KR20090115660A - 광 기록 매체 및 그의 제조 방법과, 스퍼터링용 타겟 및 그의 제조 방법 - Google Patents

광 기록 매체 및 그의 제조 방법과, 스퍼터링용 타겟 및 그의 제조 방법 Download PDF

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KR20090115660A
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코이치 야스다
시게키 타카가와
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소니 가부시끼가이샤
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Abstract

광 기록 매체는, 트랙 영역을 구분(define)하는 요철형상(凹凸形狀; features)을 가지는 기판, 기판 위에 배치(형성)된 광 기록층 및, 광 기록층 위에 배치된(위치하는) 광 투과층을 구비한다. 광 기록층의 조성은, (Sb2Se3)wTexOyPdz이며, 단 w, x, y, z는 각각 몰%(㏖%)를 나타내고, 10(몰%)≤w≤60(몰%), 0(몰%)〈x≤60(몰%), 30(몰%)≤y≤60(몰%), 10(몰%)≤z≤30(몰%), w+x+y+z=100을 만족시킨다.
광 기록 매체(광 디스크), 센터 홀, 대물 렌즈, 기판(디스크 기판), 오목부, 광 기록 다층 구조체, 광 반사막, 반사측 보호막(하층 보호막), 광 기록층, 입사측 보호막(상층 보호막), 황화 아연층, 광 투과층.

Description

광 기록 매체 및 그의 제조 방법과, 스퍼터링용 타겟 및 그의 제조 방법{OPTICAL RECORDING MEDIUM AND PRODUCTION METHOD THEREFOR, AND SPUTTERING TARGET AND PRODUCTION METHOD THEREFFOR}
본 발명은, 광 기록 매체 및 그의 제조 방법과, 스퍼터링용 타겟 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 추기형(追記型; recordable type) 블루레이 디스크(BD-R) 등의 광 기록 매체 및 그의 제조 방법과, 이러한 광 기록 매체의 제조에서의 사용에 적합한 스퍼터링용 타겟 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
요즈음, 정보(데이터) 기록 분야에 있어서, 광 정보 기록 방식에 관한 연구, 개발, 상품화가 활발히 행해지고 있다. 이 광 정보 기록 방식에 따르면, 광 기록 매체에 대해서 비접촉 방식으로 정보의 기록 및 재생을 행할 수 있다. 이 기술은, 추기형, 재생 전용형 및 개서가능형(書換可能型; rewritable-type) 정보 기록 등의 각종 정보 기록 형태에 적응할 수 있다고 하는 이점도 가지고 있다. 이 점에서, 이 기술은 저렴한 대용량 파일의 생성에 기여할 수 있어서, 산업용에서 민생용에 이르기는 폭넓은 용도에 적응되고 있다.
각종 광 정보 기록 기술을 실현하기 위한 광 기록 매체(광 디스크)의 대용량 화(大容量化; 저장 용량의 증가)는, 주로 정보의 기록 및 재생에 이용되는 광원인 레이저광의 파장이 짧아지는 것(短波長化) 및, 높은 개구수(NA)를 가지는 대물 렌즈를 채용함으로써, 초점면에의 스폿 사이즈를 작게 하는 것에 의해 달성되어 왔다. 예를 들면, 저장 용량 650MB를 가지는 콤팩트 디스크(CD)에 대해서는, 파장 780㎚의 레이저광 및, NA 0.45의 대물 렌즈를 사용한다. 한편, 저장 용량 4.7GB를 가지는 디지털 다용도(多用途; versatile) 디스크 판독 전용 메모리(DVD-ROM)에 있어서는, 파장 650㎚의 레이저광 및, NA 0.6의 대물 렌즈를 사용한다.
차세대의 광 디스크 시스템에 있어서는, 기판, 그 기판 위의 광 기록층 및, 그 광 기록층 위의 0.1㎜ 정도의 얇은 광 투과층으로 구성된 광 기록 매체(광 디스크)를 이용한다. 레이저광은 광 투과층 측으로부터 광 기록층에 가해진다. 파장 450㎚ 이하의 레이저광 및, NA(개구수) 0.78 이상의 대물 렌즈를 사용함으로써, 25GB 이상의 대(大; high) 저장 용량화를 가능하게 하고 있다. 이 광 기록 매체(광 디스크)에서의 정보 기록 또는 판독 방법은 도 1의 (a)에 모식도(개략도)로서 도시된다. 도 1의 (b)는, 이 광 기록 매체(광 디스크)의 단면도이고, 도 1의 (c) 및 (d)는 각각, 도 1의 (b)에 도시한 광 기록 매체(광 디스크)의 단면의 일부를 확대해서 도시하는 부분 단면도이다.
이 광 기록 매체(광 디스크)(10)는, 두께가 약 1.1㎜이고 예를 들면 폴리카보네이트(PC) 수지로 이루어지며 오목부(凹部; recess)(21)가 형성되어 있는 요철형상(凹凸形狀; featured) 주면을 가지는 기판(디스크 기판)(20)과, 오목부(21)를 포함하는 요철 형상을 따라 형성된 광 기록층(33)을 구비하고 있다. 이 광 기록 매 체(10)는 상(相) 변화형이며, 예를 들면 입사측 보호막(34), 광 기록층(33) 및 반사측 보호막(32)으로 구성된 광 기록 다층 구조체(30)를 구비하고 있다. 반사측 보호막(32)은 기판측에 위치한다. 광 기록층(33) 위에{구체적으로는, 광 기록 다층 구조체(30) 위에}는, 예를 들면 0.1㎜의 두께를 가지는 광 투과층(41)이 배치되어 있다.
NA 0.78 이상(예를 들면, NA=0.85)의 대물 렌즈(12)를 이용해서, 레이저광이 광 기록층(33)에 집광되도록, 파장 450㎚ 이하(예를 들면, 파장 380㎚ 내지 420㎚)의 레이저광을 광 투과층 측으로부터 조사함으로써 광 기록 매체(10) 상에 정보가 기록 또는 재생된다. 그리고, 기록 정보(recorded data)의 재생시에 있어서는, 광 기록층(33)에 의해 반사된 귀환광(戾光; feedback light)이 수광 소자(도시하지 않음)에 의해 수광되고, 신호 처리 회로에서 특정의 신호가 생성되며, 재생 신호를 얻을 수가 있다.
광 기록층(33)은, 기판(20) 표면의 오목부(21)에 의해 형성된 요철형상(凹凸形狀; features)을 가지고 있다. 오목부(21)는, 예를 들면 소정의 피치로 나선형 연속 그루브 또는 원형 그루브로 형성되어 있다. 이들 요철형상에 의해서 트랙 영역이 구분(define)된다. 트랙 영역을 구분하는 요철형상에서의 오목부는, "그루브(groove)"이라고 불리고, 트랙 영역을 구분하는 요철형상에서의 볼록부(凸部; protrusion)는, "랜드(land)"라고 불린다. 랜드 또는 그루브의 어느 한쪽이, 기록 영역으로서 이용된다. 랜드 및 그루브의 양쪽에 정보를 기록할 수 있는 랜드-그루브 기록 기술을 이용함으로써 저장 용량을 더욱더 대용량화할 수가 있다는 것이 주 지된다.
