JPS60109226A - 平面位置合わせ装置 - Google Patents
平面位置合わせ装置Info
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- JPS60109226A JPS60109226A JP58215981A JP21598183A JPS60109226A JP S60109226 A JPS60109226 A JP S60109226A JP 58215981 A JP58215981 A JP 58215981A JP 21598183 A JP21598183 A JP 21598183A JP S60109226 A JPS60109226 A JP S60109226A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7026—Focusing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
- G03F9/7053—Non-optical, e.g. mechanical, capacitive, using an electron beam, acoustic or thermal waves
- G03F9/7057—Gas flow, e.g. for focusing, leveling or gap setting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Control Of Position Or Direction (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、”ＩＣ，ＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体回路
素子パターンを観察する顕微鏡、マスク欠陥検査顕微鏡
、あるいは投影焼付装置において、その光学系の焦点平
面等のＩ！Ｉ暮定平定平面スクまたはウェハー等の対象
物体面を位置合わせする結像技術に関するものである。
素子パターンを観察する顕微鏡、マスク欠陥検査顕微鏡
、あるいは投影焼付装置において、その光学系の焦点平
面等のＩ！Ｉ暮定平定平面スクまたはウェハー等の対象
物体面を位置合わせする結像技術に関するものである。
〔従来技術〕（
従来例に係る自動焦点合わせ装置が特開昭５７−１２２
９に開示されている。この装置は複数の位置検知器とそ
れぞれの位置検知器に対応して接続され勺複数の駆動源
とを有し、複数の駆動手段により対象物体面特にウェハ
ーを光軸方向に移動調整するものであるからウェハーの
平担化の効果があった。
９に開示されている。この装置は複数の位置検知器とそ
れぞれの位置検知器に対応して接続され勺複数の駆動源
とを有し、複数の駆動手段により対象物体面特にウェハ
ーを光軸方向に移動調整するものであるからウェハーの
平担化の効果があった。
しかし、前記側々の位置検知器の位置情報に基づき対応
する駆動源を制御する場合には、ム−いに干渉し合う。
する駆動源を制御する場合には、ム−いに干渉し合う。
すなわち、一つの位置検知器により対応する一つの駆動
源を作動して物体面の所定の場所を光軸方向に移動調整
しても他の場所も位置変動するのである。このため各々
組み合わされた位置検知器と駆動源で位置制御を行なっ
ても高速・高精度の位置決めは困難なばかりでなく、場
合によっては収束せず発振などの現象を引き起こす。
源を作動して物体面の所定の場所を光軸方向に移動調整
しても他の場所も位置変動するのである。このため各々
組み合わされた位置検知器と駆動源で位置制御を行なっ
ても高速・高精度の位置決めは困難なばかりでなく、場
合によっては収束せず発振などの現象を引き起こす。
このような場合、各駆動源と各位置検知器との相互間の
相関を調べ、この相関を高速演算処理してマトリックス
として制御を行う必要がある。しかしこの処理は容易で
なく、複雑な制御装置を要求する事となる。また装置の
性格上位置検知量と駆動源が離れている場合、あるいは
水平方向の相対位置が斐わる場合など１位置制御の難度
は更に増してくる。かかる点から、駆動源が位置検知器
に対し水平方向に移動する機構をもつ装置は実現できな
かった。
相関を調べ、この相関を高速演算処理してマトリックス
として制御を行う必要がある。しかしこの処理は容易で
なく、複雑な制御装置を要求する事となる。また装置の
性格上位置検知量と駆動源が離れている場合、あるいは
水平方向の相対位置が斐わる場合など１位置制御の難度
は更に増してくる。かかる点から、駆動源が位置検知器
に対し水平方向に移動する機構をもつ装置は実現できな
かった。
本発明は上記の点に鑑み提案されたものであり、複数の
第１の位置検知手段、複数の第２の位置検知手段および
複数の駆動源をそれぞれ対応付けて備え、第１の位置検
知手段により所定の設定駆動量を算出するとともに第２
の位置検知手段と駆動源により帰還ループを構成し、駆
動源による駆動量が設定駆動量に一致することを可能と
する平面位置合わせ装置の提供を目的とする。
第１の位置検知手段、複数の第２の位置検知手段および
複数の駆動源をそれぞれ対応付けて備え、第１の位置検
知手段により所定の設定駆動量を算出するとともに第２
の位置検知手段と駆動源により帰還ループを構成し、駆
動源による駆動量が設定駆動量に一致することを可能と
する平面位置合わせ装置の提供を目的とする。
以下、図面に従って本発明の詳細な説明する。
まず本発明の実施例に係る縮小投影装置の外観を描いた
第１図で全体の構成を説明する。１０は光えるマスクで
ある。２はマスクチャックで１のマスクを保持している
。６は縮小投影レンズ、４は感光層を具えるウェハー、
５はウェハーステージである。ウェハーステージ５はウ
ェハー４を縮小投影レンズ６の光軸に対して直角な平面
ＸＹ面を移動することが出来る。ウェハーステージ５に
はウェハー４を縮小投影レンズの光軸方向（２方向）に
移動させる不図示のウェハーＺユニットが載っている。
第１図で全体の構成を説明する。１０は光えるマスクで
ある。２はマスクチャックで１のマスクを保持している
。６は縮小投影レンズ、４は感光層を具えるウェハー、
５はウェハーステージである。ウェハーステージ５はウ
ェハー４を縮小投影レンズ６の光軸に対して直角な平面
ＸＹ面を移動することが出来る。ウェハーステージ５に
はウェハー４を縮小投影レンズの光軸方向（２方向）に
移動させる不図示のウェハーＺユニットが載っている。
第２図に縮小投影レンズ６とウェハーＺユニットの配置
を示す断面図を示す。６は縮小投影レンズ、４は投影像
が、映されるウェハー、２０はウェハーチャックでウェ
ハーを保持する。２１はウェハーチャックベースであり
、このベースを通して等角度に配された２３ａ・２３ｂ
・２３ｃのピエゾ素子（実際は多数のピエゾ素子チップ
を積層したもの）の駆動によって２方向に２０のウェハ
ーチャックを」―下に移動させる（２６ｃは図示せず）
。
を示す断面図を示す。６は縮小投影レンズ、４は投影像
が、映されるウェハー、２０はウェハーチャックでウェ
ハーを保持する。２１はウェハーチャックベースであり
、このベースを通して等角度に配された２３ａ・２３ｂ
・２３ｃのピエゾ素子（実際は多数のピエゾ素子チップ
を積層したもの）の駆動によって２方向に２０のウェハ
ーチャックを」―下に移動させる（２６ｃは図示せず）
。
２２ａ・２２ｂ・２２ｃは渦電流形位置検知器でピエゾ
素子２３ａ・２３ｂ・２３ｃの各々に対応した位置に取
り付けられており、各ピエゾ素子の駆動軸のはり出しと
ウェハーチャックベース２１との間の距離を測定して各
ピエゾ素子の駆動量を測定する（２２ｃは図示せず）。
素子２３ａ・２３ｂ・２３ｃの各々に対応した位置に取
り付けられており、各ピエゾ素子の駆動軸のはり出しと
ウェハーチャックベース２１との間の距離を測定して各
ピエゾ素子の駆動量を測定する（２２ｃは図示せず）。
また縮小投影レンズ６の側部にエアマイクロセンサーの
ノズル２５＆・２５ｂ・２５ｃが成句けられており、ノ
ズルから吹き出す空気の流隈または背圧の変化により各
ノズルからウェハー表面までの距離の測定が行なえる（
２５Ｃは図示せず）。２４ａ・２４ｂ・２４ｃはウェハ
ーチャック２０とウェハーチャックベース２１とを結び
、ピエゾ素子２３ｇ・２３ｂ・２３ｃの頭頂とウェハー
チャック２４の凹みとを追従接触させるコイルスプリン
グである（２４Ｃは図示せず）。こ・こで各ピエゾ素子
、各渦電流形位置検知器、各コイルスプリングはウエノ
１−チ・Ｖツクベースの中心に対し、互いに１２０°ず
つ離れた所に配置されている。また各ノズルは縮小投影
レンズ乙の中心に対し、互いに１２０°ずつ離れた所に
配置されており、各ピエゾ素子とは位置の対応がはから
れている。
ノズル２５＆・２５ｂ・２５ｃが成句けられており、ノ
ズルから吹き出す空気の流隈または背圧の変化により各
ノズルからウェハー表面までの距離の測定が行なえる（
２５Ｃは図示せず）。２４ａ・２４ｂ・２４ｃはウェハ
ーチャック２０とウェハーチャックベース２１とを結び
、ピエゾ素子２３ｇ・２３ｂ・２３ｃの頭頂とウェハー
チャック２４の凹みとを追従接触させるコイルスプリン
グである（２４Ｃは図示せず）。こ・こで各ピエゾ素子
、各渦電流形位置検知器、各コイルスプリングはウエノ
１−チ・Ｖツクベースの中心に対し、互いに１２０°ず
つ離れた所に配置されている。また各ノズルは縮小投影
レンズ乙の中心に対し、互いに１２０°ずつ離れた所に
配置されており、各ピエゾ素子とは位置の対応がはから
れている。
第６図は本発明の実施例に係る甲面位置合わせ装置の駆
動制御機構の構成を示すブロック図である。以下図を参
照しながら実施例の構成および動作について説明する。
動制御機構の構成を示すブロック図である。以下図を参
照しながら実施例の構成および動作について説明する。
６０はマイクロプロセッサ−（ＭＰＵ）で各種判断処理
を行い、各々の場合に応じた指令を出す。３１ａ・３１
ｂ・６１ｃはレジスタであり一１ＭＰＵ３０からのピエ
ゾ素子２３ａ・２３ｂ・２３Ｃ各々への動作ＯＮまたは
ＯＦＦ信号とピエゾ素子の設定鳴動量伯号とを記憶し、
動作ＯＮ−ＣＵＦＦ信号の方を５４＆・３４ｂ・３４ｃ
のピエゾ素子駆動電圧発生回路（ドライバー）に、ピエ
ゾ素子の駆動量信号の方を３２ａ・３２ｂ・３２ｅのデ
ジタルアナログ変換器（ＤＡＣ）に送る。初期にＭＰＵ
６０はピエゾ素子の動作ＯＮ信号とピエゾ素子Ｃ最大駆
動量の２分の１に相当する指令を出す。ＤＡＣ６２ａ・
３２ｂ・３２ｃはこれに従い、駆動１１令電圧（指令電
圧）として５Ｖの電圧を差動増１層器３３ａ・３３ｂ−
・３３ｃに与える。ここでピエゾ素子２３ａ・２＋ｂ・
２３ｃは初期状態であるから放電状態にあり、駆動量は
零である。従って渦電流形位置検知器２２ａ・２２ｂ・
２２ｃを通して変位電圧変換回路６５ａ・３５ｂ・３５
ｃの出力（帰還電圧）はＯｖとなっている。帰還電圧は
ピエゾ素子の駆動量が最大のときＩＯＶであり、その２
分の１のとき５ｖとなっている。そこで差動増幅器３３
ａ ・３３ｂ・３３ｃは帰還電圧が指令電圧となるまで
ドライバ ３４ａ・３４ｂ・３４ｃに出力を与え、ピエ
ゾ素子を駆動する。従ってピエゾ素子の駆動量が最大駆
動量の２分の１となったところで収束し安定スる。ここ
でＭＰＵ３０はアナログデジタル変換器（ＡＤＣ）３６
ａ ・５６ｂ ＋ ５６ｃより帰還電圧を読み出し、各
ピエゾ素子の駆動量の確認を行う。
を行い、各々の場合に応じた指令を出す。３１ａ・３１
ｂ・６１ｃはレジスタであり一１ＭＰＵ３０からのピエ
ゾ素子２３ａ・２３ｂ・２３Ｃ各々への動作ＯＮまたは
ＯＦＦ信号とピエゾ素子の設定鳴動量伯号とを記憶し、
動作ＯＮ−ＣＵＦＦ信号の方を５４＆・３４ｂ・３４ｃ
のピエゾ素子駆動電圧発生回路（ドライバー）に、ピエ
ゾ素子の駆動量信号の方を３２ａ・３２ｂ・３２ｅのデ
ジタルアナログ変換器（ＤＡＣ）に送る。初期にＭＰＵ
６０はピエゾ素子の動作ＯＮ信号とピエゾ素子Ｃ最大駆
動量の２分の１に相当する指令を出す。ＤＡＣ６２ａ・
３２ｂ・３２ｃはこれに従い、駆動１１令電圧（指令電
圧）として５Ｖの電圧を差動増１層器３３ａ・３３ｂ−
・３３ｃに与える。ここでピエゾ素子２３ａ・２＋ｂ・
２３ｃは初期状態であるから放電状態にあり、駆動量は
零である。従って渦電流形位置検知器２２ａ・２２ｂ・
２２ｃを通して変位電圧変換回路６５ａ・３５ｂ・３５
ｃの出力（帰還電圧）はＯｖとなっている。帰還電圧は
ピエゾ素子の駆動量が最大のときＩＯＶであり、その２
分の１のとき５ｖとなっている。そこで差動増幅器３３
ａ ・３３ｂ・３３ｃは帰還電圧が指令電圧となるまで
ドライバ ３４ａ・３４ｂ・３４ｃに出力を与え、ピエ
ゾ素子を駆動する。従ってピエゾ素子の駆動量が最大駆
動量の２分の１となったところで収束し安定スる。ここ
でＭＰＵ３０はアナログデジタル変換器（ＡＤＣ）３６
ａ ・５６ｂ ＋ ５６ｃより帰還電圧を読み出し、各
ピエゾ素子の駆動量の確認を行う。
次ｉ：ＭＰＵ３０はノズル２５ｇ−２ｓｂ ２５ｃＣＤ
各々から電圧変換回路（変換器）６７ａ・３７ｂ・３７
ｃおよびアナログデジタル変換器（ＡＤＣ）３８ａ ・
ｌｂ・３８ｃな通し、各ノズルからウェハー表面までの
距離を測定する。、ｌお、ウェハーステージの位置（Ｘ
Ｙ平面上）により各ノズルと各ピエゾ素子の相対的な位
置関係が予め判明しているので、ＭＰＵ３０は各４ズル
がらクエへ−表面までの測定距離を上記の関係を考慮し
た補正量により補正して、ウェハー表面が各ノズルと平
行となるような平面になるよう各ピエゾ素子の駆動量を
算出する。
各々から電圧変換回路（変換器）６７ａ・３７ｂ・３７
ｃおよびアナログデジタル変換器（ＡＤＣ）３８ａ ・
ｌｂ・３８ｃな通し、各ノズルからウェハー表面までの
距離を測定する。、ｌお、ウェハーステージの位置（Ｘ
Ｙ平面上）により各ノズルと各ピエゾ素子の相対的な位
置関係が予め判明しているので、ＭＰＵ３０は各４ズル
がらクエへ−表面までの測定距離を上記の関係を考慮し
た補正量により補正して、ウェハー表面が各ノズルと平
行となるような平面になるよう各ピエゾ素子の駆動量を
算出する。
ＭＰＵ３０はこの計算結果より各レジスタ６１ａ・３１
ｂ・３１ｃにピエゾ素子の駆動量を記憶させ、ピエゾ素
子の駆動を開始させる。ここで各ピエゾ素子は駆動量の
２分の１の位置に設定されているので、伸びあるいは縮
みのいずれの方向にも駆動可能である。各ピエゾ素子は
各レジスタに与えられた指令駆動量に応じて各Ｄ Ａ
Ｃ３２ａ・３２ｂ・３２ｃより発生する指令電圧に帰還
電圧が収束するまで実時間の、クローズループの駆動制
御が行なわれ、指令駆動量の駆動が行なわれる。このよ
うに各渦電センサーは各々に対応したピエゾ素子の駆動
量のみを検出し、他のピエゾ素子の駆動の影響を受けな
い。従って各ピエゾ素子の駆動制御は安定し、かつ簡単
な回路で早い収束時間の高精度の位置制御となる。
ｂ・３１ｃにピエゾ素子の駆動量を記憶させ、ピエゾ素
子の駆動を開始させる。ここで各ピエゾ素子は駆動量の
２分の１の位置に設定されているので、伸びあるいは縮
みのいずれの方向にも駆動可能である。各ピエゾ素子は
各レジスタに与えられた指令駆動量に応じて各Ｄ Ａ
Ｃ３２ａ・３２ｂ・３２ｃより発生する指令電圧に帰還
電圧が収束するまで実時間の、クローズループの駆動制
御が行なわれ、指令駆動量の駆動が行なわれる。このよ
うに各渦電センサーは各々に対応したピエゾ素子の駆動
量のみを検出し、他のピエゾ素子の駆動の影響を受けな
い。従って各ピエゾ素子の駆動制御は安定し、かつ簡単
な回路で早い収束時間の高精度の位置制御となる。
ピエゾ素子の制御が終了した後、ＭＰＵは再び各ノズル
からウェハー表面迄の距離を測定し、各ノズルが平行な
位置に来ているがどうが確認する。
からウェハー表面迄の距離を測定し、各ノズルが平行な
位置に来ているがどうが確認する。
もし各距離に誤差が一定以上あれば、ＭＰＵは角度測定
値より各ピエゾ素子の駆動量を計算し、各ピエゾ素子の
駆動を行なわせる様にする。ＭＰＵは誤差が一定範囲内
に入るまで繰り返しこれを行なわせる。しかし、実際に
はピエゾ素子の駆動を１〜２回行うことで一定誤差範囲
内（たとえば１ミクロン）に収束する。この理由として
は以下の事があげられる。
値より各ピエゾ素子の駆動量を計算し、各ピエゾ素子の
駆動を行なわせる様にする。ＭＰＵは誤差が一定範囲内
に入るまで繰り返しこれを行なわせる。しかし、実際に
はピエゾ素子の駆動を１〜２回行うことで一定誤差範囲
内（たとえば１ミクロン）に収束する。この理由として
は以下の事があげられる。
（１）エアマイクロセンサーの測定精度１分解能、直線
性の性能が良い事（測定範囲２００ ミクロン）性が良
い事 （３）ピエゾ素子による駆動ｌニメカニカルリンク機構
がないため機械的な時間遅れ要素、不安定要素が存在し
ない事 （４）渦電流形位置検知器が特定のピエゾ素子の駆動量
のみを検出し、他のピエゾ素子の駆動の影響を受けない
事 以上である。
性の性能が良い事（測定範囲２００ ミクロン）性が良
い事 （３）ピエゾ素子による駆動ｌニメカニカルリンク機構
がないため機械的な時間遅れ要素、不安定要素が存在し
ない事 （４）渦電流形位置検知器が特定のピエゾ素子の駆動量
のみを検出し、他のピエゾ素子の駆動の影響を受けない
事 以上である。
なお実施例ではステッパー（縮小投影焼付装Ｖｔ、）に
ついて述べているが、他の装置にもノ１０川可能である
。特に反射型ミラー光学系を用いた全面一括露光の焼付
装置では本発明の効果は太きい。すなわち、露光すべき
範囲が広いのでウェハー表面の凹凸も大きいからである
。この場合には、フェノ・−チャックの中央部をも可動
な祠貿とし、ここに本発明の駆動量を検知する第２の検
知器をもった駆動機構で駆動し、ウェハーの平面矯正を
行なわせればよい。また第１の位置検知器としてエアー
マイクロセンサーを用いたが、超音波反射形変位用いれ
ば真空中でも検知可能のため、Ｘ線焼付装置およびＥＢ
焼付装置にも適用可能である。更に、マスク欠陥検査機
あるいはマスク比較欠陥検査機などの様に顕微鏡とＸＹ
ステージが組み合された装置においても本発明の実施は
容易であり、かつ有効である。
ついて述べているが、他の装置にもノ１０川可能である
。特に反射型ミラー光学系を用いた全面一括露光の焼付
装置では本発明の効果は太きい。すなわち、露光すべき
範囲が広いのでウェハー表面の凹凸も大きいからである
。この場合には、フェノ・−チャックの中央部をも可動
な祠貿とし、ここに本発明の駆動量を検知する第２の検
知器をもった駆動機構で駆動し、ウェハーの平面矯正を
行なわせればよい。また第１の位置検知器としてエアー
マイクロセンサーを用いたが、超音波反射形変位用いれ
ば真空中でも検知可能のため、Ｘ線焼付装置およびＥＢ
焼付装置にも適用可能である。更に、マスク欠陥検査機
あるいはマスク比較欠陥検査機などの様に顕微鏡とＸＹ
ステージが組み合された装置においても本発明の実施は
容易であり、かつ有効である。
以上説明したように、本発明によれば複数の駆動微設定
用の第１の位置検知器と、複数駆動源を帰還制御するた
めの各駆動源に対応づけられた第２の位置検知器を有し
ているので、複数駆動源の間の互いの干渉をなくするこ
とができるととも（−１各駆動源毎の実時間閉ループ制
御が可能となり、従って応答速度が速く、かつ精度の良
好な位置制御が可能となる効果がある。
用の第１の位置検知器と、複数駆動源を帰還制御するた
めの各駆動源に対応づけられた第２の位置検知器を有し
ているので、複数駆動源の間の互いの干渉をなくするこ
とができるととも（−１各駆動源毎の実時間閉ループ制
御が可能となり、従って応答速度が速く、かつ精度の良
好な位置制御が可能となる効果がある。
第１図は本発明の実施例に係る縮小投影装置の外観を示
す斜視図、第２図は縮小投影レンズおよびウェハー２ユ
ニツトの配置を示す断面図、第６図は本発明の実施例に
係る平面位置合わせ装置の３・・・縮小レンズ ４゛° ウェハー ２０・・・ ウェハーチャック ２１ °゛° ウェハーチャックベース２２ａ・２２ｂ
・２２ｃ・・・渦電流型位置検知器２３ａ・２３ｂ・２
３Ｃ・・・ピエゾ素子２５ａ・２５ｂ・２５ｃ・・・エ
アーマイクロセンサーのノズル ６０°゛° マイクロプロセッサ−（ＭＰＵ）６１ｍ・
３１ｂ・３１ｃ・・・レジスタ５２ａ・３２ｂ・３２ｃ
・・・デジタルアナログ変換器（ＤＡＣ） ３３ａ・３３ｂ・３３ｃ・・・差動増幅器５４ａ・３４
ｂ・３４ｃ・・・ピエゾ素子駆動電圧発生回路（ドライ
バー） ３５ａ・３５ｂ・３５ｃ・・・変位電圧変換回路６６ａ
・６６ｂ・３６ｃ・３８ａ・６８ｂ・６８ｃ・・・アナ
ログデジタル変換器（ＡＤＣ） ３７ａ・３７ｂ・３７ｃ・・・電圧置換回路。
す斜視図、第２図は縮小投影レンズおよびウェハー２ユ
ニツトの配置を示す断面図、第６図は本発明の実施例に
係る平面位置合わせ装置の３・・・縮小レンズ ４゛° ウェハー ２０・・・ ウェハーチャック ２１ °゛° ウェハーチャックベース２２ａ・２２ｂ
・２２ｃ・・・渦電流型位置検知器２３ａ・２３ｂ・２
３Ｃ・・・ピエゾ素子２５ａ・２５ｂ・２５ｃ・・・エ
アーマイクロセンサーのノズル ６０°゛° マイクロプロセッサ−（ＭＰＵ）６１ｍ・
３１ｂ・３１ｃ・・・レジスタ５２ａ・３２ｂ・３２ｃ
・・・デジタルアナログ変換器（ＤＡＣ） ３３ａ・３３ｂ・３３ｃ・・・差動増幅器５４ａ・３４
ｂ・３４ｃ・・・ピエゾ素子駆動電圧発生回路（ドライ
バー） ３５ａ・３５ｂ・３５ｃ・・・変位電圧変換回路６６ａ
・６６ｂ・３６ｃ・３８ａ・６８ｂ・６８ｃ・・・アナ
ログデジタル変換器（ＡＤＣ） ３７ａ・３７ｂ・３７ｃ・・・電圧置換回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 平板状物体と所定の平面位置との間の距離を測定する複
数の第１の位置検知手段と、 前記複数の第１の位置検知手段の各々Ｃ対応付けられ、
かつそれぞれの位置情報を設定駆動量として前記平板状
物体を前記平面へ向けて駆動する複数の駆動手段と、 前記複数の駆動源に対応付けられ、各駆動手段による駆
動量を検知する複数の第２の位置検知手段と、 前記設定駆動量と前記駆動量とを比較し、前記駆動量が
前記設定駆動量に一致するように前記駆動手段を帰還制
御する制御手段とを備え、前記平板状物体を前記所定平
面に合致させることを特徴とする平面位置合わせ装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58215981A JPS60109226A (ja) | 1983-11-18 | 1983-11-18 | 平面位置合わせ装置 |
| US06/667,993 US4600282A (en) | 1983-11-14 | 1984-11-05 | Alignment apparatus |
| GB08428609A GB2151045B (en) | 1983-11-14 | 1984-11-13 | Control of alignment |
| DE19843441621 DE3441621A1 (de) | 1983-11-14 | 1984-11-14 | Ausfluchtvorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58215981A JPS60109226A (ja) | 1983-11-18 | 1983-11-18 | 平面位置合わせ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60109226A true JPS60109226A (ja) | 1985-06-14 |
| JPH0144010B2 JPH0144010B2 (ja) | 1989-09-25 |
Family
ID=16681432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58215981A Granted JPS60109226A (ja) | 1983-11-14 | 1983-11-18 | 平面位置合わせ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60109226A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01170022A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-05 | Nikon Corp | 露光方法及び基板の姿勢制御方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS571227A (en) * | 1980-06-03 | 1982-01-06 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5737246U (ja) * | 1980-08-13 | 1982-02-27 | ||
| JPS58156937A (ja) * | 1982-03-12 | 1983-09-19 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53116757A (en) * | 1977-03-22 | 1978-10-12 | Toshiba Corp | Strip line coupling circuit |
-
1983
- 1983-11-18 JP JP58215981A patent/JPS60109226A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS571227A (en) * | 1980-06-03 | 1982-01-06 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5737246U (ja) * | 1980-08-13 | 1982-02-27 | ||
| JPS58156937A (ja) * | 1982-03-12 | 1983-09-19 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01170022A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-05 | Nikon Corp | 露光方法及び基板の姿勢制御方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0144010B2 (ja) | 1989-09-25 |
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