CN104769502B - 光刻设备和器件制造方法 - Google Patents

Abstract

一种方法，涉及：从作为光刻设备的一部分的传感器获得与光刻设备的振动有关的第一校准振动数据；以及获得第二校准振动数据，所述第二校准振动数据是光刻设备的第一参数数据的分量。根据第一校准振动数据和第二校准振动数据计算出滤波器，所述滤波器使得当应用于第一校准振动数据时其输出与第二校准振动数据更紧密地关联。然后，可在光刻工艺期间将滤波器应用到使用第一传感器获得的振动数据，以获得对第一参数数据的振动分量的估计。

Description

光刻设备和器件制造方法

相关申请的交叉引用

本申请要求享有2012年11月6日递交的美国临时申请61/723,214的优先权，通过引用将其全部在此并入。

技术领域

本发明涉及光刻设备和用于制造器件的方法。

背景技术

光刻设备是将期望的图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。可在例如制造集成电路(IC)的过程中使用光刻设备。在这一情况中，构图装置(其还可称为掩模或刻线)可用来生成将在IC的单个层上形成的电路图案。这一图案可被转移到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括部分、一个或多个管芯)上。对图案的转移通常是经由在衬底上设置的辐射敏感材料(光阻)上进行成像实现的。通常，单个衬底将包含连续排布的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括所谓的步进器(stepper)，其中通过一次将整个图案曝光到目标部分上来对每个目标部分进行照射，还包括所谓的扫描器(scanner)，其中通过在给定方向(“扫描”方向)通过辐射光束扫描图案来照射每个目标部分，同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描衬底。还能够通过将图案刻印到衬底上来将图案从构图装置转移到衬底。

发明内容

光刻设备可以振动(例如在200Hz左右)。光刻设备的振动可能对重现性产生负面的影响。

例如，期望减轻这种振动的一个或多个效果。

根据本发明的一个方面，提供了一种器件制造方法，包括将图案从构图装置转移到衬底上，其中所述方法包括：使用光刻设备内包括的一个或多个第一传感器来获得与光刻设备的振动有关的第一校准振动数据，使用第二传感器来获得第二校准振动数据，所述第二校准振动数据是光刻设备的第一参数数据的分量；以及使用第一校准振动数据和第二校准振动数据来计算滤波器，所述滤波器可操作为使得当应用于第一校准振动数据时其输出与第二校准振动数据更紧密地关联。

根据本发明的一个方面，提供了一种光刻设备，所述光刻设备可操作为将图案从构图装置转移到衬底上并且包括一个或多个第一传感器，其中所述光刻设备可操作为：使用一个或多个第一传感器来获得与光刻设备的振动有关的第一校准振动数据，使用第二传感器来获得第二校准振动数据，所述第二校准振动数据是光刻设备的第一参数数据的分量；以及使用第一校准振动数据和第二校准振动数据来计算滤波器，所述滤波器可操作为使得当应用于第一校准振动数据时其输出与第二校准振动数据更紧密地关联。

附图说明

现在通过只是示例的方式参照附图描述本发明的实施例，图中相应的附图标记指示相应的部件，并且其中：

图1示出了根据本发明实施例的光刻设备；

图2示出了根据本发明实施例的光刻单元或集群；

图3a是示出了根据本发明第一实施例的方法的流程图；

图3b是示出了根据本发明第二实施例的方法的流程图；

图4是示出了根据本发明第三实施例的方法的流程图；以及

图5是控制根据本发明实施例的设备和方法的处理单元(计算机系统)的视图。

具体实施方式

图1示意性地示出了根据本发明实施例的光刻设备。所述设备包括：

-照明系统(照明器)IL，配置为调节辐射光束B(例如UV辐射或EUV辐射)；

-支撑结构(例如掩模台)MT，构建为支撑构图装置(例如掩模)MA并且连接到第一定位器PM，所述第一定位器PM配置为根据特定参数来准确地对所述构图装置进行定位；

-衬底台(例如晶片台)WT，构建为支撑衬底(例如涂覆了光致抗蚀剂的晶片)W并且连接到第二定位器PW，所述第二定位器PW配置为根据特定参数来准确地对衬底进行定位；以及