그런데, 상 변화형의 광 기록 매체(10)에 있어서는, 광 기록층(33)을 구성하는 재료로서, 예를 들면 반금속 산화물인 산화 텔루르와 팔라듐(Pd)의 비화학량론(non-stoichiometric) 혼합물(TeOxPd, 단 0〈x〈2)을 사용할 수 있는 것이 보고되고 있다(예를 들면, 일본 공개특허공보 소61-068296호 참조). 이와 같은 재료로 이루어지는 광 기록층(33)에의 정보의 기록은 이하의 원리에 의거해서 행해진다; 광 기록층(33)에 레이저광을 조사해서, 광 기록층(33)을 용융시키고, 그 다음에, 광 기록층(33)이 냉각되었을 때, 산화 텔루르와 팔라듐과의 상분리가 일어나서, 광학 상수가 변화하는 것에 의거해서, 정보의 기록이 행해지는 것이다. 즉, 레이저광의 조사 전후에서 광 기록층(33)의 반사율(reflectance)이 변화하므로, 이러한 반사율의 차이를 검출함으로써 정보를 재생할 수가 있다.
일본 특허 제3638152호에는, 광학적 정보 기록 매체와 그의 제조 방법, 광학적 정보 기록 및 재생 방법 및, 광학적 정보 기록 및 재생 장치가 개시되어 있다. 이 특허에서, 광학적 정보 기록 매체는, 투명 기판과, 이 투명 기판 위의 정보층(data layer)을 구비하고 있으며, 정보층은, 적어도 Te, O 및 M 원자(단, M은 금속 원소, 반금속 원소 및 반도체 원소로 구성되는 군에서 선택되는 적어도 1종의 원자이다)를 함유한다. 정보층은, 40atom% 이상 60atom% 이하의 O, 2atom% 이상 25atom% 이하의 M 원자 및, 15atom% 이상 58atom% 이하의 Te를 함유하고 있으며, 그의 막두께는 10㎚ 이상 70㎚ 이하로 되어 있다.
그런데, 일본 공개특허공보 소61-068296호에 개시되어 있는 바와 같이, 광 기록층(33)용 재료로서 산화 텔루르와 팔라듐의 혼합물을 이용하는 경우, NA 0.8 정도의 대물 렌즈 및 파장 380㎚∼420㎚ 정도의 단파장 레이저광을 이용해서 광 기록층(33) 상의 정보의 기록을 행할 때는, 광 기록층(33)의 감도가 낮아지고, 레이저 파워가 불충분하다.
또, 일본 특허 제3638152호에는, M 원자의 예로서 Pd, Sb, Se 등이 예시되어 있지만, Sb 및 Se에 관해서는 구체적으로 기재되어 있지 않다. 또한, 더 높은 기록 감도를 가지는 광 기록층에 대한 강한 요구에 대해서도, 일본 특허 제3638152호에 개시된 정보층이 부응(meeting)하는 것은 곤란하다. 스퍼터링법으로 광 기록층을 형성할 때에는, 광 기록 매체의 생산성의 향상을 도모하기 위해서, 더 빠른 성막(film deposition) 속도가 요구된다. 그렇지만, 일본 특허 제3638152호에 개시된 정보층의 형성 방법은, 이러한 요구를 충족시키는 것이 곤란하다.
따라서, 보다 빠른 성막 속도로 스퍼터링법에 의해 형성된 광 기록층을 구비하고 또 보다 높은 기록 감도를 달성하는 광 기록 매체, 그 광 기록 매체의 제조 방법, 이러한 방법에서의 사용에 적합한 스퍼터링용 타겟, 및 이러한 스퍼터링 타겟의 제조 방법을 제공하는 것이 바람직하다.
제1 실시형태(embodiment)에 따른 광 기록 매체는, (A) 트랙 영역을 구분하 는 요철형상을 가지는 기판, (B) 기판 위에 배치된 광 기록층 및, (C) 광 기록층 위에 배치된 광 투과층을 구비하고 있다.
광 기록층의 조성은, (Sb2Se3)wTexOyPdz이다. 이 식에서, w, x, y, z는 각각 몰%(㏖%)를 나타내고, 이하에 기술하는 관계를 만족시키고 있다.
제2 실시형태에 따른 광 기록 매체는, (A) 트랙 영역을 구분하는 요철형상을 가지는 기판, (B) 기판 위에 배치된 2층(두개) 이상의 광 기록층, (C) 최상층(top)의 광 기록층 위에 배치된 광 투과층 및, (D) 광 기록층 사이에 배치된 중간층을 구비하고 있다.
각 광 기록층의 조성은, (Sb2Se3)wTexOyPdz이다. 이 식에서, w, x, y, z는 각각 몰%를 나타내고, 이하에 기술하는 관계를 만족시키고 있다.
제2 실시형태에 따른 광 기록 매체에 있어서, 각 광 기록층의 조성은, 각 광 기록층에 요구되는 광 투과율, 반사율, 흡수율(absorption)에 의거해서, 적당히 결정하면 좋다.
제1 실시형태에 따른 광 기록 매체의 제조 방법은, 트랙 영역을 구분하는 요철형상을 가지는 기판 위에, (Sb2Se3)wTexOyPdz를 함유하는 광 기록층을 형성하는 단계와, 그 광 기록층 위에 광 투과층을 형성하는 단계를 포함한다.
광 기록층은, (Sb2Se3)wTexPdz의 조성을 가지는 스퍼터링용 타겟을 이용하고, 또한 프로세스 가스로서 산소 가스를 이용해서, 스퍼터링법으로 형성한다. 이 식에서, w, x, y, z, W, X, Z는 각각 몰%를 나타내고, 이하에 기술하는 관계를 만족시 키고 있다;
10(몰%)≤w≤60(몰%);
0(몰%)〈x≤60(몰%);
30(몰%)≤y≤60(몰%);
10(몰%)≤z≤30(몰%);
w+x+y+z=100;
5(몰%)≤W≤90(몰%), 바람직하게는 10(몰%)≤W≤90(몰%);
0(몰%)〈X≤80(몰%);
10(몰%)≤Z≤30(몰%), 바람직하게는 15(몰%)≤Z≤25(몰%);
W+X+Z=100.
