JPH02135736A - フッ素化シリコン窒化膜の成長方法 - Google Patents
フッ素化シリコン窒化膜の成長方法Info
- Publication number
- JPH02135736A JPH02135736A JP28873288A JP28873288A JPH02135736A JP H02135736 A JPH02135736 A JP H02135736A JP 28873288 A JP28873288 A JP 28873288A JP 28873288 A JP28873288 A JP 28873288A JP H02135736 A JPH02135736 A JP H02135736A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- nitride film
- plasma
- substrate
- silicon nitride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 24
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 title 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 8
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 41
- 229910004014 SiF4 Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 2
- -1 silicon fluoride nitride Chemical class 0.000 abstract 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 229910018502 Ni—H Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体素子製造工程におけるフッ素化シリコン
窒化膜の成長方法に関するものである。
窒化膜の成長方法に関するものである。
従来、この種のフッ素化シリコン窒化膜の成長方法は、
「電気化学学会、Ｖｏｌ、８６ ２．磁４１７フジタシ
ズオ・ササキアキオ共著の抜粋、第６３３〜６３４頁」
に開示されるものがある。即ち、原料ガスとして、Ｓｉ
ｇｎ Ｎｉ−Ｈ□ガスを用いたプラズマ励起気相成長
法によりプラズマ気相成長装置の反応室内面に所定厚の
フッ素化シリコン窒化膜を成長堆積して置き、反応室内
において、上記同条件下で基板上にフッ素化シリコン窒
化膜をプラズマ成長させるものであった。
「電気化学学会、Ｖｏｌ、８６ ２．磁４１７フジタシ
ズオ・ササキアキオ共著の抜粋、第６３３〜６３４頁」
に開示されるものがある。即ち、原料ガスとして、Ｓｉ
ｇｎ Ｎｉ−Ｈ□ガスを用いたプラズマ励起気相成長
法によりプラズマ気相成長装置の反応室内面に所定厚の
フッ素化シリコン窒化膜を成長堆積して置き、反応室内
において、上記同条件下で基板上にフッ素化シリコン窒
化膜をプラズマ成長させるものであった。
然し乍ら、上述した従来の成長方法においては、フッ素
化シリコン窒化膜の成長速度が、非常に低いため、基板
上における膜成長はもとよりこの成長を安定的に行なう
ために予め必要な反応室内面での膜成長に長時間を要し
、素子の生産性が低下するという問題点があった。
化シリコン窒化膜の成長速度が、非常に低いため、基板
上における膜成長はもとよりこの成長を安定的に行なう
ために予め必要な反応室内面での膜成長に長時間を要し
、素子の生産性が低下するという問題点があった。
本発明の目的は、上述の問題点に鑑み、素子の生産性が
向上できるフッ素化シリコン窒化膜の成長方法を提供す
るものである。
向上できるフッ素化シリコン窒化膜の成長方法を提供す
るものである。
本発明は上述した目的を達成するため、プラズマ気相成
長装置の反応室内面に、シラン系ガス、ＮＨ３ガス及び
Ｎ２ガスの混合ガスを原料ガスとして、窒化膜をプラズ
マ気相成長させる工程としかる後、上記反応室内におい
て、基板上に、フッ素化シリコン窒化膜をプラズマ気相
成長させる工程とを含むものである。
長装置の反応室内面に、シラン系ガス、ＮＨ３ガス及び
Ｎ２ガスの混合ガスを原料ガスとして、窒化膜をプラズ
マ気相成長させる工程としかる後、上記反応室内におい
て、基板上に、フッ素化シリコン窒化膜をプラズマ気相
成長させる工程とを含むものである。
本発明においては、反応室内において、基板上にフッ素
化シリコン窒化膜をプラズマ成長させる前に、予め上記
反応室内面に、シラン系ガス、Ｎ１１．ガス及びＮ！ガ
スの混合ガスを原料ガスとして、窒化膜を堆積するので
、基板上におけるフッ素化シリコン窒化膜は、高成長速
度で且つ安定性良く均一な膜厚に形成され、加えて、反
応室内面に成長させる窒化膜は、成長速度が速いため、
作業時間が短縮されると共に、品質が向上する。
化シリコン窒化膜をプラズマ成長させる前に、予め上記
反応室内面に、シラン系ガス、Ｎ１１．ガス及びＮ！ガ
スの混合ガスを原料ガスとして、窒化膜を堆積するので
、基板上におけるフッ素化シリコン窒化膜は、高成長速
度で且つ安定性良く均一な膜厚に形成され、加えて、反
応室内面に成長させる窒化膜は、成長速度が速いため、
作業時間が短縮されると共に、品質が向上する。
以下一実施例により本発明を具体的に説明する。
実施例
先ず、原料ガスとして５ｉ８４ガスが１８０ｓｅｃｍ
、 Ｎ！ガスが６００ｓｃｃｍ及びＮ１１ｆｆガスが７
２０ｓｃｃ−で、反応室圧力３００ｍＴｏｒｒ、平行子
Ｆｉ電極電流３．ＯＡによるプラズマ励起気相成長法を
以て１５分間プラズマ印加して、反応室内壁に所定厚の
窒化膜を成長堆積させる。その後、かかる反応室内にお
いて、ＳｉＦ４ガスが４５ｓｃｃｍ、Ｊガスが３００ｓ
ｃｃ■及びＨｚガスが９０ｓｃｃｍの混合ガスの圧力が
３００ｍＴｏｒｒ、平行平板電極電流３、ＯＡ及び基板
温度３００℃の条件下でプラズマを発生させ、基板上に
、フッ素化シリコン窒化膜を成長形成する。この場合の
フッ素化シリコン窒化膜の成長速度は、１８４人／ｓｉ
ｎであり、基板上任意５点におけるフッ素化シリコン窒
化膜の膜厚の標準偏差は６．７％である。
、 Ｎ！ガスが６００ｓｃｃｍ及びＮ１１ｆｆガスが７
２０ｓｃｃ−で、反応室圧力３００ｍＴｏｒｒ、平行子
Ｆｉ電極電流３．ＯＡによるプラズマ励起気相成長法を
以て１５分間プラズマ印加して、反応室内壁に所定厚の
窒化膜を成長堆積させる。その後、かかる反応室内にお
いて、ＳｉＦ４ガスが４５ｓｃｃｍ、Ｊガスが３００ｓ
ｃｃ■及びＨｚガスが９０ｓｃｃｍの混合ガスの圧力が
３００ｍＴｏｒｒ、平行平板電極電流３、ＯＡ及び基板
温度３００℃の条件下でプラズマを発生させ、基板上に
、フッ素化シリコン窒化膜を成長形成する。この場合の
フッ素化シリコン窒化膜の成長速度は、１８４人／ｓｉ
ｎであり、基板上任意５点におけるフッ素化シリコン窒
化膜の膜厚の標準偏差は６．７％である。
比較例１
窒化膜を全く形成しない反応室内において、ＳｉＦ４ガ
ス４５ｓｃｃｍ、Ｎｇガス３００ｓｅｃｍ及びＨ２ガス
９０ｓｃｃｍの混合ガスを原料ガスとして圧力３００ｍ
Ｔｏｒｒ、平行平板電極電流３．ＯＡ並びに基板温度３
００℃下でプラズマを発生させ、基板上にフッ素化シリ
コン窒化膜を成長形成する。かかる成長方法におけるフ
ッ素化シリコン窒化膜の成長速度は、１１６人／１ｎで
あり、基板上任意５点における膜厚の標準偏差は１２．
１％である。
ス４５ｓｃｃｍ、Ｎｇガス３００ｓｅｃｍ及びＨ２ガス
９０ｓｃｃｍの混合ガスを原料ガスとして圧力３００ｍ
Ｔｏｒｒ、平行平板電極電流３．ＯＡ並びに基板温度３
００℃下でプラズマを発生させ、基板上にフッ素化シリ
コン窒化膜を成長形成する。かかる成長方法におけるフ
ッ素化シリコン窒化膜の成長速度は、１１６人／１ｎで
あり、基板上任意５点における膜厚の標準偏差は１２．
１％である。
比較例２
先ず、原料ガスとして、ＳｉＦ４ガス４５ｓｃｃｍ、Ｎ
、ガス３００ｓｅｃｍ及びＨ！ガス９０ｓｃｃ糟の混合
ガス中で、圧力３００ｍＴｏｒｒ、平行平板電極電流３
．ＯＡ及び基板温度３００ ℃の条件下のもとてプラズ
マ励起気相成長法により８０分間プラズマ印加して、所
定厚のフッ素化シリコン窒化膜を反応室内壁に成長堆積
する。
、ガス３００ｓｅｃｍ及びＨ！ガス９０ｓｃｃ糟の混合
ガス中で、圧力３００ｍＴｏｒｒ、平行平板電極電流３
．ＯＡ及び基板温度３００ ℃の条件下のもとてプラズ
マ励起気相成長法により８０分間プラズマ印加して、所
定厚のフッ素化シリコン窒化膜を反応室内壁に成長堆積
する。
その後、かかる反応室内において、上記同条件下のプラ
ズマ励起気相成長法を以て基板上に、フッ素化シリコン
窒化膜を成長形成する。この場合の基板上におけるフッ
素化シリコン窒化膜の成長速度は、１３１人／ｌ１ｌｉ
ｎであり、基板上任意５点における膜厚の標準偏差は８
．６％である。
ズマ励起気相成長法を以て基板上に、フッ素化シリコン
窒化膜を成長形成する。この場合の基板上におけるフッ
