JPS62500830A - 超小型電子回路を有機部材で封止する方法およびこの方法に適した材料による回路素子 - Google Patents

超小型電子回路を有機部材で封止する方法およびこの方法に適した材料による回路素子

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JPS62500830A
JPS62500830A JP60505299A JP50529985A JPS62500830A JP S62500830 A JPS62500830 A JP S62500830A JP 60505299 A JP60505299 A JP 60505299A JP 50529985 A JP50529985 A JP 50529985A JP S62500830 A JPS62500830 A JP S62500830A
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メーレル・ウエルネル
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メツセルシユミツト−ベルコウ−ブロ−ム・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 マイクロエレクトロエックス回路 を有機成分で封止するための方法 本発明は、内部空域内において腐食作用を行うガスを吸収するためにゲッタを一 緒に封入する様式の。
マイクロエレクトロ二ックス回路を有機成分で封止するための方法に関する。
このような素子に課せられる実際上の要件に基ずき、高い信頼性をもつエレクト ロ二ックス回路は金属ケース或いはセラミックハクースの気密な溶接或いははん だ付けにより環境影響、湿気、　ｃｏ２．　Ｓｏ。
および他の腐食性の物質に対して保護されている。
他方益々有機物質はエレクトロニツクスー回路を構成する際の不活性化、ダイ− ボンディングを行うためにおよび機械的なショックに対する保護部材として使用 されている。しかし、出力バイブリッド（、Ｌｅｉｓｔｕｎ那ｈｖｂｒｉｄｅｎ 　）においておよび現今では小信号スイッチ回路における僅かな周囲において生 じるような熱的な負荷にあって、またマイクロエレクトロエックスにあって実証 されている熱安定したエポキシド樹脂、ポリウレタン樹脂およびシリコン樹脂も しくはニジストマー物質にあってもガス形成は僅かに抑えられなければならない 。この場合問題となるのはガス分析によシ大抵Ｈ，Ｏ，Ｃｏｔ、　ＮＨ，および 出力バイブリッドにあって電圧下にあってアルミニウムー帯導体におりてのみな らず、アルミニウムーポンディグワイヤにおいても電解的な腐食およびこれに伴 い接続の欠落を招く有機酸である。この除虫じる水素並びに残余酸素は腐食を増 強し、従ってこれらのガスは除去されなければならない。
小出カバイブリッドにあってはこれらのガスは部分的に湿気として沈降し、これ に加えて電圧のもとて電解を誘起する。老化生成物および分解生成物は充分な努 力にもかかわらず方法技術的に、例えば排気、Ｎ、−洗浄、乾燥によっては被制 約的にしか阻止し得ない。エレクトロエックスにおいて使用される、例えばドイ ツ連邦共和国公開特許公報第３１１２５６４号から公知の乾燥手段、或いはゼオ ライトＴｈ基礎とした分子ふるい−この使用はヨーロッパ特許出願１０１１５２ ８２号から公知である−は湿分しか吸収せず、加熱の際には、即ち臨界的な回路 の条件下では湿分を再び放出する。
更に例えばヨーロッパ特許出願第２００２５６４７号にあっては、部分的に網状 化されたシリコンゴム単独をゲッタとしてもしくは塵芥粒子のための塵芥捕集体 として使用することが提案されているが、この捕集体はもちろんゲッタとしては 働かず、また湿分を吸収しない。
゛　蒸着によシ大き込表面で配分されかつすべての反応性なガスを不可逆性に捕 集し、場合によっては真空を安定保持し、ガス反応を阻止する高活性のゲッタ材 料が適している。
このような高活性のゲッタは腐食性のガスおよび湿分痕跡を吸収するための電子 ビームｊの７ヒめに開発されたものである。この目的のためには特にアルカリ土 類金属−棒およびジルコン金属棒および水素化ジルコン−棒が使用され、これら は蒸着処理され、熱の下でバリウムに相応し−Ｃ生成する分解ガスと程度の差こ そめれ著しく以下の反応を行う。
２　Ｅａ　＋Ｈ２０ｗ　Ｂａ　Ｈ２＋　Ｂａ　０５　Ｂａ　＋２　ＣＯ２”　Ｂ ａ　（４＋４　Ｂａ　０Ｓ　Ｂａ　十Ｃｏ　崗Ｂａ　Ｃ２＋２　Ｂａ　０２　Ｂ ａ　＋　２　ＮＨ３ｗ　Ｂａ　Ｈ２＋Ｂａ　（ＮＨｚ）ｚ２　Ｂａ　＋　２　Ｒ −ＣＯＯＨ−Ｂａ　（Ｒ−Ｃｏｏ）２　＋　Ｂａ　Ｈ２Ｂａ　十Ｈ２ｍ　Ｂａ　 Ｈ２ 工、レフトロエックス回路において使用される万機物質もしくは生成する分解ガ スにとっても差当たり微粒子状のＢａ　Ａｔ４ゲツタが適しているように思われ る。なぜならこれらはコツアール（Ｋｏｖａｒ　）もしくはクロームニッケル鋼 に対して不活性でちり、窒素に対して比較的安定であるが、他のすべてのガスを 吸収もしくは化学吸収するからである。もちろん小さなケース内でのこのゲッタ の蒸着処理は困難である。
