JP4485463B2 - リソグラフィ装置および素子製造方法 - Google Patents
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Description
t=2*h/vsound ここで、vsoundは音速
で与えられる。
(RA1−RA2)2/(RA1+RA2)2
になる。
h=vsound/(2t)
別の実施例では、hは公式h=vsound/tを使用して計算することができる。
図2は、本発明の一実施例による超音波距離センサを示す。このシステムは、基板表面3(レジスト層の上面)に向かって第1の送信ビーム5を発信する第1のトランスデューサ1、及び基準面4に向けた第2の送信ビーム7を発信するための、第1のトランスデューサにすぐ隣接する第2のトランスデューサを含む。第1の送信ビーム5は基板表面3から反射され、表面3から反射されたビーム6は第1のトランスデューサに向かって逆送信される。第2の送信ビーム7は基準面4から反射され、表面4から反射されたビーム8は第2のトランスデューサに向かって逆送信される。第1のトランスデューサ1はビーム6の受信を検知し、第2のトランスデューサ2はビーム8の受信を検知する。以下で説明する方法で基板表面3の高さを監視するために、送信されかつ反射されたビーム5、6及び7、8の発信と受信間の飛行時間t1及びt2を示す第1のトランスデューサ1及び第2のトランスデューサ2から受ける信号を処理するために、信号プロセッサ(図示せず)が設けられている。
vsound=(href/2)/t2
h=t1*vsound/2=href*t1/t2
h=d*t1/(t2−t1)
h=d*t1/(t2−t1)
h+dh=d*t1’/(t2’−t1’)
ts=2*h/vsound
tr=2*href/vsound
これらから信号プロセッサによって使用される、vsoundに無関係な以下の式が誘導される。
h=href*(ts/tr)
本発明の様々な実施例を上記で開示してきたが、それらは例示の目的でのみ公開され、限定のためではないことを理解されるべきである。関連する分野の技術者には、形態及び詳細において、本発明の趣旨及び範囲から逸脱することなく、様々な変形形態がその中に作り出すことができることは明らかであろう。したがって、本発明の広さ及び範囲は、上記で開示したいかなる例示的な実施例によっても限定されるべきではなく、以下の特許請求の範囲及びそれらの均等物に従ってのみ画成されるべきである。
MT 支持構造部
WT 基板テーブル
PS 投影システム
B 放射ビーム
PM 第1の位置決め器
W 基板
PW 第2の位置決め器
C 目標部分
MA パターニング装置
SO 放射源
BD ビーム供給システム
IN インテグレータ
CO 集光レンズ
IF 位置センサ
M1、M2 マスク位置合わせマーク
P1、P2 基板位置合わせマーク
1 第1のトランスデューサ
2 第2のトランスデューサ
3 基板表面
4 基準面
5 第1の送信ビーム
6 第1の反射ビーム
7 第2の送信ビーム
8 第2の反射ビーム
10 超音波距離センサ
11 トランスデューサ
12 基準反射器
14 基板表面
Claims (2)
- 放射ビームを調整する照明装置と、
ビームをパターン形成する、パターニング装置を支持する支持部と、
基板の目標部分上にパターン形成されたビームを投影する投影システムと、
前記基板表面の高さを監視する超音波距離センサであって、
前記基板表面に向かって第1の送信ビーム、及び基準表面に向けて第2の送信ビームを発信する超音波発信システムと、
前記基板表面からの前記第1の送信ビームの反射によって生じる第1の反射ビーム、及び前記基準表面からの前記第2の送信ビームの反射によって生じる第2の反射ビームを受信する超音波受信システムと、
前記基板表面の高さを監視するために、送信され、かつ反射されたビームの前記発信及び前記受信間の時間差を示す、前記超音波発信システム及び前記超音波受信システムからの受信信号を処理する信号プロセッサと、を備える超音波距離センサと、を備え、
前記第2の送信ビームを反射する前記基準表面が前記超音波距離センサから既知の距離に配置され、
前記信号プロセッサが前記基板表面の前記超音波距離センサからの距離を
前記第1の送信ビームの発信と前記基板表面から反射された前記第1の反射ビームの受信間の前記時間差と、
前記第2の送信ビームの発信と前記基準表面から反射された前記第2の反射ビームの受信間の前記時間差と、
前記基準表面の前記超音波距離センサからの既知の距離との間の関係から求めるリソグラフィ装置。 - 基板表面高さの変化に応じてパターンの画像の集光を調整しつつ、パターニング装置から前記基板表面上にパターンの画像を転写するステップを含み、前記基板表面の前記高さが、
超音波距離センサによって前記基板表面に向かって第1の超音波送信ビームを発信することと、
前記超音波距離センサによって基準表面に向けて第2の超音波送信ビームを発信することと、
前記超音波距離センサによって前記第1の送信ビームの前記基板表面からの反射によって生じる第1の反射ビームを受信することと、
前記超音波距離センサによって前記第2の送信ビームの前記基準表面からの反射によって生じる第2の反射ビームを受信することと、
前記超音波距離センサによって前記基板表面の前記高さを監視するために、前記送信され、かつ反射されたビームの前記発信及び受信間の時間差を示す信号を処理することと、
前記第2の送信ビームを反射させるために、前記基準表面を前記超音波距離センサから既知の距離に配置することと、
前記第1の送信ビームの発信と前記基板表面から反射された前記第1の反射ビームの受信間の前記時間差と、前記第2の送信ビームの発信と前記基準表面から反射された前記第2の反射ビームの受信間の時間差と、前記基準表面の前記超音波距離センサからの既知の距離との間の関係から前記基板表面の前記超音波距離センサからの距離を求めることと、によって監視される、素子製造方法。
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