JP4469654B2 - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関し、特に、大きな発熱量の半導体素子を搭載するのに適応した半導体装置及びその製造方法に関する。

近年の電子機器の多機能化、小型・薄型化に伴い、半導体装置の薄型化が要求されており、優れた放熱性及び防湿性を有する薄型の半導体装置が開発されている。例えば、特許文献１には以下に示すような構造を有する半導体装置が開示されている。

図２２は特許文献１に開示されている半導体装置５００の平面図、図２３は図２２における半導体装置５００の断面図である。

図２２に示すように、従来の半導体装置５００は、ダイパッド５１と、ダイパッド５１に戴置されている正方形の半導体素子５２と、ダイパッド５１に接続しておりダイパッド５１から外方に伸びる４本の吊りリード（吊り部材）５３，５３，…と、隣り合う吊りリード５３，５３の間に設けられ一方の先端が半導体素子５２の辺に対向して配置された複数本のインナーリード５４ｂ，５４ｂ，…と、各インナーリード５４ｂと一体に形成され、外部へ突出して形成されているアウターリード５４ｃ，５４ｃ，…と、半導体素子５２と前記各インナーリード５４ｂとを接続する複数本の金属細線（導電性細線）５５，５５，…と、ダイパッド５１、半導体素子５２、各吊りリード５３、各インナーリード５４ｂ及び金属細線５５とを封止する封止樹脂体５６と、を備えている。ここで、ダイパッド５１、各吊りリード５３、各インナーリード５４ｂ及び各アウターリード５４ｃは導電性部材からなっており、半導体素子５２は、導電性接着剤５７を用いてダイパッド５１の半導体素子戴置面５１ａに固定されている。各アウターリード５４ｃに対して外部電圧を印加することにより、半導体素子５２に対して所望の電圧を印加することができ、半導体装置として利用可能となる。

ダイパッド５１は、半導体素子５２を戴置する領域よりも外側に、半導体素子５２を戴置する領域から各インナーリード５４ｂの先端へ向かう方向に屈曲するウィング５１ｂを４個有しているため、半導体装置５００は防湿性に優れている。また、図２３に示すように、半導体素子戴置面５１ａと反対側の面（以下、「露出面」という。）５１ｃは、封止樹脂体５６から露出している。従って、半導体装置５００で生じた熱は露出面５１ｃを介して外部へ放出されるため、半導体装置５００は放熱性に優れる。すなわち、半導体装置５００は、放熱性及び防湿性に優れることとなる。

そして、このような半導体装置５００を製造するには、まず、導電性板状部材を加工して、上記に示したダイパッド５１、４本の吊りリード５３，５３，…、複数本のインナーリード５４ｂ，５４ｂ，…、複数本のアウターリード５４ｃ，５４ｃ，…及び複数本の金属細線５５，５５，…を一体として形成し、ダイパッド５１上に半導体素子５２を戴置し、導電性接着剤５７を用いて固定する。そして、半導体素子５２と各リード５４とを金属細線５５，５５，…を用いて接続し、ダイパッド５１、半導体素子５２、吊りリード５３、各インナーリード５４ｂ及び各金属細線５５を封止樹脂体５６を用いて封止する。その後、アウターリード５４ｃを成形することにより、図２２に示す半導体装置５００を製造することができる。
特開２０００−１９６００６号公報 特開平１１−１６８１６９号公報

しかしながら、半導体装置を高耐圧のＰＤＰドライバ、モータードライバなどに用いる場合には、半導体素子戴置面に対向する半導体素子の面（以下、「半導体素子被戴置面」という。）を接地する必要がある。というのは、半導体の拡散プロセスによって、支持基板（半導体素子被戴置面）の電位によりデバイス特性が変動するものがあり、今回採用する拡散プロセスは、支持基板を接地することが必須になっているためである。しかし、半導体装置５００では、半導体素子被戴置面を接地することはできず、従って半導体装置５００をＰＤＰドライバ、モータードライバなどに用いることは難しい。

一方、特許文献２には、半導体素子被戴置面を接地することができる半導体装置の構造などが開示されている。特許文献２に開示されている半導体装置は、図２４、２５に示すように、タブ（ダイパッド）６１と、タブ６１に戴置されている四辺形の半導体チップ（半導体素子）６２と、タブ６１に接続しておりタブ６１から外方に伸びる複数本のタブ吊りリード６３，６３，…と、隣り合うタブ吊りリード（吊り部材）６３，６３の間に設けられ一方の先端が半導体素子６２の辺に対向して配置された複数本のインナーリード６４ｂ，６４ｂ，…と、各インナーリード６４ｂと一体に形成され、外部へ突出して形成されているアウターリード（不図示）と、隣り合うタブ吊りリード６３，６３を接続し半導体チップ６２と半導体チップ６２の辺に対向している各インナーリード６４ｂの先端との間に位置づけられているグランド接続部６８と、半導体素子６２上に設けられた表面電極６５ａと前記各インナーリード６４ｂとを接続する複数本のボンディングワイヤー（導電性細線）６５，６５，…と、タブ６１、半導体素子６２、各タブ吊りリード６３、各インナーリード６４ｂ及び各ボンディングワイヤー６５を封止する封止体６６と、を備えている。

グランド接続部６８は、ボンディングワイヤー６５，６５，…を用いて半導体素子６２上に設けられた表面電極６５ｂ，６５ｂ，…とそれぞれ接続され、導電線細線６５，６５，…を用いてグランド用のインナーリード６４ｂ’，６４ｂ’，…とそれぞれ接続されている。これにより、半導体素子６２は、各表面電極６５ｂ、各ボンディングワイヤー６５及びグランド接続部６８を介して各グランド用のインナーリード６４ｂ’と電気的に接続しているため、グランド用のインナーリード６４ｂ’を接地することにより半導体素子６２を接地することができる。

しかし、ボンディングワイヤー６５は、非常に細いため、半導体装置６００の製造中に切断されてしまう虞がある。そして、各ボンディングワイヤー（導電性細線）６５を介して、半導体素子６２とグランド接続部６８とは電気的に接続されており、また、グランド接続部６８と各グランド用のインナーリード６４ｂ’とは電気的に接続されているため、各ボンディングワイヤー（導電性細線）６５が切断されてしまうと、半導体素子６２とグランド用のインナーリード６４ｂ’とは電気的に断線し、その結果、半導体素子６２を接地することはできなくなる。すなわち、半導体装置６００を製造するさいには細心の注意を払う必要があり、その結果、半導体装置６００の製造歩留まりは非常に悪くなる。また、図２５に示すように、タブ６１は封止体６６から露出していないため放熱性に欠け、また、ウィングを備えていないため防湿性に欠けるという新たな課題が招来する。

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、製造工程中に半導体装置の接地機能が低下または喪失することなく製造でき、且つ、放熱性及び防湿性に優れ、品質の安定した半導体装置及びその製造方法を提供することである。

本発明の半導体装置は、ダイパッドと、前記ダイパッドに戴置されている四辺形の半導体素子と、前記ダイパッドに接続しており当該ダイパッドから外方に伸びる複数本の吊り部材と、隣り合う前記吊り部材の間に設けられ一方の先端が前記半導体素子の辺に対向して配置された複数本のリードと、前記半導体素子と前記各リードとを接続する複数本の導電性細線と、前記ダイパッドと前記半導体素子と前記吊り部材と前記リードの一部と前記導電性細線とを封止する封止体と、を備え、前記ダイパッドと各前記吊り部材と各前記リードとは、導電性部材からなっており、前記半導体素子の辺に対向する側と反対側の前記リードの先端は、前記封止体から外部へ突き出しており、前記導電性部材からなり、前記吊り部材の少なくとも一本から伸びていて、一部が前記リードと略平行に並んで設けられている接地リードを備え、前記リードと略平行に並んで設けられている接地リード並行部は、一本の前記リードともう一本の前記リードとの間に位置づけられている。

ここで、前記リードと略平行に並んで設けられている接地リード並行部が一本の前記リードともう一本の前記リードとの間に位置づけられているとは、一本の接地リードが枝分かれして、リードと略平行に並んで設けられている接地リードの部分が複数個設けられている場合も含まれる。さらに、各リードと略平行に並んで設けられている接地リードの部分が一本のリードと一本のリードとの間に位置づけられている場合と、リードと略平行に並んで設けられている接地リードの部分の複数個が一本のリードと一本のリードとの間に位置づけられている場合も含む。

