JP4530137B2 - 精密電子部品封止・シール用オルガノポリシロキサン組成物、精密電子部品の腐蝕防止又は遅延方法、並びに銀含有精密電子部品 - Google Patents
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Description
〔1〕下記平均組成式(1)
R 1 a SiO (4-a)/2 (1)
(式中、R 1 は同一又は異種のハロゲン原子置換もしくはシアノ基置換又は非置換の炭素数1〜12の1価炭化水素基であり、aは1.90〜2.05である。)
で示される、分子鎖両末端が水酸基又は炭素数1〜4のオルガノオキシ基で封鎖された、25℃における粘度が25〜1,000,000mPa・sのオルガノポリシロキサン:100質量部、
架橋剤として、加水分解性の基を1分子中に2個以上有するシランあるいはシロキサン化合物(但し、上記式(1)で示される、分子鎖両末端が水酸基又は炭素数1〜4のオルガノオキシ基で封鎖された、25℃における粘度が25〜1,000,000mPa・sのオルガノポリシロキサンを除く):2〜50質量部、
硬化触媒:0〜10質量部、及び
硫黄含有ガスによって硫化される平均粒径が0.01〜10μmである金属粉として銅粉:0.01質量%以上0.5質量%未満
を含有してなり、硬化物中の重合度10以下である低分子シロキサン含有量が500ppm以下である縮合硬化型のオルガノポリシロキサン組成物であって、この組成物の硬化物で銀含有精密電子部品を封止又はシールした際、硬化物中の該金属粉が硫黄含有ガスによって硫化されることにより、硫黄含有ガスによる精密電子部品の腐蝕を防止もしくは遅延させると共に、該精密電子部品の電極間の短絡もしくは絶縁抵抗の低下を防止することを特徴とする銀含有精密電子部品封止・シール用縮合硬化型オルガノポリシロキサン組成物。
〔2〕銀を含有する精密電子部品を硫黄含有ガス存在雰囲気下で使用する際、〔1〕記載のオルガノポリシロキサン組成物の硬化物で該銀を含有する精密電子部品を封止又はシールして、硬化物中の硫黄含有ガスによって硫化される金属粉を硫黄含有ガスによって硫化することにより、硫黄含有ガスによる上記精密電子部品の腐蝕を防止させると共に、該精密電子部品の電極間の短絡もしくは絶縁抵抗の低下を防止することを特徴とする精密電子部品の腐蝕防止方法。
〔3〕銀を含有する精密電子部品を硫黄含有ガス存在雰囲気下で使用する際、〔1〕記載のオルガノポリシロキサン組成物の硬化物で該銀を含有する精密電子部品を封止又はシールして、硬化物中の硫黄含有ガスによって硫化される金属粉を硫黄含有ガスによって硫化することにより、硫黄含有ガスによる上記精密電子部品の腐蝕を遅延させると共に、該精密電子部品の電極間の短絡もしくは絶縁抵抗の低下を防止することを特徴とする精密電子部品の腐蝕遅延方法。
〔4〕上記オルガノポリシロキサン組成物の硬化物で封止された銀電極及び銀チップ抵抗器から選ばれる銀含有精密電子部品。
R1 aSiO(4-a)/2 (1)
上記式中、R2は独立に脂肪族不飽和結合を含有しない非置換又は置換の1価炭化水素基であり、R2の脂肪族不飽和結合を含有しない非置換又は置換の1価炭化水素基としては、前記一般式(1)のR1として例示したものと同様のものが挙げられ、代表的なものは炭素原子数が1〜10、特に炭素原子数が1〜7のものであり、好ましくはメチル基等の炭素原子数1〜3の低級アルキル基、フェニル基、3,3,3−トリフルオロプロピル基である。a及びbは、0<a<2、0.8≦b≦2かつ0.8<a+b≦3となる数であり、好ましくは0.05≦a≦1、1.5≦b≦2かつ1.8≦a+b≦2.7となる数である。
なお、これらの充填剤の表面は無処理であってもシランカップリング剤やオルガノポリシロキサン、脂肪酸等で処理されていてもよい。
更に、チクソ性向上剤としてのポリエーテル、防かび剤、抗菌剤等を配合することもできる。
なお、本発明のオルガノポリシロキサン組成物の硬化条件については、その硬化型に応じた常法が採用される。