-投影系统(例如折射投影透镜系统)PS，配置为通过构图装置MA将赋予辐射光束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一点或多个管芯)上。

照明系统可包括多种类型的光学组件，比如折射、反射、磁、电磁、静电或其它类型的光学组件或其中的任意组合，以用于导引、整形或控制辐射。

支撑结构以取决于构图装置的朝向、光刻设备的设计以及其它条件(比如是否将构图装置保持在真空环境中)的方式来保持所述构图装置。支撑结构可使用机械、真空、静电或其它钳制技术来保持构图装置。支撑结构可以是框架或台，例如其可按照需要是固定的或可移动的。支撑结构可确保构图装置位于期望的位置(例如相对于投影系统)。本文对术语“刻线”或“掩模”的使用可认为与更一般的术语“构图装置”是同义的。

本文使用的术语“构图装置”将被广义地解释为指代可用来向辐射光束在其截面中赋予图案以便在衬底的目标部分中创建图案的任意装置。应该注意的是，赋予辐射光束的图案可能不是精确地对应于衬底的目标部分中的期望图案，例如，如果所述图案包括相移特征或所谓的辅助特征的话。通常，赋予辐射光束的图案将对应于在目标部分中创建的器件中的具体功能层，比如集成电路。

构图装置可以是透射式的或反射式的。构图装置的示例包括掩模、可编程镜阵列以及可编程LCD面板。掩模在光刻中是熟知的，并且包括多种掩模类型，比如二元的、交替相移的以及衰减相移的，以及多种混合掩模类型。可编程镜阵列的示例采用小镜子的矩阵布置，每个小镜子都可以独立地倾斜以便在不同的方向反射入射的辐射光束。倾斜的镜子在镜子矩阵反射的辐射光束中赋予图案。

本文使用的术语“投影系统”可被广义地解释为涵盖任意类型的投影系统，包括折射、反射、折反射、磁、电磁、静电光学系统或其中的任意组合，其适于所使用的曝光辐射或其它因素(比如浸没液体的使用或真空的使用)。本文对术语“投影透镜”的使用可认为与更为一般的术语“投影系统”同义。

如此所述，所述设备是透射型的(例如采用透射掩模)。备选地，所述设备可以是反射型的(例如采用上述类型的可编程镜阵列或采用反射掩模)。

光刻设备可以是具有两个(双平台)或多个衬底台(和/或两个或多个构图装置台)的类型。在这种“多平台”机器中，可并行地使用附加的台，或者可在一个或多个台上执行准备步骤，而一个或多个其它台则用于曝光。

光刻设备还可以是以下类型：其中衬底的至少一部分可被具有相对较高的折射率的液体(例如水)覆盖，以便填充投影系统和衬底之间的空间。还可将浸没液体应用到光刻设备中的其它空间，例如掩模和投影系统之间。浸没技术是本领域熟知的，以用于增加投影系统的数值孔径。本文使用的术语“浸没”并不意味着结构(比如衬底)必须被液体淹没，而只意味着液体在曝光期间位于投影系统和衬底之间。

参见图1，照明器IL从辐射源SO接收辐射光束。所述源和光刻设备可以是分离的实体，例如当所述源是准分子激光器时。在这种情况中，不认为所述源形成光刻设备的一部分，以及在光束传递系统BD的帮助下将辐射光束从源SO传送到照明器IL，其中光束传递系统BD包括例如合适的导引镜和/或扩束器。在其它情况中，所述源可以是光刻设备的集成部件，例如当所述源是水银灯时。如果需要的话，源SO和照明器IL以及光束传递系统BD可统称为辐射系统。

照明器IL可包括调整器AD，用于调整辐射光束的角强度分布。通常，至少所述照明器的光瞳平面中的强度分布的外部和/或内部径向范围(通常分别被称为σ-外部和σ-内部)可被调整。此外，照明器IL可包括多个其它组件，比如集成器IN和聚光器CO。照明器可用来调节辐射光束，在其截面中具有期望的均匀性和强度分布。

