JPH0370365B2 - - Google Patents

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JPH0370365B2
JPH0370365B2 JP56065296A JP6529681A JPH0370365B2 JP H0370365 B2 JPH0370365 B2 JP H0370365B2 JP 56065296 A JP56065296 A JP 56065296A JP 6529681 A JP6529681 A JP 6529681A JP H0370365 B2 JPH0370365 B2 JP H0370365B2
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JP
Japan
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wafer
platen
focal plane
distance
flat surface
Prior art date
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Application number
JP56065296A
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English (en)
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JPS571229A (en
Inventor
Shii Gaburieru Furetsudo
Ee Maakuru Deiuitsuto
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Applied Biosystems Inc
Original Assignee
Perkin Elmer Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Perkin Elmer Corp filed Critical Perkin Elmer Corp
Publication of JPS571229A publication Critical patent/JPS571229A/ja
Publication of JPH0370365B2 publication Critical patent/JPH0370365B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7023Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
    • G03F9/7026Focusing

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ウエーフアを光学装置の焦点面内に
自動的に位置決めするための装置に関する。
ある種の集積回路型式においては、マスク上の
回路パターン構成が半導体ウエーフアに転写さ
れ、この際、光反応フオトレジスト材でコーテイ
ングされたウエーフア上に回路パターンを投写す
るため光源又は他の放射源が用いられる。この光
線は適当な光学装置を通して転写される。この光
学装置においては、それが有している多くの機能
のうちでもとりわけ、回路パターン線がウエーフ
ア上に良好な輪郭をもつて投写されるように光線
をマスク上に焦点合わせする機能が重要視され
る。ウエーフア上に高分解能イメージを得るため
には、投写光学装置の焦点面にウエーフアが正確
に位置決めされることが重要である。このため、
写真平版投写装置に関連した問題としては、露光
済みのウエーフアは順に未露光ウエーフアに置換
され、未露光ウエーフアは露光されるべきウエー
フアとして光学投写装置の焦点面に正確に位置決
めされるようにする必要がある。ウエーフアマウ
ント、投写光学系及び光源が固定している装置に
おいてもこの問題は存在し、その理由はウエーフ
アが平坦でなく、あるいはその厚さも一定ではな
く、しかも焦点面からのわずかのずれでさえ望ま
しくない結果を生ずることによる。
写真平版投写装置に関連した他の問題は、シリ
コンウエーフアにおける構造変化によつて発生す
る。この変化は回路素子を作るために用いられる
拡散、酸化及び配向成長(エピタキシヤル)工程
によるものである。こうして、標準的なシリコー
ンウエーフアは多くの起伏を持つた不完全な平坦
面を有している。完全に平坦な面からの、このよ
うな偏差(ずれ)もまた、このような面上に投写
される回路パターンの分解能を低下させる。
従つて、ウエーフアを投写装置の焦点面に位置
決めし、さらにウエーフアの面を平坦化すること
が必要である。
ウエーフアを焦点合わせし、平坦化するため
に、空気圧作動器及び複数のセンサーを配置する
ことができる。このための1つの方法は、例えば
各作動器をウエーフアを保持するためのフレキシ
ブルな圧盤に結合させ、センサーを各作動器に対
向して設けることである。1つの作動器が他の作
動器に与える影響は比較的小さいので、各作動器
及びそれに対向するセンサーを、当該のウエーフ
アのポイントを最善焦点まで駆動する独立した制
御装置として動作させることができる。しかし、
必要な動作量が大きく、しかも作動器の反応速度
に1つの作動器と次の作動器との間で明らかな差
がある場合には、焦点合わせ処理中にかなりのウ
エーフアの曲がりが結果として生じてしまう。さ
らにまた、焦点合わせ及び平坦化という複合され
た要求を満足させるためには、各作動器が十分な
作動範囲と堅さとを持つことが必要である。
本発明の課題は、自動的にウエーフアを写真平
版投写装置の焦点面内に位置決めし、さらに自動
的にウエーフアを平坦にするための装置であつ
て、しかも、上述の問題が回避でき、さらにウエ
ーフアの露光や置き替えの際の部分的な移動によ
る誤差が生じず、一層正確な焦点合わせ及び平坦
化を可能とする装置を提供することである。
この課題の解決のため、本発明によればウエー
フアを光学装置の焦点面内に自動的に位置決めす
るための装置において、ウエーフアを保持するた
めの圧盤装置(プラテン)と、ウエーフアの位置
及び平坦さを表わす出力信号を発生するセンサ装
置を有し、該センサ装置はウエーフア表面の位置
合わせ(アラインタント)のための基準として用
いられる基準面の位置を検出するための少なくと
も1つの変位ゲージと、 ウエーフアないし光学的平坦面の位置を検出す
る少なくとも1つの別の変位ゲージとを有し、 更に、第1距離装置と第2距離装置とを有する
変位ゲージ電子回路が設けられており前記第1距
離装置は上記の少なくとも1つの変位ゲージと上
記の基準面との間の距離を測定し 前記第2距離装置は上記の少なくとも1つの別
の変位ゲージと上記ウエーフアないし光学的平坦
面との間の距離測定するものであり、 更に、前記変位ゲージ電子回路から受取つたそ
れの出力に基づいて、当該のウエーフアと前記基
準面との距離を算出する計算装置が設けられてお
り、前記計算装置は適正な焦点面(位置)(ない
し露光装置の所定の焦点面位置)と適正な平坦面
(位置)(ないしウエーフアの理想状態若しくは実
質的に理想状態のときの所定の平坦面位置)とを
表わすデータを記憶する記憶手段を有していて、
当該の位置定めの装置に夫々の当該の情報を供給
するものであり、 更に前記計算装置は前記記憶手段に接続されて
いる比較手段を有していて上記の記憶された適正
焦点面(位置)からのウエーフア(表面位置)の
ずれを表わす第1の出力信号と、上記の記憶され
た適正平坦面(位置)からのウエーフア表面(位
置)のずれを表わす第2の出力信号を発生するも
のであり、 更に、上記の適正焦点面(位置)からのウエー
フア(表面位置)のずれに基づいて適正焦点合わ
せ状態(適正焦点面位置)に制御するための第1
作動装置、及び上記の適正平坦面(位置)からの
ウエーフア表面(位置)のずれに基づいて適正平
坦状態(適正平坦面位置)に制御するための第2
作動装置が設けられており、 前記第1作動装置は、前記圧盤装置及び前記比
較手段に作用結合されていて、前記複数の第1信
号が所定値よりも低下するまで前記圧盤装置を移
動させるものであり、 前記第2作動装置は、前記圧盤装置及び前記比
較手段に作用結合されていて、前記複数の第2信
号が所定値よりも低下するまでウエーフアを選択
されたポイントにおいて曲げるものである(すな
わち比較手段を有する計算装置からの当該の第1
出力信号を受取り前記圧盤の位置を制御する第1
作動装置と、上記計算装置からの当該の第2出力
信号を受取り前記ウエーフアを所定の平坦面位置
に来るまで上記ウエーフアを曲げ制御する第2作
動装置とが設けられている)。
以上の本発明の構成により下記の効果ないし利
点が得られる。焦点合わせ及び平坦化の作動器は
分離され、従つて焦点合わせ動作と平坦化動作は
別個のものとすることができ、これによつて、焦
点合わせ動作と平坦化動作を共通の作動器で行う
場合に生じる前述の問題を回避し、極めて効果的
な焦点合わせ及び平坦化を実現することが可能と
なり、更に請求範囲に特定したように、当該変位
ゲージとウエーフアとの距離を測定し、当該変位
ゲージと基準面との距離を測定し、これらの2つ
の測定値から算出されるウエーフアと基準面との
距離をウエーフアの位置決めに用いることによつ
て、誤差を生じることなくウエーフアの置き替え
や露光のために変位ゲージを測定位置から移動
し、再び設置することができる。すなわち、変位
ゲージを測定位置へ再設置することによつて物理
的な位置誤差が生じたとしても、算出されるウエ
ーフアと基準面との距離は変わらないままであつ
て、測定誤差のない一層正確なウエーフアの焦点
合わせ及び平坦化が可能となるのである。
本発明では、実質的に投写装置の焦点面内に設
けられた圧盤(プラテン)が用いられる。この圧
盤は焦点面に関して移動可能なものであり、また
その所定範囲にわたつて曲げ又は歪めることがで
きるようにフレキシブルであつて、その上に正確
に載せられたウエーフアが同様に焦点面に対して
移動可能であり、圧盤が曲げ又は歪められる範囲
のあらゆるポイントにおいて曲げられたり歪めら
れるようになつている。
位置(ポジシヨン)センサーは、それの範囲に
わたる複数のポイントにおいてウエーフアの位置
を測定し、各測定値は投写装置の焦点面を全体と
して表現する蓄積データと比較される。コンピユ
ータは検知された位置情報と蓄積情報とを用いて
誤差信号を発生し、圧盤の位置決めをするために
圧盤に取り付けられた複数の作動器に供給する。
これはウエーフアが投写装置の焦点面内に位置す
るまで継続される。
同様に、複数のセンサーはウエーフア表面の位
置を判定し、さらに各測定値は平坦面を表現する
蓄積データと比較される。コンピユータは誤差信
号を圧盤に結合された複数の作動器に供給する。
これら作動器は種々ポイントにおいて圧盤を歪ま
せ、これは測定された位置が蓄積された位置と整
合し、さらにウエーフアの表面が蓄積された平坦
面と整合するまで継続される。
第1図は本発明による自動焦点合わせ装置の概
略図である。
参照番号10はチヤツクアセンブリであつて、こ
れは第2図に詳しく示される。このチヤツクアセ
ンブリ10は、公知の技術方法によつてマスクか
らの回路パターンが投写されるウエーフアをその
上に正確に保持するための装置を含む圧盤11を
有している。この装置については後にさらに詳し
く説明される。さらにチヤツクアセンブリはガラ
スの基準平坦器に置換可能であつて、この平坦器
の1つの平面は焦点面を規定するものである。第
2図を参照してさらに明らかにされるように、圧
盤11は1体として移動可能であり、この結果圧
盤上に固定されているウエーフアも投写プリンタ
の焦点面に関して1体として移動可能となる。
圧盤11はその表面の複数ポイントにおいて曲
げられたり撓まされ得、これによつて、取り付け
られたウエーフアは既知基準に関して平坦とされ
る。
空気圧作動器12,13および14は第2図か
ら明らかな手法で取り付けられていて圧盤11お
よび圧盤上に保持されるウエーフアを基準面15
に対して相対的位置関係で整合的に作動し得る。
バルブマニホールド16は、電気的に動作させら
れる複数のバルブを有し、これらバルブは空気圧
源17に接続されている。バルブマニホールドは
空気圧作動器12,13および14のそれぞれに
接続された出力を有している。空気圧作動器1
2,13および14はコンピユータ18によつて
複数のバルブマニホールドを介して制御される。
具体的な実施例においては、コンピユータ18に
はインテル社の8085マイクロコンピユータが組み
込まれている。複数の超音波変位ゲージが1集合
体となつてチヤツクアセンブリ10の知覚に配置
され、基準面15を配慮しながら、光学的な平坦
ウエーフア又は取付台と圧盤11の距離の測定に
使用される。3つの変位ゲージ19,20および
21は基準面15の位置を規定し、一方3つのゲ
ージ22,23および24はウエーフア又は光学
平坦面の位置を常時規定するために用いられる。
本発明では、第2図に示す概念を用いて、焦点
合わせ及び平坦化の作動器が分離され、従つて、
焦点合わせ動作及び平坦化動作が分離されて別個
のものとなる。
また平坦化化特徴を除去し、焦点合わせ動作と
2軸チルト能力を有する3つの作動器上に載せら
れた堅い圧盤を用いることが可能である。焦点合
わせおよびチルトのための適切な信号を供給する
ため、最低3つのセンサーが要求されるが、ウエ
ーフア表面全体にわたつて適宜増減して設けられ
た複数のサンプルを有する複数センサーの1集合
を用いることが望ましい。複数サンプルの1集合
の場合は、RMS条件を基本とした理想的に焦点
位置となる最善のウエーフア位置を得ることがで
きる。
積極的なウエーフア平坦化を意図しない場合の
本発明の実用的実施例においては、7つの変位ゲ
ージがウエーフア位置を感知するため用いられ、
また3つの圧盤作動器が7つのウエーフア位置セ
ンサーと理想焦点面位置との間がRMS条件に適
合するよう調節される。
第5図は焦点面においてRMS位置に最良に適
合したウエーフアを示す図である。当然、ウエー
フア表面における起伏又は不完全さは説明のため
の大きく誇張して描かれている。RMS最善適合
は、ウエーフアの表面に存在する起伏を配慮した
上での、焦点面内におけるウエーフアに関して公
知の手法による最善適合を与えるものである。
3つのゲージ19,20および21は、投写装
置の焦点面内におけるウエーフア上の3ポイント
の自動配置のためにコンピユータ18に変位デー
タを供給するのに十分である。もしウエーフアが
平坦でなければ、焦点面内においてウエーフアが
RMS最善適合となるような、さらに理想的なウ
エーフア位置を得るために、付加ゲージを使用す
ることもできる。本発明の望ましい実施例におい
ては、7つのゲージがウエーフア上の等間隔ポイ
ントを監視し、基準面15上に並べられた3つの
ゲージ22,23および24と同様に7つの変位
ゲージによつて供給されたデータを用いて、コン
ピユータ18によつて計算される。
コンピユータ18はマイクロコンピユータであ
り、これはフアームウエアとして自動RMS最善
適合焦点合わせのための算法を蓄積している。広
く開示されているように、第1図を参照して説明
される装置は、次の方法によつて機能する。ガラ
ス又は他の型式の基準平坦面が圧盤11と交換さ
れる。平坦面の表面、後にはシリコンウエーフア
の表面が、説明された複数の超音波ゲージの集合
によつて感知されて、コンピユータ18にデイジ
タル出力を供給する。コンピユータ18はガラス
平坦面から得られた読取り値とウエーフアから得
られた読取り値とを比較して、必要な修正値を計
算する。次にコンピユータはバルブマニホールド
16(後に詳しく説明される)に含まれる複数の
バルブに制御信号を供給する。これらの複数のバ
ルブは圧盤11の作動のために設けられた空気圧
作動器12,13および14に対して空気を送り
込みおよび/又は空気を解放させる働きをなす。
これら作動器はウエーフアが基準光学平坦面位置
に重なるまで位置決め動作を継続する。コンピユ
ータは1集合のゲージの読取り値の数値を平均
し、また空気の乱流や電気的雑音などによるラン
ダム誤差をむらのないものとするため平均値を計
算する。基準表面15は、コンピユータ18で行
なわれる減算処理において総ての測定値に関して
参照される基準面を規定する。このように、複数
のゲージは実際にゲージとウエーフアの距離およ
びゲージと基準面の距離とを感知し、このデータ
はウエーフアから基準面までの距離に変換され
る。これらの蓄積されたデータは、ゲージ集合自
体の位置に関しては不変のものであつて、ウエー
フアの交換の際に伴う1定限度内におけるゲージ
集合の所定位置からの移動を許容するものであ
る。焦点合わせ動作は、数ステツプの間に誤差が
減少するような繰り返し処理である。各ステツプ
の後、ウエーフア位置は再び感知されて、他の修
正が行なわれる。誤差が所定の限度、例えば1ミ
クロン、以下となるまで、この動作が継続され
る。測定誤差の1ミクロン当りに加えられる修正
の量は、各収束ステツプの以前に、総変換時間が
最少となるように変化させられる。このことは、
動作期間中に閉ループ装置の利得を調節すること
とと同等である。第2図は第1図のチヤツクアセ
ンブリ10を示す図であり、ここにおいて、チヤ
ツクアセンブリは独立した焦点合わせおよび平坦
化能力を有している。チヤツクアセンブリは堅い
裏板26に固定されたフレキシブルな圧盤11を
有し、裏板と圧盤とは圧盤の外周に近い個々のポ
イントで固定され、また他の数ポイントにおいて
は3つの作動器が間接点に取り付けられている。
直接的な取り付けポイントの2つ、26aおよび
26bは第2図に示されている。圧盤11は、裏
板26が3つの焦点作動器12,13および14
によつて動作させられる時、裏板の移動に追従す
る。第1図を参照して説明されたように、本発明
の自動焦点合わせ機能のために3つのベローズ
(ふいご)型作動器が設けられており、第2図に
おいては焦点合わせ作動器のうちの2つ、12お
よび13のみが示されている。この作動器12お
よび13は裏板26に関して固定されて示され、
その作動エレメント12aおよび13aは裏板2
6に結合されて、作動器がコンピユータ18から
の信号によつて作動する時、裏板26は作動エレ
メントによつて移動される。
ウエーフアを平坦化する作動器は第2図に示さ
れるように裏板26と圧盤11との間に設けられ
る。
本発明の自動焦点合わせ装置の実施例例におい
ては、10の変位ゲージと3つの空気圧作動器が
用いられる。本発明の自動焦点合わせおよび平坦
化装置の実施例では、22の変位ゲージと19の
空気圧作動器を使用する。ここで、これらの数値
は絶対的なものではなく、焦点合わせおよび平坦
化は、これよりも多い又は少いゲージ配列および
空気圧作動器によつても実施できるものであるこ
とを指摘しておく。しかし、これら装置の数量は
結果の正確さに関連して選択、使用されるもので
ある。これらの数量は能力対コストのかね合いを
配慮し、許容できるコストにおいて適切な結果を
得ることができるように選択される。
可撓性を有し、折り曲げできる程度に十分薄い
圧盤11は爪やすり型のものであつて、多数の突
起11aを有し、突起個々は圧盤11の外周を形
成する平坦面11bと共に同一平面上に広がるよ
う整形されている。圧盤11の範囲内には、多く
の刻み目11cがあり、これらは真空源装置(示
されていない)によつて複数の開口部11dに真
空(負圧)が印加された時、ウエーフア27が圧
盤11の上部位置にしつかりと保持されるような
方法で、他の刻み目と連結されている。
複数の空気圧作動器のうち、28,29および
30の3つのみが図示されているが、これらは裏
板26に固定されている。作動器28,29およ
び30の作動アーム28a,29aおよび30a
は例えば電子ビーム溶接などにより圧盤11に固
定され、圧盤11は適切な材料、例えば適当に可
撓であつて折り曲げ可能な薄い金属など、によつ
て作られる。これら空気圧作動器は圧盤11を歪
ませまた折り曲げるために用いられ、この結果真
空によつてフレキシブルな圧盤に密着しているウ
エーフアの表面が、後に述べる方法により、既知
の基準表面と1致することとなる。
空気圧作動器の総ては、バルブ装置を経て空気
源に接続されている。バルブ装置についてはこれ
までに説明されていないが、これらはコンピユー
タ18からの信号によつて作動され、作動結合ア
ーム26b,26a,28a,29aおよび30
aが圧盤を投写プリンタの焦点面内に移動させ、
既知平坦面に合致させる。
第3図は、ゲージ電子回路の配置を表わしたも
のである。このゲージ電子回路はCW(無変調連
続波)信号を送信し、遅延したエコーを受けて遅
延分をコンピユータにおいて処理しまた蓄積でき
るデイジタル形式に変換する。ゲージ電子回路
は、基本的には位相検出器であつて、距離を測定
するために送信波と受信波の間の位相差を測定す
るものである。送信機と受信機の間の波長の数に
より引き起こされる不明確さは、機械的な分離が
波長の小部分となるよう制御されるため、結果的
に起り得ない。
ゲージ電子回路は送信多重器31を有してい
る。この送信多重器31には、その入力に送信周
波数ftが供給され、これは望ましい実施例にあつ
ては450キロヘルツ(KHz)のサイン波である。
送信多重器31は複数の出力端を有し、そのいず
れもが超音波変位ゲージの送信部分33に接続さ
れることができ、この接続はチヤンネル選択によ
つて行なわれる。
描写の目的から、ただ1つの変位ゲージ32が
詳細に示されているが、自動焦点合わせの実施例
に実際に用いられた変位ゲージの数は10であつ
て、即ち7つがウエーフアに、3つが基準面に用
いられるものである。変位ゲージ32の送信部分
33は送信周波数ftを音響波に変換する。音響波
は空気中を伝達されて、それが反射されるターゲ
ツト、即ちウエーフア27又は基準面15に衝突
して反射され、超音波変位ゲージ32の受信部分
34によつて受信される。受信部分34において
音響波は電気的なサイン波に戻るように変換され
て多重器35を経てミキサー36に供給される。
多重器35は複数の変位ゲージから1つの入力を
選択する。適当なゲージは電気的に選択される。
多重器35によつて選択された信号はミキサー3
6に加えられ、ミキサーはさらにその入力の1つ
に440KHzの周波数fpを受けている。ミキサー3
6はヘテロダイン変換器として機能し、これによ
つてサイン波入力は10KHz出力に低下変換され、
この出力は増幅器37の入力として加えられる。
送信周波数ftはまた周波数fpと共にミキサー38
に加えられて10KHzに低下変換された出力サイン
波が得られる。ミキサー38のこの出力は増幅器
39に加えられる。増幅器37および39の各出
力はそれぞれ、バンドパスフイルター40および
41に入力として加えられ、各フイルターにおい
ては信号から雑音が消去される。フイルター40
および41からの出力はそれぞれコンパレータ4
2および43に入力として加えられる。コンパレ
ータ42および43からの出力はそれぞれワンシ
ヨツトマルチバイブレータ44および45に入力
として加えられる。コンパレータ42および43
は、加えられたサイン波入力を方形波に変換する
機能および基本的にクリツパとしての機能を有し
ている。
ワンシヨツトマルチバイブレータ44および4
5の出力はフリツプフロツプ46のリセツトおよ
びセツト入力に接続される。フリツプフロツプ4
6のセツト側出力はアンドゲート47に入力とし
て加えられる。アンドゲート47はカウンター4
8に接続され、このカウンターはフリツプフロツ
プ46がセツト状態にあつてアンドゲート47に
ハイを供給している時間だけ周波数fcで表わされ
るビツトの数をカウントする。このようにして、
送信波と受信波の正のゼロクロス(立ち上り)の
間に、フリツプフロツプ46はセツトおよびリセ
ツトされ、これによりカウンター48へ変位ゲー
ジ32とウエーフア27又は光学的平坦面との間
の距離を表わす2進数を記録する。この処理は数
回繰り返され、平均計数値が得られた後、コンピ
ユータメモリ内に平均値が蓄積される。前に述べ
たように、3つの変位ゲージ22,23および2
4は基準面を規定する基準リングに関して配置さ
れ、総ての測定値は基準面に関しての値をとる必
要から、コンピユータ内において減算処理が行な
われる。こうして、ゲージが実際にはゲージとウ
エーフア、およびゲージと基準台の距離を測定し
ているのではあるが、データはウエーフアから基
準面までの距離に変換される。これらデータはゲ
ージ集合自体の位置に関りなく1定のものであつ
て、ある限度内の位置誤差を判つてゲージがその
位置から取り除かれて置き換えられることを許容
するものである。
公知の多重技術を用いることによつて、基準面
又はウエーフアからの各々独立した変位ゲージの
距離に関する情報は、順次測定されてコンピユー
タ内に適宜蓄積される。
水晶発振器および周波数デバイダ49によつて
供給される周波数の種類は、周波数出力ft,fp
よびfcである。前に述べたように周波数ftおよび
fpは450KHzおよび440KHzであつて、これらはヘ
テロダインミキサー36および38によつて10K
Hz出力を生じ、この出力はフイルターされクリツ
プされてワンシヨツトマルチバイブレータ44お
よび45の入力として供給され、マルチバイブレ
ータはフリツプフロツプ46に関するセツトおよ
びリセツトパルスを発生し、フリツプフロツプは
時間々隔を規定する。他の観点から言えば、この
時間々隔はフリツプフロツプがターンオンしてい
る時間の長さを、周波数fcを計数することによつ
て測定される位相差である。周波数fcは時間々隔
に関する正確な測定値が得られる程度に十分に大
きければ、いかなる値でも良い。
これまでに説明された方法によつて、自動焦点
合わせに必要な基準情報がコンピユータメモリの
中に蓄積される。この蓄積された情報は次に、変
位ゲージによつて測定された実際のウエーフア位
置と蓄積された基準情報とを比較するのに用いら
れ、この結果、誤差信号が複数の空気圧作動器に
個別に供給されて、ウエーフアは自動的に投与装
置の焦点面に位置決めされる。
焦点面内でのウエーフアの自動焦点合わせのた
めに、3つの空気圧作動器12,13および14
が用いられ、これらはコンピユータ18からの信
号によつて制御されるバルブにより作動し、ウエ
ーフア27が焦点面内においてRMS最善適合位
置となるまで裏板26との相互動作として圧盤1
1を持ち上げ、降下させ、および/または傾ける
動作を行う。
前に述べたように、第3図を参照して説明され
た変位ゲージ電子回路は送信および受信された音
響波の間の位相差による時間々隔を測定するイン
ターバルタイマーである。このことから、ゲージ
電子回路を位相メーターと考えることも可能であ
る。
不明確な読取り結果となることを防止するた
め、送信される音響的サイン波の周波数は測定範
囲と矛盾しない波長のものでなくては、ならな
い。実際には、450KHzの周波数は約400ミクロン
の不明確さのない範囲が得られる。この範囲外で
は位相測定値は360゜を越え、付加的回路が使用さ
れない限り、くり返しとなる。
また、変位ゲージの送信トランスジユーサとし
ては小さな直径又は開口部を有するものの使用が
望ましいことを指摘しておく。即ち、それは送信
波長に関して空気中において2波長程度のオーダ
ーであり、送信ビームの回折誘導放散が引き起こ
されるためである。回折誘導は、測定範囲が変化
するに従つて受信トランスジユーサを横方向に移
動させたような効果を生じさせてビームを妨げ、
またウエーフア又はガラス平坦面の表面の角度傾
斜誤差を誘発させるものである。
もし、送信トランスジユーサの直径又は開口が
大きければ、送信ビーム又はリターンビーム(反
射ビーム)は狭く、リターンビームは受信トラン
スジユーサを移動させた効果を生じて、ターゲツ
トの正確な位置を知ることができない。
このように、小さなトランスジユーサ開口によ
る広いビーム幅は近接又は遠方にあつても受信ト
ランスジユーサを照射することができ、トランス
ジユーサ不整列に関する許容度を大きくさせる。
第4図は本発明の自動焦点合わせ装置のための
空気圧作動装置を描いたものである。第4図は自
動焦点合わせ装置に用いられる3つの空気圧作動
器を示しているが、本発明の自動平坦化部分にお
いては、16個又はそれを越える数の独立した空気
圧作動器が用いられる。第4図に描かれた空気圧
作動装置は、自動焦点合わせ装置に関して説明さ
れるが、本発明の自動平坦化装置に用いられる空
気圧作動装置は、これよりも多くの空気圧作動器
を使用するという点を除いては、同様な方法で機
能するものであることを、承知しておいて頂きた
い。
第4図の空気圧作動装置は3個のベローズ(ふ
いご)型作動器12,13および14を有し、こ
れらは第2図において理解されるように、裏板2
6を移動させることによつて圧盤11を位置決め
し、その結果としてウエーフア27を焦点面に移
動させることができるように、配置される。
この空気圧作動器12,13および14は、そ
れぞれバルブ50および51,52および53、
ならびに54および55を経由して空気源17に
接続されている。
実用的な実施例においては、空気源17は大気
圧に対して標準的には50PSIの圧力を有する空気
を供給する。空気圧作動器12,13および14
は市販されている型式のもので、例えばミネソタ
州シヤーロンのメタルベローズ社又はニユーヨー
ク州フアーミングデールのキネモテイブ社で市販
している型式のものである。空気圧作動器12,
13および14のそれぞれは気槽を有し、その容
量は所定の空気入力による各々の動作量を規定す
る。即ち、気槽が大きければ空気圧作動器のベロ
ーズによる移動量は少ない。バルブ51から55
はコンピユータ18の信号により、例えば、ソレ
ノイド(示されていない)等の手段をもつて制御
される。バルブ50,52および54は速動性の
ものであつて、望ましい実施例においては1ミリ
秒の応答時間を有するものが用いられる。第4図
に示す位置においては、各作動器12,13およ
び14の気槽は1定値を維持している。これらの
動作位置にあつては、図に示す位置とは反対に、
空気源17が作動器12,13および14に接続
されるか又は空気圧作動器12,13および14
の気槽がダンプ51a,53aおよび55aを経
由して大気に接続されるかの、いずれかである。
バルブ51,53および55は空気源17に接続
されて示されているが、反対位置となつた時に
は、ダンプ51a,53aおよび55aに接続さ
れる。
バルブ51,53および55は、バルブ50,
52および54に比して動作が遅く、例えば5ミ
リ秒の応答時間を有するものである。バルブ5
1,53および55は、比較的遅い動作であるた
め前もつてセツトされ、速動バルブ50,52お
よび54がセツトされる以前に、これらの作動は
完了している。
コンピユータ18は、実際の測定された距離を
蓄積された基準値と比較することによつて、蓄積
された算法を用いて、空気圧作動器12,13お
よび14のいずれが押し出されまた引込まれるべ
きか、さらに作動時間の長さをも判断する。ウエ
ーフアが位置している時は常に、ゲージは蓄積さ
れた基準値と比較するために次々に他の新しい測
定値を作り出す。この処理は、誤差が所定の容認
できる範囲内に収るまで数回繰り返される。
7個の変位ゲージを使用して、焦点面内におけ
るウエーフア27が前に述べたRMS最適適合と
なるような適合は、コンピユータメモリ内に蓄積
された算法を用いて行なわれる。この算法によ
り、ウエーフアの望ましい移動方向に依存して各
2方向バルブを圧力源又は排気口に接続するよう
バルブが操作される。次に、望ましい修正量に比
例した時間だけ各2方向バルブが開かれる。前に
述べたように、本発明の自動平坦化装置は、第4
図のそれと類似の空気圧作動装置を用い、さらに
ウエーフアを折り曲げおよび整形するための付加
的な作動器が準備される。望ましい実施例におい
ては22個の変位ゲージが19の空気圧作動器と共
に用いられる。これら変位ゲージはウエーフアの
異るポイントにおいて測定を行い、これらの測定
値はは誤差信号を得るため、平坦面を表わす前も
つて測定された蓄積データと比較される。第2図
は3個の空気圧作動器28,29および30が描
かれており、これらは裏板26に固定されまた、
圧盤11に固定された延長部28a,29aおよ
び30aを有している。測定された値と蓄積され
ている値の比較によつて発生される誤差信号に依
存して、空気圧作動器28,29および30なら
びに図示されていないが結合状態にある多くの作
動器により圧盤11は撓まされたり曲げられたり
して結局はウエーフア27の測定された平坦さが
所定の目標値にもたらされ得る。
このように、本発明の自動焦点合わせおよび自
動平坦化装置のための算法を用いることによつ
て、ウエーフアの焦点面内におけるRMS最適適
合が行なわれ、またウエーフアの自動平坦化が行
なわれる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の自動焦点合わせ部分を単純化
した形状で1部絵画的に、又1部ブロツク図とし
て表わした図であり、第2図は自動焦点合わせお
よび自動平坦化のための両方の作動器を含む本発
明のチヤツクアセンブリの部分断面図として示さ
れた側面図であり、第3図は本発明のゲージ電子
回路を示すブロツク図であり、第4図は本発明の
空気圧装置部分を示すブロツク図であり、第5図
は投写装置焦点面内におけるウエーフアのRMS
適合を示す図である。 10……チヤツクアセンブリ、11……圧盤、
12,13,14……空気圧作動器、15……基
準面、16……バルブマニホールド、17……空
気圧源、18……コンピユータ、19〜24……
変位ゲージ、26……裏板、27……ウエーフ
ア、28,29,30……空気圧作動器、31…
送信多重器、32……変位ゲージ、33……送信
部分、34……受信部分、35……受信多重器、
36,38……ミキサー、37,39……増幅
器、40,41……バンドパスフイルタ、42,
43……コンパレータ、44,45……ワンシヨ
ツトマルチバイブレータ、46……フリツプフロ
ツプ、47……アンドゲート、48……カウンタ
ー、49……水晶発振器および周波数デバイダ、
50〜55……バルブ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 ウエーフアを光学装置の焦点面内に自動的に
    位置決めするための装置において、 ウエーフアを保持するための圧盤装置(プラテ
    ン)11と、ウエーフアの位置及び平坦さを表わ
    す出力信号を発生するセンサ装置を有し、該セン
    サ装置はウエーフア表面の位置合わせ(アライン
    タント)のための基準として用いられる基準面1
    5の位置を検出するための少なくとも1つの変位
    ゲージ19〜21と、 当該ウエーフアないし光学的平坦面の位置を検
    出する少なくとも1つの別の変位ゲージ22〜2
    4とを有し、 更に、第1距離装置と第2距離装置とを有する
    変位ゲージ電子回路25が設けられており前記第
    1距離装置は上記の少なくとも1つの変位ゲージ
    19〜21と上記の基準面15との間の距離を測
    定し 前記第2距離装置は上記の少なくとも1つの別
    の変位ゲージ22〜24と上記ウエーフアないし
    光学的平坦面との間の距離測定するものであり、 更に、前記変位ゲージ電子回路25から受取つ
    たそれの出力に基づいて、当該のウエーフアと前
    記基準面15との距離を算出する計算装置18が
    設けられており、前記計算装置は適正な焦点面
    (位置)と適正な平坦面(位置)とを表わすデー
    タを記憶する記憶手段を有していて、当該の位置
    定めの装置に夫々の当該の情報を供給するもので
    あり、 更に前記計算装置は前記記憶手段に接続されて
    いる比較手段を有していて上記の記憶された適正
    焦点面(位置)からのウエーフア(表面位置)の
    ずれを表わす第1の出力信号と、上記の記憶され
    た適正平坦面(位置)からのウエーフア表面(位
    置)のずれを表わす第2の出力信号を発生するも
    のであり、 更に、上記の適正焦点面(位置)からのウエー
    フア(表面位置)のずれに基づいて適正焦点合わ
    せ状態(適正焦点面位置)に制御するための第1
    作動装置12,13、及び上記の適正平坦面(位
    置)からのウエーフア表面(位置)のずれに基づ
    いて適正平坦状態(適正平坦面位置)に制御する
    ための第2作動装置28〜32が設けられてお
    り、 前記第1作動装置12,13は、前記圧盤装置
    及び前記比較手段に作用結合されていて、前記複
    数の第1信号が所定値よりも低下するまで前記圧
    盤装置を移動させるものであり、 前記第2作動装置は、前記圧盤装置及び前記比
    較手段に作用結合されていて、前記複数の第2信
    号が所定値よりも低下するまでウエーフアを選択
    されたポイントにおいて曲げるものであることを
    特徴とするウエーフア自動位置決め装置。
JP6529681A 1980-05-02 1981-05-01 Device for automatically positioning wafer Granted JPS571229A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4485463B2 (ja) * 2004-12-22 2010-06-23 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置および素子製造方法
JP5029786B2 (ja) * 2010-03-12 2012-09-19 パナソニック株式会社 アライメント方法およびフラットパネルディスプレイの製造方法

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58156937A (ja) * 1982-03-12 1983-09-19 Hitachi Ltd 露光装置
US4504144A (en) * 1982-07-06 1985-03-12 The Perkin-Elmer Corporation Simple electromechanical tilt and focus device
JPS5975625A (ja) * 1982-10-22 1984-04-28 Fujitsu Ltd 基板支持方法
JPS6022319A (ja) * 1983-07-18 1985-02-04 Canon Inc 半導体露光装置
US4560880A (en) * 1983-09-19 1985-12-24 Varian Associates, Inc. Apparatus for positioning a workpiece in a localized vacuum processing system
US4600282A (en) * 1983-11-14 1986-07-15 Canon Kabushiki Kaisha Alignment apparatus
US4682159A (en) * 1984-06-20 1987-07-21 Personics Corporation Apparatus and method for controlling a cursor on a computer display
JPS61259170A (ja) * 1985-05-14 1986-11-17 Olympus Optical Co Ltd 超音波顕微鏡における試料の傾き調整装置
EP0214453B1 (de) * 1985-08-13 1992-03-25 Edelhoff M.S.T.S. Gmbh System zur Bestimming der Lage eines Objekts relativ zu einer Handhabungseinrichtung
US4669069A (en) * 1985-10-18 1987-05-26 Cathodochromic Partners, Ltd. Dual reflected energy beam alignment system
AT391772B (de) * 1986-05-16 1990-11-26 Ims Ionen Mikrofab Syst Anordnung zum positionieren der abbildung der struktur einer maske auf ein substrat
AT393925B (de) * 1987-06-02 1992-01-10 Ims Ionen Mikrofab Syst Anordnung zur durchfuehrung eines verfahrens zum positionieren der abbildung der auf einer maske befindlichen struktur auf ein substrat, und verfahren zum ausrichten von auf einer maske angeordneten markierungen auf markierungen, die auf einem traeger angeordnet sind
AT391773B (de) * 1987-10-12 1990-11-26 Thallner Erich Vorrichtung zum exponieren eines halbleitersubstrates gegen ein strahlungsmuster
JP2536059B2 (ja) * 1988-05-19 1996-09-18 株式会社ニコン 物体の表面状態測定装置及び表面の高さ測定装置
DE3822598C2 (de) * 1988-07-04 1997-09-04 Siemens Ag Justieranordnung und Verfahren zum Justieren einer Greifvorrichtung eines Roboterarms zum Handhaben einer Halbleiterscheibe
US5908530A (en) * 1995-05-18 1999-06-01 Obsidian, Inc. Apparatus for chemical mechanical polishing
AT404523B (de) * 1997-02-03 1998-12-28 Thallner Erich Verfahren zum ausrichten von insbesondere scheibenförmigen halbleitersubstraten und vorrichtung zur durchführung des verfahrens
US6205870B1 (en) 1997-10-10 2001-03-27 Applied Komatsu Technology, Inc. Automated substrate processing systems and methods
US5948986A (en) * 1997-12-26 1999-09-07 Applied Materials, Inc. Monitoring of wafer presence and position in semiconductor processing operations
US6247368B1 (en) * 1999-01-04 2001-06-19 International Business Machines Corporation CMP wet application wafer sensor
US6488565B1 (en) 2000-08-29 2002-12-03 Applied Materials, Inc. Apparatus for chemical mechanical planarization having nested load cups
US7596425B2 (en) * 2003-06-13 2009-09-29 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate detecting apparatus and method, substrate transporting apparatus and method, and substrate processing apparatus and method
DE102007049103B4 (de) * 2007-10-11 2011-03-31 Vistec Semiconductor Systems Gmbh System zum Bestimmen der lagerichtigen Position einer Maske in einer Ablage einer Koordinaten-Messmaschine
CN105785724B (zh) * 2016-05-20 2017-06-30 中国科学院微电子研究所 一种掩膜图形的优化方法、最佳焦平面位置测量方法及系统

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4888871A (ja) * 1972-02-02 1973-11-21
JPS5255472A (en) * 1975-10-31 1977-05-06 Thomson Csf Mask photo repeater
JPS52108776A (en) * 1976-03-09 1977-09-12 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Pattern sticking device
JPS52119927A (en) * 1976-04-02 1977-10-07 Hitachi Ltd Device for automatic focus control
US4093378A (en) * 1976-11-01 1978-06-06 International Business Machines Corporation Alignment apparatus
JPS5555529A (en) * 1978-10-20 1980-04-23 Hitachi Ltd Method of positioning wafer
JPS56130738A (en) * 1980-03-19 1981-10-13 Hitachi Ltd Method and device for exposure

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3557773A (en) * 1969-09-05 1971-01-26 Rheem Mfg Co Combustion chamber locating and securing attachment
US4280354A (en) * 1980-02-12 1981-07-28 Tencor Instruments Acoustic method and apparatus for measuring surfaces of wafers and similar articles

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4888871A (ja) * 1972-02-02 1973-11-21
JPS5255472A (en) * 1975-10-31 1977-05-06 Thomson Csf Mask photo repeater
JPS52108776A (en) * 1976-03-09 1977-09-12 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Pattern sticking device
JPS52119927A (en) * 1976-04-02 1977-10-07 Hitachi Ltd Device for automatic focus control
US4093378A (en) * 1976-11-01 1978-06-06 International Business Machines Corporation Alignment apparatus
JPS5555529A (en) * 1978-10-20 1980-04-23 Hitachi Ltd Method of positioning wafer
JPS56130738A (en) * 1980-03-19 1981-10-13 Hitachi Ltd Method and device for exposure

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4485463B2 (ja) * 2004-12-22 2010-06-23 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置および素子製造方法
JP5029786B2 (ja) * 2010-03-12 2012-09-19 パナソニック株式会社 アライメント方法およびフラットパネルディスプレイの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0039407B1 (en) 1985-11-27
DE3173046D1 (en) 1986-01-09
US4344160A (en) 1982-08-10
EP0039407A3 (en) 1982-02-03
CA1157128A (en) 1983-11-15
EP0039407A2 (en) 1981-11-11
JPS571229A (en) 1982-01-06

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