本発明の目的は、小さい封止すべきエレクトロ二ックス回路にろっても信頼性を もって腐食作用を行うガスおよび障害となる湿分をゲッタと共に無害することを 可能にする方法およびこの方法を実施するために適している材料を造ることで・ ちる。
本発明によりこの目的は、ゲッタ材料を微粒子状の粉末としてガス透過性のかつ 不活性のシリコンゴム内に分散することによって達せられる。
即ち、提起された課題の解決特徴とするところは、高活性の、しかし間ｊのなく 処理可能なゲッタを微細に配分してガ４透過性の、（ゲッタ、ガスおよび回路に 対して）無作用な高純１隻の担持体内に分散させることにある。実験により、一 方においてバリウム−アルミニウムー合金が、池方において極めて純粋な、熱に 対して耐久性のある、僅かに付加網状化作用する流動性の二成分−シリコンゲル 、がこれらの用件を充足し、かつ任意に混合可能である。どんな湿分も作用を行 うことがない場合、示差熱分析的（ＤＳＣ２）に反応を実証することはできない 。“暑熱状態において始めて拡散速度ンこよって定まる緩慢を反応が始まる。従 って溶込みの際および作業のあって、始めてゲッタが活性化される。
本発明の詳細な点は実施態様の特許請求の範囲からおよび明細書から明らかであ り、この明細書において本発明を実施例に基すいて詳にぐ説明する。
第１ａ〜１ｄ図は本発明による方法により封止された回路の異なる形状の構造図 、 第２図はゲッタＨ料を含有しないシリコン−ゲルに関する示差熱分析的なダイヤ グラム、 第３図は空気においてＢａＡ／４を含有するシリコン−ゲルに関する示差熱分析 的なダイヤグラム、第４図は湿気を陰んでいる空気におけるＢａＡ、４を含有す るシリコン−ゲルに関する示差熱分析的なダイヤグラム、 第５図は湿めった環境でのＢａＡｔ４を含有するシリコン−ゲルに関する示差熱 分析的なダイヤグラム。
第１ａ図から第１ｄ図は本発明による方法てより封止された回路の基本的な構造 を示している。第１ａ図にあっては合目的にはＡ４０１から成る物質Ｓ上に例え ばＳｉ３Ｎ４　で不活性化されたマイクロエレクトロエックス構造単位Ｂが付着 している。この構造単位斌金或いは他の高導電性金、属から成るポンディングワ イヤＤを介して公知様式で帯導体ＬＢと電気的ヤは、ＢａＡｔ４−充填材を含有 するシリコン−ゲルから成る軟らかい合成物質層Ｇの内部に存在している。
この合成物質層は金属層を含んでいる箔Ｆで覆われている。最後に全体が５ｉ０ ２−充填材を含有するエポキシド樹脂Ｈで封止されている。
軟らかい合成物質層Ｇは一方では構造単位とボンディングワイヤを機械的に緩衝 する働きを行い、他方ではしかもゲッタ材料のための担持体とし、て働く。
この理由から、合成物質、層は冒頭に記載した物質の一つからなり、かつ実施例 でもって詳しく記述する。
本発明による方法が剛性の材料から成るケースにあっても使用し得るのはもちろ んのことである（第１ａ図から第１ｄ図）。
第１ａ図から第１ｄ図は剛性のケースを備えた公知の構造体金示している。これ らの構造体は第１ｂ図によれば充分に処理されたプラスチックケースもしくはセ ラεツク材ケースであり、第１ｃ図から第１ｄ図による実施形にあっては金喝ケ ースもしくはセラミックケースである。第１ｂ図によるケースの両半部分は例え ばガラスＧＬで結合されている。第１ｃ図と第１ｄ図によるケースは溶接もし、 くけはんだ付けされてｂる。溶接Ｍ目は参照符号ＳＮで、はんだ付は位置は参照 符号りで示されている。これらの構造体すべてにとって、自体存在する空の内域 が本発明によるゲッタ材料によって少なくとも部分的に充填されていることは共 通している事柄である。
第２図から第４図は担持体材料としてのシリコン−ゲルとゲッタ材料としてのＢ ａＡｔ４に関する示差熱分析的なダイヤグラムを示している。全熱分析はΔＴ／ Δｔ＝定数および参照試料と諸条件のもとで得られた。
これらのダイヤグラムの解説に関して言えば、垂直軸はｍａｃｅ、７秒での熱量 変化を示している。横座標には０にでの温度が記入されている。線状に経過して いる曲線は、熱流れが一定であシ、かつ反応熱或いは置換熱が生じていないこと を意味している。垂れ下がシは、この領域内で熱が例えばゲッタが湿分と反応す ることにより放出されていることを意味している。
第２図はゲッタ材料を含まないシリコン−ゲルに関する示差熱分析的なダイヤグ ラムを示している。
熱量変化は認められない。
第３図は空気におけるＢａＡ４を含んでいるシリコン−ゲルに関する示差熱分析 的なダイヤグラムを示している。実際僅かな熱量変化も認められない。
第４図は湿分を含んだ空気におけるＢａＡ、４を含有しているシリコン−ゲルに 関する示差熱分析的なダイヤグラムを示している。３８０°に〜４４０’にの範 囲内での熱量変化が良く認められる。
第５図は湿った環境内でのＢａＡ４を含有するシリコン−ゲルに関する示差熱分 析的なダイヤグラムを示している。５８０°に〜４４００にの範囲内での熱量変 化は極めてはっきりと現れている。