辐射光束B入射到构图装置(例如掩模)MA(其被保持在支撑结构(例如掩模台)MT上)上，并被构图装置图案化。在穿过构图装置MA之后，辐射光束B经过投影系统PS，投影系统PS将光束聚焦在衬底W的目标部分C上。在第二定位器PW和位置传感器(例如干涉仪设备、线性编码器或电容传感器)的帮助下，衬底台WT可精确地移动，以便将不同的目标部分C定位在辐射光束B的路径中。类似地，可使用第一定位器PM和另一位置传感器(图1中没有明确地示出)来准确地将掩模MA相对于辐射光束B的路径进行定位，例如在从掩模库机械获取之后或在扫描期间。通常，可在长程模块(粗定位)和短程模块(精细定位)(它们形成第一定位器PM的一部分)的帮助下实现支撑结构MT的移动。类似地，可使用长程模块和短程模块(它们形成第二定位器PW的一部分)来实现衬底台WT的移动。在步进器(相对于扫描器)的情况中，支撑结构MT可以只连接到短程致动器或可以是固定的。可使用构图装置对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对其构图装置MA和衬底W。虽然所示的衬底对准标记占用专用的目标部分，但是它们也可位于目标部分之间的空间中(这被称为切割道对准标记)。类似地，在构图装置MA上设置了不止一个管芯的情况中，构图装置对准标记可位于管芯之间。

所示的装置可用于以下模式中的至少一个中：

1.步进模式。支撑结构MT和衬底台WT保持实质上静止，而赋予辐射光束的整个图案被一次投影到目标部分C上(即单次静态曝光)。衬底台WT然后在X和/或Y方向中移位，从而可对不同的目标部分C进行曝光。在步进模式中，曝光区域的最大尺寸限制单次静态曝光中成像的目标区域C的尺寸。

2.扫描模式。支撑结构MT和衬底台WT同时扫描，而赋予辐射光束的图案被投影到目标部分C(即单次动态曝光)。可通过投影系统PS的放大(缩小)和图像倒置特性确定衬底台WT相对于支撑结构MT的速度和方向。在扫描模式中，曝光区域的最大尺寸限制单次动态曝光中目标部分的宽度(在非扫描方向)，而扫描运动的长度确定目标部分的高度(在扫描方向)。

3.其它模式。支撑结构MT保持基本静态地保持可编程构图装置，并且在赋予辐射光束的图案投影到目标部分C上时移动或扫描衬底台WT。在该模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在衬底台WT每次移动之后或在扫描期间的连续辐射脉冲之间按照需要对可编程构图装置进行更新。该操作模式可适用于利用可编程构图装置(比如上述类型的可编程镜阵列)的无掩模光刻。

还可采用上述使用模式的组合和/或变形或完全不同的使用模式。

光刻设备LA可以是所谓的双平台类型，其具有两个台WTa和WTb以及两个站——曝光站和测量站，可在该两个站之间交换所述台。例如，虽然一个衬底台上的一个衬底在曝光站处曝光，但是另一衬底可被加载到测量站处的另一衬底台，以执行各种准备步骤。在实施例中，一个台是衬底台，另一个台是包括一个或多个传感器的测量台。可在测量站处执行准备步骤，比如使用水平传感器(未示出)绘制衬底的表面和/或使用对准传感器AS测量一个或多个对准标记在例如衬底上的位置。这种准备步骤会使装置的吞吐量显著增加。

当衬底台在测量站处以及在曝光站处时，本实施例中的位置传感器装置能够测量衬底台的位置。位置传感器装置包括：在台WTa、WTb中的一个或每一个上的一个或多个编码器部件(例如传感器)EN；以及固定到装置框架RF上的一个或多个相关联的编码器部件(例如参考板，其可以是1D或2D网格板)GP。可通过编码器部件EN、GP的组合操作来测量台WTa、WTb相对于编码器部件GP的位置(进而相对于装置框架RF的位置)。这被称为平台位置测量(SPM)。如果位置传感器在所述台位于测量站处以及曝光站处时不能测量所述台的位置，则可设置第二位置传感器以使得在两个站处都能够追踪所述台的位置。所述装置还包括处理单元PU，其控制所描述的各个致动器和传感器的移动和测量。

如图2所示，光刻设备LA可以是光刻单元LC的一部分，所述光刻单元LC有时还被称为“光刻单元”或集群，其还包括用来在衬底上执行曝光前和/或曝光后处理的装置。传统地，该光刻单元LC可包括：用来沉积光致抗蚀剂层的一个或多个旋涂器SC、用来对经过曝光的光致抗蚀剂进行显影的一个或多个显影器DE、一个或多个冷却板CH和/或一个或多个烘干板BK。衬底搬运器(或机器臂)RO从输入/输出端口I/O1、I/O2拾起衬底，将其移动到一个或多个不同的处理装置之间并然后将其递送到光刻设备的加载湾LB。这一个或多个设备(通常统称为轨道)处于轨道控制单元TCU的控制之下，轨道控制单元TCU本身则由监管控制系统SCS控制，监管控制系统SCS还经由光刻控制单元LACU控制光刻设备。从而，不同的装置可被操作为最大化吞吐量和处理效率。

光刻设备在使用时会受到振动。这些振动可对作为光刻工艺的一部分的各种测量和控制处理产生负面影响。从而，当执行这些测量和控制处理时应该校正所述振动。理想地，在执行所述工艺期间可通过一个或多个各种传感器(专用的传感器，或使用来自具有另一主要目的的传感器(比如图1中所述的位置传感器中的任一个)的数据的传感器)直接测量振动，并且使用这些直接测量来计算适当的校正。然而，存在由于多种原因而导致在正常机器操作期间无法进行对装置的特定传感器或组成部分所“看见”和/或体验到的振动、或任意机器参数中存在的振动分量的测量的情况。

解决这一问题的一种方式是使用可在正常机器操作期间获得的振动测量(比如由光刻设备的不同组件上的传感器所“看见”的)来计算针对感兴趣的参数的校正。这可导致感兴趣的参数的某些改善。然而，一个传感器所“看见”的振动并不总是等于另一传感器/组件所体验到的振动，因此不必与感兴趣的参数的振动分量相同。结果，可能存在误差，该误差与感兴趣的参数的振动分量与实际测量的振动的差别有关。

为了解决这一点，提出计算滤波器，该滤波器可应用于可测量振动，从而这些振动与感兴趣的参数的振动分量更加相像。经过过滤的振动数据可用来在机器操作期间校正感兴趣的参数。

图3a是示出了所提出的方法的实施例的流程图。在步骤200处，执行动态校准测试，以获得可从中计算合适的滤波器的数据。根据感兴趣的参数和所进行的传感器测量，这种动态校准测试可以与静态扫描测试相似，在所述静态扫描测试中，在不执行扫描(因此，衬底台为静态)的情况下，获得振动测量。在校准测试的实施例中，机器中的在常规机器操作期间存在并且应该被补偿的主要振动模式同样在校准测试测量期间也存在。从而，校准测试可包括一些扫描操作，感兴趣的参数的振动分量可能会包括这种扫描操作所导致的振动。

在动态校准测试期间，一个或多个传感器所“看见”的振动(随时间)被直接测量210。传感器可包括能够测量振动(或测量可从其中直接计算振动的参数)的光刻设备的任意组件或系统。虽然这可包括专用振动传感器，但是其还可包括(例如)平台位置测量系统、干涉仪系统等。同时(步骤220)测量的还有感兴趣的参数的振动分量。这可通过使用相同的或其它传感器直接测量另一设备(其参数包括感兴趣的参数)所“看见”的振动来实现。在每种情况中，可在不同时刻和位置进行多次测量，以获得稳定的倒置。

在步骤230，在步骤210和220处获得的振动数据用来计算一个或多个滤波器，每个滤波器能够修改从各个传感器测量的振动数据，从而其与所测量的感兴趣的参数的振动数据更加相像。

之后，执行光刻工艺240。这可以是可由如图1中所示的光刻设备执行的一个或多个特定动作，其中包括(例如)任意扫描、计量或控制动作。在光刻工艺期间，对感兴趣的参数进行测量(步骤255)，感兴趣的参数经受不能在正常机器操作期间直接测量的振动分量。与此同时(步骤250)，对用来获得步骤210中的振动数据的一个或多个传感器所“看见”的振动(或至少其中的子集)进行测量。在步骤260，在步骤230处计算的相应滤波器应用到在步骤250处获得的测量振动数据，以获得应该与感兴趣的参数的振动分量更相像经过校正的振动数据。在步骤270，该经过校正的振动数据应用到经过测量的感兴趣的参数，以校正经过测量的感兴趣的参数的振动分量。

