JP4530137B2 - 精密電子部品封止・シール用オルガノポリシロキサン組成物、精密電子部品の腐蝕防止又は遅延方法、並びに銀含有精密電子部品 - Google Patents

精密電子部品封止・シール用オルガノポリシロキサン組成物、精密電子部品の腐蝕防止又は遅延方法、並びに銀含有精密電子部品 Download PDF

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Description

本発明は、精密電子部品の封止及びシールを目的として使用されるオルガノポリシロキサン組成物に関するものであり、特には硫黄含有ガスによる精密電子部品、とりわけ銀電極や銀チップ抵抗器等の銀含有精密電子部品の腐食を防止、遅延することを目的とした精密電子部品封止・シール用オルガノポリシロキサン組成物、この組成物を用いた精密電子部品の腐食防止又は遅延方法、並びにこの組成物により封止された銀含有精密電子部品に関する。
従来、電気・電子部品の封止・シールに使用されるシリコーンゴム組成物は、封止される電気・電子部品の腐食・劣化防止/遅延を目的としているが、電気・電子部品が硫黄含有ガス(硫黄ガス・亜硫酸ガス等)に曝された場合、従来のシリコーンゴムでは硫黄含有ガスの電気・電子部品への到達を防止/遅延させることができず、特に金属部品の腐食防止/遅延効果を得ることができなかった。
また、近年の精密電子部品の各デバイスは、小型化・小電力化し、電極やチップ抵抗器の素材は銅から銀へ、また電極間のギャップは狭くなる方向へと進んでおり、更に硫黄含有ガスによる腐食が起きやすくなっている。
特開2003−096301号公報(特許文献1)では、オルガノポリシロキサン組成物中に硫黄含有ガスによって硫化されやすい金属粉を0.5〜90質量%添加した電気・電子部品封止又はシール用シリコーンゴム組成物が、硫黄含有ガスの電気・電子部品への到達を防止もしくは遅延させることができることを提案しているが、上記のようにオルガノポリシロキサン組成物中に金属粉を高充填した場合、部分的に金属粉が凝集してしまうおそれがあり、これにより、電極間の短絡、絶縁抵抗値が低下するおそれがある。更に、長期保管した場合にオルガノポリシロキサンに対して比重の大きい金属粉が沈降してしまうおそれがある。
特開2003−096301号公報
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、シリコーンゴムによって封止又はシールされた電気・電子部品において、硫黄含有ガスによる電気・電子部品の腐食を防止もしくは遅延することができ、電極間の短絡や絶縁抵抗値の低下のない精密電子部品封止・シール用オルガノポリシロキサン組成物、この組成物を用いた精密電子部品の腐食防止又は遅延方法、並びにこの組成物により封止された銀含有精密電子部品を提供することを目的とする。
本発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討した結果、オルガノポリシロキサン組成物に、硫黄含有ガスによって硫化される金属粉、好ましくは銅粉を0.01質量%以上0.5質量%未満添加したものの硬化物で銀を含有する精密電子部品、特に銀電極や銀チップ抵抗器を封止もしくはシールした場合、硬化物中の該金属粉が硫黄含有ガスにより硫化され、これにより硫黄含有ガスによる精密電子部品の腐食を防止又は遅延させることができ、更には電極間の短絡や絶縁抵抗値の低下のない精密電子部品が得られることを見出し、本発明をなすに至った。
従って、本発明は、下記に示す精密電子部品封止・シール用オルガノポリシロキサン組成物、精密電子部品の腐蝕防止又は遅延方法、並びに銀含有精密電子部品を提供する。
〔1〕下記平均組成式(1)
1 a SiO (4-a)/2 (1)
(式中、R 1 は同一又は異種のハロゲン原子置換もしくはシアノ基置換又は非置換の炭素数1〜12の1価炭化水素基であり、aは1.90〜2.05である。)
