の場合を考えるものとする。すなわち、デジタル−アナログ変換器142の出力電圧が0Vであって、加算器124では、位相比較器122の出力電圧がそのままローパスフィルタ126に入力されているものとする。
次に、DUT200から出力されるデータに同期した再生クロック信号を生成する動作について説明する。このような再生クロック信号を生成する場合には、モード信号Mがハイレベルに設定される。
上述した可変遅延回路144の遅延量の設定は、再生クロック信号の周波数を変更する毎に行う必要がある。これは、2つの信号線路の時間差Tdに対応する遅延量の設定を、再生クロック信号の周期の整数倍を超えた時間長に相当する値について行ったためである。すなわち、ある周波数f1の再生クロック信号に対応する可変遅延回路144の遅延量ΔTがわかっても、この周波数をf1からf2に変更してしまうと、この変更後の周波数f2の再生クロック信号に対応する可変遅延回路144は、この遅延量ΔTからは求まらないため、最初から設定動作をやり直す必要がある。これでは、再生クロック信号の周波数を頻繁に変えたい場合等においては、その都度可変遅延回路144の遅延量を設定するための動作(キャリブレーション動作)が必要になって再生クロック信号の発生タイミングを調整する手間やそのための時間がかかることになる。
Td=TCL2・x2+P2 …(2)
前提条件として、
(a)x2=x1またはx2=x1−1となるように再生クロック信号CLK2の周波数を設定する。
(b)TCL2>TCL1かつTCL2・(x1−1)<TCL1・x1となるように再生クロック信号CLK2の周波数を設定する。
2つの信号線路の線路長の差である絶対遅延量Tdはある程度設計時に決まるものであるため、これら2つの前提条件(a)、(b)を満たすように再生クロック信号CLK1、CLK2を設定することは容易である。
となる。(1)〜(3)式からx1を求めると、以下のようになる。
また、取得した2つの位相差データP1、P2の間に、P1>P2の関係があるとき、 x2=x1 …(5)
となる。(1)、(2)、(5)式からx1を求めると、以下のようになる。
このようにして、x1が決まるため、(1)式を用いて絶対遅延量Tdを算出することができる。
110 基準クロック源
120 クロック生成回路
122、134 位相比較器(PD)
124、140 加算器
126 ローパスフィルタ(LPF)
128 電圧制御型発振器(VCO)
130、132 分周器
136 カウンタ
138 アンド回路
142 デジタル−アナログ変換器(D/A)
144、152 可変遅延回路
150 レベルコンパレータ
154 タイミングコンパレータ
156 論理比較器
158 良否判定部
160 遅延量設定回路
162 クロック可変部
164 位相差データ取得部
166 絶対遅延量算出部
168 絶対遅延量格納部
170 遅延量設定部
Claims (8)
- 被測定デバイスから出力されたデータを受信する受信手段と、
前記被測定デバイスから出力されたデータに同期したクロック信号を生成するクロック生成手段と、
前記被測定デバイスから前記受信手段までの第1の信号線路と、前記被測定デバイスから前記クロック生成手段までの第2の信号線路との差に対応する信号の伝搬時間を絶対遅延量として算出する絶対遅延量算出手段と、
前記クロック生成手段によって生成する前記クロック信号の周波数あるいは周期に応じてこのクロック信号の1周期未満の遅延量を設定して、前記クロック生成手段による前記クロック信号の発生タイミングの調整を指示する遅延量設定手段と、
を備えることを特徴とする半導体試験装置。 - 請求項1において、
第1の周波数あるいは第1の周期を有する第1のクロック信号を前記クロック生成手段で生成したときに発生する前記データの出力タイミングと前記第1のクロック信号の発生タイミングとの間の位相差を示す第1の位相差データP1と、前記第1の周波数あるいは前記第1の周期と異なる第2の周波数あるいは第2の周期を有する第2のクロック信号を前記クロック生成手段で生成したときに発生する前記データの出力タイミングと前記第2のクロック信号の発生タイミングとの間の位相差を示す第2の位相差データP2とを取得する位相差データ取得手段をさらに備え、
前記絶対遅延量算出手段は、前記位相差データ取得手段によって取得された前記第1および第2の位相差データP1、P2と、前記第1および第2の周波数あるいは前記第1および第2の周期とに基づいて前記絶対遅延量を算出することを特徴とする半導体試験装置。 - 請求項1または2において、
前記絶対遅延量算出手段によって算出された絶対遅延量を不揮発性メモリによって構成される絶対遅延量格納手段に格納することを特徴とする半導体試験装置。 - 請求項2において、
前記被測定デバイスから出力されるデータが一方の入力端子に、前記クロック生成手段によって生成される前記第1および第2のクロック信号が他方の入力端子にそれぞれ入力され、これら2つの入力端子に入力された信号の位相差を検出する位相比較手段と、
前記位相比較手段によって検出された位相差に対応する値を出力する位相差出力手段と、
をさらに備えており、前記位相差データ取得手段は、前記位相差出力手段の出力値に基づいて前記第1および第2の位相差データを取得することを特徴とする半導体試験装置。 - 請求項4において、
前記位相差出力手段は、前記位相比較手段によって検出された位相差に応じたアップカウント動作あるいはダウンカウント動作を行うカウンタによって構成されており、前記位相差に応じたカウント値を出力することを特徴とする半導体試験装置。 - 請求項4または5において、
前記クロック生成手段は、前記クロック信号を生成するPLLシンセサイザと、前記位相差出力手段の出力値に応じた電圧を前記PLLシンセサイザ内の電圧制御発振器に印加する制御電圧に重畳する加算手段とを備えることを特徴とする半導体試験装置。 - 請求項2において、
前記絶対遅延量算出手段は、前記第1および第2の位相差データP1、P2の大小比較を行い、この比較結果に応じて前記絶対遅延量を算出することを特徴とする半導体試験装置。 - 請求項2において、
前記絶対遅延量算出手段は、前記第1および第2の位相差データP1、P2の大小比較を行い、この比較結果に応じて、前記絶対遅延量を前記第1あるいは第2のクロック信号の周期で割った商を求めることにより、前記絶対遅延量を算出することを特徴とする半導体試験装置。
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