JP4427183B2 - 金属上への誘電体の接着性改善方法 - Google Patents
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- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
- H01L21/76853—Barrier, adhesion or liner layers characterized by particular after-treatment steps
- H01L21/76855—After-treatment introducing at least one additional element into the layer
- H01L21/76856—After-treatment introducing at least one additional element into the layer by treatment in plasmas or gaseous environments, e.g. nitriding a refractory metal liner
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
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Description
【発明の分野】
本発明は、一般に高密度プラズマ化学的気相堆積(HDP−CVD)手法を使用する、アモルファス・フルオロカーボン膜の堆積に関する。より詳細には、本発明は、ギャップ充填性能を強化するよう高バイアスパワーを使用してアモルファス・フルオロカーボン膜を堆積する方法に関する。なお更に、本発明は、基板上に形成された金属面へのフッ素含有誘電体材料の接着性を改善することに関する。
【0002】
【発明の背景】
この10年間に、集積回路の設計と製造における、一貫していて、明確に予見可能な改善が認められてきた。しかし、動作周波数が1GHzに近づき、相互配線フィーチャサイズを≦0.25μmまで低下させた、新規の超大規模集積(ULSI)製品については、相互配線の抵抗―静電容量(RC)遅延が、集積回路のクロック時間の大部分に相当するであろうし、著しく新しい異なる製造アプローチが、必要とされる性能目標を達成するために要求されるであろう。RC遅延は、相互配線の抵抗と誘電体容量に直接関係するので、業界の焦点は、著しく低い誘電率と低抵抗率の新材料を開発することに向けられている。
【0003】
誘電体の領域では、極めて多様な材料が、現在の標準的なニ酸化ケイ素(SiO2)の僣在的な代替として研究されている。〜4の誘電率(K)を持つSiO2が、〜2.5のK値を持つ別の材料に置換えられる場合、RC遅延とクロストークは著しく低減され、全体の回路性能が大きく改善されるであろう。0.18μmデバイス世代で期待される性能要件を満足するためには、<3.0の誘電率が必要であろうことは広く容認されている。
【0004】
低誘電率の極めて多様な材料が、SiO2に代わる僣在候補として研究されている。しかし、誘電率は、満足されねばならない重要要件の1つに過ぎないことを思い起こすことが大事である。既存の、そして将来の製造プロセスフローへの統合の容易さと経済性ファクタ(例えば、所有コスト)は共に、次世代の金属間誘電体(IMD)として使用する材料の永続性を決めることになろう。統合能力は、接着性、熱安定性、熱伝導率、機械的強度、およびギャップ充填性能のような、重要特性により決定されるであろう。所有コストは、原材料のコスト、処理廃棄材料のコスト(これは、スピンオン技術で特に高いことが判明している。)、必要とされる統合ステップの数と共に、処理設備の資本コストにより決められるであろう。理想の低誘電率材料は、既存のプロセスフローへ容易に統合され、既存の設備を使用して、現在使用中のプロセスを超えないコストになろう。
【0005】
CVD堆積材料は、低誘電率材料に対する最も有望なアプローチである。プラズマ支援堆積でのメカニズムが、他のタイプの堆積手法よりも、著しく高い密度と機械的強度を持つ材料へ導いていくであろうことは広く容認されている。加えて、CVD膜の一体化は、スピンオン法のような湿式プロセスに比較して、十分に特性が明らかで、かなり単純である。既存のプラズマ強化CVD設備の使用可能性、および単純な製造方法様式は、一体化と経済性の両観点からCVD材料を魅力的なものにしている。
【0006】
CVD堆積材料の中で、アモルファス・フルオロカーボン(α−FC)は、比較的高い熱安定性、低誘電率値(2.3程の低い値)、SiO2に近い熱伝導率、および良好な機械的強度により、有望である。最近、Matsubara 他は、「クオータミクロンデバイス用の、低kフッ化アモルファスカーボン中間層技術 (Low-k Fluorinated Amorphous Carbon Interlayer Technology for Quarter Micron Devices)」IEDM、369〜372頁(1996年)の中で、3レベルメタライゼーション構造での金属間誘電体としてα−FCの首尾よい一体化とその使用について記載している。この誘電体材料を使用して、線静電容量で50%の低減が報告されている。
【0007】
しかし、幾何学的寸法が縮小するのに伴ない、ギャップ充填性能が重要な問題となっている。ギャップ充填性能は、一般に、金属線間の、トレンチとして知られる領域を充填するプロセスの能力のことを言う。最近、趨勢は、強化されたギャップ充填結果を達成するために、in situスパッタエッチングと堆積を利用するよう高密度プラズマプロセスを統合シーケンスに取り込むことである。HDP−CVDでは、堆積中に基板のフィールドをスパッタするイオンを引付けるためにバイアスパワーが基板へ結合され、それにより、トレンチが堆積材料で完全に充填される前に堆積材料がトレンチ上に集中するクラウンニングとして知られる現象を防止する。基板のフィールド(すなわちトレンチ間領域)上の体積速度を制御することにより、≦0.25μmの小フィーチャでのギャップ充填性能の改善が達成可能である。
【0008】
α−FC膜に関連する問題の1つは、高バイアスパワーの印加が、フッ素の断片化を強める傾向があり、それが、解離した非結合のFまたはCFx(x=1〜4)として、得られた膜中へ取り込まれることである。有機フルオロカーボン分子は、F-のようなエッチング核種を形成するか、またはグロー放電条件下で重合するかのいずれかであることが、文献によく記載されている。エッチングか、または重合反応のいずれが優性になるかは、プラズマエネルギー、荷電核種の強さ、反応体の比率、および表面温度に依存する。EP特許出願第5114253.8は、α−FC膜の堆積における、高いバイアスパワーに関連する問題を検討し、高いバイアスパワーの使用を排除することによって問題を解決することを試みている。
【0009】
遭遇する別の問題は、フッ素含有誘電体材料の堆積中に生成されるフッ素が、チャンバ壁およびチャンバ構成要素に吸収され、後続の堆積ステップ中でガス放出されることである。このフッ素は、基板上の金属面を攻撃して、良好な接着を妨げる。窒化チタンが、誘電体層と金属層間のバリア層としてしばしば使用され、プロセスガスの拡散にある程度は抗する。しかしながら、窒化チタンは、金属面とフッ素含有誘電体材料間の接着性を実質的に改善しない。
【0010】
従って、非常に低い誘電率のα−FC膜の堆積のためにHDP−CVD技術の適用を改善するニーズがある。高密度プラズマ堆積を使用して堆積でき、0.25μm以下のフィーチャで良好なギャップ充填性能を示し、堆積後一回のアニールで安定している、誘電率(k)が2.8以下のα−FC膜を提供することは有利であろう。
【0011】
【発明の要約】
本発明は、熱安定性と低誘電率の両方を有するアモルファス・フルオロカーボン膜を形成する方法を提供する。この方法は、基板をプロセスチャンバへ導入して、バイアス電源へ接続された支持部材上へ基板を位置決めするステップ、プロセスチャンバへカーボンソースガスとフッ素ソースガスを導入するステップ、チャンバ内のプラズマを衝突させるのに十分なソースパワーをチャンバへ供給するステップ、および基板上へin situスパッタ堆積を達成するのに十分なパワーレベルで、支持部材へバイアスパワーを印加するステップを含む。カーボンガスソースとフッ素ガスソースは、好ましくはF:Cの原子比を2未満に維持するのに十分な量で導入される。
【0012】
本発明の別の局面は、チャンバ面からのフッ素またはフッ素化合物のガス放出を防止するよう、基板処理に先立って堆積チャンバの内面上へ、窒化ケイ素またはオキシ窒化ケイ素シーズニング被覆を提供する。ひとつの実施の形態では、窒化ケイ素またはオキシ窒化ケイ素は、内面からのフッ素のガス放出を阻止するのに十分な量で堆積チャンバの内面上へ堆積される。ガス放出されたフッ素量は、得られたフッ素含有膜中への遊離フッ素の望ましくない取り込みを防止するよう制御されることができる。本発明のこの局面は、窒素処理されたTiまたはTiNのような、金属面上に形成された接着層の使用と組合わせることができ、金属面上へのフッ素の攻撃を更に防止する。
【0013】
本発明は、更に、基板上に形成された金属面へのフッ素含有誘電体材料の接着性を強化する方法を提供し、この方法は、金属面を備える基板上へチタン(Ti)または窒化チタン(TiN)のような接着性金属層を堆積するステップ、接着性金属層を窒素にさらすことにより接着性金属層上に金属/N2面を形成するステップ、および、接着金属層の金属/N2面上へフッ素含有誘電体材料を堆積するステップを含む。堆積された金属層は、好ましくは容量的にまたは誘導的に結合するエネルギーにより供給される窒素プラズマにさらされる。
【0014】
【実施の形態の詳細な説明】
本発明は、高密度プラズマ化学的気相堆積技術を使用してアモルファス・フルオロカーボン(α−FC)膜を基板またはその他のワークピース上へ堆積する改善された方法を提供する。一般的に、膜品質とギャップ充填性能は、ガス濃度を制御し、同時に基板へ高いバイアスパワー(〜100Wまたはそれ以上)を印加することにより強化できることが分かっている。詳細には、フッ素ソースとカーボンソースの相対濃度を制御し、同時に基板へスパッタバイアスパワーを印加することにより、熱安定性と低誘電率が、良好なギャップ充填性能と金属への改善された接着性とを有するα−FC膜で達成できる。ひとつの実施の形態では、アモルファス・フルオロカーボン膜が、HDP−CVDリアクタを使用して、メタン(CH4)およびオクタフルオロシクロブタン(C4F8)から堆積される。得られた膜は熱的に安定であり、450℃以下で誘電率(K)値<2.8を有する。この膜は、既知のα−FC膜と比較して、分子量が増加され、架橋が増加され、応力が改善されていると信じられる。
【0015】
本発明は、また、リアクタ壁および他の構成要素からのフッ素および他の汚染物質のガス放出の可能性を低減するよう、リアクタの内面上にシーズニング膜を堆積する方法も提供し、結果として得られるフッ素含有膜の接着性と安定性を更に改善する。ひとつの実施の形態では、窒化ケイ素またはオキシ窒化ケイ素膜がチャンバ内面上に約100Åの厚さで堆積される。
【0016】
本発明は、また、基板上へ接着層を堆積するための方法も提供し、基板上へTiまたはTiNのような接着金属層を堆積するステップ、および接着金属層を窒素にさらすステップを含む。基板は、好ましくは窒素プラズマが生成されるプロセス領域に隣接して位置決めされ、堆積された金属層の構造を改変するよう堆積された接着金属層を窒素(「で詰込む」)にさらす。この改変された面は、そのような処理を伴なわないTi/TiN層上のフッ素含有誘電体の接着性を改善すると信じられる。
【0017】
本発明の方法は、好ましくは、カリフォルニア州サンタクララ所在の、Applied Materials, Inc. から入手可能な Ultima HDP-CVDTM Centura SystemR 上で実施される。このシステムの特徴を、一般的に以下に説明する。以下に説明するHDP−CVDシステムは、発明者にとり最良のシステムとして知られるが、本発明の方法を実施するために、有利に他のシステムも使用でき、または使用されるように変更できることは言うまでもない。
【0018】
図1Aは、本発明による誘電体層が堆積できるHDP−CVDシステムのひとつの実施の形態の10を図解する。システム10は、チャンバ13、真空システム70、ソースプラズマシステム80A、バイアスプラズマシステム80B、ガス供給システム33、およびリモート式プラズマ洗浄装置50を含む。
【0019】
チャンバ13の上部は、アルミナまたは窒化アルミニウムのような誘電体材料で造られたドーム14を含む。ドーム14は、プラズマプロセス域16の上部境界を画成する。プラズマプロセス域16は、基板の上面17および基板支持部材18が底部との境界になっている。
【0020】
加熱プレート23および冷却プレート24がドーム14の上に置かれ、ドームへ熱的に結合されている。加熱プレート23と冷却プレート24は、約100℃〜200℃の範囲にわたり約±10℃にドーム温度制御を可能とする。
【0021】
チャンバ13の下部は、絞り弁26を有する真空システム70へチャンバを連結するボディ部材22を含む。基板支持部材18のベース部21は、ボディ部材22の上に取付けられ、それとともに連続した内面を形成する。基板は、上部ローディング位置57でチャンバ13へ移送出入され、基板が、基板支持部材18の基板受入部19上に配置される下部処理位置56へ搬送される。基板受入部19は、基板処理中に、基板を基板支持部材18へ固定する静電チャック20を含む。
【0022】
ソースプラズマシステム80Aは、ドーム14上に取付けられたトップコイル29およびサイドコイル30を含む。対称接地シールド(図示せず)がコイル間の電気的結合を低下させる。トップコイル29は、トップソースRF(SRF)発生器31Aによりパワー供給される一方、サイドコイル30は側面SRF発生器31Bによりパワー供給され、各コイルに対して独立したパワーレベルと周波数の動作を可能にする。このデュアルコイルシステムは、チャンバ13内で径方向のイオン密度の制御を可能にし、それによってプラズマの均一性を改善する。サイドコイル30およびトップコイル29は普通には誘導的に駆動され、相補電極を必要としない。特定の実施の形態では、トップソースRF発生器31Aは公称2MHzで2,500WまでのRFパワーを供給し、サイドソースRF発生器31Bは公称2MHzで5,000WまでのRFパワーを供給する。トップおよびサイドRF発生器の動作周波数は、公称動作周波数からオフセットでき(例えば、それぞれ1.7〜1.9MHzと1.9〜2.1MHz)、プラズマ発生効率を改善する。
【0023】
バイアスプラズマシステム80Bは、バイアスRF(BRF)発生器31Cおよびバイアス整合ネットワーク32Cを含む。バイアスプラズマシステム80Bは、基板部分17を、相補電極として働くボディ部材22へ容量結合する。バイアスプラズマシステム80Bは、ソースプラズマシステム80Aにより生成されたプラズマ核種(すなわちイオン)の基板面への移送を強化する役をする。特定の実施の形態では、バイアスRF発生器は、13.56MHzで5,000WまでのRFパワーを供給する。
【0024】
整合ネットワーク32Aと32Bは、発生器31Aと31Bの出力インピーダンスをそれぞれのコイル29と30へ整合する。RF制御回路は、負荷が変化するのに従い発生器を負荷に整合するよう、整合ネットワーク内のコンデンサの値を変えることにより両整合ネットワークを同調できる。RF制御回路は、パワーが負荷から発生器へ所定限度を超えて反射して戻される場合、整合ネットワークを同調できる。共整合 (co match) を提供し、RF制御回路が整合ネットワークを同調することを効果的にディスエーブル化する1つの方法は、反射パワー限度を、反射パワーの予期されるいずれの値をも超えて設定することである。これは、整合ネットワーク定数を直近の条件に保持することによって、プラズマをある条件下で安定化させることを助けるであろう。
【0025】
ガス供給システム33は、ガス供給ライン38(その一部だけを示す)を介して、何ヶ所かのソースから、基板を処理するためのチャンバへガスを供給する。ガスは、ガスリング37および上部ノズル45を介して、チャンバ13へ導入される。図1Bは、、チャンバ13の単純化した部分断面図であり、ガスリング37の追加の詳細を示す。
【0026】
ひとつの実施の形態では、第1と第2ガスソース34Aと34D、および第1と第2ガス流量コントローラ35A'と35D'が、ガスリング37でのリングプレナム(空腔)36へガス供給ライン38(その一部だけを示す)を介してガスを供給する。ガスリング37は、複数のソースガスノズル39(その1つだけを図1Bに示す)を有し、基板上へガスの均一なフローを提供する。ノズル長およびノズル角度は、個々のチャンバ内での特定プロセスに対する均一性プロファイルとガス利用効率をあつらえることができるよう変更できる。好ましい実施の形態では、ガスリング37は、12本のソースガスノズルを有する。
【0027】
ガスリング37は、複数の酸化剤ガスノズル40(その1つだけを示す)も有し、好ましい実施の形態では、そのノズルはソースガスノズル39と同一面で、それより短く、ひとつの実施の形態では、ガスをボディプレナム41から受取る。幾つかの実施の形態では、チャンバ13への注入前に、ソースガスと酸化ガスとを混合しないことが望ましい。他の実施の形態では、酸化ガスとソースガスは、ボディプレナム41とガスリングプレナム36間にアパーチャ(図示せず)を設けることにより、チャンバ13へ注入する前にガスを混合できる。ひとつの実施の形態では、第3と第4のガスソース34Bと34C、および第3と第4のガス流量コントローラ35B'と35Cが、ボディプレナムへガス供給ライン38を介してガスを供給する。