图3b是示出了图3a中所示的方法的变形的流程图。所述方法的差别在于光刻工艺245。图3b的方法在不进行测量的情况下使用来自步骤260的经过校正的振动输出来预测感兴趣的参数或感兴趣的参数的振动分量(步骤280)，而不是测量感兴趣的参数(图3a，步骤255)并使用来自步骤260的经过校正的参数来校正感兴趣的参数(图3a，步骤270)。

在步骤230处计算的滤波器可以基于互相关和自相关函数。例如，滤波器可包括将来自步骤210的数据与来自步骤220的数据互相关的函数以及使来自步骤210的数据自相关的函数。下文示出了用来计算滤波器H(ω)的合适函数，其中X₂₁₀(ω)表示在步骤210处获得的(经过傅里叶变换的)振动测量(可选地通过多次校准测试进行求和)，X₂₂₀(ω)表示在步骤220处获得的(经过傅里叶变换的)振动测量(再次，可选地通过多次校准测试进行求和)：

式1

滤波器使示出了两个数据集合之间的相关行为的振动分量增长，同时抑制只在步骤220处测量的数据中“看见”的振动分量。

然后，可使用(在步骤260处)滤波器来按下式估计感兴趣的参数的振动分量：

X₂₁₀(ω)≈H(ω)·X₂₂₀(ω) 式2

图4是为了说明示出了所提出的方法的特定示例的流程图。光刻设备的计量框架RF可以振动。从而，与对准传感器AS一样，一个或多个编码器部件GP也振动。用来获得SPM数据的台WTa、WTb上的编码器部件EN可被用作例如用来测量和校正台WTa、WTb中的内部振动模式的附加“传感器”。SPM系统所“看见”的振动可用来在对准工艺期间校正对准传感器振动。结果，对准传感器AS可能存在位置误差，该误差取决于对准传感器所“看见”的振动与SPM系统所“看见”的振动之间的差别。该误差影响对准扫描重现性/准确度。改善对准传感器AS振动和SPM系统振动的失配的第一步可以是引入专用振动传感器，该专用振动传感器测量编码器部件GP相对于对准传感器AS的振动。这些振动传感器信号可被添加到SPM信号，以创建新的更具代表性的SPM信号。然而，可能仍然剩有振动失配。

此外，在将来，与现在相比，提出以更短的扫描时间、使用更少且更短的对准标记来执行对准扫描。可用的对准数据的小量和标记的小尺寸(及其相应的对准信号)意味着可能不能从对准数据直接测量(并因此过滤出)对准传感器所“看见”的振动。

由于持续进行台位置测量，所以SPM数据(包括SPM系统所“看见”的振动的SPM数据)是更可用的。从而，在本例中，SPM数据(以及可选地振动传感器数据)可用来校正对准传感器振动。然后，对这一所测量的SPM振动数据进行过滤，其与对准传感器所实际“看见”的振动更加匹配。

在步骤300，执行动态校准测试，以便获得可以从中计算合适的滤波器的数据。与之前一样，这一动态校准测试可与静态扫描测试相似，在所述静态扫描测试中，在不执行扫描(并且因此衬底台保持静态)的情况下获得振动测量。在常规对准扫描期间存在并且应被补偿的及其中的一个或多个主要振动模式在校准测试测量期间也应该存在。因此，静态扫描测试可修改为“扫描”静态扫描测试。这可包括例如在特殊衬底上多次进行扫描以及从这些测量获取获得两个对准传感器、SPM和其它振动数据。在这种方式中，移动(速度、加速度、急动和跳变)所引起的振动模式(其在正常静态扫描测试中不存在)将存在于“扫描”静态扫描测试中。