w가 10몰% 미만인 경우에는, 기록 감도의 향상은 아주 조금이다(확인하기 어렵다). Te를 완전히 (Sb2Se3)로 치환했다고 하면, w=60몰%로 된다. 이것에 의해, w의 상한은 60몰%로 된다. 산소 원자는 광 기록층에서의 매트릭스 성분이다. y의 값이 30몰% 이하인 경우에는, 정보를 기록하기 위해서 광 기록층에 광을 조사했을 때에 상 분리가 생기기 어렵고, 광 기록층의 광학 상수의 변화가 조금 보이며, 정보를 용이하게 판독(讀取)하는 것이 곤란해진다. 그러나, y가 60몰%를 넘으면, 광 기록층에서의 광 투과율이 너무 높아지고, 광 기록층에서의 광 흡수(optical absorption)가 감소하여, 광 기록층의 기록 감도가 저하하는 결과로 되었다. z가 10몰% 미만인 경우에는, 광 기록층에서의 팔라듐(Pd)의 농도가 낮다. 따라서, 정보 를 기록하기 위해서 광 기록층에 광을 조사했을 때에는, 광 기록층의 광학 상수의 변화가 작아지고, 정보의 판독이 곤란하게 될 우려가 있다. 한편, z가 30몰%를 넘으면, 광 기록층의 열 전도율이 너무 높아지고, 기록 감도가 저하할 수가 있다. 광 기록층이 산화 텔루륨과 팔라듐의 혼합물로 이루어지는 경우, 텔루륨(Te)의 열 전도율이 충분히 낮지 않으므로, 광 기록층을 용융시키기 위해서 높은 레이저 파워(큰 광강도)가 필요하게 된다고 생각된다.
제1 및 제2 실시형태의 광 기록 매체 및, 상기의 방법에 의해서 제조되는 광 기록 방법은 기록 감도를 더욱더 향상시키기 위해서, w+z≥26(몰%)을 만족시키는 것이 바람직하다.
제1 및 제2 실시형태의 광 기록 매체 및, w+z≥26을 만족시키는 상기의 방법에 의해서 제조되는 광 기록 방법에서는, 파장 450㎚ 이하의 레이저광(구체적으로는, 파장 380㎚ 내지 420㎚ 범위내의 레이저광)을, 개구수(NA) 0.78 이상(구체적으로는, NA 0.85±0.05)인 대물 렌즈를 거쳐서(통해서) 조사함으로써, 광 기록층에의 정보의 기록 및 재생이 이루어지는 것이 바람직하다.
상술한 각종 바람직한 형태의 제1 및 제2 실시형태의 광 기록 매체 및, 상기의 방법에 의해서 제조되는 광 기록 방법에서는, 광 기록층에 광 투과층을 거쳐서 광을 조사할 수 있으며, 및/또는 광 기록 매체를 추기형(규격 명칭: BD-R) 형태로 구성할 수가 있다.
하나의 실시형태에 따른 스퍼터링용 타겟은, (Sb2Se3)wTexPdz의 조성을 가진 다. 하나의 실시형태에 따른 스퍼터링용 타겟의 제조 방법은, 3셀렌 2안티몬(Sb2Se3) 분체, 텔루륨(Te) 분체 및 팔라듐(Pd) 분체를 혼합하는 단계와, 얻어진 혼합물을 소성해서, (Sb2Se3)wTexPdz의 조성을 가지는 스퍼터링용 타겟을 얻는 단계를 포함한다. 이 식에서, W, X, Z는 각각 몰%를 나타내며, 상술한 관계를 만족시키고 있다.
이상으로 설명한 바람직한 형태에서의, 제1 및 제2 실시형태의 광기록 매체의 기판, 상기의 방법에 의해서 제조되는 광 기록 매체에 있어서, 기판은, 요구되는 기계적인 강도 및 정밀도를 만족시키는 투명한 재료 또는 불투명한 재료로 이루어져도 좋다. 기판용 재료의 예로서는, 폴리카보네이트(PC) 수지 및 폴리메틸 메타크릴레이트(PMMA) 수지 등의 아크릴계 수지, 노르보르넨계 수지 등의 폴리올레핀계 수지, 에폭시계 수지, 아크릴로니트릴-스티렌 공중합체 수지, ABS 수지, 폴리스티렌 수지, 실리콘계 수지, 불소계 수지, 우레탄계 수지, 유리, 석영, 금속 및 종이를 들 수 있다.
이들 광 기록 매체는 통상, 광 기록층을 포함하는 광 기록 다층 구조체를 구비하고 있다. 이 광 기록 다층 구조체는, 반사측 보호막(하층 보호막), 광 기록층 및 입사측 보호막(상층 보호막)을 포함하는 3층 구성을 가질 수가 있다. 반사측 보호막은, 광 반사막으로의 열의 확산이 저해되지 않도록 큰 열 전도율을 가지고 있으며, 또 광학적으로 허용되는 범위에서 가능한 한 얇게 형성되어 있다. 입사측 보호막은, 광 기록층에서 광이 효과적으로 흡수되도록, 광의 반사를 어느 정도 억제 하는 설계로 되어 있다. 반사측 보호막 및 입사측 보호막용 재료의 예로서는, 산화 규소, 산화 아연, 산화 알루미늄, 산화 주석, 산화 티탄, 산화 인듐, 산화 마그네슘 및 산화 지르코늄 등의 금속 산화물；질화 규소, 질화 알루미늄, 질화 티탄 및 질화 지르코늄 등의 금속 질화물；황화 아연, 황화 인듐 및 황화 탄탈 등의 금속 황화물; 탄화 규소, 탄화 탄탈, 탄화 붕소, 탄화 텅스텐, 탄화 티탄 및 탄화 지르코늄 등의 탄화물과 다이아몬드-형(diamond-like) 카본(DLC); 산화 규소와 산화 크롬과 산화 지르코늄과의 혼합물 및, 황화 아연과 산화 규소와의 혼합물 등의 이들 각종 재료의 혼합물을 포함하는 광 투과성 유전체 재료를 들 수 있다. 막두께는, 예를 들면 5㎚ 내지 100㎚이다. 보호막을 설치함으로써, 고온 고습하에서 가속 시험을 행한 경우에 있어서도 광 기록층의 열화(劣化; deterioration)를 방지할 수 있으며, 그 결과, 신호의 열화를 억제할 수가 있다. 반사측 보호막(하층 보호막)과 기판 사이에는 광 반사막을 설치해도 좋다. 광 반사막은, 금속 혹은 합금으로 이루어지며, 큰 열 전도율을 가지고 있다. 광 반사막은, 광 기록층을 투과한 광의 적어도 일부를 반사할 뿐만 아니라(즉, 큰 신호 강도가 얻어질 뿐만 아니라), 일종의 히트 싱크로서도 기능하며, 이것은 광 기록층에의 광 조사후의 온도 강하가 급준(急峻; steep)하도록 할 수가 있다. 광 반사막은, 예를 들면 은(Ag), 알루미늄(Al) 또는 은-팔라듐 합금으로 이루어지고, 그의 막두께는 5㎚ 내지 100㎚의 범위내이다. 광 기록층과 입사측 보호막(상층 보호막)의 사이에, 예를 들면 황화 아연층으로 이루어지는 유전체층을 형성함으로써, 광 기록층의 가열 및 냉각에 의해서 생기는 응력을 완화한다.
상기한 광 기록 매체에 있어서, 광 투과층("커버층"이라고도 불린다)은, 예를 들면 폴리카보네이트 시트 재료로 만들어져 있고, 접착제에 의해서 광 기록층에 접착되어 있다{시트 수지(sheet resin) 접착 기술}. 대안적으로, 광 투과층은, 자외선 경화형(UV-curable) 수지로 이루어지고, 예를 들면 스핀 코팅법으로 광 기록층 위에 수지를 도포하고, 자외선(UV rays)을 조사해서 수지를 경화시키는 것(수지 코팅 기술)에 의해서 형성되어 있다. 혹은 대안적으로, 광 투과층은, 시트형상 재료로 구성되어 있고, 감압 접착제(양면 접착 테이프)에 의해서 광 기록층에 접착되어 있다(시트 PSA 접착 기술).
광 투과층 위에는 하드 코팅층(coating layer)이 설치되어 있어도 좋다. 하드 코팅층은, 아크릴계 또는 실리콘계 폴리머 등의 폴리머로 구성될 수 있고, 불소계 수지, 또는 유기-무기 하이브리드 재료(예를 들면, 실리카와 같이 높은 경도 및 낮은 굴절률을 가지는 미립자를 고분자 재료중에 분산시킨 것)로 구성될 수도 있다.
광 기록 매체의 제2 실시형태에 따르면, 광 기록층의 층수는 2층 이상이면 좋다. 예를 들면, 2층, 4층 또는 8층의 광 기록층을 설치할 수가 있다. 복수층의 광 기록층인 경우에는, 기판에 가장 가까운 층을 "제1 광 기록층"(L0 기록층)이라고 부르고, 그 제1 광 기록층 위에 순차적으로 배치된 층을 각각 제2 광 기록층(L1 기록층), 제3 광 기록층(L2 기록층), 제4 광 기록층(L3 기록층)…이라고 부른다. 중간층(또한 "스페이서 층"이라고도 불린다)은, 예를 들면 점착성(粘着性) 시트, 자외 선 경화형 수지, 또는 자외선 경화형의 점착성 시트로 이루어진다. 예를 들면, 2층의 광 기록층을 가지는 광 기록 매체는, 이하에 설명하는 방법에 의해서 형성할 수가 있다. 3층 이상의 광 기록층을 가지는 광 기록 매체도, 기본적으로는 같은 방법으로 제조될 수가 있다. 즉, L0 기록층부터 LN 기록층까지를 가지는 광 기록 매체(N층의 광 기록층을 가지는 광 기록 매체)는, 기본적으로는, 상술한 동작을 (N-1)회 반복하는 것에 의해 제조될 수가 있다. 중간층의 두께는, 각 광 기록층에서 정보의 기록 및 재생에 요구되는 광 강도에 의거해서, 적당히 결정하면 좋다.
(1) 두께 25㎛의 양면 테이프 또는 두께 25㎛의 자외선 경화형 수지 등의 점착성 시트에 의해 L0 기록층이 형성된 두께 1.1㎜의 기판을 L1 기록층이 형성된 75㎛ 두께의 시트에 접합(貼合; bonding)하는 단계를 포함하는 방법.
(2) L0 기록층이 형성된 두께 1.1㎜의 기판 위에, 자외선 경화형의 점착성 시트를 설치하는 단계와, L1 기록층용의 트랙 영역을 구분하는 요철형상을 가지고 있는 스탬퍼를 점착성 시트에 대해 꽉 누르(押付; press)면서, 자외선 조사에 의해 점착성 시트를 경화시키는 단계와, 스탬퍼를 제거하는 단계와, 경화한 점착성 시트 위에 L1 기록층을 형성하는 단계를 포함하는 방법.
(3) L1 기록층용의 트랙 영역을 구분하는 요철형상을 가지고 있는 스탬퍼 위에 자외선 경화형 수지로 이루어지는 중간층을 형성함으로써, 중간층에 L1 기록층용의 트랙 영역을 구분하는 요철형상을 부여해 두는 단계와, 자외선 경화형 접착제에 의해 스탬퍼 위의 중간층을 L0 기록층이 형성된 두께 1.1㎜의 기판에 접합하는 단계와, 자외선 조사에 의해 접착제를 경화시키는 단계와, 스탬퍼를 제거해서, L1 기록층용의 트랙 영역을 구분하는 요철형상을 가지는 중간층을 남기는 단계와, 그 다음에, 이 중간층 위에 L1 기록층을 형성하는 단계를 포함하는 방법.
상기한 광 기록 매체에 있어서, 기판은 트랙 영역을 구분하는 요철형상을 가지고, 트랙 영역에 정보가 기입(書入; write)된다. 오목부(recessed part)에 정보가 기입되는 인그루브(In-Groove) 방식을 채용해도 좋고, 볼록부(protruding part)에 정보가 기입되는 온그루브(On-Groove) 방식을 채용해도 좋다. 요철형상의 깊이(높이)는, 약 수㎚ 내지 약 100㎚ 정도이다. 예를 들면, 깊이는 20㎚로 할 수 있다.
광 기록층에 입사한 광은, 부분적으로 반사되고, 일부는 투과되며, 나머지는 흡수된다. 흡수된 광은 열로 변환되어, 광 기록층에의 정보의 기록에 이용된다. 반사된 광은, 정보(데이터)의 판독 그리고, 포커스 제어 및 트랙킹 제어를 위한 제어 오차 신호의 검출에 이용된다. 광 기록층은, 상술한 바와 같이, 상 변화형의 (Sb, Se, Te, O, Pd)의 5원소계로 구성되어 있다. 아몰퍼스 상태의 광 기록층 중에, Sb, Se, Te, Pd의 미립자가 분산되어 있다. 기록 마크의 형성을 위해서, 광 기록층에 광이 조사되고, 산화 반응, 용융, 상 분리가 발생한다. 구체적으로는, 광 기록층에 광이 조사됨으로써 융점 이상으로 가열되면, 냉각시, 이들 미립자가 커져서(성장해서) 결정화(結晶化)한다. 이러한 상태에서, 굴절률은, 광이 조사되기 전의 굴절률 보다도 커진다. 이러한 굴절률의 변화에 의해서, 정보를 판독출력할 수가 있다. 광 기록층의 두께는, 예를 들어 4㎚ 내지 100㎚이며, 바람직하게는 5㎚ 내지 20㎚이다.
광(레이저광)을 출사(出射; emit)하는 레이저 광원 및, 대물 렌즈를 포함하는 광 픽업의 구성은, 주지의(common) 레이저 광원 및 광 픽업과 동일한 구성을 가질 수 있다.
스퍼터링용 타겟 및 그의 제조 방법에 있어서, 3셀렌 2안티몬(Sb2Se3) 분체, 텔루륨(Te) 분체 및 팔라듐(Pd) 분체의 입도(粒度; particle size)는, 여러 가지 시험을 행해서 적당히 결정하면 좋다. 이들 분말(분체)은, 적절한 분쇄기(粉碎機; grinder) 및 분급기(分級機; classifier)를 이용함으로써 얻을 수 있다. 적절한 혼합장치(mixer)를 사용하는 것에 의해, 이들 분체의 혼합물을 얻을 수가 있다. 이들 분체를 적절한 바인더를 이용해서 적절한 형태를 부여한 후, 적절한 온도 조건 및 분위기에서, 적절한 소성(燒成; firing) 시간 동안 분체를 소성을 행하면 좋다.
상기한 광 기록 매체에서의 광 기록층의 조성은, (Sb2Se3)wTexOyPdz이다. 이 조성은, 광 기록층에서의 기록 감도를 향상시키고, 스퍼터링법으로 광 기록층을 형성할 때의 성막 속도를 향상시킨다. 광 기록층의 기록 감도의 향상에 의해서, 보다 낮은 레이저 파워로의 기록이 가능해진다. 또, 스퍼터링시에는, 스퍼터링용 타겟에 많은 전력을 인가하는 것이 가능하고, 광 기록층을 형성하기 위한 성막 속도를 향 상시킬 수가 있다. 특히, 광 기록층의 기록 감도가 향상되므로, 광 기록 매체에 수용되는 광 기록층의 층수를 용이하게 더욱 더 증가시키는 것이 가능해진다.
이하, 도면을 참조해서, 실시예를 이용함으로써 본 발명을 설명한다.
[실시예 1]
실시예 1은, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 광 기록 매체 및 그의 제조 방법과, 스퍼터링용 타겟 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
실시예 1의 광 기록 매체(광 디스크)(10)의 모식적인 단면도를 도 1의 (b)에 도시한다. 도 1의 (c) 및 도 1의 (d)의 모식적인 확대 단면도에 도시되는 바와 같이,　광 기록 매체(10)는 이하의 것을 구비하고 있다:
(A) 트랙 영역을 구분하는 요철형상을 형성하는 기판(20);
(B) 기판(20) 위에 배치된 광 기록층(33) 및;
(C) 광 기록층(33) 위에 배치된 광 투과층(41).
그리고, 광 기록층(33)의 조성은, (Sb2Se3)wTexOyPdz이며, 단 w, x, y, z는 각각 몰%를 나타내고, 이하의 관계를 만족시키고 있다:
10(몰%)≤w≤60(몰%);
0(몰%)〈x≤60(몰%);
30(몰%)≤y≤60(몰%);
10(몰%)≤z≤30(몰%) 및;
w+x+y+z=100.
구체적으로는, 실시예 1에서는 이하와 같이 값을 설정했다:
w=15몰%(Sb: 6원자%(at%), Se: 9원자%);
x=24몰%(Te: 24원자%);
y=50몰%(O: 50원자%) 및;
z=11몰%(Pd: 11원자%).
광 기록층(33)의 두께는 5㎚로 했다.
실시예 1의 광 기록 매체(10)에 대한 정보의 기록 또는 재생시에는, 도 1의 (a)의 모식적 사시도에 도시하는 바와 같이, 광 투과층(41)을 거쳐서 광을 광 기록층(33)에 조사한다. 광 기록 매체(10)는, 1회 기록(write-once)의 추기형 블루레이 디스크(규격 명칭: BD-R)이다. 광 기록층(33)에 대한 정보의 기록 및 재생은, 파장 450㎚ 이하의 레이저광(예를 들면, 파장 380㎚ 내지 420㎚, 보다 구체적으로는, 파장 405㎚의 레이저광)을, 개구수(NA) 0.78 이상(구체적으로는, 개구수 0.85±0.05)인 대물 렌즈(12)를 거쳐서 인가(조사)함으로써 이루어진다. 기록 정보의 재생시에 있어서는, 광 기록층(33)에 의해 반사된 귀환광(feed back)이 수광 소자(도시하지 않음)에 의해 수광되고, 신호 처리 회로에서 특정의 신호가 생성되어, 재생 신호를 얻을 수가 있다.
광 기록 매체(10)는, 중심부에 센터 홀(11)이 뚫어서 마련(穿設)된 원판모양(圓板狀; disk)의 형상을 가지고 있으며, 도 1의 (a)에 도시되는 화살표 방향으로 회전하고 있다. 광 기록 매체(10)에서는, 두께가 약 1.1㎜인 예를 들면 폴리카 보네이트(PC) 수지로 이루어지는 기판(디스크 기판)(20)의 하나의 주면에 오목부(21)가 형성되어 있고, 이것에 의해 그 주면에 요철형상(오목부 및 볼록부)이 부여된다. 오목부(21)를 포함하는 주면의 이러한 요철형상을 따라, 광 기록층(33)이 형성되어 있다. 광 기록층(33)은, 기판(20) 표면의 오목부(21)에 의해 형성된 요철형상도 가지고 있다. 오목부(21)는, 예를 들면 소정의 피치로 나선형 연속 홈으로서 형성되어 있으며, 이들 요철형상은 트랙 영역을 구분한다. 랜드 및 그루브 중의 한쪽이, 기록 영역으로서 이용된다. 대안적으로, 랜드 및 그루브의 양쪽에 정보를 기록할 수 있는 랜드-그루브 기록 기술을 채용해도 좋다.
실시예 1의 광 기록 매체(10)는 상 변화형이며, 예를 들면 입사측 보호막(상층 보호막)(34), 상 변화막을 포함하는 광 기록층(33) 및, 반사측 보호막(하층 보호막)(32)으로 구성된 광 기록 다층 구조체(30)를 구비하고 있다. 반사측 보호막(32)은 기판측에 또한 기판(20) 위에 배치되어 있다. 입사측 보호막(34) 및 반사측 보호막(32)은, 산화 규소/산화 크롬/산화 지르코늄의 혼합물로 이루어지며, 그의 막두께는 10㎚이다. 입사측 보호막(34)과 광 기록층(33) 사이에는, 두께 30㎚의 황화 아연층(35)이 설치되어 있다. 광 기록층(33) 위{구체적으로는, 광 기록 다층 구조체(30) 위}에는, 예를 들면 0.1㎜의 막두께를 가지고 폴리카보네이트 수지로 이루어지는 광 투과성 수지 필름인 광 투과층(41)이 배치되어 있다.
요철형상은, 0.32㎛의 피치(오목부의 중앙으로부터 인접하는 오목부의 중앙까지의 거리)로, 나선형으로서 기판(20)의 주면에 형성되어 있다. 요철형상은 연속 홈으로서 형성되어 있으며, 그의 깊이는 20㎚이다.
이하, 실시예 1의 광 기록 매체(광 디스크)(10)의 제조 방법을 설명한다. 매체의 제조에 있어서는, 광 기록층(33)을 형성하기 위해서, 사용된 (Sb2Se3)wTexPdz의 조성을 가지는 스퍼터링용 타겟을 미리 준비해 둔다.
이 조성에서,
5(몰%)≤W≤90(몰%);
0(몰%)〈X≤80(몰%);
10(몰%)≤Z≤30(몰%) 및;
W+X+Z=100이다.
구체적으로는,
W=30(몰%);
X=48(몰%) 및;
Z=22(몰%)이다.
이 스퍼터링용 타겟은, 3셀렌 2안티몬(Sb2Se3) 분체, 텔루륨(Te) 분체 및 팔라듐(Pd) 분체의 혼합물을 소성함으로써 얻을 수가 있다.