で示される、分子鎖両末端が水酸基又は炭素数1〜4のオルガノオキシ基で封鎖された、25℃における粘度が25〜1,000,000mPa・sのオルガノポリシロキサン:100質量部、
架橋剤として、加水分解性の基を1分子中に2個以上有するシランあるいはシロキサン化合物(但し、上記式(1)で示される、分子鎖両末端が水酸基又は炭素数1〜4のオルガノオキシ基で封鎖された、25℃における粘度が25〜1,000,000mPa・sのオルガノポリシロキサンを除く):2〜50質量部、
硬化触媒:0〜10質量部、及び
硫黄含有ガスによって硫化される平均粒径が0.01〜10μmである金属粉として銅粉:0.01質量%以上0.5質量%未満
を含有してなり、硬化物中の重合度10以下である低分子シロキサン含有量が500ppm以下である縮合硬化型のオルガノポリシロキサン組成物であって、この組成物の硬化物で銀含有精密電子部品を封止又はシールした際、硬化物中の該金属粉が硫黄含有ガスによって硫化されることにより、硫黄含有ガスによる精密電子部品の腐蝕を防止もしくは遅延させると共に、該精密電子部品の電極間の短絡もしくは絶縁抵抗の低下を防止することを特徴とする銀含有精密電子部品封止・シール用縮合硬化型オルガノポリシロキサン組成物。
〔2〕銀を含有する精密電子部品を硫黄含有ガス存在雰囲気下で使用する際、〔1〕記載のオルガノポリシロキサン組成物の硬化物で該銀を含有する精密電子部品を封止又はシールして、硬化物中の硫黄含有ガスによって硫化される金属粉を硫黄含有ガスによって硫化することにより、硫黄含有ガスによる上記精密電子部品の腐蝕を防止させると共に、該精密電子部品の電極間の短絡もしくは絶縁抵抗の低下を防止することを特徴とする精密電子部品の腐蝕防止方法。
〔3〕銀を含有する精密電子部品を硫黄含有ガス存在雰囲気下で使用する際、〔1〕記載のオルガノポリシロキサン組成物の硬化物で該銀を含有する精密電子部品を封止又はシールして、硬化物中の硫黄含有ガスによって硫化される金属粉を硫黄含有ガスによって硫化することにより、硫黄含有ガスによる上記精密電子部品の腐蝕を遅延させると共に、該精密電子部品の電極間の短絡もしくは絶縁抵抗の低下を防止することを特徴とする精密電子部品の腐蝕遅延方法。
〔4〕上記オルガノポリシロキサン組成物の硬化物で封止された銀電極及び銀チップ抵抗器から選ばれる銀含有精密電子部品。
本発明のオルガノポリシロキサン組成物によれば、特に銀を含有する精密電子部品、とりわけ銀電極や銀チップ抵抗器の封止又はシールを目的として使用した場合に、硫黄含有ガスによる精密電子部品の腐食を防止、遅延する効果に優れ、電極間の短絡や絶縁抵抗値の低下のない精密電子部品が得られる。
本発明のオルガノポリシロキサン組成物は、金属粉を0.01質量%以上0.5質量%未満含有し、硬化して絶縁性シリコーンゴムとなる、精密電子部品の封止あるいはシールを目的として使用されるものであり、この組成物の硬化物を用いて封止又はシールされた精密電子部品は、硬化物中の該金属粉が硫黄含有ガスによって硫化されることにより、硫黄含有ガスによる精密電子部品の腐食を防止もしくは遅延させることができる。ここで、精密電子部品としては、銀を含有するものが好ましく、特に銀電極、銀チップ抵抗器であることが好ましい。
従って、金属粉は、硫黄含有ガスによって硫化されることにより、硫黄含有ガスによる精密電子部品の腐食を防止もしくは遅延することを可能とするものである。その効果があるものとしては、銀、銅、鉄、ニッケル、アルミニウム、錫、亜鉛など、又はそれら金属の合金等が例示されるが、組成物中での金属粉の安定性・価格的な面から、銅が好ましい。
その金属粉を得るための製造方法としては特に制限はないが、その金属粉の粒径は、精密電子部品への悪影響、特に電極間の短絡、絶縁抵抗の低下を防止するため、平均粒径が10μm以下、特に5μm以下であることが好ましい。なお、下限としては、0.01μm以上、特に0.1μm以上であることが好ましい。この場合、この平均粒径は、レーザー光回折法などによる粒度分布測定装置等を用いて、重量平均値(又はメジアン径)等として求めることができる。
金属粉の添加量は、硫黄含有ガスによる精密電子部品の腐食を防止もしくは遅延する効果が得られる量が必要であり、多すぎる添加量は精密電子部品への悪影響を及ぼすため、オルガノポリシロキサン組成物全体の0.01質量%以上0.5質量%未満、好ましくは0.05質量%以上0.5質量%未満、特に好ましくは0.1〜0.4質量%添加する。
本発明のオルガノポリシロキサン組成物は、上記特定量の金属粉を含有し、オルガノポリシロキサンを主成分(ベースポリマー)とするものであるが、その硬化方式は特に制限されず、例えば、従来公知の縮合硬化型、付加硬化型、有機過酸化物による硬化型、放射線硬化型等が挙げられる。これらの中でも縮合硬化型、付加硬化型が好ましく、室温で硬化し、良好な接着性を有する縮合硬化型が特に好ましい。また、液状であることが好ましい。
ベースポリマーであるオルガノポリシロキサンとしては、平均組成式(1)で示されるものが好ましい。
1 aSiO(4-a)/2 (1)
ここで、R1は、同一又は異種の置換又は非置換の炭素数1〜12、特に1〜10の1価炭化水素基であり、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、2−エチルブチル基、オクチル基等のアルキル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基等のシクロアルキル基、ビニル基、ヘキセニル基、アリル基等のアルケニル基、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、ジフェニル基等のアリール基、ベンジル基、フェニルエチル基等のアラルキル基、あるいはこれらの基の炭素原子に結合している水素原子の一部又は全部をハロゲン原子、シアノ基等で置換した基、例えばクロロメチル基、トリフロロプロピル基、2−シアノエチル基、3−シアノプロピル基等が挙げられ、メチル基、ビニル基、フェニル基、トリフロロプロピル基が好ましい。aは1.90〜2.05、好ましくは1.95〜2.04である。
本発明のオルガノポリシロキサン組成物が縮合硬化型の場合には、ベースポリマーは分子鎖両末端が水酸基又は炭素数1〜4のアルコキシ基等のオルガノオキシ基で封鎖されたジオルガノポリシロキサンとされるが、良好なゴム物性を示し、機械強度の優れた硬化物を与える組成物とするには、ベースポリマーの25℃における粘度が25mPa・s以上であることが好ましく、更に好ましくは100〜1,000,000mPa・sであり、特に好ましくは200〜500,000mPa・sである。
この縮合硬化型オルガノポリシロキサン組成物の架橋剤としては、加水分解性の基を1分子中に2個以上有するシランあるいはシロキサン化合物が好ましい。この場合、上記加水分解性の基としては、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、ジメチルケトオキシム基、メチルエチルケトオキシム基等のケトオキシム基、アセトキシ基等のアシルオキシ基、イソプロペニルオキシ基、イソブテニルオキシ基等のアルケニルオキシ基、N−ブチルアミノ基、N,N−ジエチルアミノ基等のアミノ基、N−メチルアセトアミド基等のアミド基等が挙げられる。これらの中でもアルケニルオキシ基及びアルコキシ基が、硬化時に腐食性のガスの発生がなく特に好ましい。なお、この架橋剤の配合量は、上記両末端水酸基又はオルガノオキシ基封鎖オルガノポリシロキサン100質量部に対し、2〜50質量部、特に5〜20質量部とすることが好ましい。
縮合硬化型オルガノポリシロキサン組成物には、通常、硬化触媒が使用される。硬化触媒としては、ジブチル錫ジアセテート、ジブチル錫ジラウレート、ジブチル錫ジオクトエート等のアルキル錫エステル化合物、テトライソプロポキシチタン、テトラn−ブトキシチタン、テトラキス(2−エチルヘキソキシ)チタン、ジプロポキシビス(アセチルアセトナト)チタン、チタニウムイソプロポキシオクチレングリコール等のチタン酸エステル又はチタンキレート化合物、ナフテン酸亜鉛、ステアリン酸亜鉛、亜鉛−2−エチルオクトエート、鉄−2−エチルヘキソエート、コバルト−2−エチルヘキソエート、マンガン−2−エチルヘキソエート、ナフテン酸コバルト、アルコキシアルミニウム化合物等の有機金属化合物、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノアルキル基置換アルコキシシラン、ヘキシルアミン、リン酸ドデシルアミン等のアミン化合物及びその塩、ベンジルトリエチルアンモニウムアセテート等の第4級アンモニウム塩、酢酸カリウム、酢酸ナトリウム、シュウ酸リチウム等のアルカリ金属の低級脂肪酸塩、ジメチルヒドロキシルアミン、ジエチルヒドロキシルアミン等のジアルキルヒドロキシルアミン、テトラメチルグアニジルプロピルトリメトキシシラン、テトラメチルグアニジルプロピルメチルジメトキシシラン、テトラメチルグアニジルプロピルトリス(トリメチルシロキシ)シラン等のグアニジル基を含有するシラン又はシロキサン等が例示されるが、これらはその1種に限定されず、2種以上の混合物として使用してもよい。なお、これら硬化触媒の配合量は、上記オルガノポリシロキサン100質量部に対して0〜10質量部、特に0.01〜5質量部が好ましい。
また、本発明のオルガノポリシロキサン組成物が、付加硬化型オルガノポリシロキサン組成物である場合、ベースポリマーとして使用されるオルガノポリシロキサンは、分子鎖末端及び/又は分子鎖中にアルケニル基、好ましくはビニル基を少なくとも2個、好ましくは全置換基(平均組成式のR1)中、0.01〜15モル%、特に0.02〜5モル%有することが好ましい。このオルガノポリシロキサンは液状でもガム状でもよく、その25℃における粘度は100〜20,000,000mPa・s、特に200〜10,000,000mPa・sであることが特に好ましい。
付加硬化型オルガノポリシロキサン組成物の架橋剤としては、1分子中にケイ素原子に結合した水素原子(SiH基)を少なくとも2個、好ましくは3個以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンを用いる。このオルガノハイドロジェンポリシロキサンとしては、公知のものを使用することができ、下記平均組成式(2)で示されるものが使用できるが、25℃における粘度が500mPa・s以下、特に1〜300mPa・sであるものが好ましい。
a2 bSiO(4-a-b)/2 (2)
上記式中、R2は独立に脂肪族不飽和結合を含有しない非置換又は置換の1価炭化水素基であり、R2の脂肪族不飽和結合を含有しない非置換又は置換の1価炭化水素基としては、前記一般式(1)のR1として例示したものと同様のものが挙げられ、代表的なものは炭素原子数が1〜10、特に炭素原子数が1〜7のものであり、好ましくはメチル基等の炭素原子数1〜3の低級アルキル基、フェニル基、3,3,3−トリフルオロプロピル基である。a及びbは、0<a<2、0.8≦b≦2かつ0.8<a+b≦3となる数であり、好ましくは0.05≦a≦1、1.5≦b≦2かつ1.8≦a+b≦2.7となる数である。
このようなオルガノハイドロジェンポリシロキサンの例としては、例えば、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、1,3,5,7−テトラメチルテトラシクロシロキサン、1,3,5,7,8−ペンタメチルペンタシクロシロキサン等のシロキサンオリゴマー;分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、分子鎖両末端シラノール基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、分子鎖両末端シラノール基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体等;R2(H)SiO1/2単位とSiO4/2単位からなり、任意にR3SiO1/2単位、R2SiO2/2単位、R(H)SiO2/2単位、(H)SiO3/2単位又はRSiO3/2単位を含み得るシリコーンレジン(但し、式中、Rは前記のR2として例示した非置換又は置換の1価炭化水素基と同様のものである)などが挙げられる。