第４図および第５図による試験にあっては新鮮な混合物を使用した。
以下に三つの実施例を記載する。
例１ 比率９：１の成分Ａ、！：Ｂを含有しているシリコン−ゲル−６０４（製造者： ワラカー）１ｙ並びにＸく４０　μｍの平均粒度を有するバリウム−アルミニウ ムー合金３２とを乾燥した窒素流の下で混合し、１０　Ｔｏｒｒ下で２３±３℃ で５分間ガスを除き、直ちに使用した。ケースカバーに薄く、約５〜１０η／ｉ の割合でゲッタペーストを塗布した。室温で約１〜２時間もしくは１００’で約 ５分間ゲッタを加硫処理して強固に付着させた。
例２ シリコン−ゲル−６０４−成分ＡとＢを比率１５：１で混合した。他は例１にお けると同じ条件である。硬化剤が不足した結果ゲッタはガス透過性にかつ粘着性 な状態に留まった。ゲッタは崖芥ゲッタとして、もしくは妨げとなる粒子を捕集 する働きをする。
例５ シリコン−ゲル−６０４の代わシに、加熱下に加硫処理されるシリコン−ゲル− ６００と６０１を使用した。従ってゲッタは既に活性化されている。もちろん他 から由来された類似の生成物、例えば以下のダウコーニング社製の Ｒ−４−３１１７ ＸＲ−９０−７１４（７２１） Ｑｌ−９２０５（ＡＩ−９２１４） Ｑ３−６５２７　ＡとＢ も使用することが可能である。
ＢａＡ４の代わりに、ジルコン金属粉末および水素化ジルコン粉末が使用される 。これにより更に安定し１．そゲッタが得られる。
補正書の翻訳文提出書（特許法第１８４条の７第１項）昭和６１年７月１６日 特許庁長官　黒　１）明　雄　殿 １、特許出願の表示 ＰＣＴ／ＤＥ８５１０　Ｏ４７５ Ｚ発明の名称 マイクロエレクトロエックス回路 を有機成分で封止するための方法 五特許出願人 住所（居所）　ドイツ連邦共和国、デー−８０１２オツトープルーン、ロベルト ーコツホーストラーセ（番ｉ無Ｌ）氏名（名称）　メッセルシュミットーベルコ ウープローム・ゲゼルシャフト０ミド・ベシュレンクテル・ハフラング代表者　 フリック・ゲルノ・ルト 代表者　エーレリツヒΦクラウス 国　籍　ドイツ連邦共和国 ４、代理人 〒１０５ 住　所　東京都港区虎ノ門二丁目８番１号（虎の門電気ビル）〔電話０５（５０ ２）１４７６（代表）〕変更された請求の範囲 〔国際事務所に１９８６年５月２日（８６，５，２）　受領：元の請求の範囲第 １項〜第９項は変更された請求の範囲第１項〜第５項（２頁）で置換えられた〕 請求の範囲 １、内部空域内において腐食作用を行うガスを吸収するためにゲッタとして微細 粒状の粉末をガス透過性で不活性のシリコンゴム内に分散させる様式の、マイク ロエレクトロエックス回路を有機成分により封止するだめの方法において、ゲッ タ材料として反応性のアルカリ土類金属−アルミニウムー合金を使用することを 特徴とする、マイクロエレクトロエックス回路を有機成分で封止するための方法 。
２、内部空域内で腐食作用を行うガスを吸収するた、めにゲッタとして微細粒状 の粉末がガス透過性で不活性のシリコンゴム内に分散されている様式の、有機成 分を含有しているマイクロエレクトロエックス素子において、ゲッタ材料が反応 性のアルカリ土類金属−アルミニウムー合金であることを特徴とする、有機成分 を含有しているマイクロエレクトロエックス回路。
３、ゲッタ材料がＢａＡｔ４である、請求の範囲第２項に記載のマイクロエレク トロエックス素子。
４、ゲッタ材料の粒径がα１と１００μ、特に５と５０μの間の値でちる、請求 の範囲第２項或いは第３項に記載のマイクロエレクトロエックス素子。
５、　ゲッタ材料充分に十分にイオンを放出させた（蹟度＜　５０　ｐｐｍ　） 、僅かに網状化可能であシ、ｌ３ａＡ４および回路成分に対して不活性でありか つ高いガス透過係数を有するシリコンゴム、特にシリコンーゲルをなんでいるシ リコンゴム内に分散されている、上記請求の範囲のいずれか一つに記載のマイク ロエレクトロエックス素子。
宝野遣審親台 ＩＶＩＮＥＸＴｏＴＨＥＸＨＴＥＲＮＡＴＸＯＮｆｉＬＳＥＡＲＣＨＲＥＰＯＲ ＴＯＮＩＮＴＥＲＮＡＴＩＯＮＡＬ　ＡＰＰＬＩＣＡＴＩＯＮ　Ｎｏ、　ＰＣＴ ／ＤＥ　ａｓ７ｏｏ４７３　（ＳＡ　ｕコ９ｊ）ＦＲ−Ａ−１２０５３５９

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １．内部空域内において腐食作用を行うガスを吸収するためにゲツタが一緒に封 入される様式の、有機成分によりマイクロエレクトロニツクス回路を封止する方 法において、ゲツタ材料を微細な粒状の粉末としてガス透過性の不活性なシリコ ンゴム内に分散させることを特徴とする、上記封止方法。 ２．封止されるべき回路の内部空域をゲツタ材料を含んでいるシリコンゴムで完 全に充填する、請求の範囲第１項に記載の封止方法。 ３．シリコンゴムを湿分遮断の下にゲツタ材料と網状化させ、ストツクシかつ溶 接する、請求の範囲第１項或いは第２項に記載の封止方法。 ４．