DE3873593T2 - Apparatur zur herstellung von halbleiterkristallen. - Google Patents

Apparatur zur herstellung von halbleiterkristallen.

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    • C30B25/02Epitaxial-layer growth
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Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleiterkristall- Aufwachsvorrichtung zum Aufwachsen von epitaktischen Schichten auf Halbleitersubstraten.
  • Für das Aufwachsen eines qualitativ hochwertigen Einkristalls bei niedriger Temperatur ist es wichtig, die Oberfläche eines Substrates zu reinigen. Dazu ist ein konventionelles Verfahren angewendet worden, mit dem eine Oxidschicht zum Schutz der Oberfläche eines Substrats gegen Verschmutzung unter Ausnutzung eines chemischen Reinigungsverfahrens gebildet und das Substrat sodann in einem Hochvakuum erwärmt wird, um die Oxidschicht zu entfernen und die gereinigte Oberfläche freizulegen. Die Reinigung der Oberfläche erfolgte in einem Vakuumgefäß einer Kristallaufwachsvorrichtung, wie sie in Fig. 1 dargestellt ist. Diese Kristallaufwachsvorrichtung besitzt eine Vorbereitungskammer 101, einen Durchlaßschieber 102, Evakuierungseinheiten 106, 107, Gaseinleitungsdüsen 105, einen Heizer 104 zur Erwärmung eines Substrats sowie eine Epitaxiekammer 103.
  • In einem Massenproduktionsverfahren, bei dem die Reinigung der Oberfläche und das Kristallwachstum in der gleichen Vorrichtung erfolgen, treten die folgenden Probleme auf, wenn der Reinigungsschritt für die Oberfläche und der epitaktische Kristallwachstumsschritt innerhalb des gleichen Vakuumgefäßes durchgeführt werden. Reaktionsprodukte wirken während des Kristallwachstums auf Umfangsteile eines Substratheizungssystems innerhalb des Vakuumgefäßes und nach dem epitaktischen Aufwachsschritt auf dessen Wandfläche ein; da die Substrattemperatur bei der Oberflächenreinigung jedoch generell höher ist als beim epitaktischen Aufwachsen, werden die beim epitaktischen Aufwachsen einwirkenden Reaktionsprodukte aufgrund der thermischen Einflüsse bei der höheren Temperatur im nächsten Reinigungsschritt der Substratoberfläche noch einmal als Gas emittiert (siehe Fig. 2). Daher werden die Bedingungen innerhalb des Vakuumgefäßes verschlechtert. Wird eine Substratoberfläche unter diesen Bedingungen gereinigt, so ist die Reinigung unzureichend, wobei die Qualität der nachfolgend aufgewachsenen Kristalle schließlich abfällt. Um dieses Problem in der konventionellen Vorrichtung zu vermeiden, muß das Vakuumgefäß nach dem Kristallaufwachsschritt vor dem nächsten Oberflächenreinigungsschritt unter Ausheizen für eine relativ lange Zeit evakuiert werden. Darunter leiden die Massenproduktionsbedingungen der Vorrichtung.
  • Eine verbesserte Vorrichtung zur Bildung einer epitaktisch aufgewachsenen Schicht auf einem Substrat ist in der EP-A- 0 196 897 beschrieben. Die Vorrichtung enthält in diesem Falle eine Substratwechselkammer, eine Vorkammer zur Entfernung von Verschmutzung und eine Epitaxiekammer. Im Betrieb läuft ein Substrat von der Wechselkammer über die Vorkammer zur Epitaxiekammer, so daß seine Oberfläche für das Aufwachsen einer epitaktischen Schicht vorbereitet ist, wenn es in die Epitaxiekammer eintritt.
  • Im Falle der Herstellung eines Feldeffekttransistors mit isolierendem Gate (im folgenden mit "MOSFET" bezeichnet) ist ein Herstellungsverfahren für einen solchen MOSFET angewendet worden, wie es in den Fig. 3A und 3B dargestellt ist. Bei den Fig. 3A und 3B handelt es sich um Schnittdarstellungen, aus denen die Herstellungsschritte für eine epitakisch aufgewachsene Schicht 303 und die Gateoxidschicht 304 eines konventionellen Herstellungsverfahrens für einen MOSFET ersichtlich sind. Gemäß den Fig. 3A und 3B wird die epitaktische Aufwachsschicht 303, welche eine Kanalzone bildet, auf einem Substrat 301 unter Verwendung einer Halbleiterkristall-Aufwachsvorrichtung mit einer Epitaxiekammer hergestellt, wonach auf der epitaktischen Aufwachsschicht 303 eine Gateoxidschicht 304 unter Verwendung eines Ofens für eine thermische Oxidation über einen chemischen Waschschritt hergestellt wird. In Fig. 3 ist mit 302 eine Feldoxidschicht bezeichnet.
  • Zur Verbesserung der Eigenschaften des MOSFET ist es generell wichtig, den Zustand an der Grenzfläche zwischen der Kanalzone und der Gateoxidschicht eines MOSFET zu verbessern. Bei dem konventionellen Verfahren erfolgt jedoch die Herstellung der Kanalzone und der Gateoxidschicht im oben beschriebenen Sinne in vollständig verschiedenen Kammern, wobei darüber hinaus das chemische Waschen vor der Herstellung der Gateoxidschicht erfolgt. Es ist daher wahrscheinlich, daß verunreinigende Ionen, beispielsweise Na&spplus;-Ionen sich beim oder nach dem Waschen entweder an der Kanaloberfläche anlagern oder während des thermischen Oxidationsschrittes in die Oxidschicht eingebaut werden. Dies ist einer der signifikanten Faktoren für die Verschlechterung des Zustandes an der Grenzfläche zwischen dem Kanal und der Gateoxidschicht oder der Qualität der Oxidschicht.
  • Die vorliegende Erfindung sucht eine Halbleiterkristall-Aufwachsvorrichtung zur Herstellung einer Halbleiteranordnung zu schaffen, mit der das Aufwachsen einer epitaktischen Schicht mit ausgezeichneter Kristallqualität und die Bildung einer Gateoxidschicht mit extrem guten Grenzflächeneigenschaften unter Massenproduktionsbedingungen möglich ist.
  • Eine erfindungsgemäß vorgesehene Vorrichtung zur Herstellung eines Feldeffekttransistors mit isoliertem Gate mit einer eine erste Abpumpeinrichtung zum Auspumpen der Vorrichtung enthaltenden Vorbereitungskammer zum Einführen und Entnehmen eines Substrats in die bzw. aus der Vorrichtung, einer eine erste Heizeinrichtung zur Erwärmung des Substrats sowie eine zweite Abpumpeinrichtung zu ihrem Auspumpen enthaltenden Reinigungskammer zur Reinigung einer Oberfläche des Substrates, einem ersten Durchlaßschieber zur Verbindung der Vorbereitungskammer mit der Reinigungskammer für die Überführung des Substrats von einer dieser Kammern in die andere, einer Epitaxiekammer zur Bildung einer epitaktischen Schicht auf dem gereinigten Substrat und mit einem zweiten Durchlaßschieber zur Verbindung der Reinigungskammer mit der Expitaxiekammer für die Überführung des Substrats von einer dieser Kammern in die andere, ist dadurch gekennzeichnet, daß die Epitaxiekammer eine zweite Heizeinrichtung zur Erwärmung des Substrats, eine dritte Abpumpeinrichtung zu ihrer Evakuierung und eine Düseneinrichtung zur Einleitung von bei der Erzeugung einer epitaktischen Aufwachsschicht und einer Isolierschicht auf dem Substrat verwendeten Prozeßgasen von außen in sie umfaßt und daß ein dritter Durchlaßschieber zur Verbindung der Epitaxiekammer mit der Vorbereitungskammer für die Überführung des Substrats von einer dieser Kammern in die andere vorgesehen ist.
  • Die erste Abpumpeinrichtung kann die Vorbereitungskammer auf ein Vakuum von 1 x 10&supmin;&sup5; Pa oder darunter evakuieren.
  • Die zweite Abpumpeinrichtung kann die Reinigungskammer auf ein Vakuum von 1 x 10&supmin;&sup6; Pa oder darunter evakuieren.
  • Die dritte Abpumpeinrichtung kann die Epitaxiekammer auf ein Vakuum von 1 x 10&supmin;&sup5; Pa oder darunter evakuieren.
  • Bei einer Ausführungsform umfaßt die Epitaxiekammer eine zwischen der Düseneinrichtung und Gasquellen vorgesehene Ventileinrichtung sowie eine Steuereinrichtung zur Steuerung des Öffnens und Schließens der Ventileinrichtung in Abhängigkeit von einer vorgegebenen Anzahl von Ventilöffnungsund Schließperioden sowie einer vorgegebenen Ventilöffnungsund Schließzeit, wodurch die epitaktische Aufwachsschicht sowie die auf der epitaktischen Aufwachsschicht abzuscheidende Isolatorschicht aufeinanderfolgend innerhalb der gleichen Epitaxiekammer hergestellt werden. Damit kann die Dicke sowohl der epitaktischen Aufwachsschicht als auch der Isolatorschicht auf dem Substrat mit einer Genauigkeit in der Größenordnung einer einatomigen Schicht hergestellt werden.
  • Die Erfindung wird beispielsweise anhand der beigefügten Zeichnungen erläutert, in denen
  • Fig. 1 eine schematische Darstellung einer konventionellen Halbleiterkristall-Aufwachsvorrichtung;
  • Fig. 2 ein Diagramm zur Erläuterung der zeitlichen Vakuumänderung in einem Vakuumgefäß (Reinigungskammer und Epitaxiekammer) der Vorrichtung nach Fig. 1;
  • Fig. 3 einen Schnitt zur Erläuterung der Herstellungsschritte einer epitaktischen Schicht und einer Gateoxidschicht bei einem bekannten Herstellungsverfahren für einen MOSFET;
  • Fig. 4 eine schematische Darstellung einer Ausführungsform einer Halbleiterkristall-Aufwachsvorrichtung gemäß der Erfindung;
  • Fig. 5 ein Diagramm zur Erläuterung der zeitlichen Vakuumänderung in einer Reinigungskammer und Epitaxiekammer der Vorrichtung nach Fig. 4;
  • Fig. 6 eine schematische Darstellung einer Epitaxiekammer einer Kristallaufwachsvorrichtung gemäß der Erfindung; und
  • Fig. 7 einen Schnitt eines unter Verwendung einer Kristallaufwachsvorrichtung gemäß der Erfindung hergestellten MOSFET zeigen.
  • Die vorliegende Erfindung sieht zusätzlich zur Epitaxiekammer 103 und einer Vorbereitungskammer 101 eine Reinigungskammer vor, so daß die Oberflächenreinigung und die Herstellung einer einkristallinen Dünnschicht mit ausgezeichneten Kristalleigenschaften unter Massenproduktionsbedingungen gleichzeitig durchführbar sind.
  • Fig. 4 zeigt eine schematische Darstellung einer Ausführungsform einer Halbleiterkristall-Aufwachsvorrichtung gemäß der Erfindung. Die Vorrichtung besitzt eine Vorbereitungskammer 401 zum Einführen und Entnehmen eines Substrats in die bzw. aus der Vorrichtung, einen Durchlaßschieber 402, eine Reinigungskammer 403 zur Reinigung einer Oberfläche des Substrats, einen Heizer 404 zur Erwärmung des Substrats, einen Durchlaßschieber 405, eine Epitaxiekammer 406, einen Heizer 407 zur Erwärmung des Substrats in der Epitaxiekammer, eine Düse 408 zur Einleitung etwa von Prozeßgasen in die Epitaxiekammer, einen Durchlaßschieber 409 sowie Abpumpsysteme 410, 411, 412 zur Evakuierung der Reinigungskammer, der Epitaxiekammer und der Vorbereitungskammer auf ein hohes Vakuum.
  • Die Vorbereitungskammer 401 ist mit dem Abpumpsystem 412 bestückt, das ein Vakuum von 1 x 10&supmin;&sup5; Pa oder darunter aufrechtzuerhalten vermag. Die Reinigungskammer 403 ist wenigstens mit dem Heizer 404 zur Erwärmung des Substrats und mit dem Abpumpsystem 410 bestückt, das ein Vakuum von 1 x 10&supmin;&sup6; Pa oder darunter aufrechtzuerhalten vermag, während die Epitaxiekammer 406 wenigstens mit der Düse 408 zur Einleitung von Gasen auf das Substrat, dem Heizer 409 zur Erwärmung des Substrats und dem Abpumpsystem 411 bestückt ist, das ein Vakuum von 1 x 10&supmin;&sup5; Pa oder darunter aufrechtzuerhalten vermag.
  • Mit der vorstehend beschriebenen erfindungsgemäßen Vorrichtung kann ein Einkristall aus einem Halbleitermaterial, wie beispielsweise Silizium mittels eines epitaktischen Aufwachsverfahrens bei geringer Temperatur folgendermaßen aufgewachsen werden. Der Durchlaßschieber 402 wird geöffnet und das Substrat aus der Vorbereitungskammer 401 in die Reinigungskammer 403 eingeführt. Der Durchlaßschieber 402 wird sodann geschlossen. Die Substratoberfläche wird dadurch gereinigt, daß das Substrat für eine vorgegebene Periode auf einer Temperatur von 850º C oder darüber gehalten und ein Vakuum von beispielsweise 1 x 10&supmin;&sup6; Pa erzeugt wird (siehe Fig. 5).
  • Sodann wird das Substrat durch Öffnen des Durchlaßschiebers 405 aus der Reinigungskammer 403 in die Epitaxiekammer 406 eingeführt, wonach der Durchlaßschieber 405 geschlossen wird. Das epitaktische Aufwachsen erfolgt für eine vorgegebene Zeitperiode bei einer Substrattemperatur von 500 bis 800º C, einem Druck in der Epitaxiekammer 406 von bis zu 1 x 10&supmin;&sup6; Pa und einem Druck innerhalb der Epitaxiekammer 406 im Zeitpunkt der Einleitung von Prozeßgasen von 1 x 10&supmin;³ bis 1 x 10² Pa, wobei die Prozeßgase sowie ein mit diesen reagierendes Gas entweder gleichzeitig oder abwechselnd eingeleitet werden. Nach dem Abschluß des epitaktischen Aufwachsens wird der Durchlaßschieber 409 geöffnet und das Substrat aus der Epitaxiekammer 406 in die Vorbereitungskammer 401 überführt. Sodann wird der Durchlaßschieber 409 geschlossen. Durch Wiederholung der vorgenannten Funktionsfolge kann eine epitaktische Schicht mit ausgezeichneten kristallinen Eigenschaften bei tiefer Temperatur unter Massenproduktionsbedingungen hergestellt werden.
  • In einem Massenproduktionsprozeß werden wenigstens zwei Substrate jeweils als eine Gruppe in die Vorbereitungskammer 401, die Reinigungskammer 403 und die Epitaxiekammer 406 eingeführt, wobei sich die Gruppen innerhalb der Vorrichtung gemäß der oben beschriebenen Funktionsfolge bewegen. Da die Atmosphäre innerhalb der Reinigungskammer 403 durch die Atmosphäre in der Epitaxiekammer 406, in der das Aufwachsen wiederholt wird, nicht beeinflußt wird, können die in Fig. 5 dargestellten ausgezeichneten Bedingungen aufrechterhalten werden, wobei für den Oberflächenreinigungsschritt eine ausgezeichnete Reproduzierbarkeit gewährleistet ist. Das Auftreten von Defekten beim Kristallaufwachsen kann daher reduziert und das epitaktische Aufwachsen bei niedriger Temperatur wiederholt werden. Mit der vorliegenden Erfindung ist daher das Aufwachsen einer einkristallinen Dünnschicht mit hoher Qualität bei tiefer Temperatur und ausgezeichneter Reproduzierbarkeit möglich.
  • Da erfindungsgemäß eine Kristallaufwachsvorrichtung im oben beschriebenen Sinne verwendet wird, bei der es sich um das Hinzufügen einer Reinigungskammer zur Reinigung der Oberfläche eines Substrats zu einer aus einer Epitaxiekammer und einer Vorbereitungskammer bestehenden konventionellen Vorrichtung handelt, ist erfindungsgemäß die Reinigung der Substratoberfläche in einem Vakuumgefäß frei von Einflüssen oder Bedingungen nach dem Kristallaufwachsen mit guter Reproduzierbarkeit möglich, so daß die Herstellung epitaktisch aufgewachsener Schichten mit ausgezeichneten Kristalleigenschaften möglich ist. Darüber hinaus ist die erfindungsgemäße Vorrichtung unter Massenproduktionsbedingungen betreibbar, was bei der konventionellen Vorrichtung nicht möglich ist.
  • Speziell bei der Herstellung eines MOSFET mit einer epitaktischen Schicht zur Bildung einer Kanalzone und einer Gateoxidschicht wird vorzugsweise eine Vorrichtung verwendet, welche mit einem Mechanismus zur Einleitung von Prozeßgasen für die Bildung der Kanalzone durch epitaktisches Wachstum sowie zur Herstellung der Gateoxidschicht durch CVD, d.h. ein Hochvakuum-Abpumpsystem bestückt ist. Damit wird es möglich, das epitaktische Aufwachsen zur Herstellung der Kanalzone und die Herstellung der Gateoxidschicht innerhalb der gleichen Epitaxiekammer unter bestimmten Betriebsbedingungen aufeinander folgend durchzuführen.
  • Das bedeutet, daß die vorliegende Ausführungsform eine Vorrichtung darstellt, in der eine erste epitaktische Aufwachsschicht auf einem Halbleitersubstrat zur Bildung der Kanalzone eines MOSFET erzeugt und sodann wenigstens eine Gasart der Gase, welche für das Aufwachsen der epitaktischen Schicht verwendet werden, auf ein ein Komponentenelement der Isolatorschicht enthaltendes Gas umgeschaltet wird, so daß die Isolatorschicht auf der epitaktisch aufgewachsenen Schicht folgend auf diese epitaktisch aufgewachsene Schicht gebildet werden kann.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform umfaßt die Epitaxiekammer 406 den Heizer 407 zur Erwärmung des Substrats, das Evakuierungssystem 411 zur Evakuierung der Epitaxie-kammer auf ein Vakuum von 1 x 10&supmin;&sup6; Pa oder darunter, die Düse 408 zur Einleitung von Gasen für die Bildung der epitaktischen Schicht und die Gateoxidschicht auf dem Substrat in die Epitaxiekammer von außen, eine (nicht dargestellte) zwischen der Düseneinrichtung und Gasquellen vorgesehene Ventileinrichtung sowie eine (nicht dargestellte) Steuereinrichtung zur Steuerung des Öffnens und Schließens der Ventileinrichtung in Abhängigkeit von einer vorgegebenen Anzahl von Öffnungs- und Schließzyklen sowie von deren Zeittakt. Da erfindungsgemäß der Kanalherstellungsschritt und der Gateoxidschicht-Herstellungsschritt in einen aufeinanderfolgenden Schritt in einer sauberen Atmosphäre vereinigt werden können, sind eine Gateoxidschicht mit hervorragenden Grenzschichteigenschaften und eine Kanalzone mit ausgezeichneten kristallinen Eigenschaften im wesentlich gleichzeitig herstellbar. Die vorliegende Ausführungsform kann auch zur Vereinfachung des Herstellungsverfahrens beitragen.
  • Fig. 6 zeigt eine Expitaxiekammer 603 einer Kristallaufwachsvorrichtung gemäß der Erfindung. Gase für die Bildung einer epitaktischen Schicht und einer Isolatorschicht werden über ein Ventil 601 und eine Düse 602 auf eine Oberfläche 604 geleitet, welche innerhalb der Epitaxiekammer 603 auf einen Heizer 606 aufgesetzt ist. Die Epitaxiekammer 603 wird mittels eines Abpumpsystems 608 über ein Durchlaßventil 607 evakuiert, so daß das Vakuum in der Epitaxiekammer 603 ohne Einleitung der Gase unter 1 x 10&supmin;&sup6; Pa liegt. Der Druck in der Epitaxiekammer 603 wird durch eine Druckmeßeinrichtung 605 gemessen. Die Öffnungs- und Schließvorgänge des Ventils 601 werden durch einen Regler 609 gesteuert.
  • Gemäß Fig. 7 werden eine epitaktisch aufgewachsene Schicht (Kanalzone) 711 sowie eine Gateoxidschicht 712 eines MOSFET aufeinanderfolgend folgendermaßen hergestellt. Zunächst wird zur Bildung der Kanalzone durch epitaktisches Wachstum der Durchlaßschieber 402 geöffnet und das Substrat aus der Vorbereitungskammer 401 in die Reinigungskammer 403 gemäß Fig. 4 eingeführt. Der Durchlaßschieber 402 wird sodann geschlossen. Das Substrat wird durch den Heizer 404 auf etwa 850º C erwärmt und seine Oberfläche gereinigt. Sodann wird das Substrat aus der Reinigungskammer 403 in die Epitaxiekammer 406 eingeführt. Der Aufbau der Epitaxiekammer ist im einzelnen in Fig. 6 dargestellt. In der Epitaxiekammer 603 wird die Substrattemperatur auf 800º C eingestellt und der epitaktische Wachstumsprozeß gestartet.
  • Die in diesem Falle beispielsweise verwendeten Gase Dichlorsilan (SiH&sub2;Cl&sub2;) und Wasserstoff (H&sub2;), werden für eine vorgegebene Zeitperiode in einem solchen Bereich eingeleitet, daß der Druck in der Epitaxiekammer 603 zwischen 10 bis 1 x 10&supmin;³ Pa liegt. Mit fortschreitendem epitaktischen Wachstum werden Dichlorsilan und Wasserstoff bei vorgegebenen Betriebsbedingungen entweder gleichzeitig oder abwechselnd eingeleitet.
  • Unmittelbar nachdem der aufgewachsene Einkristall eine gewünschte Schichtdicke erreicht hat, wird der bei den Gasen für das epitaktische Wachstum verwendete Wasserstoff abgeschaltet und an seiner Stelle Stickstoffoxidul (N&sub2;O) eingeleitet, wonach unter Verwendung von Dichlorsilan und Stickstoffoxidul die Bildung der Gateoxidschicht 712 begonnen wird. Dabei werden dann Dichlorsilan und Stickstoffoxidul bei gleicher Substrattemperatur und gleichem Gaseinleitungsdruck wie beim epitaktischen Wachstum zur Bildung des Kanals auf die Oberfläche des Substrats 604 geleitet, wobei auf der epitaktisch aufgewachsenen Schicht 711 eine Isolatorschicht mit gewünschter Schichtdicke abgeschieden werden kann. Die so gebildete Gate-Oxidschicht besitzt eine extrem kleine Grenzschichtladungsdichte sowie eine ausgezeichnete dielektrische Festigkeitsverteilung.
  • Nach der Abscheidung der Gate-Oxidschicht 712 in der vorstehend beschriebenen Weise werden zur Bildung des MOSFET Source-, Drain- und Gate-Elektroden 714, 715, 713 hergestellt.
  • Aufgrund des erfindungsgemäßen Herstellungsprozesses der Gate-Oxidschicht ist ein Waschschritt vor dem Schichtaufwachsen völlig unnötig, wie er konventionell unerläßlich ist. Damit können verschiedene mit dem Waschen verbundene Probleme nicht auftreten. Da die Gate-Oxidschicht mit idealen Grenzschichteigenschaften auf dem Kanal mit ausgezeichneten kristallinen Eigenschaften hergestellt werden kann, werden erfindungsgemäß die Eigenschaften von Schalter- und Speicheranordnungen auf der Basis einer MOS-Struktur verbessert.

Claims (6)

1. Vorrichtung zur Herstellung eines Feldeffekttransistors mit isoliertem Gate mit einer eine erste Abpumpeinrichtung (412) zum Auspumpen der Vorrichtung enthaltenden Vorbereitungskammer (401) zum Einführen und Entnehmen eines Substrats in die bzw. aus der Vorrichtung, einer eine erste Heizeinrichtung (404) zur Erwärmung des Substrats sowie eine zweite Abpumpeinrichtung (410) zu ihrem Auspumpen enthaltenden Reinigungskammer (403) zur Reinigung einer Oberfläche des Substrats, einen ersten Durchlaßschieber (402) zur Verbindung der Vorbereitungskammer (401) mit der Reinigungskammer (403) für die Überführung des Substrats von einer dieser Kammern in die andere, einer Epitaxiekammer (406) zur Bildung einer epitaktischen Schicht auf dem gereinigten Substrat und mit einem zweiten Durchlaßschieber (405) zur Verbindung der Reinigungskammer (403) mit der Epitaxiekammer (406) für die Überführung des Substrats von einer dieser Kammern in die andere, dadurch gekennzeichnet, daß die Epitaxiekammer (406) eine zweite Heizeinrichtung (407) zur Erwärmung des Substrats, eine dritte Abpumpeinrichtung (411) zu ihrer Evakuierung und eine Düseneinrichtung (408) zur Einleitung von bei der Erzeung einer epitaktischen Aufwachsschicht und einer Isolatorschicht auf dem Substrat verwendeten Prozeßgasen von außen in sie umfaßt und daß ein dritter Durchlaßschieber (409) zur Verbindung der Epitaxiekammer (406) mit der Vorbereitungskammer (401) für die Überführung des Substrats von einer dieser Kammern in die andere vorgesehen ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Abpumpeinrichtung (412) zum Auspumpen der Vorbereitungskammer auf ein Vakuum von 1 x 10&supmin;&sup5; Pa oder darunter ausgelegt ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Abpumpeinrichtung (410) zum Auspumpen der Reinigungskammer auf ein Vakuum von 1 x 10&supmin;&sup6; Pa oder darunter ausgelegt ist.
4 Vorrichtung nach den vorhergehenden Ansprüchen, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte Abpumpeinrichtung (411, 608) zum Auspumpen der Epitaxiekammer auf ein Vakuum von 1 x 10&supmin;&sup5; Pa oder darunter ausgelegt ist.
5. Vorrichtung nach den vorhergehenden Ansprüchen, dadurch gekennzeichnet daß die Epitaxiekammer (603) eine zwischen der Düseneinrichtung (602) und Gasquellen vorgesehene Ventileinrichtung (601) sowie eine Steuereinrichtung zur Steuerung des Öffnens und Schließens der Ventileinrichtung gemäß einer vorgegebenen Anzahl von Ventilöffnungs- und Schließzyklen und einer vorgegebenen Ventilöffnungs- und Schließzeit umfaßt, wodurch die epitaktisch aufgewachsene Schicht und die auf dieser abgeschiedene Isolatorschicht in der gleichen Epitaxiekammer aufeinanderfolgend herstellbar sind.
6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuereinrichtung für eine derartige Steuerung des Öffnens und Schließens der Ventileinrichtung ausgelegt ist, daß sowohl die epitaktisch aufgewachsene Schicht als auch die Isolatorschicht auf dem Substrat mit einer Dickengenauigkeit in der Größenordnung einer einatomigen Schicht herstellbar sind.
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