JP4351161B2 - 半導体素子の製造装置及びこれを用いた半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Description
第1に、従来の金属蒸着前の洗浄技術である。普通の場合、インシチューで進行することが不可能な状態で行われたので、金属とシリコン間の異物の生成を防ぐことができなかった。
以下、図1を参照してショットキーバリア(SB)MOSFETの構造について説明する。
本発明は、下記で説明する実施例に限定されるものではなく、様々な形態に実現することができる。但し、これらの実施例は本発明の開示を完全にし、通常の知識を有する者に本発明の範疇を知らせるために提供されるものである。
Claims (14)
- 下部に、試料を搭載するように配置された第1基板ホルダーと、上部に、試料に対してランプ光を照射するために配置されたハロゲンランプと、一側面に試料の出入りができるように配置された基板ドアとを備えた第1チャンバーと、
下部に、試料を搭載するように配置され、温度調節が可能な第2基板ホルダーと、チャンバーの上部と下部を分離して工程を行えるようにチャンバーの中間部に設置された中間膜と、前記第2基板ホルダーを、前記中間膜を基準として上部と下部へ移送するために前記第2基板ホルダーに取り付けられた昇降部と、前記チャンバーの上部に配置された金属蒸着部とを備える第2チャンバーと、
前記第1チャンバー及び前記第2チャンバーに連結され、圧力をそれぞれ調節するためのポンプ部と、
前記第1チャンバー及び前記第2チャンバーに連結され、ガス量を制御して注入するためのガス注入部と、
外部空気の流入なしで前記第1チャンバーと前記第2チャンバーとの間を往復し得るようにし、ゲートバルブを含む連結通路部と
を備えたことを特徴とする半導体素子の製造装置。 - 前記金属蒸着部は、スパッタガンと、スパッタリング中に蒸着される金属が両側に広く広がることを防ぐスパッタシャッターと、該スパッタシャッターの開口程度を調節するシャッター絞りとを備えたことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造装置。
- 前記ポンプ部は、ロッタリーポンプとターボ分子ポンプを用いたことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造装置。
- 前記第1チャンバーと前記第2チャンバーの温度を測定するためのサーモカップルを前記第1基板ホルダー及び第2基板ホルダーにさらに取り付けたことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造装置。
- 前記第1チャンバーの側面には、UVランプ又は電子源を提供するためのポートをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造装置。
- 請求項1に記載の半導体素子の製造装置を用いた半導体素子の製造方法において、
半導体構造物が形成された基板上に前記第1チャンバーを用いて洗浄工程を行う段階と、
前記洗浄工程後、前記基板を前記第2チャンバーの前記中間膜の上部に移動させて金属膜を蒸着する段階とを含み、
外部の露出なしに一括工程で行うことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記金属蒸着段階の後、前記第1チャンバーで熱処理工程を行う段階をさらに含むことを特徴とする請求項6に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記金属蒸着段階の前に、前記第2チャンバーの前記中間膜の下部で犠牲シリコン層を成長させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項6に記載の半導体素子の製造方法。
- 請求項1に記載の半導体素子の製造装置を用いたショットキーバリアMOSFETの製造方法において、
シリコン層上にゲート酸化膜、ゲート電極及びスペーサが形成された基板を前記第1チャンバーに配置する段階と、
前記第1チャンバーを用いてソース/ドレイン電極の形成のための金属膜蒸着の前に洗浄工程を行う段階と、
前記洗浄工程後、前記基板を、前記連結通路部を介して前記第2チャンバーに移動させる段階と、
前記第2チャンバーに移動した前記基板を中間膜の上部に上昇させ、前記金属蒸着部を用いて金属層を蒸着する段階と、
前記金属層の蒸着が完了した後、前記基板を下降させて熱処理してシリサイドを形成する段階と
を含むことを特徴とするショットキーバリアMOSFETの製造方法。 - 前記金属層蒸着段階の前に、前記第2チャンバーの前記中間膜の下部で犠牲シリコンを成長させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項9に記載のショットキーバリアMOSFETの製造方法。
- 前記洗浄工程は、真空洗浄又はH2ベーク工程であり、前記真空洗浄は、10−8Torr以下の超高真空状態で650〜750℃の範囲で60〜300秒間熱処理し、前記H2ベーク工程は、700〜900℃でH2を0.5〜50slm、圧力を0.1〜10Torrに維持した状態で60〜300秒間熱処理することを特徴とする請求項9に記載のショットキーバリアMOSFETの製造方法。
- 前記金属蒸着前の犠牲酸化膜形成工程は、前記第2チャンバーの中間膜の下部で行うもので、550〜750℃で圧力10−8Torr以下に100〜500秒間維持した後、Si2H6又はSiH4ガスを1〜50sccm程度流して選択的にシリコン層を形成することにより行うことを特徴とする請求項9に記載のショットキーバリアMOSFETの製造方法。
- 前記金属蒸着工程は、Ar又はN2雰囲気で圧力0.005〜50Torrにてスパッタリング工程を用いて行うが、蒸着される金属層の厚さは、50〜500Åであることを特徴とする請求項9に記載のショットキーバリアMOSFETの製造方法。
- 前記金属蒸着後のシリサイド形成のための熱処理は、前記第1チャンバーを用いて圧力を10−8Torr以下に維持した状態で行うことを特徴とする請求項9に記載のショットキーバリアMOSFETの製造方法。
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US8946081B2 (en) * | 2012-04-17 | 2015-02-03 | International Business Machines Corporation | Method for cleaning semiconductor substrate |
EP3007879B1 (en) * | 2013-06-10 | 2019-02-13 | Renishaw Plc. | Selective laser solidification apparatus and method |
GB201310398D0 (en) | 2013-06-11 | 2013-07-24 | Renishaw Plc | Additive manufacturing apparatus and method |
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Family Cites Families (33)
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JPS60238479A (ja) * | 1984-05-10 | 1985-11-27 | Anelva Corp | 真空薄膜処理装置 |
US4752815A (en) * | 1984-06-15 | 1988-06-21 | Gould Inc. | Method of fabricating a Schottky barrier field effect transistor |
US4699805A (en) * | 1986-07-03 | 1987-10-13 | Motorola Inc. | Process and apparatus for the low pressure chemical vapor deposition of thin films |
DE3873593T2 (de) * | 1987-04-21 | 1992-12-10 | Seiko Instr Inc | Apparatur zur herstellung von halbleiterkristallen. |
JPH0758789B2 (ja) * | 1988-06-10 | 1995-06-21 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JPH0268927A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
US4902583A (en) * | 1989-03-06 | 1990-02-20 | Brucker Charles F | Thick deposited cobalt platinum magnetic film and method of fabrication thereof |
US5043299B1 (en) * | 1989-12-01 | 1997-02-25 | Applied Materials Inc | Process for selective deposition of tungsten on semiconductor wafer |
US5083030A (en) * | 1990-07-18 | 1992-01-21 | Applied Photonics Research | Double-sided radiation-assisted processing apparatus |
JPH04155850A (ja) * | 1990-10-19 | 1992-05-28 | Hitachi Ltd | 微細孔への金属孔埋め方法 |
KR0161376B1 (ko) * | 1994-05-24 | 1999-02-01 | 김광호 | 금속배선 형성방법 및 이에 사용되는 스퍼터링 장치 |
US6090701A (en) * | 1994-06-21 | 2000-07-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for production of semiconductor device |
US5730801A (en) * | 1994-08-23 | 1998-03-24 | Applied Materials, Inc. | Compartnetalized substrate processing chamber |
JPH0874028A (ja) * | 1994-09-01 | 1996-03-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
EP0746027A3 (en) * | 1995-05-03 | 1998-04-01 | Applied Materials, Inc. | Polysilicon/tungsten silicide multilayer composite formed on an integrated circuit structure, and improved method of making same |
JP3430277B2 (ja) * | 1995-08-04 | 2003-07-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 枚葉式の熱処理装置 |
US5789318A (en) * | 1996-02-23 | 1998-08-04 | Varian Associates, Inc. | Use of titanium hydride in integrated circuit fabrication |
US6067931A (en) * | 1996-11-04 | 2000-05-30 | General Electric Company | Thermal processor for semiconductor wafers |
EP0954620A4 (en) * | 1997-01-16 | 2002-01-02 | Bottomfield Layne F | COMPONENTS FOR VACUUM EVAPORATION METALLIZATION AND RELATED METHODS |
JPH10233426A (ja) * | 1997-02-20 | 1998-09-02 | Tokyo Electron Ltd | 自動ティ−チング方法 |
US5958508A (en) * | 1997-03-31 | 1999-09-28 | Motorlola, Inc. | Process for forming a semiconductor device |
US6114662A (en) * | 1997-06-05 | 2000-09-05 | International Business Machines Corporation | Continual flow rapid thermal processing apparatus and method |
US5911896A (en) * | 1997-06-25 | 1999-06-15 | Brooks Automation, Inc. | Substrate heating apparatus with glass-ceramic panels and thin film ribbon heater element |
US5997649A (en) * | 1998-04-09 | 1999-12-07 | Tokyo Electron Limited | Stacked showerhead assembly for delivering gases and RF power to a reaction chamber |
JP2000223419A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-08-11 | Sony Corp | 単結晶シリコン層の形成方法及び半導体装置の製造方法、並びに半導体装置 |
KR100351237B1 (ko) * | 1998-12-29 | 2002-11-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의구리금속배선형성장치및이를이용한구리금속배선형성방법 |
US6423949B1 (en) * | 1999-05-19 | 2002-07-23 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone resistive heater |
US6488778B1 (en) * | 2000-03-16 | 2002-12-03 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for controlling wafer environment between thermal clean and thermal processing |
US6437290B1 (en) * | 2000-08-17 | 2002-08-20 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment apparatus having a thin light-transmitting window |
US6528767B2 (en) * | 2001-05-22 | 2003-03-04 | Applied Materials, Inc. | Pre-heating and load lock pedestal material for high temperature CVD liquid crystal and flat panel display applications |
KR20040008193A (ko) * | 2001-05-30 | 2004-01-28 | 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 | 저온 로딩 및 소성 |
US6395093B1 (en) * | 2001-07-19 | 2002-05-28 | The Regents Of The University Of California | Self contained, independent, in-vacuum spinner motor |
US6713393B2 (en) * | 2002-06-20 | 2004-03-30 | Intelligent Sources Development Corp. | Method of forming a nanometer-gate MOSFET device |
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