粘度5,000mPa・sの分子鎖両末端が水酸基で封鎖されたジメチルポリシロキサン100部に、結晶性シリカ60部、フェニルトリ(イソプロペニルオキシ)シラン8部、3−アミノプロピルトリエトキシシラン1部、1,1,3,3−テトラメチル−2−[3−(トリメトキシシリル)プロピル]グアニジン1.4部、及び金属粉として平均粒子径1.0μmの銅粉1100Y(商品名:三井金属鉱業(株)製)を組成物全体の0.3質量%になるように無水の状態で混合し、次いで脱泡混合処理を行って組成物を調製した。
粘度5,000mPa・sの分子鎖両末端が水酸基で封鎖されたジメチルポリシロキサン100部に、結晶性シリカ60部、フェニルトリ(イソプロペニルオキシ)シラン8部、3−アミノプロピルトリエトキシシラン1部、1,1,3,3−テトラメチル−2−[3−(トリメトキシシリル)プロピル]グアニジン1.4部、及び金属粉として銅粉1100Yを組成物全体の0.01質量%になるように無水の状態で混合し、次いで脱泡混合処理を行って組成物を調製した。
粘度5,000mPa・sの分子鎖両末端が水酸基で封鎖されたジメチルポリシロキサン100部に、結晶性シリカ60部、フェニルトリ(イソプロペニルオキシ)シラン8部、3−アミノプロピルトリエトキシシラン1部、1,1,3,3−テトラメチル−2−[3−(トリメトキシシリル)プロピル]グアニジン1.4部、及び金属粉として銅粉1100Yを組成物全体の0.4質量%になるように無水の状態で混合し、次いで脱泡混合処理を行って組成物を調製した。
粘度5,000mPa・sの分子鎖両末端がトリメトキシシリル基で封鎖されたジメチルポリシロキサン100部に、結晶性シリカ60部、メチルトリメトキシシラン7部、3−アミノプロピルトリエトキシシラン0.2部、チタンキレート触媒オルガチックスTC−750(商品名:(株)マツモト交商製)2部、及び金属粉として銅粉1100Yを組成物全体の0.3質量%になるように無水の状態で混合し、次いで脱泡混合処理を行って組成物を調製した。
粘度5,000mPa・sの分子鎖両末端がビニル基で封鎖されたジメチルポリシロキサン100部に、結晶性シリカ60部、分子側鎖にSiH基を平均16個有する粘度100mPa・sのメチルハイドロジェンポリシロキサン6部、塩化白金酸のビニルシロキサン錯体を、混合物全量に対して白金量が10ppmとなる量で添加し、エチニル−シクロヘキサノール/50%トルエン溶液を0.15部、及び上記銅粉1100Yを組成物全体の0.3質量%になるように無水の状態で混合し、次いで脱泡混合処理を行って組成物を調製した。
粘度5,000mPa・sの分子鎖両末端がビニル基で封鎖されたジメチルポリシロキサン100部に、結晶性シリカ60部、ジクミルパーオキサイド1部、及び上記銅粉1100Yを組成物全体の0.3質量%になるように無水の状態で混合し、次いで脱泡混合処理を行って組成物を調製した。
粘度5,000mPa・sの分子鎖両末端がビス(アクリロキシメチルジメチルシロキシ)メチルシリル基で封鎖されたジメチルポリシロキサン100部に、結晶性シリカ60部、ジエトキシアセトフェノン3.0部、上記銅粉1100Yを組成物全体の0.3質量%になるように無水の状態で混合し、次いで脱泡混合処理を行って組成物を調製した。
粘度5,000mPa・sの分子鎖両末端が水酸基で封鎖されたジメチルポリシロキサン100部に、結晶性シリカ60部、フェニルトリ(イソプロペニルオキシ)シラン8部、3−アミノプロピルトリエトキシシラン1部、1,1,3,3−テトラメチル−2−[3−(トリメトキシシリル)プロピル]グアニジン1.4部を無水の状態で混合し、次いで脱泡混合処理を行って組成物を調製した。
粘度5,000mPa・sの分子鎖両末端が水酸基で封鎖されたジメチルポリシロキサン100部に、結晶性シリカ60部、フェニルトリ(イソプロペニルオキシ)シラン8部、3−アミノプロピルトリエトキシシラン1部、1,1,3,3−テトラメチル−2−[3−(トリメトキシシリル)プロピル]グアニジン1.4部、及び金属粉として銅粉1100Yを組成物全体の1.0質量%になるように無水の状態で混合し、次いで脱泡混合処理を行って組成物を調製した。
銀メッキを施した銅板上に上記実施例1〜4、参考例1〜3、比較例1,2にて調製した組成物を厚さ2mmになるように塗布し、硬化させ、試験サンプルを作製した。試験サンプルを硫黄粉0.2gと共に100ccガラスビンに入れ、密閉して80℃に加熱放置し、所定時間ごとに硬化した組成物を剥がし、銀メッキの腐食の程度を目視にて観察した。結果を表1に示す。
○:腐食なし
×:腐食あり(黒色化)
ガラス基板上に電極幅35μm、電極間のギャップ55μmの銀を蒸着した櫛形銀電極上に上記実施例1〜4、参考例1〜3、比較例1,2にて調製した組成物を厚さ2mmになるように塗布し、硬化させ、試験サンプルを作製した。試験サンプルの櫛形銀電極の両端に測定用コードを取り付け、絶縁抵抗計「3213A」(横河M&C(株)製)にて櫛形銀電極の両端の抵抗値を測定した。結果を表2に示す。
○:絶縁性良好(1000MΩ以上)
×:絶縁性低下(1000MΩ未満)
これに対して、金属粉を0.01質量%以上0.5質量%未満添加したオルガノポリシロキサン組成物(実施例1〜4)を用いたものは、銀メッキの腐食を封止あるいは遅延させることができ、更に電極間の短絡もしくは絶縁抵抗の低下のない、優れた効果を有することが確認された。
Claims (4)
- 下記平均組成式(1)
R 1 a SiO (4-a)/2 (1)
(式中、R 1 は同一又は異種のハロゲン原子置換もしくはシアノ基置換又は非置換の炭素数1〜12の1価炭化水素基であり、aは1.90〜2.05である。)
で示される、分子鎖両末端が水酸基又は炭素数1〜4のオルガノオキシ基で封鎖された、25℃における粘度が25〜1,000,000mPa・sのオルガノポリシロキサン:100質量部、
架橋剤として、加水分解性の基を1分子中に2個以上有するシランあるいはシロキサン化合物(但し、上記式(1)で示される、分子鎖両末端が水酸基又は炭素数1〜4のオルガノオキシ基で封鎖された、25℃における粘度が25〜1,000,000mPa・sのオルガノポリシロキサンを除く):2〜50質量部、
硬化触媒:0〜10質量部、及び
硫黄含有ガスによって硫化される平均粒径が0.01〜10μmである金属粉として銅粉:0.01質量%以上0.5質量%未満
を含有してなり、硬化物中の重合度10以下である低分子シロキサン含有量が500ppm以下である縮合硬化型のオルガノポリシロキサン組成物であって、この組成物の硬化物で銀含有精密電子部品を封止又はシールした際、硬化物中の該金属粉が硫黄含有ガスによって硫化されることにより、硫黄含有ガスによる精密電子部品の腐蝕を防止もしくは遅延させると共に、該精密電子部品の電極間の短絡もしくは絶縁抵抗の低下を防止することを特徴とする銀含有精密電子部品封止・シール用縮合硬化型オルガノポリシロキサン組成物。 - 銀を含有する精密電子部品を硫黄含有ガス存在雰囲気下で使用する際、請求項1記載のオルガノポリシロキサン組成物の硬化物で該銀を含有する精密電子部品を封止又はシールして、硬化物中の硫黄含有ガスによって硫化される金属粉を硫黄含有ガスによって硫化することにより、硫黄含有ガスによる上記精密電子部品の腐蝕を防止させると共に、該精密電子部品の電極間の短絡もしくは絶縁抵抗の低下を防止することを特徴とする精密電子部品の腐蝕防止方法。
- 銀を含有する精密電子部品を硫黄含有ガス存在雰囲気下で使用する際、請求項1記載のオルガノポリシロキサン組成物の硬化物で該銀を含有する精密電子部品を封止又はシールして、硬化物中の硫黄含有ガスによって硫化される金属粉を硫黄含有ガスによって硫化することにより、硫黄含有ガスによる上記精密電子部品の腐蝕を遅延させると共に、該精密電子部品の電極間の短絡もしくは絶縁抵抗の低下を防止することを特徴とする精密電子部品の腐蝕遅延方法。
- 請求項1記載のオルガノポリシロキサン組成物の硬化物で封止された銀電極及び銀チップ抵抗器から選ばれる銀含有精密電子部品。
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