その使用量は、ベースポリマーのオルガノポリシロキサンのアルケニル基1モル当りSiH基が0.3〜10モル、特に0.5〜5モルとすることが好ましい。
この付加硬化型オルガノポリシロキサン組成物には、更に硬化触媒を触媒量添加することが好ましい。この硬化触媒は、付加反応触媒として公知のものでよく、第VIII族の金属又はその化合物、特には白金化合物が好適に用いられる。この白金化合物としては、塩化白金酸、白金とオレフィン等との錯体等を挙げることができる。触媒の添加量は、ベースポリマーのオルガノポリシロキサンに対して、第VIII族の金属として、0.1〜2,000ppm、特に1〜500ppmが好ましい。
オルガノポリシロキサン組成物が、有機過酸化物硬化型シリコーンゴム組成物である場合、ベースポリマーとして使用されるオルガノポリシロキサンは、ガム状のものが好ましく、25℃における粘度が100,000〜20,000,000mPa・s、特に1,000,000〜10,000,000mPa・sで、分子鎖末端及び/又は分子鎖中にビニル基等のアルケニル基を少なくとも2個、好ましくは全置換基(平均組成式のR1)中、0.01〜15モル%、特に0.02〜5モル%有することが好ましい。
この硬化触媒としては、有機過酸化物が使用される。有機過酸化物としては、ジクミルパーオキサイド、ジ−t−ブチルパーオキサイド等のアルキル系有機過酸化物、ベンゾイルパーオキサイド、2,4−ジクロルベンゾイルパーオキサイド等のアシル系有機過酸化物が好適な化合物として用いられる。その配合量は、ベースポリマーのオルガノポリシロキサン100質量部に対して0.1〜10質量部、特に0.2〜5質量部が好ましい。
オルガノポリシロキサン組成物が、放射線硬化型シリコーンゴム組成物である場合、ベースポリマーとして使用されるオルガノポリシロキサンは、分子鎖末端及び/又は分子鎖中にビニル基、アリル基、アルケニルオキシ基、アクリル基、メタクリル基等の脂肪族不飽和基、メルカプト基、エポキシ基、ヒドロシリル基等を2個以上、好ましくは全置換基(平均組成式のR1)中、0.01〜15モル%、特に0.02〜5モル%有することが好ましい。その25℃における粘度は、100〜1,000,000mPa・s、特に200〜100,000mPa・sであることが好ましい。
また、反応開始剤としては、公知のアセトフェノン、プロピオフェノン、ベンゾフェノン、キサントール、フルオレイン、ベンズアルデヒド、アンスラキノン、トリフェニルアミン、カルバゾール、3−メチルアセトフェノン、4−メチルアセトフェノン、3−ペンチルアセトフェノン、4−メトキシアセトフェノン、3−ブロモアセトフェノン、4−アリルアセトフェノン、p−ジアセチルベンゼン、3−メトキシベンゾフェノン、4−メチルベンゾフェノン、4−クロロベンゾフェノン、4,4’−ジメトキシベンゾフェノン、4−クロロ−4’−ベンジルベンゾフェノン、3−クロロキサントール、3,9−ジクロロキサントール、3−クロロ−8−ノニルキサントール、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインブチルエーテル、ビス(4−ジメチルアミノフェニル)ケトン、ベンジルメトキシケタール、2−クロロチオキサントール等を用いることができる。その配合量は、ベースポリマーのオルガノポリシロキサン100質量部に対して0.1〜20質量部、特に0.5〜10質量部であることが好ましい。
本発明においては、上記特定量の金属粉を配合したオルガノポリシロキサン組成物に、接着助剤として、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−2−(アミノエチルアミノ)プロピルトリメトキシシラン等のアミノシラン類、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等のエポキシシラン類、イソシアネートプロピルトリメトキシシラン、イソシアネートプロピルトリエトキシシラン等のイソシアネートシラン等のシランカップリング剤を配合することが好ましい。その配合量は、ベースポリマーのオルガノポリシロキサン100質量部に対して0.1〜20質量部、特に0.2〜10質量部とすることが好ましい。
更に必要に応じて、本発明の目的を損なわない範囲で各種の充填剤を配合してもよい。この充填剤としては微粉末シリカ、シリカエアロゲル、沈降シリカ、珪藻土、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化アルミニウム等の金属酸化物、窒化ホウ素、窒化アルミニウム等の金属窒化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸亜鉛等の金属炭酸塩、アスベスト、ガラスウール、カーボンブラック、微粉マイカ、溶融シリカ粉末、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン等の合成樹脂粉末が例示される。これらの充填剤の配合量は本発明の目的を損なわない限り任意とされ、またこれらは使用にあたり予め乾燥処理をして水分を除去しておくことが好ましい。
なお、これらの充填剤の表面は無処理であってもシランカップリング剤やオルガノポリシロキサン、脂肪酸等で処理されていてもよい。
また、本発明のオルガノポリシロキサン組成物には、添加剤として、可塑剤、顔料、染料、老化防止剤、酸化防止剤、帯電防止剤、酸化アンチモン、塩化パラフィン等の難燃剤などを配合することができる。
更に、チクソ性向上剤としてのポリエーテル、防かび剤、抗菌剤等を配合することもできる。
本発明のオルガノポリシロキサン組成物は、上記各成分、更にはこれに充填剤及び上記各種添加剤を、乾燥雰囲気中において均一に混合することにより得ることができる。
なお、本発明のオルガノポリシロキサン組成物の硬化条件については、その硬化型に応じた常法が採用される。
また、本発明のオルガノポリシロキサン組成物の硬化物は、重合度が10以下の低分子シロキサン含有量が500ppm以下、特に300ppm以下であることが好ましい。これは、低分子シロキサンが精密電子部品に悪影響を及ぼすおそれがあるためであり、低分子シロキサン含有量を低減させる方法としては、公知の方法を用いればよく、例えば、ベースポリマーであるオルガノポリシロキサン製造時のストリッピングを強化したり、オルガノポリシロキサンを溶剤洗浄したりすればよい。
以下、実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。なお、下記例中の部は質量部、粘度は25℃での測定値を示したものである。また、下記の例において、ジメチルポリシロキサンは、該ジメチルポリシロキサン製造時のストリッピングを強化することにより、重合後10以下の低分子シロキサン含有量を500ppm以下としたものを用いた。
[実施例1]
粘度5,000mPa・sの分子鎖両末端が水酸基で封鎖されたジメチルポリシロキサン100部に、結晶性シリカ60部、フェニルトリ(イソプロペニルオキシ)シラン8部、3−アミノプロピルトリエトキシシラン1部、1,1,3,3−テトラメチル−2−[3−(トリメトキシシリル)プロピル]グアニジン1.4部、及び金属粉として平均粒子径1.0μmの銅粉1100Y(商品名:三井金属鉱業(株)製)を組成物全体の0.3質量%になるように無水の状態で混合し、次いで脱泡混合処理を行って組成物を調製した。
[実施例2]
粘度5,000mPa・sの分子鎖両末端が水酸基で封鎖されたジメチルポリシロキサン100部に、結晶性シリカ60部、フェニルトリ(イソプロペニルオキシ)シラン8部、3−アミノプロピルトリエトキシシラン1部、1,1,3,3−テトラメチル−2−[3−(トリメトキシシリル)プロピル]グアニジン1.4部、及び金属粉として銅粉1100Yを組成物全体の0.01質量%になるように無水の状態で混合し、次いで脱泡混合処理を行って組成物を調製した。
[実施例3]
粘度5,000mPa・sの分子鎖両末端が水酸基で封鎖されたジメチルポリシロキサン100部に、結晶性シリカ60部、フェニルトリ(イソプロペニルオキシ)シラン8部、3−アミノプロピルトリエトキシシラン1部、1,1,3,3−テトラメチル−2−[3−(トリメトキシシリル)プロピル]グアニジン1.4部、及び金属粉として銅粉1100Yを組成物全体の0.4質量%になるように無水の状態で混合し、次いで脱泡混合処理を行って組成物を調製した。
[実施例4]
粘度5,000mPa・sの分子鎖両末端がトリメトキシシリル基で封鎖されたジメチルポリシロキサン100部に、結晶性シリカ60部、メチルトリメトキシシラン7部、3−アミノプロピルトリエトキシシラン0.2部、チタンキレート触媒オルガチックスTC−750(商品名:(株)マツモト交商製)2部、及び金属粉として銅粉1100Yを組成物全体の0.3質量%になるように無水の状態で混合し、次いで脱泡混合処理を行って組成物を調製した。
参考例1
粘度5,000mPa・sの分子鎖両末端がビニル基で封鎖されたジメチルポリシロキサン100部に、結晶性シリカ60部、分子側鎖にSiH基を平均16個有する粘度100mPa・sのメチルハイドロジェンポリシロキサン6部、塩化白金酸のビニルシロキサン錯体を、混合物全量に対して白金量が10ppmとなる量で添加し、エチニル−シクロヘキサノール/50%トルエン溶液を0.15部、及び上記銅粉1100Yを組成物全体の0.3質量%になるように無水の状態で混合し、次いで脱泡混合処理を行って組成物を調製した。
参考例2
粘度5,000mPa・sの分子鎖両末端がビニル基で封鎖されたジメチルポリシロキサン100部に、結晶性シリカ60部、ジクミルパーオキサイド1部、及び上記銅粉1100Yを組成物全体の0.3質量%になるように無水の状態で混合し、次いで脱泡混合処理を行って組成物を調製した。
参考例3
粘度5,000mPa・sの分子鎖両末端がビス(アクリロキシメチルジメチルシロキシ)メチルシリル基で封鎖されたジメチルポリシロキサン100部に、結晶性シリカ60部、ジエトキシアセトフェノン3.0部、上記銅粉1100Yを組成物全体の0.3質量%になるように無水の状態で混合し、次いで脱泡混合処理を行って組成物を調製した。
[比較例1]
粘度5,000mPa・sの分子鎖両末端が水酸基で封鎖されたジメチルポリシロキサン100部に、結晶性シリカ60部、フェニルトリ(イソプロペニルオキシ)シラン8部、3−アミノプロピルトリエトキシシラン1部、1,1,3,3−テトラメチル−2−[3−(トリメトキシシリル)プロピル]グアニジン1.4部を無水の状態で混合し、次いで脱泡混合処理を行って組成物を調製した。
[比較例2]
粘度5,000mPa・sの分子鎖両末端が水酸基で封鎖されたジメチルポリシロキサン100部に、結晶性シリカ60部、フェニルトリ(イソプロペニルオキシ)シラン8部、3−アミノプロピルトリエトキシシラン1部、1,1,3,3−テトラメチル−2−[3−(トリメトキシシリル)プロピル]グアニジン1.4部、及び金属粉として銅粉1100Yを組成物全体の1.0質量%になるように無水の状態で混合し、次いで脱泡混合処理を行って組成物を調製した。
[腐食性試験]
銀メッキを施した銅板上に上記実施例1〜4、参考例1〜3、比較例1,2にて調製した組成物を厚さ2mmになるように塗布し、硬化させ、試験サンプルを作製した。試験サンプルを硫黄粉0.2gと共に100ccガラスビンに入れ、密閉して80℃に加熱放置し、所定時間ごとに硬化した組成物を剥がし、銀メッキの腐食の程度を目視にて観察した。結果を表1に示す。
○:腐食なし
×:腐食あり(黒色化)
Figure 0004530137
[絶縁性試験]
ガラス基板上に電極幅35μm、電極間のギャップ55μmの銀を蒸着した櫛形銀電極上に上記実施例1〜4、参考例1〜3、比較例1,2にて調製した組成物を厚さ2mmになるように塗布し、硬化させ、試験サンプルを作製した。試験サンプルの櫛形銀電極の両端に測定用コードを取り付け、絶縁抵抗計「3213A」(横河M&C(株)製)にて櫛形銀電極の両端の抵抗値を測定した。結果を表2に示す。
○:絶縁性良好(1000MΩ以上)
×:絶縁性低下(1000MΩ未満)
Figure 0004530137
また、実施例1〜4で得られた組成物の硬化物中の重合度10以下の低分子シロキサン含有量をガスクロマトグラフィーで測定したところ、いずれも250〜260ppmであった。
上記の結果より、金属粉を添加しないオルガノポリシロキサン組成物(比較例1)を用いたものは、銀メッキの腐食を遅延させることはできず、また、金属粉を1.0質量%添加したオルガノポリシロキサン組成物(比較例2)を用いたものは、電極間の短絡、もしくは絶縁抵抗の低下を起こしてしまうことが確認された。
これに対して、金属粉を0.01質量%以上0.5質量%未満添加したオルガノポリシロキサン組成物(実施例1〜)を用いたものは、銀メッキの腐食を封止あるいは遅延させることができ、更に電極間の短絡もしくは絶縁抵抗の低下のない、優れた効果を有することが確認された。

Claims (4)

  1. 下記平均組成式(1)
    1 a SiO (4-a)/2 (1)
    (式中、R 1 は同一又は異種のハロゲン原子置換もしくはシアノ基置換又は非置換の炭素数1〜12の1価炭化水素基であり、aは1.90〜2.05である。)
    で示される、分子鎖両末端が水酸基又は炭素数1〜4のオルガノオキシ基で封鎖された、25℃における粘度が25〜1,000,000mPa・sのオルガノポリシロキサン:100質量部、
    架橋剤として、加水分解性の基を1分子中に2個以上有するシランあるいはシロキサン化合物(但し、上記式(1)で示される、分子鎖両末端が水酸基又は炭素数1〜4のオルガノオキシ基で封鎖された、25℃における粘度が25〜1,000,000mPa・sのオルガノポリシロキサンを除く):2〜50質量部、
    硬化触媒:0〜10質量部、及び
    硫黄含有ガスによって硫化される平均粒径が0.01〜10μmである金属粉として銅粉:0.01質量%以上0.5質量%未満
    を含有してなり、硬化物中の重合度10以下である低分子シロキサン含有量が500ppm以下である縮合硬化型のオルガノポリシロキサン組成物であって、この組成物の硬化物で銀含有精密電子部品を封止又はシールした際、硬化物中の該金属粉が硫黄含有ガスによって硫化されることにより、硫黄含有ガスによる精密電子部品の腐蝕を防止もしくは遅延させると共に、該精密電子部品の電極間の短絡もしくは絶縁抵抗の低下を防止することを特徴とする銀含有精密電子部品封止・シール用縮合硬化型オルガノポリシロキサン組成物。
  2. 銀を含有する精密電子部品を硫黄含有ガス存在雰囲気下で使用する際、請求項記載のオルガノポリシロキサン組成物の硬化物で該銀を含有する精密電子部品を封止又はシールして、硬化物中の硫黄含有ガスによって硫化される金属粉を硫黄含有ガスによって硫化することにより、硫黄含有ガスによる上記精密電子部品の腐蝕を防止させると共に、該精密電子部品の電極間の短絡もしくは絶縁抵抗の低下を防止することを特徴とする精密電子部品の腐蝕防止方法。
  3. 銀を含有する精密電子部品を硫黄含有ガス存在雰囲気下で使用する際、請求項1記載のオルガノポリシロキサン組成物の硬化物で該銀を含有する精密電子部品を封止又はシールして、硬化物中の硫黄含有ガスによって硫化される金属粉を硫黄含有ガスによって硫化することにより、硫黄含有ガスによる上記精密電子部品の腐蝕を遅延させると共に、該精密電子部品の電極間の短絡もしくは絶縁抵抗の低下を防止することを特徴とする精密電子部品の腐蝕遅延方法。
  4. 請求項記載のオルガノポリシロキサン組成物の硬化物で封止された銀電極及び銀チップ抵抗器から選ばれる銀含有精密電子部品。
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