JPH02194529A - 薄膜形成方法およびその装置 - Google Patents
薄膜形成方法およびその装置Info
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- JPH02194529A JPH02194529A JP1478389A JP1478389A JPH02194529A JP H02194529 A JPH02194529 A JP H02194529A JP 1478389 A JP1478389 A JP 1478389A JP 1478389 A JP1478389 A JP 1478389A JP H02194529 A JPH02194529 A JP H02194529A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野１
この発明は、半導体素子の製造などで好適に実施される
薄膜形成方法およびそのＷＷに関するものである。
薄膜形成方法およびそのＷＷに関するものである。
近江、半導体素子の微細化に伴って、半導体製造プロセ
スの高精度化、高安定化、および低温化が進められてい
る。たとえば、膜堆積プロセスやエツチングプロセスで
は、プラズマや光をエネルギー源とする気相化学反応を
＋１１用した低温プロセスの開発が進められてきζいる
。これは、高温プロセスでは基板中の不純物の拡１１Ｊ
１．深さを深くしたり基板に応力を生じさせたりし、て
、素子特性の′、鱈化を招くためである。
スの高精度化、高安定化、および低温化が進められてい
る。たとえば、膜堆積プロセスやエツチングプロセスで
は、プラズマや光をエネルギー源とする気相化学反応を
＋１１用した低温プロセスの開発が進められてきζいる
。これは、高温プロセスでは基板中の不純物の拡１１Ｊ
１．深さを深くしたり基板に応力を生じさせたりし、て
、素子特性の′、鱈化を招くためである。
低温プロセスζこおいて、たとえばプラズマをエネルギ
ー源とするプロセスでは、プラズマ中のイオンや中性活
性種によって、：！ニー）チングや膜の堆積が行われる
ため、高エネルギーのイオンが基板くこ損傷を与え、こ
れにより素子の特性が劣化するという問題があるやこの
ため、基壽反電極に７ベイ′７スを印加して、プラズマ
中のイオンの加速領域であるシースの電圧を低くして、
基板への損傷を低減する方法が提案されている。しかし
ながらこの方法では、高エネルギー源によるイオンアシ
スト効果がないため、通常のプラズマ堆積方法に比較し
て膜の堆積速度が低くなるという欠点がある。
ー源とするプロセスでは、プラズマ中のイオンや中性活
性種によって、：！ニー）チングや膜の堆積が行われる
ため、高エネルギーのイオンが基板くこ損傷を与え、こ
れにより素子の特性が劣化するという問題があるやこの
ため、基壽反電極に７ベイ′７スを印加して、プラズマ
中のイオンの加速領域であるシースの電圧を低くして、
基板への損傷を低減する方法が提案されている。しかし
ながらこの方法では、高エネルギー源によるイオンアシ
スト効果がないため、通常のプラズマ堆積方法に比較し
て膜の堆積速度が低くなるという欠点がある。
またプラズマＣＶＤでは、原料ガスの解離によってイオ
ンや中性活性種が生成され、それらの成分を相互に反応
させて得た物質を堆積させて成膜するようにしているの
で、膜中に原料ガスの成分中の不要な元素が添加され、
これによって改質が劣化するという問題がある。
ンや中性活性種が生成され、それらの成分を相互に反応
させて得た物質を堆積させて成膜するようにしているの
で、膜中に原料ガスの成分中の不要な元素が添加され、
これによって改質が劣化するという問題がある。
さらに光をエネルギー源とするエツチングや膜堆積では
、高エネルギーの粒子は存在しないため基板の損傷は少
ないが、プラズマをエネルギー源とするプロセスに比較
して、エツチングレートや膜堆積速度が低いという問題
がある。
、高エネルギーの粒子は存在しないため基板の損傷は少
ないが、プラズマをエネルギー源とするプロセスに比較
