JPS6037121A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6037121A JPS6037121A JP14537883A JP14537883A JPS6037121A JP S6037121 A JPS6037121 A JP S6037121A JP 14537883 A JP14537883 A JP 14537883A JP 14537883 A JP14537883 A JP 14537883A JP S6037121 A JPS6037121 A JP S6037121A
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- JP
- Japan
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- film
- gas
- forming
- substrates
- compound gas
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
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- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法、特に半導体装置の製造
工程における半導体基板の表面に半導体薄膜又は絶縁薄
膜と化学的に気相成長する半導体装置の製造方法に関す
るものである。
工程における半導体基板の表面に半導体薄膜又は絶縁薄
膜と化学的に気相成長する半導体装置の製造方法に関す
るものである。
化学的気相成長は、一般に、多量のキャリアガス中に少
量の膜形成用化合物ガスを混合して、高温反応炉内に注
入して行なう。この膜形成用化合物ガスは分解しやすか
ったシ、又は分解しにくかったシして、過度の反応性の
ある化合物ガスを得ることかできない場合がしばしばあ
る。
量の膜形成用化合物ガスを混合して、高温反応炉内に注
入して行なう。この膜形成用化合物ガスは分解しやすか
ったシ、又は分解しにくかったシして、過度の反応性の
ある化合物ガスを得ることかできない場合がしばしばあ
る。
このために、分解しやすいガスを用いた場合、バッチ均
一性が低下する。且、反応炉の内壁にも膜物質が付着成
長して曇るという悪い状態となる。
一性が低下する。且、反応炉の内壁にも膜物質が付着成
長して曇るという悪い状態となる。
反対に分解しにくいガスを用いた場合、反応温度を極度
に高くしないと、化学気相反応例進行しないため、半導
体基板に悪い影響を与えることとなる。
に高くしないと、化学気相反応例進行しないため、半導
体基板に悪い影響を与えることとなる。
本発明は反応性の大きい膜形成用化合物ガスと反応性の
小さなそれとを適贋に混合して用いることにより、上記
の欠点を解消し、良好な化学的気相成長を行なうことが
できるようにしたものである。
小さなそれとを適贋に混合して用いることにより、上記
の欠点を解消し、良好な化学的気相成長を行なうことが
できるようにしたものである。
本発明によると半導体基板上に化学的気相成長を行なう
時２種類以上の膜形成化合物ガスを導入することを特徴
とする半導体装置の製造方法が得られる。
時２種類以上の膜形成化合物ガスを導入することを特徴
とする半導体装置の製造方法が得られる。
次に本発明の実施例を図面を参照して説明する。
化学的気相成長の一種であるシリコン気相エピタキシャ
ル成長方法は例えば第１図のような装置を用いて行なう
。サセプター２の上に半導体基板３を置く。高周波電源
６によってコイル５に電流を流すと、その誘導電流によ
りサセプターが加熱され、その上に置いである半導体基
板がカロ熱される。
ル成長方法は例えば第１図のような装置を用いて行なう
。サセプター２の上に半導体基板３を置く。高周波電源
６によってコイル５に電流を流すと、その誘導電流によ
りサセプターが加熱され、その上に置いである半導体基
板がカロ熱される。
次に７よシキャリアガスに膜形成用化合物ガスを混合し
て注入すると、ノズル４より吹き出て、加熱された半導
体基板３上で気相化学反応が起こシ、半導体基板３上に
膜が形成される。ガスは排気口８を通って排出される。
て注入すると、ノズル４より吹き出て、加熱された半導
体基板３上で気相化学反応が起こシ、半導体基板３上に
膜が形成される。ガスは排気口８を通って排出される。
このプロセスで従来、膜形成用化合物ガスとして７２ン
（ＳｉＨ４）、ジクロロ７ラン（ＳｉＨ２Ｃ４）。
（ＳｉＨ４）、ジクロロ７ラン（ＳｉＨ２Ｃ４）。
トリクロロ７ラン（Ｓ １ＨＣＩｌｓ） 、あるいは四
塩化シリコン（ＳｉＣ１４）等が用いられている。しか
し、これらのガスは、７ランのように反応性が大きすぎ
る（常温で空気中で反応が起きてしまう）とか、逆に反
応性が小さいので高温にしないと反応が進まない（ジク
ロロシラン、トリクロロン２ン、四塩化シリコン）等の
欠点をそれぞれ持っている。
塩化シリコン（ＳｉＣ１４）等が用いられている。しか
し、これらのガスは、７ランのように反応性が大きすぎ