腐食作用を行うガスを吸収するためのゲツタを含んでいる封止されたマイク ロエレクトロニツクス素子にかいて、ゲツタ材料が微細な粒状の粉末としてガス 透過性の不活性なシリコンゴム内に分散されていることを特徴とする、封止され たマイクロエレクトロニツクス素子。 ５素子の内部空域内をゲツタ材料を含んでいるシリコンゴムで完全に充填する、 請求の範囲第４項に記載の封止されたマイクロエレクトロニツクス素子。 ６．ゲツタ材料が反応性のアルカリ土類金属−アルミニウム−合金である、請求 の範囲第４項或いは第５項に記載の封止されたマイクロエレクトロニツクス素子 。 ７．ゲツタ材料がＢａＡｌ４から成る、請求の範囲第６項に記載の封止されたマ イクロエレクトロニツクス素子。 ８．ゲツタ材料の粒径が０．１と１００μ、特に５と５０μの間の値である、請 求の範囲第６項或いは第７項に記載の封止されたマイクロエレクトロニツクス素 子。 ９．ゲツタ材料が充分にイオンを放出された（濃度＜５０ｐｐｍ）の、僅かに網 状化可能なかつＢａＡｌ４およびマイクロエレクトロニツクス成分に対して不活 性のかつ高いガス透過係数を有している、特にシリコンーゲルを含んでいるシリ コンゴム内に分散されている、上記請求の範囲のいずれか一つに記載の封止され たマイクロエレクトロニツクス素子。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003096301A (ja) * 2001-09-25 2003-04-03 Shin Etsu Chem Co Ltd 電気・電子部品封止・シール用シリコーンゴム組成物
JP2005113115A (ja) * 2003-09-17 2005-04-28 Shin Etsu Chem Co Ltd 精密電子部品封止・シール用オルガノポリシロキサン組成物、精密電子部品の腐蝕防止又は遅延方法、並びに銀含有精密電子部品
JP2008530282A (ja) * 2005-02-08 2008-08-07 ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフト 有機ケイ素化合物をベースとする架橋可能なコンパウンド

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5032944A (en) * 1989-01-12 1991-07-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Membrane type magnetic head
DE3913066A1 (de) * 1989-04-21 1990-11-08 Schoppe & Faeser Gmbh Verfahren zur herstellung eines hermetisch dichten gehaeuses sowie nach diesem verfahren hergestelltes gehaeuse
JPH0448674A (ja) * 1990-06-14 1992-02-18 Rohm Co Ltd 半導体レーザ
JP2858166B2 (ja) * 1990-10-08 1999-02-17 株式会社日立製作所 半導体整流素子及びそれを使った全波整流装置
DE4111247C3 (de) * 1991-04-08 1996-11-21 Export Contor Ausenhandelsgese Schaltungsanordnung
JPH07500947A (ja) * 1991-07-08 1995-01-26 モトローラ・インコーポレーテッド チップキャリヤのための湿気除去
US5276414A (en) * 1991-12-10 1994-01-04 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Moistureproof structure for module circuits
US5331205A (en) * 1992-02-21 1994-07-19 Motorola, Inc. Molded plastic package with wire protection
US5379186A (en) * 1993-07-06 1995-01-03 Motorola, Inc. Encapsulated electronic component having a heat diffusing layer
SE502877C2 (sv) * 1994-06-14 1996-02-05 Ericsson Telefon Ab L M Anordning som förhindrar brand i elektronik
US5436203A (en) * 1994-07-05 1995-07-25 Motorola, Inc. Shielded liquid encapsulated semiconductor device and method for making the same