して、エツチングレートや膜堆積速度が低いという問題
がある。
この発明の目的は、基板への損傷を低減し、また膜質を
向上することができる薄膜形成方法およびその装置を提
供することである。
向上することができる薄膜形成方法およびその装置を提
供することである。
この発明の薄膜形成方法は、第１の反応ガスを解離して
プラズマを生成させ、このプラズマと第２の反応ガスと
の熱化学気相反応により膜を形成させることを特徴とす
る。
プラズマを生成させ、このプラズマと第２の反応ガスと
の熱化学気相反応により膜を形成させることを特徴とす
る。
この発明の薄膜形成装置は、第１の反応ガスが導入され
、この第１の反応ガスを解離してプラズマを生成させる
プラズマ生成炉と、 基板を加熱保持した内部空間に第２の反応ガスが導入さ
れる反応炉とを備え、 前記プラズマ生成炉からの前記第１の反応ガスのプラズ
マを前記反７ち炉に導いて、このプラズマと前記第２の
ガスとの熱化学気相反応により前記加熱保持した基板表
面に膜を形成さセるようにしたものである。
、この第１の反応ガスを解離してプラズマを生成させる
プラズマ生成炉と、 基板を加熱保持した内部空間に第２の反応ガスが導入さ
れる反応炉とを備え、 前記プラズマ生成炉からの前記第１の反応ガスのプラズ
マを前記反７ち炉に導いて、このプラズマと前記第２の
ガスとの熱化学気相反応により前記加熱保持した基板表
面に膜を形成さセるようにしたものである。
この発明の構成によれば、第１の反応ガスはプラズマ生
成炉に導入されて解離される。このプラズマ生成炉から
のプラズマは反応炉に導かれ、この反応炉に導入されて
いる第２の反応ガスと反応する０反応炉内では膜を形成
すべき基板が加熱保持されており、前記第１の反応ガス
のプラズマと第２の反応ガスとの熱化学気相反応により
得られた物質が前記基板表面に堆積されて膜が形成され
る。
成炉に導入されて解離される。このプラズマ生成炉から
のプラズマは反応炉に導かれ、この反応炉に導入されて
いる第２の反応ガスと反応する０反応炉内では膜を形成
すべき基板が加熱保持されており、前記第１の反応ガス
のプラズマと第２の反応ガスとの熱化学気相反応により
得られた物質が前記基板表面に堆積されて膜が形成され
る。
前記気相化学反応は、第１の反応ガスのプラズマと第２
の反応ガスとの間の反応であるので、反応炉内の基板を
さほど高温に加熱することなく達成することができ、し
かも高エネルギーのイオンが基板および形成された膜に
損傷を与えることが防がれる。
の反応ガスとの間の反応であるので、反応炉内の基板を
さほど高温に加熱することなく達成することができ、し
かも高エネルギーのイオンが基板および形成された膜に
損傷を与えることが防がれる。
さらに、前記第１の反応ガスを単体とすれば、膜形成に
不必要な元素を含む分子などが解離されることが防がれ
るので、膜中に膜質を劣化させる元素が取り込まれるこ
とが防がれる。
不必要な元素を含む分子などが解離されることが防がれ
るので、膜中に膜質を劣化させる元素が取り込まれるこ
とが防がれる。
第１図はこの発明の一実施例の薄膜形成方法を実施する
ための薄膜形成装置の具体例の基本的な構成を示す概念
図である。この薄膜形成装置は大略的に、第１のガスが
導入されこの第１のガスを解離させてプラズマを生成さ
せる略円筒状のプラズマ生成炉３と、内部空間に基板１
が加熱保持され第２の反応ガスが導入される反応炉２と
を含んで構成されている。前記反応炉２およびプラズマ
生成炉３はいずれも石英管で構成されている。
ための薄膜形成装置の具体例の基本的な構成を示す概念
図である。この薄膜形成装置は大略的に、第１のガスが
導入されこの第１のガスを解離させてプラズマを生成さ
せる略円筒状のプラズマ生成炉３と、内部空間に基板１
が加熱保持され第２の反応ガスが導入される反応炉２と
を含んで構成されている。前記反応炉２およびプラズマ
生成炉３はいずれも石英管で構成されている。
前記第２の反応ガスはガスポンベ４からマスフローコン
トローラ５および弁６を介して前記反応炉２内に導入さ
れる。この反応炉２内において前記基板１はカーボン製
のサセプタ７に保持されている。このサセプタ７は、反
応炉２の外周に配回され高周波電′ａ（図示せず。）に
接続した誘導加熱用コイル８により高周波誘導加熱され
、これによって前記基板１が加熱されることになる。
トローラ５および弁６を介して前記反応炉２内に導入さ
れる。この反応炉２内において前記基板１はカーボン製
のサセプタ７に保持されている。このサセプタ７は、反
応炉２の外周に配回され高周波電′ａ（図示せず。）に
接続した誘導加熱用コイル８により高周波誘導加熱され
、これによって前記基板１が加熱されることになる。
前記反応炉２内の空間は弁９を介してブースターポンプ
１０およびロータリポンプ１１によって排気されて減圧
されている。前記弁９の開度の調整によって反応炉２内
の圧力を調整することができる。
１０およびロータリポンプ１１によって排気されて減圧
されている。前記弁９の開度の調整によって反応炉２内
の圧力を調整することができる。
前記第１の反応ガスはガスボンベ１２からマスフローコ
ントローラ１３．弁１４．および管１５を介して前記プ
ラズマ生成炉３に供給される。管１５からの第１の反応
ガスはプラズマ生成炉３の内周面に沿って配置した石英
製のガスリード管１６に導かれ、このガスリード管１６
に形成した多数の孔１７からプラズマ生成炉３の内部空
間に吹き出される。このようにしてプラズマ生成炉３内
に導入された第１の反応ガスは、プラズマ生成炉３の外
周に配置され高周波電源が印加される放電用誘導コイル
１８からの高周波電界によって加速されて解離する。こ
のようにして第１の反応ガスのプラズマがプラズマ生成
炉３内に生成される。このプラズマは弁１９および管２
０を介して、反応炉２内に導くことができる。プラズマ
生成炉３内の圧力は前記弁１９の開度を変化させること
により調整される。
ントローラ１３．弁１４．および管１５を介して前記プ
ラズマ生成炉３に供給される。管１５からの第１の反応
ガスはプラズマ生成炉３の内周面に沿って配置した石英
製のガスリード管１６に導かれ、このガスリード管１６
に形成した多数の孔１７からプラズマ生成炉３の内部空
間に吹き出される。このようにしてプラズマ生成炉３内
に導入された第１の反応ガスは、プラズマ生成炉３の外
周に配置され高周波電源が印加される放電用誘導コイル
１８からの高周波電界によって加速されて解離する。こ
のようにして第１の反応ガスのプラズマがプラズマ生成
炉３内に生成される。このプラズマは弁１９および管２
０を介して、反応炉２内に導くことができる。プラズマ
生成炉３内の圧力は前記弁１９の開度を変化させること
により調整される。
本件発明音は、上述の薄膜形成装置を用いてシリコンナ
イトライド膜（以下ｒｓｉＮＩｔＱ」という。）を基板
１（３インチシリコン基板）表面に形成する実験を行っ
ている。一般のＣＶＤ （プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ）
では反応ガスとしてシラン（ＳｉＨ，）とアンモニア（
ＮＨ２）との混合ガスが用いられるが、この実験では、
第１の反応ガスとして窒素（Ｎ２）を用い、第２の反応
ガスとしてシラン（ＳｉＨａ ： １００％）を用い
る。これは、アンモニアガスは解離しやすいため低温で
用いることができる反面、ガスの高純度化が困難でしか
も危険性が高いことを考慮したものである。
イトライド膜（以下ｒｓｉＮＩｔＱ」という。）を基板
１（３インチシリコン基板）表面に形成する実験を行っ
ている。一般のＣＶＤ （プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ）
では反応ガスとしてシラン（ＳｉＨ，）とアンモニア（
ＮＨ２）との混合ガスが用いられるが、この実験では、
第１の反応ガスとして窒素（Ｎ２）を用い、第２の反応
ガスとしてシラン（ＳｉＨａ ： １００％）を用い
る。これは、アンモニアガスは解離しやすいため低温で
用いることができる反面、ガスの高純度化が困難でしか
も危険性が高いことを考慮したものである。
反応炉２内でのＳｉＮ膜の堆積条件は以下のとおりであ
る。
る。
シランガス圧力 ４５０ ｍＴｏｒｒガス流量
３Ｑｓｃｃｔｓ成長温度 ５０
０’Ｃ また、プラズマ生成炉３内でのプラズマ生成条件は下記
のとおりである。
３Ｑｓｃｃｔｓ成長温度 ５０
０’Ｃ また、プラズマ生成炉３内でのプラズマ生成条件は下記
のとおりである。
窒素ガス圧力 ３００ ｍＴｏｒｒガス流ｍ
２５０ ５ＣＣ１１高周波電ａ電力
２００ Ｗ 本件発明者はさらに、通常の熱ＣＶＤおよびプラズマＣ
ＶＤによってＳｉＮ膜を成長させ、こられのＳｉＮ膜と
、この実施例に従う上述の薄膜形成装置によって前述の
各条件を満足させて形成したＳｉＮ膜とに関し、ＳｉＮ
膜中に含まれる水素濃度およびバッファーフン酸ＣＢＨ
Ｆ：ＮＨイＦ／ＨＦ＝５／ｌ）に対するエツチングレー
トを測定しており、この１ｌｉｌＩ定結果が第１表に示
されている。ただし前記熱ＣＶＤによるＳｉＮ膜の形成
はＳｉＮ膜の成長Ａ度を９００ ’Ｃとして行った。ま
た前記プラズマＣＶＤによるＳｉＮ膜の形成は、基板温
度３００°Ｃ２高周波電源電力２００Ｗの条件下で、反
応ガスとしてシランとアンモニアとの混合ガスを用いた
場合と、シランと窒素との混合ガスを用いた場合との各
場合に関して測定を行った。第１表中ｒＰ−ＣＶＤＪは
プラズマＣＶＤを示し、括弧内のｒＮｏ、、と「Ｎ！」
とはそれぞれ各プラズマＣＶＤによるＳｉＮ膜形成時に
おいて用いられた反応ガスを示している。さらに水素濃
度の項において不等号「〈」は、水素濃度がそれに引き
続（数値よりも小さいことを示している。
２５０ ５ＣＣ１１高周波電ａ電力
２００ Ｗ 本件発明者はさらに、通常の熱ＣＶＤおよびプラズマＣ
ＶＤによってＳｉＮ膜を成長させ、こられのＳｉＮ膜と
、この実施例に従う上述の薄膜形成装置によって前述の
各条件を満足させて形成したＳｉＮ膜とに関し、ＳｉＮ
膜中に含まれる水素濃度およびバッファーフン酸ＣＢＨ
Ｆ：ＮＨイＦ／ＨＦ＝５／ｌ）に対するエツチングレー
トを測定しており、この１ｌｉｌＩ定結果が第１表に示
されている。ただし前記熱ＣＶＤによるＳｉＮ膜の形成
はＳｉＮ膜の成長Ａ度を９００ ’Ｃとして行った。ま
た前記プラズマＣＶＤによるＳｉＮ膜の形成は、基板温
度３００°Ｃ２高周波電源電力２００Ｗの条件下で、反
応ガスとしてシランとアンモニアとの混合ガスを用いた
場合と、シランと窒素との混合ガスを用いた場合との各
場合に関して測定を行った。第１表中ｒＰ−ＣＶＤＪは
プラズマＣＶＤを示し、括弧内のｒＮｏ、、と「Ｎ！」
とはそれぞれ各プラズマＣＶＤによるＳｉＮ膜形成時に
おいて用いられた反応ガスを示している。さらに水素濃
度の項において不等号「〈」は、水素濃度がそれに引き
続（数値よりも小さいことを示している。
第 １ 表
この第１表から、水素濃度およびエツチングレートとも
に、熱ＣＶＤ、この実施例、プラズマＣＶ Ｄ （Ｓ＋
ＨａとＮ８とを用いた場合、）、ブラダ？ ＣＶ Ｄ
（Ｓｉ ｔ−１ａとＮ Ｈｓとを用いた場合、）の順
に増大する。水素のＳｉＮ膜への混入は膜質を劣化させ
るが、この実施例によれば水素の混入がプラズマＣＶＤ
に比較して格段に低減されることが理解される。また前
記エツチングレートの比較からこの実施例の薄膜形成装
置によって形成したＳｉＮ膜では、従来のプラズマＣＶ
Ｄによって形成したＳｉＮ膜に比較して、膜の損傷が著
しく低減されていることが判る。
に、熱ＣＶＤ、この実施例、プラズマＣＶ Ｄ （Ｓ＋
ＨａとＮ８とを用いた場合、）、ブラダ？ ＣＶ Ｄ
（Ｓｉ ｔ−１ａとＮ Ｈｓとを用いた場合、）の順
に増大する。水素のＳｉＮ膜への混入は膜質を劣化させ
るが、この実施例によれば水素の混入がプラズマＣＶＤ
に比較して格段に低減されることが理解される。また前
記エツチングレートの比較からこの実施例の薄膜形成装
置によって形成したＳｉＮ膜では、従来のプラズマＣＶ
Ｄによって形成したＳｉＮ膜に比較して、膜の損傷が著
しく低減されていることが判る。
第２図は上述の各ＳｉＮ膜における容量−電圧特性を示
す特性閲である。この第２Ｍにはバイアス電圧に対する
、容量Ｃの最大容量Ｃ２え、に対する比Ｃ／ Ｃｎｈｘ
の変化が示されている。試料としては、比抵抗５０ｏｈ
ｍ−ｃｍの３インチｐ／ｐ”−Ｓｉ基板上にＳｉＮ膜を
１０００人堆積した後、この５ｉＮＫ上に金を真空茶着
したものを用いる。第２図において、曲線１１，１２，
１３．１４は、それぞれ前記ＳｉＮ膜を熱ＣＶＤ、 こ
の実施例の薄膜形成装置プラグ？ＣＶ Ｄ （ＳｉＨｎ
トＮｚ ） 、 ’７’ラス７ＣＶＤ（ＳｉＨ４とＮ
Ｈｘ）によって形成した場合の各特性を示す。
す特性閲である。この第２Ｍにはバイアス電圧に対する
、容量Ｃの最大容量Ｃ２え、に対する比Ｃ／ Ｃｎｈｘ
の変化が示されている。試料としては、比抵抗５０ｏｈ
ｍ−ｃｍの３インチｐ／ｐ”−Ｓｉ基板上にＳｉＮ膜を
１０００人堆積した後、この５ｉＮＫ上に金を真空茶着
したものを用いる。第２図において、曲線１１，１２，
１３．１４は、それぞれ前記ＳｉＮ膜を熱ＣＶＤ、 こ
の実施例の薄膜形成装置プラグ？ＣＶ Ｄ （ＳｉＨｎ
トＮｚ ） 、 ’７’ラス７ＣＶＤ（ＳｉＨ４とＮ
Ｈｘ）によって形成した場合の各特性を示す。
この第２図から、フラットバンド電圧のシフトは、熱Ｃ
ＶＤ、この実施例の薄膜形成装置、プラズマＣＶ Ｄ
（Ｓ１Ｈａ とＮ２）、プラズマＣＶＤ（Ｓｉｌ（−と
ＮＨｓ）によってそれぞれ形成したＳｉＮ膜の１１項に
大きくなり、熱ＣＶＤおよびこの実施例の薄膜形成装置
によって形成した各ＳｉＮ膜では、欠陥がかなり少ない
ことが判る。またＱＣＶＤおよびこの実施例の薄膜形成
装置によって形成した各ＳｉＮ膜間では各評価は誤差の
範囲でしか差異が認められなかった。
ＶＤ、この実施例の薄膜形成装置、プラズマＣＶ Ｄ
（Ｓ１Ｈａ とＮ２）、プラズマＣＶＤ（Ｓｉｌ（−と
ＮＨｓ）によってそれぞれ形成したＳｉＮ膜の１１項に
大きくなり、熱ＣＶＤおよびこの実施例の薄膜形成装置
によって形成した各ＳｉＮ膜では、欠陥がかなり少ない
ことが判る。またＱＣＶＤおよびこの実施例の薄膜形成
装置によって形成した各ＳｉＮ膜間では各評価は誤差の
範囲でしか差異が認められなかった。
以上のようにこの実施例によれば、基板１表面に形成さ
れる膜の１１傷を低減して、熱ＣＶＤで形成したとほぼ
同等の良好な膜質を有する膜を形成することができる。
れる膜の１１傷を低減して、熱ＣＶＤで形成したとほぼ
同等の良好な膜質を有する膜を形成することができる。
しかも熱ＣＶＤよりも低い温度で膜の形成を行うことが
できるようになる。さらにプラズマに解諦される第１の
反応ガスとして単体のガス（この実施例ではＮｔ）を用
いているので、基板１表面に形成される膜に、膜質を劣
化させる不要な元素が混入することが防がれる。
できるようになる。さらにプラズマに解諦される第１の
反応ガスとして単体のガス（この実施例ではＮｔ）を用
いているので、基板１表面に形成される膜に、膜質を劣
化させる不要な元素が混入することが防がれる。
また、反応炉２内での反応は第１の反応ガスのプラズマ
と第２の反応ガスとの熱化学気相反応であるので、高エ
ネルギーのイオンが基板１および基板１表面に形成され
た膜に損傷を与えることを防ぐことができる。
と第２の反応ガスとの熱化学気相反応であるので、高エ
ネルギーのイオンが基板１および基板１表面に形成され
た膜に損傷を与えることを防ぐことができる。
（発明の効果）
以上のようにこの発明の薄膜形成方法および薄膜形成装
置によれば、反応炉における熱化学気相反応は、第１の
反応ガスのプラズマと第２の反応ガスとの間の反応であ
るので、反応炉内の基板をさほど高温に加熱することな
く達成することができ、しかも高エネルギーのイオンが
基板および形成された膜に損傷を与えることが防がれる
。
置によれば、反応炉における熱化学気相反応は、第１の
反応ガスのプラズマと第２の反応ガスとの間の反応であ
るので、反応炉内の基板をさほど高温に加熱することな
く達成することができ、しかも高エネルギーのイオンが
基板および形成された膜に損傷を与えることが防がれる
。
さらに、前記第１の反応ガスを単体とすれば、膜形成に
不必要な元素を含む分子などが解離されることが防がれ
るので、膜中にＷａ：ｔを劣化させる元素が取り込まれ
ることが防がれる。
不必要な元素を含む分子などが解離されることが防がれ
るので、膜中にＷａ：ｔを劣化させる元素が取り込まれ
ることが防がれる。
このようにして、基板および形成された膜の損傷を低減
して、比較的低温のプロセスで良好な膜質を有する膜を
基板上に形成することができるようになる。
して、比較的低温のプロセスで良好な膜質を有する膜を
基板上に形成することができるようになる。
第１図はこの発明の一実施例の３膜形成方法を実施する
ための薄膜形成装置の具体例の友本的な構成を示す概念
図、第２図は従来技術お。′、び第１図に示された薄膜
形成装置によってそれづ′れ形成したシリコンナイトラ
イド膜の容ソー電圧特性を示す特性図である。
ための薄膜形成装置の具体例の友本的な構成を示す概念
図、第２図は従来技術お。′、び第１図に示された薄膜
形成装置によってそれづ′れ形成したシリコンナイトラ
イド膜の容ソー電圧特性を示す特性図である。
Claims (2)
- （１）第１の反応ガスを解離してプラズマを生成させ、
このプラズマと第２の反応ガスとの熱化学気相反応によ
り膜を形成させることを特徴とする薄膜形成方法。 - （２）第１の反応ガスが導入され、この第１の反応ガス
を解離してプラズマを生成させるプラズマ生成炉と、 基板を加熱保持した内部空間に第２の反応ガスが導入さ
れる反応炉とを備え、 前記プラズマ生成炉からの前記第１の反応ガスのプラズ
マを前記反応炉に導いて、このプラズマと前記第２のガ
スとの熱化学気相反応により前記加熱保持した基板表面
に膜を形成させるようにした薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1478389A JPH02194529A (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 薄膜形成方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1478389A JPH02194529A (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 薄膜形成方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02194529A true JPH02194529A (ja) | 1990-08-01 |
Family
ID=11870650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1478389A Pending JPH02194529A (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 薄膜形成方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02194529A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009010107A (ja) * | 2007-06-27 | 2009-01-15 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-01-23 JP JP1478389A patent/JPH02194529A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009010107A (ja) * | 2007-06-27 | 2009-01-15 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
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