JP4326461B2 - 小流量液体の温調システム - Google Patents

小流量液体の温調システム Download PDF

Info

Publication number
JP4326461B2
JP4326461B2 JP2004330796A JP2004330796A JP4326461B2 JP 4326461 B2 JP4326461 B2 JP 4326461B2 JP 2004330796 A JP2004330796 A JP 2004330796A JP 2004330796 A JP2004330796 A JP 2004330796A JP 4326461 B2 JP4326461 B2 JP 4326461B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid
temperature
flow rate
path
temperature control
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004330796A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006140410A (ja
Inventor
洋康 後藤
昌弘 福田
太郎 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SMC Corp
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
SMC Corp
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SMC Corp, Tokyo Electron Ltd filed Critical SMC Corp
Priority to JP2004330796A priority Critical patent/JP4326461B2/ja
Priority to TW94138285A priority patent/TWI267717B/zh
Priority to KR1020077013536A priority patent/KR100884292B1/ko
Priority to US11/719,347 priority patent/US7896254B2/en
Priority to EP05805550.0A priority patent/EP1814145A4/en
Priority to PCT/JP2005/020339 priority patent/WO2006051745A1/ja
Priority to CNB2005800389466A priority patent/CN100552880C/zh
Publication of JP2006140410A publication Critical patent/JP2006140410A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4326461B2 publication Critical patent/JP4326461B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05DSYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D23/00Control of temperature
    • G05D23/19Control of temperature characterised by the use of electric means
    • G05D23/1919Control of temperature characterised by the use of electric means characterised by the type of controller
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/17Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B29C45/72Heating or cooling
    • B29C45/73Heating or cooling of the mould
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F17STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
    • F17DPIPE-LINE SYSTEMS; PIPE-LINES
    • F17D1/00Pipe-line systems
    • F17D1/08Pipe-line systems for liquids or viscous products
    • F17D1/14Conveying liquids or viscous products by pumping
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00Fluid handling
    • Y10T137/6416With heating or cooling of the system

Description

本発明は、半導体製造関連装置等において用いるのに適した小流量液体の温調システムに関するものであり、特に、高精度に温調された液体を微少流または間欠流として供給する場合の小流量液体の温調システムに関するものである。
従来から、半導体製造関連装置ばかりでなく、各種の技術分野において、高精度に温調された液体を供給する温調技術が開発されている(例えば、特許文献1参照)。
これらの技術は、定常的に温調された液体をほぼ一定の流量で定常的に供給することを前提とし、その流量も比較的大きいものである。
しかしながら、例えば、光学系の光路中に屈折率調整用の液体を介在させて屈折率を調整し、その状態で光路を対象物に対して移動させる場合などにおいては、液体を微少流または間欠流としてその光路中に供給し、しかも、その屈折率の変動を抑制するために高精度に温度制御(例えば、±1/100℃)された状態で供給する必要があり、このような微少流または間欠流の高精度の温度制御には、通常、上述した大きい流量を前提とする温調技術を適用することは困難である。
また、上記温調の対象となる液体は通常高価なものであるため、多量に排出して不要分を廃棄または汚染状態にすることもできず、その液体がたとえ水であったとしても、膜分離技術によって分離した純水あるいは超純水が用いられるので、比較的高価なものとなっていて、それを排出してしまうとコスト高になる。
特開2003−86486号公報
本発明の技術的課題は、半導体製造関連装置等において用いるのに適した小流量液体を高精度で温調する温調システムを提供することにある。
本発明の更に具体的な技術的課題は、小流量液体を微少流または間欠流として供給する流量条件でありながら、高精度に温調された液体とすることができる温調システムを提供することにある。
本発明の他の具体的な技術的課題は、液体の高精度な温調を行い、しかもその温調を行う間に液体中のパーティクル、溶存する気体、有機物、あるいは金属イオン等を除去できるようにして、混入した不純物を排除できるようにした小流量液体の温調システムを提供することにある。
記課題を解決するための本発明の小流量液体の温調システムは、液体の供給源に接続されていて、該供給源から供給された液体を加圧するレギュレータを含む供給路と、該供給路に接続されていて、上記レギュレータで加圧された液体をその加圧状態においてポンプにより循環させる循環路と、上記循環路中に介在していて、該循環路を循環する液体の温調を行う温調器と、上記循環路から分岐されていて、該循環路において温調された液体を少なくとも該循環路における流量の1/2よりも流量が小さい微少連続流または微少間欠流として外部装置に供給する吐出弁を含む吐出路とを備え、上記吐出路を二重管式熱交換器によって形成し、その外管に前記循環路を流れる液体の全部または一部を流すための配管を接続したことを特徴とするものである。
上記小流量液体の温調システムの好ましい実施形態においては、上記供給路を通して供給される液体として、超純水を含む純水または高屈折率液体が用いられる。上記循環路における循環液流量は、吐出路からの吐出液流量の2〜20倍になるように吐出路の流量を設定しておくのが望ましい。また、上記循環路中に、不純物除去手段として、循環する液体中のパーティクルを除去するフィルタ、液体中の気体を除去する真空脱気装置、有機物の酸化機能を有する紫外線酸化装置、及びイオン化物質を除去するイオン交換装置のいずれか、またはそれらのうちの任意の複数を介在させることができる。
更に、本発明に係る温調システムの好ましい実施形態においては、上記循環路における上記供給路との接続点から上記吐出路との分岐点へと向かう往流路中に、上記温調器を介在させ、また、上記往流路中における上記温調器から上流側に、液量変動、温度変動の外乱を緩和するタンクを介在させることができ、さらに、温調器として、該温調器の下流に設けた温度検出器の出力に基づいて制御されるペルチェ素子により温度制御される熱交換器が用いられる
上述した本発明の小流量液体の温調システムによれば、レギュレータで加圧された液体を供給路を通じて循環路に導入し、その加圧状態を保ってポンプにより該循環路を循環させている液体が、循環状態においてその循環路中に介在させた温調器において温調され、上記循環路から分岐させた吐出路の吐出弁により、上記循環路における流量よりも流量が小さい微少連続流または微少間欠流に調整されて外部装置に供給される。
したがって、上記循環路において加圧されて温調された液体が絶えず安定して大量に循環することで、液温が正確に保たれ、その液体を微少連続流または微少間欠流にして外部装置に供給するので、可及的に正確な温度に保たれた液体を外部装置に供給することができる。
上述した本発明の小流量液体の温調システムによれば、供給路と吐出路との間に介在させた循環路に、正確に温調された液体を加圧状態で循環させ、その温調された液体を、上記吐出路の吐出弁により、上記循環路における流量よりも流量が小さい微少連続流または微少間欠流として外部装置に供給するようにしたため、循環により高精度に温調された液体を、上記吐出路から半導体製造関連装置等の外部装置に対して供給することが可能となる。
図1に、本発明に係る温調システムの基本形態を有する第1実施例を示す。以下に、その構成と共に、本発明に係る微少量液体の温調方法について説明する。
この温調システムにおいては、温調すべき液体の供給源1に接続された供給路3に、該供給源1から供給された液体を加圧するレギュレータ2が設けられ、この供給路3の下流端には、上記レギュレータ2で加圧された液体をその加圧状態においてポンプ6により循環させる循環路5が接続され、具体的には循環路5中のタンク4が接続されている。このタンク4は、循環路5に作用する後述の種々の外乱を緩和するものである。
上記タンク4を含む液体の循環路5においては、上記供給路3と上記循環路5との接続点であるタンク4から後述の吐出路9との分岐点に向かう往流路中に、循環流を形成させるためのポンプ6と、循環する液体の温度を一定に保つための温調器7と、主として循環路5内で発生した不純物を除去するフィルタ8とを介在させている。そして、この循環路5のフィルタ8の下流側には、循環路5から分岐する吐出路9を設け、この吐出路9には、温調された液体を微少連続流または微少間欠流として液出口11から外部装置に供給する吐出弁10を設けている。
そして、上記吐出路9を分岐させた往流路は、それに続く還流路によって上記タンク4に接続され、この往流路及び還流路によって上記循環路5が形成されている。
上記レギュレータ2は、供給路3を通して供給される液体を加圧し、一定の加圧状態で循環路5に供給するもので、循環路5内は閉空間としてそこに充満する液体が加圧状態に保持され、その加圧により液体中の溶存ガスの発泡を防止すると共に、外部装置への供給時の吐出圧力を一定に保持し、間欠的に吐出する場合においても安定した流量を維持できるようにしている。
また、上記タンク4は、往流路中における上記温調器7よりも上流側に位置させ、そこに充満する液体の熱容量により液量変動、温度変動に伴う熱的外乱を緩和するためのもので、循環路5における循環流量との関係で熱的外乱へのフィルタの時定数が決定される。
上記ポンプ6は、液体を循環させると共に、外部への吐出圧力を確保して安定した吐出を行うためのもので、循環させる液体中に不純物を放出させないために、インペラが磁気浮上して無接触回転する発塵の無い特殊ポンプが用いるのが望ましい。
上記温調器7は、図5に基本構成を模式的に示すような構成のものを用いるのが望ましい。この温調器7は、ペルチェ素子を用いて温度調節を行うもので、循環路5に連通する温調液入口7aと温調液出口7bとを備えた熱交換器30における熱交換面に、複数のペルチェ素子31の一面を接合すると共に、該ペルチェ素子31の他面を、放熱水入口32aから同出口32bに向けて放熱水が流される放熱用熱交換器32に接合し、また、上記温調液出口7bに温調液体の温度を検出する温度検出器36を設けて、該検出器36の出力を温度コントローラ37に導き、温度コントローラ37において、上記温度検出器36の出力に基づいて通電制御装置35に通電を制御するための信号を出力させるようにしている。循環液体の汚染防止のために、熱交換器30の内面は、必要に応じて、全てフッ素樹脂で被覆することができる。
そして、この温調器7により、温度検出器36において検出される循環液体の温度が、温度コントローラ37に設定されている設定温度に限りなく近づくように調節される。
不純物除去手段を構成する上記フィルタ8は、光透過の障害となる循環液体中のパーティクル等の不純物をろ過して取り除くもので、ここでは限外濾過膜式フィルタを用いるのが望ましい。供給路3を通して供給される超純水等の液体は、通常、上記不純物を含んでいないが、その液体中にパーティクルが含まれていたり、循環路5を循環する間に二次的にパーティクル等が発生したりする場合に、それらを含む不純物を取り除くためにこのフィルタ8は有効なものである。
上記吐出路9に設けた吐出弁10は、温調された液体を微少連続流または微少間欠流として液出口11から外部装置に供給するものであるが、この吐出路9から吐出させる温調液体の量は、少なくとも循環路5における流量の1/2よりも流量が小さく設定される。更に具体的には、外部装置において要求される上記吐出弁10から吐出させるべき流量が決まったとき、上記循環路5の循環液流量は、吐出路9から吐出する吐出液流量の2〜20倍、好ましくは4〜10倍に設定される。
