JPS6138450A - パタ−ン欠陥検査方法および装置 - Google Patents

パタ−ン欠陥検査方法および装置

Info

Publication number
JPS6138450A
JPS6138450A JP15728784A JP15728784A JPS6138450A JP S6138450 A JPS6138450 A JP S6138450A JP 15728784 A JP15728784 A JP 15728784A JP 15728784 A JP15728784 A JP 15728784A JP S6138450 A JPS6138450 A JP S6138450A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
inspected
defect
model
fault
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP15728784A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0453253B2 (ja
Inventor
Yukio Matsuyama
松山 幸雄
Keiichi Okamoto
啓一 岡本
Mitsuzo Nakahata
仲畑 光蔵
Mineo Nomoto
峰生 野本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP15728784A priority Critical patent/JPS6138450A/ja
Publication of JPS6138450A publication Critical patent/JPS6138450A/ja
Publication of JPH0453253B2 publication Critical patent/JPH0453253B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956Inspecting patterns on the surface of objects
    • G01N21/95607Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Image Processing (AREA)
  • Image Analysis (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、パターンの欠陥検査方法および装置。
とくにIC(集積回路)製造用のレチクル、マスクある
いはプリント裁板およびその製造用マスク等の回路パタ
ーンの検査方法および装百に関するものである。
〔発明の背景〕
第11図に示す如く、ICfa造用マ入用マスク1A位
置にパターンの欠け1aがあり、B位置にパターンの突
起1bがあり、C,D位置に孤立欠陥1c。
1dがある場合、このようなマスクパターンの欠陥を検
査する従来の方法としては、被検査マスク上の同一パタ
ーンを有する2個のチップパターンを同時に撮像し、一
方のパターンを手本パターン。
他方のパターンを被検査パターンとして両者を比較し1
両者の間の差異がある部分を欠陥として判定する方法が
実施されている。
然るに、上記の方法では、マスク上にICのチップのパ
ターンを繰り返して焼き付けるための原版になるレチク
ル(ICの1チップ分のパターンを形成したもの)上の
パターン欠陥や異物等によって、マスク上に焼き付けら
れたパターンに生ずる各チップ共通の欠陥を検出するこ
とができない。
また、手本パターンと、被検査パターンとの間に差異が
あるため、欠陥があると判定した場合でも、この欠陥が
手本パターンにあるのか、被検査パターンにあるのかを
判定するには、さらに別のパターンを用意し、このパタ
ーンと上記手本パターンおよび被検査パターンとの比較
により欠陥検査をする必要がある。
また、従来の欠陥検査の他の方法としては、撮像によっ
て得られるパターン同志を比較するのではなく、被検査
パターンに対し、その手本となるパターンとしてたとえ
ばレチクル製造時の設計パターンを用いて被検査パター
ンと比較する方法が実用化されている。
この方法としては、たとえば、テレビカメラあるいは固
体撮像素子等の光電変換素子により撮像された被検査パ
ターンを2画素と呼ばれる最小単位で標本化した後(光
電変換素子として固体撮像素子を用いた場合、その出力
は素子の受光面の大きさにより標本化されたものとなっ
ている。)各画素についである閾値で2値化した後、手
本パターンと比較する方法がある。この方法における被
検査パターンと手本パターンとの比較の状況は第12図
に示す如きもので、(a)図は本来直線であるA部分に
欠陥2aを有する被検査パターン2、(b)図は(a)
図に示す被検査パターン2を撮像し、標本化したのち、
2値化した被検査パターン2′を示す。
また、CC)図は欠陥のない完全なマスクを形成する手
本パターン3、(D)図は上記(b)図に示す2値化し
た被検査パターン2′と上記(C)図に示す手本パター
ン3とを比較したとき、両者の間のハツチング部分に差
異が生じた場合を示す。なお上記(b)図に示す格子Z
は標本化の画素を表わしている。上記(b)図から明ら
かな如< C69gに示す被検査パターンを2値化した
場合、標本化および2値化による量子化誤差により、2
値化した被検査パターン2′の輪郭部分には(a)図に
示す被検査パターン2に本来存在しない高さ1画素の凹
凸2b′。
2c’ が発生している。
そのため、(b)図に示す2値化した被検査パターン2
′と(C)図に示す手本パターン3とを比較すると、(
d)図に示すハツチング部分が両パターンの差異として
検査される。即ち、(d)図に示すハツチング部分は、
(a)図に示す被検査パターンの欠陥2aの2値化後の
欠陥2a’ と、標本化gよび2値化による量子化誤差
によって発生した疑似欠陥2b’ 、2c’ とが含ま
れている。
この疑似欠陥2b’ 、2c’ を除去する方法として
、従来たとえば特公昭54−37475号公報で述べら
れている方法がある。この方法は、互いに同一パターン
を有する2個の被検査パターン同志を比較するもので、
説明の便宜上手本パターンと被検査パターンとの比較を
例にして第13図により説明する。
同図において(a)図は第12図(a)と同様、本来直
線であるA部分に欠陥2aを有する被検査パターン2゜
(b)図は(a)図に示す被検査パターン2を撮像し、
標本化したのち、2値化した被検査パターン2′を示す
。また(c)図は欠陥のない完全なマスクを形成する手
本パターン3、(d)図は(b)図に示す2値化した被
検査パターン2′と(C)図に示す手本パターン3とを
比I咬したとき、両者の間に差異が生じた場合を示す。
(e)図は2値化した被検査パターン2′および手本パ
ターン3に対しくb)図および(c)図にハンチングで
示した夫々の輪郭部を抽出し、その共通部分をハツチン
グして示し、(f)図は(d)図に示す不一致部分のう
ち(e)図に示す共通部分に属さない部分をハツチング
して示したものである。而して特公昭54−37475
号公報で述べられている方法は、(d)図の如く被検査
パターン2と手本パターン3との差異部分を抽出すると
同時に両パターンの(b)(c)図にハツチングで示す
ように夫々の輪郭部を抽出し、その共通部を(e)図に
ハンチングで示すように抽出する。そして(d)図に示
す被検査パターン2′と手本パターン3との不一致部分
のうち(e)図に示す共通輪郭部分に属さない部分2a
’のみを(f)図に示すように抽出してこれを真の欠陥
2aとして検出している6然るに、上記の方法では(b
)図に示す如く被検査パターン2′を2値化したときに
標本化、量子化誤差によって発生する疑似欠陥2b’ 
、2c’ を除去して真の欠陥のみを検出することは可
能かもしれないが、パターンの境界部分に存在する1〜
2画素程度の大きさの微小な欠陥(パターンの欠けある
いは突起)は、共通輪郭部分に覆われて検出することが
困難になる。また、このような微小な欠陥を検出するた
めに、標本化のための画素サイズを小さくすると、検査
速度が遅くなって、装置のスループットが低下してしま
うことになる。
本発明は、上記従来の欠点を除去し、被検査パターンに
発生する微小な欠陥でも、高速度で検査を可能とするパ
ターン欠陥検査方法および装置を提供することにある。
本発明は、上記の目的を達成するため、疑似欠陥の発生
する可能性のある領域即ち、パターンの境界部すべての
検出感度を零とする(あるいは減少させる)のではなく
、手本パターンと被検査パターンの不一致部のうち、微
小な真の欠陥とパターン境界部ば生じる疑似欠陥とを区
別することを特徴とするものである。
以下本発明の実施例を示す第1図乃至第8図について説
明する。
第1図は本発明の原理図にして、その(a)図は欠陥の
ない直線で囲まれた被検査パターン4を示し、(b)図
は(a)図に示す被検査パターン4を撮像−し、標本化
して得られる検出信号のうち、パターン境界部e1上の
p□+Pz+Pi各点での検出信号レベルをパターン境
界部e1に垂直な方向の数画素について表わした図、(
c)図は(a)図に示す被検査パターン4の境界部e□
上の各画素の検出信号レベルと2値化閾値との関係を示
す図、(d)図は(a)図に示す被検査パターン4の境
界部e2上の各画素の検出信号レベルと2値化閾値との
関係を示す図である。
同図に示す如く、(a)図に示す直線で囲まれた被検査
パターン4を撮像し、標本化して得られる検出信号のう
ち、パターン境界部e□上のp□rPzrPz各点での
検出信号レベルを上記パターン境界部e1に垂直な方向
の数画素について表わすと(b)図に示す如くになる。
なお(b)図においては、パターン内部の検出信号レベ
ルは低く、パターン外部の検出信号レベルは高いものと
している。即ち、(b)図に示す如く、パターン境界部
e1上の各画素の検出信号レベルはp□1P21P3の
各点において少しづつ異なっている。この場合説明の都
合上、パターン境界部e1上のすべての点における検出
信号レベルが(C)図に示すハツチング部イ2口、ハの
いずれかの値になるものとする。このパターン検出信号
をたとえば閾値Thlで2値化すると、(c)図イで示
すハツチング部の検出信号レベルを持つ画素のうち。
閾値Thlより高い値を持つ画素は′1″に、Thlよ
り低い値を持つ画素はII O11となるため、2値化
後のパターン境界部e1は直線とならずに、1画素の凹
凸が生じることになる。これに対して閾値Th2により
2値化を行うと、イで示すハツチング部の検出信号を持
つ画素は丁へて°°1″となり、口およびハで示すハツ
チング部の検出信号レベルを持つ画素はすべてKI O
IIになるため、2値化後のパターン境界部e1は直線
になる。これに対して閾値Th2で2値化を行うと、被
検査パターンのすべての境界部が1画素の凹凸を生じる
ことなく直線となるわけでない。たとえば、(a)図の
他のパターン境界部e2が(d)図に示す検出信号レベ
ルを持っていたとする。この場合は、パターン境界部e
、とは逆に閾値Thlでは2値化後の境界が直線となる
のに対して閾値Th2では1画素の凹凸が生じてしまう
。この事から、疑似欠陥の原因となるパターン境界部の
1画素の凹凸は閾値を変化させると、その発生場所も変
化することが明らかである。
そこで、相異する2個以上の数種の閾値に対して被検査
パターンの2値化を行い、どの閾値に対する2値化パタ
ーンにおいても、凹凸の生じる部分が真の欠陥であり閾
値を変化させると凹凸が生じなくなる部分は疑似欠陥で
あると判断することができる。
つぎに第2図および第3図は本発明によるパターン欠陥
検査装置を示すブロック図およびその動作図である。第
2図において、7a 、 7bは2個の2値化回路にし
て、被検査パターン4を標本化したのち、異なる2種の
閾値Thl、 Th2で2値化する。
8a 、 8bは2個の欠陥候補検出器にして、第3因
に示す如く上記2個の2値化回路からの2値化後の被検
査パターンと、手本パターン5とを比較して差異のある
部分を検出する。9は欠陥判定器にして上記2個の欠陥
候補検出器8a 、 8bからの2値化被検査パターン
と手本パターン5との差異部分を比較し、共通の欠陥候
補のみを真の欠陥として出力する。つぎに第3図におい
て、(a)図は、B位置に欠陥6aを有する被検査パタ
ーン4、(b)図は上記被検査パターン4に対応する手
本パターン5、(c)図は上記被検査パターン4を標本
化したのち。
ある閾値Thlで2値化した被検査パターン4’ 、(
d)図は上記被検査パターン4を標本化したのち、閾値
Th2−で2値化した被検査パターン4“、(e)図お
よび(f)図は上記(C)図および(d)図に示す2値
化した被検査パターン4’ 、4’と上記手本パターン
5とを比較して差異を生じた部分6a 、 6b 、 
6cをハツチングして示す図、(g)図は上記ce>図
と(f)図とにおける共通部分6a’ をハツチングし
て示す図である。図に示す如く、微小な欠陥6aを有す
る被検査パターン4を標本化したのちある閾値丁hl、
 Th2で2値化した被検査パターン4’ 、4’と上
記(b)図に示す手本パターン5とを比較し、これらの
差異部分6a’ 、6b’および6c’の中、共通部分
6a’ が(a)図に示す欠陥6aになる。このように
1−・2画素程度の大きさの微小な欠陥であっても、疑
似欠−陥を発生させることなく、真の欠陥6aのみを検
出することができる。
上記、欠陥候補検出器8a 、 8bは原理的には、2
値化された被検査パターン4′あるいは4“と、手本パ
ターン5とを重合し、各画素毎に不一致となる部分を検
出すれば良いのである。然るに実際には真の欠陥と、除
去可能な疑似欠陥(標本化、量子誤差による1画素の凹
凸)以外に除去可能な疑似欠陥をも検出してしまう可能
性がある。
その原因としては次に述べるような理由が考えられる。
(1)光電変換素子で被検査パターン4を撮像するさい
に光学系で図形歪みが生じる。
(2)標本化、量子化誤差により、被検査パターン4が
実際よりもわずかに大きくあるいは小さく検出されてし
まう。
(3)  設計データからレチクル(マスク)を焼き付
けるさいに、パターンを故意に太らせたり。
細らせたりする場合がある。
これらの理由により、上記手本パターン5と、被検査パ
ターン4とは、両者の位置合せがたとえ完全であっても
、必ずしも完全に一致するとは限らない。そこで上記欠
陥候補検出器8a 、 8bは、わずかに大きさの相異
する2個のパターン4,5とを比較し、真の欠陥と、前
記した除去可能な疑似欠陥のみとを検出しなければなら
ない。
以下、本発明による欠陥候補検出器について説−明する
第4図は1本発明による欠陥候補検出器の一実施例の動
作を示す説明図で、被検査パターンをいくつかの領域に
分割し、各領域毎にあらかじめ定められた補正範囲内で
、上記被検査パターンと手本パターンとの位置合せを行
い、同時に不一致画素を検出する方法である。
同図において(a)図はB位置に欠陥6を有する被検査
パターン4で、(b)図に示す如く、被検査パターン4
を2値化したパターン4′が点線にて示す手本パターン
5よりわずかに小さく形成された場合を示す。この2値
化した被検査パターン4′と手本パターン5との不一致
部分を検出すると、(c)図にハツチングで示す如き出
力6′が得られるが、これは閾値を変えた2値化パター
ンに対しても、同様の出力が得られるため、(c)図に
示す欠陥候補6′から真の欠陥6のみを分離することは
不可能である。
そこで、(d)図に示すように、2値化した被検査パタ
ーン4′を小領域14a乃至14dに分割し、各領域毎
に(e)図乃至(h)図に示す如く上記手本パターン5
と位置合せを行い、同時に各領域毎にハツチングで示す
不一致画素68〜6cを検出する。これにより、検出結
果は(i)図の如く、真の欠陥6aと。
除去可能な疑似欠陥6b 、 6cのみを含んだものに
なる。
第5図は、第4図によりその動作を説明した欠陥候補検
出器の一実施例の構成である。前記2値化回路により2
値化された被検査パターン4′を1走査線分(IH)の
遅延線10とシフトレジスタ11とを複数組用いて5X
5画素の2次元画像14とする。
これは、前述した位置合せ用の分割小領域の大きさであ
る同様に手本パターン5も2次元の画像とするが、上記
被検査パターンとの位置合せ補正範囲の分だけ大きな画
像14′ としている。図では、X、Y両方向とも±2
画素の位置合せ補正範囲をとるために、手本パターン5
を9X9画素の画像14′ に展開している。つぎに上
記2個の2次元画像14.14’ をマツチング回路1
2に入力し2個の画像14 、14 ’間の位置合せを
行う。このマツチング回路12による位置合せは、9X
9画素に展開した手本パターン5からさらに図中のハツ
チングで示した画素をそれぞれ中心とする25通りの5
X5画素の画像を切出し、この25通りの5X5画素の
手本パターン5と、5×5画素の被検査パターン4′と
を比較して、不一致画素数をそれぞれ計数して、最も不
一致画素数の少ない5X5画素の手本パターンを、被検
査パターン4′と位置合せができた画像として上記マツ
チング回路12がら出方する。このマツチング回路12
がら出力される5X5画素の手本パターンと5X5画素
の被検査パターンとから排他的論理和回路13により不
一致部分を演算し、その結果が欠陥候補画像として出力
さ−れる。
大きさの異なる2つのパターンを比較する欠陥候補検出
器の他の一実施例として、特徴比較による方法がある。
この特徴比較とは、被検査パターンと、手本パターンと
の双方からある種の特徴を持つ画素たとえば水平方向の
境界部、垂直方向の境界部あるいは、水平方向の微小部
分等を抽出し、その特徴を持つ画素が手本パターンと、
被検査パターンとの互いに対応する画素近傍たとえばX
Y方向それぞれ±2画素以内に存在する場合、欠陥のな
い正常なものと判定し、どちらか一方にしか、その特徴
を有する画素が存在しない時に欠陥候補ありと判定する
方法である。
この方法では、第6図に示す如く、数種の特徴抽出器1
5.15’ と、この特徴抽出器の出力を各特徴毎に比
較し欠陥候補を検出する前記特徴抽出器15あるいは1
5′ と同個数の欠陥候補判定器16と、各欠陥候補判
定器16からの出力を合成して検出欠陥候補信号を出力
する論理和17から構成されている。
なお、図示の4′は2値化された被検査パターン、5は
手本パターンを示す。この方法においては、2値化され
た被検査パターン4′から数種の特徴抽出器15にて、
水平方向の境界部、垂直方向の境界部あるいは水平方向
の微小部分等の特徴を持つ画素を抽出し、同様にして、
手本パターン5から特徴抽出器15′にて各種の特徴を
持つ画素を抽出する。そして特徴抽出器15及び15′
 の出力から、複数個の欠陥候補判定器16により欠陥
候補を判定し、夫々の欠陥候補判定器16の出力を論理
和17で合成して検出欠陥候補信号を出力する。
上記特徴比較方式による欠陥候補検出の原理はたとえば
第7図に示す如くである。同図に示す(a) 、 (b
)図はそれぞれ第4図(a)、(b)図と同様、B位置
に欠陥6を有する被検査パターン4および、2値化した
被部fCパターン4′が点線にて示す手本パターン5よ
りわずかに小さい場合を示す。
(c)図は特徴抽出器15a、15bを示し、それぞれ
水平方向のパターン境界部、垂直方向のパターン境界部
を抽出する。例えは特徴抽出器15aは注目画素a1が
値LL OIIで、その隣接画素a2が値II I I
Iの場合、および注目画素a□が値II I IIでそ
の隣接画素a2がrr Orrの場合、注目画素a1が
水平方向のパターン境界部であると判定するものである
。(d)図は手本パターン5から、特徴抽出器15aに
より抽出した特徴で、(e)図は2値化被検査パターン
4′から特徴抽出器15aにより抽出した特徴で(f)
 、 (g)図は同様にして手本パターン5および2値
化被検査パターン4′から特徴抽出器15bにより抽出
した特徴である。(d) 、 (e)図からそれぞれ対
応する画素近傍の特徴同志を除去して残る特徴と、(f
)。
(g)図から同様の操作により残る特徴とを合成したも
のが(h)図で、真の欠陥6aと除去可能な疑似欠陥6
b 、 6cとを含んだ欠陥候補を示す。
第8図は、上記第7図に示す特徴抽出器15aの構成を
示す回路図である。手本パターン5あるいは2値化され
た被検査パターン4′の画像信号を遅延線10で水平方
向1走線分(I II )だけ遅らせた信号と、上記手
本パターン5あるいは2値化被検査パターン4′から直
接遅らせない信号との間で排他的論理和13を演算する
ことにより実現することができる。同様に、第7図に示
す特徴抽出器15bは手本パターン5あるいは2値化被
検査パターン4′の画像信号を1画素だけ遅せた信号と
、遅らせない信号との間で排他的論理和を演算すること
により実現できる。また、第9図は上記第6図に示す欠
陥候補判定器16の構成を示す回路図である。−同図に
示す如く、2値化被検査パターン4′の特徴信号24′
 を水平方向に2走査線(2H)だけ遅らせた信号を出
力する遅延a10と、この遅延線10からの出力をさら
に2画素分だけ遅延させるシフトレジスタ11と、手本
パターン5の特徴信号25を水平方向に1走査線分(I
H)だけ遅らせた信号を出力する遅延線10′ と、上
記手本パターンの特徴信号25から直接入力されたいわ
ゆる遅らせなし)特徴信号および上記遅延線lO′ に
より順次1走査線分(111)だけ遅らせた特徴信号と
を複数個のシフトレジスタ11’ を介して入力された
特徴信号とを人力して演算するNoR18と、このNO
I+18および上記シフトレジスタ11よりの出力を入
力して演算し、欠陥候補信号を出力する論理積19とを
設けている。
上記の11′4成であるから、2値化被検査パターン4
′にある特徴を有するときには1手本パターン5上の対
応する画素の近傍(±2画素)を検査するため、上記手
本パターン5の特徴信号25は18分の遅% XfA 
10 ’ とシフトレジスタ11′ を数個用いて2次
元の画像としている。なお、2値化被検査パターン4′
は遅延a10およびシフトレジスタ11により水平およ
び垂直方向に2画素分だけ遅延させて。
上記手本パターン特徴信号25の2次元画像の中央画素
と対応づけている。
つぎに、相異する2つの閾値により、それぞれ2値化し
た被検査パターンから、上記した方法で検出した欠陥候
補を用いて、真の欠陥と疑似欠陥を区別する欠陥判定器
について説明する。
欠陥判定器の最も簡単な構成としては、それぞれの欠陥
候補に対して論理積を演算しく以下、欠陥候補は論理値
II I IIを持つものとする。)、共通の欠陥候補
のみを真の欠陥とする方法が考えられる。しかし、真の
欠陥に対する欠陥候補点が、2値化による量子化誤差の
ために、相異dる欠陥候補画像上、対応する画素に存在
せず、わずかに離れた位置の画素に存在した場合、上記
方法では、真の欠陥を見逃す事になる。そこで、真の欠
陥の見逃しを防止するためには、共通の欠陥候補のみを
真の欠陥とするのではなく、一方の欠陥候補画像に欠陥
候補点が存在する時に、他方の欠陥候補゛画像の対応す
る画像だけでなく、その近傍を検査し、その近傍領域な
欠陥候補が存在した場合、その候補点を真の欠陥と判定
する必要がある。
第10図に欠陥判定器の一実施例を示す。本実施例では
、対応する画素の近傍として、X、Y方向それぞれ±1
画素を考慮した3×3のウィンドウを用いている。第1
0図において、一方の欠陥候補画像15aのある画像1
6aに対し、他方の欠陥候補画像15bから対応する画
素16bを含む周囲画素3×3領域を切出し、その9個
の画素の論理和19を演算する。もしこの近傍領域内に
欠陥候補が存在すれば、論理和19の値は+11 It
となる。続いてこの論理和19と画素16aの論理積2
0を演算すれば、欠陥候補画像15aの画素16aが欠
陥候補点であり、かつ欠陥候補画像15bにおいて、画
素16aに対応した画素16bの近傍に欠陥候補が存在
する場合にのみ出力20はIt I Itとなり、真の
欠陥のみを分離・検出する事が可能となる。
以上説明した実施例では、被検査パターンに対し2個の
閾値を用いて2枚の欠陥候補画像を作成し、その2枚の
欠陥候補画像から真の欠陥のみを検出する例を示したが
、2値化閾値をN個(N=2.3.・・・・・・)用意
し、得られるN枚の2値化画像からそれぞれ欠陥候補を
検出し、検出したN枚の欠陥候補画像から真の欠陥を抽
出しても良い。
この様にすれば、標本化及び2値化による量子化誤差で
発生する疑似欠陥が1例え2枚の欠陥候補画像上で同じ
位置に発生していても、他の欠陥候補画像で同じ位置に
擬似欠陥が発生していなければ、その擬似欠陥は除去す
る事が可能となり、検査の信頼性を向上する事ができる
なお、本実施では、比較検査のための手本パターンとし
てレチクル製造時の設計パターン等を用いる場合を例と
したが、被検査パターンと同一の形状を有するパターン
を撮像し、これを標本化し、ある閾値で2値化したもの
を手本パターンとして用いても同様の効果が得られる。
以上述べた様に1本実施例によれば被検査パターンの大
きさが、手本パターンと多少異なっていても、疑似欠陥
を発生する事なく、微小な欠陥を高い信頼度で検出する
事が可能となる。ま−た、本実施例によれば、標本化の
ための画素サイズと同程度の大きさの微小な欠陥を検出
する事ができるため、高速に被検査パターンを撮像する
事ができ、検査時間の大幅な短縮に効果がある。
〔発明の効果〕
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、高速で
信頼性の高いパターン欠陥検査装置を実現することがで
きるので、例えば集積回路製造用マスクのパターン検査
工程の効率を向上し、ひいてはIC等の製品の信頼性向
上、原価低減等に顕著な効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明によるパターンの欠陥検査の原理を示す
図、第2図は第1図の原理に基づくパターン欠陥検査装
置を示すブロック図、第3図はその動作を示す説明図、
第4図はその欠陥候補検出器の構成の1例を示すブロッ
ク図、第5図はその動作を示す説明図、第6図はパター
ン欠陥検査装置における欠陥候補検出器の構成の他の1
例を示すブロック図、第7図はその動作を示す説明図、
第8図は第7図に示す水平方向境界抽出回路図、第9図
は第6図に示す欠陥候補検出器を示す回路図、第10図
は欠陥判定器の1例を示す説明図、第11図は従来の欠
陥のあるパターンの拡大像を示す図、第12図はパター
ン比1咬による欠陥検査の概念を示す説明図、第13図
はその検査方法を示す説明図である。 1・・・IC製造用マスク、2,4・・被検査パターン
、3.5・・・手本パターン、7a、7b・・・2値化
回路、8a 、 8b・・・欠陥候補検出器、lO・・
・遅延線、11・・・シフトレジスタ、12・・・マツ
チング回路、4′・・・2値化した被検査パターン、1
5.15’ 、15a、15b・・特徴抽出器、17・
・・論理和。 代理人 弁理士  秋  本  正  実(0)   
     (b’1 眞欅 1図 (C)(d) 第7図 (o)(b)(d) (f) 第10図 20(121a 第11図 第1; 6o)(b) vA (d)      (f) (e)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、検査対象となるパターンを光電変換素子等を用いて
    撮像することにより得られるパターンと、該パターンに
    対応した手本パターンとを比較して前記検査対象となる
    パターンの欠陥を検出するパターン欠陥検査方法におい
    て、前記検査対象となるパターンを光電変換素子等を用
    いて撮像する事により得られるパターンを相異する2つ
    以上の2値化閾値で2値化し、これによって得られる複
    数の2値化パターンと、前記手本パターンとを各々比較
    し、不一致部分を前記複数の2値化パターンに各々対応
    する欠陥候補パターンとしてとらえ、該複数の欠陥候補
    パターンの互いに対応する位置近傍の各々に前記不一致
    部分が存在するとき、前記検査対象となるパターン上に
    欠陥が存在するとして判定することを特徴とするパター
    ン欠陥検査方法。 2、検査対象となるパターンを光電変換素子等にて撮像
    することによって得られるパターンと、該パターンに対
    応した手本パターンとを比較して前記検査対象となるパ
    ターンの欠陥を検出するようにしたパターン欠陥検査装
    置において、前記検査対象となるパターンを光電変換素
    子等を用いて撮像することにより得られるパターンを相
    異する2値化閾値で2値化させる少なくとも2つ以上有
    する2値化回路と、該2値化回路よりの出力と、前記手
    本パターンとを各々比較し、両者の間に不一致部分が存
    在するとき、これを欠陥候補として検出する該2値化回
    路と同一数量有する欠陥候補検出器と、各々の該欠陥候
    補検出器からの出力を入力とし、これら出力中の互いに
    対応する位置近傍に前記欠陥候補が存在するとき、前記
    検査対象となるパターン上に欠陥が存在することを表示
    する欠陥信号を出力する欠陥判定器とを設けたことを特
    徴とするパターン欠陥検査装置。
JP15728784A 1984-07-30 1984-07-30 パタ−ン欠陥検査方法および装置 Granted JPS6138450A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15728784A JPS6138450A (ja) 1984-07-30 1984-07-30 パタ−ン欠陥検査方法および装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15728784A JPS6138450A (ja) 1984-07-30 1984-07-30 パタ−ン欠陥検査方法および装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6138450A true JPS6138450A (ja) 1986-02-24
JPH0453253B2 JPH0453253B2 (ja) 1992-08-26

Family

ID=15646357

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15728784A Granted JPS6138450A (ja) 1984-07-30 1984-07-30 パタ−ン欠陥検査方法および装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6138450A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01202607A (ja) * 1987-12-03 1989-08-15 Kla Instr Corp 反復微細パターンの差異検出方法
EP0952442A3 (en) * 1998-04-24 2001-01-31 Tokyo Seimitsu Co.,Ltd. Visual inspection apparatus and method
JP2007208050A (ja) * 2006-02-02 2007-08-16 Casio Comput Co Ltd 外観検査方法
JP2024527847A (ja) * 2021-07-19 2024-07-26 オントゥー イノヴェイション インコーポレイテッド 低コントラスト非参照欠陥検出

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01202607A (ja) * 1987-12-03 1989-08-15 Kla Instr Corp 反復微細パターンの差異検出方法
EP0952442A3 (en) * 1998-04-24 2001-01-31 Tokyo Seimitsu Co.,Ltd. Visual inspection apparatus and method
US6456318B1 (en) 1998-04-24 2002-09-24 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Defect inspection apparatus and method by comparing two pairs of areas adjacent to one another
JP2007208050A (ja) * 2006-02-02 2007-08-16 Casio Comput Co Ltd 外観検査方法
JP2024527847A (ja) * 2021-07-19 2024-07-26 オントゥー イノヴェイション インコーポレイテッド 低コントラスト非参照欠陥検出

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0453253B2 (ja) 1992-08-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI412739B (zh) 缺陷檢測方法及缺陷檢測裝置
JPH0623999B2 (ja) パタ−ン欠陥検出方法
JPH0160767B2 (ja)
JP2011007728A (ja) 欠陥検出方法、欠陥検出装置、および欠陥検出プログラム
JPS6138450A (ja) パタ−ン欠陥検査方法および装置
JPH05281154A (ja) パターン欠陥検査装置
JP3536884B2 (ja) 半導体ウエハの欠陥分類方法及びその装置
JP2003203218A (ja) 外観検査装置および方法
JP2676990B2 (ja) 配線パターン検査装置
JP2500758B2 (ja) プリント基板パタ―ン検査装置
JP4474006B2 (ja) 検査装置
JPH0160766B2 (ja)
JPH063541B2 (ja) パターン検査装置
JPH058762B2 (ja)
JP2677052B2 (ja) スルーホール検査装置
JPS6135303A (ja) パタ−ン欠陥検査装置
JPS61140804A (ja) パタ−ン検査装置
JPH0617875B2 (ja) パターン検査方法およびその装置
JPH0564857B2 (ja)
JP2712803B2 (ja) 配線パターン検査装置
JP2850601B2 (ja) プリント基板パターン検査装置
JPH043820B2 (ja)
JP2745763B2 (ja) 配線パターン検査装置
JPH04148280A (ja) パターン検査装置
JPS6057929A (ja) パターン欠陥検出装置