JP4323274B2 - 半導体回路装置 - Google Patents
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Description
図1は本発明の実施の形態1に係る半導体回路装置の構成を示すブロック図である。低電圧検出回路11の出力が、点Xにおいてフィルタ回路12の入力及び制御回路13の第2の入力に接続されている。フィルタ回路12の出力が制御回路13の第1の入力に接続されている。そして、パワーオンリセット回路14の出力が制御回路13の第3の入力に接続されている。
図6から図8は本実施の形態の半導体回路装置を構成する各ブロックの具体的な回路構成例を示す図である。その他の構成は実施の形態1と同一であり、重複する説明は省略する。
図9は制御回路13(図1参照)の回路構成を示す回路図である。その他の構成は実施の形態1又は2の何れかと同一であり、重複する説明は省略する。
図10は実施の形態4に係る半導体回路装置のパワーオンリセット回路14(図1参照)を示す回路図である。その他の構成は実施の形態1から3の何れかと同一であり、重複する説明は省略する。
図11は実施の形態5に係る半導体回路装置のパワーオンリセット回路14(図1参照)を示す回路図である。その他の構成は実施の形態1から3の何れかと同一であり、重複する説明は省略する。
図12は実施の形態6に係る半導体回路装置のパワーオンリセット回路14(図1参照)を示す回路図である。その他の構成は実施の形態1から3の何れかと同等であり、重複する説明は省略する。
図13は実施の形態7に係る半導体回路装置のパワーオンリセット回路13(図1参照)を示す回路図である。その他の構成は実施の形態1から3の何れかと同一であり、重複する説明は省略する。
図14は実施の形態8に係る半導体回路装置のパワーオンリセット回路13(図1参照)を示す回路図である。その他の構成は実施の形態1から3の何れかと同一であり、重複する説明は省略する。
Claims (8)
- 電源電圧を受け、前記電源電圧が所定の低電圧検出電圧よりも高いか低いかを示す論理レベルの低電圧検出信号を出力する低電圧検出回路と、
前記低電圧検出信号を受け、前記電源電圧が前記低電圧検出電圧よりも低いことを示す論理レベルの前記低電圧検出信号を所定のフィルタ時間だけ無効化するフィルタ回路と、
前記電源電圧を受け、前記電源電圧の投入から前記フィルタ時間よりも長い所定のリセット時間が経過したか否かを示す論理レベルのパワーオンリセット信号を出力するパワーオンリセット回路と、
前記低電圧検出信号、前記フィルタ回路の出力及び前記パワーオンリセット信号を受け、前記パワーオンリセット信号が前記リセット時間の未経過を示す論理レベルであるときには前記低電圧検出信号に応答し、前記パワーオンリセット信号が前記リセット時間の既経過を示す論理レベルであるときには前記フィルタ回路の出力に応答したエラー信号を出力する制御回路と
を備えることを特徴とする半導体回路装置。 - 前記制御回路は、前記低電圧検出信号、前記フィルタ回路の出力及び前記パワーオンリセット信号を受けて、前記パワーオンリセット信号と前記低電圧検出信号とを用いた第1の論理演算と、前記第1の論理演算の結果と前記フィルタ回路の出力とを用いた第2の論理演算とを行い、前記第2の論理演算の結果を前記エラー信号として出力するものであり、
前記第1の論理演算は、
前記パワーオンリセット信号が、前記リセット時間の未経過を示す論理レベルであること、および、前記電源電圧が、前記電源電圧が前記低電圧検出電圧よりも低いことを示す論理レベルであること、という2つの条件の両方が成立するか否かを示す論理積を求める演算であり、
前記第2の論理演算は、
前記第1の論理演算の結果が、前記2つの条件の両方が成立することを示す論理レベルであること、および、前記フィルタ回路の出力が、前記電源電圧が前記低電圧検出電圧よりも低いときの前記低電圧検出信号に対応した論理レベルであることの、少なくとも一方が成立するか否かを示す論理和を求める演算である
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体回路装置。 - 前記制御回路は、前記論理積と前記論理和の否定とを演算するためのAND−NOR複合ゲート回路、
を備えることを特徴とする請求項2に記載の半導体回路装置。 - 前記パワーオンリセット回路は、前記電源電圧に一端が接続された第1の抵抗と、
前記第1の抵抗の他端に一端が接続され、他端が接地された第2の抵抗と、
前記第1の抵抗と前記第2の抵抗の接続部に一端が接続され、他端が接地されたキャパシターと、
を備え、
前記パワーオンリセット信号は、前記第1の抵抗と前記第2の抵抗の接続部から出力される
ことを特徴とする請求項1から請求項3の何れかに記載の半導体回路装置。 - 前記パワーオンリセット回路は、一端が接地された抵抗と、
ソース・ゲート間に一定電圧が印加され、ソース・ドレインの一方が前記抵抗の他端に、もう一方が前記電源電圧にそれぞれ接続されたMOSトランジスタと、
前記抵抗と前記MOSトランジスタとの接続部に一端が接続され、他端が接地されたキャパシターと、
を備え、
前記パワーオンリセット信号は、前記抵抗と前記MOSトランジスタとの接続部から出力される
ことを特徴とする請求項1から請求項3の何れかに記載の半導体回路装置。 - 前記パワーオンリセット回路は、一端が接地された抵抗と、
エミッタ・ベース間に一定電流が印加され、コレクタ・エミッタの一方が前記抵抗の他端に、もう一方が前記電源電圧にそれぞれ接続されたバイポーラトランジスタと、
前記抵抗と前記バイポーラトランジスタとの接続部に一端が接続され、他端が接地されたキャパシターと、
を備え、
前記パワーオンリセット信号は、前記抵抗と前記バイポーラトランジスタとの接続部から出力される
ことを特徴とする請求項1から請求項3の何れかに記載の半導体回路装置。 - 前記パワーオンリセット回路は、前記電源電圧にアノードが接続されたダイオードと、
前記ダイオードのカソードと一端が接続され、他端が接地された抵抗と、
前記ダイオードと前記抵抗の接続部に一端が接続され、他端が接地されたコンデンサと、
を備え、
前記パワーオンリセット信号は、前記ダイオードと前記抵抗の接続部から出力される
ことを特徴とする請求項1から請求項3の何れかに記載の半導体回路装置。 - 前記パワーオンリセット回路は、入力が接地されたインバータ回路と、
前記インバータ回路の出力に一端が接続され、他端が接地されたキャパシタと、
を備え、
前記パワーオンリセット信号は、前記インバータ回路の出力信号である
ことを特徴とする請求項1から請求項3の何れかに記載の半導体回路装置。
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