素化シリコン窒化膜の成長速度は、１３１人／ｌ１ｌｉ
ｎであり、基板上任意５点における膜厚の標準偏差は８
．６％である。
以上の結果から、本実施例によれば、基板上において、
均一な膜厚のフッ素化シリコン窒化膜が、短時間で安定
性良く得られる。
均一な膜厚のフッ素化シリコン窒化膜が、短時間で安定
性良く得られる。
（発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、予め５ｉＨ（Ｎｌ
ｌｚ Ｈｚガスを原料ガスとして、プラズマ気相成長
装置の反応室内面に窒化膜を堆積した後、上記反応室内
において、基板上に、フッ素化シリコン窒化膜をプラズ
マ気相成長させるので、反応室及び基板上における窒化
膜及びフッ素化シリコン窒化膜は、高成長速度で形成さ
れる。よって、作業時間の短縮ができ、而も、基板上の
フッ素化シリコン窒化膜は、安定性良く、均一な膜厚に
形成できる。従って、半導体素子の量産製造において、
作業性及び品質が向上し、当該素子の歩留り及び生産量
が向上できる等の特有の効果により上述した課題を解決
し得る。
ｌｚ Ｈｚガスを原料ガスとして、プラズマ気相成長
装置の反応室内面に窒化膜を堆積した後、上記反応室内
において、基板上に、フッ素化シリコン窒化膜をプラズ
マ気相成長させるので、反応室及び基板上における窒化
膜及びフッ素化シリコン窒化膜は、高成長速度で形成さ
れる。よって、作業時間の短縮ができ、而も、基板上の
フッ素化シリコン窒化膜は、安定性良く、均一な膜厚に
形成できる。従って、半導体素子の量産製造において、
作業性及び品質が向上し、当該素子の歩留り及び生産量
が向上できる等の特有の効果により上述した課題を解決
し得る。
Claims (1)
- プラズマ気相成長装置の反応室内面に、シラン系ガス、
ＮＨ＿３ガス及びＮ＿２ガスの混合ガスを原料ガスとし
て、窒化膜をプラズマ気相成長させる工程としかる後、
上記反応室内において、基板上に、フッ素化シリコン窒
化膜をプラズマ気相成長させる工程とを含むことを特徴
とするフッ素化シリコン窒化膜の成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28873288A JPH02135736A (ja) | 1988-11-17 | 1988-11-17 | フッ素化シリコン窒化膜の成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28873288A JPH02135736A (ja) | 1988-11-17 | 1988-11-17 | フッ素化シリコン窒化膜の成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02135736A true JPH02135736A (ja) | 1990-05-24 |
Family
ID=17733971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28873288A Pending JPH02135736A (ja) | 1988-11-17 | 1988-11-17 | フッ素化シリコン窒化膜の成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02135736A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999019535A1 (en) * | 1997-10-10 | 1999-04-22 | Applied Materials, Inc. | Method to improve adhesion of dielectric on metal |
| US6573030B1 (en) | 2000-02-17 | 2003-06-03 | Applied Materials, Inc. | Method for depositing an amorphous carbon layer |
| KR100385482B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2003-10-04 | 주식회사 만도 | 쇽업소버의스토퍼결합구조 |
-
1988
- 1988-11-17 JP JP28873288A patent/JPH02135736A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999019535A1 (en) * | 1997-10-10 | 1999-04-22 | Applied Materials, Inc. | Method to improve adhesion of dielectric on metal |
| US6624064B1 (en) | 1997-10-10 | 2003-09-23 | Applied Materials, Inc. | Chamber seasoning method to improve adhesion of F-containing dielectric film to metal for VLSI application |
| KR100385482B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2003-10-04 | 주식회사 만도 | 쇽업소버의스토퍼결합구조 |
| US6573030B1 (en) | 2000-02-17 | 2003-06-03 | Applied Materials, Inc. | Method for depositing an amorphous carbon layer |
| US6841341B2 (en) | 2000-02-17 | 2005-01-11 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing an amorphous carbon layer |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20080260969A1 (en) | Method for Producing Silicon Nitride Films | |
| JPH03130368A (ja) | 半導体ウェーハプロセス装置の洗浄方法 | |
| ATE27186T1 (de) | Verfahren zur herstellung von amorphen halbleitenden legierungen und von anordnungen mittels mikrowellenenergie. | |
| JP2001358139A (ja) | 窒化ケイ素材のｃｖｄ合成 | |
| JPH07147251A (ja) | 結晶性炭化ケイ素膜の成長方法 | |
| JPH02240267A (ja) | Ｃｖｄ装置の残留ガス除去方法 | |
| JP2003332333A (ja) | 絶縁膜の低温蒸着法 | |
| WO2024114415A1 (zh) | 一种薄膜沉积方法 | |
| US5045346A (en) | Method of depositing fluorinated silicon nitride | |
| JPH02135736A (ja) | フッ素化シリコン窒化膜の成長方法 | |
| US3421936A (en) | Silicon nitride coating on semiconductor and method | |
| JPH01134912A (ja) | 半導体薄膜の製造方法 | |
| JPH04298023A (ja) | 単結晶シリコン薄膜の製造方法 | |
| JP2890698B2 (ja) | シリコン窒化膜の形成方法 | |
| JPH02194529A (ja) | 薄膜形成方法およびその装置 | |
| JPS63239931A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPH03248417A (ja) | 減圧エピタキシャル成長方法 | |
| JPS6037121A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61248432A (ja) | 膜形成法 | |
| JPH03152930A (ja) | ＡｌＮ薄膜の製造方法及びその製造装置 | |
| JPH06181205A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3112796B2 (ja) | 化学気相成長方法 | |
| JPH04298022A (ja) | 単結晶シリコン薄膜の製造方法 | |
| KR100254529B1 (ko) | 유기알루미늄 화합물을 이용한 규소 (111) 기질 상의 질화알루미늄 막의 제조 방법 | |
| JPS62240765A (ja) | 堆積膜形成法 |