JPH01202607A - 反復微細パターンの差異検出方法 - Google Patents
反復微細パターンの差異検出方法Info
- Publication number
- JPH01202607A JPH01202607A JP63298446A JP29844688A JPH01202607A JP H01202607 A JPH01202607 A JP H01202607A JP 63298446 A JP63298446 A JP 63298446A JP 29844688 A JP29844688 A JP 29844688A JP H01202607 A JPH01202607 A JP H01202607A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image
- pattern
- pixel
- difference
- axis
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 abstract description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
- G06T7/0004—Industrial image inspection
- G06T7/001—Industrial image inspection using an image reference approach
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N21/95607—Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T1/00—General purpose image data processing
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/10—Image acquisition modality
- G06T2207/10056—Microscopic image
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
- G06T2207/30108—Industrial image inspection
- G06T2207/30121—CRT, LCD or plasma display
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
- G06T2207/30108—Industrial image inspection
- G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔利用分野〕
本発明は、一般には差異検出の方法と装置とに関し、特
に、半導体ウェハー、フォトマスクの網目、平板TVス
クリーン、及びその他の反復列すなわちそれが一部品を
形成している盤を有するデバイスにおける差異を自動的
に検出するための方法及び装置に関する。
に、半導体ウェハー、フォトマスクの網目、平板TVス
クリーン、及びその他の反復列すなわちそれが一部品を
形成している盤を有するデバイスにおける差異を自動的
に検出するための方法及び装置に関する。
前記のように、ウェハーや同様な物体すなわち反復パタ
ーンを有する表面の差異は、ウェハー上の1つのパター
ンを同じウェハー上の別のパターンと比較するか、又は
1つのパターンを基準となるパターyすなわちデータベ
ースの情報と比較することによって検出されてきた。し
かしながら、このような差異検出プロセスには感度を制
限してしまう大きな次のような2つの要因がある。
ーンを有する表面の差異は、ウェハー上の1つのパター
ンを同じウェハー上の別のパターンと比較するか、又は
1つのパターンを基準となるパターyすなわちデータベ
ースの情報と比較することによって検出されてきた。し
かしながら、このような差異検出プロセスには感度を制
限してしまう大きな次のような2つの要因がある。
1.2つの対照するパターンの画像は画像センサーに対
して正確に同じ位置で計数化されない。
して正確に同じ位置で計数化されない。
これはステージ位置誤差9間隅取り誤差などの要因の組
合せによる結果である。たとえ対照される2つの画像の
間のオフセットを画像メモリ内で2つの画像を互いに動
かすことにより簡単にピクセルの半分より小さくできて
も、0.5ピクセルの大きさの配列上の誤差は残って2
つの対照画像における人為的な差異となり通常の差異に
間違え得る。この配列上の誤差を考慮して警報を小さく
すると、差異検出感度も減少してしまう。一方で、警報
率を増加させることなく差異検出感度を増加するために
、配列上の誤差を小さくしなくてはならない。
合せによる結果である。たとえ対照される2つの画像の
間のオフセットを画像メモリ内で2つの画像を互いに動
かすことにより簡単にピクセルの半分より小さくできて
も、0.5ピクセルの大きさの配列上の誤差は残って2
つの対照画像における人為的な差異となり通常の差異に
間違え得る。この配列上の誤差を考慮して警報を小さく
すると、差異検出感度も減少してしまう。一方で、警報
率を増加させることなく差異検出感度を増加するために
、配列上の誤差を小さくしなくてはならない。
2.2つの対照画像は差異がなくても通常の処理偏差に
よυ差分を有し得る。はとんどの処理と同様に半導体処
理は、有限の許容誤差を有する。
よυ差分を有し得る。はとんどの処理と同様に半導体処
理は、有限の許容誤差を有する。
通常の処理偏差なら処理の許容制限値内の偏差にあては
まる。この偏差は線幅の備差、反射率すなわち画像の対
照の偏差、そして1つのパターンと他のパターンとの層
状配列における偏差となって現れる。たとえば、線幅の
偏差はステッパの露光偏差による場合があシ得る。反射
率の偏差はクエハーのフィルム厚の偏差による場合があ
り得る。そして層状配列における偏差はステッパとアラ
イナの誤配列による場合があり得る。これらの処理偏差
は通常ウェハー上で1つのパターンから他のパターンに
亘って生じる。
まる。この偏差は線幅の備差、反射率すなわち画像の対
照の偏差、そして1つのパターンと他のパターンとの層
状配列における偏差となって現れる。たとえば、線幅の
偏差はステッパの露光偏差による場合があシ得る。反射
率の偏差はクエハーのフィルム厚の偏差による場合があ
り得る。そして層状配列における偏差はステッパとアラ
イナの誤配列による場合があり得る。これらの処理偏差
は通常ウェハー上で1つのパターンから他のパターンに
亘って生じる。
しかしながら、1つのパターンの制限された部分、たと
えばセンサーの一領域内に注目することによって処理は
変わらないままで、大きな偏差がなくなるのである。
えばセンサーの一領域内に注目することによって処理は
変わらないままで、大きな偏差がなくなるのである。
従って本発明のitの目的は反復パターン中の極小さな
差異を検出する高度な方法と装置とを供給することであ
る。
差異を検出する高度な方法と装置とを供給することであ
る。
本発明のその他の目的は、通常の処理偏差に対する感度
の小さい多重パターンデバイス上の差異を自動的に検出
する方法と装置とを提供することである。
の小さい多重パターンデバイス上の差異を自動的に検出
する方法と装置とを提供することである。
本発明のさらにその他の目的は、高感度で差異を検出し
ながら比較的簡単で安価な像処理ハードウェアを使用す
る方法と装置とを提供することである。
ながら比較的簡単で安価な像処理ハードウェアを使用す
る方法と装置とを提供することである。
基本的に本発明によって多重パターンデバイスの検査方
法が提供され、そこではデバイスの画像は光学検出器の
画像検出面上のピクセル軸に関連して配置され、検出器
に関連する画像の相対的な大きさが調整されることによ
って検出面内の画像の反復パターンの大きさは検出器に
よるピクセルの大きさの整数倍の大きさを有し、画像上
で相当するピクセル群やピクセルのグループは等しいパ
ターンを有する。またこのようなピクセル内のデータは
このような相当するピクセル群から得られたデータかま
たはデータベース中の情報と比較され、周知のデータ比
較技術によって差異が確認される。
法が提供され、そこではデバイスの画像は光学検出器の
画像検出面上のピクセル軸に関連して配置され、検出器
に関連する画像の相対的な大きさが調整されることによ
って検出面内の画像の反復パターンの大きさは検出器に
よるピクセルの大きさの整数倍の大きさを有し、画像上
で相当するピクセル群やピクセルのグループは等しいパ
ターンを有する。またこのようなピクセル内のデータは
このような相当するピクセル群から得られたデータかま
たはデータベース中の情報と比較され、周知のデータ比
較技術によって差異が確認される。
本発明の利点は高感度で且つ通常の処理偏差に対しては
感度の小さい方法を提供していることである。
感度の小さい方法を提供していることである。
本発明のその他の長所は反射光や伝播された光線や螢光
、及びその他の発光法についても応用できることである
。
、及びその他の発光法についても応用できることである
。
さらに本発明のその他の長所は簡単で比較的安価な画像
処理ハードウェアしか必要としないことである。
処理ハードウェアしか必要としないことである。
本発明のさらにその他の長所は線幅偏差や配列上の偏差
、及び反射率の偏差といった多重層ウェハーの検査に関
