JP4286374B2 - シリコーン樹脂及びこれを含有する感光性樹脂組成物 - Google Patents
シリコーン樹脂及びこれを含有する感光性樹脂組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4286374B2 JP4286374B2 JP8944199A JP8944199A JP4286374B2 JP 4286374 B2 JP4286374 B2 JP 4286374B2 JP 8944199 A JP8944199 A JP 8944199A JP 8944199 A JP8944199 A JP 8944199A JP 4286374 B2 JP4286374 B2 JP 4286374B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- acid
- polyorganosilsesquioxane
- silicone resin
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L83/14—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/045—Polysiloxanes containing less than 25 silicon atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/14—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/38—Polysiloxanes modified by chemical after-treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L83/04—Polysiloxanes
- C08L83/06—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、レジスト材等として有用なシリコーン樹脂及びこれを含有する感光性樹脂組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】
微細加工を必要とする半導体デバイスを初めとする各種電子デバイス分野では、デバイスの高密度、高集積化の要求が高まっており、この要求を満たすにはパターンの微細化が必須となってきている。また、プラズマディスプレイパネル(PDP)では、表示放電空間を大きくして高輝度の発光を可能とするため、幅に対して厚みが大きい高アスペクト比の障壁が要求される。
【0003】
パターンの微細化のための方法として、フォトレジストのパターン形成の際に使用する光の波長を短くする方法がある。しかし、光の短波長化は、焦点深度(DOF)を減少させ、感度やアスペクト比が低下するという問題を生じさせる。このような問題を解決するため、多層レジスト法が提案されている。この方法は、酸素プラズマにより容易にドライエッチングされるノボラック樹脂やポリイミド樹脂のような材料を基板上にスピンコートして平坦化し、この上で耐酸素ドライエッチング性を有するレジストによりパターン形成を行ない、その後酸素プラズマによる異方性エッチングにより下層にパターンを転写する方法である。この方法では、アスペクト比の高いパターンを得ることができるので、耐酸素プラズマエッチング性を有するレジスト材の検討が盛んになされている。
【0004】
シリコーン樹脂を利用したレジスト材は、耐酸素プラズマエッチング性に優れることが知られており、例えば特開平7−56354号公報や特開平8−193167号公報では、ラダー型のポリシロキサンエステルやエポキシ基を含むアルキル置換基を有するポリシロキサンと露光により酸を発生する感光性化合物の両者よりなる組成物が提案されている。また、特開平6−27671号や特開平6−95385号公報では、ポリシロキサンにジアゾナフトキンスルホニルオキシ基やアジド基が結合した感光性のシリコーン樹脂含有レジスト材組成物が提案されている。
【0005】
また、プラズマディスプレイパネル(PDP)の障壁(リブ)に関しては、アスペクト比を高めるために、感光性樹脂に無機粉体を配合したペーストを使用してリブを構成する方法が特開平10−62981号公報に記載されている。そして、これに使用されている感光性樹脂はアクリレート等である。
【0006】
ところで、ポリオルガノシルセスキオキサンは、ポリシロキサンと略称されることがあるが、これには、篭型、ラダー型及びランダム型があることが知られており、これらの構造、製法については、WO98/41566号公報、特開昭50−139900号公報、特開平6−329687号公報、特開平6−248082号公報等に詳しく記載されている。このようなポリオルガノシルセスキオキサンの末端に官能基を導入する方法についても、上記WO98/41566号公報等に詳しく記載されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、多層レジスト法用のレジスト材やPDP障壁形成用レジスト材として優れた性能を示すシリコーン感光性樹脂を提供することを目的とする。特に、耐プラズマ性(耐O2−RIE)性に優れると共に、これを用いてパターンを形成したとき、高いアスペクト比を得ることができるレジスト材を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ポリオルガノシルセスキオキサンの分子鎖末端の全部又は一部に、下記一般式(1)で表わされるトリオルガノシリル基が結合していることを特徴とするシリコーン樹脂である。
【化3】
(但し、式中Rは2価の有機基を示し、R'は2価の基又は直結合を示す)
【0009】
また、本発明は、ポリオルガノシルセスキオキサンが下記一般式(2)で表わされる繰り返し単位からなり、且つ、平均の繰り返し数が2〜5000である前記のシリコーン樹脂である。
【化4】
(但し、式中R2は置換基を有してもよいフェニル基を示す)
【0010】
また、本発明は、ポリオルガノシルセスキオキサンが、ラダー型、篭形及び篭形とラダー型の混在型から選ばれる1種又は2種以上の混合物であり、GPCにより測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量Mwが800〜100,000である前記のシリコーン樹脂である。
【0011】
更に、本発明は前記のシリコーン樹脂に、露光により酸を発生する酸発生剤を配合したことを特徴とする感光性樹脂組成物である。
【0012】
本発明のシリコーン感光性樹脂は、ポリオルガノシルセスキオキサンの分子鎖末端の全部又は一部に、前記一般式(1)で示されるトリオルガノシリル基が結合している構造を有する。主鎖のポリオルガノシルセスキオキサンは、(R2Si2O3)nなる一般式で表わすことができ、ここで、nは重合度を示し、2以上である。好ましいポリオルガノシルセスキオキサンは、前記一般式(2)で表わされる繰り返し単位を有し、その平均の繰り返し数が2〜5000、より好ましくは5〜500であるものである。また、R2は1価の有機基を示し、アリール基、アルキル基等の炭化水素基やアルコキシ基等であることができるが、好ましくは炭素数1〜6のアルキル基又はアルキル置換フェニル基であり、より好ましくはフェニル基である。
【0013】
一般式(1)で表わされるトリオルガノシリル基において、Rは2価の有機基であり、上記一般式(1)で示されるようにRはカルボン酸の残基を含むものということができる。R'は2価の基又は直結合を示すが、2価の基の場合、他方はポリオルガノシルセスキオキサンの末端のSi−O−と結合している。
【0014】
2価の基Rを与えるカルボン酸としては、安息香酸、酢酸等のモノカルボン酸や多価カルボン酸があるが、多価カルボン酸が好ましい。多価カルボン酸としては、ピロメリット酸、トリメリット酸、フタル酸、ビフェニルジカルボン酸、ビフェニルテトラカルボン酸、ビフェニルヘキサカルボン酸、ベンゾフェノンジカルボン酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸、ジフェニルエーテルジカルボン酸、ジフェニルエーテルテトラカルボン酸、ジフェニルスルホンジカルボン酸、ジフェニルスルホンテトラカルボン酸、ジフェニルスルフィドジカルボン酸、ジフェニルスルフィドテトラカルボン酸、ベンズアニリドジカルボン酸、ベンズアニリドトリカルボン酸、ベンズアニリドテトラカルボン酸、ベンズアニリドペンタカルボン酸、シクロヘキサンジカルボン酸、シクロヘキセンジカルボン酸、こはく酸、アジピン酸、マレイン酸、フマル酸等が挙げられる。
【0015】
多価カルボン酸の場合、t−ブチル基と結合しない他のカルボン酸基は、カルボン酸基として存在してもよく、また、エステル、塩等を形成していてもよい。特に、カルボン酸基の一つは、t−Bu−OOC−R'−COO−X−Si(Me)2−のようにエステル結合となって、2価の基を介し又は介さずして、Siと結合していることが好ましい。ここで、一般式(1)のRは、R’−COO−Xに対応し、Xはアルキレン、アリーレン等の2価の基又は直結合である。
【0016】
多価カルボン酸が3価カルボン酸以上の場合、少なくとも1つのカルボン酸基が残るが、これはカルボン酸基のままであっても、エステルや塩のような中性の形となっていてもよい。そして、エステル等の中性の形で存在すれば、アルカリ溶解性が乏しいものとなる。光照射により酸発生剤から生成した酸によりt−ブチル基との結合が外れてカルボン酸基が生成し、アルカリ溶解性が高まるという現象を利用してパターンニングを行う場合、露光部分と未露光部分とのアルカリ溶解性の差が大きいことが望ましいため、遊離のカルボン酸基はエステルの形としておくことが好ましく、そのエステルの形としてはt−ブチルアルコール又はその誘導体を反応させて得られるt−ブチルエステルの形が好ましい形の一つである。
【0017】
Rは、カルボン酸残基を含むだけでなく、前記のようにポリオルガノシルセスキオキサンの末端を変性する末端変性剤の残基の一部を含み得る。好適な末端変性剤は、X−Si(CH3)2−Yで表わすことができ、Yは主鎖であるポリオルガノシルセスキオキサンと結合しうる官能基であり、Xはカルボン酸基のような基と結合しうる官能基である。例えば、X−Si(CH3)2−O−Si(CH3)2−Y(但し、式中Xは主鎖ポリオルガノシルセスキオキサンの末端OH基又は末端に生じるOM基(Mはアルカリ金属)と反応可能なエポキシ基等の官能基である)で表わされる末端変性剤と、ポリオルガノシルセスキオキサンと反応させると、片側のYを介して両者は結合し、末端がXのポリオルガノシルセスキオキサンが得られる。これに前記多価カルボン酸又はその誘導体を反応させると、Xがエポキシ基の場合は、−CH2−CH(OH)−を含むRが生成する。そして、Xを種々変化させればエステル基、アミド基等の各種の基が生成する。もちろん、上記式においてXとYとは同一であっても、なくてもよく、ポリオルガノシルセスキオキサンの末端(反応中に生じる末端基を含む)と反応性である基とRの他端側のカルボン酸基等の基又はその誘導体と反応性である基であればよい。なお、上記から明らかなように主鎖ポリオルガノシルセスキオキサンと一般式(1)で表わされるトリオルガノシリル基は、シロキサン結合で結合している必要はなく、任意の基を介して結合していることができる。
【0018】
本発明のシリコーン感光性樹脂は、公知の反応を利用して製造することが可能である。例えば、末端の変性は、ポリオルガノシルセスキオキサンが末端シラノール基を有する場合は、X−Si(CH3)2−Clのようなモノハライドとを反応させて末端を変性する方法がある。好ましい末端変性法の1例としては、シラノール基を有しない篭型及び/又はラダー型のオクタフェニルセスキオキサンのようなポリオルガノシルセスキオキサンと、前記X−Si(CH3)2−O−Si(CH3)2−Xで表わされるような末端変性剤とを、アルカリ金属触媒の存在下で反応させると、末端にXのような官能基を有するポリオルガノシルセスキオキサンが得られる。
【0019】
末端変性剤で変性されたポリオルガノシルセスキオキサンから、本発明のシリコーン樹脂を製造する方法の好ましい1例としては、前記末端変性ポリオルガノシルセスキオキサンと、t−ブチルアルコールと多価カルボン酸又はその酸無水物等の誘導体を反応させて得られた酸性エステルとを、第4級アンモニウム塩触媒の存在下で反応させる方法がある。
【0020】
本発明のシリコーン樹脂は、GPCにより測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量が800〜100000、好ましくは5000〜50000であることがよい。このシリコーン樹脂は常温固体であり、エステル類、エーテル類等多くの有機溶媒に可溶である。
【0021】
本発明のシリコーン樹脂は、ポジ型レジスト材等に好適に使用できる。このような用途に使用する場合、酸発生剤を配合する他、その感度を高めたり、耐熱性、耐プラズマ性等を高めるため、各種添加剤を配合することができる。
【0022】
本発明の感光性樹脂組成物において、必須の添加剤として露光により酸を発生する酸発生剤がある。この例としては、トリフェニルスルホニウムトリフルオロスルホナート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンアンチモナート、トリフェニルスルホニウムベンゾスルホナート、シクロヘキシルメチル(2−オキソシクロヘキシル)スルホニウムトリフルオロメタンスルホナート等のスルホニウム塩化合物、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート等のヨードニウム塩、N−ヒドロキシスクシンイミドトリフルオロメタンスルホナート等が挙げられるが、これらに限定されない。なお、酸発生剤の化学式や作用については、前記特開平8−193167号公報やCMC社発行の「実用高分子レジスト材料の新展開」p57などに詳しい。酸発生剤の配合量は、全固形分中の0.2〜25重量%の範囲が一般的である。
【0023】
粘度を調整するため有機溶剤を用いることがよく、好ましい溶剤としてはメチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸メチル、酢酸エトキシエチル、ピルビン酸メチル、メトキシプロピオン酸メチル、N−メチル−ピロリジノン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、ジオキサン、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル等が挙げられるが、これらに限定されない。
【0024】
本発明のシリコーン感光性樹脂組成物は、必須成分として前記シリコーン感光性樹脂と酸発生剤を含み、且つ溶剤を含むことが多いが、この他に必要に応じて界面活性剤、色素、安定剤、塗布改良剤、無機粉等を配合することもできる。
【0025】
【発明の実施の形態】
本発明のシリコーン感光性樹脂及びこれを含む樹脂組成物は、レジスト材、PDPの障壁材等として使用可能である。レジスト材として使用する形態には制限はないが、多層レジスト法に用いられるレジスト材として好適である。
【0026】
多層レジスト法は、基板上にノボラック樹脂等の酸素プラズマにより容易にドライエッチングされる材料をスピンコートし、この上に本発明の材料を塗布し、これをエキシマレーザ等で露光して、酸発生剤から酸を生じせしめてシリコーン樹脂を解離させ、アルカリ水溶液で現像して、パターンニングし、次いで酸素プラズマ処理により下層レジストをエッチングしてアスペクト比の高いパターンを得る方法である。
【0027】
また、PDPの障壁材の製造方法としては、サンドブラスト法、埋めこみ法、フォトペースト法等が知られているが、いずれも感光性を付与したレジスト材を使用するものであり、本発明の材料はこのレジスト材として使用することができる。特に、このレジストが除去されることなく残るフォトペースト法等の方法に適用される場合、本発明の材料が有する耐プラズマ性が優れるという効果を十分に生かすことができる。
【0028】
【実施例】
実施例1
グリシジル基含有フェニルシルセスキオキサンは、PCT/JP98/01098及び特開平10-251407号公報記載の参考例1と実施例3を参考にして合成した。
【0029】
合成例1 篭型オクタフェニルシルセスキオキサンの合成
105gのフェニルトリクロロシラン(0.5モル)をトルエン500ccに溶解し、水で加水分解が完了するまで振とうする。加水分解生成物を水洗後、市販の30%ベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシドのメタノール溶液を16.6cc(0.03モル)を加え、この混合物4時間還流温度に加熱した。次いで、全体を冷却し、約96時間放置した。この時間経過後、得られたスラリーを再び24時間還流温度にて加熱し、次いで冷却し、濾過した。かくして篭型オクタフェニルシルセスキオキサン(C6H5SiO3/2)8約75gを得た。赤外吸収スペクトル分析を測定したところ、Si-C6H5に帰属される吸収が1595cm-1及び1430cm-1に、Si-O-Siの逆対称伸縮振動に帰属される吸収が1135cm-1に観測され、Si-OHに帰属される吸収は3400cm-1に観測されなかった。29Si-MASNMRを測定したところ、−77ppmに篭型オクタフェニルシルセスキオキサン中のSi核のシャープなシグナルが1本のみ観測された。また、o-ジクロロベンゼンを展開液としたGPCによるポリスチレン換算数平均分子量Mnは760であった。
【0030】
合成例2 グリシジル基含有フェニルシルセスキオキサンオリゴマーの合成
反応容器中に篭型オクタフェニルシルセスキオキサン100gと1,3-ビス(3-グリシドキシプロピル)-1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン70.3gとトルエン400gとテトラメチルアンモニウムヒドロキシド5水和物4gを仕込み、この混合物を還流温度にて強撹拌し7時間加熱した。仕込み時の反応液は篭型オクタフェニルシルセスキオキサンの白色粉末がトルエンに溶解しないため白色の懸濁液を呈しているが、反応が進むにつれて徐々に溶解していき7時間後には殆どすべて溶解し無色透明溶液となった。この溶液を室温まで冷却し沈降している不溶な未反応のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを濾過により除去した後、この溶液を過剰のメタノール2000g中に注ぎ込み、末端にグリシドキシ基を有したフェニルシルセスキオキサンを再沈せしめた。この粘ちょうな沈殿生成物をさらにメタノールにて洗浄し、メタノールと残存トルエンを留去して薄黄色透明な粘ちょう物であるグリシジル基含有フェニルシルセスキオキサンオリゴマー120gを得た。このエポキシ当量を塩酸-ピリジン法により測定したところ945eq./gであった。GPC測定によるポリスチレン換算数平均分子量Mnは20000であった。
【0031】
合成例3 t-ブトキシエステル基含有カルボン酸化合物の合成
1リットル三つ口フラスコに無水マレイン酸62gとナトリウムt-ブチルアルコール74g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート400gを仕込み、触媒としてナトリウムメトキシド0.44gを添加後、150℃で2時間加熱還流させる。室温まで放冷した後、濃塩酸を0.85g添加させる。得られる茶かっ色の反応溶液をナス型フラスコにいれ、エバポレーターにて溶剤であるプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを留去する。その後、ジクロロメタン600gに溶解させ、500gの蒸留水にて3回水洗した。ジクロロメタンを蒸発除去して茶褐色の粘ちょうな液体であるt-ブチルエステル基を有したカルボン酸を収率90%で得た。
【0032】
合成例4 t-ブチルエステル基を有したフェニルシルセスキオキサンの合成
合成例2で合成したグリシジル基含有フェニルシルセスキオキサン100gと合成例3で合成したt-ブチルエステル基含有カルボン酸化合物14g及び反応溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート100g、触媒としてテトラエチルアンモニウムブロミド0.2gを三つ口フラスコに仕込み、90℃にて2時間加熱撹拌し、茶褐色の粘ちょうな液体でt-ブチルエステル基を有したフェニルシルセスキオキサンを収率80%で合成した。
【0033】
実施例2
(1)本樹脂を用いたパターニング実験
t-ブチルエステル基を有したフェニルシルセスキオキサンのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液100gに、光酸発生剤であるトリフェニルスルホニウムトリフレート(Ph3S+OTf-)1gを溶解した感光性樹脂溶液を用いてガラス基板にスピンコートした後70℃で15分間乾燥することでに厚さ0.3μmの膜を形成させた。これにマスクを介して紫外線(248nm)を照射し、3%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて現像することで明瞭なパターニング(ラインアンドスペース0.3μm)を得ることができ、本樹脂がポジ型の現像性を有することを確認した。
【0034】
(2)本樹脂を用いた2層レジストパターニング実験
シリコンウエハー上に厚さ1μのクレゾールノボラック系の下層レジスト膜と実施例1で合成した厚さ0.1μのt-ブチルエステル基を有したフェニルシルセスキオキサンの上層ポジ型レジスト膜をスピンコートにより形成させ、遠紫外 (193nm)エキシマレーザーにて露光した後、2%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて現像することで上層部に明瞭なパターニング(ラインアンドスペース0.1μ)の形成が可能であった。その後、O2-RIE処理により下層レジストをエッチングし、次いでCF4-RIE処理により上層レジストを除去することでシリコンウエハー上に幅0.1μmでアスペクト比10のクレゾールノボラック系の明瞭なパターニングが形成できた。
【0035】
【発明の効果】
本発明のシリコーン樹脂及びこれを含む組成物は耐プラズマ性に優れたレジストを与えるため電子デバイスの精密パターニングを可能とする。また、PDPの障壁材としても優れる。
Claims (4)
- ポリオルガノシルセスキオキサンが、ラダー型、篭形及び篭形とラダー型の混在型から選ばれる1種又は2種以上の混合物であり、GPCにより測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量Mwが800〜100,000である請求項1又は2記載のシリコーン樹脂。
- 請求項1〜3のいずれか一つに記載のシリコーン樹脂に、露光により酸を発生する酸発生剤を配合したことを特徴とする感光性樹脂組成物。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8944199A JP4286374B2 (ja) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | シリコーン樹脂及びこれを含有する感光性樹脂組成物 |
PCT/JP2000/001955 WO2000059987A1 (fr) | 1999-03-30 | 2000-03-29 | Resine de silicone et composition de resine photosensible contenant cette resine de silicone |
US09/937,598 US6767983B1 (en) | 1999-03-30 | 2000-03-29 | Silicone resin and photosensitive resin composition containing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8944199A JP4286374B2 (ja) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | シリコーン樹脂及びこれを含有する感光性樹脂組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000281790A JP2000281790A (ja) | 2000-10-10 |
JP4286374B2 true JP4286374B2 (ja) | 2009-06-24 |
Family
ID=13970778
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8944199A Expired - Fee Related JP4286374B2 (ja) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | シリコーン樹脂及びこれを含有する感光性樹脂組成物 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6767983B1 (ja) |
JP (1) | JP4286374B2 (ja) |
WO (1) | WO2000059987A1 (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3410707B2 (ja) | 2000-04-19 | 2003-05-26 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成材料及びパターン形成方法 |
US6921615B2 (en) | 2000-07-16 | 2005-07-26 | Board Of Regents, The University Of Texas System | High-resolution overlay alignment methods for imprint lithography |
WO2002006902A2 (en) | 2000-07-17 | 2002-01-24 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Method and system of automatic fluid dispensing for imprint lithography processes |
US8016277B2 (en) | 2000-08-21 | 2011-09-13 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Flexure based macro motion translation stage |
US8349241B2 (en) | 2002-10-04 | 2013-01-08 | Molecular Imprints, Inc. | Method to arrange features on a substrate to replicate features having minimal dimensional variability |
US7041748B2 (en) | 2003-01-08 | 2006-05-09 | International Business Machines Corporation | Patternable low dielectric constant materials and their use in ULSI interconnection |
US7186656B2 (en) * | 2004-05-21 | 2007-03-06 | Molecular Imprints, Inc. | Method of forming a recessed structure employing a reverse tone process |
US7323417B2 (en) * | 2004-09-21 | 2008-01-29 | Molecular Imprints, Inc. | Method of forming a recessed structure employing a reverse tone process |
US8211214B2 (en) | 2003-10-02 | 2012-07-03 | Molecular Imprints, Inc. | Single phase fluid imprint lithography method |
US8076386B2 (en) | 2004-02-23 | 2011-12-13 | Molecular Imprints, Inc. | Materials for imprint lithography |
US7906180B2 (en) | 2004-02-27 | 2011-03-15 | Molecular Imprints, Inc. | Composition for an etching mask comprising a silicon-containing material |
US7252777B2 (en) * | 2004-09-21 | 2007-08-07 | Molecular Imprints, Inc. | Method of forming an in-situ recessed structure |
US7205244B2 (en) | 2004-09-21 | 2007-04-17 | Molecular Imprints | Patterning substrates employing multi-film layers defining etch-differential interfaces |
US7241395B2 (en) * | 2004-09-21 | 2007-07-10 | Molecular Imprints, Inc. | Reverse tone patterning on surfaces having planarity perturbations |
US7041604B2 (en) * | 2004-09-21 | 2006-05-09 | Molecular Imprints, Inc. | Method of patterning surfaces while providing greater control of recess anisotropy |
US7357876B2 (en) * | 2004-12-01 | 2008-04-15 | Molecular Imprints, Inc. | Eliminating printability of sub-resolution defects in imprint lithography |
WO2007011587A2 (en) | 2005-07-14 | 2007-01-25 | I-Stat Corporation | Photoformed silicone sensor membrane |
US7256131B2 (en) * | 2005-07-19 | 2007-08-14 | Molecular Imprints, Inc. | Method of controlling the critical dimension of structures formed on a substrate |
US20070077763A1 (en) * | 2005-09-30 | 2007-04-05 | Molecular Imprints, Inc. | Deposition technique to planarize a multi-layer structure |
US8809458B2 (en) * | 2006-12-01 | 2014-08-19 | Kaneka Corporation | Polysiloxane composition |
CN102089870B (zh) * | 2008-03-18 | 2013-08-28 | 东丽株式会社 | 栅极绝缘材料、栅极绝缘膜及有机场效应型晶体管 |
US8999625B2 (en) * | 2013-02-14 | 2015-04-07 | International Business Machines Corporation | Silicon-containing antireflective coatings including non-polymeric silsesquioxanes |
CN108885400A (zh) * | 2016-03-31 | 2018-11-23 | 太阳油墨制造株式会社 | 固化性树脂组合物、干膜、固化物和印刷电路板 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5385804A (en) | 1992-08-20 | 1995-01-31 | International Business Machines Corporation | Silicon containing negative resist for DUV, I-line or E-beam lithography comprising an aromatic azide side group in the polysilsesquioxane polymer |
TW397936B (en) * | 1994-12-09 | 2000-07-11 | Shinetsu Chemical Co | Positive resist comosition based on a silicone polymer containing a photo acid generator |
JP4118973B2 (ja) | 1997-03-14 | 2008-07-16 | 新日鐵化学株式会社 | シリコーン化合物及びその製造方法 |
TW546542B (en) * | 1997-08-06 | 2003-08-11 | Shinetsu Chemical Co | High molecular weight silicone compounds, resist compositions, and patterning method |
JPH1160734A (ja) * | 1997-08-14 | 1999-03-05 | Showa Denko Kk | 重合体、レジスト樹脂組成物、及びそれらを用いたパターン形成方法 |
WO1999009457A1 (fr) * | 1997-08-14 | 1999-02-25 | Showa Denko K.K. | Resine de reserve sa composition et procede de creation de motifs l'utilisant |
US6210856B1 (en) * | 1999-01-27 | 2001-04-03 | International Business Machines Corporation | Resist composition and process of forming a patterned resist layer on a substrate |
-
1999
- 1999-03-30 JP JP8944199A patent/JP4286374B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-03-29 WO PCT/JP2000/001955 patent/WO2000059987A1/ja active Application Filing
- 2000-03-29 US US09/937,598 patent/US6767983B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6767983B1 (en) | 2004-07-27 |
WO2000059987A1 (fr) | 2000-10-12 |
JP2000281790A (ja) | 2000-10-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4286374B2 (ja) | シリコーン樹脂及びこれを含有する感光性樹脂組成物 | |
US6258506B1 (en) | Ultraviolet-curable polysiloxane composition and method for the formation of cured patterns therefrom | |
JP2004206032A (ja) | 耐熱感光性樹脂組成物、レリーフパターンの製造方法及び電子部品 | |
JP4541944B2 (ja) | 感光性ポリイミド樹脂組成物 | |
JP4646439B2 (ja) | 光重合性樹脂組成物、その硬化物および製造方法 | |
JP4759107B2 (ja) | ケイ素含有ポリマ並びにこれを用いたレジスト組成物及びレジストパターン形成方法 | |
JP2008058548A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、保護膜、層間絶縁膜、およびそれを用いた半導体装置、表示素子。 | |
JP4154953B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、それを用いたパターンの製造方法および電子部品 | |
JP4361164B2 (ja) | ケイ素含有感光性樹脂及びこれを含有する組成物 | |
JP4380178B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、パターンの製造方法及び電子部品 | |
JP3968886B2 (ja) | 感光性組成物 | |
JP3972481B2 (ja) | 感光性組成物 | |
WO2022059506A1 (ja) | 珪素含有モノマー混合物、ポリシロキサン、樹脂組成物、感光性樹脂組成物、硬化膜、硬化膜の製造方法、パターン硬化膜及びパターン硬化膜の製造方法 | |
JP6433806B2 (ja) | 光重合性樹脂組成物及びその硬化物並びに硬化物の製造方法 | |
JPWO2022059506A5 (ja) | ||
JP2003302761A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP4811162B2 (ja) | ポリイミドおよびその製造法 | |
JP2003241378A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP4487981B2 (ja) | ポリイミドおよびその製造法 | |
JP4159838B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2005010764A (ja) | ネガ型感光性樹脂組成物、半導体装置及び表示素子並びに半導体装置及び表示素子の製造方法 | |
JP5200742B2 (ja) | 感放射線性組成物、その製造方法、ならびにパターン形成方法 | |
JP2005165185A (ja) | 耐熱感光性樹脂組成物 | |
JP2573996B2 (ja) | パターン形成材料 | |
JP4159827B2 (ja) | ネガ型感光性樹脂組成物及び半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060316 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090324 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090325 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120403 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150403 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150403 Year of fee payment: 6 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150403 Year of fee payment: 6 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |