JPS58156937A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPS58156937A JPS58156937A JP57038022A JP3802282A JPS58156937A JP S58156937 A JPS58156937 A JP S58156937A JP 57038022 A JP57038022 A JP 57038022A JP 3802282 A JP3802282 A JP 3802282A JP S58156937 A JPS58156937 A JP S58156937A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- optical axis
- exposure
- pattern
- detected
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
- G03F9/7053—Non-optical, e.g. mechanical, capacitive, using an electron beam, acoustic or thermal waves
- G03F9/7057—Gas flow, e.g. for focusing, leveling or gap setting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマスクパターンにウェーハ表面に露光する装置
に関し、特にステップアンドリピートカメラのように１
ベレット拳位のｇ党な行なう場合に有効なｇ光装置に関
するものである。
に関し、特にステップアンドリピートカメラのように１
ベレット拳位のｇ党な行なう場合に有効なｇ光装置に関
するものである。
半導体装置のフォトリングラフイエＩｉにおいては、所
定の形状に構成したマスクパターンを縮小してウェーハ
表面に露光するグロジェクシ磨ン型の露光装置か使用さ
れているが、この種の装置では所謂ステップアンドリピ
ートカメラによりつ工−ハ表面に桝目状に１ベレット単
位での露光を行なうことが多い。この場合、ウェーハは
アライナによって露光装置の所定の焦点位置に設置され
かつその表面が露光装置の焦点深度内に納まるように設
置される。
定の形状に構成したマスクパターンを縮小してウェーハ
表面に露光するグロジェクシ磨ン型の露光装置か使用さ
れているが、この種の装置では所謂ステップアンドリピ
ートカメラによりつ工−ハ表面に桝目状に１ベレット単
位での露光を行なうことが多い。この場合、ウェーハは
アライナによって露光装置の所定の焦点位置に設置され
かつその表面が露光装置の焦点深度内に納まるように設
置される。
しかしながら、通常のウェーハではその表面に平面度の
１差が生じているため、第１ｔＩＡに示すようにウェー
ハｌの表面ｔＩＩ覚懐置装焦点深度Δｄ内に設置した場
合にもつ！−ハ１表面が光軸に対して−直にならない部
分が生じてしまう。このため、ウェーハの元軸距離が各
部で相違して各ペレット間でのパターンＰの寸法婆が相
違することがあ５す１、また各ペレット丙でもパターン
寸法が表面の傾斜方向に沿って変化してパターン変形を
生じることもある。このようなウェーハ表面の傾きに対
しては、従来のウェーハ全体の平行度を検出してウェー
ハの姿勢ｔ−Ｗ＊するレベリングａｔを使用しても各ベ
レット巣位の平行度な出すことはできず、したがりてベ
レットのパターン寸法の微細化に限界が生じているのが
実情である。。
１差が生じているため、第１ｔＩＡに示すようにウェー
ハｌの表面ｔＩＩ覚懐置装焦点深度Δｄ内に設置した場
合にもつ！−ハ１表面が光軸に対して−直にならない部
分が生じてしまう。このため、ウェーハの元軸距離が各
部で相違して各ペレット間でのパターンＰの寸法婆が相
違することがあ５す１、また各ペレット丙でもパターン
寸法が表面の傾斜方向に沿って変化してパターン変形を
生じることもある。このようなウェーハ表面の傾きに対
しては、従来のウェーハ全体の平行度を検出してウェー
ハの姿勢ｔ−Ｗ＊するレベリングａｔを使用しても各ベ
レット巣位の平行度な出すことはできず、したがりてベ
レットのパターン寸法の微細化に限界が生じているのが
実情である。。
したがって不発明の目的は、クエーノ１に露光する各ベ
レットパターンの露光領域の近傍複数箇所においてウェ
ーハの軸方向位置な検出する手段と、この手段からの出
力に基づいてウェーハ全体の姿勢な変化させ前記ベレッ
トパターンのＩｌｆ領域のレベリング調整を行なう手段
とな備えることにより、各ベレットを少なくともその露
光時には最適位置にレベリング設定でき、これにより各
ベレットのパターン寸法な一定に形成して品質の安定化
およびパターンの微細化を達成することができる露光装
置を提供するととにある。
レットパターンの露光領域の近傍複数箇所においてウェ
ーハの軸方向位置な検出する手段と、この手段からの出
力に基づいてウェーハ全体の姿勢な変化させ前記ベレッ
トパターンのＩｌｆ領域のレベリング調整を行なう手段
とな備えることにより、各ベレットを少なくともその露
光時には最適位置にレベリング設定でき、これにより各
ベレットのパターン寸法な一定に形成して品質の安定化
およびパターンの微細化を達成することができる露光装
置を提供するととにある。
以下、本発明を図示の実施例により説明する。
第２図は本発明装置の全体構成図、第２図はその一部の
拡大断面図である。図において、２は所定のパターンに
形成したマスクであり、ｌはこのマスク２のパターン像
がＩＩＩ光されるウェーハであり、ｑＩＩＫ前記マスク
像は縮小（例えば１／１０ ）されて桝目状に９列され
て露光される。光学系３は前記マスク２のノくターンナ
縮小してウェー７１１表面に結像でき、光源４．コンデ
ンサレンズ５゜結像用レンズ６等を有してつ１−凸表面
に対してＸ、Ｙ方向に移動できる。この光学系３は、第
２図（５）のように鏡筒７の先端部に複数個のエアノズ
ル８を開設しており、エアｆｉ９ＫＩｉ続することによ
りエアマイクロメータを構成している。これらエアノズ
ル８は１本例では同図（均のように鏡筒７馬１ｉ［３ｉ
１設けており、夫々は露光すべきマスクパターンのＩＩ
ｊｔ領域ＰＪ１の周囲近傍位置に対向し得るようにして
いる。したがって、このエアマイクロメータではエアｊ
［９における背圧な各エアノズル毎Ｋ１１定すれば、各
エアノズルにおける鏡筒先端とウェーハ表面との間の距
離（軸方向位置）を検出することができ、これから少な
くとも露光領域ＰａＫおけるウェーハ表面の傾斜状ｌ１
１に検出することができる。
拡大断面図である。図において、２は所定のパターンに
形成したマスクであり、ｌはこのマスク２のパターン像
がＩＩＩ光されるウェーハであり、ｑＩＩＫ前記マスク
像は縮小（例えば１／１０ ）されて桝目状に９列され
て露光される。光学系３は前記マスク２のノくターンナ
縮小してウェー７１１表面に結像でき、光源４．コンデ
ンサレンズ５゜結像用レンズ６等を有してつ１−凸表面
に対してＸ、Ｙ方向に移動できる。この光学系３は、第
２図（５）のように鏡筒７の先端部に複数個のエアノズ
ル８を開設しており、エアｆｉ９ＫＩｉ続することによ
りエアマイクロメータを構成している。これらエアノズ
ル８は１本例では同図（均のように鏡筒７馬１ｉ［３ｉ
１設けており、夫々は露光すべきマスクパターンのＩＩ
ｊｔ領域ＰＪ１の周囲近傍位置に対向し得るようにして
いる。したがって、このエアマイクロメータではエアｊ
［９における背圧な各エアノズル毎Ｋ１１定すれば、各
エアノズルにおける鏡筒先端とウェーハ表面との間の距
離（軸方向位置）を検出することができ、これから少な
くとも露光領域ＰａＫおけるウェーハ表面の傾斜状ｌ１
１に検出することができる。
一方、前記９エーハｌは支持板１０上に設置して−リ、
この支持板１０は第４１ｇＩＫ示すようにその周１！ｉ
３箇所において略水千に支持されている。
この支持板１０は第４１ｇＩＫ示すようにその周１！ｉ
３箇所において略水千に支持されている。
即ち、支持板１０は、前記３箇所において、夫々に配置
したモータ１１の１直方向に向けた出力ウオーム軸１２
に螺合しており、モータ１１の各独立した回転に伴なり
て出力ウオーム軸１２により各部が上下移動され、これ
により支持板１０およびウェーハ１の表面の傾きが変化
される。前記各モータ１１は夫々制御回路１３に＠続し
てこの制御１１１１ｇ回路１３により回転角が１１１−
される。この１１１Ｉ−回路１３には前記エアー源９な
接続しており、各エアノズル８における検出出力な入力
させていも以上の構成によれば、マスク２のパターンは
結像用レンズ６によりウェーハ１ｌｌｔｌＫ縮小されて
結像され、露光が行なわれる。そして、光学系３全体＠
ｘ 、 ｙ方向にステップ的に移動することにより、前
記縮小像をウェーハ表面に桝目状に隻角露光することが
できる。このとき、各ベレットの露光を行なう毎に、エ
アノズル８からクエーノ１表面にエアーな吹き出し、そ
の背圧な検出することにより各エアノズル８に対応する
°ウェーハ表面部位の軸方向位置が検出でき、これから
そのベレットの露光領域Ｐａの傾斜状態が検出できる。
したモータ１１の１直方向に向けた出力ウオーム軸１２
に螺合しており、モータ１１の各独立した回転に伴なり
て出力ウオーム軸１２により各部が上下移動され、これ
により支持板１０およびウェーハ１の表面の傾きが変化
される。前記各モータ１１は夫々制御回路１３に＠続し
てこの制御１１１１ｇ回路１３により回転角が１１１−
される。この１１１Ｉ−回路１３には前記エアー源９な
接続しており、各エアノズル８における検出出力な入力
させていも以上の構成によれば、マスク２のパターンは
結像用レンズ６によりウェーハ１ｌｌｔｌＫ縮小されて
結像され、露光が行なわれる。そして、光学系３全体＠
ｘ 、 ｙ方向にステップ的に移動することにより、前
記縮小像をウェーハ表面に桝目状に隻角露光することが
できる。このとき、各ベレットの露光を行なう毎に、エ
アノズル８からクエーノ１表面にエアーな吹き出し、そ
の背圧な検出することにより各エアノズル８に対応する
°ウェーハ表面部位の軸方向位置が検出でき、これから
そのベレットの露光領域Ｐａの傾斜状態が検出できる。
この検出信号は制御回路１３に入力され、制御−路１３
はこれに基づいて各モーｊ１１１を夫々独立に回動制御
する。この結果、支持板ｌＯおよびウェーハｌは傾斜状
−が変化され少なくとも露光領域Ｐａが光学系３の光軸
に対して−直にされる。このとき、同時にｍ光領域が光
学系の焦点深度内に設置されることはいうまでもない。
はこれに基づいて各モーｊ１１１を夫々独立に回動制御
する。この結果、支持板ｌＯおよびウェーハｌは傾斜状
−が変化され少なくとも露光領域Ｐａが光学系３の光軸
に対して−直にされる。このとき、同時にｍ光領域が光
学系の焦点深度内に設置されることはいうまでもない。
したがって本夷膳例装置によれば、ウェーハ表面の平面
度が＾精度でない場合でも、露光される各ベレット部位
はその露光時には必ず一定の軸位置でかつ光軸と直角に
調整（レベリング）されるので、各ベレットの軸位置が
相違して夫々の形成パターン寸法に誤差が生じることは
ないと共に、一つのペレット内においても部分的な寸法
誤差が生じることはなく、全てのベンツ）において一定
したパターン寸法な得ることができるのである。
度が＾精度でない場合でも、露光される各ベレット部位
はその露光時には必ず一定の軸位置でかつ光軸と直角に
調整（レベリング）されるので、各ベレットの軸位置が
相違して夫々の形成パターン寸法に誤差が生じることは
ないと共に、一つのペレット内においても部分的な寸法
誤差が生じることはなく、全てのベンツ）において一定
したパターン寸法な得ることができるのである。
ここで、エアマイクロメータな構成するエアノズルは４
点以上でも！＜、この場合には各点での測定値な制御回
路１３において演算し、この結果を得て各モータ１１を
制御するようにする。またウェーへの微小部位（各ペレ
ット部位）の傾斜状態な非接触状態で検出して各部の軸
位置を求める手段であれば、前述のエアマイクロメータ
以外の検出子Ｒ’ｌ利用してもよい。更にウェーハのレ
ベリングな調整する手段の具体的な構成も本実施例以外
の構成でありてもよいことはいうまでもない。
点以上でも！＜、この場合には各点での測定値な制御回
路１３において演算し、この結果を得て各モータ１１を
制御するようにする。またウェーへの微小部位（各ペレ
ット部位）の傾斜状態な非接触状態で検出して各部の軸
位置を求める手段であれば、前述のエアマイクロメータ
以外の検出子Ｒ’ｌ利用してもよい。更にウェーハのレ
ベリングな調整する手段の具体的な構成も本実施例以外
の構成でありてもよいことはいうまでもない。
以上のように本発明の露光装置によれば、縮小露光さ肚
るパターン毎にその部位の平面状＊ｔ’検出しかつこの
部位が所定位置において所定の状態となるように調整す
ることができるので、各パターン間での寸法誤差や同一
パターン内での部分的な寸法誤差をなくすことができ、
これにより安定したパターンの半導体装置な得ることが
できるという効果な奏する。
るパターン毎にその部位の平面状＊ｔ’検出しかつこの
部位が所定位置において所定の状態となるように調整す
ることができるので、各パターン間での寸法誤差や同一
パターン内での部分的な寸法誤差をなくすことができ、
これにより安定したパターンの半導体装置な得ることが
できるという効果な奏する。
第１図は従来の不具合な説明する模式的断面図、第２図
は本発明ａｔの全体構成図、第３図囚、（８は光学系の
要部のｉｙｒ面図、ペレットに対するエアノズル位置を
示す平面図、＠４図は支持板の平面図である。 ｌ・・・ウェーハ、２・・：マスク、３・・・光学系、
８・・・エアノズル、９・・・エアーｓ、ｉｏ・・・支
持板、１１・・・モータ、１２・・・ウオーム軸、１３
・・・１１１１１１１１１回路、Ｐａ・・・ｊｌｌｊｔ
、領域。 代墳人 弁理士 薄 １）利 幸 ５パ・ 第 １ 図 第 ２ 図 第′３図 とＡ） （１３
）第 ４ 図
は本発明ａｔの全体構成図、第３図囚、（８は光学系の
要部のｉｙｒ面図、ペレットに対するエアノズル位置を
示す平面図、＠４図は支持板の平面図である。 ｌ・・・ウェーハ、２・・：マスク、３・・・光学系、
８・・・エアノズル、９・・・エアーｓ、ｉｏ・・・支
持板、１１・・・モータ、１２・・・ウオーム軸、１３
・・・１１１１１１１１１回路、Ｐａ・・・ｊｌｌｊｔ
、領域。 代墳人 弁理士 薄 １）利 幸 ５パ・ 第 １ 図 第 ２ 図 第′３図 とＡ） （１３
）第 ４ 図
Claims (1)
- １、マスクパターンを縮小結偉する光学系な有し、ウェ
ーハ表面の複数箇所にこの縮小ｇ／ｌｆ：露光するよう
にした露ｆ装置において、前記光学系の光軸に対するつ
工−ハの露光領域の傾斜状態な求めるために前記露光領
域の近傍複数箇所においてウェーハ表面の光軸方向位置
を検出する手段と、この検出手段からの出力に基づいて
少なくとも前記露光領域の傾斜状態およびその光軸方向
位置を所定位置にレベリング調整する手段とを備えるこ
とを特徴とする露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57038022A JPS58156937A (ja) | 1982-03-12 | 1982-03-12 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57038022A JPS58156937A (ja) | 1982-03-12 | 1982-03-12 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58156937A true JPS58156937A (ja) | 1983-09-19 |
Family
ID=12513944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57038022A Pending JPS58156937A (ja) | 1982-03-12 | 1982-03-12 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58156937A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60105231A (ja) * | 1983-11-14 | 1985-06-10 | Canon Inc | 自動焦点合わせ装置 |
| JPS60109226A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-14 | Canon Inc | 平面位置合わせ装置 |
| JPS6174338A (ja) * | 1984-09-20 | 1986-04-16 | Hitachi Ltd | 縮小投影露光装置およびその方法 |
| JPS62122215A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-03 | Hitachi Ltd | 投影露光装置 |
| JPH07234527A (ja) * | 1994-09-05 | 1995-09-05 | Hitachi Ltd | 露光方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4888871A (ja) * | 1972-02-02 | 1973-11-21 | ||
| JPS5252579A (en) * | 1975-10-27 | 1977-04-27 | Canon Inc | Clearance adjusng method |
| JPS5255472A (en) * | 1975-10-31 | 1977-05-06 | Thomson Csf | Mask photo repeater |
| JPS571229A (en) * | 1980-05-02 | 1982-01-06 | Perkin Elmer Corp | Device for automatically positioning wafer |
-
1982
- 1982-03-12 JP JP57038022A patent/JPS58156937A/ja active Pending
Patent Citations (4)
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| JPH0142622B2 (ja) * | 1983-11-14 | 1989-09-13 | Canon Kk | |
| JPS60109226A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-14 | Canon Inc | 平面位置合わせ装置 |
| JPH0144010B2 (ja) * | 1983-11-18 | 1989-09-25 | Canon Kk | |
| JPS6174338A (ja) * | 1984-09-20 | 1986-04-16 | Hitachi Ltd | 縮小投影露光装置およびその方法 |
| JPH0564450B2 (ja) * | 1984-09-20 | 1993-09-14 | Hitachi Ltd | |
| JPS62122215A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-03 | Hitachi Ltd | 投影露光装置 |
| JPH07234527A (ja) * | 1994-09-05 | 1995-09-05 | Hitachi Ltd | 露光方法 |
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