US5600181A (en) * 1995-05-24 1997-02-04 Lockheed Martin Corporation Hermetically sealed high density multi-chip package
WO1997011905A1 (en) * 1995-09-28 1997-04-03 Alliedsignal Inc. Hydrogen and moisture getter and absorber for sealed devices
US5939785A (en) * 1996-04-12 1999-08-17 Texas Instruments Incorporated Micromechanical device including time-release passivant
US6150193A (en) * 1996-10-31 2000-11-21 Amkor Technology, Inc. RF shielded device
US6962829B2 (en) * 1996-10-31 2005-11-08 Amkor Technology, Inc. Method of making near chip size integrated circuit package
US5753563A (en) * 1997-07-30 1998-05-19 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Method of removing particles by adhesive
US6452268B1 (en) 2000-04-26 2002-09-17 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Integrated circuit package configuration having an encapsulating body with a flanged portion and an encapsulating mold for molding the encapsulating body
GB0018643D0 (en) 2000-07-31 2000-09-13 Koninkl Philips Electronics Nv Semiconductor devices
US7332797B2 (en) * 2003-06-30 2008-02-19 Intel Corporation Wire-bonded package with electrically insulating wire encapsulant and thermally conductive overmold
US8173995B2 (en) 2005-12-23 2012-05-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electronic device including an organic active layer and process for forming the electronic device
US20090057885A1 (en) * 2007-08-30 2009-03-05 Infineon Technologies Ag Semiconductor device
DE102008017553B4 (de) * 2008-04-07 2012-12-13 Siemens Aktiengesellschaft Elektronisches System
JP2011077108A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Elpida Memory Inc 半導体装置
DE102010043811B4 (de) 2010-11-12 2023-09-28 Robert Bosch Gmbh Gelpassiviertes elektrisches Bauteil
DE102011056742B4 (de) 2011-05-09 2019-07-18 Conti Temic Microelectronic Gmbh Steuergerät mit einer Getterschicht in einem Kraftfahrzeug

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1103905A (en) * 1964-09-21 1968-02-21 Siemens Ag Improvements in or relating to the production of encapsulated electrical components

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1057694B (de) * 1957-08-01 1959-05-21 Siemens Ag Gekapseltes Halbleitergeraet mit einem oder mehreren p-n-UEbergaengen
FR1205359A (fr) * 1958-07-23 1960-02-02 Siemens Edison Swan Ltd Dispositifs semi-conducteurs hermétiquement fermés
US3007089A (en) * 1958-12-22 1961-10-31 Aden J King Semi-conductor
US3181229A (en) * 1962-01-08 1965-05-04 Mallory & Co Inc P R Hermetically sealed semiconductor device and method for producing it
FR1448423A (fr) * 1964-09-21 1966-08-05 Siemens Ag Fabrication de composants électriques, notamment à semi-conducteurs
GB1193610A (en) * 1967-04-17 1970-06-03 Mallory & Co Inc P R Desiccant for Electrical and Electronic Devices.
US3885304A (en) * 1972-03-23 1975-05-27 Bosch Gmbh Robert Electric circuit arrangement and method of making the same
NL7511482A (nl) * 1975-09-30 1977-04-01 Philips Nv Gasbindinrichting; werkwijze voor het vervaardi- gen van een kleurentelevisiebeeldbuis onder toe- passing van deze gasbindinrichting en aldus ver- vaardigde kleurentelevisiebeeldbuis.
US4163072A (en) * 1977-06-07 1979-07-31 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Encapsulation of circuits
DE3070123D1 (en) * 1979-10-25 1985-03-21 Toshiba Kk Getter device
JPS5681956A (en) * 1979-12-07 1981-07-04 Toshiba Corp Semiconductor device
JPS60157241A (ja) * 1984-01-26 1985-08-17 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1103905A (en) * 1964-09-21 1968-02-21 Siemens Ag Improvements in or relating to the production of encapsulated electrical components

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003096301A (ja) * 2001-09-25 2003-04-03 Shin Etsu Chem Co Ltd 電気・電子部品封止・シール用シリコーンゴム組成物
JP2005113115A (ja) * 2003-09-17 2005-04-28 Shin Etsu Chem Co Ltd 精密電子部品封止・シール用オルガノポリシロキサン組成物、精密電子部品の腐蝕防止又は遅延方法、並びに銀含有精密電子部品
JP4530137B2 (ja) * 2003-09-17 2010-08-25 信越化学工業株式会社 精密電子部品封止・シール用オルガノポリシロキサン組成物、精密電子部品の腐蝕防止又は遅延方法、並びに銀含有精密電子部品
JP2008530282A (ja) * 2005-02-08 2008-08-07 ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフト 有機ケイ素化合物をベースとする架橋可能なコンパウンド

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Publication number Publication date
DE3442132A1 (de) 1986-05-22
EP0200773A1 (de) 1986-11-12
EP0200773B1 (de) 1989-05-17
US4768081A (en) 1988-08-30
DE3442132C2 (ja) 1988-06-23
WO1986003056A1 (en) 1986-05-22

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