JP4480367B2 - 誘電体磁器およびその製法、並びに積層型電子部品およびその製法 - Google Patents

誘電体磁器およびその製法、並びに積層型電子部品およびその製法 Download PDF

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本発明は、誘電体磁器およびその製法、並びに積層型電子部品およびその製法に関し、特に、携帯電話など小型、高機能の電子機器に使用され、極めて薄い誘電体層と内部電極層とを交互に積層して構成される小形高容量の積層セラミックコンデンサに好適に用いられる誘電体磁器およびその製法、並びに積層型電子部品およびその製法に関するものである。
近年、電子機器の小型化、高密度化に伴い、積層型電子部品、例えば、積層セラミックコンデンサは小型大容量化が求められており、このため誘電体層の積層数の増加と誘電体層自体の薄層化が図られている。
このような積層セラミックコンデンサ等のための誘電体磁器としては、例えば、下記の特許文献1に開示されるようなものが知られている。この公報に開示された誘電体磁器は、BaTiOにMnOおよびMgOを含む主成分粉末に、LiO、SiOおよびBaOからなるガラス成分を添加し、還元雰囲気中で1200℃、2時間焼成し、次いで酸化性雰囲気中で600℃の熱処理して形成したことが記載され、これにより耐還元性を向上させるMn、V等の添加成分を、結晶粒子の全域にほぼ均一に分布させており、これにより絶縁破壊電圧を高くできると記載されている。
特開平10−330160号公報
しかしながら、上記公報に開示されるような誘電体磁器では、積層セラミックコンデンサの誘電体層を、例えば、3μm以下まで薄層化した場合に、誘電体層1層あたりの電界強度が高くなることから、誘電体層の絶縁破壊電圧が許容しえなくなり、このため静電容量の温度特性が規格を外れるという問題が生じていた。
従って、本発明は、誘電体磁器の絶縁破壊電圧を向上でき、誘電体層を薄層化しても静電容量の温度特性を向上できる誘電体磁器およびその製法、並びに積層型電子部品およびその製法を提供することを目的とする。
本発明の誘電体磁器は、金属元素として、Ba、Ti、希土類元素、MgおよびMnを含有するペロブスカイト型複合酸化物からなる主結晶粒子と、該主結晶粒子により形成される二面間粒界相および三重点粒界相と、を具備してなる誘電体磁器であって、前記三重点粒界相にMO(SiO型結晶相(Mはアルカリ土類元素から選ばれる少なくとも1種、Rは希土類元素から選ばれる少なくとも1種)が存在してることを特徴とする。
このような構成によれば、誘電体磁器の内部の、特に放電しやすく絶縁破壊電圧の低下が著しい部分である三重点粒界相に特異な結晶相を形成することにより、この三重点粒界相の絶縁破壊電圧を高めることができ、このことにより誘電体層を薄層化しても静電容量の温度特性を向上できる。
上記誘電体磁器では、MO(SiO型結晶相がCaO(SiOであることが望ましい。三重点粒界相に析出する結晶相を、熱処理後の結晶性が高く高絶縁性となり、かつ比誘電率を高くできるCaO(SiOとすることにより、三重点部の比誘電率および絶縁破壊電圧をさらに高めることができる。
上記誘電体磁器では、二面間粒界相の幅daが0.4nm以下であることが望ましい。即ち、三重点粒界相の結晶化度を高めると共に、主結晶粒子どうしが接して形成されている二面間粒界相の幅を狭くすることにより、この領域の低絶縁性成分を極力除くことができることから、誘電体磁器の絶縁破壊電圧をさらに高めることができる。
上記誘電体磁器では、主結晶粒子の平均粒径dは0.5μm以下であることが望ましい。このように主結晶粒子の平均粒径を小さくすることにより誘電体磁器中に、高絶縁性の三重点粒界相や二面間粒界相を多く形成することができ、さらにこの磁器の絶縁破壊電圧を高めることができる。
本発明の誘電体磁器の製法は、BaTiOからなる原料粉末の表面に、希土類元素、MgおよびMnの酸化物を被覆して被覆BaTiO粉末を作製する工程と、該被覆BaTiO粉末に対して、アルカリ土類元素およびSiの酸化物を含む粉末を混合して誘電体粉末を調製する工程と、該誘電体粉末を用いて成形体を作製し、還元雰囲気中で焼成する工程と、前記還元雰囲気よりも高酸素雰囲気下で熱処理する工程とを具備することを特徴とする。
そして、上記誘電体磁器の製法では、前記アルカリ土類元素およびSiの酸化物を含む粉末として、前記アルカリ土類元素およびSiのモル数をそれぞれXおよびYとしたときに、モル比でX/Y=0.2〜1.5であるものを用いることが望ましく、さらに、前記被覆BaTiO 粉末100重量部に対して、前記アルカリ土類元素およびSi酸化物を含む粉末を0.5〜1.5質量部添加することが望ましい。
このような製法によれば、上記のように、BaTiOからなる原料粉末の表面に、希土類元素、MgおよびMnの混合物を被覆し、この被覆BaTiO粉末に対して添加物成分を加えるという手法を採ることから、被覆成分や添加物成分を均一に分散でき、三重点粒界相に希土類元素やSiから構成される結晶相をより均一に析出させることができる。特に、上記添加物成分中の、アルカリ土類元素とSiとのモル比並びにその添加物成分の添加量を適正化することにより、高温負荷寿命を向上させることができる。
また、上記誘電体磁器の製法では、誘電体粉末により形成された成形体を、一旦、還元雰囲気中で焼成した後に、さらに、この還元雰囲気よりも高い酸素雰囲気下で熱処理する工程を採用するものであるが、このような2段階の熱処理を行うことにより還元雰囲気中での焼成後に主結晶粒子間に存在している非晶質成分を容易に三重点粒界相側へ移動させることができることから、二面間粒界相の厚みが焼成後よりも熱処理後に小さくなるとともに、三重点粒界相に集まった非晶質成分を結晶化させることができる。即ち、還元雰囲気での焼成と、その後の熱処理とを組み合わせることにより二面間粒界相の厚みが狭くなるため、粒界相での絶縁抵抗を向上できる。
本発明の積層型電子部品は、上記の誘電体磁器からなる誘電体層と内部電極層とを交互に積層してなることを特徴とする。上記した本発明の誘電体磁器を用いて積層型電子部品の誘電体層を形成することにより、誘電体層1層あたりの電界強度を高くできることから絶縁破壊電圧を高めることができ、このため静電容量の温度特性を安定化できる。また、高温負荷寿命を高めることができる。
上記積層型電子部品では、誘電体層の厚みが3μm以下であることが望ましい。
本発明の誘電体磁器を用いれば、誘電体層の厚みが3μm以下と極めて薄層化された場合であっても、絶縁破壊電圧の低下を抑制でき、このことにより誘電体層を薄層化しても静電容量の温度特性を向上できる。
本発明の積層型電子部品の製法は、BaTiOからなる原料粉末の表面に、希土類元素、MgおよびMnの酸化物を被覆して被覆BaTiO粉末を作製する工程と、該被覆BaTiO粉末に対して、アルカリ土類元素およびSiの酸化物を含む粉末を混合して誘電体粉末を作製する工程と、該誘電体粉末にバインダ、溶剤等を混合してスラリを調製する工程と、該スラリを用いて誘電体グリーンシートを形成する工程と、該誘電体グリーンシートの一方主面上に内部電極パターンを形成する工程と、該内部電極パターンが形成された前記誘電体グリーンシートを複数積層して、積層成形体を作製する工程と、該積層成形体を切断して還元雰囲気中で焼成する工程と、前記還元雰囲気よりも高酸素雰囲気下で熱処理する工程と、を具備することを特徴とする。
このような製法によれば、誘電体層が極めて薄層化された場合であっても、絶縁破壊電圧が高くかつ静電容量の温度特性の安定化した積層型電子部品を容易に形成できる。
以上詳述したように、本発明では、金属元素として、Ba、Ti、希土類元素、MgおよびMnを含有するペロブスカイト型複合酸化物からなる主結晶粒子と、この主結晶粒子により形成される二面間粒界相および三重点粒界相と、を具備する誘電体磁器を形成する際に、この誘電体磁器の内部の、特に放電しやすく絶縁破壊電圧の低下が著しい部分である三重点粒界相に特異な結晶相を形成することにより、この三重点粒界相の絶縁性を高めることができ、誘電体層を薄層化しても静電容量の温度特性を向上でき、また、高温負荷寿命を向上できる。
本発明の誘電体磁器について、組織の模式図を示す図1を基に詳細に説明する。
本発明の誘電体磁器は、図1に示すように、金属元素として、Ba、Ti、希土類元素、MgおよびMnを含有するペロブスカイト型複合酸化物からなる主結晶粒子21と、該主結晶粒子21により形成される二面間粒界相23および三重点粒界相25と、を具備してなる誘電体磁器である。
ここで、本発明の誘電体磁器を構成する主結晶粒子21は、いわゆるコアシェル構造ではなく、希土類元素とともに、MgおよびMnが主結晶粒子21の中央部まで分布する。即ち主結晶粒子21全体に存在している。特に、希土類元素と、MgやMnが同じような分布で主結晶粒子21の中央部まで存在することが望ましいが、磁器中には、そのような構造となっていない主結晶粒子21も存在する場合がある。
また、主結晶粒子21内における希土類元素、MgおよびMnの存在量は、主結晶粒子21の中央部に向けて次第に減少していることが望ましい。
また、主結晶粒子21の平均粒径dは、誘電体磁器中に多くの三重点粒界相や二面間粒界相を形成して高絶縁化するという点で0.5μm以下であることが望ましく、特に、絶縁性とともに比誘電率を高めるという理由から、0.3〜0.4μmであることがより望ましい。尚、平均粒径はインタセプト法による測定値である。
一方、主結晶粒子21により形成される三重点粒界相25は、少なくとも3個の主結晶粒子21が寄り集まって形成される三重点部からなるものであるが、本発明によれば、この三重点粒界相25に、MO(SiO型結晶相(Mはアルカリ土類元素から選ばれる少なくとも1種、Rは希土類元素から選ばれる少なくとも1種)であるアパタイト相が析出していることが重要である。
この三重点粒界相25を構成する結晶相としては、上記のMO(SiO型結晶相の他に、M(SiO(OH)が析出する場合がある。つまり、三重点粒界相25は、アルカリ土類元素、希土類元素およびSiを含有するMO(SiO型構造、あるいはM(SiO(OH)型を有する複合酸化物からなるものである。
また、MO(SiO型結晶相を構成する成分としては、上記したように、Mはアルカリ土類元素から選ばれる少なくとも1種、Rは希土類元素から選ばれる少なくとも1種で表されるものであるが、アルカリ土類元素としては、Mg、Ca、Sr、Ba等の群から選ばれる少なくとも1種の元素があげられるが、複合酸化物の絶縁抵抗が高く、例えば、MO(SiO型結晶構造(M:アルカリ土類元素、R:希土類元素)を形成しやすいという理由からCaおよびSrが望ましく、これらのうちでもCaが特に望ましい。
一方、希土類元素としては、Y、Sc、Ce、Pr、Nd、Sm、En、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、La等の群から選ばれる少なくとも1種の元素があげられるが、複合酸化物の比誘電率が高く、例えば、MO(SiO型結晶構造(M:アルカリ土類元素、R:希土類元素)を形成しやすいという理由からY、Dy、Hoが望ましく、これらのうちでもYが特に望ましい。
即ち、MO(SiO型結晶相としては、化合物の絶縁性および比誘電率を高くできるという理由からCaO(SiOが望ましい。
尚、このような三重点粒界相25における、例えば、CaO(SiO結晶相の存在は、透過電子顕微鏡(TEM)の微小領域電子回折像によって確認できる。また、Mg、Mnについては、殆どが主結晶粒子21内に固溶するが、一部粒界に存在し、三重点粒界相25に含まれる場合がある。
また、本発明の誘電体磁器を構成する主結晶粒子21が対向する界面に形成される二面間粒界相23は主結晶粒子21の成分を含有する非晶質相により形成されるものである。
この二面間粒界相23の幅daは、絶縁抵抗の低い非晶質相を低減して、この部分の電界強度を高めるという理由から、0.4nm以下であることが望ましく、特に、0.3nm以下であることがより望ましい。
次に、本発明の誘電体磁器を用いて形成される積層型電子部品の一例である積層セラミックコンデンサについて、図2の概略断面図をもとに詳細に説明する。
本発明の積層型電子部品は、電子部品本体1の両端部に外部電極3を形成して構成されている。この外部電極3は、例えば、CuもしくはCuとNiの合金ペーストを焼き付けて形成されている。
電子部品本体1は、内部電極層5と誘電体層7を交互に積層してなる容量部9の積層方向の両面に、誘電体層7と同一材料からなる絶縁層11を形成して構成されている。この場合、誘電体層7の厚みは3μm以下が望ましく、特に、静電容量を高めるとともに絶縁抵抗を高く維持する点で厚みは1〜2.5μmがより望ましい。
また外部電極3の表面には、例えば、順にNiメッキ層13、Snメッキ層もしくはSn−Pb合金メッキ層15が形成されている。
一方、内部電極層5は導電性ペーストの膜を焼結させた金属膜からなり、導電性ペーストとしては、例えば、Ni、Co、Cu等の卑金属が使用されている。また、内部電極層5は卑金属を主成分とし、概略矩形状の導体膜であり、上から第1層目、第3層目、第5層目・・・の奇数層の内部電極層5は、その一端が電子部品本体1の一方端面に露出しており、上から第2層目、第4層目、第6層目・・・の内部電極層5は、その一端が電子部品本体1の他方端面に露出している。尚、外部電極3と内部電極層5は必ずしも同一材料から構成される必要はない。
次に、上記した本発明の誘電体磁器ならびにその誘電体磁器を用いて形成される積層セラミックコンデンサを代表とする積層型電子部品の製法について詳細に説明する。
まず、本発明の誘電体磁器は、例えば、BaTiOからなる原料粉末を用いて形成される。ここで、主原料のBaTiOからなる原料粉末の合成法は、固相法、液相法(シュウ酸塩を経過する方法等)、水熱合成法等があるが、そのうち粒度分布が狭く、結晶性が高いという理由から水熱合成法が望ましい。BaTiOからなる原料粉末の比表面積は1.7〜6.6(m/g)が好ましい。
そして、本発明の誘電体磁器を作製するには、図3に示すように、上記のBaTiOからなる原料粉末に対して、その表面を希土類元素、Mg、Mnの混合物で被覆したもの(以下、被覆BaTiO粉ということもある)を用いることが重要である。このようなBaTiOからなる原料粉末の被覆手法としては、固相法、液相法、気相法などがあるが、手法は特に限定されるものではない。上記のBaTiOからなる原料粉末39の表面に形成された被覆膜40は、図3に示したように、希土類元素(R)、Mg、Mnの3種類の元素が混合されており、これらの元素が酸化物の状態で混在した状態となっている。
また、希土類元素、Mg、Mnによる被覆量は、BaTiOからなる原料粉末100質量部に対して、例えば、酸化イットリウム(Y)を0.5〜1.5モル部、酸化マグネシウム(MgO)を0.1〜0.3モル部、炭酸マンガン(MnCO)を0.1〜0.3モル部の割合で添加することが望ましい。
そして、本発明の誘電体粉末は、この被覆BaTiO粉に対して、アルカリ土類元素およびSiの酸化物を含む粉末を0.5〜2質量部、特に、高温負荷寿命を向上させるという理由から0.6〜1質量部添加することが望ましい。
また、この粉末に含まれるアルカリ土類元素としてはBa、Sr、CaおよびMg等の群から選ばれる少なくとも1種が望ましく、特に、誘電体磁器の絶縁性および静電容量の温度特性を向上させるという点でCaが好ましい。また、誘電体磁器の絶縁性および静電容量の温度特性の向上とともに、高温負荷寿命を高めるという点でCaとBaとの組み合わせがより好ましい。そして、この添加物粉末の組成は、アルカリ土類元素およびSiのモル比をそれぞれXおよびYとしたときに、X/Y=0.2〜1.5、特に、0.8〜1.25であることが望ましく、また、CaとBaとを組み合わせたときのCa/Baのモル比は1〜1.5であることが望ましい。
一方、この粉末には、アルカリ土類元素およびSiの酸化物の他に、アルカリ元素の酸化物を添加したものが好適に用いられるが、アルカリ元素としては、Li、Na、Kなどの群から選ばれる少なくとも1種の酸化物が望ましく、粉末の軟化点を低くできるという理由から、LiOが特に好ましい。
つまり、本発明の誘電体粉末中に含有される添加物粉末としては、誘電体磁器の比誘電率を高めかつ軟化を促進させるという理由から、特に、LiO、SiOおよびCaOを含む添加物成分が好適に選ばれ、その組成範囲としては、それぞれ、Li、SiおよびCaのモル比が、0.9〜1.2:4.0〜5.3:0.5〜3.0であることが望ましい。また、誘電体磁器の高温負荷寿命を向上させるという点では、LiO、SiO、CaOに加えてBaOを含む添加物成分が好適であり、その組成は、0.9〜1.2:4.0〜5.3:0.5〜3.0:1〜3であることが望ましい。
また、この粉末の粒径は、累積平均径(D50)が0.5μm以下で、かつD90が0.65μm以下であることが望ましい。このように累積平均径D50が0.5μm以下の粉末を用いることにより、磁器を焼成する際に主結晶粒子21間、即ち、二面間粒界相23に存在していたLiO、SiOおよびCaOを含む添加物成分が三重点部側へ移動し易くなり、しかも、結晶化も促進される。
次に、本発明の誘電体磁器を作製する場合には、上記の誘電体粉末に所定量のバインダを混合して金型に注入しプレス成形することにより所定形状(例えば、円板状)の試料を成形する。
成形した試料は、次に、大気中で5〜40℃/hの昇温速度で200〜400℃/hにて脱バインダ処理を行い、その後、還元雰囲気中で500℃からの昇温速度を200〜400℃/hとし、1200〜1300℃の温度で2〜5時間焼成し、続いて200〜400℃/hの降温速度で冷却し、窒素雰囲気中900〜1100℃で再酸化処理を行う。
特に、500℃からの昇温速度を200〜400℃/hとし、1270〜1300℃の温度で焼成することにより、被覆された希土類元素、Mg、Mnが、BaTiO中により中央部側まで存在することができる。
即ち、三重点粒界相25に形成されるCaO(SiO結晶相からなる結晶相は、BaTiOからなる原料粉末39に、希土類元素、Mg、Mnの3種類の元素を同時に湿式法により化学的に被覆し、この被覆BaTiO粉に対して、CaO、LiOおよびSiOとを含む添加物成分を混合し、この誘電体磁器を還元雰囲気中で500℃から焼結温度までの昇温速度を200〜400℃/hとし、1200〜1300℃の温度で2〜5時間焼結し、続いて200〜400℃/hの降温速度で冷却し、さらに、窒素雰囲気中900〜1100℃で再酸化処理を行うことによって生成させることができる。
これはBaTiOからなる原料粉末39の表面に希土類元素、MgおよびMnを被覆しているため、これらの希土類元素、MgおよびMnのBaTiOからなる原料粉末へ固溶し易くなり、BaTiO内部まで全体に存在するようになるが、そのうちMgおよびMnが優先的にBaTiO粉末へ固溶していくため、被覆している希土類元素のうち一部がBaTiO粉末に固溶しきれず、BaTiO表面に取り残され粒界部に偏析する。上記したように500℃から焼結温度までの昇温速度を従来よりも低い200〜400℃/hとし、窒素雰囲気中で再酸化処理を行うことにより、添加物成分として添加したCaO、また三重点粒界相25に偏析するSiOと反応し、アルカリ土類元素、希土類元素およびSiとの複合酸化物、例えばCaO(SiO結晶相が三重点部で偏析するものである。また、このような焼成および再酸化処理を行うことにより非晶質相の厚みを薄くできる。
つまり、希土類元素のみを被覆したBaTiOからなる原料粉末39を用いた場合、添加されたMgおよびMnよりも、希土類元素のBaTiOへの固溶が促進され、BaTiOからなる原料粉末39の表面に、アルカリ土類元素、希土類元素およびSiとの複合酸化物は生成されず、また、BaTiOからなる原料粉末39の表面に希土類元素、MgおよびMnを被覆せず、添加した場合には、いわゆるコアシェル構造となり、希土類元素およびMgが主結晶粒子21の外周部に主として固溶して存在し、添加物成分として添加したCaO、SiOとの反応が殆ど無く、また、希土類元素、MgおよびMnが主結晶粒子21全体に存在することはない。
次に、積層セラミックコンデンサを作製する工程について説明する。
本発明の積層セラミックコンデンサの誘電体層は、上記した誘電体磁器と同様の誘電体粉末により形成されるものであるが、誘電体グリーンシートを作製する際には、上記の誘電体粉末に対して、所定量のバインダ、溶剤、および分散剤などの有機物を添加混合してスラリを調製し、このスラリを、例えば、ダイコータ法などの成形手段を用いてシート状に成形することにより誘電体グリーンシートを形成する。誘電体グリーンシートの厚みは4μm以下が望ましく、特に、静電容量を高めるとともに絶縁抵抗を高く維持する点で厚みは1〜3μmがより望ましい。
次に、この誘電体グリーンシートの一方主面上に、内部電極ペーストを塗布して内部電極パターンを形成し、これを乾燥させ、次に、この内部電極パターンが形成された誘電体グリーンシートを複数枚積層し熱圧着させて積層成形体を得る。その後、この積層成形体を格子状に切断して電子部品本体成形体を得る。この場合、電子部品本体成形体の両端面には、内部電極パターンの端部が交互に露出している。
この後、この電子部品本体成形体を、前記誘電体磁器を作製した条件と同じ条件で焼成および熱処理を行い電子部品本体1を形成する。
次に、この電子部品本体1の内部電極層5が露出した端面に、外部電極ペーストを塗布して窒素中で焼付けることによって外部電極3を形成して積層セラミックコンデンサを得る。
このようにして作製された積層セラミックコンデンサを構成する誘電体層7は前記した誘電体磁器と同様の結晶形態を構成するものである。即ち、主結晶粒子21により形成される二面間粒界相23は極めて薄い非晶質相しか存在しえず、焼成時に、二面間粒界相23から移動してきた成分が、この三重点部に集まり、焼成後に行う熱処理により結晶化してCaO(SiO結晶相からなる三重点粒界相25が形成される。
つまり、二面間粒界相23の非晶質相を低減すると同時に、三重点部に、例えば、CaO(SiO結晶相からなる結晶相が存在することによって、厚みを3μm以下としても誘電体層1層あたりの電界強度を高め、絶縁破壊電圧を向上させることができ、このことにより静電容量の温度特性の安定化を図ることができ、さらには高温負荷試験における信頼性をも向上することができる。
積層型電子部品の一つである積層セラミックコンデンサを以下のようにして作製した。まず、誘電体素材料として、比表面積が3.2(m/g)となるBaTiO粉末を用い、BaTiO100重量部に対して、MgOを0.2モル部、MnCOを0.1モル部と、表1に示す割合の、Y、Dy、およびHoのうちのいずれか1種類とを、Mg、Mn、Y等が混在した状態で存在するように被覆し、この被覆BaTiO粉に対して、LiOおよびSiOと、CaOあるいはSrOのうちいずれかのアルカリ土類元素の酸化物からなる累積平均径D50が0.5μmの添加物成分を、被覆BaTiO粉100質量部に対して、表1に示した組成になるように所定量添加し、直径5mmのZrOボールを用いたボールミルにて湿式粉砕することにより調製した。
次に、この粉末に有機バインダを混合してスラリを調製し、ドクターブレードにより厚み2.3μmの誘電体グリーンシートを作製した。次に、この誘電体グリーンシート上に、Niを主成分とする内部電極ペーストをスクリーン印刷した。
次に、内部電極ペーストを印刷した誘電体グリーンシートを100枚積層し、その上下面に、内部電極ペーストを印刷していない誘電体グリーンシートをそれぞれ20枚積層し、プレス機を用いて一体化し、積層成形体を得た。この後、積層成形体を格子状に切断して、2.3mm×1.5mm×0.5mmの電子部品本体1の成形体を作製した。
次に、この電子部品本体1の成形体を10℃/hの昇温速度で大気中、300℃にて脱バインダ処理を行い、500℃からの昇温速度が300℃/hの昇温速度で、1200℃〜1300℃(酸素分圧10−11atm)で2時間焼成し、続いて300℃/hの降温速度で1000℃まで冷却し、窒素雰囲気中1000℃で4時間再酸化処理をし、300℃/hの降温速度で冷却し、電子部品本体1を作製した。この内部電極層5の有効面積は2.1mmであった。また、誘電体層7の厚みは2.0μmであった。
比較例として、特開平10−330160公報に開示されている組成物の誘電体グリーンシートも作製した。まずBaCOとTiOとMnOを1200℃で仮焼して、Ba1.00(Ti0.999Mn0.001)Oの主成分を作製した。そしてこの主成分100モル部に対して、MnOを0.1モル部とMgOを0.3モル部とDyを1.0モル部加え、さらにこれらの混合物100質量部に対して、LiOとSiOとBaOからなる低融点ガラス成分(それぞれ20モル%、60モル%、20モル%)を1質量部加えた組成物を1000℃で仮焼して、原料粉末を調製して、厚み2.3μmのグリーンシートを作製し、No.12に記載した。
この試料No.12については、500℃から焼結温度1200℃までの昇温速度を、一般的な昇温速度300℃/hとし、100℃/hの降温速度で800℃まで冷却し、還元雰囲気中、600℃で0.5時間熱処理して、電子部品本体1を作製した。
次に、焼成した電子部品本体1をバレル研磨した後、電子部品本体1の両端部にCu粉末とガラスを含んだ外部電極ペーストを塗布し、850℃、窒素中で外部電極3を焼き付けた。その後、電解バレル機を用いて、この外部電極3の表面に、順にNiメッキおよびSnメッキを行い、積層セラミックコンデンサを作製した。
次に、これらの積層セラミックコンデンサの比誘電率、絶縁破壊電圧、静電容量の温度特性及び高温負荷の測定を行った。比誘電率及び静電容量の温度特性は周波数1.0kHz、測定電圧0.5Vrmsの測定条件で、また絶縁破壊電圧は、リーク電流が0.5Aに達したときの電圧を測定した。また、高温負荷試験は、温度85℃、電圧は9.5Vの条件で、1000時間行い、試料数100個につき絶縁抵抗の変化を測定して不良数を記載した。また、比誘電率は、静電容量と内部電極層5の有効面積、誘電体層7の厚みから算出した。
静電容量の温度特性が温度−25℃〜85℃で、20℃の静電容量を基準として、その温度に対する温度変化率が±10%以内に入る即ち、JISに規定されているB特性を満足する場合を良(適合)とした。
絶縁破壊電圧は、60V以下では、高温負荷試験で不良が発生する為、60V以上を良とした。結果を表2に示した。
尚、誘電体層における主結晶粒子径はインターセプト法で、また、三重点粒界相並びに二面間粒界相の幅は、透過電子顕微鏡観察と微小領域電子線回折法により評価した。
Figure 0004480367
Figure 0004480367
先ず、透過電子顕微鏡観察と微小領域電子線回折により、粒界相を確認したところ、本発明の被覆BaTiO粉を用いて形成した試料No.1〜11には、金属元素として、Ba、Ti、希土類元素、MgおよびMnを含有する主結晶粒子21が形成されており、主結晶粒子21全体に希土類元素、Mg、Mnが存在していた。
三重点部にMO(SiO型の結晶相からなる三重点粒界相が存在し、一方、被覆BaTiO粉を用いなかった試料No.12では、MO(SiO結晶相からなる三重点粒界相は存在しなかった。
そして、表2の結果から明らかなように、上記のように三重点粒界相のMO(SiO型を有する試料No.1〜11では、比誘電率が4200以上、絶縁破壊電圧が71V以上で、静電容量の温度特性がB特性を満足し、変化率が9.5%以下であった。また、高温負荷試験においても不良が殆ど無かった。
特に、三重点粒界相にCaO(SiOを析出させた試料No.1〜6、10、11では、比誘電率が4310以上、絶縁破壊電圧が75V以上、静電容量の温度特性が9%未満で、高温負荷試験での不良が無く信頼性が高かった。
一方、比較例の試料No.12では、主結晶粒子径が0.9μmと大きく、希土類元素がこの主結晶粒子の外周部に偏在し、BaTiO表面に、アルカリ土類元素、希土類元素およびSiを含有する複合酸化物が存在しておらず、絶縁破壊電圧が35Vと低く、高温負荷試験において不良が発生し、静電容量の温度に対する変化率が14.2%以上であった。
誘電体素材料として、比表面積が3.2(m/g)となるBaTiO粉末を用い、BaTiO100重量部に対して、MgOを0.2モル部、MnCOを0.1モル部と、表3に示す割合のYとを、Mg、Mn、Y等が混在した状態で存在するように被覆し、この被覆BaTiO粉に対して、LiOおよびSiOと、表3に示すアルカリ土類元素の酸化物からなる累積平均径D50が0.5μmの添加物成分を、被覆BaTiO粉100質量部に対して、表3に示した組成になるように所定量添加し、直径5mmのZrOボールを用いたボールミルにて湿式粉砕することにより調製した。
次に、前記実施例1と同様な作製方法により積層セラミックコンデンサを作製し、実施例1と同様な手法により評価を行った。この実施例2においては高温負荷試験条件の温度を125℃とした。それ以外は実施例1と同じ条件にて評価を行った。その結果を表3、表4に示す。
Figure 0004480367
Figure 0004480367
表3、4から明らかなように、CaとBaとを組み合わせた添加物粉末を用いて作製した試料No.13〜27では、絶縁破壊電圧および静電容量の温度特性に加えて、高温負荷寿命が125℃においても良好な結果が得られた。
本発明の誘電体磁器を用いた積層型電子部品として、特に積層セラミックコンデンサに好適に利用できる。
本発明の誘電体磁器を示す模式図である。 本発明の積層型電子部品の一例である積層セラミックコンデンサを示す概略断面図である。 本発明の積層型電子部品を製造するための被覆BaTiO粉を示す断面模式図である。
符号の説明
5 内部電極層
7 誘電体層
21 主結晶粒子
23 二面間粒界相
25 三重点粒界相

Claims (10)

  1. 金属元素として、Ba、Ti、希土類元素、MgおよびMnを含有するペロブスカイト型複合酸化物からなる主結晶粒子と、該主結晶粒子により形成される二面間粒界相および三重点粒界相と、を具備してなる誘電体磁器であって、前記三重点粒界相にM O(SiO型結晶相(Mはアルカリ土類元素から選ばれる少なくとも1種、Rは希土類元素から選ばれる少なくとも1種)が存在してることを特徴とする誘電体磁器。
  2. 前記O(SiO型結晶相がCaO(SiOであることを特徴とする請求項1に記載の誘電体磁器。
  3. 前記二面間粒界相の幅daが0.4nm以下であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の誘電体磁器。
  4. 前記主結晶粒子の平均粒径dが0.5μm以下であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のうちいずれか記載の誘電体磁器。
  5. BaTiOからなる原料粉末の表面に、希土類元素、MgおよびMnの酸化物を被覆して被覆BaTiO粉末を作製する工程と、該被覆BaTiO粉末に対して、アルカリ土類元素およびSiの酸化物を含む粉末を混合して誘電体粉末を調製する工程と、該誘電体粉末を用いて成形体を作製し、還元雰囲気中で焼成する工程と、前記還元雰囲気よりも高酸素雰囲気下で熱処理る工程と、を具備することを特徴とする誘電体磁器の製法。
  6. 前記アルカリ土類元素およびSiの酸化物を含む粉末として、前記アルカリ土類元素およびSiのモル数をそれぞれXおよびYとしたときに、モル比でX/Y=0.2〜1.5であるものを用いることを特徴とする請求項5に記載の誘電体磁器の製法。
  7. 前記被覆BaTiO 粉末100重量部に対して、前記アルカリ土類元素およびSi酸化物を含む粉末を、0.5〜1.5質量部添加することを特徴とする請求項5または6に記載の誘電体磁器の製法。
  8. 請求項1乃至請求項4のうちいずれか記載の誘電体磁器からなる誘電体層と内部電極層とを交互に積層してなることを特徴とする積層型電子部品。
  9. 前記誘電体層の厚みが3μm以下であることを特徴とする請求項に記載の積層型電子部品。
  10. BaTiOからなる原料粉末の表面に、希土類元素、MgおよびMnの酸化物を被覆して被覆BaTiO粉末を作製する工程と、該被覆BaTiO粉末に対して、アルカリ土類元素およびSiの酸化物を含む粉末を混合して誘電体粉末を作製する工程と、該誘電体粉末にバインダ、溶剤等を混合してスラリを調製する工程と、該スラリを用いて誘電体グリーンシートを形成する工程と、該誘電体グリーンシートの一方主面上に内部電極パターンを形成する工程と、該内部電極パターンが形成された前記誘電体グリーンシートを複数積層して、積層成形体を作製する工程と、該積層成形体を切断して還元雰囲気中で焼成する工程と、前記還元雰囲気よりも高酸素雰囲気下で熱処理する工程と、を具備することを特徴とする積層型電子部品の製法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9111683B2 (en) 2011-03-16 2015-08-18 Murata Manufacturing Co., Ltd. Dielectric ceramic and laminated ceramic capacitor

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006025205A1 (ja) * 2004-09-02 2006-03-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. 誘電体セラミック組成物、その製造方法及び積層セラミックコンデンサ
JP4299759B2 (ja) 2004-10-12 2009-07-22 Tdk株式会社 セラミック電子部品およびその製造方法
JP4511323B2 (ja) * 2004-11-25 2010-07-28 京セラ株式会社 積層セラミックコンデンサおよびその製法
JP4720193B2 (ja) * 2005-01-24 2011-07-13 株式会社村田製作所 誘電体セラミックおよびその製造方法、ならびに積層セラミックコンデンサ
US7706125B2 (en) * 2005-03-25 2010-04-27 Kyocera Corporation Multilayer ceramic capacitor and production method of the same
US7528088B2 (en) 2005-04-01 2009-05-05 Tdk Corporation Electronic device
JP5025210B2 (ja) * 2006-09-27 2012-09-12 京セラ株式会社 誘電体原料粉末の製法
JP4687680B2 (ja) 2007-03-29 2011-05-25 Tdk株式会社 誘電体磁器組成物の製造方法および電子部品の製造方法
JP5152017B2 (ja) * 2009-01-30 2013-02-27 株式会社村田製作所 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ
JP2011162401A (ja) 2010-02-10 2011-08-25 Murata Mfg Co Ltd 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ
JP5558249B2 (ja) * 2010-07-27 2014-07-23 京セラ株式会社 積層セラミックコンデンサ
JP5789295B2 (ja) 2011-03-04 2015-10-07 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ
JP5672119B2 (ja) * 2011-03-31 2015-02-18 Tdk株式会社 誘電体磁器組成物および電子部品
JP6306316B2 (ja) * 2013-10-29 2018-04-04 京セラ株式会社 コンデンサ
JP6269078B2 (ja) * 2014-01-09 2018-01-31 株式会社村田製作所 機能性金属酸化物材料の製造方法
JP2020155523A (ja) * 2019-03-19 2020-09-24 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
JP7351205B2 (ja) * 2019-12-12 2023-09-27 Tdk株式会社 誘電体組成物および電子部品
JP7276663B2 (ja) * 2019-12-27 2023-05-18 Tdk株式会社 誘電体組成物および電子部品
CN112919882B (zh) * 2021-03-30 2022-09-16 江西省萍乡市华东出口电瓷有限公司 一种高强度、高硬度耐候性瓷质绝缘子及其制备方法
CN117776672A (zh) * 2023-08-14 2024-03-29 滨州学院 一种多元氧化物陶瓷粉末的制备方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9111683B2 (en) 2011-03-16 2015-08-18 Murata Manufacturing Co., Ltd. Dielectric ceramic and laminated ceramic capacitor
DE112012001237B4 (de) 2011-03-16 2023-03-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Dielektrische Keramik und laminierter Keramikkondensator

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