る（常温で空気中で反応が起きてしまう）とか、逆に反
応性が小さいので高温にしないと反応が進まない（ジク
ロロシラン、トリクロロン２ン、四塩化シリコン）等の
欠点をそれぞれ持っている。
この場合、中程度の反応性のガスはない。モノシラン（
作業温度１０５０℃）を用いると膜のバッチ内の均一性
が悪く、又ペルジャー内壁に分解したＳｉ微粉末が付着
し、作業回数を重ねると半導体基板上に微粉末が落下し
て品質低下となる。そしてペルジャーが曇るだめに、光
温度計による反応温度測定ができなくなる。一方ジクロ
ロ７ラン（作業温度１１５０℃）Ｉトリクロロ７ラン（
同左１１５０°Ｃ）、四塩化シリコン（同左１１５０°
０）は反応温度が高すぎるので半導体基板の結晶の歪の
発生、電気特性の変化があって良くない。
作業温度１０５０℃）を用いると膜のバッチ内の均一性
が悪く、又ペルジャー内壁に分解したＳｉ微粉末が付着
し、作業回数を重ねると半導体基板上に微粉末が落下し
て品質低下となる。そしてペルジャーが曇るだめに、光
温度計による反応温度測定ができなくなる。一方ジクロ
ロ７ラン（作業温度１１５０℃）Ｉトリクロロ７ラン（
同左１１５０°Ｃ）、四塩化シリコン（同左１１５０°
０）は反応温度が高すぎるので半導体基板の結晶の歪の
発生、電気特性の変化があって良くない。
本発明の方法を用いて、モノシラン（第１図のＡ）とジ
クロロ７ライ第１図のＢ）を多量のキャリアガス水素（
第１図のＣ）に一定比率に混合し、又目的に応じて混合
比率を変えて反応させる。このようにすると作業温度を
１０５０℃から１１５０°Ｃまで自由に選択することが
でき、バッチ内の膜質の均一化の向上、ペルジャー内壁
の汚染の低減化等の改善ができる。
クロロ７ライ第１図のＢ）を多量のキャリアガス水素（
第１図のＣ）に一定比率に混合し、又目的に応じて混合
比率を変えて反応させる。このようにすると作業温度を
１０５０℃から１１５０°Ｃまで自由に選択することが
でき、バッチ内の膜質の均一化の向上、ペルジャー内壁
の汚染の低減化等の改善ができる。
この方法はその他、絶縁膜（酸化シリコン膜（Ｓ ｒ
ＯＪ ｗ電化シリコン膜（ＳｉａＮ４））の気相成長方
法にも同様に適用できる。
ＯＪ ｗ電化シリコン膜（ＳｉａＮ４））の気相成長方
法にも同様に適用できる。
本発明によると、以上説明したように、バッチ内の膜質
の均一化の向上、ペルジャー内壁の汚染の低減化の改善
ができる効果がある。
の均一化の向上、ペルジャー内壁の汚染の低減化の改善
ができる効果がある。
面図である。
１・・・・・・透明なペルジャー、２・・・・・・サセ
プター、３・・Ｊ・・・半導体基板、４・・・・・・ノ
ズル、訃・・・・・高周波コイル、６・・・・・・高周
波電源、７・・・・・・ノズル、８・−・・・・排気口
５４４円 ｈ１図
プター、３・・Ｊ・・・半導体基板、４・・・・・・ノ
ズル、訃・・・・・高周波コイル、６・・・・・・高周
波電源、７・・・・・・ノズル、８・−・・・・排気口
５４４円 ｈ１図
Claims (1)
- 半導体基板上に化学的気相成長を行なう時２種類以上の
膜形成化合物ガスを導入することを特徴とする半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14537883A JPS6037121A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14537883A JPS6037121A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6037121A true JPS6037121A (ja) | 1985-02-26 |
Family
ID=15383847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14537883A Pending JPS6037121A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6037121A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009135230A (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-18 | Nuflare Technology Inc | 気相成長膜形成装置および気相成長膜形成方法 |
-
1983
- 1983-08-09 JP JP14537883A patent/JPS6037121A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009135230A (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-18 | Nuflare Technology Inc | 気相成長膜形成装置および気相成長膜形成方法 |
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