【0028】
図1Aを再度参照すると、チャンバ13は、上部ノズル45および上部ベント46も有する。上部ノズル45と上部ベント46は、ガスの上部および側面の流量の個別制御を可能にし、膜の均一性を改善し、膜堆積の微調整を可能にする。上部ベント46は上部ノズル45のまわりの環状開口である。ひとつの実施の形態では、第1ガスソース34Aは、C4F8またはCH4ソースであり、それをソースガスノズル39と上部ノズル45へ供給する。ソースノズル質量流量コントローラ(MFC)35A'は、ソースガスノズル39へ供給するC4F8またはCH4の量を制御し、上部ノズルMFC35Aは、トップ・ガスノズル45へ供給するC4F8またはCH4の量を制御する。同様に、2つのMFC35Bと35B'は、ソース34Bのような単一の酸素ソースから上部ベント46と酸化剤ガスノズル40の両方への酸素の流量を制御するのに使用できる。上部ノズル45および上部ベント46へ供給されるガスは、チャンバ13への流入前には分離されたままでもよいし、チャンバ13への流入前に混合されてもよい。同一ガスの別々のソースを使って、チャンバの様々な部位へ供給してもよい。
【0029】
システムコントローラ60は、システム10の動作を制御する。好ましい実施の形態では、コントローラ60は、ハードディスクドライブ、フロッピーディスクドライブ(図示せず)およびカードラック(図示せず)のようなメモリ62を含む。カードラックは、シングルボードコンピュータ(SBC)(図示せず)、アナログとデジタルの入力/出力ボード(図示せず)、インタフェースボード(図示せず)およびステッパーモータコントローラボード(図示せず)を含んでもよい。システムコントローラは、Versa Modular European (VME)標準に準拠し、それは、ボード、カードケージ、およびコネクタの寸法とタイプを定める。VME標準は、16ビットのデータバス、および24ビットのアドレスバスを有するバス構造も定める。システムコントローラ60は、ハードディスクドライブ上に記憶されたコンピュータプログラム、または、フロッピーディスク上に記憶されたプログラムのような他のコンピュータプログラムの制御の下に動作する。コンピュータプログラムは、特定プロセスのタイミング、ガスの混合、RFパワーレベル、および他のパラメータを指示する。システムコントローラ60は、メモリ62へ結合されたプロセッサ61を含む。好ましくは、メモリ62はハードディスクドライブであろうが、もちろん、メモリ62は、ROM,PROM他等、他の種類のメモリであってよい。
【0030】
システムコントローラ60は、コンピュータプログラムの制御の下で動作する。コンピュータプログラムは、特定プロセスの、タイミング、温度、ガス流量、RFパワーレベル、および他のパラメータを指示する。ユーザーとシステムコントローラとの間のインタフェースは、図1Cに示すようにCRTモニタ65および光ペン66を介する。好ましい実施の形態では、2個のモニタ65と65Aが使用され、1台はオペレータのためにクリーンルームの壁に、他方は、サービスエンジニアのために壁の裏側に取付けられる。両モニタとも、同時に同じ情報を表示するが、1つの光ペン(例えば66)だけがイネーブルである。特定の画面または機能を選択するために、オペレータは表示画面のエリアに触れ、ペンのボタン(図示せず)を押す。触れられたエリアは、例えば、色を変えたり、新規のメニューを表示することにより、光ペンにより選択されていることを確認する。
【0031】
コンピュータプログラムコードは、68000アセンブリ言語、C、C++、または Pascal のような、従来からのコンピュータ可読プログラミング言語のいずれで書いてもよい。適切なプログラムコードは、従来のテキストエディタを使用して、単一ファイルまたは複数ファイルへ入力され、コンピュータの記憶装置のような、コンピュータ利用可能媒体へ記憶、つまり格納される。入力されたコードテキストが、高水準言語である場合、コードはコンパイルされ、次に結果としてのコンパイラコードが、プリコンパイルされたウインドウズライブラリルーチンのオブジェクトコードとリンクされる。リンクされてコンパイルされたオブジェクトコードを実行するために、システムユーザーはオブジェクトコードを発動して、コンピュータシステムがコードをメモリにロードするようにさせ、そこからCPUは、プログラム内で識別されているタスクを行なうよう、コードを読んで実行する。
【0032】
図1Dは,コンピュータプログラム300の階層制御構造の図解ブロック図を示す。ユーザーは、光ペンインタフェースを使用することにより、CRTモニタ上に表示されたメニューまたは画面に応答して、プロセスセレクタ・サブルーチン310へ、プロセスセット番号とプロセスチャンバ番号を入力する。プロセスセットは、特定プロセスを実行するのに必要なプロセスパラメータの所定セットであり、所定セット番号により識別される。プロセスセレクタ・サブルーチン310は、(i)マルチチャンバーシステムで所望のプロセスチャンバ、および(ii)所望のプロセスを実施するためにプロセスチャンバを操作するのに必要なプロセスパラメータの所望セットを識別する。特定プロセスを実行するためのプロセスパラメータは、例えば、プロセスガスの組成および流量、温度、圧力、RFパワーレベル、のようなプラズマ条件、およびチャンバのドーム温度のようなプロセス条件に関連し、レシピ形式でユーザーへ提供される。レシピで規定されたパラメータは、光ペン/CRTモニターインタフェースを利用して入力される。
【0033】
プロセスを監視するための信号は、システムコントローラのアナログ入力ボードおよびデジタル入力ボードにより提供され、プロセスを制御するための信号は、システムコントローラ60のアナログ出力ボードおよびデジタル出力ボード上に出力される。
【0034】
プロセスシーケンサ・サブルーチン320は、プロセスセレクタ・サブルーチン310から識別されたプロセスチャンバおよびプロセスパラメータのセットを受取るための、および、種々のプロセスチャンバの動作を制御するためのプログラムコードを含む。複数のユーザーがプロセスセット番号とプロセスチャンバ番号を入力でき、または1人のユーザーが複数のプロセスセット番号とプロセスチャンバ番号を入力でき、それにより、シーケンサ・サブルーチン320は、選択されたプロセスを所望の順序でスケジューリングするよう動作する。好ましくは、シーケンサ・サブルーチン320は、(i)チャンバが使用中であるか否か判定するために、プロセスチャンバの運転を監視するステップ、(ii)使用中のチャンバで何のプロセスが実行中であるかを判定するステップ、(iii)プロセスチャンバの使用可能性と実行すべきプロセスのタイプとに基づき、所望プロセスを実行するステップ、を実施するプログラムコードを含む。ポーリングのような、プロセスチャンバを監視する従来の方法が使用できる。どのプロセスが実行されるべきかをスケジューリングする場合、シーケンサ・サブルーチン320は、選択されたプロセスに対する所望のプロセス条件と比較して使用される、プロセスチャンバの現行条件、または、要求を入力した各特定のユーザーの「年齢」、または、システムプログラマがスケジューリングの優先度を決定するために含めることを希望する他の関連するいずれかのファクタを考慮に入れるよう設計できる。
【0035】
シーケンサ・サブルーチン320が、どのプロセスチャンバおよびプロセスセットの組合わせが次に実行されようとしているか判定した後、シーケンサ・サブルーチン320は、特定のプロセスセットパラメータをチャンバマネージャー・サブルーチン330A〜Cへ送ることにより、プロセスセットを実行させ、チャンバマネージャーが、シーケンサ・サブルーチン320により決定されたプロセスセットに従い、チャンバ13および多分、他のチャンバ(図示せず)での複数のプロセスタスクを制御する。
【0036】
チャンバ構成要素サブルーチンの実施例は、基板位置決めサブルーチン340、プロセスガス制御サブルーチン350、圧力制御サブルーチン360、およびプラズマ制御サブルーチン370である。この技術で通常に精通する者は分かるように、チャンバ13で行ないたいプロセスに依存して他のチャンバ制御サブルーチンを含めることができる。運転中、チャンバマネージャー・サブルーチン330Aは、実行される特定のプロセスセットに従い、プロセス構成要素サブルーチンを選択的にスケジューリングする、または呼出す。チャンバマネージャー・サブルーチン330Aによるスケジューリングは、どのプロセスチャンバとプロセスセットとを実行するかをスケジューリングすることでシーケンサ・サブルーチン320により使用される方法と類似の方法で行なわれる。典型的には、チャンバマネージャー・サブルーチン330Aは、種々のチャンバ構成要素を監視するステップ、実行されるプロセスセットのためのプロセスパラメータに基づき作動される必要のある構成要素を判定するステップ、および、監視ステップと判定ステップに応答してチャンバ構成要素サブルーチンを実行させるステップを含む。
【0037】
特定のチャンバ構成要素サブルーチンの動作を、以下図1Dを参照して説明する。基板位置決めサブルーチン340は、基板を基板支持部材18上へ載せるのに使用されるチャンバ構成要素を制御するためのプログラムコードを含む。基板位置決めサブルーチン340は、他のプロセス完了後、マルチチャンバーシステムでの、例えばPECVDリアクタまたは他のリアクタからチャンバ13への基板移送も制御することができる。
【0038】
プロセスガス制御サブルーチン350は、プロセスガスの組成と流量を制御するためのプログラムコードを有する。サブルーチン350は、安全遮断弁の開/閉位置を制御し、また、所望のガス流量を得るために質量流量コントローラをランプアップ/ダウンする。プロセスガス制御サブルーチン350を含む、全てのチャンバ構成要素サブルーチンは、チャンバマネージャー・サブルーチン330Aにより発動される。サブルーチン350は、所望のガス流量に関するプロセスパラメータをチャンバマネージャー・サブルーチン330Aから受取る。
【0039】
典型的には、プロセスガス制御サブルーチン350は、ガス供給ラインを開くことにより作動し、(i)必要な質量流量コントローラを読み、(ii)その読みを、チャンバマネージャー・サブルーチン330Aから受取った所望の流量と比較し、そして(iii)必要に応じガス供給ラインの流量を調節する、ことを繰返す。更に、プロセスガス制御サブルーチン350は、ガス流量を危険なレートに関して監視するステップ、および危険な状態が検出された場合に安全遮断弁を作動させるステップを含むことができる。
【0040】
幾つかのプロセスでは、反応プロセスガスがチャンバへ導入される前に、アルゴンのような不活性ガスがチャンバ13内へ流され、チャンバ内の圧力を安定化させる。このプロセスに対して、プロセスガス制御サブルーチン350は、チャンバ内の圧力を安定化するのに必要な時間量の不活性ガスを、チャンバ13内へ流すステップを含むようプログラムされる。次に上記で説明したステップが実行できる。
【0041】
更に、プロセスガス制御サブルーチン350は、所定のプロセスガス流量の必要な値を含む記憶テーブルにアクセスすることにより所望のプロセスガス流量に対する必要な供給ガス流量を得るステップを含む。必要な値が得られれば、供給ガス流量が監視され、必要な値と比較され、それに応じて調節される。
【0042】
プロセスガス制御サブルーチン350は、独立したヘリウム制御(IHC)サブルーチン(示さず)により、ウェーハチャックの内側と外側の通路を介して、ヘリウム(He)のような熱移送ガスのフローも制御できる。ガスフローは、基板をチャックへ熱的に結合する。普通のプロセスで、ウェーハは、層を形成するプラズマと化学反応とにより加熱され、Heが、水冷されるチャックを介して基板を冷却する。これが、基板上の既存フィーチャを損傷し得る温度未満に基板を維持する。
【0043】
圧力制御サブルーチン360は、チャンバの排気部での絞り弁の開口のサイズを調整することによりチャンバ13内の圧力を制御するためのプログラムコードを含む。絞り弁によりチャンバを制御する基本的方法は少なくとも2つある。第1の方法は、とりわけ、全プロセスガスフロー、プロセスチャンバのサイズ、およびポンプ容量に関連するとしてチャンバ圧力を特性付けることに依存する。第1の方法は、絞り弁26を固定位置に設定する。絞り弁26を固定位置に設定することは、結果として最終的に定常状態圧力が得られる。
【0044】
代替として、チャンバ圧力を、例えば圧力計で測定することができ、絞り弁26の位置は、制御点がガス流量と排気容量により設定される境界内にあると想定して、圧力制御サブルーチン360に従い調節できる。後者の方法に関連する測定、比較および計算が発動されないので、前者の方法がより早くチャンバ圧力を変更する結果となるかもしれない。前者の方法は、チャンバ圧力の精密な制御が必要でない場合に望ましいかもしれない、それに対して、後者の方法は、層の堆積中のように、精確な、繰返しての、そして安定圧力が望まれる場合に望ましいかもしれない。
【0045】
圧力制御サブルーチン360が発動される場合、所望の、または目標の圧力レベルは、パラメータとしてチャンバマネージャー・サブルーチン330Aから受取られる。圧力制御サブルーチン360は、チャンバへ接続された1つ以上の従来の圧力計を読むことによりチャンバ13内の圧力を測定する、測定された値を目標の圧力と比較する記憶圧力テーブルから、目標圧力に対応する比例、積分、微分(PID)値を得る、圧力テーブルから得られたPID値に従い絞り弁26を調節するよう作動させる。代替として、圧力制御サブルーチン360は、絞り弁26を特定の開口サイズへ開いたり閉じたりすることが、チャンバ13内の圧力を所望の圧力または圧力範囲へ調整する。
【0046】
プラズマ制御サブルーチン370は、RF発生器31Aと31Bの周波数とパワー出力の設定を制御するための、そして、整合ネットワーク32Aと32Bを同調するためのプログラムコードを含む。プラズマ制御サブルーチン370は、先に説明したチャンバ構成要素サブルーチンと同様に、チャンバマネージャー・サブルーチン330Aにより発動される。
【0047】
堆積プロセスシーケンス
0.18μmテクノロジ世代では、ダマシンおよび従来の誘電体ギャップ充填製造スキームの両方が使用されるであろうと予期される。従来のプロセスフローでの適用に対して、3:1のアスペクト比で0.18μmスペースのギャップ充填が必要とされるであろう。発明者は、従来の酸化物と同等な性能を実証する、HDP−CVD堆積条件下でのギャップ充填メカニズムを発見した。本発明を以下に、上で説明したプロセスシステムで実行される好ましいプロセスシーケンスを参照して説明する。
【0048】
ひとつの実施の形態では、α―FC膜の堆積中、基板へ容量的に結合されて、基板支持部材への印加される>100Wのバイアスパワーは、小フィーチャ、すなわち巾が0.25μm以下で、膜組成の改善と良好なギャップ充填性能をもたらすことを、発明者は発見した。基板の温度は、処理中、好ましくは450℃未満の温度に維持される。本発明以前は、バイアスパワーを100W以上に増加させることはフッ素前駆体をより断片化される結果となり、それは膜中に捕捉され得る遊離F-ソースになる、と考えられていた。過剰なF-の膜中への取込みはα―FC膜の炭素−炭素架橋を低減させ、膜の熱安定性を低下させる。加えて、F-は、電流漏洩を生じ、電荷が膜内に捕捉されるという有害な影響を有する。加えて、反応体混合中のより多いF-は、堆積膜のエッチング速度を高め、それにより体積速度を低下させる。
【0049】
本発明は、断片化したフッ素と反応しそれを結合するよう、メタンまたはアセチレンのようなカーボンソースをチャンバ内に加えることによりこの問題と戦う。カーボンソースは、普通には水素ソースも供給して不必要な遊離フッ素原子を掃気する。反応ガス中の利用可能なカーボンを増加させることは、断片化したフッ素を結合させ、水素がフッ素の掃除屋の働きをすると考えられる。CxFy(x=1〜4;y=3〜8)の幾つかは揮発性であり、チャンバからポンプ排気できる。結果として、得られた膜は遊離フッ素原子の取込みが少なく、連鎖分枝の改善を実証する。連鎖分枝の増加は、低誘電率を持ち、より熱的に安定な膜を結果としてもたらす。
【0050】
好ましくは、F:Cの原子比を前駆体ガスで2未満に低減させるよう、カーボンソースが、チャンバ内へ流される。流量とパワーレベルの両方は、チャンバ内でF:C比が2未満であることを保証するように調節される。
【0051】
200mm基板上で行なわれる実施の形態の1つでは、好ましい前駆体ガスは、オクタフルオロシクロブタン(C4F8)およびメタン(CH4)であり、それが、2未満の原子比を維持するよう選定された速度で、好ましくは、約20sccmから約200sccm間の範囲で、チャンバへ流入される。アルゴンまたは他の不活性ガスが、20sccmから100sccmの速度でチャンバへ流入され、堆積が基板上で行なわれると、in situで成長する面をスパッタする。100Wより大きい、好ましくは約1000Wのバイアスパワーが基板支持部材へ印加され、好ましいC−F結合構造を、許容できる体積速度で膜内に達成する。約1000Wのバイアスパワーは、0.25μm巾で所望のギャップ充填性能を提供する。CH4、C2H4、C2H6、C2H2、C6H6、CF4、C2F6、C3F8、CHF3およびC6F6のような他のカーボンガスソース、そしてCF4、C2F6、C3F8、CHF3およびC6F6のようなフッ素ガスソースが、チャンバで利用可能なF:Cの原子比が2未満に維持される限り、使用できる。加えて、この分野で既知の他の不活性ボンバーディング (bombarding) ガスが使用できる。
【0052】
実施例1
実験を、カリフォルニア州サンタクララ所在の Applied Materials, Inc. から入手可能な UltimaTM HDP−CVDリアクタで行った。ソースおよびバイアス発生器のRF周波数は、2.0および13.56MHzであった。両発生器の最大パワー出力は、5000Wであった。α−FC膜を、HDP−CVDプラズマ状態下でオクタフルオロシクロブタン(C4F8)およびメタン(CH4)の反応により堆積した。堆積中のチャンバ圧力は10mtorr未満であった。ギャップ充填堆積に対して、オクタフルオロシクロブタン(C4F8)およびメタン(CH4)両方を、チャンバへ約50sccmの速度で流入させた。アルゴンをチャンバへ約50sccmの速度で流入させた。1000Wのソースパワーと1000Wのバイアスパワーをそれぞれソースコイルと基板支持部材へ印加した。7000Åのα―FC膜を基板上に堆積した。
【0053】
実施例2(比較用)
比較用実施例では、基板支持部材へ供給されるバイアスRFパワーが100Wであることを除き、全てのパラメータは同じであった。
【0054】
図2aと2bは、SEMであり、上記で説明した実施例の結果をそれぞれ比較する。2つのプロセス間の差は、基板へ印加されるバイアスパワーのレベルと充填されるフィーチャのサイズだけである。図2aは0.25μmのフィーチャを示し、図2bは0.6μmのフィーチャを示す。1000Wの高いバイアスパワーを使用したプロセスは、0.25μmフィーチャの完全なギャップ充填を示す。両プロセスとも、共1000WのソースRFパワーを使用した。マイクログラフに示すように、低バイアスパワーをプロセスで使用した場合、金属線間のギャップにボイドが存在する。バイアスパワーを約1000Wまで増加させるに従い、ギャップ充填性能が改善し、それにより、より小さなフィーチャがボイドの形成も無く充填された。
【0055】
図3は、熱収縮率とバイアスパワー間の関係を示すグラフである。バイアスパワーを約100Wから約1000Wに増加させるに従い、結果としての膜の熱収縮率は、約8%から約1%未満へ減少する。α−FC膜の熱安定性を、堆積したままの膜を400℃真空でアニールする前後での厚さ変化により監視した。
【0056】
図4は、C4F8:CH4比と、膜収縮および堆積速度との間の関係を示すグラフである。膜収縮は膜組成と堆積温度に強く依存することが分かった。CH4:C4F8=1(F:C≦2)の場合、1000Wで膜収縮は最小である。更なるF含有量の増加は、α−FC膜の熱安定性を低下させる。多分、高F含有量の膜は架橋が少なく、従って高温で容易に変形することになる。CHxグループは高温で容易に解離するので、膜中で低い水素と酸素の含有量が、熱安定性に対するもう1つの主要点である。TDSスペクトルは、CHおよびCFxがアニール中の主たる脱着核種であることを確認する。
【0057】
図5は、アニール時間と誘電率間の関係を示すグラフである。α−FC膜の誘電率を、1MHzで水銀プローブによる静電容量測定から算出した。400℃でN2中でのアニール後の誘電率値は時間とともに変化せずに膜の熱安定性を示す。
【0058】
フッ素および他の汚染物質のガス放出を制御するチャンバのシーズニングステップ
堆積チャンバの内面からのフッ素のガス放出は、窒化ケイ素、オキシ窒化ケイ素、FSG、またはその組合せの被覆でチャンバの壁をシーズニングすることにより、阻止できることが分かった。チャンバ壁上の被覆の厚さは、内面からのフッ素のガス放出を防止するのに十分であり、好ましくは少なくとも約100Åである。チャンバのシーズニングプロセスは、普通には基板を堆積チャンバ内で位置決めする前にCVDにより実施されるであろう。プロセスガス処方は、窒化ケイ素またはオキシ窒化ケイ素をチャンバの内面上に堆積するよう使用される。シーズニング膜を堆積するためのプロセスの1つは、約1500〜4500W間の範囲のソースパワーで窒素をシランと反応させる。窒素は、好ましくは約100〜約300sccmの速度で供給され、シランは、約50〜約120sccmの速度で供給される。チャンバの温度は、60〜70℃の範囲またはそれより高くてよい。他の適切な堆積プロセスは、米国特許第5,589,233号に記載されており、その記載を本明細書に援用し、そこでは、窒化ケイ素またはオキシ窒化ケイ素が、基板および露出した堆積チャンバの内面に堆積され、チャンバの内面に保持されたドーパントにより汚染物質を防止する。チャンバ壁のシーズニング後、パターン化された金属面を有する基板がチャンバ内で位置決めされ、フッ素含有層を堆積するために上で説明したプロセス、またはフッ素含有膜を形成するための他の既知のプロセスに従い処理される。
【0059】
金属面へのフッ素含有誘電体の接着性の改善
本発明の更に別の局面では、パターン化された金属線のような露出した金属面を有する基板へのフッ素含有誘電体膜の接着性を改善するために、金属層の窒素詰込のための方法を提供する。本発明の1つの局面では、堆積されたチタンまたは窒化チタンの窒素詰込のための方法が提供され、TiN/N2面を形成する。プラズマ中の窒素イオンは、堆積された金属層をボンバードし、堆積された金属膜の構造を改変して金属上への誘電体膜の接着性を改善する。
【0060】
1つの特定の実施の形態では、フッ素含有誘電体材料は、メタン(CH4)およびオクタフルオロシクロブタン(C4F8)のようなそれぞれカーボンとフッ素のソースを含む堆積プロセスガスから形成されたアモルファス・フルオロカーボン材料である。他のカーボンソースも使用できるが、しかし、メタンまたはアセチレンが好ましい。他のフッ素ソースは、ヘキサフルオロベンゼン(C6F6)およびヘキサフルオロプロパン(C3F6)を含む。追加のフッ素イオンは、ポリマー膜のフッ素化を制御するよう生成してよい。アモルファス・フルオロカーボンは化学的に不活性なアモルファス誘電体材料である。
【0061】
窒化チタンのN2詰込は、最初に500Å未満の厚さを有する窒化チタン膜、または他の金属膜を堆積することにより行なわれる。窒化チタンは、好ましくは、約5秒と約30秒間の間、窒素(N2)スパッタガス中でチタンターゲットをスパッタすることにより堆積される。次いで、N2のフローはチャンバ内へ継続され、プラズマはチャンバ内で衝突させられて、堆積されたTiNとN2プラズマとの間の反応を促進する。プラズマは詰込の好ましい方法ではある一方、N2をTiN上に提供してもよく、また熱反応のような異なる反応がTiNとN2プラズマ間の反応を促進してもよい。プラズマが使用される場合、N2は、好ましくは、約5sccmから約500sccmとの間の速度でチャンバへ供給され、その一方でチャンバは、約0.5mTorrと約5Torrとの間の圧力に維持される。パワーは、容量的または誘導的にチャンバへ結合され、N2を励起された中性または類似へ励起し、基板上のTiNと反応する。基板の温度は、好ましくは、約室温から約500℃の範囲に維持される。
【0062】
図6Aは、処理された基板400の部分断面図を示し、それは、SiO2のような誘電体層412、および、メタライゼーション金属形成とプラズマエッチングのような従来方法で形成されたパターン化された金属線414を有する。処理された基板でバイアまたは線を作成するのに使用される金属は、普通はアルミニウムまたは銅である。パターン化された金属線はトレンチ416により分離され、トレンチは低誘電率材料で充填されることになる。
【0063】
図6Bを参照すると、TiN層418が、図4Aの基板400上へ物理気相堆積(PVD)により堆積され、次に、5Å超の厚さのTiN/N2面を形成するよう窒素にさらされる。TiN/N2面は、好ましくは、フッ素による攻撃から金属線414を保護するよう連続している。好ましいTiN層418は、単分子層から約200ÅまでのPVDTiNから成り、5Åと50Åとの間の厚さの連続TiN/N2面を形成するよう窒素詰込ステップがそれに続く。
【0064】
図6Cは、TiN/N2層18上に堆積されたアモルファス・フルオロカーボン層420を示す、図4Bの基板400の概略部分断面図である。アモルファス・フルオロカーボン層は、上で説明したように低誘電率を有するフッ素含有誘電体層である。
【0065】
以上は、本発明の好ましい実施の形態に向けられたが、本発明の他のおよび更なる実施の形態は、本発明の基本範囲から逸脱することなく考案することができ、その範囲は、以下につづく特許請求の範囲により決められる。
【図面の簡単な説明】
【図1A】 本発明による高密度プラズマ化学的気相堆積システムの1つの実施の形態を単純化した図である。
【図1B】 図1Aの実例のCVDプロセスチャンバと共に使用できるガスリングの単純化断面である。
【図1C】 図1Aの実例のCVDプロセスチャンバと共に使用できるモニタと光ペンを単純化した図である。
【図1D】 図1Aの実例のCVDプロセスチャンバを制御するために使用されるプロセス制御コンピュータプログラム製品の実例のフローチャートである。
【図2A】 高バイアスパワーで堆積された膜を有する2つのマイクログラフの比較を図解である。
【図2B】 低バイアスパワーで堆積された膜を有する2つのマイクログラフの比較を図解である。
【図3】 バイアスパワーと膜収縮との間の関係を示すグラフである。
【図4】 C4F8:CH4比と、膜収縮および体積速度の両者との間の関係を示すグラフである。
【図5】 アニーリング時間と誘電率との間の関係を示すグラフである。
【図6A】 この技術で既知の方法により堆積されたアルミニウム線を含む基板の概略部分断面図である。
【図6B】 本発明により基板上に堆積され、窒素にさらされた窒化チタン層を示す、図4の基板の概略部分断面図である。
【図6C】 基板上に堆積されたフッ素含有誘電体材料を示す、図5の基板の概略部分断面図である。
Claims (9)
- 内面からのフッ素のガス放出を防止するのに十分な量で、窒化ケイ素またはオキシ窒化ケイ素を堆積チャンバの内面上へ堆積させるステップと;
窒化ケイ素またはオキシ窒化ケイ素を前記堆積チャンバの内面上へ堆積させるステップの後に、前記堆積チャンバ内で、パターン化された金属面を有する基板を位置決めするステップと;
前記基板上に少なくとも1つの接着層を堆積するステップと;
前記接着層上へフッ素含有誘電体材料を堆積するステップとを含む、
基板上の金属面へのフッ素含有誘電体材料の接着性改善方法。 - 前記パターン化された金属面が、パターン化されたアルミニウム線を備える、請求項1記載の方法。
- 前記フッ素含有誘電体材料は、アモルファス・フルオロカーボン材料である、請求項1記載の方法。
- 前記少なくとも1つの接着層がTiN接着層である、請求項1記載の方法。
- 前記フッ素含有誘電体材料の堆積に先立ち、前記TiN接着層を窒素にさらすことによって、前記TiN接着層上にTiN/N2面を形成するステップを更に含む、請求項4記載の方法。
- 内面からのフッ素のガス放出を防止するのに十分な量で、窒化ケイ素またはオキシ窒化ケイ素を堆積チャンバの内面上へ堆積させるステップと;
窒化ケイ素またはオキシ窒化ケイ素を前記堆積チャンバの内面上へ堆積させるステップの後に、金属面を有する基板を、前記堆積チャンバ内で位置決めするステップと;
前記金属面上へTiN接着層を堆積するステップと;
前記TiN接着層を窒素と接触させることによりTiN/N2面を形成するステップとを含む、
基板上の金属面へのフッ素含有誘電体材料の接着性改善方法。 - 前記金属面が、パターン化されたアルミニウム線である、請求項6記載の方法。
- 前記TiN/N2面上へフッ素含有誘電体材料を堆積させるステップを更に含む、請求項6記載の方法。
- 前記フッ素含有誘電体材料が、アモルファス・フルオロカーボン材料である、請求項8記載の方法。
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