するほとんどの問題点を克服していることである。
、及び反射率の偏差といった多重層ウェハーの検査に関
するほとんどの問題点を克服していることである。
まず第1図は、本発明を実施するための基本的に機械的
な且つ電子光学上の装置の概略図を示す。
な且つ電子光学上の装置の概略図を示す。
部品10で示すクエハー、網目印部ホトマスク。
平板テレビスクリーンなどが移動部分12に設置されて
おり、部品10は光学軸14に対して垂直に交差するよ
う配置されたx、yの両軸のどちらの軸方向にも手動、
あるいは電気的制御で移動できる。部品10の上部表面
は典型的には直交する列と行とが形成する規則的な列を
為した多数の等しいパターンを有しているが、工程上の
偏差すなわち差異による数個の異なるパターンも含んで
いる。
おり、部品10は光学軸14に対して垂直に交差するよ
う配置されたx、yの両軸のどちらの軸方向にも手動、
あるいは電気的制御で移動できる。部品10の上部表面
は典型的には直交する列と行とが形成する規則的な列を
為した多数の等しいパターンを有しているが、工程上の
偏差すなわち差異による数個の異なるパターンも含んで
いる。
軸14に沿って設置された対物レンズは、部品10の全
体もしくは特定の部分の像を選択的に結び、この像はズ
ームレンズ18を介してカメラ20の口径部に至る。本
実施例では、カメラ20は典型的にはビデオカメラで、
スクリーンサイズと像ピクセル鮮鋭度とは固定されてお
り、入力される像のサイズはズームレンズ18を調整す
ることにより変化できる。あるいは、像の小さな不連続
な部分のデータを修正する能力を有することによp。
体もしくは特定の部分の像を選択的に結び、この像はズ
ームレンズ18を介してカメラ20の口径部に至る。本
実施例では、カメラ20は典型的にはビデオカメラで、
スクリーンサイズと像ピクセル鮮鋭度とは固定されてお
り、入力される像のサイズはズームレンズ18を調整す
ることにより変化できる。あるいは、像の小さな不連続
な部分のデータを修正する能力を有することによp。
カメラ20はCCDカメラもしくは同様なデバイスで構
成できる。カメラ20の出力は、像のピクセルデータを
像の他の部品からのデータやデータベース内の情報に置
き替えるデータ電子処理部22へ送られる。
成できる。カメラ20の出力は、像のピクセルデータを
像の他の部品からのデータやデータベース内の情報に置
き替えるデータ電子処理部22へ送られる。
本発明の詳細な説明するために、まず第2図を参照する
。第2図において長四角形24はカメラ20の検出部表
面を示しており、円26は光学開口部を示している。物
体10が形成するパターンの一部である像28はパター
ン29の列で示している。
。第2図において長四角形24はカメラ20の検出部表
面を示しており、円26は光学開口部を示している。物
体10が形成するパターンの一部である像28はパター
ン29の列で示している。
本発明によれば、まず像28はカメラ20の感光面24
上に低倍率で投影される像であるが、検出器表面のY軸
に沿った像28上に現れた列と行の測定はともかく行わ
れる。もし像28ではなく破線24′が示す相対的な配
向の像では、物体は角度Oから回転しており、Y軸は像
28の縦の行に沿っている。多数の周知の技術によって
カメラの特定の軸方向に像を配置することができる。
上に低倍率で投影される像であるが、検出器表面のY軸
に沿った像28上に現れた列と行の測定はともかく行わ
れる。もし像28ではなく破線24′が示す相対的な配
向の像では、物体は角度Oから回転しており、Y軸は像
28の縦の行に沿っている。多数の周知の技術によって
カメラの特定の軸方向に像を配置することができる。
像が適当な位置に結ぶと、次の段階として、像が第3図
に示すように1つのダイすなわちくり繰しの特徴を有す
る全体の中の一部を選定する。これはカメラ20の開口
部26の範囲内に反復パターンが現われるまでズームレ
ンズ18の倍率を上げる操作となる。そしてその時点で
ズームレンズはさらに像の反復パターンの1つ(周期P
で示される)がカメラ−杯に現われるように調整される
。
に示すように1つのダイすなわちくり繰しの特徴を有す
る全体の中の一部を選定する。これはカメラ20の開口
部26の範囲内に反復パターンが現われるまでズームレ
ンズ18の倍率を上げる操作となる。そしてその時点で
ズームレンズはさらに像の反復パターンの1つ(周期P
で示される)がカメラ−杯に現われるように調整される
。
まず像を回転してカメラのある軸方向に配置し、あらか
じめ決められたピクセルの集積数を勘案し、その数に相
当する倍率にズーム倍率を調整することKよって、ピク
セル対ピクセルの比較を行うことができる。特に、パタ
ーンのあらゆる特徴を観察するために、ピクセルあるい
は主要パターンを含んだピクセル群は他のピクセル、あ
るいは同じ特徴を有するピクセル群と比較され、両者の
間に大きな不一致があると欠陥として検出される。たと
えば、第3図の40で囲まれた特徴部分は42または4
5で囲まれた部分の対応する特徴と比較される。すなわ
ち、40に示す特徴は45に示す特徴と比較される。け
れど便宜上、はとんどの比較は共通の水平方向軸あるい
は鉛直方向軸に沿って存在する特徴部分同士で行われる
。
じめ決められたピクセルの集積数を勘案し、その数に相
当する倍率にズーム倍率を調整することKよって、ピク
セル対ピクセルの比較を行うことができる。特に、パタ
ーンのあらゆる特徴を観察するために、ピクセルあるい
は主要パターンを含んだピクセル群は他のピクセル、あ
るいは同じ特徴を有するピクセル群と比較され、両者の
間に大きな不一致があると欠陥として検出される。たと
えば、第3図の40で囲まれた特徴部分は42または4
5で囲まれた部分の対応する特徴と比較される。すなわ
ち、40に示す特徴は45に示す特徴と比較される。け
れど便宜上、はとんどの比較は共通の水平方向軸あるい
は鉛直方向軸に沿って存在する特徴部分同士で行われる
。
第4図には拡大した部分40,42,44、及び45が
示されると共にピクセル格子35が重畳されている。パ
ターンの別々の部分で使用されている同じタイプの型を
有するピクセル群から取り出したピクセルデータの簡単
な比較によって、比較された1つ又は複数の部分が相異
しておシ欠陥があることが判明する。たとえば、もしも
特定のデータ、すなわち部分40の一部を覆っている3
X3のピクセルアレイ41に含まれるデータを対応する
ピクセル、すなわち部分42の覆っている対応したピク
セル群43と比較することによって、両者間の差異45
の存在が明らかになる。
示されると共にピクセル格子35が重畳されている。パ
ターンの別々の部分で使用されている同じタイプの型を
有するピクセル群から取り出したピクセルデータの簡単
な比較によって、比較された1つ又は複数の部分が相異
しておシ欠陥があることが判明する。たとえば、もしも
特定のデータ、すなわち部分40の一部を覆っている3
X3のピクセルアレイ41に含まれるデータを対応する
ピクセル、すなわち部分42の覆っている対応したピク
セル群43と比較することによって、両者間の差異45
の存在が明らかになる。
同様に、第5図に示すように、単一ピクセル50あるい
はピクセル群52が有する情報はデータベースが有する
対応する情報と比較することができる。
はピクセル群52が有する情報はデータベースが有する
対応する情報と比較することができる。
第6図は本発明のその他の実施例であり検出器のサイズ
に比例する像のサイズを調整するズームレンズを使用す
る代わりに、対物レンズ16と鉛直方向走査距離調整と
水平方向走査距離調整機能を有するビデオカメラ62と
組合わせた単純なリレーレンズ60を使用している。こ
の実施例においては、検出器ピクセルの整数倍の像パタ
ーン幅Pを得る目的で像の大きさを変化させる代わシに
、ビデオスクリーンの検出器位置の有効範囲を効果的に
変化させる。前記の実施例と同様に、検出器の大きさは
、次に述べるように、パターン化し九像を有効な検出器
表面の垂直軸方向もしくは水平軸方向に配列することに
よって調整される。
に比例する像のサイズを調整するズームレンズを使用す
る代わりに、対物レンズ16と鉛直方向走査距離調整と
水平方向走査距離調整機能を有するビデオカメラ62と
組合わせた単純なリレーレンズ60を使用している。こ
の実施例においては、検出器ピクセルの整数倍の像パタ
ーン幅Pを得る目的で像の大きさを変化させる代わシに
、ビデオスクリーンの検出器位置の有効範囲を効果的に
変化させる。前記の実施例と同様に、検出器の大きさは
、次に述べるように、パターン化し九像を有効な検出器
表面の垂直軸方向もしくは水平軸方向に配列することに
よって調整される。
f%7図に示す本発明のその他の実施例の装置は、例え
ば、適渦なリレーレンズ72を介して対物レンズ16に
よって作成された像を受ける512X1検出装置を有す
る+7 =アセンサー列70を使用している。この場合
走査はステージ12を移動して物体10を通常はセンサ
ー列の縦横の長さ方向へ移動させることによって行われ
る。ピクセルの効果的な大きさの決定やその幅の調整は
検出器のある比率に比例するステージの走査スピードを
調整することによって行われる。すなわちその他の実施
例によっても実質上同じ結果が得られることがわかるで
あろう。
ば、適渦なリレーレンズ72を介して対物レンズ16に
よって作成された像を受ける512X1検出装置を有す
る+7 =アセンサー列70を使用している。この場合
