JPS5975625A - 基板支持方法 - Google Patents
基板支持方法Info
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- JPS5975625A JPS5975625A JP57185526A JP18552682A JPS5975625A JP S5975625 A JPS5975625 A JP S5975625A JP 57185526 A JP57185526 A JP 57185526A JP 18552682 A JP18552682 A JP 18552682A JP S5975625 A JPS5975625 A JP S5975625A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Landscapes
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明″は半、導体ウェハ又はマスク等の基板上に集積
回路をパターン形成する露光処理もしくは形成されたパ
ターン性能の検査等にｂ−いて処理情度及び６１す定精
度を同上させる有効な基板支持に関−ちに））技術の背
景 微細加工技術の発展に伴い半導体デバイスのうち！ｉａ
積技術で先行して（へる−例としＣＭＯ８Ｌ：３■のダ
イナミックＩ（Ａ・Ｖがあ・る。・現在実用化段階にあ
る６４にダイナミックｌ（、ＡＭは約１５万個の素子が
搭載されている。
回路をパターン形成する露光処理もしくは形成されたパ
ターン性能の検査等にｂ−いて処理情度及び６１す定精
度を同上させる有効な基板支持に関−ちに））技術の背
景 微細加工技術の発展に伴い半導体デバイスのうち！ｉａ
積技術で先行して（へる−例としＣＭＯ８Ｌ：３■のダ
イナミックＩ（Ａ・Ｖがあ・る。・現在実用化段階にあ
る６４にダイナミックｌ（、ＡＭは約１５万個の素子が
搭載されている。
更に超し８Ｉ分野では１１〜ｌｌＩｕｍのゲート幅の微
細加工技術が要求されつつア勺、このためデバイｌｌ徒 グラフィ（光露光）技術では十分な対応ができず１１１
等倍プロジェクションアライナの高精度（ｔ。
細加工技術が要求されつつア勺、このためデバイｌｌ徒 グラフィ（光露光）技術では十分な対応ができず１１１
等倍プロジェクションアライナの高精度（ｔ。
慮柴外元源を用いた露光装置、縮小型プロジェクション
アライナ等が用いられる。何れの方法もレイ良 チクル又はマスク上Ｖｃｎ！密描画された余細パターン
を基板上に転写するための基板の平坦度・えびチップの
位置合せは特に重要である。
アライナ等が用いられる。何れの方法もレイ良 チクル又はマスク上Ｖｃｎ！密描画された余細パターン
を基板上に転写するための基板の平坦度・えびチップの
位置合せは特に重要である。
（Ｃ） 従来技術と問題点
縮小投影露光装置では通常１０：１の縮小率でレチクル
上のパターンをステップ・アすド轡すビ−） （Ｓｔ′
ｅｐ、ａｎｄ几ｅｐイｚｅａｔ）方式で基板上の精度、
時間に関係するため高精度を要するアライメントにはこ
の方式が最適であり、あまり′ｎ！度を要シナいバター
ニングには１：１のコンタクトアライナ、又に等倍に結
像するプロジェクションアろ ライナを併用する混合露光法が用いられ１゜例えば５種
類のレチクルを用い５層の精密パターンを基板上に投影
して精密画像のチップとなし、更にこのチップ上にコン
タクトアライナ又はプロジェクションアライナで所望の
パターンを描画した５４４Ｍのマスクを用いチップ上に
順次転写を繰返して１０層を要するような高密度の微細
パターンを形成する。このような高密度集積回１路では
チップ自体の大型化に伴い、生産効率を高める必要から
マスク及び半導体ワエハ等の基板も大型化され基板支持
体（基板ホルダー）に取付けるに際し曲り、そりのない
平坦性のよい支持構造が要求される。
上のパターンをステップ・アすド轡すビ−） （Ｓｔ′
ｅｐ、ａｎｄ几ｅｐイｚｅａｔ）方式で基板上の精度、
時間に関係するため高精度を要するアライメントにはこ
の方式が最適であり、あまり′ｎ！度を要シナいバター
ニングには１：１のコンタクトアライナ、又に等倍に結
像するプロジェクションアろ ライナを併用する混合露光法が用いられ１゜例えば５種
類のレチクルを用い５層の精密パターンを基板上に投影
して精密画像のチップとなし、更にこのチップ上にコン
タクトアライナ又はプロジェクションアライナで所望の
パターンを描画した５４４Ｍのマスクを用いチップ上に
順次転写を繰返して１０層を要するような高密度の微細
パターンを形成する。このような高密度集積回１路では
チップ自体の大型化に伴い、生産効率を高める必要から
マスク及び半導体ワエハ等の基板も大型化され基板支持
体（基板ホルダー）に取付けるに際し曲り、そりのない
平坦性のよい支持構造が要求される。
数
下させる。
（ｄ） 発明の目的
本発明は上記の欠点に鑑みパターン転写精度の向上及び
パターン性能検査の信頼性を掛るに有効な基板支持方法
の提供を目的とする。
パターン性能検査の信頼性を掛るに有効な基板支持方法
の提供を目的とする。
（ｅｌ 発明の構成
上記目的を達成するために本発明は試料の平坦度を補正
する複数の補正機構を備えた支持体に該試料を搭載し、
センサーによって求められる該試料主面の歪を補正する
ことによって達せられる。
する複数の補正機構を備えた支持体に該試料を搭載し、
センサーによって求められる該試料主面の歪を補正する
ことによって達せられる。
（ｆ） 発明の実施例
以下本発明の実施例を図面により詳述する。
第１図は本発明の一実施例である基板支持体を示す側面
図、第２図は第１図で示す基板支持体の調整ビン配設を
示す平面図である。図において、半導体ワエハ又はマス
ク等の基板１を基板支持体２（基板ホルダー）に取付け
る。基板１は複数のねじで構成される調整ビン３ （Ｃ
より上方に押上げられ、基板支持体２に備えたスプリン
グ４により一定圧に保持される。調整ビン３０頭部には
弾性ゴム等の緩衝材５を設は突当て時のショックを緩和
する。このように取付けられる基板１の主面を静電マイ
クロメータ等のセンサー６を用い平坦度を測定し基板１
の主面における歪量を検出する。１１１整ビン３のねじ
ストロークを可変して歪を補正すことにより基板１１Ｉ
′ｊ：曲りそりのない平坦面をなして基板支持体２に保
持される。
図、第２図は第１図で示す基板支持体の調整ビン配設を
示す平面図である。図において、半導体ワエハ又はマス
ク等の基板１を基板支持体２（基板ホルダー）に取付け
る。基板１は複数のねじで構成される調整ビン３ （Ｃ
より上方に押上げられ、基板支持体２に備えたスプリン
グ４により一定圧に保持される。調整ビン３０頭部には
弾性ゴム等の緩衝材５を設は突当て時のショックを緩和
する。このように取付けられる基板１の主面を静電マイ
クロメータ等のセンサー６を用い平坦度を測定し基板１
の主面における歪量を検出する。１１１整ビン３のねじ
ストロークを可変して歪を補正すことにより基板１１Ｉ
′ｊ：曲りそりのない平坦面をなして基板支持体２に保
持される。
調整ビン３の頭部に設けた緩衝材５に代って圧鑞る。＠
２図において基板支持体２の底面にａ数個の１１整ビン
３を配設し、ド方よシ基板１の歪量に応じて調整ビン３
０ストロークを調整ｒるものである。補正終了した基板
支持体２を露光装薗に収容し塀元処理することによシ従
来に比してチップ間のピッチ誤差を減少させ高精度のパ
ターン転写が可能となる。或いはパターン検査装置でに
より高い精度の測定、検出ができる。
２図において基板支持体２の底面にａ数個の１１整ビン
３を配設し、ド方よシ基板１の歪量に応じて調整ビン３
０ストロークを調整ｒるものである。補正終了した基板
支持体２を露光装薗に収容し塀元処理することによシ従
来に比してチップ間のピッチ誤差を減少させ高精度のパ
ターン転写が可能となる。或いはパターン検査装置でに
より高い精度の測定、検出ができる。
（ｇ） 発明の効果
以上詳・１に説明したように本発明の基板支持構造とす
ることにより転写するパターン精度は従来に比］７て大
幅に向上する。また検査装置ＶＣ）いてはパターン良否
の検出精度を同上させ信頼性がｊ啓られる等優れた効果
がある。
ることにより転写するパターン精度は従来に比］７て大
幅に向上する。また検査装置ＶＣ）いてはパターン良否
の検出精度を同上させ信頼性がｊ啓られる等優れた効果
がある。
ｔ４１図は本発明の一実施例である基板支持体を示す側
面図、第２図は鷹１図で示す基板支持体の調整ビン配役
を示す平面図である。 図中１・・・・基板、２・・・基板支持体、３・・・Ａ
１１ｍビン、４・・・スプリング、５・・・緩衝材、６
・・・センサー。
面図、第２図は鷹１図で示す基板支持体の調整ビン配役
を示す平面図である。 図中１・・・・基板、２・・・基板支持体、３・・・Ａ
１１ｍビン、４・・・スプリング、５・・・緩衝材、６
・・・センサー。
Claims (1)
- 試料の平坦度を補；Ｅする環数の補正機構を備えた支持
体に該試料を搭載し、センサーによつ°Ｃ求められる該
試料主面の歪を補正することを特徴とする基板支持方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57185526A JPS5975625A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | 基板支持方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57185526A JPS5975625A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | 基板支持方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5975625A true JPS5975625A (ja) | 1984-04-28 |
Family
ID=16172336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57185526A Pending JPS5975625A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | 基板支持方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5975625A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05166775A (ja) * | 1991-12-16 | 1993-07-02 | Orc Mfg Co Ltd | 洗浄度測定機構を備えた紫外線洗浄装置 |
| CN100403103C (zh) * | 2004-04-28 | 2008-07-16 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 液晶显示器基板支撑装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5252579A (en) * | 1975-10-27 | 1977-04-27 | Canon Inc | Clearance adjusng method |
| JPS5255472A (en) * | 1975-10-31 | 1977-05-06 | Thomson Csf | Mask photo repeater |
| JPS571229A (en) * | 1980-05-02 | 1982-01-06 | Perkin Elmer Corp | Device for automatically positioning wafer |
| JPS5723418A (en) * | 1980-07-17 | 1982-02-06 | Showa Electric Wire & Cable Co | Wire shield cable |
| JPS5787129A (en) * | 1980-11-19 | 1982-05-31 | Nec Corp | Exposure device |
-
1982
- 1982-10-22 JP JP57185526A patent/JPS5975625A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5252579A (en) * | 1975-10-27 | 1977-04-27 | Canon Inc | Clearance adjusng method |
| JPS5255472A (en) * | 1975-10-31 | 1977-05-06 | Thomson Csf | Mask photo repeater |
| JPS571229A (en) * | 1980-05-02 | 1982-01-06 | Perkin Elmer Corp | Device for automatically positioning wafer |
| JPS5723418A (en) * | 1980-07-17 | 1982-02-06 | Showa Electric Wire & Cable Co | Wire shield cable |
| JPS5787129A (en) * | 1980-11-19 | 1982-05-31 | Nec Corp | Exposure device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05166775A (ja) * | 1991-12-16 | 1993-07-02 | Orc Mfg Co Ltd | 洗浄度測定機構を備えた紫外線洗浄装置 |
| CN100403103C (zh) * | 2004-04-28 | 2008-07-16 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 液晶显示器基板支撑装置 |
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