[단계 100]
먼저, 기판(20)에 요철형상을 전사(轉寫)에 의해 형성하기 위한 스탬퍼를 준비한다. 스탬퍼의 표면에는, 도 1의 (b) 및 도 1의 (c)에 도시한 오목부(21)의 반전 패턴(상보적인 패턴)인 볼록부를 갖는다.
이 스탬퍼는, 다음의 방법에 의해서 준비할 수 있다. 먼저, 제 1 유리 기판 의 연마된 표면상에, 포지티브형 포토레지스트를 스핀 코팅 등에 의해서 도포해서, 그 유리 기판 위에 포토레지스트층을 형성한다. 이 포토레지스트층 상에, 기판의 요철형상에 대응하는 패턴을 노광하고, 알칼리성의 현상액으로 현상처리한다. 그 결과, 기판의 요철형상의 패턴에 대응하는 패턴이 형성된 포토레지스트층을 가지는 원반(原盤; master)을 얻을 수가 있다. 다음에, 이 원반 위에, 소정 두께의 니켈 등의 금속층을, 전해 도금법 및 무전해 도금법에 의해서 형성한다. 그 후, 금속층을 원반으로부터 분리한다. 이와 같이 해서, 포토레지스트층으로 형성된 원반의 요철형상이 반전된 요철형상을 가지는 도금층을 스탬퍼로서 이용할 수가 있다.
그리고, 이 스탬퍼를 사용하여, 주지의 사출 성형법에 의해서, 트랙 영역을 구분하는 요철형상을 가지는 기판(20)을 얻는다.
[단계 110]
다음에, 스퍼터링법에 의해서, 산화 규소/산화 크롬/산화 지르코늄의 혼합물로 이루어지고 두께가 10㎚인 반사측 보호막(32)을 형성하며, 반사측 보호막(32) 위에, 상술한 스퍼터링용 타겟을 이용한 스퍼터링법에 의해서, 두께 5㎚의 광 기록층(33)을 형성했다. 광 기록층(33) 위에 스퍼터링법에 의해서, 두께 30㎚의 황화 아연층(35)을 형성하며, 황화 아연층(35) 위에 스퍼터링법에 의해서, 산화 규소/산화 크롬/산화 지르코늄의 혼합물로 이루어지고, 두께가 10㎚인 입사측 보호막(34)을 형성했다.
광 기록층(33)의 성막 조건은, 이하와 같이 했다:
타겟: 상술한 바 대로
프로세스 가스: Ar/O2=43sccm/7sccm
인가 전력　　: 4와트/㎠
[단계 120]
입사측 보호막(34) 위에, 0.1㎜의 막 두께를 가지고 폴리카보네이트 수지로 이루어지는 광 투과성 수지 필름으로 구성된 광 투과층(41)을, 자외선 경화형 수지로 접합했다. 이와 같이 해서, 실시예 1의 광 기록 매체(광 디스크)(10)를 얻을 수가 있었다.
단계 110에서는, 광 기록층(33)의 성막시의 스퍼터링 파워를, 상술한 바와 같이, 4와트/㎠로 설정할 수 있었다.
파장 405㎚의 기록용 레이저광을, NA 0.85의 대물 렌즈를 거쳐서 광 기록 매체(10)의 광 기록층(33)에 집광해서, 비트 길이 0.13㎛의 랜덤 신호를 기록했다. 광 기록 매체에 기록된 신호의 지터값 및, 기록용 레이저광의 파워를 표 1에 나타낸다. 후술하는 실시예 2, 참고예 및 비교예 1에서도, 마찬가지 방법으로, 비트길이 0.13㎛의 랜덤 신호를 기록했다. 광 기록 매체에 기록된 신호의 지터값 및, 기록용 레이저광의 파워를 표 1에 나타낸다.
조성 (Sb2Se3)wTexOyPdz에서의 w, x, y, z를 아래에 언급한 값으로 한 광 기록층을 구비하는 광 기록 매체(광 디스크)를 형성했다. 참고예의 광 기록 매체는, 광 기록층의 조성을 제외하고는, 실시예 1의 광 기록 매체와 동일한 구조 및 구성을 가지고 있다.
w=10몰%(Sb: 4원자%, Se: 6원자%)
x=29몰%(Te: 29원자%)
y=50몰%(O: 50원자%)
z=11몰%(Pd: 11원자%)
TexOyPdz(x=30몰%, y=48몰%, z=22몰%)의 조성을 가지는 광 기록층을 구비하는 광 기록 매체(광 디스크)를 형성했다. 여기서, 몰%의 값과 원자%의 값은 똑같다. 비교예 1의 광 기록 매체는, 광 기록층의 조성을 제외하고는, 실시예 1의 광 기록 매체와 동일한 구조 및 구성을 가지고 있다. 단계 110에서는, 광 기록층의 성막시에, 1와트/㎠의 스퍼터링 파워밖에 가해지지 않았다.
Figure 112009022821121-PAT00001
실시예 1과 비교예 1과의 대비로부터, 광 기록층의 조성을 (Sb2Se3)wTexOyPdz로 할 때, 기록용 레이저광의 파워를 감소시킬 수 있다는 것을 알 수 있다. 즉, 실시예 1의 광 기록 매체는, 비교예 1의 광 기록 매체보다도 높은 기록 감도를 가지고 있다. 실시예 1과 참고예와의 비교에서는, w와 z의 합이 높을 수록 기록 감도가 높아지는 것을 보였다(알 수 있었다).
실시예 1의 광 기록 매체의 광 기록층의 조성은, (Sb2Se3)wTexOyPdz이다. Te, O, Pd로 이루어지는 광 기록층보다도, Se, Te, O, Pd로 이루어지는 광 기록층이, Se를 첨가함으로써 광 기록층의 열전도율이 낮아지는 결과, 기록 감도의 향상(증가)을 나타내었다. 그런데, Se는 Te보다도 융점이 낮다. 따라서, 스퍼터링법으로 광 기록층을 성막할 때에는, Te, Pd로 구성된 스퍼터링용 타겟에 인가된 전력만큼 높은 전력은 Se, Te, Pd로 이루어진 스퍼터링용 타겟에 거의 인가될 수 없다. 즉, 광 기록층 형성시의 성막 속도를 충분히 빠르게 할 수가 없다. 한편, 3셀렌 2안티몬(Sb2Se3)의 융점은, 셀레늄의 융점(220℃)보다도 높아, 590℃이다. 따라서, 스퍼터링용 타겟을 Sb, Se, Te, Pd로 구성할 때, 타겟에 많은 전력을 인가할 수 있어, 광 기록층의 성막 속도를 빠르게 할 수가 있다. 광 기록층을 Sb, Se, Te, O, Pd로 구성할 때, 광 기록층의 기록 감도를 향상할 수가 있다.
[실시예 2]
실시예 2는, 실시예 1의 변형이다. 도 2에 광 기록 다층 구조체(30)의 일부의 모식적인 단면도에 도시된 바와 같이, 실시예 2의 광 기록 매체의 기판(20)과 반사측 보호막(하층 보호막)(32) 사이에는, 은-팔라듐 합금으로 이루어지고 두께가 30㎚인 광 반사막(31)이 배치되어 있다. 이 광 반사막(31)은 스퍼터링법으로 형성되어 있다. 실시예 2의 광 기록 매체는, 이 광 반사막(31)을 제외하고는, 실시예 1의 광 기록 매체와 동일한 구조 및 구성을 가지고 있다. 실시예 2의 광 기록 매체에 기록된 신호의 지터값 및, 기록용 레이저광의 파워를 표 1에 나타낸다.
[실시예 3]
실시예 3은, 제2 실시형태에 따른 광 기록 매체 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 실시예 3의 광 기록 매체는, 이하의 것을 구비하고 있다:
(A) 트랙 영역을 구분하는 요철형상을 가지는 기판;
(B) 기판 위에 배치된 2층 이상(실시예 3에서는 4층)의 광 기록층;
(C) 최상층의 광 기록층 위에 배치된 광 투과층 및;
(D) 광 기록층 사이에 배치된 중간층(실시예 3에서는, 3층의 중간층이 설치된다).
각 광 기록층의 조성은, (Sb2Se3)wTexOyPdz이다. 광 기록층과 중간층을 포함하는 광 기록 다층 구조체의 구체적인 조성, 구조 및 두께를 표 2에 나타낸다. 광 기록층 및 중간층을 포함하는 광 기록 다층 구조체의 조성, 구조 및 두께는, 각 광 기록층에 요구되는 광 투과율, 반사율, 흡수율에 의거해서 결정되고 있다. 표 2중, 광 기록층의 "광 기록층 조성"은 이하의 조성을 의미한다. 표 2중, "보호막 조성1" 및 "보호막 조성2"는, 이하의 조성을 의미한다.
[광 기록층 조성]
w=15몰%(Sb: 6원자%, Se: 9원자%)
x=24몰%(Te: 24원자%)
y=50몰%(O: 50원자%)
z=11몰%(Pd: 11원자%)
[보호막 조성1]
산화 규소/산화 크롬/산화 지르코늄의 혼합물
[보호막 조성2]
황화 아연 80몰%/산화 규소 20몰%의 혼합물
Figure 112009022821121-PAT00002
실시예 3에서도, 실시예 1에서 사용한 것과 동일한 스퍼터링용 타겟을 사용했다. 이하, 실시예 3의 광 기록 매체(광 디스크)의 제조(marking) 방법을 설명한다.
　[단계 300]
　실시예 1의 단계 100에서와 마찬가지로, 스탬퍼를 사용하여, 주지의 사출 성형법에 의해서, 트랙 영역을 구분하는 요철형상을 가지는 기판을 얻는다. 실시예 1과 마찬가지로, 요철형상이, 0.32㎛의 피치로, 나선형을 이루면서 기판의 주면에 형성되어 있다. 요철형상은 연속 그루브로서 형성되어 있으며, 그의 깊이는 20㎚이다.
[단계 310]
다음에, 실시예 1의 단계 110과 실질적으로 마찬가지 방식으로 스퍼터링법에 의해, 표 2에 나타낸 각종 층 및 막을, 순차적으로 형성해서, 제1 광 기록 다층 구조체를 얻은 후, 중간층을 형성한다. 구체적으로는, L1 기록층용의 트랙 영역을 구분하는 요철형상(0.32㎛ 피치의 나선형이며, 그의 깊이가 20㎚)이 형성된 스탬퍼 위에, 자외선(UV) 경화형 수지로 이루어지는 중간층을 형성함으로써, 중간층에 L1 기록층용의 트랙 영역을 구분하는 요철형상을 형성(부여)해 둔다. 스탬퍼 위의 중간층과, L0 기록층이 형성된 두께 1.1㎜의 기판을 자외선 경화형 접착제(도시하지 않음)로 접합하고, 접착제를 자외선 조사에 의해서 경화시킨다. 그 다음에, 스탬퍼를 제거해서, L1 기록층용의 트랙 영역을 구분하는 요철형상을 가지는 중간층을 기판 상에 남긴다. 그 후, 이 중간층 위에, L1 기록층을 구성하는 제2 광 기록 다층 구조체를 형성했다. 계속해서, 중간층, 제3 광 기록 다층 구조체, 다른 중간층 및 제4 광 기록 다층 구조체를, 동일한 처리(방법)에 의해서, 순차적으로 형성했다. 광 기록 다층 구조체에서의 광 기록층의 성막(형성) 조건은, 두께를 제외하고는, 실시예 1과 마찬가지 조건을 채용했다.
[단계 320]
제4 광 기록 다층 구조체 위에, 55㎛의 막 두께를 가지고 폴리카보네이트 수지로 이루어지는 광 투과성 수지 필름으로 구성된 광 투과층을, 자외선 경화형 수지로 접합했다. 이렇게 해서, 실시예 3의 광 기록 매체(광 디스크)를 얻을 수 있었다.
얻어진 각 광 기록층의 광 투과율 및 반사율은, 이하의 표 3에 나타낸다. 광 반사율은, 해당(當該; target) 광 기록층보다도 위쪽에 배치된(위치하는) 광 기록층을 투과한 광의, 해당 광 기록층의 광 입사면에서 측정된 값이다.
Figure 112009022821121-PAT00003
파장 405㎚의 기록용 레이저광을, NA 0.85의 대물 렌즈를 거쳐서 광 기록 매체에서의 광 기록층에 집광해서, 비트 길이 0.13㎛의 랜덤 신호를 기록했다. 광 기록 매체에 기록된 신호의 지터값 및, 기록용 레이저광의 파워 상대값을 표 4에 나타낸다.
비교예 3으로서, TexOyPdz(x=30몰%, y=48몰%, z=22몰%)의 조성을 가지는 4층의 광 기록층을 구비하는 광 기록 매체(광 디스크)를 형성했다. 여기서, 몰%의 값과 원자%의 값은 똑같다. 비교예 3의 광 기록 매체는, 광 기록층의 조성을 제외하고는, 실시예 3의 광 기록 매체와 동일한 구조 및 구성을 가지고 있다. 파장 405㎚의 기록용 레이저광을, NA 0.85의 대물 렌즈를 거쳐서 광 기록 매체에서의 각 광 기록층에 집광해서, 비트 길이 0.13㎛의 랜덤 신호를 기록했다. 표 4에서는, 비교예 3에서의 각 광 기록층{제4 광 기록층(L3 기록층), 제3 광 기록층(L2 기록층), 제2 광 기록층(L1 기록층) 및 제1 광 기록층(L0 기록층)}에의 정보 기록을 위한 레이저광의 파워(100%)에 대한, 실시예 3에서의 각 광 기록{제4 광 기록층(L3 기록층), 제3 광 기록층(L2 기록층), 제2 광 기록층(L1 기록층) 및 제1 광 기록층(L0 기록층)}에의 정보 기록을 위한 레이저광의 파워의 값을, "파워 상대값(relative power value)"으로 했다.
Figure 112009022821121-PAT00004
표 4에 도시하는 바와 같이, 실시예 3의 조성을 가지는 광 기록층을 채용하는 것에 의해, 정보 기록을 위한 레이저광의 파워 값을 저감시킬 수가 있었다. 즉, 각 광 기록층의 기록 감도를 향상시킬 수 있었다.
본 발명은, 그 전체 내용이 본원 명세서에 참고용으로 병합(組入; incorporate)되어 있는, 2008년 5월 1일자로 일본 특허청에 출원된 일본특허출원 제2008-119544호에 개시된 것에 관련하는 주제를 포함한다. 이상으로, 본 발명을 바람직한 실시형태를 이용해서 설명했지만, 본 발명은 이들 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 실시형태 및 실시예에서 설명한 광 기록 매체의 구조(구성), 특징 및 사양(仕樣; specifications)은 적당히 대체 및 변형될 수 있다는 것을 이해하기 바란다. 광 기록 매체의 제조 방법에서의 각종 조건도 예시이며, 적당히 변경할 수가 있다. 스퍼터링용 타겟 및 그의 제조 방법도 예시이며, 적당히 대체(변경)할 수가 있다.
도 1의 (a)는, 광 기록 매체(광 디스크)에의 기록 또는 재생 방법(상태)을 모식적으로 도시하는 도면,
도 1의 (b)는, 실시예 1의 광 기록 매체의 모식적인 단면도,
도 1의 (c)는, 실시예 1의 광 기록 매체의 단면의 일부를 확대해서 도시하는 모식적인 일부 확대 단면도,
도 1의 (d)는, 실시예 1의 광 기록 매체의 단면의 일부를 더욱더 확대해서 도시하는 모식적인 일부 확대 단면도,
도 2는, 실시예 2의 광 기록 매체(광 디스크)의 단면의 일부를 확대해서 도시하는 모식적인 일부 확대 단면도.

Claims (15)

  1. (A) 트랙 영역을 구분(define)하는 요철형상(凹凸形狀; features)을 가지는 기판;
    (B) 상기 기판 위에 배치된 광 기록층 및;
    (C) 상기 광 기록층 위에 배치된 광 투과층
    을 구비하고,
    상기 광 기록층의 조성은, (Sb2Se3)wTexOyPdz이며, 단 w, x, y, z는 각각 몰%(㏖%)를 나타내고,
    10(몰%)≤w≤60(몰%);
    0(몰%)〈x≤60(몰%);
    30(몰%)≤y≤60(몰%);
    10(몰%)≤z≤30(몰%) 및;
    w+x+y+z=100
    을 만족시키고 있는, 광 기록 매체.
  2. 제1항에 있어서,
    w+z≥26(몰%)을 만족시키는, 광 기록 매체.
  3. 제1항에 있어서,
    파장 380㎚ 내지 420㎚의 광을, 개구수 0.85±0.05의 대물 렌즈를 거쳐서 상기 광 기록층에 조사하는 것에 의해, 상기 광 기록층에의 정보(data)의 기록 및 재생이 이루어지는, 광 기록 매체.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 광 기록층에는, 상기 광 투과층을 거쳐서 광빔을 조사하는, 광 기록 매체.
  5. 제1항에 있어서,
    추기형(追記型; recordable type)인, 광 기록 매체.
  6. (A) 트랙 영역을 구분하는 요철형상을 가지는 기판;
    (B) 상기 기판 위에 배치된 2층 이상의 광 기록층;
    (C) 최상층(top)의 상기 광 기록층 위에 배치된 광 투과층 및;
    (D) 상기 광 기록층 사이에 배치된 중간층
    을 구비하고,
    각각의 상기 광 기록층의 조성은, (Sb2Se3)wTexOyPdz이며, 단 w, x, y, z는 각각 몰%를 나타내고,
    10(몰%)≤w≤60(몰%);
    0(몰%)〈x≤60(몰%);
    30(몰%)≤y≤60(몰%;)
    10(몰%)≤z≤30(몰%) 및;
    w+x+y+z=100
    을 만족시키고 있는, 광 기록 매체.
  7. 제6항에 있어서,
    w+z≥26(몰%)을 만족시키는, 광 기록 매체.
  8. 제6항에 있어서,
    파장 380㎚ 내지 420㎚의 광빔을, 개구수 0.85±0.05의 대물 렌즈를 거쳐서 상기 광 기록층에 조사하는 것에 의해, 상기 광 기록층에의 정보의 기록 및 재생이 이루어지는, 광 기록 매체.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 광 기록층에는 상기 광 투과층을 거쳐서 광이 조사되는, 광 기록 매체.
  10. 제6항에 있어서,
    추기형인, 광 기록 매체.
  11. 트랙 영역을 구분하는 요철형상을 가지는 기판 위에, (Sb2Se3)wTexOyPdz를 함유하는 광 기록층을 형성하는 단계와;
    상기 광 기록층 위에, 광 투과층을 형성하는 단계
    를 포함하고,
    상기 광 기록층은, (Sb2Se3)wTexPdz의 조성을 가지는 스퍼터링용 타겟을 이용하고, 또한 프로세스 가스로서 산소 가스를 이용해서 스퍼터링법으로 형성하며, 단 w, x, y, z, W, X, Z는 각각 몰%를 나타내고,
    10(몰%)≤w≤60(몰%);
    0(몰%)〈x≤60(몰%);
    30(몰%)≤y≤60(몰%);
    10(몰%)≤z≤30(몰%);
    w+x+y+z=100;
    5(몰%)≤W≤90(몰%);
    0(몰%)〈X≤80(몰%);
    10(몰%)≤Z≤30(몰%) 및;
    W+X+Z=100
    을 만족시키고 있는, 광 기록 매체의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    w+z≥26(몰%)을 만족시키는, 광 기록 매체의 제조 방법.
  13. 제11항에 있어서,
    광 기록 매체가 추기형인, 광 기록 매체의 제조 방법.
  14. (Sb2Se3)wTexPdz의 조성을 가지며, 단 W, X, Z는 각각 몰%를 나타내고,
    5(몰%)≤W≤90(몰%);
    0(몰%)〈X≤80(몰%);
    10(몰%)≤Z≤30(몰%) 및;
    W+X+Z=100
    을 만족시키고 있는, 스퍼터링용 타겟.
  15. 3셀렌 2안티몬 분체, 텔루륨 분체 및 팔라듐 분체를 혼합하는 단계와;
    얻어진 혼합물을 소성(燒成)해서, (Sb2Se3)wTexPdz의 조성을 가지는 스퍼터링용 타겟을 얻는 단계
    를 포함하며,
    단 W, X, Z는 각각 몰%를 나타내고,
    5(몰%)≤W≤90(몰%);
    0(몰%)〈X≤80(몰%);
    10(몰%)≤Z≤30(몰% 및;)
    W+X+Z=100
    의 관계를 만족시키고 있는, 스퍼터링용 타겟의 제조 방법.
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