JP2611639B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
- H01L23/485—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body consisting of layered constructions comprising conductive layers and insulating layers, e.g. planar contacts
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- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、特
に静電破壊耐量が改善された半導体装置に関するもので
ある。
に静電破壊耐量が改善された半導体装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置における接合破壊防止
の方法について、特開平１−１２５８６２号公報に記載
された技術を例に挙げて説明する。図３は、同公報にて
提案された半導体装置の断面図である。同図に示される
ように、ｐ型半導体基板３０１の表面領域内には、高不
純物濃度のｎ型拡散層３０２が形成されており、このｎ
型拡散層３０２には、半導体基板を覆う層間絶縁膜３０
５に開孔されたコンタクトホールを介してアルミニウム
配線３０６が接触している。アルミニウム配線３０６の
コンタクト部の下部には、低不純物濃度のｎウェル３０
３が形成されている。
の方法について、特開平１−１２５８６２号公報に記載
された技術を例に挙げて説明する。図３は、同公報にて
提案された半導体装置の断面図である。同図に示される
ように、ｐ型半導体基板３０１の表面領域内には、高不
純物濃度のｎ型拡散層３０２が形成されており、このｎ
型拡散層３０２には、半導体基板を覆う層間絶縁膜３０
５に開孔されたコンタクトホールを介してアルミニウム
配線３０６が接触している。アルミニウム配線３０６の
コンタクト部の下部には、低不純物濃度のｎウェル３０
３が形成されている。
【０００３】このように構成された半導体装置では、ア
ルミニウム配線３０６が接続されている外部端子に静電
パルスのような過電圧が印加された場合でも、アルミニ
ウム配線３０６のコンタクト下に不純物濃度の低いｎウ
ェルを有するため接合耐圧が高く、アルミニウム配線３
０６とｎ型拡散層３０２との接続部直下のｐｎ接合の破
壊が起こりにくくなっている。
ルミニウム配線３０６が接続されている外部端子に静電
パルスのような過電圧が印加された場合でも、アルミニ
ウム配線３０６のコンタクト下に不純物濃度の低いｎウ
ェルを有するため接合耐圧が高く、アルミニウム配線３
０６とｎ型拡散層３０２との接続部直下のｐｎ接合の破
壊が起こりにくくなっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
装置では、特に、微細化がすすみｎ型拡散層３０２が
０．５μｍ以下の浅い接合となった場合、静電パルス印
加時、電流はほとんど全て半導体表面を流れるようにな
り、図３のａ部付近で接合耐圧がもっとも低くなるた
め、ここで基板に電流が流れ込んでしまうという問題点
があった。
装置では、特に、微細化がすすみｎ型拡散層３０２が
０．５μｍ以下の浅い接合となった場合、静電パルス印
加時、電流はほとんど全て半導体表面を流れるようにな
り、図３のａ部付近で接合耐圧がもっとも低くなるた
め、ここで基板に電流が流れ込んでしまうという問題点
があった。
【０００５】そのため、この種２つの拡散層を近接して
設けて静電破壊保護素子を構成した場合（図２参照）、
高電圧印加時には拡散層間に電流が流れることが期待さ
れているにもかかわらず、基板−拡散層間を電流が流れ
てしまい保護素子が正常に動作できないという問題点が
あった。その結果、放電が不十分となり電圧上昇により
内部回路が破壊してしまう恐れが生じる。
設けて静電破壊保護素子を構成した場合（図２参照）、
高電圧印加時には拡散層間に電流が流れることが期待さ
れているにもかかわらず、基板−拡散層間を電流が流れ
てしまい保護素子が正常に動作できないという問題点が
あった。その結果、放電が不十分となり電圧上昇により
内部回路が破壊してしまう恐れが生じる。
【０００６】したがって、この発明の目的とするところ
は、第１に、静電パルスのような過電圧印加時に配線の
コンタクト部を囲む低不純物濃度領域（ｎウェル）にも
十分に電流が流れるようにして、高不純物濃度領域（ｎ
型拡散層）が接合破壊を起こすことのないようにするこ
とであり、第２に、この構造の拡散層を用いた静電破壊
保護素子が十分にその機能を発揮しうるようにして、内
部電圧の上昇を防止して内部回路を静電破壊から保護し
うるようにすることである。
は、第１に、静電パルスのような過電圧印加時に配線の
コンタクト部を囲む低不純物濃度領域（ｎウェル）にも
十分に電流が流れるようにして、高不純物濃度領域（ｎ
型拡散層）が接合破壊を起こすことのないようにするこ
とであり、第２に、この構造の拡散層を用いた静電破壊
保護素子が十分にその機能を発揮しうるようにして、内
部電圧の上昇を防止して内部回路を静電破壊から保護し
うるようにすることである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、第１導電型の半導体基板（１０
１、２０１）と、前記半導体基板の表面領域内に形成さ
れた第２導電型の第１の拡散層（１０２、２０２）と、
前記第１の拡散層と接触する金属配線（１０６、２０
６）と、前記金属配線のコンタクト部の直下に形成され
た、前記第１の拡散層よりも不純物濃度が高くかつ前記
第１の拡散層よりも拡散深さの深い第２導電型の第２の
拡散層（１０４、２０４）と、前記第２の拡散層の外側
に該第２の拡散層を包むように形成された、前記第１の
拡散層よりも不純物濃度の低い第２導電型の第３の拡散
層（１０３、２０３）と、を備えたことを特徴とする半
導体装置が提供される。
め、本発明によれば、第１導電型の半導体基板（１０
１、２０１）と、前記半導体基板の表面領域内に形成さ
れた第２導電型の第１の拡散層（１０２、２０２）と、
前記第１の拡散層と接触する金属配線（１０６、２０
６）と、前記金属配線のコンタクト部の直下に形成され
た、前記第１の拡散層よりも不純物濃度が高くかつ前記
第１の拡散層よりも拡散深さの深い第２導電型の第２の
拡散層（１０４、２０４）と、前記第２の拡散層の外側
に該第２の拡散層を包むように形成された、前記第１の
拡散層よりも不純物濃度の低い第２導電型の第３の拡散
層（１０３、２０３）と、を備えたことを特徴とする半
導体装置が提供される。
【０００８】また、本発明によれば、第１導電型の半導
体基板（２０１）と、前記半導体基板の表面に形成され
た厚い素子分離酸化膜（２０９）と、前記素子分離酸化
膜を挟んで前記半導体基板の表面領域内に形成された一
対の第２導電型の第１の拡散層（２０２）と、それぞれ
の前記第１の拡散層と接触する金属配線（２０６）と、
それぞれの前記金属配線のコンタクト部の直下に形成さ
れた、前記第１の拡散層よりも不純物濃度が高くかつ前
記第１の拡散層よりも拡散深さの深い第２導電型の第２
の拡散層（２０４）と、それぞれの前記第２の拡散層の
外側に該第２の拡散層を包むように形成された、前記第
１の拡散層よりも不純物濃度の低い第２導電型の第３の
拡散層（２０３）と、を備えたことを特徴とする半導体
装置が提供される。
体基板（２０１）と、前記半導体基板の表面に形成され
た厚い素子分離酸化膜（２０９）と、前記素子分離酸化
膜を挟んで前記半導体基板の表面領域内に形成された一
対の第２導電型の第１の拡散層（２０２）と、それぞれ
の前記第１の拡散層と接触する金属配線（２０６）と、
それぞれの前記金属配線のコンタクト部の直下に形成さ
れた、前記第１の拡散層よりも不純物濃度が高くかつ前
記第１の拡散層よりも拡散深さの深い第２導電型の第２
の拡散層（２０４）と、それぞれの前記第２の拡散層の
外側に該第２の拡散層を包むように形成された、前記第
１の拡散層よりも不純物濃度の低い第２導電型の第３の
拡散層（２０３）と、を備えたことを特徴とする半導体
装置が提供される。
【０００９】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１（ａ）は、本発明の第１の実施例を示
す平面図であり、図１（ｂ）はそのＡ−Ａ′線の断面図
である。図１に示されるように、不純物濃度１０15／ｃ
ｍ3のｐ型半導体基板１０１の表面領域内には、拡散抵
抗を構成する、不純物濃度１０20／ｃｍ3 、深さ０．３
μｍのｎ型拡散層１０２が形成されており、この拡散層
１０２には、層間絶縁膜１０５に形成されたコンタクト
ホール１０７を介してアルミニウム配線１０６が接続さ
れている。アルミニウム配線１０６のコンタクト部の下
部には、不純物濃度２×１０20／ｃｍ3 、深さ０．５μ
ｍのコンタクトｎ型拡散層１０４が形成されており、そ
の外側にはこのｎ型拡散層１０４を包むように、不純物
濃度１０16／ｃｍ3 、深さ２μｍのｎウェル１０３が形
成されている。
て説明する。図１（ａ）は、本発明の第１の実施例を示
す平面図であり、図１（ｂ）はそのＡ−Ａ′線の断面図
である。図１に示されるように、不純物濃度１０15／ｃ
ｍ3のｐ型半導体基板１０１の表面領域内には、拡散抵
抗を構成する、不純物濃度１０20／ｃｍ3 、深さ０．３
μｍのｎ型拡散層１０２が形成されており、この拡散層
１０２には、層間絶縁膜１０５に形成されたコンタクト
ホール１０７を介してアルミニウム配線１０６が接続さ
れている。アルミニウム配線１０６のコンタクト部の下
部には、不純物濃度２×１０20／ｃｍ3 、深さ０．５μ
ｍのコンタクトｎ型拡散層１０４が形成されており、そ
の外側にはこのｎ型拡散層１０４を包むように、不純物
濃度１０16／ｃｍ3 、深さ２μｍのｎウェル１０３が形
成されている。
【００１０】ここで、コンタクトｎ型拡散層１０４は、
層間絶縁膜１０５に開孔されたコンタクトホールを介し
て不純物が導入されて形成された領域であるため、平面
的にコンタクト部より大きく広がる領域ではない。これ
に対し、ｎウェル１０３は一辺の長さがｎ型拡散層１０
２の幅に近く形成されている。図１（ａ）に示されるよ
うに、アルミニウム配線１０６の一方は、端子１０８に
接続され、他方は内部回路に接続されている。
層間絶縁膜１０５に開孔されたコンタクトホールを介し
て不純物が導入されて形成された領域であるため、平面
的にコンタクト部より大きく広がる領域ではない。これ
に対し、ｎウェル１０３は一辺の長さがｎ型拡散層１０
２の幅に近く形成されている。図１（ａ）に示されるよ
うに、アルミニウム配線１０６の一方は、端子１０８に
接続され、他方は内部回路に接続されている。
【００１１】このように構成された半導体装置では、ｎ
型拡散層１０２よりも不純物濃度の高いコンタクトｎ型
拡散層１０４が、ｎ型拡散層１０２を貫通してｎウェル
１０３に到達しているため、過電圧パルスの印加時にｎ
ウェル１０３内にもかなりの電流が流れるようになり、
そしてｎウェル１０３が、ｎ型拡散層１０２の幅程度に
形成されているため、ｎ型拡散層１０２のｐｎ接合破壊
は抑制される。
型拡散層１０２よりも不純物濃度の高いコンタクトｎ型
拡散層１０４が、ｎ型拡散層１０２を貫通してｎウェル
１０３に到達しているため、過電圧パルスの印加時にｎ
ウェル１０３内にもかなりの電流が流れるようになり、
そしてｎウェル１０３が、ｎ型拡散層１０２の幅程度に
形成されているため、ｎ型拡散層１０２のｐｎ接合破壊
は抑制される。
【００１２】図２（ａ）は、本発明の第２の実施例を示
す平面図であり。図２（ｂ）はそのＡ−Ａ′線の断面図
である。本実施例は、静電破壊保護素子に本発明を適用
した場合の例に関するものである。図２（ａ）に示され
るように、端子２０８に接続されたアルミニウム配線２
０６と、ＧＮＤ配線２０６ａに接続されたアルミニウム
配線２０６は、コンタクトホール２０７を介してｎ型拡
散層２０２に接続されている。
す平面図であり。図２（ｂ）はそのＡ−Ａ′線の断面図
である。本実施例は、静電破壊保護素子に本発明を適用
した場合の例に関するものである。図２（ａ）に示され
るように、端子２０８に接続されたアルミニウム配線２
０６と、ＧＮＤ配線２０６ａに接続されたアルミニウム
配線２０６は、コンタクトホール２０７を介してｎ型拡
散層２０２に接続されている。
【００１３】図２（ｂ）に示されるように、アルミニウ
ム配線２０６と接触するｎ型拡散層２０２は、ｐ型半導
体基板２０１の表面領域内に素子分離絶縁膜２０９によ
り分離されて形成されている。ここで、ｐ型半導体基板
２０１の不純物濃度は１０15／ｃｍ3 であり、ｎ型拡散
層２０２の不純物濃度は５×１０19／ｃｍ3 、接合深さ
は０．３μｍである。アルミニウム配線２０６のコンタ
クト部の直下には、コンタクトホール２０７を介しての
不純物導入によって形成された、不純物濃度１０20／ｃ
ｍ3 、深さ０．５μｍのコンタクトｎ型拡散層２０４が
設けられている。コンタクトｎ型拡散層２０４の外側に
は、不純物濃度１０16／ｃｍ3 、深さ２．５μｍのｎウ
ェル２０３が形成されている。ここで、ｎウェル２０３
の素子分離絶縁膜２０９までの距離ｄは１μｍになされ
ている。半導体基板表面全体は層間絶縁膜２０５によっ
て被覆されている。
ム配線２０６と接触するｎ型拡散層２０２は、ｐ型半導
体基板２０１の表面領域内に素子分離絶縁膜２０９によ
り分離されて形成されている。ここで、ｐ型半導体基板
２０１の不純物濃度は１０15／ｃｍ3 であり、ｎ型拡散
層２０２の不純物濃度は５×１０19／ｃｍ3 、接合深さ
は０．３μｍである。アルミニウム配線２０６のコンタ
クト部の直下には、コンタクトホール２０７を介しての
不純物導入によって形成された、不純物濃度１０20／ｃ
ｍ3 、深さ０．５μｍのコンタクトｎ型拡散層２０４が
設けられている。コンタクトｎ型拡散層２０４の外側に
は、不純物濃度１０16／ｃｍ3 、深さ２．５μｍのｎウ
ェル２０３が形成されている。ここで、ｎウェル２０３
の素子分離絶縁膜２０９までの距離ｄは１μｍになされ
ている。半導体基板表面全体は層間絶縁膜２０５によっ
て被覆されている。
【００１４】図２に示す静電破壊保護素子において、端
子２０８に過電圧が印加されると、その電位はアルミニ
ウム配線２０６を介してコンタクトｎ型拡散層２０４に
伝達される。このコンタクトｎ型拡散層２０４の不純物
濃度はｎ型拡散層２０２のそれより高いので、電流は基
板表面に限定されずにコンタクトｎ型拡散層およびｎウ
ェル２０３に拡がって流れる。そして、ｎ型拡散層２０
２のｎウェル２０３からのはみ出し部分がｄ＝１μｍと
短いため、ｎ型拡散層２０２から接合破壊により基板電
流が供給されることはなく、電流は対向しているもう一
つのｎ型拡散層２０２へ流れ込む。対向しているｎ型拡
散層２０２間が導通すると寄生ｎｐｎトランジスタが導
通したことになり、速やかに静電気が放電されるため、
内部回路は確実に保護される。本発明者の実験によれ
ば、ｎウェル２０３の素子分離絶縁膜２０９までの距離
（これは、ｎ型拡散層２０２のｎウェル２０３からのは
み出し長さでもある）ｄが２μｍ以下であれば、ｎ型拡
散層２０２のｐｎ接合破壊を招くことなしに寄生トラン
ジスタを動作させうることが分かった。
子２０８に過電圧が印加されると、その電位はアルミニ
ウム配線２０６を介してコンタクトｎ型拡散層２０４に
伝達される。このコンタクトｎ型拡散層２０４の不純物
濃度はｎ型拡散層２０２のそれより高いので、電流は基
板表面に限定されずにコンタクトｎ型拡散層およびｎウ
ェル２０３に拡がって流れる。そして、ｎ型拡散層２０
２のｎウェル２０３からのはみ出し部分がｄ＝１μｍと
短いため、ｎ型拡散層２０２から接合破壊により基板電
流が供給されることはなく、電流は対向しているもう一
つのｎ型拡散層２０２へ流れ込む。対向しているｎ型拡
散層２０２間が導通すると寄生ｎｐｎトランジスタが導
通したことになり、速やかに静電気が放電されるため、
内部回路は確実に保護される。本発明者の実験によれ
ば、ｎウェル２０３の素子分離絶縁膜２０９までの距離
（これは、ｎ型拡散層２０２のｎウェル２０３からのは
み出し長さでもある）ｄが２μｍ以下であれば、ｎ型拡
散層２０２のｐｎ接合破壊を招くことなしに寄生トラン
ジスタを動作させうることが分かった。
【００１５】以上好ましい実施例について説明したが、
本発明はこれら実施例に限定されるされるものではな
く、特許請求の範囲に記載された本願発明の要旨内にお
いて各種の変更が可能である。例えば、実施例では、ｎ
ウェルは平面的にｎ型拡散層の内部に形成されていた
が、必ずしもそのようにする必要はなくいくつかの辺に
おいてｎ型拡散層の外側にまで延在していてもよい。ま
た、実施例では、ｐ型半導体基板を用いてｎ型拡散層に
対してコンタクトをとる場合について説明したが、導電
型をすべて逆にした場合についても本発明を適用するこ
とができる。また、本発明の対象となる半導体装置は、
ＭＯＳ型あるいはバイポーラ型のいずれであってもよ
く、特定の型、用途のものに限定されるものではない。
本発明はこれら実施例に限定されるされるものではな
く、特許請求の範囲に記載された本願発明の要旨内にお
いて各種の変更が可能である。例えば、実施例では、ｎ
ウェルは平面的にｎ型拡散層の内部に形成されていた
が、必ずしもそのようにする必要はなくいくつかの辺に
おいてｎ型拡散層の外側にまで延在していてもよい。ま
た、実施例では、ｐ型半導体基板を用いてｎ型拡散層に
対してコンタクトをとる場合について説明したが、導電
型をすべて逆にした場合についても本発明を適用するこ
とができる。また、本発明の対象となる半導体装置は、
ＭＯＳ型あるいはバイポーラ型のいずれであってもよ
く、特定の型、用途のものに限定されるものではない。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置は、金属配線とコンタクトをとる拡散層の中のコンタ
クト部の直下にこの拡散層よりも不純物濃度が高くかつ
接合深さの深いコンタクト拡散層を設け、このコンタク
ト拡散層の外側に低濃度拡散層を設けたものであるの
で、本発明によれば、金属配線に静電パルスが印加され
たときに電流が基板表面の拡散層に集中するのを抑制し
この拡散層が接合破壊を起こすのを防止することができ
る。従って、このコンタクト−拡散層構造を用いて静電
破壊保護素子を形成した場合には、静電パルス印加時
に、基板表面拡散層から基板電流が流れるために静電破
壊保護素子が有効に動作しないという問題を解決でき
る。よって、本発明によれば、内部回路に対する保護機
能に優れかつ静電破壊耐量の高い半導体装置を提供する
ことができる。
置は、金属配線とコンタクトをとる拡散層の中のコンタ
クト部の直下にこの拡散層よりも不純物濃度が高くかつ
接合深さの深いコンタクト拡散層を設け、このコンタク
ト拡散層の外側に低濃度拡散層を設けたものであるの
で、本発明によれば、金属配線に静電パルスが印加され
たときに電流が基板表面の拡散層に集中するのを抑制し
この拡散層が接合破壊を起こすのを防止することができ
る。従って、このコンタクト−拡散層構造を用いて静電
破壊保護素子を形成した場合には、静電パルス印加時
に、基板表面拡散層から基板電流が流れるために静電破
壊保護素子が有効に動作しないという問題を解決でき
る。よって、本発明によれば、内部回路に対する保護機
能に優れかつ静電破壊耐量の高い半導体装置を提供する
ことができる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す平面図とそのＡ−
Ａ′線の断面図。
Ａ′線の断面図。
【図２】本発明の第２の実施例を示す平面図とそのＡ−
Ａ′線の断面図。
Ａ′線の断面図。
【図３】従来例の断面図。
１０１、２０１、３０１ ｐ型半導体基板 １０２、２０２、３０２ ｎ型拡散層 １０３、２０３、３０３ ｎウェル １０４、２０４ コンタクトｎ型拡散層 １０５、２０５、３０５ 層間絶縁膜 １０６、２０６、３０６ アルミニウム配線 ２０６ａ ＧＮＤ線 １０７、２０７ コンタクトホール １０８、２０８ 端子 ２０９ 素子分離絶縁膜
Claims (7)
- 【請求項１】 第１導電型の半導体基板と、前記半導体
基板の表面領域内に形成された第２導電型の第１の拡散
層と、前記第１の拡散層と接触する金属配線と、前記金
属配線のコンタクト部の直下に形成された、前記第１の
拡散層よりも不純物濃度が高くかつ前記第１の拡散層よ
りも接合深さの深い第２導電型の第２の拡散層と、前記
第２の拡散層の外側に該第２の拡散層を包むように形成
された、前記第１の拡散層よりも不純物濃度の低い第２
導電型の第３の拡散層と、を備えたことを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項２】 前記第１の拡散層の接合深さが０．５μ
ｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体装
置。 - 【請求項３】 前記第３の拡散層の不純物濃度が前記第
１の拡散層の不純物濃度よりも３乃至４桁低いことを特
徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記金属配線が外部端子に接続されてい
ることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項５】 第１導電型の半導体基板と、前記半導体
基板の表面に形成された厚い素子分離酸化膜と、前記素
子分離酸化膜を挟んで前記半導体基板の表面領域内に形
成された一対の第２導電型の第１の拡散層と、それぞれ
の前記第１の拡散層と接触する金属配線と、それぞれの
前記金属配線のコンタクト部の直下に形成された、前記
第１の拡散層よりも不純物濃度が高くかつ前記第１の拡
散層よりも接合深さの深い第２導電型の第２の拡散層
と、それぞれの前記第２の拡散層の外側に該第２の拡散
層を包むように形成された、前記第１の拡散層よりも不
純物濃度の低い第２導電型の第３の拡散層と、を備えた
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項６】 前記金属配線の一方は接地配線または電
源配線に接続され、前記金属配線の他方は外部端子に接
続されていることを特徴とする請求項５記載の半導体装
置。 - 【請求項７】 前記第１の拡散層は前記素子分離酸化膜
に接しており、かつ、前記第３の拡散層と前記素子分離
酸化膜との間の距離は２μｍ以下であることを特徴とす
る請求項５記載の半導体装置。
Priority Applications (3)
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|---|---|---|---|
| JP5319009A JP2611639B2 (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | 半導体装置 |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5319009A JP2611639B2 (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | 半導体装置 |
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Family
ID=18105487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5319009A Expired - Lifetime JP2611639B2 (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | 半導体装置 |
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-
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- 1994-11-25 KR KR1019940031150A patent/KR0171646B1/ko not_active IP Right Cessation
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