いま、図1と実質的に同じ純水温調システムのモデルとして、タンク4に流量Gs、温度θsの純水が流入し、吐出路9から流量Gs、温度θd(一定)で流出し、循環路5を純水が流量Grで循環する場合について考察するに、温調器7を通過した後の温度θdはタンク出口温度θmより変化が少なくなるので、循環系の評価としては、温度θsが変化したときのタンク出口温度θmの挙動に注目すればよい。
上記モデルにおいて、タンク4に流入する純水の温度変化に対するタンク4で混合された純水の温度変化の比は、次式で表される。
|θm/θs|=Gs/(Gr+Gs)
ここで、θs≒2℃、θm≒0.1〜0.5℃と設定し、上式から循環流量と吐出流量の比Gr/Gsを求めると、
Gr/Gs≒2〜20
となる。
つまり、上記設定例(好ましい設定例)では、前述したように、循環路5の循環液流量を吐出路9から吐出する吐出液流量の2〜20倍にすればよいことがわかる。なお、この数値範囲が適切であることは、本発明者の実験によっても確かめている。
上述した循環液流量が吐出液流量の2〜20倍という数値は、θs≒2℃、θm≒0.1〜0.5℃という条件で求められたものであるが、上記θsは外部装置の仕様により要求される値であり、また、上記θmは温調器7の性能によって決まる値である。従って、それらの値が決まれば、上式に基づいて循環液流量と吐出液流量の比Gr/Gsを求めることができる。
上記吐出路9は、循環路5から分岐して設けられ、外部装置の仕様に応じて必要量の超純水を吐出するための流路で、そこに設けた吐出弁10は、上記吐出液流量を決定するものとなる。そのため、この吐出弁10は、少なくとも必要な範囲内で流量調整可能な調整弁とし、あるいは、間欠吐出も可能なものとして構成することもできるが、外部装置の仕様に応じて、循環液流量と吐出液流量の比が、例えば2〜20倍の範囲内になるものとして構成することができる。
また、この吐出路9は、外部装置に液体を供給するために必要な最小限の長さとし、吐出路9内を液体が流れる間に温度変化が生じるのを抑制する必要がある。更に、上記吐出弁10は、循環路5にできるだけ近い位置に設置し、吐出弁10の入口まで大流量の循環液が来るようにして、外気温等の影響を排除し、吐出液の温度を安定化するのが望ましい。
上記温調システムにおいて温調する液体としては、ここでは、超純水を含む純水や、光透過性においてすぐれたフッ素油等の高屈折率液体を用いることを前提にしているが、それらの液体に限るものではない。
上記構成を有する第1実施例の温調システムにおいては、液体の供給源1に接続された供給路3に、金属イオン、パーティクルや有機物の除去、及び脱気が行われた超純水等の液体が供給され、それがレギュレータ2により加圧されてタンク4に加圧液体として供給されて循環路5に導入され、温調に際しては温調器7を備えた循環路5においてポンプ6により循環流が形成される。
上記循環流の液温は、温調器7の下流側に設けた温度検出器36において検出し、その出力に基づいて温度コントローラ37により通電制御装置35が制御され、ペルチェ素子31への適切な通電により設定温度に調整される。
この状態において、吐出弁10を規定の微少流量の液体が吐出するように調整して開放すると、循環液体は温調器7により正確に温度調整され、しかも、上記循環路5には、吐出液流量に較べて2〜20倍、好ましくは4〜10倍という大量の液体が循環しているので、一定温度に調整された微少量の液体が循環路5から吐出路9を通して外部装置に供給される。また、このように循環液流量を吐出液量に較べて大量にすることにより、熱交換率が向上し、温調器7の応答性が良好となり、温調器7の小型化が図られる。
外部装置に超純水等の液体を供給することにより循環路5から排出された循環液体は、供給源1からタンク4への液体の供給により補われる。
また、上記タンク4は、循環路5内を含む液体の保有量に応じた大きな熱容量を持ち、この熱容量の効果で吐出液体の流量変動、温度の変動を短時間に緩和し、すぐれた温調機能を発揮させることができるものである。しかも、循環液体にわずかに温度変動が生じたとしても、タンク4の下流に位置する温調器7の能力を適切に設定することにより、極めて短時間に温度調整することができる。
図2は、上記第1実施例の温調システムにおける還流路に不純物除去手段を構成する紫外線酸化装置15、イオン交換装置16、真空脱気装置17を付設した変形例を示している。この変形例における第1実施例と共通する構成については、第1実施例と共通する符号を付してその説明を省略する。
上記循環路5に設けた紫外線酸化装置15は、循環液体に紫外線を照射して、供給路3を通して供給される液体に混入しあるいは循環路5中において発生した循環液体中の有機物(微生物等)を酸化分解させるためのものである。これは、有機物の種類によっては、例えば、外部装置におけるレンズを汚し、トランジスタを加工する装置ではトランジスタの特性を劣化させるため、その原因を排除するために設けるものである。
上記イオン交換装置16は、外部装置に供給される循環液中に含まれていると外部装置での作業に悪影響を及ぼすイオン化物質を吸着ないしは捕捉することにより、除去するものである。
また、真空脱気装置17は、循環液中に溶存ないしは混入している気体を真空域に導いて脱気することにより除去するもので、外部装置での作業によっては、気泡がその作業に悪影響を及ぼすため、その原因を排除するために設けるものである。
なお、上記紫外線酸化装置15、イオン交換装置16及び真空脱気装置17は、循環路5中にそれらを単独で、あるいは、それらの複数を適宜選択して併設することができ、また、この温調システムにおける上記フィルタ8、それに加えて設けられる上記紫外線酸化装置15、イオン交換装置16、真空脱気装置17等の不純物除去手段は、循環路5における任意位置に、任意順序で設置することができる。
つぎに、図3に示す本発明の第2実施例について説明する。この第2実施例は、上記第1実施例における吐出路を二重管式熱交換器によって形成したものであり、第1実施例と共通する構成については、第1実施例と共通する符号を付して、その説明を省略する。
この第2実施例の温調システムは、温調された循環液の供給先である外部装置が循環路5から離れていて、吐出路9での液温の維持が困難な場合に適するもので、上記吐出路9を二重管式熱交換器20によって形成し、その内管内を吐出路9にすると共に、内管の周囲を同心状に囲む外管20aの両端部を、温調された保温水を供給するための温調水循環装置21に保温水循環路22を介して接続している。
温調水循環装置21は、上記保温水を前記温調器7により温調される循環液と同温度になるように温調し、それをポンプ(図示省略)により保温水循環路22を通して二重管式熱交換器20の外管20a内に循環させるもので、必要に応じて、図5により先に説明した温調器7と実質的に同じ構成のものを用いることができる。
図4に示す第3実施例は、上記第2実施例と同様に、温調された循環液の供給先である外部装置が循環路5から離れていて、吐出路9での液温の維持が困難な場合に適するものである。この第3実施例では、第2実施例と同様に、第1実施例における吐出路を二重管式熱交換器によって形成しているが、上記第2実施例では、循環路5の温調器7とは別に二重管式熱交換器20のための温調水循環装置21を備えているのに対し、この第3実施例では、循環路5の温調器7を二重管式熱交換器20にも利用するようにしている。
なお、この第3実施例における第1実施例及び第2実施例と共通する構成については、それらの実施例と共通する符号を付して、その説明を省略する。
この第3実施例の温調システムは、上述したように、二重管式熱交換器20に上記循環路5の循環液を供給するため、循環路5における還流路から分岐する分岐配管25を設けて、それを二重管式熱交換器20の外管20aの一端部に連通させ、また、その外管20aの他端部を、還流配管26により、循環路5における上記分岐配管25の分岐点よりも下流側に連通させている。
そして、上記分岐配管25の途中に第1のバルブ27を設け、また、上記循環路5における分岐配管25の分岐点と還流配管26の接続点との間に第2のバルブ28を設けている。
この温調システムでは、吐出路9を保温するための二重管式熱交換器20の外管20aに、循環路5で温調された循環液体を供給するので、二重管式熱交換器20に供給する液体の温度調整が正確になる。
なお、この第3実施例の場合、温調された循環液体が二重管式熱交換器20の外管20a内に供給されるので、その流路の内面はフッ素樹脂で被覆しておくことが望ましい。
この温調システムにおいては、上記第1のバルブ27を開放すると同時に第2のバルブ28を閉じることにより、循環路5の液体が全て二重管式熱交換器20の外管20aに流入し、逆に、上記第1のバルブ27を閉じると同時に第2のバルブ28を開放することにより、循環路5の液体が二重管式熱交換器20に流れなくなり、また、両バルブ27,28を開放するかそれらの流量を調整することにより、二重管式熱交換器20に流れる循環液の量を調整することができる。
本発明に係る小流量液体の温調システムの第1実施例を示すブロック構成図である。 上記第1実施例の変形例を示すブロック構成図である。 上記第1実施例における吐出路を二重管式熱交換器によって形成した第2実施例を示すブロック構成図である。 上記第1実施例における吐出路を二重管式熱交換器によって形成した、上記第2実施例とは異なる保温方式の第3実施例を示すブロック構成図である。 上記各実施例において用いられる温調器の構成例を示すブロック構成図である。
符号の説明
1 供給源
2 レギュレータ
3 供給路
4 タンク
5 循環路
6 ポンプ
7 温調器
8 フィルタ
9 吐出路
10 吐出弁
20 二重管式熱交換器
20a 外管
21 温調水循環装置
30 熱交換器
31 ペルチェ素子
36 温度検出器

Claims (7)

  1. 液体の供給源に接続されていて、該供給源から供給された液体を加圧するレギュレータを含む供給路と、
    該供給路に接続されていて、上記レギュレータで加圧された液体をその加圧状態においてポンプにより循環させる循環路と、
    上記循環路中に介在していて、該循環路を循環する液体の温調を行う温調器と、
    上記循環路から分岐されていて、該循環路において温調された液体を少なくとも該循環路における流量の1/2よりも流量が小さい微少連続流または微少間欠流として外部装置に供給する吐出弁が設けられた吐出路とを備え、
    上記吐出路を二重管式熱交換器によって形成し、その外管に前記循環路を流れる液体の全部または一部を流すための配管を接続した、
    ことを特徴とする小流量液体の温調システム。
  2. 上記供給路を通して供給される液体が超純水を含む純水または高屈折率液体である、
    ことを特徴とする請求項1に記載の小流量液体の温調システム。
  3. 上記循環路における循環液流量が、吐出液流量の2〜20倍になるように吐出路の流量が設定されている、
    ことを特徴とする請求項1または2に記載の小流量液体の温調システム。
  4. 上記循環路中に、不純物除去手段として、循環する液体中のパーティクルを除去するフィルタ、液体中の気体を除去する真空脱気装置、有機物の酸化機能を有する紫外線酸化装置、及びイオン化物質を除去するイオン交換装置のいずれか、またはそれらのうちの任意の複数を介在させた、
    ことを特徴とする請求項1〜3に記載の小流量液体の温調システム。
  5. 上記循環路における上記供給路との接続点から上記吐出路との分岐点へと向かう往流路中に、上記温調器を介在させた、
    ことを特徴とする請求項1〜4に記載の小流量液体の温調システム。
  6. 上記往流路中における上記温調器から上流側に、液量変動、温度変動の外乱を緩和するタンクを介在させた、
    ことを特徴とする請求項5に記載の小流量液体の温調システム。
  7. 温調器が、該温調器よりも下流側に設けた温度検出器の出力に基づいて制御されるペルチェ素子により温度制御される熱交換器を備えている、
    ことを特徴とする請求項1〜6に記載の小流量液体の温調システム。
JP2004330796A 2004-11-15 2004-11-15 小流量液体の温調システム Expired - Fee Related JP4326461B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004330796A JP4326461B2 (ja) 2004-11-15 2004-11-15 小流量液体の温調システム
TW94138285A TWI267717B (en) 2004-11-15 2005-11-01 Temperature-regulating method and system for a small amount of flowing fluid
US11/719,347 US7896254B2 (en) 2004-11-15 2005-11-07 Temperature regulation method and system for low flow rate liquid
EP05805550.0A EP1814145A4 (en) 2004-11-15 2005-11-07 TEMPERATURE CONTROL METHOD AND SYSTEM FOR A LIQUID FLOW FLOW RATE
KR1020077013536A KR100884292B1 (ko) 2004-11-15 2005-11-07 소유량 액체의 온도 조절 방법 및 그 시스템
PCT/JP2005/020339 WO2006051745A1 (ja) 2004-11-15 2005-11-07 小流量液体の温調方法及びそのシステム
CNB2005800389466A CN100552880C (zh) 2004-11-15 2005-11-07 小流量液体的调温方法及其系统

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004330796A JP4326461B2 (ja) 2004-11-15 2004-11-15 小流量液体の温調システム

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009101862A Division JP2009164642A (ja) 2009-04-20 2009-04-20 液浸露光のための屈折率調整用小流量液体の温調方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006140410A JP2006140410A (ja) 2006-06-01
JP4326461B2 true JP4326461B2 (ja) 2009-09-09

Family

ID=36336425

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004330796A Expired - Fee Related JP4326461B2 (ja) 2004-11-15 2004-11-15 小流量液体の温調システム

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7896254B2 (ja)
EP (1) EP1814145A4 (ja)
JP (1) JP4326461B2 (ja)
KR (1) KR100884292B1 (ja)
CN (1) CN100552880C (ja)
TW (1) TWI267717B (ja)
WO (1) WO2006051745A1 (ja)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006222165A (ja) * 2005-02-08 2006-08-24 Canon Inc 露光装置
US8018573B2 (en) * 2005-02-22 2011-09-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4661322B2 (ja) * 2005-04-22 2011-03-30 株式会社ニコン 露光装置、デバイスの製造方法及び液体供給方法
JP2009152497A (ja) * 2007-12-21 2009-07-09 Nikon Corp 液浸システム、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP5496771B2 (ja) * 2010-05-13 2014-05-21 株式会社Kelk 温度制御装置を用いた温度制御方法
DE102010025211A1 (de) * 2010-06-23 2011-12-29 Pure Engineering Gmbh & Co. Kg Kontrollsystem mit wenigstens einer Temperaturmesseinrichtung
JP5791069B2 (ja) * 2011-03-02 2015-10-07 国立大学法人三重大学 流量計測システム
US20130255784A1 (en) * 2012-03-30 2013-10-03 Applied Materials, Inc. Gas delivery systems and methods of use thereof
CN103792790B (zh) * 2012-10-30 2016-09-14 沈阳芯源微电子设备有限公司 光刻胶与显影液的恒温控制系统
CN103176369B (zh) * 2013-03-13 2016-03-02 华中科技大学 用于浸没式光刻的浸液温控装置
JP6020416B2 (ja) 2013-11-01 2016-11-02 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置及び処理液供給方法
CN108074837B (zh) * 2016-11-15 2019-11-12 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 一种半导体工艺水保温系统
WO2020145082A1 (ja) 2019-01-10 2020-07-16 株式会社Kelk 温度制御システム及び温度制御方法
JP7166972B2 (ja) * 2019-03-26 2022-11-08 Ckd株式会社 温度調整用流量制御ユニット
WO2021205199A1 (en) * 2020-04-06 2021-10-14 Edwards Korea Limited Pipe arrangement

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5228338A (en) * 1975-08-29 1977-03-03 Hitachi Ltd High output light beam focusing lens system
JPS5332047A (en) * 1976-09-06 1978-03-25 Shigeru Kobiyama Device for utilizing solar energy
JPS6194342A (ja) 1984-10-16 1986-05-13 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体素子の製造方法
JPS6194342U (ja) * 1984-11-27 1986-06-18
US4607261A (en) * 1985-04-12 1986-08-19 Eastman Kodak Company Ink supply cartridge and cooperative ink circulation system of continuous ink jet printer
US4824073A (en) * 1986-09-24 1989-04-25 Stanford University Integrated, microminiature electric to fluidic valve
JP2822294B2 (ja) * 1992-12-22 1998-11-11 株式会社エンプラス レンズ
US5526026A (en) * 1994-03-17 1996-06-11 Scitex Digital Printing, Inc. Concentration control for a continuous ink jet printer utilizing resistivity
JPH0949904A (ja) * 1995-08-07 1997-02-18 Toshiba Corp レーザ装置用光学レンズ及びレーザ装置
KR100265286B1 (ko) * 1998-04-20 2000-10-02 윤종용 반도체장치 제조용 케미컬 순환공급장치 및 이의 구동방법
TW522214B (en) * 1999-12-08 2003-03-01 Usui International Industry Temperature adjusting device for thermal fluid medium
JP2002036488A (ja) 2000-07-25 2002-02-05 Fuji Photo Film Co Ltd インクジェット式製版方法及び製版装置
JP2002306488A (ja) * 2001-04-11 2002-10-22 Ge Medical Systems Global Technology Co Llc プッシュ式リベットおよび超音波探触子
EP1276016B1 (en) * 2001-07-09 2009-06-10 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
JP2003086486A (ja) 2001-09-11 2003-03-20 Canon Inc 露光装置
JP2003215002A (ja) * 2002-01-17 2003-07-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP4166037B2 (ja) * 2002-05-24 2008-10-15 三洋電機株式会社 吸収冷温水機
CN100359274C (zh) * 2003-01-06 2008-01-02 Smc株式会社 恒温液循环装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2006051745A1 (ja) 2006-05-18
TW200619890A (en) 2006-06-16
EP1814145A4 (en) 2013-11-06
JP2006140410A (ja) 2006-06-01
US20090145489A1 (en) 2009-06-11
US7896254B2 (en) 2011-03-01
KR100884292B1 (ko) 2009-02-18
CN101076876A (zh) 2007-11-21
CN100552880C (zh) 2009-10-21
EP1814145A1 (en) 2007-08-01
KR20070090925A (ko) 2007-09-06
TWI267717B (en) 2006-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100884292B1 (ko) 소유량 액체의 온도 조절 방법 및 그 시스템
JP4831480B2 (ja) 膜濾過システム
JP4533614B2 (ja) 真空制御システム
JP5050996B2 (ja) 逆浸透膜装置
JP2009106832A (ja) 水処理方法ならびに水処理装置
JP2014213260A (ja) 膜ろ過装置
JP2006075683A (ja) 液体塗布装置およびその液体脱気方法
CN109715272B (zh) 处理超纯水的方法和系统
JP4475925B2 (ja) 脱塩処理装置および脱塩処理方法
JP2009285522A (ja) 逆浸透膜装置
WO2019171632A1 (ja) 超純水の加熱方法
JP2009164642A (ja) 液浸露光のための屈折率調整用小流量液体の温調方法
JP5146795B2 (ja) 水処理システム
JP2008237972A (ja) 膜濾過システム
JP2008209396A (ja) 分析装置用連続濃縮装置
JP7011958B2 (ja) 液体供給装置および圧力制御方法
JPH03284323A (ja) 膜分離方法および装置
JP2010087191A (ja) 露光装置およびデバイス製造方法
JP7109505B2 (ja) 超純水製造装置
WO2023100443A1 (ja) 温超純水製造装置
CN216876005U (zh) 饮水机和饮水系统
WO2023074147A1 (ja) 水処理システム及び水処理方法
CN113974437A (zh) 饮水机、饮水系统和饮水系统的控制方法
JP2023041226A (ja) 水処理システム
JP2006292035A (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061024

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090217

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090420

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090519

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090609

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120619

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4326461

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130619

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees