JP4298179B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、LCDドライバなどの半導体装置のレイアウトに関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の入出力パッドには、静電保護ダイオード、静電保護トランジスタ、出力トランジスタなどが接続されており、これらは基本的にPN接合で形成されている。また、入出力パッドの下に半導体基板と電気伝導型の異なるウェル等の拡散層を敷くことにより、万が一静電気によりパッド下の絶縁膜が破壊しても、パッドの電位はウェルで堰きとめられ、基板とのショートには至らない。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
半導体装置が通電されていない状態で、光照射下に放置されていると、パッドに接続された静電保護ダイオード、静電保護トランジスタ、出力トランジスタなどのPN接合は、光起電力を生じる。この光起電力は、上記構成要素の位置関係やパッド周辺のフィールド部または各PN接合で発生したキャリアの量で決まる。各パッドから出る起電力に差があるとき、半導体装置と接続された他の部品に悪影響をおよぼすことがある。例えばLCDドライバの場合、ドライバの出力パッドには液晶のセグメントまたはコモン端子が接続される。あるパッドとその隣のパッドに光起電力差があると、液晶内部に常時電圧が印加され、液晶が変質して癖がつく。これにより、LCD表示画面に縞模様が出てしまう。
【0004】
一方、LCDドライバのセグメントまたはコモン端子のパッドは、一ヶ所に並べられていることが望ましいが、パッドに接続された内部のPN接合は、レイアウトの都合上パッドの並びと同じにできない場合がある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明は、パッドに接続された内部のPN接合がパッドの並びと同じにできない場合でも、光起電力差を生じさせないレイアウトを提供するものである。全ての入出力パッドとその下のウェルとパッドと接続された静電保護回路を含む回路のサイズ、位置関係を全く同じにすることにより、全ての入出力パッドから出力される光起電力を全く同じにすることができる。
【0006】
【発明の実施の形態】
本発明の第1実施例を図1を用いて説明する。入出力パッド1の下に静電保護用のウェル2が設けられており、入出力パッド1からは配線4がでており、静電保護ダイオード3を経由して内部回路に接続される。これら1〜4までを1組とする出力回路が11から右に並べられている。左端の出力回路11の左にはダミーのパッド、ウェル、静電保護ダイオード、配線を含むダミー出力回路101が設けられており、どの出力回路も左右の位置関係が同じになるように配置されている。右端の出力回路の左にも同様にダミー出力回路を設けるとよい。
【0007】
次に、本発明の第2実施例を図2を用いて説明する。図中の101、11、12、13・・・は第1実施例と同じであるが、ダミー出力回路101の左に入出力パッド29、28、27・・・が設けられている。しかし、レイアウトの都合上、これらの静電保護ダイオードや内部回路はパッドとは隣接していない別の場所39、38、37・・・に設けられている。このとき、例えば出力回路11と入出力パッド29を有する出力回路とが同様な配置関係になるように39、38、37・・・に隣接して、ダミーパッドとダミーウェル49、48、47・・・を設けてある。静電保護ダイオード39とダミーパッドとダミーウェル49の上には、さらにダミー出力回路102が設けられている。
【0008】
以上の説明では、入出力パッド、静電保護用のウェル、静電保護ダイオードのみを記述したが、静電保護ダイオード以降の内部回路に関しても全く同様であり、それらのレイアウトを全内部回路に対して同じにすることにより、同様の効果を得ることができる。
【0009】
【発明の効果】
これまで述べたように、全ての入出力パッドとそれに接続された保護回路を含む回路のサイズ、位置関係を全く同じにすることにより、半導体装置が通電されていない状態で光照射下に放置されている場合でも、各パッドからの光起電力差を生じことなく、半導体装置と接続された他の部品に悪影響をおよぼすことがなくなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例の出力回路のレイアウト図である。
【図2】本発明の第2実施例の出力回路のレイアウト図である。
【符号の説明】
1 出力パッド
2 静電保護用ウェル
3 静電保護ダイオード
4 配線
11 出力回路
29 出力パッドと静電保護用ウェル
39 静電保護ダイオードと配線
49 ダミーパッドとダミーウェル
101 ダミー出力回路
Claims (5)
- 第1の入出力用パッドと、前記第1の入出力用パッドの下に設けられた第1の拡散層と、前記第1の入出力用パッドに隣接し電気的に接続された第1のダイオードと、を有する出力回路が、複数個同じ向きに隣り合って一列に並べて配置され、
前記複数個配置された出力回路の両端のそれぞれに接して、第1のダミーパッドと、前記第1のダミーパッドの下に設けられた第2の拡散層と、前記第1のダミーパッドに隣接し電気的に接続された第1のダミーダイオードと、を有するダミー出力回路が設けられた半導体装置。 - 前記ダミー出力回路の前記出力回路と隣接していない側に配置された第2の入出力用パッドと、
前記第2の入出力パッドの下に設けられた第2の拡散層と、
前記第2の入出力用パッドには隣接せずに離れて配置され電気的に接続された第2のダイオードと、
前記第2のダイオードに隣接して設けられた他と電気的に接続されていない第3の拡散層と、
前記第3の拡散層の上に設けられた第2のダミーパッドと、
前記第2のダミーパッドに隣接して配置された第3のダミーパッドと、
前記第3のダミーパッドの下に設けられた第4の拡散層と、
前記第2のダイオードに隣接して配置された第3のダミーダイオードと、をさらに有しており、
前記第3の拡散層および前記第2のダイオードは前記出力回路における前記第1の拡散層および前記第1のダイオードとそれぞれ同じ大きさを有するとともに同じ相対的な位置関係を持って配置され、
前記第4の拡散層および前記第3のダミーダイオードは前記出力回路における前記第1の拡散層および前記第1のダイオードとそれぞれ同じ大きさを有するとともに同じ相対的な位置関係を持って配置されている請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1および第2のダイオードが静電破壊保護用ダイオードであることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記第1および第2の拡散層が半導体基板と電気伝導型の異なるウェルであることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記半導体装置がLCDドライバであることを特徴とする請求項1から4いずれかに記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001035802A JP4298179B2 (ja) | 2001-02-13 | 2001-02-13 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001035802A JP4298179B2 (ja) | 2001-02-13 | 2001-02-13 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002246470A JP2002246470A (ja) | 2002-08-30 |
JP4298179B2 true JP4298179B2 (ja) | 2009-07-15 |
Family
ID=18899195
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001035802A Expired - Lifetime JP4298179B2 (ja) | 2001-02-13 | 2001-02-13 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4298179B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4846244B2 (ja) | 2005-02-15 | 2011-12-28 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP5123510B2 (ja) | 2006-09-28 | 2013-01-23 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP5503208B2 (ja) * | 2009-07-24 | 2014-05-28 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
WO2021171408A1 (ja) * | 2020-02-26 | 2021-09-02 | 株式会社ソシオネクスト | 半導体集積回路装置 |
-
2001
- 2001-02-13 JP JP2001035802A patent/JP4298179B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002246470A (ja) | 2002-08-30 |
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RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040303 |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080828 |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081024 |
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A02 | Decision of refusal |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090116 |
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A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090302 |
|
A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090415 |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120424 Year of fee payment: 3 |
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RD01 | Notification of change of attorney |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120424 Year of fee payment: 3 |
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D03 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120424 Year of fee payment: 3 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130424 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140424 Year of fee payment: 5 |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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S533 | Written request for registration of change of name |
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