JP4126338B2 - サージ防護素子 - Google Patents
サージ防護素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4126338B2 JP4126338B2 JP2004038990A JP2004038990A JP4126338B2 JP 4126338 B2 JP4126338 B2 JP 4126338B2 JP 2004038990 A JP2004038990 A JP 2004038990A JP 2004038990 A JP2004038990 A JP 2004038990A JP 4126338 B2 JP4126338 B2 JP 4126338B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor region
- semiconductor
- surge protection
- main surface
- conductivity type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Thyristors (AREA)
Description
(1)前記オフ状態となる規定の電流値である保持電流ないしはホールドオーバー電流が減少するのを押さえる、
(2)前記オン状態となるまでのブレークオーバ時に過渡的に第1の主面に沿って第1半導体領域と第3半導体領域間に流れる逆導電形キャリア電流の一部を前記第3半導体領域から前記第5半導体領域へ分流して、前記第1半導体領域の端部(例えば図2ないし図3の103)付近の高電界部分で生じていた電流集中を回避することによって局所的な熱発生を避け、過渡電流容量の低下を防ぐ、
ことのいずれかまたはその両方にある。
(1)前記オフ状態となる規定の電流値である保持電流ないしはホールドオーバー電流が減少するのを押さえる、
(2)過渡電流容量の低下を防ぐ、
ことのいずれかまたはその両方にある。
前記第3半導体領域300を囲んで離間する位置に前記第12半導体領域1200が設けられている。該離間する距離は、前記第12半導体領域1200の前記半導体基板10との接合の雪崩降服電圧より小さい、ある接合電圧下で第3半導体領域300と第12半導体領域1200との間が空間電荷領域で橋渡しされる距離をとる。
前記第3半導体領域300を囲んで前記第12半導体領域1200が、前記第3半導体領域と前記半導体基板10との接合の雪崩降服電圧以下の電圧下で、空間電荷領域で橋渡しされる距離に離間して前記第1の主面に設けられている。
前記第9半導体領域900を囲んで前記第13半導体領域1300が、前記第9半導体領域と前記半導体基板10との接合の雪崩降服電圧以下の電圧下で、空間電荷領域で橋渡しされる距離に離間して前記第1の主面に設けられている。
2 :半導体基板の第2の主面
10 :半導体基板
11 :従来素子の半導体基板
21 :従来素子の表面のベース領域
22 :従来素子の裏面のベース領域
31 :従来素子の表面のエミッタ領域
32 :従来素子の裏面のエミッタ領域
41 :従来素子の第1の導電電極
42 :従来素子の第2の導電電極
61 :外部接続端子
62 :外部接続端子
100 :逆導電形の第1の半導体領域
103 :第1半導体領域の第3半導体領域に対向する端部
112 :第1導電電極
121 :103上部で第1半導体領域に接触しない配置の第1導電電極
134 :第2導電電極
156 :第3導電膜
178 :第4導電膜
191 :第5導電電極
200 :第1導電形の第2半導体領域
300 :逆導電形の第3半導体領域
400 :第1導電形の第4半導体領域
500 :逆導電形の第5半導体領域
600 :第1導電形の高不純物濃度第6半導体領域
700 :第2の主面に設けられた逆導電形の第7半導体領域
800 :第2の主面に設けられた第1導電形の第8半導体領域
900 :逆導電形の第9半導体領域
1000:第1導電形の第10半導体領域
1100:逆導電形の第11半導体領域
1200:逆導電形の第12半導体領域
1300:逆導電形の第13半導体領域
1210:第2半導体領域と半導体基板に挟まれた第1半導体領域の空間電荷領域部分
Claims (27)
- 第1の主面と該第1の主面と対向する第2の主面とを有する第1導電形の半導体基板と、
該第1の主面に設けられた第1導電形とは逆導電形の第1半導体領域と、
第1半導体領域の表面に設けられた第1導電形の第2半導体領域と、
前記第1半導体領域と離間して前記第1の主面に設けられた逆導電形の第3半導体領域と、
該第1の主面の前記第1半導体領域と前記第3半導体領域の間に設けられた逆導電形の第5半導体領域と、
該第5半導体領域を該半導体基板と電気的に接続する電気接続手段と、
前記第1及び第2半導体領域と接する第1導電電極と、前記第3半導体領域と接する第2導電電極と、
から少なくとも構成され、該第1導電電極と該第2導電電極間の電圧が規定の電圧以上になると、該第1半導体領域と該半導体基板との間に形成された第1空間電荷領域から第1導電形のキャリアを該半導体基板に供給することにより該第1導電電極と第2導電電極間が導通を開始し、更にオン状態となり、その後前記第1導電電極と第2導電電極との間に流れる電流が規定の電流値以下となるとオフ状態となることを特徴とするサージ防護素子。 - 前記第3の半導体領域の表面に第1導電形の第4半導体領域を設け、前記第2導電電極は前記第3半導体領域と、該第4半導体領域とに接触したことを特徴とする請求項1記載のサージ防護素子。
- 前記第1の主面に、前記第1、第3、第5半導体領域と離間して逆導電形の第9半導体領域を設け、該第9半導体領域表面に第1導電形の第10半導体領域を設け、該第9、第10半導体領域に接する第5導電電極を設け、前記第5半導体領域は、該第9半導体領域と前記第1半導体領域間および該第9半導体領域と第3半導体領域間にも配置されたことを特徴とする請求項1ないし2記載のサージ防護素子。
- 前記第1導電形のキャリアは前記第1半導体領域と前記半導体基板との間の第1空間電荷領域で発生した雪崩降服により供給されることを特徴とする請求項1記載のサージ防護素子。
- 前記第1導電形のキャリアは、前記第2半導体領域と該半導体基板とで挟まれた該第1半導体領域部分に形成された第2空間電荷領域を通して、第2半導体領域から該第1の空間電荷領域へ供給されることを特徴とする請求項1記載のサージ防護素子。
- 前記第5半導体領域上に第3導電膜をもうけて該第3導電膜を前記半導体基板へ接触して前記電気接続手段としたことを特徴とする請求項1、2ないし3記載のサージ防護素子。
- 前記第1の主面に第1導電形で前記半導体基板より高不純物濃度を有する第6半導体領域を第5半導体領域と接触する位置に設けて、前記第5半導体領域と前記半導体基板への前記電気接続手段としたことを特徴とする請求項1、2ないし3記載のサージ防護素子。
- 前記第5半導体領域と前記半導体基板との前記電気接続手段は前記第3導電膜を前記半導体基板より高不純物濃度を有する第6半導体領域へ延在接触させて行ったことを特徴とする請求項6記載のサージ防護素子。
- 前記第1の主面に第1導電形で前記半導体基板より高不純物濃度を有する第6半導体領域を前記第5半導体領域と第1半導体領域間および前記第5半導体領域と前記第3半導体領域間にそれぞれ設けたことを特徴とする請求項1ないし2記載のサージ防護素子。
- 前記第1の主面に第1導電形で前記半導体基板より高不純物濃度を有する第6半導体領域を前記第5半導体領域と第1半導体領域間および前記第5半導体領域と前記第3半導体領域間および前記第5半導体領域と前記第9半導体領域間にそれぞれ設けたことを特徴とする請求項3記載のサージ防護素子。
- 前記第9半導体領域と前記第5半導体領域間、前記第1および第3半導体領域と前記第5半導体領域間に設けられた前記第6半導体領域と、前記第5半導体領域とに接して第3の導電膜を設けた、
ことを特徴とする請求項10記載のサージ防護素子。 - 前記第2の主面に逆導電形で前記半導体基板より高不純物濃度の第7半導体領域を設けたことを特徴とする請求項1、2ないし3記載のサージ防護素子。
- 前記第2の主面に第1導電形で前記半導体基板より不純物濃度の高い第8半導体領域を設けたことを特徴とする請求項1、2ないし3記載のサージ防護素子。
- 前記第2の主面側に前記第7半導体領域に接して第4導電膜を設けたことを特徴とする請求項12記載のサージ防護素子。
- 前記第4導電膜は前記半導体基板の第2の主面にも接していることを特徴とする請求項14記載のサージ防護素子。
- 前記第2の主面側に前記第8半導体領域に接して第4導電膜を設けたことを特徴とする請求項13記載のサージ防護素子。
- 前記半導体基板の第2の主面には前記第7半導体領域、第8半導体領域が並置されており、前記第4導電膜は前記第7および第8半導体領域に接していることを特徴とする請求項14ないし16記載のサージ防護素子。
- 前記半導体基板の第2の主面に逆導電形の第7半導体領域、第1導電形の第8半導体領域を並置して設け、前記第4導電膜は前記第7および第8半導体領域に接して設け、該第7半導体領域および該第8半導体領域は、前記第1半導体領域下から前記第3半導体領域下に延在していることを特徴とする請求項3記載のサージ防護素子。
- 前記半導体基板の第2の主面に逆導電形の第7半導体領域、第1導電形の第8半導体領域を並置して設け、前記第4導電膜は該第7および該第8半導体領域に接して設け、該第7半導体領域および該第8半導体領域は、少なくとも前記第1半導体領域と前記第9半導体領域の離間対向している部分下の第2の主面では、前記第1半導体領域と前記第9半導体領域を結ぶ方向に、および少なくとも前記第3半導体領域と前記第9半導体領域の離間対向している部分下の第2の主面では、前記第3半導体領域と前記第9半導体領域を結ぶ方向と交叉する方向に、延在していることを特徴とする請求項3記載のサージ防護素子。
- 前記半導体基板の第2の主面に逆導電形の第7半導体領域、第1導電形の第8半導体領域を並置して設け、前記第4導電膜は該第7および該第8半導体領域に接して設け、該第7半導体領域は、少なくとも前記第1半導体領域と前記第3半導体領域の離間対向している部分下の第2の主面では、前記第1半導体領域と前記第3半導体領域を結ぶ方向と交叉する方向に延在していることを特徴とする請求項2記載のサージ防護素子。
- 前記第6半導体領域は更に前記第1半導体領域を平面的に囲むがごとく配置されていることを特徴とする請求項9記載のサージ防護素子。
- 前記第6半導体領域は更に前記第3半導体領域を平面的に囲むがごとく配置されていることを特徴とする請求項9記載のサージ防護素子。
- 前記第6半導体領域は更に前記第9半導体領域を平面的に囲むがごとく配置されていることを特徴とする請求項10ないし11記載のサージ防護素子。
- 前記第1の主面に前記第1半導体領域と離間して平面的に囲むごとく配置され、かつ前記規定の電圧で前記第1の半導体領域との間が少なくとも一部空間電荷領域で橋渡しされる距離に逆導電形の第11半導体領域を形成したことを特徴とする請求項1、2ないし3記載のサージ防護素子。
- 前記第1の主面に第3半導体領域と離間して平面的に囲むごとく配置され、かつ前記規定の電圧で第3の半導体領域との間が少なくとも一部空間電荷領域で橋渡しされる距離に逆導電形の第12半導体領域を形成したことを特徴とする請求項1、2ないし3記載のサージ防護素子。
- 前記第1の主面に第9半導体領域と離間して平面的に囲むごとく配置され、かつ前記規定の電圧で第9半導体領域との間が少なくとも一部空間電荷領域で橋渡しされる距離に逆導電形の第13半導体領域を形成したことを特徴とする請求項3記載のサージ防護素子。
- 前記第4導電膜に放熱板が接着されていることを特徴とする請求項14、15、16ないし17記載のサージ防護素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004038990A JP4126338B2 (ja) | 2004-01-16 | 2004-01-16 | サージ防護素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004038990A JP4126338B2 (ja) | 2004-01-16 | 2004-01-16 | サージ防護素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005203718A JP2005203718A (ja) | 2005-07-28 |
JP4126338B2 true JP4126338B2 (ja) | 2008-07-30 |
Family
ID=34836334
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004038990A Expired - Fee Related JP4126338B2 (ja) | 2004-01-16 | 2004-01-16 | サージ防護素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4126338B2 (ja) |
-
2004
- 2004-01-16 JP JP2004038990A patent/JP4126338B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005203718A (ja) | 2005-07-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4893609B2 (ja) | 半導体装置とその半導体装置を備えている給電装置の駆動方法 | |
CN107871735B (zh) | 半导体静电保护电路器件 | |
JP2007227806A (ja) | 半導体装置 | |
JP4947230B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2008172201A (ja) | 静電気保護用半導体装置 | |
JP2011228505A (ja) | 半導体集積回路 | |
JP7231427B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6838504B2 (ja) | 半導体装置および半導体回路装置 | |
JP4126338B2 (ja) | サージ防護素子 | |
KR101999312B1 (ko) | 반도체 장치 | |
KR102082109B1 (ko) | 반도체 장치 | |
JP2791067B2 (ja) | モノリシック過電圧保護集合体 | |
CN101599491B (zh) | Esd保护电路和半导体器件 | |
US9354391B2 (en) | Overvoltage protection component and an assembly of integrated circuit chips having said overvoltage protection component | |
KR102082644B1 (ko) | 반도체 장치 | |
JP3539368B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4298179B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPWO2013018589A1 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
KR20000029274A (ko) | 집적 회로 칩을 위한 강한 결합 패드 구조 | |
JP2006005028A (ja) | 半導体保護装置 | |
JP7072719B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5864216B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2009146977A (ja) | 半導体装置 | |
JP2017139291A (ja) | 半導体装置 | |
JP5458720B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060425 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080226 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080314 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110523 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4126338 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120523 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120523 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130523 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130523 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |