JP4497228B2 - 光記録媒体及びその製造方法、並びに、スパッタリング用のターゲット及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、光記録媒体及びその製造方法、並びに、スパッタリング用のターゲット及びその製造方法に関し、より具体的には、追記型のブルーレイディスク（ＢＤ−Ｒ）といった光記録媒体及びその製造方法、並びに、係る光記録媒体の製造での使用に適したスパッタリング用のターゲット及びその製造方法に関する。

近年、情報記録の分野において、光情報記録方式に関する研究、開発、商品化が盛んに行われている。この光情報記録方式においては、光記録媒体に対して非接触にて情報の記録、再生を行う。また、追記型、再生専用型、書き換え可能型等の種々の情報記録の形態に対応できるといった利点を有しており、安価な大容量ファイルの実現が可能となり、産業用から民生用まで幅広い用途が考えられている。

各種光情報記録方式を実現するための光記録媒体（光ディスク）の大容量化は、主に、情報の記録、再生に用いられる光源であるレーザ光の短波長化、及び、高い開口数（ＮＡ）を有する対物レンズを採用することにより、焦点面におけるスポットサイズを小さくすることで達成されてきた。例えば、記録容量６５０ＭＢを有するコンパクトディスク（ＣＤ）にあっては、波長７８０ｎｍのレーザ光、及び、開口数（ＮＡ）０．４５の対物レンズを使用する。一方、記録容量４．７ＧＢを有するＤＶＤ−ＲＯＭ（デジタル多用途ディスク−再生専用メモリ）にあっては、波長６５０ｎｍのレーザ光、及び、開口数（ＮＡ）０．６の対物レンズを使用する。

更には、次世代の光ディスクシステムにおいては、基板上に形成された光記録層の上に例えば０．１ｍｍ程度の薄い光透過層が形成された光記録媒体（光ディスク）を用いる。そして、光透過層側からレーザ光を光記録層に照射する。ここで、波長４５０ｎｍ以下のレーザ光、及び、開口数（ＮＡ）０．７８以上の対物レンズを使用することで、２５ＧＢ以上の大記録容量化を可能としている。この光記録媒体（光ディスク）における記録あるいは再生の状態を図１の（Ａ）に模式斜視図として示し、この光記録媒体（光ディスク）の模式的な断面図を図１の（Ｂ）に示し、この光記録媒体（光ディスク）の断面の一部を拡大した模式的な一部断面図を図１の（Ｃ）及び図１の（Ｄ）に示す。

この光記録媒体（光ディスク）１０においては、厚さが約１．１ｍｍの例えばポリカーボネート（ＰＣ）樹脂から成る基板（ディスク基板）２０の一主面に、凹部２１が形成されており、凹部２１を含む凹凸面に沿って光記録層３３が形成されている。ここで、相変化型の光記録媒体１０にあっては、例えば、入射側保護膜３４、光記録層３３、及び、反射側保護膜３２から構成された光記録多層構造体３０が備えられている。尚、反射側保護膜３２が基板側に位置する。また、光記録層３３の上に（具体的には、光記録多層構造体３０の上に）、例えば０．１ｍｍの膜厚を有する光透過層４１が形成されている。

光記録媒体１０に対する情報の記録あるいは再生にあっては、開口数（ＮＡ）が０．７８以上（例えばＮＡ＝０．８５）の対物レンズ１２によって、波長４５０ｎｍ以下（例えば波長３８０ｎｍ乃至４２０ｎｍ）のレーザ光が、光透過層側から、光記録層３３に集光、照射される。そして、記録情報の再生時においては、光記録層３３で反射された戻り光が受光素子（図示せず）で受光され、信号処理回路において所定の信号が生成され、再生信号を得ることができる。

光記録層３３は、基板２０の表面に形成された凹部２１に起因した凹凸形状を有している。凹部２１は、例えば所定のピッチで例えば螺旋状をなす連続溝あるいは円形状の溝となっており、この凹凸形状によってトラック領域が区分される。トラック領域を区分する凹凸形状の凹部と凸部とは、一方がランド、他方がグルーブと呼ばれる。ランド及びグルーブのいずれか一方が、記録領域とされている。尚、ランド及びグルーブの両方に情報を記録するランド・グルーブ記録方式を適用することで大容量化が可能である。

ところで、相変化型の光記録媒体１０にあっては、光記録層３３を構成する材料として、例えば、非化学量論組成を有する半金属酸化物である酸化テルルとパラジウム（Ｐｄ）の混合物（ＴｅＯ_xＰｄ、但し、０＜ｘ＜２）を使用することが報告されている（例えば、特開昭６１−０６８２９６号参照）。このような組成の光記録層３３における情報の記録原理は、レーザ光の照射によって光記録層３３が溶融し、次いで、光記録層３３が冷却したとき、酸化テルルとパラジウムとが相分離して光学定数が変化することを利用したものであると考えられている。即ち、レーザ光の照射の前後で光記録層３３の光反射率に差異が生じ、情報の再生時、係る光反射率の差異を検出することで、情報を再生することができる。

また、特許第３６３８１５２号には、光学的情報記録媒体とその製造方法、光学的情報記録・再生方法及び光学的情報記録・再生装置が開示されている。ここで、光学的情報記録媒体は、透明基板上に、少なくともＴｅ、Ｏ及びＭ原子（但し、Ｍは金属元素、半金属元素及び半導体元素から選ばれる少なくとも１種の原子）を含有する情報層を備えている。ここで、この情報層中のＯ原子の含有割合は４０ａｔｏｍ％以上６０ａｔｏｍ％以下であり、Ｍ原子の含有割合は２ａｔｏｍ％以上２５ａｔｏｍ％以下であり、Ｔｅ原子の含有割合は１５ａｔｏｍ％以上５８ａｔｏｍ％以下であり、情報層の膜厚は１０ｎｍ以上７０ｎｍ以下である。

特開昭６１−０６８２９６号 特許第３６３８１５２号

ところで、特開昭６１−０６８２９６号に開示されているような、光記録層３３を構成する材料として酸化テルルとパラジウムの混合物を用いる場合、開口数が０．８程度の対物レンズを用い、波長３８０ｎｍ〜４２０ｎｍ程度の短波長のレーザ光を用いて情報の記録を行うとき、光記録層３３の感度が低く、レーザパワーが不足するという問題がある。

また、特許第３６３８１５２号には、Ｍ原子として、Ｐｄ，Ｓｂ，Ｓｅ等が例示されているものの、Ｓｂ，Ｓｅに関して具体的な記載は認められない。更には、より一層高い記録感度を有する光記録層といった強い要求に対しても、特許第３６３８１５２号に開示された情報層が応えることは困難である。しかも、スパッタリング法にて光記録層を成膜するとき、より一層早い成膜速度を達成することで光記録媒体の生産性の向上を図るといった強い要求があるが、特許第３６３８１５２号に開示された情報層の形成方法は、係る要求に応えることが困難である。

従って、本発明の目的は、より高い記録感度を有し、しかも、スパッタリング法にて光記録層を成膜するとき、より一層早い成膜速度を達成することを可能とする光記録媒体及びその製造方法、並びに、係る光記録媒体の製造での使用に適したスパッタリング用のターゲット及びその製造方法を提供することにある。

上記の目的を達成するための本発明の第１の態様に係る光記録媒体は、
（Ａ）トラック領域を区分する凹凸形状が形成された基板、
（Ｂ）基板上に形成された光記録層、及び、
（Ｃ）光記録層の上に形成された光透過層、
を有し、
光記録層の組成は、（Ｓｂ₂Ｓｅ₃）_wＴｅ_xＯ_yＰｄ_zである。但し、ｗ，ｘ，ｙ，ｚはモル％を表し、後述する関係を満足している。

上記の目的を達成するための本発明の第２の態様に係る光記録媒体は、
（Ａ）トラック領域を区分する凹凸形状が形成された基板、
（Ｂ）基板上に形成された２層以上の光記録層、
（Ｃ）最上層の光記録層の上に形成された光透過層、及び、
（Ｄ）光記録層と光記録層との間に形成された中間層、
を有し、
各光記録層の組成は、（Ｓｂ₂Ｓｅ₃）_wＴｅ_xＯ_yＰｄ_zである。但し、ｗ，ｘ，ｙ，ｚはモル％を表し、後述する関係を満足している。

ここで、本発明の第２の態様に係る光記録媒体において、各光記録層における組成は、各光記録層に要求される光透過率、光反射率、光吸収率を考慮して、適宜、決定すればよい。

上記の目的を達成するための本発明の光記録媒体の製造方法は、トラック領域を区分する凹凸形状が形成された基板上に、（Ｓｂ₂Ｓｅ₃）_wＴｅ_xＯ_yＰｄ_zから成る光記録層を形成した後、光記録層の上に光透過層を形成する工程を含み、
組成として（Ｓｂ₂Ｓｅ₃）_WＴｅ_XＰｄ_Zを有するスパッタリング用のターゲットを用いて、且つ、プロセスガスとして酸素ガスを用いて、スパッタリング法にて光記録層を形成する。但し、ｗ，ｘ，ｙ，ｚ，Ｗ，Ｘ，Ｚはモル％を表し、次に述べる関係を満足している。

ここで、ｗ，ｘ，ｙ，ｚ，Ｗ，Ｘ，Ｚは、以下の関係を満足している。
１０（モル％）≦ｗ＜６０（モル％）
０（モル％）＜ｘ≦６０（モル％）
３０（モル％）≦ｙ≦６０（モル％）
１０（モル％）≦ｚ≦３０（モル％）
ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００
５（モル％）≦Ｗ＜９０（モル％）
好ましくは、
１０（モル％）≦Ｗ＜９０（モル％）
０（モル％）＜Ｘ≦８０（モル％）
１０（モル％）≦Ｚ≦３０（モル％）
好ましくは、
１５（モル％）≦Ｚ≦２５（モル％）
Ｗ＋Ｘ＋Ｚ＝１００

尚、ｗの値が１０モル％未満では記録感度の向上が認め難い。一方、（Ｓｂ₂Ｓｅ₃）によってＴｅを完全に置換したとすると、ｗ＝６０モル％となるので、ｗの上限は６０モル％となる。光記録層におけるマトリックス成分である酸素原子に関しては、ｙの値が３０モル％以下では、情報を記録するために光記録層に光を照射したとき、相分離が生じ難く、光記録層の光学定数の変化が小さく、情報の読み取りが困難となる虞がある。一方、ｙの値が６０モル％を越えると、光記録層における光透過率が高くなりすぎ、光記録層における光の吸収が減少し、光記録層の記録感度の低下が生じる虞がある。ｚの値が１０モル％未満では、光記録層におけるパラジウム（Ｐｄ）の濃度が低く、情報を記録するために光記録層に光を照射したとき、光記録層の光学定数の変化が小さく、情報の読み取りが困難となる虞がある。一方、ｚの値が３０モル％を越えると、光記録層の熱伝導率の値が高くなりすぎて、記録感度の低下が生じる虞がある。因みに、光記録層を酸化テルルとパラジウムの混合物から構成した場合、テルル（Ｔｅ）の熱伝導率が充分低くないが故に、光記録層を溶融させるために大きな光強度（レーザパワー）が必要とされると考えられる。

本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係る光記録媒体、本発明の光記録媒体の製造方法によって得られた光記録媒体においては、ｗ＋ｚ≧２６（モル％）を満足することが望ましく、これによって、記録感度の一層の向上を図ることができる。

また、上記の好ましい形態を含む本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係る光記録媒体、上記の好ましい形態を含む本発明の光記録媒体の製造方法によって得られた光記録媒体においては、波長４５０ｎｍ以下（具体的には、例えば、波長３８０ｎｍ乃至４２０ｎｍのレーザ光）の光を、開口数（ＮＡ）が０．７８以上（具体的には、例えば、開口数が０．８５±０．０５）の対物レンズを介して光記録層に照射することで、光記録層への情報の記録及び再生がなされる構成とすることが好ましい。

更には、上記の各種の好ましい形態を含む本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係る光記録媒体、上記の各種の好ましい形態を含む本発明の光記録媒体の製造方法によって得られた光記録媒体においては、光透過層を介して光を光記録層に照射する形態とすることができるし、及び／又は、光記録媒体を１回記録の追記型（規格名称：ＢＤ−Ｒ）とすることができる。

上記の目的を達成するための本発明のスパッタリング用のターゲットは、組成として（Ｓｂ₂Ｓｅ₃）_WＴｅ_XＰｄ_Zを有する。また、上記の目的を達成するための本発明のスパッタリング用のターゲットの製造方法においては、三セレン二アンチモン（Ｓｂ₂Ｓｅ₃）の粉体、テルル（Ｔｅ）の粉体、及び、パラジウム（Ｐｄ）の粉体を混合した後、焼成することで、組成として（Ｓｂ₂Ｓｅ₃）_WＴｅ_XＰｄ_Zを有するスパッタリング用のターゲットを得る。但し、Ｗ，Ｘ，Ｚはモル％を表し、上述した関係を満足している。

以上に説明した各種の好ましい形態、好ましい構成を含む本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係る光記録媒体、以上に説明した各種の好ましい形態、好ましい構成を含む本発明の光記録媒体の製造方法によって得られた光記録媒体（以下、これらの光記録媒体を総称して、『本発明の光記録媒体等』と呼ぶ場合がある）において、基板は、機械的な強度や精度を満足する限りにおいて、透明な材料から作製してもよいし、不透明な材料から作製してもよい。ここで、基板を構成する材料として、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂やポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）樹脂といったアクリル系樹脂、ノルボルネン系樹脂を含むポリオレフィン系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリルニトリル−スチレン共重合体樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリスチレン樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ウレタン系樹脂を挙げることができるし、更には、ガラスや石英、金属、紙を挙げることもできる。

また、本発明の光記録媒体等は、通常、光記録層を含む光記録多層構造体を備えているが、この光記録多層構造体は、基板側から、例えば、反射側保護膜（下層保護膜）、光記録層、入射側保護膜（上層保護膜）の３層構成とすることができる。反射側保護膜は、光反射膜への熱の拡散が阻害されないように、大きな熱伝導率を有しており、しかも、光学的に許容される範囲で出来るだけ薄く形成されている。入射側保護膜は、光記録層において光が効果的に吸収されるように、光の反射を或る程度、抑制する設計となっている。反射側保護膜や入射側保護膜を構成する材料として、具体的には、例えば、酸化ケイ素、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化錫、酸化チタン、酸化インジウム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウムといった金属酸化物；窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化チタン、窒化ジルコニウムといった金属窒化物；硫化亜鉛、硫化インジウム、硫化タンタルといった金属硫化物；炭化ケイ素、炭化タンタル、炭化ホウ素、炭化タングステン、炭化チタン、炭化ジルコニウムといった炭化物やダイヤモンド・ライク・カーボン（ＤＬＣ）；これら各種材料の混合物、具体的には、例えば、酸化ケイ素／酸化クロム／酸化ジルコニウムの混合物や、硫化亜鉛／酸化ケイ素の混合物等の光透過性誘電体材料を挙げることができ、膜厚は、例えば５ｎｍ乃至１００ｎｍである。また、保護膜を設けることで、高温高湿の加速試験を行った場合においても光記録層の劣化を防止することができる結果、信号の劣化を抑制することができる。反射側保護膜（下層保護膜）と基板との間に光反射膜を設けてもよい。光反射膜は、金属あるいは合金から成り、大きな熱伝導率を有しており、光記録層を透過した光の少なくとも一部を反射する機能を有するだけでなく（即ち、大きな信号強度が得られるだけでなく）、一種のヒートシンクとしても機能し、光記録層への光の照射後の温度降下を急峻なものとすることができる。光反射膜は、具体的には、例えば、銀（Ａｇ）やアルミニウム（Ａｌ）、銀とパラジウムの合金から成り、膜厚は、例えば５ｎｍ乃至１００ｎｍである。また、光記録層と入射側保護膜（上層保護膜）との間に、例えば硫化亜鉛層から成る誘電体層を形成することで、光記録層の加熱・冷却によって生じる応力を緩和することができる。

本発明の光記録媒体等において、光透過層（カバー層とも呼ばれる）は、例えば、ポリカーボネート樹脂から成るシート状材料から構成されており、接着剤によって光記録層に接着されている（シートレジン接着法）。あるいは又、光透過層は、紫外線硬化型樹脂から成り、例えばスピンコーティング法にて光記録層上に塗布した後、紫外線を照射して硬化させることで形成されている（レジンコート法）。あるいは又、光透過層は、シート状材料から構成されており、感圧接着剤（両面テープ）によって光記録層に接着されている（シートＰＳＡ接着法）。

尚、光透過層の上にハードコート層が設けられていてもよい。ハードコート層は、例えば、アクリル系やシリコーン系のポリマーから構成することができるし、フッ素系樹脂、有機無機ハイブリッド材料（例えば、シリカのような高い硬度、低い屈折率を有する微粒子を高分子材料中に分散させたもの）から構成することもできる。

本発明の第２の態様に係る光記録媒体において、光記録層の層数は２層以上であればよく、例えば、２層、４層、８層・・・を例示することができる。多層化された光記録層にあっては、基板に最も近い層を第１光記録層（Ｌ₀記録層）と呼び、その上に順次形成された層を第２光記録層（Ｌ₁記録層）、第３光記録層（Ｌ₂記録層）、第４光記録層（Ｌ₃記録層）・・・と呼ぶ。中間層（スペーサ層とも呼ばれる）は、例えば、粘着性シート、紫外線硬化型樹脂、あるいは又、粘着性を有し、紫外線によって硬化するシートから成る。例えば、２層の光記録層を有する光記録媒体は、以下に説明する方法に基づき製造することができる。尚、３層以上の光記録層を有する光記録媒体も、基本的には同様の方法で製造することができる。即ち、Ｌ₀記録層からＬ_N記録層までを有する光記録媒体（Ｎ層の光記録層を有する光記録媒体）は、基本的には、上述した操作を（Ｎ−１）回、繰り返すことで製造することができる。中間層の厚さは、各光記録層において情報の記録、再生に必要とされる光強度等を考慮して、適宜、決定すればよい。

（１）Ｌ₀記録層が形成された厚さ１．１ｍｍの基板と、Ｌ₁記録層が形成された７５μｍ厚さのシートを、厚さ２５μｍの両面テープといった粘着性シートを使用して、あるいは又、厚さ２５μｍの紫外線硬化型樹脂に基づき、貼り合わせる方法
（２）Ｌ₀記録層が形成された厚さ１．１ｍｍの基板上に、紫外線にて硬化する粘着性シートを設け、Ｌ₁記録層用のトラック領域を区分する凹凸形状が形成されたスタンパを粘着性シートに押し付けながら、粘着性シートに紫外線を照射して粘着性シートを硬化させ、その後、スタンパを除去し、次いで、硬化した粘着性シート上にＬ₁記録層を形成する方法
（３）Ｌ₁記録層用のトラック領域を区分する凹凸形状が形成されたスタンパ上に紫外線硬化型樹脂から成る中間層を形成することで、中間層にＬ₁記録層用のトラック領域を区分する凹凸形状を設けておき、スタンパ上の中間層とＬ₀記録層が形成された厚さ１．１ｍｍの基板とを紫外線硬化型の接着剤を用いて貼り合わせ、接着剤に紫外線を照射して接着剤を硬化させた後、スタンパを除去して、Ｌ₁記録層用のトラック領域を区分する凹凸形状が設けられた中間層を残し、次いで、この中間層上にＬ₁記録層を形成する方法

本発明の光記録媒体等において、基板にはトラック領域を区分する凹凸形状が形成されており、トラック領域に情報が書き込まれるが、凹部に情報が書き込まれるイン・グルーブ（In-Groove）方式を採用してもよいし、凸部に情報が書き込まれるオン・グルーブ（On-Groove）方式を採用してもよい。凹凸形状の深さ（高さ）として、数ｎｍ乃至１００ｎｍ程度を挙げることができ、より具体的には、例えば２０ｎｍを例示することができる。

光記録層に入射した光は、一部が反射され、一部は透過し、残りは吸収される。そして、吸収された光が熱となって、光記録層への情報の記録に用いられる。また、反射された光は、情報（データ）の読み取りや、フォーカス制御、トラッキング制御のための制御誤差信号の検出に用いられる。光記録層は、上述したとおり、所謂相変化型の（Ｓｂ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｏ，Ｐｄ）の５元素系から構成されており、アモルファス状態の光記録層中に、Ｓｂ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｐｄの微粒子が分散した状態で存在している。そして、記録マークの形成のために、光記録層に光が照射され、酸化反応、溶融、相分離が生じる。具体的には、光記録層に光が照射され、融点以上に加熱されると、冷却時、これらの微粒子が大きくなって結晶化する。この状態にあっては、屈折率は、光が照射される前の屈折率よりも大きくなる。このような屈折率の変化によって、情報（データ）を読み出すことができる。光記録層の膜厚として、４ｎｍ乃至１００ｎｍ、好ましくは５ｎｍ〜２０ｎｍを例示することができる。

光（具体的にはレーザ）を出射するレーザ光源、対物レンズを含む光ピックアップの構成、構造は、周知の構成、構造とすることができる。

本発明のスパッタリング用のターゲットあるいはその製造方法において、三セレン二アンチモン（Ｓｂ₂Ｓｅ₃）の粉体、テルル（Ｔｅ）の粉体、及び、パラジウム（Ｐｄ）の粉体の粒度は、種々の試験を行い、適宜、決定すればよいし、これらの粉末は、適切な粉砕機及び分級機を用いることで得ることができるし、適切な混合装置を使用することでこれらの粉末の混合を得ることができる。また、これらの粉末を適切なバインダーを用いて賦形した後、適切な温度条件、雰囲気、適切な焼成時間にて、焼成を行えばよい。

本発明の光記録媒体等において、光記録層の組成は（Ｓｂ₂Ｓｅ₃）_wＴｅ_xＯ_yＰｄ_zであり、光記録層の組成をこのように規定することで、光記録層における記録感度の向上を図ることができるし、スパッタリング法にて光記録層を形成するときの光記録層の成膜速度の向上を図ることができる。尚、光記録層の記録感度の向上によって、より低いレーザパワーで良好な記録が可能となる。また、本発明のスパッタリング用のターゲットにおいては、スパッタリング時、多くの電力を加えることが可能であり、光記録層の成膜速度の向上を図ることができる。とりわけ、光記録層の記録感度の向上によって、複数層の光記録層を備えた光記録媒体における光記録層の一層の多層化を容易ならしめることが可能となる。

以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明する。

実施例１は、本発明の第１の態様に係る光記録媒体、本発明の光記録媒体の製造方法、並びに、スパッタリング用のターゲット及びその製造方法に関する。

実施例１の光記録媒体（光ディスク）１０は、模式的な断面図を図１の（Ｂ）に示し、一部を拡大した模式的な断面図を図１の（Ｃ）及び図１の（Ｄ）に示すように、
（Ａ）トラック領域を区分する凹凸形状が形成された基板２０、
（Ｂ）基板２０の上に形成された光記録層３３、及び、
（Ｃ）光記録層３３の上に形成された光透過層４１、
を有している。

そして、光記録層３３の組成は、（Ｓｂ₂Ｓｅ₃）_wＴｅ_xＯ_yＰｄ_zである。但し、ｗ，ｘ，ｙ，ｚはモル％を表し、
１０（モル％）≦ｗ＜６０（モル％）
０（モル％）＜ｘ≦６０（モル％）
３０（モル％）≦ｙ≦６０（モル％）
１０（モル％）≦ｚ≦３０（モル％）
ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００
といった関係を満足している。具体的には、実施例１にあっては、
ｗ＝１５モル％（Ｓｂ：６原子％，Ｓｅ：９原子％）
ｘ＝２４モル％（Ｔｅ：２４原子％）
ｙ＝５０モル％（Ｏ ：５０原子％）
ｚ＝１１モル％（Ｐｄ：１１原子％）
とした。また、光記録層３３の厚さを５ｎｍとした。

ここで、実施例１の光記録媒体１０にあっては、図１の（Ａ）に記録あるいは再生の状態を模式斜視図として示すように、光透過層４１を介して光を光記録層３３に照射する。光記録媒体１０は、１回記録の追記型（規格名称：ＢＤ−Ｒ）である。光記録あるいは光再生にあっては、波長４５０ｎｍ以下の光（具体的には、例えば、波長３８０ｎｍ乃至４２０ｎｍ、より具体的には、波長４０５ｎｍのレーザ光）を、開口数（ＮＡ）が０．７８以上（具体的には、開口数が０．８５±０．０５）の対物レンズ１２を介して光記録層３３に照射することで、光記録層３３への情報の記録及び情報の再生がなされる。記録情報の再生時においては、光記録層３３で反射された戻り光が受光素子（図示せず）で受光され、信号処理回路において所定の信号が生成され、再生信号を得ることができる。

光記録媒体１０は、中心部にセンターホール１１が穿設された円板状の形状を有しており、図１の（Ａ）に示すように、矢印の方向に回転している。光記録媒体１０においては、厚さが約１．１ｍｍの例えばポリカーボネート（ＰＣ）樹脂から成る基板（ディスク基板）２０の一主面に、凹部２１が形成されており、凹部２１を含む凹凸面に沿って光記録層３３が形成されている。光記録層３３は、基板２０の表面に形成された凹部２１に起因した凹凸形状を有している。凹部２１は、例えば所定のピッチで例えば螺旋状をなす連続溝となっており、この凹凸形状によってトラック領域が区分される。そして、ランド及びグルーブのいずれか一方が、記録領域とされている。尚、ランド及びグルーブの両方に情報を記録するランド・グルーブ記録方式を採用してもよい。

ここで、実施例１の相変化型の光記録媒体１０にあっては、入射側保護膜（上層保護膜）３４、相変化膜から成る光記録層３３、及び、反射側保護膜（下層保護膜）３２から構成された光記録多層構造体３０が備えられている。尚、反射側保護膜３２が基板側に位置し、基板２０の上に反射側保護膜３２が形成されている。入射側保護膜３４及び反射側保護膜３２は、酸化ケイ素／酸化クロム／酸化ジルコニウムの混合物から成り、厚さは１０ｎｍである。また、入射側保護膜３４と光記録層３３との間には、厚さ３０ｎｍの硫化亜鉛層３５が設けられている。更には、光記録層３３の上（具体的には、光記録多層構造体３０の上）には、例えば０．１ｍｍの膜厚を有し、ポリカーボネート樹脂から成る光透過性樹脂フイルムから構成された光透過層４１が形成されている。

凹凸形状は、０．３２μｍのピッチ（凹部の中央から隣接する凹部の中央までの距離）で、螺旋状（スパイラル状）に基板２０の一主面に形成されている。尚、凹凸形状は連続溝であり、凹凸形状の深さは２０ｎｍである。

以下、実施例１の光記録媒体（光ディスク）１０の製造方法を説明するが、その製造にあたっては、光記録層３３を成膜するために、組成として（Ｓｂ₂Ｓｅ₃）_WＴｅ_XＰｄ_Zを有するスパッタリング用のターゲットを準備しておく。ここで、
５（モル％）≦Ｗ＜９０（モル％）
０（モル％）＜Ｘ≦８０（モル％）
１０（モル％）≦Ｚ≦３０（モル％）
Ｗ＋Ｘ＋Ｚ＝１００
であり、具体的には、
Ｗ＝３０（モル％）
Ｘ＝４８（モル％）
Ｚ＝２２（モル％）
である。このスパッタリング用のターゲットは、三セレン二アンチモン（Ｓｂ₂Ｓｅ₃）の粉体、テルル（Ｔｅ）の粉体、及び、パラジウム（Ｐｄ）の粉体を混合した後、焼成することで得ることができる。

［工程−１００］
先ず、基板２０に凹凸形状を転写形成するためのスタンパを準備する。スタンパの表面には、図１の（Ｂ）及び（Ｃ）に示した凹部２１の反転パターン（相補的なパターン）である凸部が形成されている。

このスタンパは、次の方法によって得ることができる。即ち、先ず、表面が研磨された平滑なガラス基板に、例えばポジ型フォトレジストをスピンコーティング等によって塗布することで、ガラス基板上にフォトレジスト層を形成する。そして、このフォトレジスト層に対して、基板の凹凸形状に対応する形状を有するパターンを露光し、アルカリ性の現像液で現像処理する。このようにして、基板の凹凸形状のパターンに対応するパターンが形成されたフォトレジスト層を有する原盤を得ることができる。次に、この原盤上に、所定の厚さのニッケル等の金属層を、無電解メッキ法及び電解メッキ法によって形成する。その後、この金属層を原盤から剥離する。このようにして、フォトレジスト層によって形成された原盤の凹凸形状が反転された凹凸形状を有するメッキ層から成るスタンパを得ることができる。

そして、このスタンパを使用して、周知の射出成形法に基づき、トラック領域を区分する凹凸形状が形成された基板２０を得ることができる。

［工程−１１０］
次に、スパッタリング法に基づき、酸化ケイ素／酸化クロム／酸化ジルコニウムの混合物から成り、厚さは１０ｎｍの反射側保護膜３２を形成し、反射側保護膜３２上に、上述したスパッタリング用のターゲットを用いて厚さ５ｎｍの光記録層３３を成膜し、更には、光記録層３３上にスパッタリング法に基づき、厚さ３０ｎｍの硫化亜鉛層３５を形成し、硫化亜鉛層３５上に、スパッタリング法に基づき、酸化ケイ素／酸化クロム／酸化ジルコニウムの混合物から成り、厚さは１０ｎｍの入射側保護膜３４を形成した。

尚、光記録層３３の成膜条件を、具体的には、以下のとおりとした。

ターゲット ：上述したとおり
プロセスガス：Ａｒ／Ｏ₂＝４３sccm／７sccm
印加電力 ：４ワット／ｃｍ²

［工程−１２０］
その後、入射側保護膜３４の上に、０．１ｍｍの膜厚を有し、ポリカーボネート樹脂から成る光透過性樹脂フイルムから構成された光透過層４１を、紫外線硬化型樹脂を用いて貼り合わせた。こうして、実施例１の光記録媒体（光ディスク）１０を得ることができた。

尚、［工程−１１０］においては、光記録層３３の成膜時のスパッタリングパワーを、上述したとおり、４ワット／ｃｍ²とすることができた。

波長４０５ｎｍの記録用のレーザ光を、開口数０．８５の対物レンズにより光記録媒体における光記録層に集光することで、ビット長０．１３μｍのランダム信号を記録した。このときの光記録媒体に記録された信号のジッターの値、記録用のレーザ光のパワーを表１に示す。尚、後述する実施例２、参考例、比較例１においても、同様の方法で、ビット長０．１３μｍのランダム信号を記録した。このときの光記録媒体に記録された信号のジッターの値、記録用のレーザ光のパワーを表１に示す。

参考例として組成（Ｓｂ₂Ｓｅ₃）_wＴｅ_xＯ_yＰｄ_zにおけるｗ，ｘ，ｙ，ｚを以下の値とした光記録層を有する光記録媒体（光ディスク）を製造した。尚、光記録層の組成が異なる点を除き、参考例の光記録媒体は、実施例１の光記録媒体と同じ構成、構造を有している。
ｗ＝１０モル％（Ｓｂ：４原子％，Ｓｅ：６原子％）
ｘ＝２９モル％（Ｔｅ：２９原子％）
ｙ＝５０モル％（Ｏ ：５０原子％）
ｚ＝１１モル％（Ｐｄ：１１原子％）

比較例１として、組成Ｔｅ_xＯ_yＰｄ_z（ｘ＝３０モル％、ｙ＝４８モル％、ｚ＝２２モル％）とした光記録層を有する光記録媒体（光ディスク）を製造した。尚、この場合、モル％の値と原子％の値とは等しい。光記録層の組成が異なる点を除き、比較例１の光記録媒体は、実施例１の光記録媒体と同じ構成、構造を有している。尚、［工程−１１０］においては、光記録層の成膜時のスパッタリングパワーとして、１ワット／ｃｍ²しか加えられなかった。

［表１］
ジッターの値（％） 記録用のレーザ光のパワー（ミリワット）
実施例１ ６ ７．５
参考例 ６ ９
比較例１ ６ １６
実施例２ ６ ６

実施例１と比較例１との対比から、光記録層の組成を（Ｓｂ₂Ｓｅ₃）_wＴｅ_xＯ_yＰｄ_zとすることによって、記録用のレーザ光のパワーを減少させることができたことが判る。即ち、実施例１の光記録媒体は、比較例１の光記録媒体よりも高い記録感度を有している。また、実施例１と参考例との比較から、ｗ＋ｚの値が高いほど、記録感度が高くなることが判る。

実施例１の光記録媒体において、光記録層の組成は（Ｓｂ₂Ｓｅ₃）_wＴｅ_xＯ_yＰｄ_zである。（Ｔｅ，Ｏ，Ｐｄ）から構成された光記録層よりも、（Ｓｅ，Ｔｅ，Ｏ，Ｐｄ）から構成された光記録層の方が、Ｓｅを添加することで、光記録層の熱伝導率が低くなる結果、光記録層の記録感度が向上（増加）する。ところが、ＳｅはＴｅよりも融点が低い。従って、スパッタリング用のターゲットが（Ｓｅ，Ｔｅ，Ｐｄ）から構成されている場合、（Ｔｅ，Ｐｄ）から構成されている場合よりも、スパッタリング法にて光記録層を成膜するとき、ターゲットに電力を加えることが出来ない。即ち、光記録層の成膜速度を早めることが出来ない。一方、三セレン二アンチモン（Ｓｂ₂Ｓｅ₃）の融点は、セレンの融点（２２０゜Ｃ）よりも高く、５９０゜Ｃである。従って、スパッタリング用のターゲットを（Ｓｂ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｐｄ）から構成することで、ターゲットに多くの電力を加えることができる結果、光記録層の成膜速度を早めることができる。そして、光記録層の組成を（Ｓｂ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｏ，Ｐｄ）とすることで、光記録層の記録感度の向上を図ることができる。

実施例２は、実施例１の変形である。実施例２の光記録媒体にあっては、図２に光記録多層構造体３０の一部の模式的な断面図を示すように、基板２０と反射側保護膜（下層保護膜）３２との間に、銀とパラジウムの合金から成り、厚さ３０ｎｍの光反射膜３１が、スパッタリング法にて形成されている。この点を除き、実施例２の光記録媒体は、実施例１の光記録媒体と同じ構成、構造を有している。実施例２の光記録媒体に記録された信号のジッターの値、記録用のレーザ光のパワーを表１に示す。

実施例３は、本発明の第２の態様に係る光記録媒体及び本発明の光記録媒体の製造方法に関する。実施例３の光記録媒体は、
（Ａ）トラック領域を区分する凹凸形状が形成された基板、
（Ｂ）基板の上に形成された２層以上（実施例３にあっては、具体的には４層）の光記録層、
（Ｃ）最上層の光記録層の上に形成された光透過層、及び、
（Ｄ）光記録層と光記録層との間に形成された中間層（実施例３にあっては、３層の中間層）、
を有している。

そして、各光記録層の組成は、（Ｓｂ₂Ｓｅ₃）_wＴｅ_xＯ_yＰｄ_zである。光記録層を含む各光記録多層構造体、中間層の具体的な組成や構成、厚さを表２に示す。尚、各光記録層を含む各光記録多層構造体、中間層の組成や構成、厚さは、各光記録層に要求される光透過率、光反射率、光吸収率を考慮して、決定されている。表２中、光記録層における「光記録層組成」は、以下の組成を意味する。また、表２中、「保護膜組成−１」、「保護膜組成−２」は、以下の組成を意味する。

［光記録層組成］
ｗ＝１５モル％（Ｓｂ：６原子％，Ｓｅ：９原子％）
ｘ＝２４モル％（Ｔｅ：２４原子％）
ｙ＝５０モル％（Ｏ ：５０原子％）
ｚ＝１１モル％（Ｐｄ：１１原子％）
［保護膜組成−１］
酸化ケイ素／酸化クロム／酸化ジルコニウムの混合物
［保護膜組成−２］
硫化亜鉛８０モル％／酸化ケイ素２０モル％の混合物

［表２］

実施例３においても、実施例１と同じスパッタリング用のターゲットを使用した。以下、実施例３の光記録媒体（光ディスク）の製造方法を説明する。

［工程−３００］
実施例１の［工程−１００］と同様にして、スタンパを使用して、周知の射出成形法に基づき、トラック領域を区分する凹凸形状が形成された基板を得る。この基板にあっては、実施例１と同様に、凹凸形状が、０．３２μｍのピッチで、螺旋状（スパイラル状）に基板の一主面に形成されている。尚、凹凸形状は連続溝であり、凹凸形状の深さは２０ｎｍである。

［工程−３１０］
次に、実施例１の［工程−１１０］と実質的に同様にしてスパッタリング法にて、表２に示した各種の層、膜を、順次、形成し、第１の光記録多層構造体を得た後、中間層を形成する。具体的には、Ｌ₁記録層用のトラック領域を区分する凹凸形状（０．３２μｍのピッチで螺旋状であり、深さが２０ｎｍ）が形成されたスタンパ上に紫外線硬化型樹脂から成る中間層を形成することで、中間層にＬ₁記録層用のトラック領域を区分する凹凸形状を設けておく。そして、スタンパ上の中間層とＬ₀記録層が形成された厚さ１．１ｍｍの基板とを紫外線硬化型の接着剤（図示せず）を用いて貼り合わせ、接着剤に紫外線を照射して接着剤を硬化させる。次いで、スタンパを除去して、Ｌ₁記録層用のトラック領域を区分する凹凸形状が設けられた中間層を残す。その後、この中間層上にＬ₁記録層を構成する第２の光記録多層構造体を形成した。以降、中間層、第３の光記録多層構造体、中間層、第４の光記録多層構造体を、同様の方法に基づき、順次、形成した。尚、各光記録多層構造体における光記録層の成膜条件は、厚さが異なる点を除き、実施例１と同様とした。

［工程−３２０］
その後、第４の光記録多層構造体の上に、５５μｍの膜厚を有し、ポリカーボネート樹脂から成る光透過性樹脂フイルムから構成された光透過層を、紫外線硬化型樹脂を用いて貼り合わせた。こうして、実施例３の光記録媒体（光ディスク）を得ることができた。

得られた各光記録層の光透過率、及び、光反射率は、以下の表３のとおりであった。尚、光反射率は、当該光記録層よりも上方に位置する光記録層を透過した光の、当該光記録層の光入射面における値である。

［表３］
光透過率（％） 光反射率（％）
第４光記録層（Ｌ₃記録層） ８２ ２．９
第３光記録層（Ｌ₂記録層） ７７ ３．０
第２光記録層（Ｌ₁記録層） ６７ ３．４
第１光記録層（Ｌ₀記録層） ２１ ３．９

波長４０５ｎｍの記録用のレーザ光を、開口数０．８５の対物レンズにより光記録媒体における光記録層に集光することで、ビット長０．１３μｍのランダム信号を記録した。このときの光記録媒体に記録された信号のジッターの値、記録用のレーザ光のパワー相対値を表４に示す。

比較例３として、組成Ｔｅ_xＯ_yＰｄ_z（ｘ＝３０モル％、ｙ＝４８モル％、ｚ＝２２モル％）とした４層の光記録層を有する光記録媒体（光ディスク）を製造した。尚、この場合、モル％の値と原子％の値とは等しい。光記録層の組成が異なる点を除き、比較例３の光記録媒体は、実施例３の光記録媒体と同じ構成、構造を有している。そして、波長４０５ｎｍの記録用のレーザ光を、開口数０．８５の対物レンズにより光記録媒体における各光記録層に集光することで、ビット長０．１３μｍのランダム信号を記録した。この比較例３における各光記録層［第４光記録層（Ｌ₃記録層）、第３光記録層（Ｌ₂記録層）、第２光記録層（Ｌ₁記録層）、第１光記録層（Ｌ₀記録層）］への情報記録のためのレーザ光のパワーを１００％としたときの、実施例３における各光記録層［第４光記録層（Ｌ₃記録層）、第３光記録層（Ｌ₂記録層）、第２光記録層（Ｌ₁記録層）、第１光記録層（Ｌ₀記録層）］への情報記録のためのレーザ光のパワーの値を「パワー相対値」とした。

［表４］
ジッターの値（％） パワー相対値（％）
第４光記録層（Ｌ₃記録層） ６ ７０
第３光記録層（Ｌ₂記録層） ６ ６８
第２光記録層（Ｌ₁記録層） ６ ７７
第１光記録層（Ｌ₀記録層） ６ ５２

表４からも、実施例３の組成を有する光記録層を採用することで、情報記録のためのレーザ光のパワーの値を低減させることができた。即ち、各光記録層の記録感度の向上を図ることができた。

以上、本発明を好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例において説明した光記録媒体の構成、構造、仕様等は例示であり、適宜、変更することができるし、光記録媒体の製造方法における各種の条件等も例示であり、適宜、変更することができる。また、スパッタリング用のターゲット及びその製造方法も例示であり、適宜、変更することができる。

図１の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）は、それぞれ、光記録媒体（光ディスク）における記録あるいは再生の状態を模式的に示す斜視図、実施例１の光記録媒体の模式的な断面図、実施例１の光記録媒体の断面の一部を拡大した模式的な一部断面図、及び、実施例１の光記録媒体の断面の一部を更に拡大した模式的な一部断面図である。 図２は、実施例２の光記録媒体（光ディスク）の断面の一部を拡大した模式的な一部断面図である。

符号の説明

１０・・・光記録媒体（光ディスク）、１１・・・センターホール、１２・・・対物レンズ、２０・・・基板（ディスク基板）、２１・・・凹部、３０・・・光記録多層構造体、３１・・・光反射膜、３２・・・反射側保護膜（下層保護膜）、３３・・・光記録層、３４・・・入射側保護膜（上層保護膜）、３５・・・硫化亜鉛層、４１・・・光透過層

Claims (15)

1. （Ａ）トラック領域を区分する凹凸形状が形成された基板、
   （Ｂ）基板上に形成された光記録層、及び、
   （Ｃ）光記録層の上に形成された光透過層、
   を有し、
   光記録層の組成は、（Ｓｂ₂Ｓｅ₃）_wＴｅ_xＯ_yＰｄ_zである光記録媒体。
   但し、ｗ，ｘ，ｙ，ｚはモル％を表し、
   １０（モル％）≦ｗ＜６０（モル％）
   ０（モル％）＜ｘ≦６０（モル％）
   ３０（モル％）≦ｙ≦６０（モル％）
   １０（モル％）≦ｚ≦３０（モル％）
   ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００
   である。
2. ｗ＋ｚ≧２６（モル％）を満足する請求項１に記載の光記録媒体。
3. 波長３８０ｎｍ乃至４２０ｎｍの光を、開口数が０．８５±０．０５の対物レンズを介して光記録層に照射することで、光記録層への情報の記録及び再生がなされる請求項１に記載の光記録媒体。
4. 光透過層を介して光を光記録層に照射する請求項３に記載の光記録媒体。
5. 追記型である請求項１に記載の光記録媒体。
6. （Ａ）トラック領域を区分する凹凸形状が形成された基板、
   （Ｂ）基板上に形成された２層以上の光記録層、
   （Ｃ）最上層の光記録層の上に形成された光透過層、及び、
   （Ｄ）光記録層と光記録層との間に形成された中間層、
   を有し、
   各光記録層の組成は、（Ｓｂ₂Ｓｅ₃）_wＴｅ_xＯ_yＰｄ_zである光記録媒体。
   但し、ｗ，ｘ，ｙ，ｚはモル％を表し、
   １０（モル％）≦ｗ＜６０（モル％）
   ０（モル％）＜ｘ≦６０（モル％）
   ３０（モル％）≦ｙ≦６０（モル％）
   １０（モル％）≦ｚ≦３０（モル％）
   ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００
   である。
7. ｗ＋ｚ≧２６（モル％）を満足する請求項６に記載の光記録媒体。
8. 波長３８０ｎｍ乃至４２０ｎｍの光を、開口数が０．８５±０．０５の対物レンズを介して光記録層に照射することで、光記録層への情報の記録及び再生がなされる請求項６に記載の光記録媒体。
9. 光透過層を介して光を光記録層に照射する請求項８に記載の光記録媒体。
10. 追記型である請求項６に記載の光記録媒体。
11. トラック領域を区分する凹凸形状が形成された基板上に、（Ｓｂ₂Ｓｅ₃）_wＴｅ_xＯ_yＰｄ_zから成る光記録層を形成した後、光記録層の上に光透過層を形成する工程を含み、
    組成として（Ｓｂ₂Ｓｅ₃）_WＴｅ_XＰｄ_Zを有するスパッタリング用のターゲットを用いて、且つ、プロセスガスとして酸素ガスを用いて、スパッタリング法にて光記録層を形成する光記録媒体の製造方法。
    但し、ｗ，ｘ，ｙ，ｚ，Ｗ，Ｘ，Ｚはモル％を表し、
    １０（モル％）≦ｗ＜６０（モル％）
    ０（モル％）＜ｘ≦６０（モル％）
    ３０（モル％）≦ｙ≦６０（モル％）
    １０（モル％）≦ｚ≦３０（モル％）
    ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００
    ５（モル％）≦Ｗ＜９０（モル％）
    ０（モル％）＜Ｘ≦８０（モル％）
    １０（モル％）≦Ｚ≦３０（モル％）
    Ｗ＋Ｘ＋Ｚ＝１００
    である。
12. ｗ＋ｚ≧２６（モル％）を満足する請求項１１に記載の光記録媒体の製造方法。
13. 追記型である請求項１１に記載の光記録媒体の製造方法。
14. 組成として（Ｓｂ₂Ｓｅ₃）_WＴｅ_XＰｄ_Zを有する、スパッタリング用のターゲット。
    但し、Ｗ，Ｘ，Ｚはモル％を表し、
    ５（モル％）≦Ｗ＜９０（モル％）
    ０（モル％）＜Ｘ≦８０（モル％）
    １０（モル％）≦Ｚ≦３０（モル％）
    Ｗ＋Ｘ＋Ｚ＝１００
    である。
15. 三セレン二アンチモンの粉体、テルルの粉体、及び、パラジウムの粉体を混合した後、焼成することで、組成として（Ｓｂ₂Ｓｅ₃）_WＴｅ_XＰｄ_Zを有するスパッタリング用のターゲットを得る、スパッタリング用のターゲットの製造方法。
    但し、Ｗ，Ｘ，Ｚはモル％を表し、
    ５（モル％）≦Ｗ＜９０（モル％）
    ０（モル％）＜Ｘ≦８０（モル％）
    １０（モル％）≦Ｚ≦３０（モル％）
    Ｗ＋Ｘ＋Ｚ＝１００
    である。

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