JP4523570B2 - レベル・センサの光経路中の外乱を補正する方法 - Google Patents
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Description
外乱の時間遅延。外乱はすべてのLSスポットで同じ時間に確認されるわけではない(LSスポット間の位相差)。
外乱の位置。LSスポットの焦点での空気中の非常に局所的な外乱は、わずかなLSスポットでしか確認されない可能性がある。
LS中の機械構成部品の移動又は変形は、異なるLSスポットに対して異なる効果を及ぼす。
少なくとも1つの反射測定ビームを生成するために、少なくとも1つの測定ビームを生成し、その少なくとも1つの測定ビームを基板上の測定スポットに向け、
少なくとも1つの基準ビームを生成し、
少なくとも1つの反射測定ビームと、少なくとも1つの基準ビームの両方をそれぞれ検出し、測定スポットでの高さを示す少なくとも1つの測定信号と、少なくとも1つの基準信号の両方をそれぞれ生成し、
基準信号に基づいて測定信号を補正するように構成され、
基板を配置すべき場所に近い所定のエリアに配置された光学的構成を備え、所定のエリア内のほぼ等しいが異なる伝播光路に沿って少なくとも1つの測定ビーム及び少なくとも1つの基準ビームを投射するように配置され、光学的構成が、少なくとも1つの基準ビームが基板に当たらないように、所定のエリア内のほぼ等しい伝播光路から少なくとも1つの基準ビームを偏向させるように構成される。
少なくとも1つの反射測定ビームを生成するために、少なくとも1つの測定ビームを生成し、その少なくとも1つの測定ビームを基板上の測定スポットに向けること、
少なくとも1つの基準ビームを生成すること、
少なくとも1つの反射測定ビームと、少なくとも1つの基準ビームの両方をそれぞれ検出し、測定スポットでの高さを示す少なくとも1つの測定信号と、少なくとも1つの基準信号の両方をそれぞれ生成すること、
基準信号に基づいて測定信号を補正すること、
基板を配置すべき場所に近い所定のエリアに光学的構成を配置すること、所定のエリアから離れたほぼ等しいが異なる伝播光路に沿って少なくとも1つの測定ビーム及び少なくとも1つの基準ビームを伝播させること、少なくとも1つの基準ビームが基板に当たらないように、光学的構成によって所定のエリア内のほぼ等しい伝播光路から少なくとも1つの基準ビームを偏向させることを含む方法が提供される。
少なくとも1つの反射測定ビームを生成するために、少なくとも1つの基準ビームを生成し、少なくとも1つの測定ビームを生成し、少なくとも1つの測定ビームを基板上の測定スポットに向ける少なくとも1つの放射源と、
少なくとも1つの反射測定ビームと、少なくとも1つの基準ビームの両方をそれぞれ検出し、測定スポットでの高さを示す少なくとも1つの測定信号と、少なくとも1つの基準信号の両方をそれぞれ生成する少なくとも1つの検出器と、
少なくとも1つの測定信号及び少なくとも1つの基準信号を受け取り、基準信号に基づいて測定信号を補正するプロセッサとを備え、
基板を配置すべき場所に近い所定のエリアに配置された光学的構成を備え、所定のエリア内のほぼ等しいが異なる伝播光路に沿って少なくとも1つの測定ビーム及び少なくとも1つの基準ビームを向けるように配置され、光学的構成が、少なくとも1つの基準ビームが基板に当たらないように、所定のエリア内のほぼ等しい伝播光路から少なくとも1つの基準ビームを偏向させるように構成されるレベル・センサが提供される。
投射レンズ系と、所定の平面内の測定位置に測定ビームを向け、基準位置に基準ビームを向けるように配置された投射ブランチ(部分)と、測定ビーム及び基準ビームの横方向変位を測定するように配置された検出ブランチと、所定の平面内の第1反射面を有する物体を支持する基板ステージと、投射レンズ系及び第1反射面の位置の影響を受けないように配置された光基準経路を介して基準ビームをレベル・センサ検出ブランチに向けるように配置された光基準素子とを備え、投射ブランチ及び基準ブランチの少なくとも1つが、投射ブランチ及び基準ブランチの少なくとも1つで少なくとも部分的にほぼ等しい光路に沿って測定ビーム及び基準ビームを向けるように構成されるリソグラフィ装置であって、光基準素子が、投射ブランチと所定の平面の間に配置されることを特徴とするリソグラフィ装置が提供される。