また、半導体装置において、前記ダイパッドと前記半導体素子とは、当該半導体素子を戴置している半導体素子戴置面において、電気的に接続されていることが好ましい。

ここで、当該半導体素子を戴置している半導体素子戴置面において電気的に接続されているとは、半導体素子戴置面と半導体素子戴置面に対向する半導体素子の面とが電気的に接続されていることである。

また、半導体装置において、前記半導体素子戴置面と、前記接地リード並行部の表面と、当該接地リード並行部以外の接地リードの一部分の表面とは、それぞれ略平行であり、前記接地リード並行部以外の接地リードの一部分の表面は、前記半導体素子戴置面と当該接地リード並行部の表面との間に設けられていることが好ましい。

また、半導体装置において、前記接地リード並行部以外の接地リードの部分は、当該接地リード並行部から前記半導体素子戴置面へ向かう階段状部を備えていてもよい。

また、半導体装置において、前記接地リード並行部以外の接地リードの部分は、前記半導体素子と前記半導体素子の辺に対向する側の前記リードの先端との間に位置していることが好ましい。

また、半導体装置において、前記導電性細線のうち少なくとも一本は、前記接地リード並行部以外の前記接地リードの部分を跨いで設けられていることが好ましい。

また、半導体装置において、前記半導体素子の辺に対向する側における前記複数のリードの先端部を構成する面のうち前記半導体素子戴置面と略平行な面は、それぞれ、実質的に同一の平面上に存し、前記実質的に同一の平面は、前記半導体素子戴置面と異なる平面上に存していることが好ましい。

また、半導体装置において、前記半導体素子戴置面と反対側の前記ダイパッドの面は、前記封止体から露出していることが好ましい。

また、半導体装置において、前記ダイパッドは、前記半導体素子を戴置する領域よりも外側に拡がっている拡がり部を有しており、前記拡がり部の少なくとも一部は、前記半導体素子を戴置する領域から前記リードへ向かう方向に屈曲していることが好ましい。

また、半導体装置において、前記半導体素子戴置面と反対側の前記ダイパッドの面は、外周に窪み部を備えていることが好ましい。

本発明の半導体装置の製造方法は、導電性板状部材を加工し、四辺形の半導体素子を戴置することとなるダイパッドと、前記ダイパッドに接続し当該ダイパッドから外方に伸びる複数本の吊り部材と、隣り合う前記吊り部材の間に設けられ一方の先端が前記半導体素子の辺に対向して配置される複数本のリードと、前記吊り部材の少なくとも一本から伸び一部が前記リードと略平行に並んで設けられる接地リードと、を一体として形成する形成工程と、前記ダイパッド上に前記半導体素子を戴置する工程と、前記半導体素子と前記リードとを導電性細線を用いて接続する工程と、封止体を用いて前記ダイパッドと、前記半導体素子と、前記吊り部材と、前記リードの一部と、前記接地リードと、前記導電性細線と、を封止する工程と、を含み、前記リードと略平行に並んで設けられる接地リード並行部を、一本の前記リードともう一本の前記リードとの間に位置づけて形成する。

ここで、前記リードと略平行に並んで設けられる前記接地リード並行部を一本の前記リードともう一本の前記リードとの間に位置づけて形成するとは、一本の接地リードに対して、リードと略平行に並んで設けられている接地リードの部分を複数個形成する場合も含まれる。さらに、各リードと略平行に並んで設けられている接地リードの部分を一本のリードと一本のリードとの間に形成する場合と、リードと略平行に並んで設けられている接地リードの部分の複数個を一本のリードと一本のリードとの間に形成する場合も含む。

また、半導体装置の製造方法では、前記ダイパッド上に前記半導体素子を戴置する工程において、前記ダイパッドと前記半導体素子とを、当該半導体素子を戴置している当該ダイパッドが備えている半導体素子戴置面において、電気的に接続することが好ましい。

ここで、前記ダイパッドと前記半導体素子とを、当該半導体素子を戴置している当該ダイパッドが備えている半導体素子戴置面において、電気的に接続するとは、半導体素子戴置面と半導体素子戴置面に対向する半導体素子の面とを電気的に接続することである。

また、半導体装置の製造方法では、前記形成工程において、前記半導体素子戴置面と、前記接地リード並行部の表面と、当該接地リード並行部以外の接地リードの一部分の表面とを、それぞれ略平行に設け、当該接地リード並行部以外の接地リードの部分の表面を、前記半導体素子戴置面と当該接地リード並行部の接地リードの表面との間に設けることが好ましい。

また、半導体装置の製造方法では、前記形成工程において、前記接地リード並行部以外の接地リードの部分に対して、当該接地リード並行部から前記半導体素子戴置面となる面へ向かう階段状部を設けてもよい。

また、半導体装置の製造方法では、前記形成工程において、前記接地リード並行部以外の接地リードの部分を前記半導体素子と前記半導体素子の辺に対向する側の前記リードの先端との間に位置づけて形成することが好ましい。

また、半導体装置の製造方法では、前記半導体素子と前記リードとを導電性細線を用いて接続する工程において、前記導電性細線のうち少なくとも一本を、前記リードと並んで設けられている部分以外の前記接地リードの部分を跨いで設けることが好ましい。

また、半導体装置の製造方法では、前記形成工程において、前記半導体素子の辺に対向する側における前記複数のリードの先端部を構成する面のうち前記半導体素子戴置面となる面に略平行な面をそれぞれ、実質的に同一の平面上に存在させ、前記実質的に同一の平面を前記半導体素子戴置面となる面と異なる平面上に存在させて形成することが好ましい。

また、半導体装置の製造方法では、前記封止体を用いて封止する工程において、前記半導体素子戴置面と反対側の前記ダイパッドの面を前記封止体から露出させることが好ましい。

また、半導体装置の製造方法では、前記形成工程において、前記ダイパッドを、前記半導体素子を戴置することとなる領域よりも外側に拡がる拡がり部を有して形成し、前記拡がり部の少なくとも一部を、前記半導体素子を戴置することとなる領域から前記リードへ向かう方向に屈曲して形成することが好ましい。

また、半導体装置の製造方法では、前記導電性板状部材を加工する工程において、前記半導体素子戴置面と反対側の前記ダイパッドの面の外周に対して、窪み部を設ける工程を備えていることが好ましい。

以上のように、本発明の半導体装置は、導電性部材からなり、吊り部材の少なくとも一本から伸びていて、一部が前記リードと略平行に並んで設けられている接地リードを備え、接地リードは半導体素子と電気的に接続される。そのため、半導体装置を接地するさい、導電性細線を用いる必要はなく、本発明の半導体装置は、製造工程において接地機能が低下または喪失することはない。また、半導体素子被戴置面は封止体から露出しているため、本発明の半導体装置は放熱性に優れる。更に、ダイパッドは拡がり部を備えているため、半導体素子を湿気から守ることができ、本発明の半導体装置は防湿性に優れる。

また、本発明の半導体装置の製造方法では、接地リードは、導電性板状部材を加工することにより形成され、半導体素子を接地させるために導電性細線を用いない。そのため、本発明の半導体装置の製造方法では、接地機能が低下または喪失することはなく半導体装置を製造することができ、よって、半導体装置の製造歩留まりは高い。

本発明の実施の形態を説明する前に、半導体素子戴置面に対向する半導体素子の面（以下、「半導体素子の被戴置面」という。）を接地することができるとともに放熱性及び防湿性に優れる半導体装置及びその半導体製造方法について、発明者達が検討したことを説明する。

まず、発明者達は、特許文献１に開示されている半導体装置５００を半導体素子の被戴置面を接地することができる半導体装置（以下、「接地用半導体装置」という。）とすることを検討した。

第１案は、半導体装置５００において、複数本のリード５４，５４，…のうちの一本をＧＮＤ端子に接続するリード（以下、「ＧＮＤ端子接続リード」という。）とし、金属細線（導電性細線）を用いてダイパッド５１とＧＮＤ端子接続リードとを接続することにより半導体素子の被戴置面を接地する、というものである。ここで、ダイパッド５１と半導体素子５２とは導電性接着剤５７を介して電気的に接続されており、導電性細線を介してＧＮＤ端子接続リードとダイパッド５１とは電気的に接続されることとなる。よって、ＧＮＤ端子接続リードを接地することにより、半導体素子の被戴置面を接地することができることとなる。

しかし、半導体素子戴置面５１ａの大きさと半導体素子の被戴置面の大きさとがほとんど変わらない場合、半導体素子戴置面５１ａにおける半導体素子５２が戴置されていない部分は狭くなる。そのため、半導体素子戴置面５１ａには、金属細線を設けるためのスペースがほとんどなく、金属細線を用いてダイパッド５１とＧＮＤ端子接続リードとを接続することはできないこととなる。以上より、半導体素子戴置面５１ａの大きさと半導体素子の被戴置面の大きさとがほとんど変わらない場合、第１案にかかる半導体装置は接地用半導体装置としての有用性は低い。

また、各インナーリード５４ｂとＧＮＤ端子接続リードとは同一平面上に存在し、また図２３に示すようにダイパッド５１と各インナーリード５４ｂとは異なる平面上に存在しているため、ダイパッド５１とＧＮＤ端子接続リードとは異なる平面上に存在していることとなる。従って、金属細線を用いてダイパッド５１とＧＮＤ端子接続リードとを接続することは容易ではない。そのうえ、ダイパッド５１はウィング（拡がり部）５１ｂを備えているため、金属細線を用いてダイパッド５１とＧＮＤ端子接続リードとを接続するさい、金属細線とウィング５１ｂとが接触する虞がある。そして、金属細線とウイング５１ｂとが接触することにより、金属細線の断線、あるいは不着が発生する。金属細線が接続されていないと、ＧＮＤ端子接続リードとダイパッド５１とは電気的に接続されていない。つまり、ＧＮＤ端子接続リードにＧＮＤ電位を印加しても半導体素子５２の被戴置面を接地することができない。よって、第１案にかかる半導体装置は接地用半導体装置として使用不可能となる。

そこで、発明者達は、製造中に断線、あるいは不着が生じることない接地用半導体装置を考えた。すなわち、第２案は、金属細線を用いて吊りリード（吊り部材）５３とＧＮＤ端子接続リードとを接続することにより、半導体素子の被戴置面を接地する、というものである。この場合、ＧＮＤ端子接続リードは、金属細線及び吊りリード５３を介してダイパッド５１と電気的に接続され、よって、ＧＮＤ端子接続リードを接地することにより半導体素子の被戴置面を接地することができる。そのため、金属細線を用いて吊りリード５３とＧＮＤ端子接続リードとを接続するさい、第１案と異なり、金属細線がウイング５１ｂと接触する危険性は極めて低く、よって、第２案にかかる半導体装置は、使用時に半導体素子５２の被戴置面を接地できないことはないため性能が低下する虞はなく、接地用半導体装置としての有用性は高いかと思われる。

しかし、第２案にかかる半導体装置では、吊りリード５３に隣接するリードをＧＮＤ端子接続リードとする必要がある。以下にその理由を示す。吊りリード５３に隣接するリードをＧＮＤ端子接続リードとしない場合、吊りリード５３とＧＮＤ端子接続リードとの間には何本かのリードが存在することとなる。そのため、ＧＮＤ端子接続リードと吊りリード５３を接続する接地用金属細線は、吊りリード５３とＧＮＤ端子接続リードとの間に存在する何本かのリード、あるいはそれらの各リードと半導体素子５２とをそれぞれ接続する各金属細線を跨いで設けられることとなる。よって、ＧＮＤ端子接続リードと吊りリード５３とを接続するとき、接地用金属細線が何本かのリードまたは何本かの金属細線に接触してしまい、接地用金属細線の断線または付着が生じてしまう虞がある。従って、接地用金属細線の断線または付着を避けるためには、吊りリード５３に隣接するリードをＧＮＤ端子接続リードとする必要があり、その結果、ＧＮＤ端子接続リードの位置が決定されてしまい、半導体装置のレイアウトは制約されてしまう。よって、第２案に係る半導体装置も、接地用半導体装置としての有用性は低い。

そこで、発明者達は、半導体装置のレイアウトを制約することのない接地用半導体装置を考えた。すなわち、第３案は、ＧＮＤ端子接続リードを用いるのではなく、金属細線を介して吊りリード５３と半導体素子５２の表面とを接続する、というものである。具体的には、半導体素子表面にＧＮＤパッドを設け、ＧＮＤパッドと吊りリード５３とを接続する。しかし、この場合も第２案にかかる半導体装置と同様、半導体素子５２の表面の角部にＧＮＤパッドを配置しなければ、吊りリード５３とＧＮＤパッドとを接続する接地用金属細線は、他の金属細線を跨いで設けられることとなる。そのため、接地用金属細線が他の金属細線と接触してしまう虞があり、その結果、接地用金属細線の断線または付着が生じる危険性がある。従って、接地用金属細線の断線または付着を避けるためには半導体素子５２の表面の角部にＧＮＤパッドを配置する必要がある。その結果、今度は、半導体素子５２の形状が制約されてしまう。以上より、第１、２、３案に係る半導体装置は、いずれも、接地用半導体装置としての有用性は低いことがわかった。

次に、発明者達は、特許文献２に開示されている半導体装置６００の構造を、特許文献１に開示されている半導体装置５００に適用することを検討した。

すなわち、第４案は、半導体装置６００におけるグランド接続部６８を半導体装置５００に設けるという策である。このとき、第４案に係る半導体装置では、金属細線を用いてダイパッド５１とグランド接続部とを接続し、金属細線を用いてグランド接続部とグランド用のインナーリードとを接続し、グランド用のインナーリードを接地することにより、半導体素子の被戴置面を接地することができる。しかし、ダイパッド５１はウィング５１ｂを備えているため、ウィング５１ｂの先端とインナーリード５４ｃの先端との距離は、特許文献２の半導体装置６００におけるタブ６１の端部とグランド用インナーリード６４ｂ’の先端との距離に比べ短い。従って、グランド接続部を設けることとなる領域は非常に狭くなり、グランド接続部は非常に細くなってしまう。そのため、半導体装置の製造工程中に、グランド接続部が崩壊してしまう危険性は否定できない。そして、グランド接続部を介してダイパッド５１とグランド用のインナーリードとが電気的に接続されているため、グランド接続部が崩壊してしまうと、第４案にかかる半導体装置は接地用半導体装置として機能しなくなる。

さらに、グランド接続部が非常に細くなると、半導体装置内の空間においてグランド接続部は変位しやすくなる。半導体装置内の空間においてグランド接続部が変位してしまうと、ダイパッド５１とグランド接続部とを接続している金属細線及びグランド接続部とグランド用のインナーリードとを接続している金属細線が断線してしまう。従って、第４案にかかる半導体装置も、上記の第１、２、３案にかかる半導体装置と同様、接地用半導体装置としての有用性は低いことがわかった。

以上の考察の末に、発明者達は、導電性細線を用いることなく半導体素子の被戴置面を接地するという本発明に至った。以下に本発明の実施形態について図面に基づいて説明する。なお、以下の実施形態は例であって、本発明はこれらの実施形態に限定されない。また、下記実施形態１、２、３における半導体装置の上下方向については、ダイパッドが下方であり各リードが上方であるとする。
（第１の実施形態）
以下に図１、２、３、４、５、６に基づいて、本実施形態を説明する。

本実施形態では、半導体装置１００の製造方法、本発明の半導体装置１００の構造及び半導体装置１００における半導体素子の被戴置面２ａを接地するメカニズムを図面を用いて説明する。図１、２、３、４は半導体装置１００の製造方法を説明する図、図５はダイパッド１の拡大図、図６は接地リード１１の斜視図、である。また、図１（ｂ）、２（ｂ）、３（ｂ）及び４（ｂ）は、それぞれ、図１（ａ）、２（ａ）、３（ａ）及び４（ａ）におけるＩＢ断面図、ＩＩＢ断面図、ＩＩＩＢ断面図、ＩＶＢ断面図である。

半導体装置１００を製造するには、まず、図１に示すように、導電性板状部材を用意し、導電性板状部材に対してエッチング加工やプレス加工を施すことにより、四辺形の半導体素子２を戴置することとなるダイパッド１と、ダイパッド１に接続しダイパッド１から外方に伸びる複数本の吊り部材３，３，…と、隣り合う吊り部材３、３の間に設けられ一方の先端（以下、「半導体素子に対向するリード先端」という。）４ａが半導体素子の辺に対向して配置される複数本のリード４，４，…と、吊り部材３から伸び一部がリード４と略平行に並んで設けられる接地リード１１と、を一体として形成し、リードフレーム１９を作製する。なお、図１（ａ）に付しているハッチングは、断面を表しているのではなく、エッチング加工によりエッチングされずに残存している箇所を表している。

ダイパッド１を形成するさいには、半導体素子の被戴置面２ａ（図２（ｂ）に図示）よりも大きくダイパッド１の半導体素子戴置面１ａを形成する。そして、半導体素子２を戴置することとなる領域よりも外側に拡がる部分の先端をリード４へ向かう方向に屈曲加工して、拡がり部１ｂを形成する。これにより、防湿性に優れた半導体装置を製造することができる。また、図５に示すように、半導体素子戴置面１ａと反対側のダイパッド１の面（以下、「露出面」という。）１ｃの外周を切削加工することにより、窪み部１ｄを形成する。これにより、後述する封止工程において、薄バリが形成される領域を小さく抑えることができる。

吊り部材３を形成するさいには、ディプレス（ｄｅｐｒｅｓｓ）加工を施し、図１（ｂ）に示すように、平坦部３ａと斜面部３ｂとを形成する。そして、斜面部３ｂを形成することにより、半導体戴置面１ａは平坦部３ａよりも図１（ｂ）における下方に位置づけて形成されることとなる。そして、半導体戴置面１ａを平坦部３ａよりも図１（ｂ）における下方に位置づけて形成することにより、後述する封止工程において、露出面１ｃを封止体６から露出させることができることとなる。

リード４を形成するさいには、図６に示すように、半導体素子に対向するリード先端４ａを構成する面のうち上方の面（以下、「リード先端上面」という。）４ｂ（図６に点を付して示す面）を半導体素子戴置面１ａに対して略平行に形成し、各リード先端上面４ｂをそれぞれ実質的な同一平面上に形成する。

本発明のポイントである接地リード１１を形成するさいには、図１、６に示すように、吊り部材３から伸びて形成する接地リード伸長部１１ａを半導体素子に対向するリード先端４ａとダイパッド１との間に位置付けて形成する。すなわち、接地リード１１は、吊り部材３と一体に形成されているため、ダイパッド１と電気的に接続されることとなる。また、各リード４と略平行に並んで設けられる接地リード並行部１１ｂを一本のリード１０４ａともう一本のリード１０４ｂとの間に位置づけて形成する。そして、半導体素子戴置面１ａに平行な接地リード伸長部１１ａの上面１１ｇと半導体素子戴置面１ａに平行な接地リード並行部１１ｂの上面１１ｈ（１１ｇ及び１１ｈは図６に斜線を付して示す面であり、互いに逆方向の斜線を付している。）とを実質的な同一平面内に形成し、且つ、接地リード並行部１１ｂの上面１１ｈとリード先端上面４ｂとを実質的な同一平面内に形成する。

以上より、半導体戴置面１ａは平坦部３ａよりも下方に形成され、半導体素子戴置面１ａに平行な平坦部３ａの面、各リード４のリード先端上面４ｂ、接地リード伸長部１１ａの上面１１ｇ及び接地リード並行部１１ｂの上面１１ｈは実質的な同一平面に形成されるため、半導体戴置面１ａは、各リード４及び接地リード１１よりも下方に形成されることとなる。

ここで、実質的な同一平面とは、数学的意味における同一平面を意味するのではなく、半導体装置としての機能が低下しない程度に同一平面にあることを意味する。従って、実質的な同一平面には、若干の歪曲を有している平面も含まれる。

次に、図２に示すように、ダイパッド１に半導体素子２を戴置する。このとき、半導体素子２を導電性接着剤７を用いて半導体素子戴置面１ａに固定する。これにより、半導体素子２をダイパッド１上に固定することができるとともに、半導体素子戴置面１ａと半導体素子の被戴置面２ａとを電気的に接続することができる。これにより、半導体素子２は、導電性接着剤７、ダイパッド１及び吊り部材３を介して接地リード１１と電気的に接続されることとなり、接地リード１１の端部を接地端子などに接続することにより半導体素子の被戴置面２ａを接地することができることとなる。

そして、複数本の導電性細線５を用いて、半導体素子２と各リード４とを接続し、半導体素子２と接地リード並行部１１ｂとを接続する。なお、接地リード１１が設けられている部分では、導電性細線５は、接地リード伸長部１１ａを跨いで、半導体素子２と各リード４とを接続する。これにより、半導体素子２と各リード４とは電気的に接続され、各リード４に所望の電圧を印加することにより、半導体素子２に所望の電圧を印加することができる。その結果、半導体装置として作動可能となる。

その後は、図３に示すように、ダイパッド１、半導体素子２、各吊り部材３、各リード４の一部、各導電性細線５及び接地リード１１を、封止体を用いて封止する。具体的には、まず、図２に示す半導体素子２及び各導電性細線５を備えているリードフレーム１９を、図３（ｂ）に示す上金型１５と注入穴１６ａを備える下金型１６とにより密封する。このとき、露出面１ｃを下金型１６の内壁面１６ｂに当接させる。これにより、放熱性に優れる半導体装置１００を製造することができる。また、半導体素子に対向するリード先端４ａと反対側のリード４の先端及び接地リード１１の先端は、上金型１５及び下金型１６から外側へ突出させておく。次に、上金型１５と下金型１６とをかみ合わせることにより形成された空間１７に、注入穴１６ａから封止体を形成することとなる樹脂１８を注入する。そして、樹脂１８が硬化した後に、上金型１５及び下金型１６を取り外す。これにより、ダイパッド１、半導体素子２、各吊り部材３、リード４の一部、各導電性細線５及び接地リード１１を封止することができ、その結果、封止体を形成することができる。そして、上金型１５及び下金型１６から外側へ突出させていた各リード４及び接地リード１１を所定のリード形状に加工する。これにより、半導体装置１００を製造することができる。なお、図３（ａ）は、上金型１５を取り外した状態を記載している。

上記の工程を経て製造された半導体装置１００は、図４に示すように、ダイパッド１と、導電性接着剤７を用いて半導体素子戴置面１ａに戴置されている四辺形の半導体素子２と、ダイパッド１に接続しておりダイパッド１から外方に伸びる複数本の吊り部材３，３，…と、隣り合う吊り部材３，３の間に設けられ半導体素子に対向するリード先端４ａが半導体素子２の各辺２ｂに対向して配置された複数本のリード４，４，…と、半導体素子２と各リード４とを接続する複数本の導電性細線５，５，…と、一本の吊り部材３から伸びていて、一部が各リード４と略平行に並んで設けられている接地リード１１と、ダイパッド１、半導体素子２、各吊り部材３、各リード４の一部、各導電性細線５及び接地リード１１を封止する封止体６と、を備えている。そして、吊り部材３が斜面部３ｂを備えており、吊り部材３、リード４及び接地リード１１が実質的に同一平面に形成されているため、半導体素子戴置面１ａは、吊り部材３、リード４及び接地リード１１とは異なる平面内に位置づけられている。具体的には、図４（ｂ）の下方向に位置づけられている。

半導体装置１００におけるポイントとなる接地リード１１は、図４、６に示すように、吊り部材３から伸びている接地リード伸長部１１ａと各リード４と略平行に並んで設けられている接地リード並行部１１ｂとを備えている。接地リード伸長部１１ａは、半導体素子２の辺２ｂと半導体素子に対向するリード先端４ａとの間に位置している。接地リード並行部１１ｂは、図６に示すように、一本のリード１０４ａともう一本のリード１０４ｂとの間に位置づけられている。そして、接地リード１１の先端は封止体６から外部へ突き出しており、これにより、接地リード１１を例えば接地端子に接続しさえすれば接地することができる。よって、接地リード１１と接地端子などとの接続は容易である。なお、半導体装置１００は、図４（ｂ）における上方から見ると封止体６しか見えないため、図４（ａ）は半導体装置１００の上方に設けられている封止体６を透視した図である。

次に、半導体装置１００において、半導体素子の被戴置面２ａを接地するメカニズムについて説明する。

図４（ａ）に示すように、接地リード１１は、吊り部材３を介してダイパッド１と一体となっており、また、ダイパッド１、吊り部材３及び接地リード１１は導電性部材からなっているため、接地リード１１はダイパッド１と電気的に接続されていることとなる。また、図１（ｂ）に示すように、半導体素子２は、半導体素子戴置面１ａに対して導電性接着剤７を介して固定されているため、半導体素子戴置面１ａと半導体素子の被戴置面２ａとは電気的に接続されている。従って、接地リード１１は、吊り部材３、ダイパッド１及び導電性接着剤７を介して半導体素子の被戴置面２ａと電気的に接続される。従って、接地リード１１と半導体素子の被戴置面２ａとは電気的に接続されているため、接地リード１１を接地すると半導体素子の被戴置面２ａは接地される。以上より、導電性細線を用いることなく半導体装置１００を接地することができるため、導電性細線を用いて接地リードとダイパッドなどとを接続する手間を省くことができるとともに、製造工程中において導電性細線が切断されることはなく半導体装置の接地機能が低下または喪失してしまうことはない。従って、半導体装置１００を容易に製造することができ、かつその製造歩留まりは高くなる。

以下に、本実施形態における半導体装置１００及び半導体装置１００の製造方法が奏する効果を示す。

本実施形態における半導体装置１００は、従来の半導体装置が備えているダイパッド、吊り部材、リード、導電性細線及び封止体に付け加え、導電性材質からなり、吊り部材３の少なくとも一本から伸びていている接地リード伸長部１１ａとリード４と略平行に並んで設けられている接地リード並行部１１ｂとを備えている接地リード１１を有している。これにより、接地リード１１は、半導体素子の被戴置面２ａと電気的に接続されているため、接地リード１１を接地端子などに接続することにより、半導体素子の被戴置面２ａを接地することができる。よって、半導体装置１００では、容易に半導体素子の被戴置面２ａを接地することができる。

また、半導体装置１００では、接地リード１１は、吊り部材３と一体に形成されているため、製造工程中において封止体６が形成されこととなる空間内で変位することはない。
さらに、接地するために導電性細線を用いないため、製造工程中に導電性細線が切断してしまうことはない。従って、本発明にかかる半導体装置１００の製造方法では、接地機能の低下及び喪失を招来することなく半導体装置を製造することができるため、製造歩留まりが高いとともに、接地用半導体装置として高い性能を有する半導体装置を製造することができる。

また、半導体装置１００では、導電性細線を用いることなく半導体素子の被戴置面２ａを接地するため、本発明にかかる半導体装置１００の製造方法は、接地するために導電性細線を用いて部材同士を接続するという工程を含んでいない。そのため、半導体装置１００を容易に製造することができる。

更に、半導体素子の被戴置面２ａを接地するさいには導電性細線を用いないため、接地リード１１の位置並びに後述の変形の形態１、２、３に示すように、接地リード１１の形状及び本数を自由に選択することができる。従って、各部材の位置関係において制約されることなくリードフレーム１９を設計することができる。

そのうえ、半導体装置１００は封止体６から露出している露出面１ｃを備えている。そのため、半導体装置１００で生じた熱は露出面１ｃを介して半導体装置の外部へ放出され、その結果、半導体装置１００は放熱性に優れる。一方、露出面１ｃを備えているため、露出面１ｃを介して空気中の水分や不純物が半導体装置１００内に混入してしまう。しかし、ダイパッド１は拡がり部１ｂを備えており、拡がり部１ｂにより露出面１ｃを介して混入した空気中の水分や不純物が半導体素子２の表面に付着することは未然に防がれる。従って、半導体装置１００は防湿性に優れるとともに、長時間にわたり半導体装置１００を使用しても、半導体素子２の表面には水分及び不純物が付着しないため、半導体素子２の性能が低下することはなく、半導体装置としての性能は良い。

また、露出面１ｃの外周には窪み部１ｄが形成されているため、空間１７に樹脂１８を注入するさいに上金型１５及び下金型１６に加わる注入圧力を低く抑えることができ、樹脂１８を封入するときに上金型１５及び下金型１６が崩壊することはない。また、窪み部１ｄが形成されていることより、空間１７に入りきらなかった余剰の樹脂は窪み部１ｄに溜まるため、余剰の樹脂１８は窪み部１ｄで堰き止められる。よって、露出面１ｃへの樹脂１８の流入を防止できる。そのため、露出面１ｃに樹脂１８が付着する虞はなく、露出面１ｃを他の導電性部材に半田付けすることができるなど、露出面１ｃを有効に利用することができる。

以上をまとめると、本実施形態における半導体装置１００及び半導体装置の製造方法は、接地用半導体装置として性能が良いこと、製造歩留まりが高いこと、容易に製造できること、リードフレームにおける各部材の配置は限定されないこと並びに防湿性及び放熱性に優れることという効果を得られるという点で従来の半導体装置よりも優れる。

なお、接地リードの形状は、本実施形態の接地リード１１の形状に限定されない。以下に本実施形態における変形の形態１、２、３をそれぞれ図７、８、９を用いて説明する。そして、本実施形態における半導体装置１００と変形の形態１、２における半導体装置１１０、１２０とでは、接地リードの形状のみが異なる。以下において、本実施形態と重複する箇所については、詳細な説明を省略している。

（変形の形態１）
図７は変形の形態１における半導体装置１１０の平面図を示す。変形の形態１における接地リード１１１は略Ｔ字型である。それ以外の点は、本実施形態における半導体装置１００と同一である。

すなわち、接地リード１１１を形成するさいには、隣り合う吊り部材３，３から伸びて形成する接地リード伸長部１１１ａを半導体素子に対向するリード先端４ａとダイパッド１との間に位置付けて形成し、接地リード並行部１１ｂを接地リード伸長部１１１ａの途中から形成し一本のリード１１４ａともう一本のリード１１４ｂとの間に位置づけて形成する。それ以外の点に関しては、本実施形態における半導体装置１００の製造方法、構造、半導体素子の被戴置面を接地するメカニズムと同一である。

そして、変形の形態１が奏する効果は、本実施形態が奏する上記の効果に付け加え、接地リード伸長部１１１ａは隣り合う吊り部材３，３で固定されるため、接地リード１１１が変位することを更に防ぐことができる、というものである。

（変形の形態２）
図８は変形の形態２における半導体装置１２０の平面図を示す。変形の形態２における接地リード１２１は接地リード並行部を複数個備えている。それ以外の点は、本実施形態における半導体装置１００と同一である。

すなわち、接地リード１２１を形成するさいには、接地リード並行部１２１ｂを複数個形成する。具体的には、接地リード並行部１２１ｂ，１２１ｂ’，１２１ｂ”を一本のリード１２４ａともう一本のリード１２４ｂとの間に位置づけて形成する。それ以外の点に関しては、本実施形態における半導体装置１００の製造方法、構造、半導体素子の被戴置面を接地するメカニズムと同一である。

そして、変形の形態２が奏する効果は、本実施形態が奏する効果に付け加え、複数個の接地リード並行部１２１ｂ，１２１ｂ’，１２１ｂ”を備えることにより、どの接地リード並行部の先端を接地端子などに接続しても半導体素子の被戴置面２ａを接地することができる。従って、例えば、長期間に亘り、接地リード並行部１２１ｂの先端を接地端子などに接続して半導体素子の被戴置面２ａを接地していた結果、接地リード並行部１２１ｂの導電性が低下してしまった場合などは、接地リード並行部１２１ｂ’，１２１ｂ”の先端を接地端子に接続することにより、半導体素子の被戴置面２ａを接地することができ、設置用半導体装置として半導体装置１００を長い間使用することができる、というものである。

（変形の形態３）
図９は変形の形態３における半導体装置１３０の平面図を示す。変形の形態３における接地リード１３１は接地リード並行部を複数個備えており、各接地リード並行部は一本のリードとその他の一本のリードとの間に位置づけて形成されている。それ以外の点は、本実施形態における半導体装置１００と同一である。

すなわち、接地リード１３１を形成するさいには、接地リード並行部１３１ｂを複数個形成する。具体的には、第１の接地リード並行部１３１ｂを一本のリード１３４ａともう一本のリード１３４ｂとの間に位置づけ、第２の接地リード並行部１３１ｂ’を一本のリード１３４ｂとまた別の一本のリード１３４ｃとの間に位置づけ、第３の接地リード並行部１３１ｂ”を一本のリード１３４ｃと更に別の一本のリード１３４ｄとの間に位置づけて形成する。それ以外の点に関しては、本実施形態における半導体装置１００の製造方法、構造、半導体素子の被戴置面を接地するメカニズムと同一である。

そして、変形の形態３が奏する効果は、本実施形態が奏する効果に付け加え、複数個の接地リード並行部１３１ｂ，１３１ｂ’，１３１ｂ”を備えていることにより、どの接地リード並行部の先端を接地端子などに接続しても半導体素子の被戴置面２ａを接地することができる。さらに、各接地リード並行部は、それぞれ離れて位置づけられているため、例えば、空間的制約から接地リード並行部１３１ｂを接地端子に接続できなくても、接地リード並行部１３１ｂ’や接地リード並行部１３１ｂ”を接地端子に接続することができる場合には、接地リード並行部１３１ｂ’の先端や接地リード並行部１３１ｂ”の先端を接地端子などに接続することにより、半導体素子の被戴置面２ａを接地することができる。従って、半導体装置１３０の利用範囲は拡がる、というものである。
（第２の実施形態）
本実施形態では、上記実施形態１における半導体装置１００とは接地リードの形状が異なる半導体装置について図１０、１１を用いて説明する。なお、上記実施形態１と重複する箇所については、詳細な説明を省略する。また、図１０、１１は半導体装置２００の製造方法を説明する図、図１２は接地リード２１の斜視図、であり、上記実施形態１における図面、図１、２、３、４、５及び６と同一の構造及び機能を有する部分については同一の符号を付している。

まず、図１０に示すように、導電性板状部材を用意し、導電性板状部材に対してエッチング加工やプレス加工を施すことにより、四辺形の半導体素子２を戴置することとなるダイパッド１と、ダイパッド１に接続しダイパッド１から外方に伸びる複数本の吊り部材３，３，…と、隣り合う吊り部材３、３の間に設けられ半導体素子に対向するリード先端４ａが半導体素子の辺に対向して配置される複数本のリード４，４，…と、吊り部材３から伸びていて、階段状部２１ｃ，２１ｃを備えていることにより各吊り部材３と異なる平面上に位置づけられている下段接地リード伸長部２１ａ’及び一本のリード２０４ａともう一本のリード２０４ｂとの間に位置づけられている接地リード並行部２１ｂを備えている接地リード２１と、を一体として形成し、リードフレーム２９を作製する。なお、図１０（ａ）に付しているハッチングは、断面を表しているのではなく、エッチング加工によりエッチングされずに残存している箇所を表している。

上記実施形態１における接地リード１１と相違する接地リード２１を形成するさいには、プレス加工を施して階段状部２１ｃ，２１ｃを形成する。具体的には、図１２に示すように、半導体素子戴置面１ａに平行な接地リード並行部２１ｂの面２１ｈを各リード４のリード先端上面４ｂと実質的に同一平面に形成し、接地リード伸長部の両端、すなわち、吊り部材３に接続している接地リード伸長部の端と接地リード並行部２１ｂに接続している接地リード伸長部の端とに対してプレス加工を施す。すると、両端を階段状部２１ｃ，２１ｃとする下段接地リード伸長部２１ａ’が形成される。そして、半導体素子戴置面１ａに平行な下段接地リード伸長部２１ａ’の上面２１ｇ’を接地リード並行部２１ｂの面２１ｈと半導体素子戴置面１ａとの間に形成する。（２１ｇ’及び２１ｈは図１２に斜線を付して示す面である。そして、２１ｇ’及び２１ｈは互いに逆方向の斜線を付している。）以上より、リードフレーム２９を横から観察すると、ダイパッド１が一番に下に位置付けられ、ダイパッド１の半導体素子戴置面１ａよりも上方に接地リード２１の下段接地リード伸長部２１ａ’が位置付けられ、接地リード２１の下段接地リード伸長部２１ａ’の上面２１ｇ’よりも上方に接地リード２１の接地リード並行部２１ｂ及び各リード４が位置づけられて形成されている。

その後の工程は、上記実施形態１における半導体装置１００の製造方法と同一であり、図１１に示す半導体装置２００を製造することができる。そして、本実施形態における半導体装置２００が奏する効果は、半導体装置１００が奏する効果に付け加えて、接地リード２１が下段接地リード伸長部２１ａ’を備えているため、導電性細線５を用いて半導体素子２と接地リード２１とを接続するさいに接地リード伸長部が立体的傷害となることはなく、より容易に半導体素子２と接地リード２１とを接続することができる。

なお、本実施形態においても、上記実施形態１と同様、変形の形態１、２、３を適用することができる。例えば、以下に上記実施形態１の変形の形態１に対応する変形の形態ついて説明をする。

図１３に示すように、変形の形態１における接地リード２２１は略Ｔ字型である。それ以外の点は、本実施形態における半導体装置２００と同一である。

すなわち、接地リード２２１を形成するさいには、隣り合う吊り部材３，３から伸びて形成する下段接地リード伸長部２２１ａを半導体素子に対向するリード先端４ａとダイパッド１との間に位置付けて形成し、接地リード並行部２２１ｂを下段接地リード伸長部２２１ａの途中から形成し一本のリード２１４ａともう一本のリード２１４ｂとの間に位置づけて形成する。それ以外の点に関しては、本実施形態における半導体装置２００の製造方法、構造、半導体素子の被戴置面を接地するメカニズムと同一である。

そして、変形の形態１が奏する効果は、本実施形態が奏する上記の効果に付け加え、下段接地リード伸長部２２１ａを隣り合う吊り部材３，３で固定することにより、接地リード２２１が変位することを更に防ぐことができるというものである。
（第３の実施形態）
本実施形態では、上記実施形態１における半導体装置１００とは接地リード及び吊り部材の形状が異なる半導体装置について図１４、１５、１６を用いて説明する。そのため、上記実施形態１と重複する箇所については、詳細な説明を省略する。ここで、図１４、１５は半導体装置３００の製造方法を説明する図、図１６は接地リード３１の斜視図、であり、上記実施形態１における図面、図１、２、３、４、５及び６と同一の構造及び機能を有する部分については同一の符号を付している。

まず、図１４に示すように、導電性板状部材を用意し、導電性板状部材に対してエッチング加工やプレス加工を施すことにより、四辺形の半導体素子２を戴置することとなるダイパッド１と、ダイパッド１に接続しダイパッド１から外方に伸びる複数本の吊り部材３３，３３，…と、隣り合う吊り部材３３、３３の間に設けられ半導体素子に対向するリード先端４ａが半導体素子の辺に対向して配置される複数本のリード４，４，…と、吊り部材３３の平坦部３３ａから伸びる接地リード伸長部３１ａ及び一本のリード３０４ａともう一本のリード３０４ｂとの間に位置づけられている接地リード並行部３１ｂを備えている接地リード３１と、を一体として形成し、リードフレーム３９を作製する。なお、図１４（ａ）に付しているハッチングは、断面を表しているのではなく、エッチング加工によりエッチングされずに残存している箇所を表している。

吊り部材３３を形成するさいには、ディプレス加工を施し、図１４（ｂ）に示すように平坦部３３ａと斜面部３３ｂとを形成する。このとき、接地リード伸長部３１ａと吊り部材３３との接点は平坦部３３ａに形成されるため、斜面部３３ｂは、図１（ｂ）に示す上記実施形態１の平坦部３ｂよりもダイパッド１に近づく方向に形成されている。すなわち、本実施形態の平坦部３３ａは上記実施形態１の平坦部３ａよりもダイパッド１へ近づく方向に長く形成され、本実施形態の接地リード伸長部３１ａと吊り部材３３との接点も上記実施形態１の接地リードの伸長部１１ａと吊り部材３との接点よりもダイパッド１に近づく方向に形成されている。

以上より、図１６に示すように、半導体戴置面１ａは平坦部３３ａよりも下方に形成され、半導体素子戴置面１ａに平行な平坦部３３ａの面、各リード４のリード先端上面４ｂ、接地リード伸長部３１ａの上面３１ｇ及び接地リード並行部３１ｂの上面３１ｈは、実質的に同一の平面に形成されていることとなる。

その後の工程は、上記実施形態１における半導体装置１００の製造方法と同一であり、図１５に示す半導体装置３００を製造することができる。そして、本実施形態における半導体装置３００が奏する効果は、上記実施形態１における半導体装置１００が奏する効果に付け加え、以下の効果を奏することができる。すなわち、接地リード伸長部３１ａと吊り部材３３との接点付近において、接地リード３１ａが湾曲状部を備える必要がないため、図６に示す接地リード伸長部先端と吊り部材３の平坦部３ａとを接続するための湾曲した部材を設ける必要はない。従って、接地リード伸長部３１ａと吊り部材３３との接点付近において、空間を有効に利用することができる。例えば、図１６に示すように、半導体素子に対向するリード先端４ａを揃えることができる、という効果を得ることができる。

なお、本実施形態においても、上記実施形態１と同様、変形の形態１、２、３を適用することができる。例えば、以下に上記実施形態１の変形の形態１に対応する変形の形態ついて説明をする。

図１７に示すように、変形の形態１における接地リード３３１は略Ｔ字型である。それ以外の点は、本実施形態における半導体装置３００と同一である。

すなわち、接地リード３３１を形成するさいには、隣り合う吊り部材３３，３３から伸びて形成する接地リード伸長部３３１ａを半導体素子に対向するリード先端４ａとダイパッド１との間に位置付けて形成し、接地リード並行部３３１ｂを接地リード伸長部３３１ａの途中から形成し一本のリード３１４ａともう一本のリード３１４ｂとの間に位置づけて形成する。それ以外の点に関しては、本実施形態における半導体装置３００の製造方法、構造、半導体素子の被戴置面を接地するメカニズムと同一である。

そして、変形の形態１が奏する効果は、本実施形態が奏する上記の効果に付け加え、接地リード伸長部３３１ａを隣り合う吊り部材３３，３３で固定することにより、接地リード３３１が変位することを更に防ぐことができるというものである。
（第４の実施形態）
本実施形態では、上記実施形態１における半導体装置１００とは接地リード及び吊り部材の形状が異なる半導体装置について図１８、１９、２０を用いて説明する。そのため、上記実施形態１と重複する箇所については、詳細な説明を省略する。ここで、図１８、１９は半導体装置４００の製造方法を説明する図、図２０は接地リード４１の斜視図、であり、上記実施形態１における図面、図１、２、３、４、５及び６と同一の構造及び機能を有する部分については同一の符号を付している。

まず、図１８に示すように、導電性板状部材を用意し、導電性板状部材に対してエッチング加工やプレス加工を施すことにより、四辺形の半導体素子２を戴置することとなるダイパッド１と、ダイパッド１から外方に伸び、且つ第１、２平坦部４３ａ，４３ｃと第１、２斜面部４３ｂ，４３ｄとを備えている複数本の吊り部材４３，４３，…と、隣り合う吊り部材４３、４３の間に設けられ半導体素子に対向するリード先端４ａが半導体素子の辺に対向して配置される複数本のリード４，４，…と、吊り部材４３の第２平坦部４３ｃから伸びる下段接地リード伸長部４１ａ、一本のリード４０４ａともう一本のリード４０４ｂとの間に位置づけられている接地リード並行部４１ｂ及び下段接地リード伸長部４１ａと接地リード並行部４１ｂとを一体とする階段状部４１ｃを備えている接地リード４１と、を一体として形成し、リードフレーム４９を作製する。なお、図１８（ａ）に付しているハッチングは、断面を表しているのではなく、エッチング加工によりエッチングされずに残存している箇所を表している。

吊り部材４３を形成するさいには、第１平坦部４３ａからダイパッド１へ近づく方向に第１斜面部４３ｂを形成し、第２平坦部４３ｃからダイパッド１へ近づく方向に第２斜面部４３ｄを形成する。このとき、第２平坦部４３ｃの上面は、下段接地リード伸長部４１ａの上面４１ｇと実質的に同一平面上に存在させる。そして、接地リード４１を形成するさいには、接地リード並行部４１ｂと接続している接地リード伸長部の端に対してプレス加工を施し、下段接地リード伸長部４１ａとなる部分を第２平坦部４３ｃと実質的に同一平面に位置づける。これにより、階段状部４１ｃが形成され、一端を吊り部材４３の階段状部４３ｃとする下段接地リード伸長部４１ａが形成される。以上より、リードフレーム４９を横から観察すると、ダイパッド１が一番に下に位置付けられ、ダイパッド１の半導体素子戴置面１ａよりも上方に接地リード４１の下段接地リード伸長部４１ａ及び吊り部材４３の第２の平坦部４３ｃが位置付けられ、接地リード４１の下段接地リード伸長部４１ａの上面４１ｇ及び吊り部材４３の第２の平坦部４３ｃの上面よりも上方に接地リード４１の接地リード並行部４１ｂ及び吊り部材４３の第１平坦部４３ａが位置づけられて形成されている。

その後の工程は、上記実施形態１における半導体装置１００の製造方法と同一であり、図１９に示す半導体装置４００を製造することができる。そして、本実施形態における半導体装置４００は、上記実施形態２における半導体装置２００が奏する効果と上記実施形態３における半導体装置３００が奏する効果とを奏する。

なお、本実施形態においても、上記実施形態１と同様、変形の形態１、２、３を適用することができる。例えば、以下に上記実施形態１の変形の形態１に対応する変形の形態ついて説明をする。

図２１に示すように、変形の形態１における接地リード４４１は略Ｔ字型である。それ以外の点は、本実施形態における半導体装置４００と同一である。

すなわち、接地リード４４１を形成するさいには、隣り合う吊り部材４３，４３から伸びて形成する下段接地リード伸長部４４１ａを半導体素子に対向するリード先端４ａとダイパッド１との間に位置付けて形成し、接地リード並行部４４１ｂを下段接地リード伸長部４４１ａの途中から形成し一本のリード４１４ａともう一本のリード４１４ｂとの間に位置づけて形成する。それ以外の点に関しては、本実施形態における半導体装置４００の製造方法、構造、半導体素子の被戴置面を接地するメカニズムと同一である。

そして、変形の形態１が奏する効果は、本実施形態が奏する上記の効果に付け加え、下段接地リード伸長部４４１ａを隣り合う吊り部材４３，４３で固定することにより、接地リード４４１が変位することを更に防ぐことができるというものである。

以上説明したように、本発明は、半導体装置、例えば、ＰＤＰ、モーターなどの電気機器に搭載する半導体装置として有用である。

第１の実施形態における半導体装置１００の第１製造工程を説明する図である。 第１の実施形態における半導体装置１００の第２製造工程を説明する図である。 第１の実施形態における半導体装置１００の第３製造工程を説明する図である。 第１の実施形態における半導体装置１００の第４製造工程を説明する図である。 第１の実施形態における半導体装置１００の第１製造工程を説明する拡大図である。 第１の実施形態における半導体装置１００の第１製造工程を説明するまた別の拡大図である。 第１の実施形態における変形の形態１における半導体装置１１０の平面図である。 第１の実施形態における変形の形態２における半導体装置１２０の平面図である。 第１の実施形態における変形の形態３における半導体装置１３０の平面図である。 第２の実施形態における半導体装置２００の第１製造工程を説明する図である。 第２の実施形態における半導体装置２００の第２製造工程を説明する図である。 第２の実施形態における半導体装置２００の第１製造工程を説明する図の拡大図である。 第２の実施形態における変形の形態１における半導体装置２１０の平面図である。 第３の実施形態における半導体装置３００の第１製造工程を説明する図である。 第３の実施形態における半導体装置３００の第２製造工程を説明する図である。 第３の実施形態における半導体装置３００の第１製造工程を説明する図の拡大図である。 第３の実施形態における変形の形態１における半導体装置３１０の平面図である。 第４の実施形態における半導体装置４００の第１製造工程を説明する図である。 第４の実施形態における半導体装置４００の第２製造工程を説明する図である。 第４の実施形態における半導体装置４００の第１製造工程を説明する図の拡大図である。 第４の実施形態における変形の形態１における半導体装置４１０の平面図である。 従来例における半導体装置５００の平面図である。 従来例における半導体装置５００の断面図である。 また別の従来例における半導体装置６００の断面図である。 また別の従来例における半導体装置６００の平面図である。

符号の説明

１ ダイパッド
１ａ 半導体素子戴置面
１ｂ 拡がり部
１ｃ 露出面
１ｄ 窪み部
２ 半導体素子
２ｂ 半導体素子の辺
３、３３ 吊り部材
４ リード
５ 導電性細線
６ 封止体
７ 導電性樹脂
１１、２１、３１、４１ 接地リード
１１ｂ、２１ｂ、３１ｂ、４１ｂ 接地リード並行部
４３ｂ、４３ｄ 階段状部

Claims (14)

1. ダイパッドと、
   前記ダイパッドに戴置されている四辺形の半導体素子と、
   前記ダイパッドに接続しており当該ダイパッドから外方に伸びる複数本の吊り部材と、 隣り合う前記吊り部材の間に設けられ一方の先端が前記半導体素子の辺に対向して配置された複数本のリードと、
   前記半導体素子と前記各リードとを接続する複数本の導電性細線と、
   前記ダイパッドと前記半導体素子と前記吊り部材と前記リードの一部と前記導電性細線とを封止する封止体と、
   を備え、
   前記ダイパッドと各前記吊り部材と各前記リードとは、導電性部材からなっており、
   前記リードの他方の先端は、前記封止体から外部へ突き出しており、
   前記導電性部材からなり、前記吊り部材の少なくとも一本から伸びていて、一部が前記リードと略平行に並んで設けられている接地リードを備え、
   前記リードと略平行に並んで設けられている接地リード並行部は、一本の前記リードともう一本の前記リードとの間に位置づけられており、
   前記接地リードは、前記吊り部材に接続されており、前記吊り部材と前記接地リード並行部とを接続する接地リード伸長部を有し、
   前記接地リード伸長部は、前記吊り部材と前記接地リード並行部との間に位置する前記リードの前記一方の先端と、前記ダイパッドとの間に位置しており、
   前記接地リード伸長部は、両端に位置する階段状部と、前記階段状部で挟まれた下段接地リード伸長部とを有し、
   前記ダイパッドのうち前記半導体素子が戴置される半導体素子戴置面は、前記接地リード並行部の上面よりも下に位置しており、
   前記下段接地リード伸長部の上面は、前記接地リード並行部の上面と、前記半導体素子戴置面との間に位置しており、
   前記接地リードの前記接地リード並行部と当該接地リードが接続された前記吊り部材との間には、
   ２本の前記リードが存在しており、
   前記２本のリードでは、
   前記吊り部材の隣りに位置する前記リードの前記一方の先端は、それ以外の前記リードの前記一方の先端よりも前記ダイパッドから離れた位置に存在している、半導体装置。
2. 前記ダイパッドと前記半導体素子とは、前記半導体素子戴置面において、電気的に接続されている、請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記導電性細線のうち少なくとも一本は、前記接地リード伸長部を跨いで設けられている、請求項１または２に記載の半導体装置。
4. 前記半導体素子の辺に対向する側における前記複数のリードの先端部を構成する面のうち前記半導体素子戴置面と略平行な面は、それぞれ、実質的に同一の平面上に存し、
   前記実質的に同一の平面は、前記半導体素子戴置面と異なる平面上に存している、請求項１から３のいずれか一つに記載の半導体装置。
5. 前記半導体素子戴置面と反対側の前記ダイパッドの面は、前記封止体から露出している、請求項１から４のいずれか一つに記載の半導体装置。
6. 前記ダイパッドは、前記半導体素子を戴置する領域よりも外側に拡がっている拡がり部を有しており、
   前記拡がり部の少なくとも一部は、前記半導体素子を戴置する領域から前記リードへ向かう方向に屈曲している、請求項１から５のいずれか一つに記載の半導体装置。
7. 前記半導体素子戴置面と反対側の前記ダイパッドの面は、外周に窪み部を備えている、請求項１から６のいずれか一つに記載の半導体装置。
8. 導電性板状部材を加工し、四辺形の半導体素子を戴置することとなるダイパッドと、前記ダイパッドに接続し当該ダイパッドから外方に伸びる複数本の吊り部材と、隣り合う前記吊り部材の間に設けられ一方の先端が前記半導体素子の辺に対向して配置される複数本のリードと、前記吊り部材の少なくとも一本から伸び一部が前記リードと略平行に並んで設けられる接地リードと、を一体として形成する形成工程と、
   前記ダイパッド上に前記半導体素子を戴置する工程と、
   前記半導体素子と前記リードとを導電性細線を用いて接続する工程と、
   封止体を用いて前記ダイパッドと、前記半導体素子と、前記吊り部材と、前記リードの一部と、前記接地リードと、前記導電性細線と、を封止する工程と、
   を含み、
   前記リードと略平行に並んで設けられる接地リード並行部を、一本の前記リードともう一本の前記リードとの間に位置づけて形成し、
   前記接地リードは、前記吊り部材に接続されており、前記吊り部材と前記接地リード並行部とを接続する接地リード伸長部を有し、
   前記接地リード伸長部は、前記吊り部材と前記接地リード並行部との間に位置する前記リードの前記一方の先端と、前記ダイパッドとの間に位置しており、
   前記接地リード伸長部は、両端に位置する階段状部と、前記階段状部で挟まれた下段接地リード伸長部とを有し、
   前記ダイパッドのうち前記半導体素子が戴置される半導体素子戴置面は、前記接地リード並行部の上面よりも下に位置しており、
   前記下段接地リード伸長部の上面は、前記接地リード並行部の上面と、前記半導体素子戴置面との間に位置しており、
   前記接地リードの前記接地リード並行部と当該接地リードが接続された前記吊り部材との間には、
   ２本の前記リードを配置し、
   前記２本のリードでは、
   前記吊り部材の隣りに位置する前記リードの前記一方の先端を、それ以外の前記リードの前記一方の先端よりも前記ダイパッドから離れた位置に配置する、半導体装置の製造方法。
9. 前記ダイパッド上に前記半導体素子を戴置する工程において、前記ダイパッドと前記半導体素子とを、前記半導体素子戴置面において、電気的に接続する、請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
10. 前記半導体素子と前記リードとを導電性細線を用いて接続する工程において、前記導電性細線のうち少なくとも一本を、前記接地リード伸長部を跨いで設ける、請求項８または９に記載の半導体装置の製造方法。
11. 前記形成工程において、前記半導体素子の辺に対向する側における前記複数のリードの先端部を構成する面のうち前記半導体素子戴置面となる面に略平行な面をそれぞれ、実質的に同一の平面上に存在させ、前記実質的に同一の平面を前記半導体素子戴置面となる面と異なる平面上に存在させて形成する、請求項８から１０のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
12. 前記封止体を用いて封止する工程において、前記半導体素子戴置面と反対側の前記ダイパッドの面を前記封止体から露出させる、請求項８から１１のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
13. 前記形成工程において、前記ダイパッドを、前記半導体素子を戴置することとなる領域よりも外側に拡がる拡がり部を有して形成し、前記拡がり部の少なくとも一部を、前記半導体素子を戴置することとなる領域から前記リードへ向かう方向に屈曲して形成する、請求項８から１２のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
14. 前記導電性板状部材を加工する工程において、前記半導体素子戴置面と反対側の前記ダイパッドの面の外周に対して、窪み部を設ける工程を備えている、請求項８から１３のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。

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