在动态校准测试期间，与由对准传感器310“看见”的振动一样，对SPM系统所“看见”的振动(随时间)进行测量320。可选地，在步骤325，可对来自任意其它可用传感器(比如专用振动传感器)的振动测量进行测量。在每种情况中，可在不同时刻和位置进行多次测量，以获得稳定的倒置。在步骤330，在步骤310和320以及可选地325处获得的振动数据可用来计算一个或多个滤波器，每个滤波器能够修改来自步骤320的或可选地来自步骤325的传感器(之一)的SPM振动数据，从而其与在步骤310中所测量的由对准传感器所“看见”的振动更加相像。

在之后的时刻(比如在对准扫描340期间)，SPM系统用来在获得对准传感器信号(步骤355)的同时测量振动350。此外，一个或多个其它传感器可用来测量振动(步骤345)。在步骤360，在步骤330处计算的相应滤波器被应用到所测量的SPM振动数据，以获得对对准传感器所“看见”的振动的更好估计。类似地，对应于其它振动传感器的滤波器可应用于在步骤345处测量的振动。在步骤370处，可针对步骤360中估计的对准传感器的振动，校正对准扫描的结果。

根据式1计算的滤波器可采用以下形式：

其中，X_AS(ω)是来自对准传感器AS的(经过傅里叶变换的)振动测量，X_SPM(ω)是来自编码器部件GP的(经过傅里叶变换的)振动测量。

然后，滤波器可被用来(在步骤360)按照下式估计对准传感器振动(基于式2)：

X_AS(ω)≈H(ω)·X_SPM(ω)。

滤波器可被设计具有多个通道，以处理其他变量，比如在不同方向(x、y和z方向)中的经过测量的振动数据。下式示出了如何处理这种多输入通道(该处理同样适用于标为式1和式2的等式的更为一般的形式)。

$X_{\mathrm{AS}}\left(\mathrm{\ω}\right)\≈\underset{i=1}{\overset{N}{\mathrm{\Σ}}}H\left(\mathrm{\ω}\right)\·X_i\left(\mathrm{\ω}\right)$

h(ω)＝M(ω)^-1v(ω)(矩阵乘法)

$h\left(\mathrm{\ω}\right)=\left(\begin{array}{c}{H}_1\left(\mathrm{\ω}\right)\\ H_2\left(\mathrm{\ω}\right)\\ H_3\left(\mathrm{\ω}\right)\end{array}\right)$

并且，为了使矩阵M(ω)稳定，其不能被倒置(M是具有实本征值的自共轭矩阵)：

M＝VDV⁺

$D=\left(\begin{array}{ccc}{d}_1& 0& 0\\ 0& d_2& 0\\ 0& 0& d_3\end{array}\right)$

在高扫描速度下，重现性可以得到3倍改善，而在当前使用的扫描速度下，仍然“看见”显著的改善。

以上的示例涉及减少对准传感器所看见的振动的影响。应该理解的是，本文公开的概念更一般地适用于不同于衬底对准工艺。可计算滤波器，以便使用这里所述的技术从其他测量振动数据估计任意其它传感器所“看见”的振动。这可包括在机器的曝光侧上的任意传感器(例如刻线平台传感器、透镜偏差传感器、透射图像传感器)。

进一步的特定示例可包括将这里所公开的概念应用于包括具有第一SPM系统(WS SPM)的衬底平台和具有第二SPM系统(RS SPM)的构图装置(例如刻线)的系统。在这种示例中，“感兴趣的参数”可以是来自衬底上的构图装置的图案图像的振动(其等同于覆盖)。可通过在成像系统或可能地在照明光学部件中加入一个或多个相关的振动传感器来扩展该系统。当衬底被曝光时(对于本例，这是图3a中规定光刻工艺240)，所述方法可以通过对所测量的RS SPM数据、所测量的WS SPM数据和来自成像透镜和/或照明光学部件振动传感器的数据进行过滤来确定/预测曝光误差(不可直接测量的衬底上的曝光图像中的振动)。为了计算滤波器，当衬底平台上没有任何衬底时，校准操作可使用衬底平台内的传感器来直接测量图像的振动。

应该理解的是，本文的实施例中的处理单元PU可以是如图5所示的计算机组件。计算机组件可以是采用组件的实施例中的控制单元的形式的专用计算机，或备选地可以是控制光刻投影装置的中央计算机。计算机组件可被布置为加载包括计算机可执行代码的计算机程序产品。这可使得计算及组件在加载了计算机程序产品时控制图3a、图3b或图4中的方法。

连接到处理器1227的存储器1229可包括多个存储器组件，比如硬盘1261、只读存储器(ROM)1262、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)1263和/或随机存取存储器(RAM)1264。前述存储器组件不必在物理上接近处理器1227或彼此接近。它们可以彼此相距很远。

处理器1227可以连接到某种类型的用户接口，比如键盘1265或鼠标1266。可以使用本领域已知的触摸屏、追踪球、语音转换器或其它接口。

处理器1227可连接到读取单元1267，该读取单元1267被布置为从数据载体(比如软盘1268或CDROM 1269)读取(在一些情况下在其上存储)数据(采用计算机可执行代码的形式)。同样，可使用本领域已知的闪存、DVD或其它数据载体。

处理器1227可以连接到打印机1270，以在纸上打出输出数据，还可连接到显示器1271(例如显示屏或LCD(液晶显示器)或本领域已知的其它类型的显示器)。

处理器1227可以借助一个或多个负责输入/输出(I/O)的发射机/接收机1273连接到通信网络1272，例如公共交换电话网(PSTN)、局域网(LAN)、广域网(WAN)等。处理器1227可被布置为经由通信网络1272与其它通信系统进行通信。在一种实施例中，外部计算机(未示出)(例如操作者的个人电脑)可经由通信网络1272登入处理器1227。

处理器1227可被实现为独立系统或并行操作的多个处理单元，其中每个处理单元被布置为执行较大程序的子任务。处理单元可被分成一个或多个具有若干子处理单元的主处理单元。处理器1227的一些处理单元可距离其他处理单元较远并且经由通信网络1272进行通信。

虽然图1中的连接可被示为物理连接，但这些连接中的一个或多个可以是无线的。它们只是为了示出“连接的”单元被布置为以某种方式彼此通信。计算机系统可以是具有被布置为执行这里讨论的功能的模拟和/或数字和/或软件技术的任何数字处理系统。

虽然本文中具体提及了在IC制造中对光刻设备的使用，但应该理解的是这里描述的光刻设备可具有其它应用，比如制造集成光学系统、以及引导和检测磁域存储器、平板显示器、液晶显示器(LCD)薄膜磁头等的图案。本领域技术人员将理解的是，在这些备选应用的语境中，任何对“晶片”或“管芯”的使用都被认为分别与更一般的术语“衬底”或“目标位置”同义。在曝光之前或之后，可通过例如轨道(通常将一层光致抗蚀剂应用到衬底并使经过曝光的光致抗蚀剂显影的工具)、计量工具和/或查看工具对这里所提及的衬底进行处理。当适用时，这里的公开可被应用于这些以及其它衬底处理工具。此外，可不止一次地处理衬底，以便例如创建多层IC，从而这里使用的术语衬底还指已经包含多个经过处理的层的衬底。

虽然上文在光学光刻语境中具体提及了对本发明的实施例的使用，但应该理解的是，本发明可用于其它应用(例如压印光刻)，并且在语境允许时，不限于光学光刻。在压印光刻中，构图装置的地形限定了在衬底上创建的图案。构图装置的地形可被按压到提供至衬底的光致抗蚀剂层中，因此通过施加电磁辐射、热、压或其组合来处理光致抗蚀剂。在处理了光致抗蚀剂之后，将构图装置从光致抗蚀剂移开，在其中留下图案。

本文使用的术语“辐射”和“光束”涵盖了所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如波长为或大约为365、355、248、193、157或126nm)和远紫外(EUV)辐射(例如波长在5-20nm的范围内)，还涵盖粒子束，比如离子束或电子束。

术语“透镜”(在语境允许的情况下)可指代多种类型的光学组件中的任意一个或组合，包括折射、反射、磁、电磁和静电光学组件。

虽然上文已经描述了本发明的特定实施例，但应该理解的是本发明可以是实践性的而不是描述性的。例如，本发明可采取包含以下形式：包含描述上述方法的机器可读指令的一个或多个序列的计算机程序或在其中存储有这种计算机程序的数据存储介质(例如半导体存储器、磁或光盘)。

上述说明只是说明性的，不进行限制。从而，对本领域技术人员来讲显然的是，在不偏离权利要求的范围的情况下，可对本发明进行修改。

Claims (14)

1.一种器件制造方法，包括将图案从构图装置转移到衬底上，其中所述方法包括：

使用光刻设备内的传感器来获得与所述光刻设备的振动相关的第一校准振动数据；

使用传感器来获得第二校准振动数据，所述第二校准振动数据是所述光刻设备的感兴趣的参数的振动分量；以及

使用所述第一校准振动数据和所述第二校准振动数据来计算滤波器，所述滤波器可操作为使得当应用于所述第一校准振动数据时，所述滤波器的输出与所述第二校准振动数据更紧密地关联。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括在光刻工艺期间：

测量所述光刻设备的感兴趣的参数；

使用所述光刻设备内的所述传感器来获得第一工艺振动数据；以及

在所述光刻工艺期间将所述滤波器应用于所述第一工艺振动数据，以获得对所述感兴趣的参数的振动分量的估计。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：使用对所述感兴趣的参数的振动分量的估计来调整所测量的感兴趣的参数中的振动分量。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括在光刻工艺期间：

使用所述光刻设备内的传感器来获得第一工艺振动数据；以及

在所述光刻工艺期间将所述滤波器应用于第一工艺振动数据，以获得对所述感兴趣的参数的估计。

5.根据权利要求2-4中任一项所述的方法，其中所述第一校准振动数据和第二校准振动数据是在校准操作期间获得的，在所述校准操作期间，存在光刻工艺期间光刻设备中的主要振动分量。

6.根据权利要求2-4中的任一项所述的方法，其中所述感兴趣的参数的振动分量使得不能在所述光刻工艺期间直接测量所述振动分量。

7.根据权利要求1-4中的任一项所述的方法，其中多个传感器用来获得多个第一校准振动数据集合，并且针对所述多个第一校准振动数据集合中的每一个计算滤波器。

8.一种光刻设备，配置为将图案从构图装置转移到衬底上，所述光刻设备包括传感器，其中所述光刻设备配置为：

使用所述光刻设备的传感器来获得与所述光刻设备的振动有关的第一校准振动数据；

使用传感器来获得第二校准振动数据，所述第二校准振动数据是所述光刻设备的感兴趣的参数的振动分量；以及

使用所述第一校准振动数据和所述第二校准振动数据来计算滤波器，所述滤波器可操作为使得当应用于第一校准振动数据时所述滤波器的输出与所述第二校准振动数据更紧密地关联。

9.根据权利要求8所述的光刻设备，其中所述设备还配置为在光刻工艺期间：

测量所述光刻设备的感兴趣的参数；

使用所述光刻设备内的所述传感器来获得第一工艺振动数据；以及

在所述光刻工艺期间将所述滤波器应用于第一工艺振动数据，以获得对感兴趣的参数的振动分量的估计。

10.根据权利要求9所述的光刻设备，还包括：使用对所述感兴趣的参数的振动分量的估计来调整所测量的感兴趣的参数中的振动分量。

11.根据权利要求8所述的光刻设备，其中所述设备还配置为在光刻工艺期间：

使用所述光刻设备的传感器来获得第一工艺振动数据；以及

在所述光刻工艺期间将滤波器应用于第一工艺振动数据，以获得对感兴趣的参数的估计。

12.根据权利要求9-11中的任一项所述的光刻设备，其中所述感兴趣的参数的振动分量使得不能在光刻工艺期间直接测量所述振动分量。

13.根据权利要求9-11中的任一项所述的光刻设备，包括：多个传感器以获得多个第一校准振动数据集合，并且针对所述多个第一校准振动数据集合中的每一个计算滤波器。

14.根据权利要求8-11中的任一项所述的光刻设备，包括对准传感器，其中所述光刻工艺是对准工艺，以及所述感兴趣的参数是使用所述对准传感器获得的对准数据，所述振动分量是由所述对准传感器的振动引起的。