光基準素子が、投射ブランチから基準ビームを受けるように配置された入力面と、入力面からの基準ビームを内反射するように配置された第2反射面と、前記反射ビームを出力するように配置された出力面とを有するプリズムを備えることを特徴とする。
測定ビームと基準ビームが、投射ブランチと基準ブランチの両方で平行であること、
測定位置及び基準位置が、投射ブランチ及び基準ブランチの焦点にあること、及び
基準ビームが第2反射面によって第1位置で反射された後、基準位置で基準ビームを第2反射面上の第2位置に反射するように配置された第3反射面を特徴とする。
第1位置が第2反射面の第1下面上にあり、第2位置が第2反射面の第2下面上にあり、第1下面と第2下面が角度をなすように配置されることを特徴とする。
入力面及び出力面の少なくとも1つが、基準ビームの光路に対して垂直であることを特徴とする。
投射ブランチ、検出ブランチ、及び光基準素子が1つ又は複数の追加の測定ビームに適応するように配置されることを特徴とする。
投射ブランチが、1つ又は複数の追加の光基準ビームを1つ又は複数の追加の基準位置に向けるように配置され、
検出ブランチが、1つ又は複数の追加の基準位置の横方向変位を測定するように配置され、
光基準素子が、1つ又は複数の追加の基準ビームを、投射レンズ系及び第1反射面の位置の影響を受けない1つ又は複数の追加の光基準経路を介して検出ブランチに向けるように配置され、
測定ビーム、基準ビーム、及び追加の基準ビームが、投射ブランチ及び基準ブランチの少なくとも1つで少なくとも部分的にほぼ等しいことを特徴とする。
1つ又は複数の物体測定を実施して、光測定ビームを反射するように配置された反射物体の位置を光測定ビームの位置を測定することによって求める段階と、
1つ又は複数の基準測定を実施して、反射物体から離れて配置された第1光基準ビームの位置を求める段階とを含み、
1つ又は複数の物体測定値及び1つ又は複数の基準測定値に基づいて、光測定ビームの位置と第1光基準ビームの位置との間の第1の関係を求める段階と、
第1の関係を使用して、1つ又は複数の基準測定値で1つ又は複数の物体測定値を補正する段階とを特徴とする方法が提供される。
1つ又は複数の物体測定のうちの第1の測定の後に、1つ又は複数の基準測定の少なくとも一部を実施することを特徴とする。
1つ又は複数の物体測定のうちの少なくとも2つを実施する間に反射物体を走査することを特徴とする。
1つ又は複数の物体測定値及び1つ又は複数の基準測定値に基づいて相関関数を計算することを特徴とする。
フーリエ領域で相関関数を計算し、1つ又は複数の物体測定値を補正することを特徴とする。
フーリエ領域の一部のみで1つ又は複数の物体測定値を補正することを特徴とする。
1つ又は複数の追加の基準測定を実施して、反射物体から離れて配置された第2光基準ビームの位置を求めること、
1つ又は複数の補正後測定値と1つ又は複数の追加の基準測定値との間の第2の関係を求めること、
第2の関係を使用して、1つ又は複数の追加の測定値で1つ又は複数の補正後測定値を補正することを特徴とする。
1つ又は複数の物体測定を実施して、光測定ビームを反射するように配置された反射物体の位置を光測定ビームの位置を測定することによって求める段階と、
1つ又は複数の基準測定を実施して、反射物体から離れて配置された第1光基準ビームの位置を求める段階と、
1つ又は複数のさらなる追加の測定を実施して、反射物体から離れて配置された第2光基準ビームの位置を求める段階とを含み、
1つ又は複数の基準測定値及び1つ又は複数のさらなる追加の測定値に基づいて、第1光基準ビームの位置と第2光基準ビームの位置との間の第3の関係を求める段階と、
第3の関係を使用して、1つ又は複数の基準測定値及び1つ又は複数のさらなる追加の測定値で1つ又は複数の物体測定値を補正する段階とを特徴とする方法が提供される。
1つ又は複数の物体測定を実施して、光測定ビームを反射するように配置された反射物体の位置を光測定ビームの位置を測定することによって求める段階と、
1つ又は複数の基準測定を実施して、反射物体から離れて配置された第1光基準ビームの位置を求める段階とを含み、
1つ又は複数のさらなる追加の測定を実施して、反射物体から離れて配置された第2光基準ビームの位置を求める段階と、
1つ又は複数の基準測定値及び1つ又は複数のさらなる追加の測定値の間を補間することによって補正を求める段階と、
1つ又は複数の物体測定値に補正を加える段階とを特徴とする方法が提供される。
放射ビームB(例えばUV放射又はEUV放射)を調整するように構成された照明系(イルミネータ)ILと、
パターン形成装置(例えばマスク)MAを支持するように構成され、一定のパラメータに従ってパターン形成装置を正確に位置決めする第1ポジショナ(位置決め装置)PMに接続された支持構造(例えばマスク・テーブル)MTと、
基板(例えばレジスト被覆基板)Wを保持するように構成され、一定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2ポジショナPWに接続された基板テーブル(例えば基板テーブル)WTaと、
パターン形成装置MAによって放射ビームBに付与されたパターンを基板Wの(例えば、1つ又は複数のダイを含む)対象部分C上に投射するように構成された投射系(例えば屈折投射レンズ系)PSとを備える。
1.ステップ・モードでは、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTaがほぼ静止状態に保たれると共に、放射線ビームに付与されたパターン全体が対象部分C上に1回で投射される(即ち単一の静止露光)。次いで基板テーブルWTaがX方向及び/又はY方向にシフトされ、それによって異なる対象部分Cを露光することができる。ステップ・モードでは、露光域の最大サイズにより、単一の静止露光で結像される対象部分Cのサイズが制限される。
2.走査モードでは、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTaが同期式に走査されると共に、放射線ビームに付与されたパターンが対象部分Cに投射される(即ち単一の動的露光)。マスク・テーブルMTに対する基板テーブルWTaの速度及び方向は、投射系PSの拡大(縮小)率特性及び像反転特性によって決定することができる。走査モードでは、露光域の最大サイズにより、単一の動的露光での対象部分の(非走査方向の)幅が制限されるのに対して、走査運動の長さにより、対象部分の(走査方向の)高さが決定される。
3.別のモードでは、マスク・テーブルMTがほぼ静止状態に保たれ、プログラム可能パターン形成装置が保持され、基板テーブルWTaが移動又は走査されると共に、投射ビームに付与されたパターンが対象部分Cに投射される。このモードでは、一般にパルス放射源が使用され、プログラム可能パターン形成装置が、基板テーブルWTaのそれぞれの移動の後、又は走査中の連続する放射パルスの間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上記で参照したタイプのプログラム可能ミラー・アレイなどのプログラム可能パターン形成装置を使用するマスクレス・リソグラフィに容易に適用することができる。
レベル・センサ・ビームの光路中の汚染、温度変化、屈折率変化を介する光学的外乱、
基板の高さの測定からのLS信号雑音、
レベル・センサLSからの電子雑音、
温度変化によるドリフト(電気的又は機械的)、
LS構成部品の機械的共鳴/振動。
phi1,phi2=P1,P2の位相
dphi=phi1−phi2
次に、基準信号Zref(t)及び測定信号ZM(t)へのこれらの式の応用の一例を与える。これらのZref(t)及びZM(t)は、プロセッサ33によってフーリエ変換され、それぞれZ−ref(ω)及びZ−M(ω)となる。周波数ごとの基準信号Z−ref(ω)と測定信号Z−M(ω)の間の相関/コヒーレンスCM−ref(ω)がプロセッサ33で計算される。次いで、プロセッサは、以下の式に従って相関CM−ref(ω)を使用しながら、測定信号Z−M(ω)を補正し、補正後測定信号ZcorrM(ω)とする。
別の実施例では、プロセッサ33が、基準スポットの2つの基準信号Zref−1(t)、Zref−2(t)をZ−ref−1(ω)、Z−ref−2(ω)にフーリエ変換し、測定スポットのいくつかの測定信号ZM−x(t)をZ−M−x(ω)にフーリエ変換する。プロセッサ33は、周波数ごとのこれらのフーリエ変換後基準信号Z−ref−1(ω)、Z−ref−2(ω)間の相関/コヒーレンスCrl−r2(ω)を計算する。これらの2つのフーリエ変換後基準信号間を相関付けるものは、測定信号間も相関付け、したがって、プロセッサ33で測定信号を補正のために使用することができる。次いで、プロセッサ33は、以下の式に従って相関Crl−r2(ω)を使用しながら、フーリエ変換後測定信号Z−M−x(ω)を補正し、補正後フーリエ変換後測定信号ZcorrM−x(ω)とする。
例えば、本発明は、上記で開示した方法を記述する1つ又は複数の機械可読命令のシーケンスを含むコンピュータ・プログラム、又はそのようなコンピュータ・プログラムが格納されたデータ記憶媒体(例えば半導体メモリ、磁気ディスク、又は光ディスク)の形態を取ることができる。
また、本発明によって、下記の形態が可能である。
1.基板の高さを求めるレベル・センサであって、
少なくとも1つの反射測定ビームを生成するために、少なくとも1つの測定ビームを生成し、前記少なくとも1つの測定ビームを前記基板上の測定スポットに向ける測定ビーム・ジェネレータ(発生器)と、
少なくとも1つの基準ビームを生成する基準ビーム・ジェネレータと、
前記少なくとも1つの反射測定ビームと、前記少なくとも1つの基準ビームの両方をそれぞれ検出し、前記測定スポットでの前記高さを示す少なくとも1つの測定信号と、少なくとも1つの基準信号の両方をそれぞれ生成する検出器ビームと、
前記基準信号に基づいて前記測定信号を補正するプロセッサとを備え、
前記基板を配置すべき場所に近い所定のエリアに配置された光学的構成を備え、前記所定のエリア内のほぼ等しい伝播光路に沿って前記少なくとも1つの測定ビーム及び前記少なくとも1つの基準ビームを投射するように配置され、前記光学的構成が、前記少なくとも1つの基準ビームが前記基板に当たらないように、前記所定のエリア内の前記ほぼ等しい伝播光路から少なくとも1つの基準ビームを偏向させるように構成されるレベル・センサ。
2.上記1に記載のレベル・センサにおいて、前記光学的構成が、平行六面体形状を有するプリズムを備える。
3.上記3に記載のレベル・センサにおいて、前記プリズムが、前記少なくとも1つの基準ビームを受けるように配置された入力面と、前記基準ビームを内反射するように配置された反射面と、前記反射ビームを出力する出力面とを備え、前記反射面が、互いに角度をなすように接続された2つの下面を有する。
4.上記1に記載のレベル・センサにおいて、前記光学的構成が複数のミラーを備える。
5.上記4に記載のレベル・センサにおいて、少なくとも1つの元のビームを生成するように配置され、前記複数のミラーが、前記少なくとも1つの元のビームを受け、前記少なくとも1つの元のビームを前記少なくとも1つの測定ビームと前記少なくとも1つの基準ビームとに分割するように配置された半透明ミラーを備える。
6.上記1に記載のレベル・センサにおいて、複数の測定スポットで前記基板の前記高さを測定し、前記複数の測定スポットに基づく前記高さを含むウェハ・マップを生成するように配置される。
7.上記1に記載のレベル・センサにおいて、前記測定信号中の雑音及びドリフトを前記基準信号中の雑音及びドリフトと比較することによって前記測定信号中の雑音及びドリフトを補正するように配置される。
8.上記1に記載のレベル・センサにおいて、前記測定ビーム・ジェネレータが、複数の測定ビームを生成し、これらの測定ビームによって複数の測定スポットを生成するように配置され、前記検出器が、これらの複数の測定スポットに関連する複数の測定信号を検出し、前記基準ビーム・ジェネレータが、複数の基準ビームと、これらの基準ビームに基づく複数の基準信号とを生成し、前記プロセッサが、基準信号の補間を使用することによってこれらの測定ビームのうちの少なくとも1つの外乱を求める。
9.上記1に記載のレベル・センサにおいて、前記測定ビーム・ジェネレータが、複数の測定ビームを生成し、これらの測定ビームによって複数の測定スポットを生成するように配置され、前記検出器が、これらの複数の測定スポットに関連する複数の測定信号を検出し、前記基準ビーム・ジェネレータが、複数の基準ビームと、これらの基準ビームに基づく複数の基準信号とを生成し、前記プロセッサが、前記複数の測定信号及び基準信号のうちの少なくとも2つの時間トレース間の相関を測定し、この相関に関する相関係数を計算し、前記相関係数を重み因子として使用して、前記測定信号を補正するための量を求める。
10.上記1に記載のレベル・センサにおいて、前記測定ビーム・ジェネレータが、複数の測定ビームを生成し、これらの測定ビームによって複数の測定スポットを生成するように配置され、前記検出器が、これらの複数の測定スポットに関連する複数の測定信号を検出し、前記基準ビーム・ジェネレータが、複数の基準ビームと、これらの基準ビームに基づく複数の基準信号とを生成し、前記プロセッサが、前記複数の測定信号及び基準信号のうちの少なくとも2つの間の周波数スペクトルの一部に関する相関を測定し、前記周波数スペクトルの前記一部内の前記測定信号を補正する。
11.上記1に記載のレベル・センサにおいて、前記測定ビーム・ジェネレータが、複数の測定ビームを生成し、これらの測定ビームによって複数の測定スポットを生成するように配置され、前記検出器が、これらの複数の測定スポットに関連する複数の測定信号を検出し、前記基準ビーム・ジェネレータが、複数の基準ビームと、これらの基準ビームに基づく複数の基準信号とを生成し、前記プロセッサが、前記複数の測定信号及び基準信号のうちの少なくとも2つの時間トレース間の遅延を測定し、この遅延を遅延補正方法で使用して、前記複数の測定信号を補正する。
12.上記1に記載のレベル・センサにおいて、前記測定ビーム・ジェネレータが、複数の測定ビームを生成し、これらの測定ビームによって複数の測定スポットを生成するように配置され、前記検出器が、これらの複数の測定スポットに関連する複数の測定信号を検出し、前記基準ビーム・ジェネレータが、複数の基準ビームと、これらの基準ビームに基づく複数の基準信号とを生成し、前記プロセッサが、前記測定信号及び基準信号のうちの少なくとも2つの間の周波数スペクトルの一部に関する位相ずれを測定し、前記周波数スペクトルの前記一部内の前記測定信号を補正する。
13.上記1に記載のレベル・センサを備え、前記基板上に結像すべき像を生成するように配置された結像装置。
14.上記13に記載の結像装置を備えるリソグラフィ投射装置。
15.露光ステージと、測定ステージと、上記13に記載の結像装置とを備えるリソグラフィ投射装置。
16.基板の高さを求める方法であって、
少なくとも1つの反射測定ビームを生成するために、少なくとも1つの測定ビームを生成し、前記少なくとも1つの測定ビームを前記基板上の測定スポットに向けること、
少なくとも1つの基準ビームを生成すること、
少なくとも1つの反射測定ビームと、少なくとも1つの基準ビームの両方をそれぞれ検出し、前記測定スポットでの前記高さを示す少なくとも1つの測定信号と、少なくとも1つの基準信号の両方をそれぞれ生成すること、
前記基準信号に基づいて前記測定信号を補正すること、及び
前記基板を配置すべき場所に近い所定のエリアに光学的構成を配置すること、所定のエリア内のほぼ等しい伝播光路に沿って前記少なくとも1つの測定ビーム及び前記少なくとも1つの基準ビームを向けること、前記少なくとも1つの基準ビームが前記基板に当たらないように、前記光学的構成によって所定のエリア内のほぼ等しい伝播光路から前記少なくとも1つの基準ビームを偏向させることを含む。
17.基板の高さを求めるレベル・センサであって、
少なくとも1つの反射測定ビームを生成するために、少なくとも1つの基準ビームを生成し、少なくとも1つの測定ビームを生成し、前記少なくとも1つの測定ビームを前記基板上の測定スポットに向ける少なくとも1つの放射源と、
前記少なくとも1つの反射測定ビームと、前記少なくとも1つの基準ビームの両方をそれぞれ検出し、前記測定スポットでの前記高さを示す少なくとも1つの測定信号と、少なくとも1つの基準信号の両方をそれぞれ生成する少なくとも1つの検出器と、
前記少なくとも1つの測定信号及び前記少なくとも1つの基準信号を受け取り、前記基準信号に基づいて前記測定信号を補正するプロセッサとを備え、
前記基板を配置すべき場所に近い所定のエリアに配置された光学的構成を備え、前記所定のエリアから離れたほぼ等しい伝播光路に沿って前記少なくとも1つの測定ビーム及び前記少なくとも1つの基準ビームを向けるように配置され、前記光学的構成が、前記少なくとも1つの基準ビームが前記基板に当たらないように、前記所定のエリア内のほぼ等しい伝播光路から前記少なくとも1つの基準ビームを偏向させるように配置される。
22 検出系
23 放射源
24 投射格子
25 光学素子
26 光学素子
27 検出格子
28 検出器
28r 基準検出器
30 スポット
31 基準ビーム
31’ 測定ビーム
32 基準ビーム
32’ 反射測定ビーム
33 プロセッサ
35 プリズム
35’ 代替プリズム
36 基準スポット
40 半透明ミラー
50 元のビーム
42、44、60、61、62 ミラー
100 反射面
AD アジャスタ
B 放射線ビーム
BD ビーム送達系
CO コンデンサ
IF 位置センサ
IL イルミネータ
IN 積分器
LS レベル・センサ
M−1〜M−7 測定スポット
MA マスク
MT マスク・テーブル
M1、M2 マスク位置合せマーク
P1、P2 基板位置合せマーク
PM 第1ポジショナ
PS 投射系
PW 第2ポジショナ
Ref−1、Ref−2 基準スポット
SO 放射源
W 基板
WTa、WTb 基板テーブル
Claims (4)
- 基板の高さを測定するレベル・センサであって、
少なくとも1つの基準ビーム及び少なくとも1つの測定ビームを生成する投射系と、
前記少なくとも1つの基準ビームと、前記基板上の測定スポットで反射する前記少なくとも1つの測定ビームとを検出し、少なくとも1つの基準信号と、前記測定スポットでの前記基板の高さを示す少なくとも1つの測定信号とを生成する検出系と、
前記基準信号に基づいて、前記測定信号を補正するプロセッサと、
プリズムであって、前記プリズム内の伝播光路に沿って前記少なくとも1つの基準ビーム及び前記少なくとも1つの測定ビームを伝播させるように配置されたプリズムと、を備え、
前記プリズムは、前記少なくとも1つの基準ビームが前記基板に当たらないように前記少なくとも1つの基準ビームを偏向させ、
前記投射系は、複数の基準ビーム及び複数の測定ビームを生成し、前記複数の測定ビームを前記基板上の複数の測定スポットに向けるように配置され、
前記検出系は、前記複数の基準ビームと、前記複数の測定スポットで反射する前記複数の測定ビームとを検出し、複数の基準信号と、前記複数の測定スポットでの前記基板の高さを示す複数の測定信号とを生成し、
前記プロセッサは、前記複数の測定信号及び基準信号のうちの少なくとも2つの時間トレース間の相関を測定し、この相関に関する相関係数を計算し、前記相関係数を重み因子として使用して、前記測定信号を補正するための量を求める、レベル・センサ。 - 基板の高さを測定するレベル・センサであって、
少なくとも1つの基準ビーム及び少なくとも1つの測定ビームを生成する投射系と、
前記少なくとも1つの基準ビームと、前記基板上の測定スポットで反射する前記少なくとも1つの測定ビームとを検出し、少なくとも1つの基準信号と、前記測定スポットでの前記基板の高さを示す少なくとも1つの測定信号とを生成する検出系と、
前記基準信号に基づいて、前記測定信号を補正するプロセッサと、
プリズムであって、前記プリズム内の伝播光路に沿って前記少なくとも1つの基準ビーム及び前記少なくとも1つの測定ビームを伝播させるように配置されたプリズムと、を備え、
前記プリズムは、前記少なくとも1つの基準ビームが前記基板に当たらないように前記少なくとも1つの基準ビームを偏向させ、
前記投射系は、複数の基準ビーム及び複数の測定ビームを生成し、前記複数の測定ビームを前記基板上の複数の測定スポットに向けるように配置され、
前記検出系は、前記複数の基準ビームと、前記複数の測定スポットで反射する前記複数の測定ビームとを検出し、複数の基準信号と、前記複数の測定スポットでの前記基板の高さを示す複数の測定信号とを生成し、
前記プロセッサは、前記複数の測定信号及び基準信号のうちの少なくとも2つの間の周波数スペクトルの一部に関する相関を測定し、前記周波数スペクトルの一部内の前記測定信号を補正する、レベル・センサ。 - 基板の高さを測定するレベル・センサであって、
少なくとも1つの基準ビーム及び少なくとも1つの測定ビームを生成する投射系と、
前記少なくとも1つの基準ビームと、前記基板上の測定スポットで反射する前記少なくとも1つの測定ビームとを検出し、少なくとも1つの基準信号と、前記測定スポットでの前記基板の高さを示す少なくとも1つの測定信号とを生成する検出系と、
前記基準信号に基づいて、前記測定信号を補正するプロセッサと、
プリズムであって、前記プリズム内の伝播光路に沿って前記少なくとも1つの基準ビーム及び前記少なくとも1つの測定ビームを伝播させるように配置されたプリズムと、を備え、
前記プリズムは、前記少なくとも1つの基準ビームが前記基板に当たらないように前記少なくとも1つの基準ビームを偏向させ、
前記投射系は、複数の基準ビーム及び複数の測定ビームを生成し、前記複数の測定ビームを前記基板上の複数の測定スポットに向けるように配置され、
前記検出系は、前記複数の基準ビームと、前記複数の測定スポットで反射する前記複数の測定ビームとを検出し、複数の基準信号と、前記複数の測定スポットでの前記基板の高さを示す複数の測定信号とを生成し、
前記プロセッサは、前記複数の測定信号及び基準信号のうちの少なくとも2つの時間トレース間の遅延を測定し、前記遅延を遅延補正方法で使用して、前記複数の測定信号を補正する、レベル・センサ。 - 基板の高さを測定するレベル・センサであって、
少なくとも1つの基準ビーム及び少なくとも1つの測定ビームを生成する投射系と、
前記少なくとも1つの基準ビームと、前記基板上の測定スポットで反射する前記少なくとも1つの測定ビームとを検出し、少なくとも1つの基準信号と、前記測定スポットでの前記基板の高さを示す少なくとも1つの測定信号とを生成する検出系と、
前記基準信号に基づいて、前記測定信号を補正するプロセッサと、
プリズムであって、前記プリズム内の伝播光路に沿って前記少なくとも1つの基準ビーム及び前記少なくとも1つの測定ビームを伝播させるように配置されたプリズムと、を備え、
前記プリズムは、前記少なくとも1つの基準ビームが前記基板に当たらないように前記少なくとも1つの基準ビームを偏向させ、
前記投射系は、複数の基準ビーム及び複数の測定ビームを生成し、前記複数の測定ビームを前記基板上の複数の測定スポットに向けるように配置され、
前記検出系は、前記複数の基準ビームと、前記複数の測定スポットで反射する前記複数の測定ビームとを検出し、複数の基準信号と、前記複数の測定スポットでの前記基板の高さを示す複数の測定信号とを生成し、
前記プロセッサは、前記複数の測定信号及び基準信号のうちの少なくとも2つの間の周波数スペクトルの一部に関する位相ずれを測定し、前記周波数スペクトルの一部内の前記測定信号を補正する、レベル・センサ。
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