走査はステージ12を移動して物体10を通常はセンサ
ー列の縦横の長さ方向へ移動させることによって行われ
る。ピクセルの効果的な大きさの決定やその幅の調整は
検出器のある比率に比例するステージの走査スピードを
調整することによって行われる。すなわちその他の実施
例によっても実質上同じ結果が得られることがわかるで
あろう。
さらに第8図は、本発明の別のその他の実施例を示して
おシレーザー80.専用焦点レンズ82゜物体10を移
動させるステージ12.対物レンズ84、リレーレンズ
86.そして検出器88とを有するレーザー結像装置に
よって走査される。この実施例では、背面照明走査によ
る実施例においても前面照明による実施例においても、
レーザー走査装置を調整することによって様々な倍率を
達成できる。
おシレーザー80.専用焦点レンズ82゜物体10を移
動させるステージ12.対物レンズ84、リレーレンズ
86.そして検出器88とを有するレーザー結像装置に
よって走査される。この実施例では、背面照明走査によ
る実施例においても前面照明による実施例においても、
レーザー走査装置を調整することによって様々な倍率を
達成できる。
要するに、本発明の方法は基本的に後記の工程を有して
いる。
いる。
1、作成された画像のm×nピクセル列の各ピクセルの
情報を解析できる画像検出装置を提供する。
情報を解析できる画像検出装置を提供する。
2、表面に規則的な列の反復パターンを有する照明でき
る型を有する物体に光をあてる。
る型を有する物体に光をあてる。
3、物体の焦点の合った像を検出装置に投影する。
4、物体を検出装置に対して回転させ画像の軸を検出器
の軸の方向に配列する。
の軸の方向に配列する。
5、画像の前記の反復パターンの幅が前記のm×n列ピ
クセルの中の選択されたピクセル間の距Atiに等しく
なるように画像の倍率を調整する。
クセルの中の選択されたピクセル間の距Atiに等しく
なるように画像の倍率を調整する。
6、反復パターンの1つをその他のパターン(もしくは
データベース)に置き替え差異を検出する。
データベース)に置き替え差異を検出する。
前記の数個の実施例による本発明の説明から、その他の
代わりの例や修正例があることが理解でき、先行技術の
熟練者には明らかであろう。
代わりの例や修正例があることが理解でき、先行技術の
熟練者には明らかであろう。
第1図は、本発明の第1の実施例の装置を示す略図であ
る。第2図乃至第5図は、本発明の詳細な説明するため
の平面拡大図、そして第6図乃至第8図は本発明のその
他の実施例の装置を示す略図である。 10・・・・ウェハーなど、12・・・・移動部品、1
6,84・・・・対物レンズ、18・・・・ズームレン
ズ、20・Φ・・カメラ、22・・・・データプロセッ
サ、24・・・・感光面、26・・・・光学開口部、6
0,72.86・嘲・・リレーレンズ、62・・・・ビ
デオカメラ、70・・・・リニアセンサー列、88会・
・・検出器。 特許出願人 ケイエルエイ・インストラメンツ・コーポ
レーション代理人山 川 政 樹(ほか2名) FIG、 1 FIG、 3 FIG、4 FIG、5 FIG、6
る。第2図乃至第5図は、本発明の詳細な説明するため
の平面拡大図、そして第6図乃至第8図は本発明のその
他の実施例の装置を示す略図である。 10・・・・ウェハーなど、12・・・・移動部品、1
6,84・・・・対物レンズ、18・・・・ズームレン
ズ、20・Φ・・カメラ、22・・・・データプロセッ
サ、24・・・・感光面、26・・・・光学開口部、6
0,72.86・嘲・・リレーレンズ、62・・・・ビ
デオカメラ、70・・・・リニアセンサー列、88会・
・・検出器。 特許出願人 ケイエルエイ・インストラメンツ・コーポ
レーション代理人山 川 政 樹(ほか2名) FIG、 1 FIG、 3 FIG、4 FIG、5 FIG、6
Claims (1)
- 半導体ウェハー、フォトマスク、網状もしくは平板な
パネル状のTVスクリーンのような物体の特定な表面上
で反復されるマイクロ微細パターン中の差異を検出する
方法であつて、この方法が:投影された光像のm×nピ
クセルアレイの各ピクセル情報を解像できる画像検出装
置を使用し、表面上の規則的なアレイ内の反復パターン
を決定する照明できる部分を有する物体に光をあて、上
記部分の焦点の合つた光像を前記の表面から前記の検出
装置に投影し、前記物体を前記検出装置に対して回転さ
せて前記の光像の軸を前記の検出器の軸の方向に配列し
、前記光像の前記の反復パターンが前記のm×nピクセ
ルアレイの中の選択されたピクセル間の距離に等しくな
るように光像の倍率を調整し、反復パターンの1つをそ
の他のパターンと比較して前記の差異を検出することを
特徴とする検出方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/128,130 US4845558A (en) | 1987-12-03 | 1987-12-03 | Method and apparatus for detecting defects in repeated microminiature patterns |
US128.130 | 1987-12-03 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01202607A true JPH01202607A (ja) | 1989-08-15 |
JPH06105169B2 JPH06105169B2 (ja) | 1994-12-21 |
Family
ID=22433797
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63298446A Expired - Lifetime JPH06105169B2 (ja) | 1987-12-03 | 1988-11-28 | 反復微細パターンの差異検出方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4845558A (ja) |
JP (1) | JPH06105169B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02281223A (ja) * | 1989-04-24 | 1990-11-16 | Nikon Corp | 欠陥検査装置 |
JPH03232250A (ja) * | 1989-12-20 | 1991-10-16 | Hitachi Ltd | パターン検査方法および装置 |
JPH07208935A (ja) * | 1993-11-08 | 1995-08-11 | Opt Gaging Prod Inc | ズーム光学系の倍率の測定法と手段 |
JP2001281164A (ja) * | 1989-12-20 | 2001-10-10 | Hitachi Ltd | パターン検査方法および装置 |
JP2003098118A (ja) * | 1989-12-20 | 2003-04-03 | Hitachi Ltd | パターン検査方法および装置 |
CN104121859A (zh) * | 2014-07-29 | 2014-10-29 | 天津力神电池股份有限公司 | 一种隔膜孔径大小及分布情况的检测方法 |
JP2018155600A (ja) * | 2017-03-17 | 2018-10-04 | 東レエンジニアリング株式会社 | 外観検査装置 |
Families Citing this family (132)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4877326A (en) | 1988-02-19 | 1989-10-31 | Kla Instruments Corporation | Method and apparatus for optical inspection of substrates |
JPH0341347A (ja) * | 1989-04-13 | 1991-02-21 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 欠陥検査方法およびその装置 |
JP2986868B2 (ja) * | 1990-03-14 | 1999-12-06 | 株式会社日立製作所 | 外観検査方法及びその装置 |
US5197105A (en) * | 1990-05-30 | 1993-03-23 | Dainippon Screen Mfg. Co. Ltd. | Method of reading optical image of inspected surface and image reading system employabale therein |
US5103304A (en) * | 1990-09-17 | 1992-04-07 | Fmc Corporation | High-resolution vision system for part inspection |
IL99823A0 (en) * | 1990-11-16 | 1992-08-18 | Orbot Instr Ltd | Optical inspection method and apparatus |
JP2663726B2 (ja) * | 1991-01-08 | 1997-10-15 | 株式会社デンソー | 複層状態検査装置 |
US5164993A (en) * | 1991-11-25 | 1992-11-17 | Eastman Kodak Company | Method and apparatus for automatic tonescale generation in digital radiographic images |
JP3730263B2 (ja) * | 1992-05-27 | 2005-12-21 | ケーエルエー・インストルメンツ・コーポレーション | 荷電粒子ビームを用いた自動基板検査の装置及び方法 |
US5665968A (en) * | 1992-05-27 | 1997-09-09 | Kla Instruments Corporation | Inspecting optical masks with electron beam microscopy |
DE69330550T2 (de) * | 1992-12-23 | 2002-05-16 | At & T Corp | Verfahren und System zum Lokalisieren von Objekten mit einer Unterpixelpräzision |
US5513275A (en) * | 1993-01-12 | 1996-04-30 | Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Automated direct patterned wafer inspection |
US5923430A (en) | 1993-06-17 | 1999-07-13 | Ultrapointe Corporation | Method for characterizing defects on semiconductor wafers |
US5479252A (en) * | 1993-06-17 | 1995-12-26 | Ultrapointe Corporation | Laser imaging system for inspection and analysis of sub-micron particles |
EP0767361B1 (en) * | 1993-07-22 | 2000-02-23 | Applied Spectral Imaging Ltd. | Method and apparatus for spectral imaging |
KR100235476B1 (ko) * | 1993-10-27 | 1999-12-15 | 구와하라아키라 | 피검사체의 표면검사방법 및 장치 |
US5631733A (en) * | 1995-01-20 | 1997-05-20 | Photon Dynamics, Inc. | Large area defect monitor tool for manufacture of clean surfaces |
US5717518A (en) | 1996-07-22 | 1998-02-10 | Kla Instruments Corporation | Broad spectrum ultraviolet catadioptric imaging system |
JP3566470B2 (ja) * | 1996-09-17 | 2004-09-15 | 株式会社日立製作所 | パターン検査方法及びその装置 |
DE19648272A1 (de) * | 1996-11-21 | 1998-05-28 | Emitec Emissionstechnologie | Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung einer Zelldichte eines Wabenkörpers, insbesondere für einen Abgaskatalysator |
US5801824A (en) * | 1996-11-25 | 1998-09-01 | Photon Dynamics, Inc. | Large area defect monitor tool for manufacture of clean surfaces |
US6148114A (en) * | 1996-11-27 | 2000-11-14 | Ultrapointe Corporation | Ring dilation and erosion techniques for digital image processing |
JP4657394B2 (ja) * | 1997-01-13 | 2011-03-23 | シュルンベルジェ テクノロジーズ, インコーポレイテッド | ウエハにおける欠陥を検知する方法及び装置 |
US6328803B2 (en) | 1997-02-21 | 2001-12-11 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for controlling rate of pressure change in a vacuum process chamber |
US6304680B1 (en) | 1997-10-27 | 2001-10-16 | Assembly Guidance Systems, Inc. | High resolution, high accuracy process monitoring system |
EP0930498A3 (en) | 1997-12-26 | 1999-11-17 | Nidek Co., Ltd. | Inspection apparatus and method for detecting defects |
US6366690B1 (en) * | 1998-07-07 | 2002-04-02 | Applied Materials, Inc. | Pixel based machine for patterned wafers |
US6324298B1 (en) | 1998-07-15 | 2001-11-27 | August Technology Corp. | Automated wafer defect inspection system and a process of performing such inspection |
JP3693508B2 (ja) * | 1998-10-28 | 2005-09-07 | 株式会社東京精密 | パターン比較方法および外観検査装置 |
TW417133B (en) | 1998-11-25 | 2001-01-01 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of manufacturing a cathode ray tube, in which a display screen is inspected |
US6477265B1 (en) | 1998-12-07 | 2002-11-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | System to position defect location on production wafers |
JP2001013085A (ja) | 1999-06-30 | 2001-01-19 | Nidek Co Ltd | 欠陥検査装置 |
US6594623B1 (en) * | 1999-11-12 | 2003-07-15 | Cognex Technology And Investment Corporation | Determining three-dimensional orientation of objects |
TW468033B (en) * | 2000-05-15 | 2001-12-11 | Orbotech Ltd | Microscope inspection system |
JP2002014057A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-18 | Nidek Co Ltd | 欠陥検査装置 |
US6694284B1 (en) | 2000-09-20 | 2004-02-17 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining at least four properties of a specimen |
US6812045B1 (en) | 2000-09-20 | 2004-11-02 | Kla-Tencor, Inc. | Methods and systems for determining a characteristic of a specimen prior to, during, or subsequent to ion implantation |
US6782337B2 (en) | 2000-09-20 | 2004-08-24 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a critical dimension an a presence of defects on a specimen |
US6891627B1 (en) | 2000-09-20 | 2005-05-10 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a critical dimension and overlay of a specimen |
US6673637B2 (en) | 2000-09-20 | 2004-01-06 | Kla-Tencor Technologies | Methods and systems for determining a presence of macro defects and overlay of a specimen |
US6919957B2 (en) | 2000-09-20 | 2005-07-19 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a critical dimension, a presence of defects, and a thin film characteristic of a specimen |
US7349090B2 (en) | 2000-09-20 | 2008-03-25 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a property of a specimen prior to, during, or subsequent to lithography |
US7130029B2 (en) | 2000-09-20 | 2006-10-31 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining an adhesion characteristic and a thickness of a specimen |
US7106425B1 (en) | 2000-09-20 | 2006-09-12 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a presence of defects and a thin film characteristic of a specimen |
US6917433B2 (en) | 2000-09-20 | 2005-07-12 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a property of a specimen prior to, during, or subsequent to an etch process |
JP3266602B1 (ja) * | 2000-10-30 | 2002-03-18 | 洋一 奥寺 | アドレス照会システム、コンピュータプログラム製品及びその方法 |
US7072034B2 (en) * | 2001-06-08 | 2006-07-04 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for inspection of specimen surfaces |
US6605478B2 (en) * | 2001-03-30 | 2003-08-12 | Appleid Materials, Inc, | Kill index analysis for automatic defect classification in semiconductor wafers |
JP2002310929A (ja) * | 2001-04-13 | 2002-10-23 | Mitsubishi Electric Corp | 欠陥検査装置 |
US6973208B2 (en) * | 2001-05-18 | 2005-12-06 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Method and apparatus for inspection by pattern comparison |
US7065239B2 (en) * | 2001-10-24 | 2006-06-20 | Applied Materials, Inc. | Automated repetitive array microstructure defect inspection |
US20030081826A1 (en) * | 2001-10-29 | 2003-05-01 | Tokyo Seimitsu (Israel) Ltd. | Tilted scan for Die-to-Die and Cell-to-Cell detection |
US20040032581A1 (en) * | 2002-01-15 | 2004-02-19 | Mehrdad Nikoonahad | Systems and methods for inspection of specimen surfaces |
US7236847B2 (en) * | 2002-01-16 | 2007-06-26 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems and methods for closed loop defect reduction |
US6862491B2 (en) * | 2002-05-22 | 2005-03-01 | Applied Materials Israel, Ltd. | System and method for process variation monitor |
US7379175B1 (en) | 2002-10-15 | 2008-05-27 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for reticle inspection and defect review using aerial imaging |
US7123356B1 (en) | 2002-10-15 | 2006-10-17 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for inspecting reticles using aerial imaging and die-to-database detection |
US7027143B1 (en) | 2002-10-15 | 2006-04-11 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for inspecting reticles using aerial imaging at off-stepper wavelengths |
US7138640B1 (en) | 2002-10-17 | 2006-11-21 | Kla-Tencor Technologies, Corporation | Method and apparatus for protecting surfaces of optical components |
US7133119B1 (en) | 2002-12-17 | 2006-11-07 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems for simulating high NA and polarization effects in aerial images |
JP3645547B2 (ja) * | 2002-12-27 | 2005-05-11 | 株式会社東芝 | 試料検査装置 |
US7486861B2 (en) * | 2003-01-15 | 2009-02-03 | Negevtech Ltd. | Fiber optical illumination system |
US6892013B2 (en) * | 2003-01-15 | 2005-05-10 | Negevtech Ltd. | Fiber optical illumination system |
US7525659B2 (en) * | 2003-01-15 | 2009-04-28 | Negevtech Ltd. | System for detection of water defects |
US7397941B1 (en) * | 2003-06-24 | 2008-07-08 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Method and apparatus for electron beam inspection of repeated patterns |
DE10331594A1 (de) * | 2003-07-11 | 2005-01-27 | Leica Microsystems Semiconductor Gmbh | Verfahren zur Inspektion von Strukturen auf Halbleitersubstraten |
US7558419B1 (en) * | 2003-08-14 | 2009-07-07 | Brion Technologies, Inc. | System and method for detecting integrated circuit pattern defects |
US7433031B2 (en) * | 2003-10-29 | 2008-10-07 | Core Tech Optical, Inc. | Defect review system with 2D scanning and a ring detector |
US20050105791A1 (en) * | 2003-10-29 | 2005-05-19 | Lee Ken K. | Surface inspection method |
US7110106B2 (en) * | 2003-10-29 | 2006-09-19 | Coretech Optical, Inc. | Surface inspection system |
US7646906B2 (en) | 2004-01-29 | 2010-01-12 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Computer-implemented methods for detecting defects in reticle design data |
EP1766363A2 (en) * | 2004-07-12 | 2007-03-28 | Negevtech Ltd. | Multi mode inspection method and apparatus |
US20060012781A1 (en) * | 2004-07-14 | 2006-01-19 | Negevtech Ltd. | Programmable spatial filter for wafer inspection |
JP4904034B2 (ja) | 2004-09-14 | 2012-03-28 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | レチクル・レイアウト・データを評価するための方法、システム及び搬送媒体 |
US7804993B2 (en) * | 2005-02-28 | 2010-09-28 | Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. | Method and apparatus for detecting defects in wafers including alignment of the wafer images so as to induce the same smear in all images |
US7813541B2 (en) * | 2005-02-28 | 2010-10-12 | Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. | Method and apparatus for detecting defects in wafers |
US7769225B2 (en) | 2005-08-02 | 2010-08-03 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern |
US7570794B2 (en) * | 2005-09-02 | 2009-08-04 | Gm Global Technology Operations, Inc. | System and method for evaluating a machined surface of a cast metal component |
US7570796B2 (en) | 2005-11-18 | 2009-08-04 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data |
US8041103B2 (en) | 2005-11-18 | 2011-10-18 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a position of inspection data in design data space |
US7676077B2 (en) * | 2005-11-18 | 2010-03-09 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data |
EP1982160A4 (en) | 2006-02-09 | 2016-02-17 | Kla Tencor Tech Corp | METHOD AND SYSTEMS FOR DETERMINING A WAFER FEATURE |
US8031931B2 (en) | 2006-04-24 | 2011-10-04 | Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. | Printed fourier filtering in optical inspection tools |
US7528944B2 (en) * | 2006-05-22 | 2009-05-05 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Methods and systems for detecting pinholes in a film formed on a wafer or for monitoring a thermal process tool |
CN101479730B (zh) * | 2006-06-27 | 2011-06-08 | 日本电气株式会社 | 基板或电子部件的翘曲分析方法、基板或电子部件的翘曲分析系统及基板或电子部件的翘曲分析程序 |
US7369236B1 (en) * | 2006-10-31 | 2008-05-06 | Negevtech, Ltd. | Defect detection through image comparison using relative measures |
US7714998B2 (en) * | 2006-11-28 | 2010-05-11 | Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. | Image splitting in optical inspection systems |
US7719674B2 (en) * | 2006-11-28 | 2010-05-18 | Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. | Image splitting in optical inspection systems |
US7877722B2 (en) | 2006-12-19 | 2011-01-25 | Kla-Tencor Corp. | Systems and methods for creating inspection recipes |
US8194968B2 (en) | 2007-01-05 | 2012-06-05 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for using electrical information for a device being fabricated on a wafer to perform one or more defect-related functions |
US7894659B2 (en) * | 2007-02-28 | 2011-02-22 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods for accurate identification of an edge of a care area for an array area formed on a wafer and methods for binning defects detected in an array area formed on a wafer |
US7925072B2 (en) * | 2007-03-08 | 2011-04-12 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods for identifying array areas in dies formed on a wafer and methods for setting up such methods |
CN101295659B (zh) * | 2007-04-29 | 2010-06-09 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体器件的缺陷检测方法 |
US7738093B2 (en) | 2007-05-07 | 2010-06-15 | Kla-Tencor Corp. | Methods for detecting and classifying defects on a reticle |
US7962863B2 (en) | 2007-05-07 | 2011-06-14 | Kla-Tencor Corp. | Computer-implemented methods, systems, and computer-readable media for determining a model for predicting printability of reticle features on a wafer |
US8213704B2 (en) | 2007-05-09 | 2012-07-03 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern |
US7474967B2 (en) * | 2007-06-07 | 2009-01-06 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Computer-implemented methods, carrier media, and systems for detecting defects on a wafer based on multi-core architecture |
US7796804B2 (en) | 2007-07-20 | 2010-09-14 | Kla-Tencor Corp. | Methods for generating a standard reference die for use in a die to standard reference die inspection and methods for inspecting a wafer |
US8611639B2 (en) * | 2007-07-30 | 2013-12-17 | Kla-Tencor Technologies Corp | Semiconductor device property extraction, generation, visualization, and monitoring methods |
US7711514B2 (en) | 2007-08-10 | 2010-05-04 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Computer-implemented methods, carrier media, and systems for generating a metrology sampling plan |
KR101448971B1 (ko) | 2007-08-20 | 2014-10-13 | 케이엘에이-텐코어 코오포레이션 | 실제 결함들이 잠재적으로 조직적인 결함들인지 또는 잠재적으로 랜덤인 결함들인지를 결정하기 위한 컴퓨터-구현 방법들 |
US8139844B2 (en) | 2008-04-14 | 2012-03-20 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for determining a defect criticality index for defects on wafers |
JP5412169B2 (ja) * | 2008-04-23 | 2014-02-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥観察方法及び欠陥観察装置 |
US7912658B2 (en) * | 2008-05-28 | 2011-03-22 | Kla-Tencor Corp. | Systems and methods for determining two or more characteristics of a wafer |
KR101647010B1 (ko) * | 2008-06-19 | 2016-08-10 | 케이엘에이-텐코어 코오포레이션 | 웨이퍼의 하나 이상의 특성들을 결정하기 위한 컴퓨터-구현 방법들, 컴퓨터-판독 가능 매체, 및 시스템들 |
US8269960B2 (en) * | 2008-07-24 | 2012-09-18 | Kla-Tencor Corp. | Computer-implemented methods for inspecting and/or classifying a wafer |
KR101729669B1 (ko) * | 2008-07-28 | 2017-04-24 | 케이엘에이-텐코어 코오포레이션 | 웨이퍼 상의 메모리 디바이스 영역에서 검출된 결함들을 분류하기 위한 컴퓨터-구현 방법들, 컴퓨터-판독 가능 매체, 및 시스템들 |
US8775101B2 (en) | 2009-02-13 | 2014-07-08 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer |
US8204297B1 (en) | 2009-02-27 | 2012-06-19 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for classifying defects detected on a reticle |
US8112241B2 (en) | 2009-03-13 | 2012-02-07 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for generating an inspection process for a wafer |
US8781781B2 (en) | 2010-07-30 | 2014-07-15 | Kla-Tencor Corp. | Dynamic care areas |
US9170211B2 (en) | 2011-03-25 | 2015-10-27 | Kla-Tencor Corp. | Design-based inspection using repeating structures |
US9494856B1 (en) | 2011-06-07 | 2016-11-15 | Hermes Microvision, Inc. | Method and system for fast inspecting defects |
US9141730B2 (en) * | 2011-09-12 | 2015-09-22 | Applied Materials Israel, Ltd. | Method of generating a recipe for a manufacturing tool and system thereof |
US9087367B2 (en) | 2011-09-13 | 2015-07-21 | Kla-Tencor Corp. | Determining design coordinates for wafer defects |
US8831334B2 (en) | 2012-01-20 | 2014-09-09 | Kla-Tencor Corp. | Segmentation for wafer inspection |
DE102012101242A1 (de) * | 2012-02-16 | 2013-08-22 | Hseb Dresden Gmbh | Inspektionsverfahren |
US8826200B2 (en) | 2012-05-25 | 2014-09-02 | Kla-Tencor Corp. | Alteration for wafer inspection |
US9189844B2 (en) | 2012-10-15 | 2015-11-17 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer using defect-specific information |
US9053527B2 (en) | 2013-01-02 | 2015-06-09 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer |
US9134254B2 (en) | 2013-01-07 | 2015-09-15 | Kla-Tencor Corp. | Determining a position of inspection system output in design data space |
US9311698B2 (en) | 2013-01-09 | 2016-04-12 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer using template image matching |
WO2014149197A1 (en) | 2013-02-01 | 2014-09-25 | Kla-Tencor Corporation | Detecting defects on a wafer using defect-specific and multi-channel information |
US9865512B2 (en) | 2013-04-08 | 2018-01-09 | Kla-Tencor Corp. | Dynamic design attributes for wafer inspection |
US9310320B2 (en) | 2013-04-15 | 2016-04-12 | Kla-Tencor Corp. | Based sampling and binning for yield critical defects |
US9738032B2 (en) * | 2014-06-06 | 2017-08-22 | Xerox Corporation | System for controlling operation of a printer during three-dimensional object printing with reference to a distance from the surface of object |
CN104198247B (zh) * | 2014-09-02 | 2017-04-05 | 上海华力微电子有限公司 | 精确定位前层缺陷的聚焦离子束制样方法 |
GB2530252B (en) | 2014-09-10 | 2020-04-01 | Smiths Heimann Sas | Determination of a degree of homogeneity in images |
US10043259B2 (en) | 2016-07-25 | 2018-08-07 | PT Papertech Inc. | Facilitating anomaly detection for a product having a pattern |
EP3526637B1 (en) * | 2016-10-13 | 2023-04-05 | Life Technologies Holdings Pte Limited | Systems, methods, and apparatuses for optimizing field of view |
DE102019201916A1 (de) | 2019-02-14 | 2019-04-04 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Inspektion von Nano-und Mikrostrukturen |
CN110441234B (zh) * | 2019-08-08 | 2020-07-10 | 上海御微半导体技术有限公司 | 一种变焦筒镜、缺陷检测装置及缺陷检测方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6138450A (ja) * | 1984-07-30 | 1986-02-24 | Hitachi Ltd | パタ−ン欠陥検査方法および装置 |
JPS6238304A (ja) * | 1985-08-14 | 1987-02-19 | Hitachi Denshi Syst Service Kk | Icウエハの自動位置決め装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4347001A (en) * | 1978-04-03 | 1982-08-31 | Kla Instruments Corporation | Automatic photomask inspection system and apparatus |
JPS5963725A (ja) * | 1982-10-05 | 1984-04-11 | Toshiba Corp | パタ−ン検査装置 |
JPS59101830A (ja) * | 1982-12-01 | 1984-06-12 | Canon Inc | 転写装置 |
US4579455A (en) * | 1983-05-09 | 1986-04-01 | Kla Instruments Corporation | Photomask inspection apparatus and method with improved defect detection |
-
1987
- 1987-12-03 US US07/128,130 patent/US4845558A/en not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-11-28 JP JP63298446A patent/JPH06105169B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6138450A (ja) * | 1984-07-30 | 1986-02-24 | Hitachi Ltd | パタ−ン欠陥検査方法および装置 |
JPS6238304A (ja) * | 1985-08-14 | 1987-02-19 | Hitachi Denshi Syst Service Kk | Icウエハの自動位置決め装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02281223A (ja) * | 1989-04-24 | 1990-11-16 | Nikon Corp | 欠陥検査装置 |
JPH03232250A (ja) * | 1989-12-20 | 1991-10-16 | Hitachi Ltd | パターン検査方法および装置 |
JP2001281164A (ja) * | 1989-12-20 | 2001-10-10 | Hitachi Ltd | パターン検査方法および装置 |
JP2003098118A (ja) * | 1989-12-20 | 2003-04-03 | Hitachi Ltd | パターン検査方法および装置 |
JPH07208935A (ja) * | 1993-11-08 | 1995-08-11 | Opt Gaging Prod Inc | ズーム光学系の倍率の測定法と手段 |
CN104121859A (zh) * | 2014-07-29 | 2014-10-29 | 天津力神电池股份有限公司 | 一种隔膜孔径大小及分布情况的检测方法 |
JP2018155600A (ja) * | 2017-03-17 | 2018-10-04 | 東レエンジニアリング株式会社 | 外観検査装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06105169B2 (ja) | 1994-12-21 |
US4845558A (en) | 1989-07-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH01202607A (ja) | 反復微細パターンの差異検出方法 | |
US5177559A (en) | Dark field imaging defect inspection system for repetitive pattern integrated circuits | |
US4886958A (en) | Autofocus system for scanning laser inspector or writer | |
US5095447A (en) | Color overlay of scanned and reference images for display | |
US4985927A (en) | Method of detecting and reviewing pattern defects | |
US4912487A (en) | Laser scanner using focusing acousto-optic device | |
US5018210A (en) | Pattern comparator with substage illumination and polygonal data representation | |
US5001764A (en) | Guardbands for pattern inspector | |
JP3513842B2 (ja) | 投影露光装置 | |
KR101994524B1 (ko) | 포커싱 장치, 포커싱 방법 및 패턴 검사 방법 | |
JPH0580497A (ja) | 面状態検査装置 | |
US5027132A (en) | Position compensation of laser scan for stage movement | |
KR101870366B1 (ko) | 패턴 검사 장치 및 패턴 검사 방법 | |
KR101882837B1 (ko) | 패턴 검사 장치 | |
US5018212A (en) | Defect area consolidation for pattern inspector | |
US4969200A (en) | Target autoalignment for pattern inspector or writer | |
JPS62122215A (ja) | 投影露光装置 | |
US5046110A (en) | Comparator error filtering for pattern inspector | |
US5592211A (en) | Laser pattern/inspector with a linearly ramped chirp deflector | |
JP2017138250A (ja) | パターンの線幅測定装置及びパターンの線幅測定方法 | |
US4984282A (en) | Parallel processing of reference and guardband data | |
JP6815469B2 (ja) | パターン検査装置及びパターン検査方法 | |
JPH0562882A (ja) | 結像位置測定方法 | |
JP6906823B1 (ja) | マスク検査方法及びマスク検査装置 | |
US4991977A (en) | Smoothing filter for stage position pulses |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081221 Year of fee payment: 14 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |