DE3787689T2 - Verfahren zum Beschichten unter Anwendung einer CVD-Beschichtungstechnik. - Google Patents
Verfahren zum Beschichten unter Anwendung einer CVD-Beschichtungstechnik.Info
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Description
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren für eine chemische Gasphasenabscheidung (CVD).
- In den gleichfalls anhängigen europäischen Patentanmeldungen 87 305 782.2 (EP-A-0 252 667) und 87 305 783.0 (EP-A-0 251 764) desselben Anmelders wurde ein Verfahren zum Bilden einer dünnen Abscheidung auf einem flachen Substrat vorgeschlagen, welches die Kombination der folgenden Schritte umfaßt:
- - Zuführen eines ersten reaktiven Gases, welches ein metallisches Element enthält, im wesentlichen parallel zu dem Substrat mit einer blattartigen Strömung und eines zweiten reaktiven Gases, welches kein metallisches Element enthält, ebenfalls mit einer blattartigen Strömung in eine Reaktionskammer unter Unterdruck, in der sich das Substrat befindet,
- - Zuführen eines Inertgases oder eines Gases, welches ein Inertgas als Hauptkomponente enthält, derart, daß es die Strömungen des ersten und zweiten reaktiven Gases im wesentlichen senkrecht kreuzt,
- - und Einstrahlen eines Lichtstrahls von mindestens einer Heizlampe auf das Substrat in der Reaktionskammer, um das Substrat zu heizen und eine chemische Reaktion auf dem Substrat zu erzeugen, wodurch die das metallische Element enthaltende dünne Abscheidung auf dem Substrat gebildet wird.
- Die flachen Wafer, die in EP-A-0 252 667 und EP-A-0 251 764 in Betracht gezogen werden, sind aus einem Substrat mit einer darüberliegenden isolierenden Schicht gefertigt, in welcher Löcher vorgesehen sind. Nur in den letzteren werden zwei aufeinanderfolgende Metallfilme abgeschieden, wobei mindestens der letzte Film nach dem allgemeinen Verfahren, das oben beschrieben wurde, aufgebracht wird.
- Der laminarisierte Strahl der reaktiven Gase hat die folgenden Vorteile:
- (a) es ist möglich, die Gasflußregelung mit einer Simulation in Einklang zu bringen,
- (b) die Diffusion des reaktiven Gases und des Reaktionsproduktes zu den Wänden der Reaktionskammer kann unterdrückt werden, indem das Reaktionsgas gleichförmig und lokal der Umgebung des Substrats zugeführt wird.
- Gemäß der Druckschrift JP-A-60 211 077 ist die Verwendung eines Laserstrahls offenbart, nicht um das Substrat zu heizen, sondern um selektiv eine dünne Schicht auf dem Substrat aufwachsen zu lassen, indem das letztere mit dem Laserlicht über einen Spiegel und eine Linse abgetastet wird.
- Obwohl eine solche Einstrahlung das Erhöhen der Wachstumsrate der aufgebrachten Schicht, welche das metallische Element enthält, gestattet, verhindert sie nicht eine Störung und die natürliche Konvektion des reaktiven Gases innerhalb der Reaktionskammer mit einer nachfolgenden Abscheidung der so diffundierten Reaktionskomponenten auf Teilen der Reaktionskammer einschließlich deren Wänden.
- Es ist daher eine Aufgabe dieser Erfindung, den Vorteil des Verfahrens, das in den Druckschriften EP-A-0 252 667 und EP-A-0 251 754 beschrieben ist, auf Substrate zu erstrecken, während der Verbrauch an dem Gas, das das metallische Element enthält, reduziert wird.
- Eine andere Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren für eine chemische Gasphasenabscheidung zu schaffen, bei dem eine dünne Schicht mit guter Reproduzierbarkeit, Steuerbarkeit und Gleichförmigkeit gebildet werden kann.
- Diese Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat eine im wesentlichen flache Oberfläche hat, entlang der eine dünne Schicht, die das metallische Element enthält, aufwächst.
- Vorzugsweise kann das erste reaktive Gas aus irgendeinem Metallhalogenid oder mehreren Metallhalogeniden, wie WF&sub6;, MoF&sub6;, TaF&sub5;, CrF&sub4;, TiF&sub4;, TiCl&sub4;, MoCl&sub5;, WCl&sub6;, AlCl&sub3; und dergleichen, bestehen und das zweite reaktive Gas kann aus einem oder mehreren Gasen bestehen, die unter SiH&sub4;, H&sub2; und SiH&sub2;Cl&sub2; ausgewählt sind.
- Weiterhin können die Strömungen des ersten, ein metallisches Element enthaltenden Gases und des zweiten, kein metallisches Element enthaltenden Gases in einem laminaren Strömungszustand bei guter Regelbarkeit über die gesamte Fläche der Umgebung des Substrats gehalten werden und eine hohe Gleichförmigkeit kann für die dünne Schicht, die auf dem Substrat gebildet wird, erreicht werden. Die vorliegende Erfindung kann verhindern, daß die Wände der Reaktionskammer und das Beobachtungsfenster kontaminiert werden. Daher wird das System wesentlich vereinfacht.
- Diese und andere Aufgaben, Eigenschaften und Vorteile dieser Erfindung werden beim Lesen der folgenden Beschreibung deutlich, in welcher Bezug auf die beigefügten Zeichnungen genommen wird.
- Fig. 1 ist eine schematische Schnittansicht einer Vorrichtung, die zum Durchführen des Verfahrens gemäß dieser Erfindung verwendet wird,
- Fig. 2, 3 und 4 sind Schnittansichten ähnlich zu der von Fig. 1, um jeweils den Zustand von verschiedenen Gasströmungen in der in Fig. 1 gezeigten Vorrichtung zu illustrieren,
- Fig. 5 ist eine Schnittansicht, welche ein Substrat zeigt, das bei dieser Erfindung verwendet werden kann,
- Fig. 6 ist eine Schnittansicht, welche das Substrat der Fig. 5 zeigt, auf welchem eine dünne, ein metallisches Element WSix enthaltende Schicht sich befindet,
- Fig. 7 ist ein Diagramm, welches die Beziehung zwischen einer Wachstumsrate von WSix und einer Strömungsrate von WF&sub6; bei der vorliegenden Erfindung und bei dem herkömmlichen Verfahren zeigt.
- Fig. 8 ist eine Schnittansicht eines Si-Substrats, welches einen Oberflächenbereich besitzt, auf dem eine dünne isolierende Schicht aus SiO&sub2; ausgebildet ist,
- Fig. 9 ist eine schematische Schnittansicht, welche eine modifizierte Vorrichtung zeigt, die zum Durchführen des vorliegenden Verfahrens verwendet wird,
- Fig. 10 ist eine schematische Schnittansicht, welche eine andere Abwandlung der Vorrichtung zeigt,
- Fig. 11 ist eine schematische Schnittansicht, welche eine weitere Abwandlung der Vorrichtung zeigt,
- Fig. 12 ist eine schematische Schnittansicht, welche eine weitere Modifikation der Vorrichtung zeigt,
- Fig. 13 und 14 sind schematische Vorderansichten von verschiedenen Gasinjizierdüsen, die jeweils bei der Vorrichtung verwendet werden können.
- Es wird nun Bezug auf die Fig. 1 bis 4 genommen, welche schematisch eine Vorrichtung zeigen, die dafür konstruiert ist, den verbesserten chemischen Gasphasenabscheidungsvorgang dieser Erfindung durchzuführen. Bei der dargestellten Vorrichtung bezeichnet die Bezugsziffer 1 die Reaktionskammer, in welcher der Druck erniedrigt ist. In der Reaktionskammer 1 befindet sich ein drehbarer Substrathalter 2 zum Tragen von einem oder mehreren Substraten 3, auf welchen die gewünschte dünne Schicht gebildet werden soll. Der Substrathalter 2 ist dafür vorgesehen, durch einen geeigneten Antriebsmotor (nicht gezeichnet) mit einer vorbestimmten Umdrehungszahl gedreht zu werden, der auf der Außenseite der Kammer 1 vorgesehen ist. Die Reaktionskammer 1 hat einen Randbereich 1a, der mit zwei Gaseinlaßeinrichtungen 4a und 4b versehen ist, welche jeweils eine schlitzförmige Öffnung besitzen. Die Gaseinlaßeinrichtungen 4a und 4b sind jeweils mit getrennten Quellen für reaktives Gas (nicht gezeichnet) verbunden. Eine (4a) der Gaseinlaßeinrichtungen ist dafür vorgesehen, das das metallische Element enthaltende reaktive Gas, WF&sub6;, und ein Inertgas, Ar, in einem blattartigen Zustand im wesentlichen parallel zu der Oberfläche jedes Substrats 3 der Reaktionskammer 1 zuzuführen, während die andere Gaseinlaßeinrichtung 4b dafür vorgesehen ist, das reaktive Gas, welches kein metallisches Element enthält, SiH&sub4;, und ein Inertgas, Ar, in einem blattartigen Zustand im wesentlichen parallel zu der Oberfläche jedes Substrats 3 der Reaktionskammer 1 zuzuführen. Die SiH&sub4;-, WF&sub6;- und Ar-Gase, die derart durch die Gaseinlaßeinrichtungen in die Reaktionskammer eingeführt werden, sind dafür vorgesehen, entlang der Oberfläche des Substrats 3 in der Reaktionskammer 1 zu strömen.
- Die Reaktionskammer 1 hat einen oberen Wandbereich, der mit einem durchsichtigen Fenster 5, das aus Quarzglas bestehen kann, und einem Einlaß 6 für ein Inertgas versehen ist. Der Einlaß für das Inertgas 6 umfaßt ein Gasinjizierelement 6a, das aus durchsichtigem Quarzglas gebildet ist, welches mit einer Vielzahl von Öffnungen 6b versehen ist.
- Dieses Gasinjizierelement 6a ist unter dem durchsichtigen Fenster 5 angeordnet, so daß dazwischen ein Durchlaß 6c für das Inertgas gebildet wird. Das Inertgas, wie zum Beispiel Ar, kann man nach unten von dem Gasinjizierelement 6a in die Reaktionskammer 1 einströmen lassen. Die Strömung des Ar-Gases, das nach unten in die Reaktionskammer 1 injiziert wird, ist dafür vorgesehen, die Strömungen der SiH&sub4;-, WF&sub6;- und Ar-Gase, die durch die Gaseinlaßeinrichtungen 4a und 4b zugeführt werden, im wesentlichen senkrecht zu kreuzen, so daß die SiH&sub4;-, WF&sub6;- und Ar-Gase daran gehindert werden, sich nach oben auszubreiten.
- Die Reaktionskammer 1 besitzt einen unteren Wandbereich 1c, der mit einer Ausströmöffnung 7 zum Entfernen der SiH&sub4;-, WF&sub6;- und Ar-Gase aus der Reaktionskammer 1 versehen ist. Die Öffnung 7 ist mit einem geeigneten Vakuumpumpensystem (nicht gezeichnet) verbunden.
- Außerhalb der Reaktionskammer 1 sind oberhalb von deren oberen Wandbereich 1b Heizlampen 8 angeordnet, von denen der Lichtstrahl durch das Quarzglasfenster 5 und das Gasinjizierelement 6a auf die Oberfläche des Substrats 3 auf dem Substrathalter 2 eingestrahlt wird, wodurch das Substrat 3 auf eine vorbestimmte Temperatur geheizt wird. Der Betrieb jeder Lampe 8 wird durch eine Steuervorrichtung 9 gesteuert, so daß die Temperatur an der wirksamen Stelle in der Reaktionskammer 1 auf einem vorbestimmten Niveau gehalten werden kann.
- Zum Zwecke der Deutlichkeit der Darstellung wird darauf hingewiesen, daß nur die Teile des Reaktorsystems in den Zeichnungen gezeigt sind, die notwendig sind, um das hier offenbarte erfinderische Konzept zu illustrieren.
- Der Betrieb der dargestellten Vorrichtung wird mit Bezug auf die Fig. 2 bis 4 beschrieben.
- Das reaktive Gas SiH&sub4; und das Inertgas Ar werden mit einer zweidimensionalen strahlartigen Strömung, wie durch Pfeile R gezeigt, durch den Gaseinlaß oder die Düse 4a in einen Raumbereich A injiziert, der auf dem Substrat 3 festgelegt ist. Das reaktive Gas WF&sub6; und das Inertgas Ar werden ähnlich mit einer zweidimensionalen strahlartigen Strömung wie durch die Pfeile R' gezeigt durch den Gaseinlaß oder die Düse 4b in den Raumbereich A injiziert. Andererseits wird durch den Inertgaseinlaß 6 das Ar-Gas nach unten in die Reaktionskammer 1 wie durch Pfeile Q gezeigt injiziert. Die Strömungsgeschwindigkeiten der zu injizierenden Gase können extern geregelt werden und man kann zum Beispiel so regeln, daß die Strömungsgeschwindigkeit der Inertgasströmung Q dreimal so groß wie die der Strömungen R und R' der reaktiven Gase wird.
- Wie in Fig. 2 gezeigt, sind die Gasströmungen R und R' auf die Umgebung des Substrats 3 auf dem Substrathalter 2 beschränkt und müssen im Zustand einer laminaren Strömung sein. Man wird bedenken, daß dies deswegen ist, weil die nach unten gerichtete Strömung Q des Inertgases von dem Inertgaseinlaß 6 die Gasströmungen R und R' der reaktiven Gase von den Gaseinlaßeinrichtungen 4a und 4b von oben beschränkt. Diese Beschränkungswirkung, das heißt die stabilisierende Wirkung der nach unten gerichteten Strömung Q des Inertgases, kann durch eine numerische Simulation mit Hilfe eines Computers oder durch ein Visualisierungsverfahren unter Verwendung von Titantetrachlorid bestätigt werden.
- Wenn die Gasströmungen R, R' und Q in ihrer Gesamtheit beobachtet werden, wie in Fig. 3 gezeigt, werden die Gasströmungen R und R' (wie schraffiert) eine lokalisierte laminare Strömung, deren Bereich durch die Inertgasströmung Q festgelegt wird. Mit anderen Worten kann die Form, die Ausdehnung oder der Bereich des schraffierten Teils durch Anpassen der Strömungsgeschwindigkeit der Gasströmung Q geregelt werden. Wenn keine nach unten gerichtete Gasströmung Q des Inertgases den reaktiven Gasströmungen R und R' aufgegeben wird, wie in Fig. 4 gezeigt, sind die Gasströmungen R und R' diffus, so daß sie in der Fläche B des Raumbereichs A turbulente Strömungen werden. In diesem Fall werden die Wände der Reaktionskammer 1, das durchsichtige Fenster, durch welches der aufheizende Lichtstrahl durchgelassen wird, und das Beobachtungsfenster (nicht gezeichnet), welches bei der Kammer 1 vorgesehen ist, durch die diffundierten Bestandteile des reaktiven Gases kontaminiert, wenn keine Kühleinrichtung wie bei dem herkömmlichen System vorgesehen ist.
- Gemäß dieser Erfindung werden jedoch die reaktiven Gasströmungen R und R' positiv stabilisiert, wie in den Fig. 2 oder 3 gezeigt' und die Reaktionskomponenten sind nur auf die Umgebung des Substrats 3 auf dem Substrathalter 2 beschränkt' so daß eine Kontaminierung der Kammerwände und des durchsichtigen Wandbereichs verhindert wird. Daher kann die Qualität der auf dem Substrat 3 gebildeten Schicht verbessert werden und die Staubteilchen in der Reaktionskammer können verringert werden.
- In den Fig. 5 und 6 ist gezeigt, wie die dünne, das metallische Element WSix enthaltende Schicht auf dem Siliciumsubstrat 10 durch Verwenden der in Fig. 1 dargestellten Vorrichtung gemäß dieser Erfindung gebildet wird.
- Durch die Regeleinrichtung 9 können die Heizlampen 8 so gesteuert werden, daß die wirksame Oberfläche in der Reaktionskammer 1 auf einer vorbestimmten Temperatur gehalten wird. Dadurch, daß die WF&sub6;-, SiH&sub4;- und Ar-Gase der Reaktionskammer 1, die unter Unterdruck steht, jeweils durch die Gaseinlaßeinrichtungen 4a, 4b und 6 zugeführt werden und der Lichtstrahl von den Heizlampen 8 auf die Oberfläche des Substrats 10, welches in der Reaktionskammer 1 gedreht wird, durch das durchsichtige Fenster 5 und das durchsichtige Gasinjizierelement 6a eingestrahlt wird, findet eine chemische Reaktion auf der Oberfläche des Substrats 10 zum Aufwachsen von WSix im Laufe der Zeit statt. Dementsprechend wird die dünne, das metallische Element, WSix, enthaltende Schicht 11 auf der Oberfläche des Substrats 10 wie in Fig. 6 gezeigt gebildet.
- Fig. 7 ist ein Diagramm zum Vergleichen der Wachstumsrate von WSix bei dem Verfahren dieser Erfindung mit derjenigen bei dem herkömmlichen Verfahren, wobei die Abszisse die Strömungsgeschwindigkeit (SCCM) von WF&sub6; und die Ordinate die Wachstumsrate (A/min) von WSix angibt, wobei die Wachstumsrate von WSix bei dieser Erfindung durch eine Kurve I angegeben ist, und eine Kurve 11 die Wachstumsrate von WSix bei dem herkömmlichen Verfahren zeigt.
- Bei der oben beschriebenen Ausführungsform verwendete das reaktive Gas, das das metallische Element enthält, WF&sub6;. Es sollte jedoch klar sein, daß das reaktive Gas, welche das metallische Element enthält, aus einem oder mehreren Metallhalogeniden bestehen kann, wie MoF&sub6;, TaF&sub5;, CrF&sub4;, TiF&sub4;, TiCl&sub4;, MoCl&sub5;, WCl&sub6;, AlCl&sub3; und dergleichen. Das reaktive Gas, welches kein metallisches Element enthält, verwendete SiH&sub4;. Das reaktive Gas, welches kein metallisches Element enthält, kann jedoch H&sub2;, SiH&sub2;Cl&sub2; oder dergleichen sein.
- Weiterhin werden bei der dargestellten Ausführungsform die reaktiven Gase WF&sub6; und SiH&sub4; jeweils in einer Mischung mit dem Ar-Gas der Reaktionskammer zugeführt. Diese reaktiven Gase können jedoch jeweils ohne die Vermischung mit dem Ar- Gas zugeführt werden.
- Diese Erfindung ist nicht dafür vorgesehen, auf die Verwendung des flachen, aus Silicium hergestellten Substrats beschränkt zu sein. Es können zum Beispiel SiO&sub2;, Al&sub2;O&sub3;, Glas, Saphir oder dergleichen verwendet werden, und das Substrat kann mit einer beliebigen Struktur gebildet sein. Zum Beispiel kann, wie in Fig. 8 gezeigt, das Substrat eine flache Platte 12 aus Silicium umfassen, auf deren Oberfläche eine isolierende dünne Schicht 13 aus SiO&sub2; vorgesehen ist.
- In Fig. 9 ist eine Abwandlung der in Fig. 1 gezeigten Vorrichtung gezeigt, bei welcher die Anordnung dieselbe wie bei der Vorrichtung der Fig. 1 ist, außer daß ein optischer Filter 14 zwischen den Heizlampen 8 und dem lichtdurchlässigen Fenster 5 in dem oberen Wandbereich 1b der Reaktionskammer vorgesehen ist, wobei der Lichtstrahl von den Heizlampen 8 durch den optischen Filter 14 auf das Substrat 3 fällt. Die Bauteile, die denen bei der Vorrichtung der Fig. 1 entsprechen, sind durch dieselben oder äquivalente Bezugszeichen bezeichnet.
- Die Fig. 10 und 11 zeigen andere Abwandlungen der Vorrichtung der Fig. 1, bei denen das Einstrahlen des Lichtstrahls auf der rückwärtigen Oberfläche des Substrats 3 geschieht. In den Fig. 10 und 11 sind die Substrathalter 15 und 16 aus einem lichtdurchlässigen Material wie Quarz gebildet. Bei der Anordnung, die in Fig. 11 gezeigt ist, ist ein zweiter Inertgaseinlaß 17 vorgesehen, durch den ein Inertgas in den Raum eingeführt wird, der zwischen den Heizlampen 8, die in der Reaktionskammer 1 angeordnet sind, und dem Substrathalter 16 definiert ist, um das reaktive Produkt daran zu hindern, an den Heizlampen 8 und dem durchsichtigen Halter 16 anzuhaften.
- Bei einer weiteren Abwandlung der in Fig. 12 gezeigten Vorrichtung ist ein drehbarer Substrathalter 18 mit einer Heizeinrichtung 19 versehen. Die Bauteile, die denen bei der Vorrichtung der Fig. 1 entsprechen, sind durch dieselben oder äquivalente Bezugsziffern bezeichnet.
- Bei den Anordnungen der Fig. 1, 9 und 12 wird das Substrat gedreht, aber das Substrat kann auch nicht gedreht werden, wie in den Fig. 10 und 11 gezeigt.
- In den Fig. 13 und 14 sind verschiedene Gasinjizierdüsen gezeigt, die zum Injizieren der reaktiven Gase in die Reaktionskammer verwendet werden können. Die in Fig. 13 gezeigte Düse umfaßt einen flachen hohlen Kanal 20, der mit einer Anzahl von kleinen Öffnungen 21 in seiner Endwand ausgebildet ist, wobei die Öffnungen 21 in einer Linie angeordnet sind. Die Düse der Fig. 14 umfaßt einen flachen hohlen Kanal 22, in dessen Endwand zwei Schlitze 23 ausgebildet sind, wobei diese Schlitze 23 in seitlicher Richtung ausgerichtet sind.
- Bei den oben beschriebenen Ausführungsformen ist das Gas, das gegenüber der Oberfläche des Substrats zugeführt wird, das Inertgas. Es kann jedoch ein Gas, das teilweise ein reaktives Gas enthält, verwendet werden. In diesem Fall ist das darin enthaltene reaktive Gas notwendigerweise von einer Art, die keine Staubteilchen erzeugt. Zum Beispiel kann H&sub2;, N&sub2;, O&sub2; oder dergleichen enthalten sein.
- Verglichen mit dem herkömmlichen Verfahren kann gemäß dieser Erfindung durch die Verwendung des Lichtstrahls zum Heizen des Substrats die Wachstumsrate der dünnen Schicht auf dem Substrat effektiv erhöht werden, wobei der Verbrauch an dem reaktiven Gas, welches das metallische Element enthält, verringert wird.
- Weiterhin kann diese Erfindung das reaktive Produkt davon abhalten, an den Reaktionskammerwänden und den lichtdurchlässigen Fenstern darin anzuhaften, ohne daß eine Kühlvorrichtung verwendet wird, und dementsprechend kann die dünne Schicht mit hoher Qualität auf dem Substrat erzielt werden.
Claims (7)
1. Verfahren zum Bilden einer dünnen Schicht auf einem im
wesentlichen flachen Substrat durch chemische
Gasphasenabscheidung, welches die Schritte des Zuführens eines
ersten, ein metallisches Element enthaltenden reaktiven
Gases und eines zweiten, kein metallisches Element
enthaltenden reaktiven Gases in eine Reaktionskammer (1),
beide in einem Zustand laminarer Strömung im
wesentlichen parallel zu und entlang der Oberfläche des flachen
Substrats (3), welches in der Reaktionskammer (1) unter
Unterdruck angeordnet ist, des Zuführens eines
Inertgases oder eines Gases, welches das Inertgas als
Hauptkomponente enthält, nach unten derart, daß es im
wesentlichen senkrecht die Strömungen des ersten und zweiten
reaktiven Gases kreuz t und den Zustand laminarer
Strömung des ersten und zweiten reaktiven Gases
aufrechterhält, und des Einstrahlens eines Lichtstrahls von
mindestens einer Heizlampe (8) auf das Substrat in der
Reaktionskammer (1), um das Substrat (3) zu heizen und
dadurch eine chemische Reaktion auf der Oberfläche des
Substrats (3) zu erzeugen, umfaßt, dadurch
gekennzeichnet, daß eine dünne Schicht, welche das metallische
Element enthält, auf eine im wesentlichen flache
Oberfläche des Substrats (3) aufwachsen gelassen wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
das erste reaktive Gas aus einem oder mehreren Gasen
besteht, die aus Metallhalogeniden, wie WF&sub6;- MoF&sub6;,
TaF&sub5;, CrF&sub4;, TiF&sub4;, TiCl&sub4;, MoCl&sub5;, WCl&sub6;, AlCl&sub3;, gewählt
sind.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
das zweite reaktive Gas aus einem oder mehreren Gasen
besteht, die unter SiH&sub4;, H&sub2; und SiH&sub2;Cl&sub2; ausgewählt sind.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
das erste reaktive Gas mit einer Mischung eines
Inertgases in die Reaktionskammer (1) injiziert wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
das zweite reaktive Gas mit einer Mischung eines
Inertgases in die Reaktionskammer (1) injiziert wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Reaktionskammer (1) mit einem Inertgas versorgt
wird, um ein reaktives Produkt daran zu hindern, an
anderen Teilen der Reaktionskammer als dem Substrat
anzuhaften.
7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
das Substrat aus Si, SiO&sub2;, Al&sub2;O&sub3;, Glas oder Saphir
hergestellt ist.
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