JP4222644B2 - 特に電子構成品を含む半導体材料薄膜の製法 - Google Patents
特に電子構成品を含む半導体材料薄膜の製法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4222644B2 JP4222644B2 JP09233097A JP9233097A JP4222644B2 JP 4222644 B2 JP4222644 B2 JP 4222644B2 JP 09233097 A JP09233097 A JP 09233097A JP 9233097 A JP9233097 A JP 9233097A JP 4222644 B2 JP4222644 B2 JP 4222644B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- region
- heat treatment
- ions
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 36
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 67
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 50
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 29
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 25
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 24
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 15
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 12
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 10
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 10
- -1 hydrogen gas ions Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 claims description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 16
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 230000010070 molecular adhesion Effects 0.000 description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000001534 heteroepitaxy Methods 0.000 description 2
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/26506—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
- H01L21/76254—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Element Separation (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、特に電子構成品を含む半導体材料の薄膜を得る方法に関する。その薄膜は、小さな厚さの基体の一部、例えば1〜数個の電子構成品が形成された部分を、比較的大きな厚さを有する残りの基体から分離することによって得られる。考慮される用途により、本発明は、薄膜をその最初の基体から別の基体又は支持体へ移すこともできる。
【0002】
【従来の技術】
マイクロエレクトロニクスでは、絶縁性支持体上に支持された、又は電気絶縁性層により支持体から分離された薄膜半導体中に電子構成品を形成することが屡々求められている。シリコン・オン・インシュレーター(Silicon On Insulator)構造体と呼ばれている構造体を得ることができ、それから電子構成品を構成することができる。これらの構造体を得るために、次の方法を用いることができる。
【0003】
− 結晶成長により薄膜中に珪素の結晶を、珪素の格子定数に近い格子定数を有する別の材料、例えば、サファイア(Al2 O3 )又はフッ化カルシウム(CaF2 )基体の単結晶基体上に成長させるヘテロエピタキシ(heteroepitaxy)法;
【0004】
− 珪素の体積中に二酸化珪素の層を、基体本体から単結晶珪素の薄膜を分離する酸化珪素の層を生成させるため、珪素基体中に多量の酸素をイオン注入する「SIMOX」(現在文献中に用いられている名前)と呼ばれている方法;
【0005】
− 機械的及び化学的に組合せた摩耗、又は化学的摩耗により、ウエーハを薄くする原理を用いた別の方法。
【0006】
薄膜半導体を形成するこれら種々の方法は、製造技術に関連した欠点を持つ。
【0007】
ヘテロエピタキシ法は、基体の性質によって制約を受ける。基体の格子定数が半導体の格子定数と厳密には正確に合わないので、薄膜は多くの結晶欠陥を有する。更に、これらの基体は高価で脆く、限定された大きさでしか存在できない。
【0008】
SIMOX法は、非常に多量にイオン注入を行う必要があり、それは非常に重装備の複雑な注入機械を必要とする。これらの機械の生産性は低く、それをかなりの程度まで増大しようとすることは困難である。
【0009】
薄く削る方法は、均一性及び品質の観点から、必要な厚さに到達したら直ちにウエーハを薄く削るのを停止し、それによって厚さの均一性を保証できるようにエッチングを停止させる崩壊障壁の原理を用いた場合にのみ競合することができる。残念ながらこの崩壊障壁の形成はその方法を複雑にし、或る場合にはそのフイルムの使用が限定される。
【0010】
これらの欠点を修正すべく、文献FR−A−2,681,472では、薄膜半導体を製造し、それを支持体に確実に付着させる方法で、平らな面を有する希望の半導体材料のウエーハを次の工程にかけることからなる方法が示唆されている。
【0011】
− 前記材料の平らな面に、ウエーハの体積内のイオンの浸透深さに近い深さに、気体マイクロバブルの層を生ずることができるイオンを衝突させてウエーハを基体の本体を構成する下方領域と、薄膜を構成する上方領域に分離し、前記イオンを希ガス又は水素ガスのイオンの中から選択し、ウエーハの温度を、注入したイオンによって生じたガスが拡散によって半導体から逃げることができる温度よりも低く維持する第一注入工程;
【0012】
− ウエーハの前記平らな面を、少なくとも一つの固い材料層から構成された支持体とよく接触させ、然も、この緊密な接触を、例えば、接着剤を用いて行うか、又は表面の予備調製、出来れば支持体とウエーハとの間の原子間結合を促進するための熱的及び(又は)静電的処理の効果による分子接着を用いて行うことができる、第二工程;
【0013】
− ウエーハ支持体組立体を、注入を行なった温度より高い温度で、ウエーハ中の結晶再配列効果及びマイクロバブルの圧力により、薄膜と基体本体との間に分離を生じさせるのに充分な温度で熱処理する第三工程。
【0014】
この文献中、実験中に観察された異なった現象について次の説明が与えられている。第一に、第一イオン注入工程を、半導体材料のウエーハの平らな面をイオンビームの方へ向けて行い、半導体材料が完全に単結晶の場合にはこの平らな面の平面を結晶学的主面にほぼ平行にするか、又はその材料が多結晶である場合には結晶学的主面に対して多かれ少なかれ傾斜させて、全ての粒子に対して同じ指数になるようにする。
【0015】
この注入は、熱処理が終わった時に断裂帯として終わる気体マイクロバブル層を生ずることができる。ウエーハの体積内にイオンの平均浸透深さに近い深さの所にこのようにして形成されたこのマイクロバブル層は、ウエーハの体積内にこの層によって分離された二つの領域、即ち一つの領域は薄膜を構成するためのもので、他方の領域は基体の残りを形成する二つの領域を区切る。「気体マイクロバブル」と言う用語により、材料中に水素ガス又は希ガスのイオンを注入することにより発生したどのような空洞又は微小空洞をも意味するものとする。空洞は非常に平らな形をしていてもよく、即ち、数原子間隔程度の小さな高さのものでもよく、或は大略半球状、又は二つの前の形とは異なった他の形をしていてもよい。これらの空洞はガス相を含んでいてもいなくてもよい。第三工程中、熱処理は、例えば微小空洞成長効果及び(又は)マイクロバブルの圧力効果によるような、半導体材料内の結晶再配列効果により断裂帯及び二つの領域の分離を生じさせるのに充分な温度で行う。
【0016】
注入条件に従って、例えば、水素のようなガスを注入した後、透過電子顕微鏡によって空洞又はマイクロバブルを観測できるか又はできない。珪素の場合、微小空洞を得ることができ、その大きさは数nm〜数百nmの範囲にある。従って、特に注入温度が低いと、これらの空洞は熱処理段階中でだけ観察することができ、その段階中にこれら空洞の核生成が行われ、熱処理が終わった時、薄膜と残りの基体との間に断裂が起きるようになる。
【0017】
更に、この方法は、結晶でも結晶でなくても全ての種類の固体材料に適用することができると思われる。この方法は誘電体材料、導電体、半絶縁体の外、無定形半導体に適用することができる。
【0018】
マイクロバブル即ち微小空洞を含む層は、それらマイクロバブル即ち微小空洞の間の相互作用が全ウエーハに亙って起き、断裂をもたらすのに充分な密度でそれらマイクロバブル即ち微小空洞が存在すると言う意味で連続的層になっている。もし注入を局部的に遮蔽しても、例えば、1μ又は1μより小さな程度の粒子によって意図的又は非意図的やり方で遮蔽しても、それから生じた不連続性は断裂の伝播を妨げない。
【0019】
これらの方法の全ての目的は、支持体の上に薄膜半導体を形成し、後でその中に慣用的方法により電子構成品を構成することにある。文献FR−A−2,681,472に記載された方法は、従来の方法で起きる固有の問題に対する解決策を与えることができる。しかし、電子構成品が構成された薄膜半導体で被覆された支持体からなる装置を得るためには、マイクロエレクトロニクスの分野からの工程(イオン注入工程)が含まれ、次に機械的分野からの工程(接触工程)、及び熱的分野からの工程(熱処理工程)を行なってマイクロエレクトロニクス分野に関連した工程(電子構成品の形成)へ戻ることになる。
【0020】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の発明者はマイクロエレクトロニクスの分野から生ずる或る工程を連続的やり方で一緒にまとめ、即ち電子構成品の全て又は一部を構成するまでまとめ、エレメント、例えば電子構成品の出発材料を構成する基体の使用を可能にするか、又は製造を最適にし、次にその上に薄膜を定めるようにすることを考えた。この結果を達成するためには、半導体層中に電子構成品を形成することが異種媒体の形成を起こすこと、即ち、種々の材料(半導体、電気接点のための金属、絶縁体等)から作られたものを生ずると言う事から起きる次の問題を解決する必要があった。即ち、注入されたイオンは、それらイオンを受けた表面に対して異なった深さで分布する。例として400keVのエネルギーの水素イオンを珪素中に注入すると、それらイオンに向けた表面から約4μmの距離の所に位置するマイクロバブルの形成をもたらす。この距離は、600nmの厚さのタングステン層を表面に有する珪素での同じ注入では3μmになる〔J.ジーグラー(Ziegler)その他による「固体中のイオンの停止及び範囲」(The stopping and Range of Ions in Solids)、Pergamon、ニューヨーク、1985年、参照〕。従って、処理された表面がイオンの経路上で異なった材料を有する場合、マイクロバブル(即ち微小空洞)はバブル間の相互作用がウエーハの表面の全てに亙って起きる程充分狭い層内に全てが位置している訳ではない。その場合、残りの半導体ウエーハからの薄膜の分離は満足できるやり方で起こすことはできない。
【0021】
異なったドーピングを含む電気的に活性な層及び絶縁材料を通るイオン注入は、部品の特性を変えたり、又はそれらを利用できなくする欠陥を生ずることがあると言う事による別の問題が生じている。
【0022】
本発明は、これらの問題の解決法を与えることができる。イオンが通過する材料の性質に関連してイオン注入を、薄膜と残りの半導体ウエーハとの間に満足できる開裂(即ち断裂)を可能にするマイクロバブル連続領域が得られるようなやり方で行うことが提案されている。有利な方法として、異なったエネルギーでの幾つかの注入を行うことができる。その時注入数を、注入に関して異なった挙動を示す材料の数によって定める。異なったエネルギーでの注入は、イオンを受ける表面に対して一定の深さに位置するマイクロバブル連続領域を生じさせることができる。例として、水素イオンを珪素中に注入する場合、バブル間の相互作用が後の熱処理中に行われ、マイクロバブルを含む領域の両側に位置する領域をウエーハ全体に亙って連続的なやり方で分離する結果を与えることが出来るようにするためには、200nmより小さい厚さの領域内にマイクロバブルを局在させなければならない。
【0023】
本発明は、電気的に活性な層を通るイオンの通過により生ずる欠陥の発生に起因して生ずることがある第二の問題に対する解決法も与える。
【0024】
そのような欠陥は熱処理の適用によって修正することができることが知られている。これは文献、A.ガット(Gat)その他による「レーザー・アニールしたイオン注入珪素の物理的及び電気的性質」(Physical and Electrical Properties of Laser-annealed Ion-implanted Silicon)、The journal Appl. Phys. Lett. 32 (5), 1st March (1978)、及びA.C.グリーンワルド(Greenwald)その他による「イオン注入損傷のパルス電子ビームアニーリング」(Pulsed Electron Bean Annealing of Ion-implantation Damage)、The journal Appl. Phys. 50 (2), February (1979)、の主題である。注入工程中に電子構成品に生じた欠陥を、分離工程前に特定の熱処理によって修正したいならば、この熱処理はマイクロバブルを含む領域に悪影響を与えてはならない。なぜなら、この領域の両側に位置する二つの領域の分離を起こすからである。これとは反対に、このアニーリングは発生した欠陥を修正するために電子構成品を含む領域の全てを加熱しなければならない。従って、本発明によりイオン注入工程直後に損傷を受けた領域を加熱して欠陥を除去するが、微小空洞を含む領域を加熱しないようにする一時的アニーリングを提案する。
【0025】
注入工程により発生した欠陥を修正すべく、全熱的処理を行なってもよい。この処理を分離工程前に行う場合、それは適切な温度であるが前記分離を起こすのに必要な温度よりも低い温度で、出来れば薄膜のための支持体と共に、全構造体に対して行わなければならない。この熱処理は、分離工程後に薄膜全体に対して、出来ればその支持体と共に行うことができ、これらの条件下では用いる温度は特に定める必要はない。最後に、この熱処理は、温度条件及び時間を適合させることにより、薄膜を残りの基体から分離するのに必要な熱処理と一緒にしてもよい。異なった可能な熱処理の選択は、用いる材料及び構成品に依存する。
【0026】
【課題を解決するための手段】
従って、本発明の目的は、半導体材料の基体から、該基体の一つの表面上に形成された、前記半導体材料とは異なった材料中の少なくとも一つのエレメントを含む薄膜を得、該薄膜に異種構造体を与える方法において、
− 前記エレメントを含む前記基体の面に、前記基体の体積内に気体マイクロバブルを生ずることができるイオンを衝突させることにより注入し、然も、その注入を、生成エレメントに関して、前記基体の前記面の側に前記エレメントを含む小さな厚さの領域と、残りの基体によって形成されたかなり大きな厚さの領域とを区切る連続的マイクロバブル領域が得られるようなやり方で行い、前記イオンは希ガス及び水素ガスのイオンの中から選択し、基体の温度を、注入したイオンによって発生したガスが拡散によって半導体から逃げることができる温度よりも低く保ち、
− 次に前記基体内の結晶再配列効果及びマイクロバブル圧力効果により、気体マイクロバブルの領域の両側に位置する二つの領域の分離を生ずるのに充分な温度で前記基体を熱処理し、然も、前記小さな厚さの領域が前記薄膜を構成する、諸工程を含むことを特徴とする異種構造体を有する薄膜の製法にある。
【0027】
半導体材料から作られた基体では、少なくともその上部が薄膜の形成を可能にする部分が半導体である基体であると解釈する。イオン注入は、それら注入されたイオンに関して異なった停止力を有する基体中に存在する材料の数に従って一つ又は幾つかの続く注入で行うことができる。従って、基体として同じ停止力を有するエレメントについては、一工程の注入で充分であるが、さもなければマイクロバブルの前記連続領域が得られるように各注入に対してイオンのエネルギーを選択して続いて注入を行う。
【0028】
この方法は、更に注入工程中に前記エレメント内に生じた欠陥を修正することを目的とした熱処理段階を更に含んでいてもよい。
【0029】
この場合、前記エレメント内に生じた欠陥を修正するための熱処理工程を、前記領域を基体から分離することを目的とした熱処理工程前に行うならば、この修正熱処理は前記エレメントを含む基体領域に極限することができる。この熱的修正処理はレーザービームによって行うことができる。
【0030】
前記エレメントは電子構成品又は電気伝導体の全て又は一部でもよい。
【0031】
別の態様に従い、前記領域を基体から分離することを目的とした熱処理工程前に、前記エレメントを含む基体の前記表面が支持体とよく接触するようにさせる工程を与える。このように接触させるのにはどのような既知の手段によって行なってもよく、例えば、分子接着、又は接着剤を使用することにより行なってもよい。この支持体は少なくとも一つの電子構成品及び(又は)少なくとも一つの電気伝導体の全て又は一部を含んでいてもよい。
【0032】
本発明は、図面を伴う単なる例示のためにのみ与える次の記載を読むことにより一層よく理解され、他の詳細な点及び特徴が明らかになるであろうが、本発明は、それらに限定されるものではない。
【0033】
【発明の実施の形態】
次の適用例では、3種類の材料、即ち、活性領域のための単結晶珪素、誘電体としての酸化珪素、及び接点を与えるためのタングステンから構成された電子構成品が薄膜に取付けてある。しかし、本発明は、電子構成品の場合に限定されるものではない。性質として半導体材料中のイオンの注入深さを変更し易い他のエレメント、例えば、回路又は構成品間の電気的接続に用いられる金属帯を含む薄膜を製造することにも適用することができる。
【0034】
第1図は、単結晶珪素から作られた半導体基体1を示し、その面2上には電子構成品(トランジスタ3)が形成されている。トランジスタ3は当業者に知られている方法に従って、製造されている。適用なやり方でドープした壁4があり、そこにはソース5及びドレイン6がドーピングにより形成されている。単結晶珪素から作られたゲート7a及びゲート酸化物7bが基体の面2上に、ソース5とドレイン6との間に形成されている。次に酸化珪素の層8が付着されており、ソース及びドレインのためのタングステン接点9及び10が夫々酸化物層8を通して形成されている。最後に酸化珪素から作られた不動態化層11がこのようにして作られた部品3の上に付着されている。
【0035】
得られる半導体ウエーハの表面の状態に従い、上面12の機械的化学的研磨を行なって、後の工程で固い支持体の面にこの面を接触させた時に適合する粗さが得られるようにする必要がある。実際電子構成品の表面の状態は数百nmのオーダーであるのに対し、例えば、分子付着により固い支持体に接着することができる表面粗さはrms粗さで約0.5nmより小さくなければならない。この問題に関し、T.アベ(ABE)その他による1990年電気化学学会ウエーハ結合シンポジュウム61を参照することができる。
【0036】
矢印で示す様に、面12、即ち基体1の面2へ向けたイオンビームによりウエーハを衝突させることを含む第一イオン注入工程を次に行う。充分注入することができるイオンは、文献FR−A−2,681,472に特定化されている。
【0037】
図2は、この第一イオン注入工程を例示している。400keVのエネルギーの水素イオンを用いることにより、二つの異なった注入深さが得られる。珪素又は酸化珪素を通過した注入水素だけがウエーハの面12に関して4μmの所に微小空洞21を形成する。一方同じエネルギーでタングステン層(平均厚さ0.6μm)を含む領域を通過した注入水素は、面12に対して3μmの深さの所に微小空洞を形成する。
【0038】
次に図3に例示したように、第二イオン注入工程へ進む必要がある。470keVのエネルギーの水素イオンの注入により、微小空洞21、22の第一プロファイルの深さよりも大きな深さの所に微小空洞23、24の第二のプロファイルを得ることができる。注入エネルギーは、微小空洞21及び24の配列が得られるように選択されている。従って、微小空洞即ち気体マイクロバブルの連続領域が得られ、それは薄膜を構成する上方領域と、残りの基体を形成する下方領域とを区切ることができる。
【0039】
注入工程の数は、注入に関して異なった挙動をとる材料の数の関数である。異なった挙動とは、イオンがこれらの材料中で同じ平均浸透深さを持たないことであると理解されたい。
【0040】
最終注入工程が終わったら、次に例えば、電子構成品を含む領域を加熱するだけの一時的アニーリングへ進む。この工程は構成品がイオン注入により乱されている場合に必要になるだけである。例として、このアニーリングは0.2〜1J/cm2 のエネルギーを与える0.4μmより短い波長のレーザービームを150ns時間、面12へ当てることにより行うことができる。これらの条件下で、数μ秒で800〜900℃の程度の温度に到達することができる。これらの温度は欠陥の修正に適合する。このレーザー型アニーリングは、唯1回ウエーハの全表面に亙って行うか、又は領域毎に数回の処理で行うことができる。
【0041】
図4は、ウエーハを固い支持体30とよく接触させる工程を例示している。この固い支持体は、重厚な基体(例えば、ガラスから作られたもの)であるか、又は電子構成品及び(又は)電気伝導体を含む基体にすることができる。この固い支持体の存在により、文献FR−A−2,681,472に記載のように、基体1の上方領域と下方領域との間の分離の機構を遂行させることができる。
しかし、半導体材料の薄膜の厚さが満足できる固さを有するのに充分な大きさを持つ場合には、固い支持体が存在する必要はなく、ウエーハの面12を研磨することはもはや必要でない。
【0042】
次に均一なやり方でウエーハ及び固い支持体から作られた組立体を、イオン衝突が行われた温度よりも高く、結晶再配列効果及びマイクロバブルの圧力によって微小空洞21、24の連続領域の両側に位置する二つの領域に、基体を分離するのに充分な温度に加熱する等温熱処理を行う。図5に示すように、それにより固い支持体30により支持された電子構成品3を含む薄膜31が得られる。
上に記載した例は単に一つの電子構成品について言及しているが、本発明は、一つ又は幾つかの形成された構成品全体又は一部を有する薄膜の製造に同様に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】半導体基体で、その面上に電子構成品が形成されている半導体基体の断面図である。
【図2】第一イオン注入工程中の第1図の基体を例示する図である。
【図3】第二イオン注入工程中の同じ基体を例示する図である。
【図4】二つのイオン注入工程にかけた基体を固い支持体とよく接触させることを示す図である。
【図5】薄膜を残りの基体から分離することを目的とした熱処理工程から得られた、固い支持体に強固に結合された薄膜を示す図である。
【符号の説明】
1 半導体基体
2 面
3 電子構成品トランジスタ
4 壁
5 ソース
6 ドレイン
7a 多結晶珪素ゲート
7b 酸化物ゲート
8 二酸化珪素層
9 タングステン接点
10 タングステン接点
12 上方面
21 微小空洞
22 微小空洞
23 微小空洞
24 微小空洞
31 薄膜
Claims (8)
- 半導体材料からなる基体から、該基体の一方の面上の一部分のみにあって、その半導体材料とは異なった材料からできている少なくとも一つのエレメントを含む薄膜を形成し、前記薄膜に異種の構造体を与える方法において、
該エレメントは電子構成品又は電気伝導体の一部又は全てであって、
前記基体の面と前記エレメントに、前記基体の体積内に気体マイクロバブルの連続領域を生じるようにイオンを衝突させることにより異なるエネルギーで少なくとも二回注入し、その衝突を前記面上の異種の構造体を成すように調整し、然も、その注入を、前記基体の前記面の側に前記エレメントを含む小さな厚さの領域と、残りの基体によって形成されたかなり大きな厚さの領域とを区切るように行い、前記イオンは希ガス及び水素ガスのイオンの中から選択し、基体の温度を、注入したイオンによって発生したガスが拡散によって半導体から逃げることができる温度よりも低く保ち、
そして、前記基体内の結晶再配列効果及びマイクロバブル圧力効果により、気体マイクロバブルの領域の両側に位置する二つの領域の分離を生ずるのに充分な温度で前記基体を熱処理し、それによって前記小さな厚さの領域が前記薄膜を構成する、
諸工程を含む、上記方法。 - エレメント中に生じた欠陥を修正するための熱処理を、基体の前記領域を分離するための熱処理工程前に行い、この熱的修正処理を前記エレメントを含む基体領域に局限する、請求項1に記載の方法。
- 熱的修正処理を、レーザービームを用いて行う、請求項2に記載の方法。
- エレメント内に生じた欠陥の熱的修正処理を、基体の前記領域を分離するための熱処理工程前に行い、然も、この熱的修正処理が、前記欠陥の修正を達成するのに充分であるが、二つの領域の分離を行わせるのに必要な温度よりは低い温度に基体を持って行くことからなる、請求項1に記載の方法。
- 前記エレメント内に生じた欠陥の熱的修正処理を、基体の前記領域を分離するための熱処理工程後に行う、請求項1に記載の方法。
- エレメント内に生じた欠陥の熱的修正処理及び基体の前記領域を分離するための熱処理工程を一緒にして同じ熱処理操作で行う、請求項1に記載の方法。
- 基体の前記領域を分離するための熱処理工程前に、エレメントを含む基体の面を支持体とよく接触させる工程を与える、請求項1に記載の方法。
- 支持体が少なくとも一つの電子構成品及び/又は少なくとも一つの電気伝導体の一部又は全てを含む、請求項7に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR9604517A FR2747506B1 (fr) | 1996-04-11 | 1996-04-11 | Procede d'obtention d'un film mince de materiau semiconducteur comprenant notamment des composants electroniques |
FR9604517 | 1996-04-11 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1041242A JPH1041242A (ja) | 1998-02-13 |
JP4222644B2 true JP4222644B2 (ja) | 2009-02-12 |
Family
ID=9491096
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP09233097A Expired - Lifetime JP4222644B2 (ja) | 1996-04-11 | 1997-04-10 | 特に電子構成品を含む半導体材料薄膜の製法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6103597A (ja) |
EP (1) | EP0801419B1 (ja) |
JP (1) | JP4222644B2 (ja) |
KR (1) | KR100467755B1 (ja) |
DE (1) | DE69738278T2 (ja) |
FR (1) | FR2747506B1 (ja) |
MY (1) | MY123810A (ja) |
SG (1) | SG52946A1 (ja) |
TW (1) | TW359857B (ja) |
Families Citing this family (282)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8018058B2 (en) * | 2004-06-21 | 2011-09-13 | Besang Inc. | Semiconductor memory device |
US7052941B2 (en) * | 2003-06-24 | 2006-05-30 | Sang-Yun Lee | Method for making a three-dimensional integrated circuit structure |
US20050280155A1 (en) * | 2004-06-21 | 2005-12-22 | Sang-Yun Lee | Semiconductor bonding and layer transfer method |
US8058142B2 (en) * | 1996-11-04 | 2011-11-15 | Besang Inc. | Bonded semiconductor structure and method of making the same |
FR2773261B1 (fr) * | 1997-12-30 | 2000-01-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede pour le transfert d'un film mince comportant une etape de creation d'inclusions |
FR2774510B1 (fr) * | 1998-02-02 | 2001-10-26 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de traitement de substrats, notamment semi-conducteurs |
JP3809733B2 (ja) * | 1998-02-25 | 2006-08-16 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜トランジスタの剥離方法 |
US7227176B2 (en) | 1998-04-10 | 2007-06-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Etch stop layer system |
JP3211233B2 (ja) * | 1998-08-31 | 2001-09-25 | 日本電気株式会社 | Soi基板及びその製造方法 |
FR2784796B1 (fr) * | 1998-10-15 | 2001-11-23 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une couche de materiau enterree dans un autre materiau |
FR2811807B1 (fr) * | 2000-07-12 | 2003-07-04 | Commissariat Energie Atomique | Procede de decoupage d'un bloc de materiau et de formation d'un film mince |
WO2002015244A2 (en) | 2000-08-16 | 2002-02-21 | Massachusetts Institute Of Technology | Process for producing semiconductor article using graded expitaxial growth |
US6890835B1 (en) | 2000-10-19 | 2005-05-10 | International Business Machines Corporation | Layer transfer of low defect SiGe using an etch-back process |
US8507361B2 (en) | 2000-11-27 | 2013-08-13 | Soitec | Fabrication of substrates with a useful layer of monocrystalline semiconductor material |
FR2840731B3 (fr) * | 2002-06-11 | 2004-07-30 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'un substrat comportant une couche utile en materiau semi-conducteur monocristallin de proprietes ameliorees |
FR2894990B1 (fr) * | 2005-12-21 | 2008-02-22 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication de substrats, notamment pour l'optique,l'electronique ou l'optoelectronique et substrat obtenu selon ledit procede |
US6940089B2 (en) | 2001-04-04 | 2005-09-06 | Massachusetts Institute Of Technology | Semiconductor device structure |
FR2823599B1 (fr) | 2001-04-13 | 2004-12-17 | Commissariat Energie Atomique | Substrat demomtable a tenue mecanique controlee et procede de realisation |
FR2823596B1 (fr) * | 2001-04-13 | 2004-08-20 | Commissariat Energie Atomique | Substrat ou structure demontable et procede de realisation |
US20050026432A1 (en) * | 2001-04-17 | 2005-02-03 | Atwater Harry A. | Wafer bonded epitaxial templates for silicon heterostructures |
US7238622B2 (en) * | 2001-04-17 | 2007-07-03 | California Institute Of Technology | Wafer bonded virtual substrate and method for forming the same |
EP1386349A1 (en) | 2001-04-17 | 2004-02-04 | California Institute Of Technology | A method of using a germanium layer transfer to si for photovoltaic applications and heterostructure made thereby |
US7045878B2 (en) * | 2001-05-18 | 2006-05-16 | Reveo, Inc. | Selectively bonded thin film layer and substrate layer for processing of useful devices |
US6956268B2 (en) * | 2001-05-18 | 2005-10-18 | Reveo, Inc. | MEMS and method of manufacturing MEMS |
FR2828762B1 (fr) * | 2001-08-14 | 2003-12-05 | Soitec Silicon On Insulator | Procede d'obtention d'une couche mince d'un materiau semi-conducteur supportant au moins un composant et/ou circuit electronique |
US7163826B2 (en) * | 2001-09-12 | 2007-01-16 | Reveo, Inc | Method of fabricating multi layer devices on buried oxide layer substrates |
US20090065471A1 (en) * | 2003-02-10 | 2009-03-12 | Faris Sadeg M | Micro-nozzle, nano-nozzle, manufacturing methods therefor, applications therefor |
US6875671B2 (en) * | 2001-09-12 | 2005-04-05 | Reveo, Inc. | Method of fabricating vertical integrated circuits |
US7033910B2 (en) * | 2001-09-12 | 2006-04-25 | Reveo, Inc. | Method of fabricating multi layer MEMS and microfluidic devices |
US6555451B1 (en) | 2001-09-28 | 2003-04-29 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method for making shallow diffusion junctions in semiconductors using elemental doping |
FR2830983B1 (fr) | 2001-10-11 | 2004-05-14 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de couches minces contenant des microcomposants |
US6593212B1 (en) | 2001-10-29 | 2003-07-15 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method for making electro-optical devices using a hydrogenion splitting technique |
US6562127B1 (en) | 2002-01-16 | 2003-05-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method of making mosaic array of thin semiconductor material of large substrates |
US7060632B2 (en) | 2002-03-14 | 2006-06-13 | Amberwave Systems Corporation | Methods for fabricating strained layers on semiconductor substrates |
US6607969B1 (en) | 2002-03-18 | 2003-08-19 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method for making pyroelectric, electro-optical and decoupling capacitors using thin film transfer and hydrogen ion splitting techniques |
US6767749B2 (en) | 2002-04-22 | 2004-07-27 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method for making piezoelectric resonator and surface acoustic wave device using hydrogen implant layer splitting |
US7074623B2 (en) | 2002-06-07 | 2006-07-11 | Amberwave Systems Corporation | Methods of forming strained-semiconductor-on-insulator finFET device structures |
US6995430B2 (en) | 2002-06-07 | 2006-02-07 | Amberwave Systems Corporation | Strained-semiconductor-on-insulator device structures |
US20030227057A1 (en) | 2002-06-07 | 2003-12-11 | Lochtefeld Anthony J. | Strained-semiconductor-on-insulator device structures |
US7335545B2 (en) | 2002-06-07 | 2008-02-26 | Amberwave Systems Corporation | Control of strain in device layers by prevention of relaxation |
US7307273B2 (en) | 2002-06-07 | 2007-12-11 | Amberwave Systems Corporation | Control of strain in device layers by selective relaxation |
FR2842648B1 (fr) * | 2002-07-18 | 2005-01-14 | Commissariat Energie Atomique | Procede de transfert d'une couche mince electriquement active |
FR2847075B1 (fr) * | 2002-11-07 | 2005-02-18 | Commissariat Energie Atomique | Procede de formation d'une zone fragile dans un substrat par co-implantation |
US7176108B2 (en) | 2002-11-07 | 2007-02-13 | Soitec Silicon On Insulator | Method of detaching a thin film at moderate temperature after co-implantation |
FR2848336B1 (fr) | 2002-12-09 | 2005-10-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une structure contrainte destinee a etre dissociee |
FR2849017B1 (fr) | 2002-12-20 | 2005-11-18 | Michel Bruel | Procede de traitement d'une structure pour l'obtention d'un espace interne et structure presentant un espace interne. |
US20100133695A1 (en) * | 2003-01-12 | 2010-06-03 | Sang-Yun Lee | Electronic circuit with embedded memory |
TWI240434B (en) * | 2003-06-24 | 2005-09-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method to produce semiconductor-chips |
US8071438B2 (en) * | 2003-06-24 | 2011-12-06 | Besang Inc. | Semiconductor circuit |
FR2856844B1 (fr) | 2003-06-24 | 2006-02-17 | Commissariat Energie Atomique | Circuit integre sur puce de hautes performances |
US20100190334A1 (en) * | 2003-06-24 | 2010-07-29 | Sang-Yun Lee | Three-dimensional semiconductor structure and method of manufacturing the same |
FR2857953B1 (fr) | 2003-07-21 | 2006-01-13 | Commissariat Energie Atomique | Structure empilee, et procede pour la fabriquer |
JP2005093898A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 結晶基板および素子の製造方法 |
FR2861497B1 (fr) | 2003-10-28 | 2006-02-10 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de transfert catastrophique d'une couche fine apres co-implantation |
US7772087B2 (en) | 2003-12-19 | 2010-08-10 | Commissariat A L'energie Atomique | Method of catastrophic transfer of a thin film after co-implantation |
US20080211061A1 (en) * | 2004-04-21 | 2008-09-04 | California Institute Of Technology | Method For the Fabrication of GaAs/Si and Related Wafer Bonded Virtual Substrates |
US20060021565A1 (en) * | 2004-07-30 | 2006-02-02 | Aonex Technologies, Inc. | GaInP / GaAs / Si triple junction solar cell enabled by wafer bonding and layer transfer |
US7846759B2 (en) * | 2004-10-21 | 2010-12-07 | Aonex Technologies, Inc. | Multi-junction solar cells and methods of making same using layer transfer and bonding techniques |
US7393733B2 (en) | 2004-12-01 | 2008-07-01 | Amberwave Systems Corporation | Methods of forming hybrid fin field-effect transistor structures |
US20060113603A1 (en) * | 2004-12-01 | 2006-06-01 | Amberwave Systems Corporation | Hybrid semiconductor-on-insulator structures and related methods |
DE102004062290A1 (de) * | 2004-12-23 | 2006-07-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips |
US10374120B2 (en) * | 2005-02-18 | 2019-08-06 | Koninklijke Philips N.V. | High efficiency solar cells utilizing wafer bonding and layer transfer to integrate non-lattice matched materials |
US8367524B2 (en) * | 2005-03-29 | 2013-02-05 | Sang-Yun Lee | Three-dimensional integrated circuit structure |
US20110143506A1 (en) * | 2009-12-10 | 2011-06-16 | Sang-Yun Lee | Method for fabricating a semiconductor memory device |
US8455978B2 (en) | 2010-05-27 | 2013-06-04 | Sang-Yun Lee | Semiconductor circuit structure and method of making the same |
WO2006116030A2 (en) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Aonex Technologies, Inc. | Bonded intermediate substrate and method of making same |
FR2886051B1 (fr) | 2005-05-20 | 2007-08-10 | Commissariat Energie Atomique | Procede de detachement d'un film mince |
FR2889887B1 (fr) | 2005-08-16 | 2007-11-09 | Commissariat Energie Atomique | Procede de report d'une couche mince sur un support |
FR2891281B1 (fr) | 2005-09-28 | 2007-12-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un element en couches minces. |
DE102005054218B4 (de) * | 2005-11-14 | 2011-06-09 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterelements und Halbleiterelement |
DE102006007293B4 (de) | 2006-01-31 | 2023-04-06 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zum Herstellen eines Quasi-Substratwafers und ein unter Verwendung eines solchen Quasi-Substratwafers hergestellter Halbleiterkörper |
FR2899378B1 (fr) | 2006-03-29 | 2008-06-27 | Commissariat Energie Atomique | Procede de detachement d'un film mince par fusion de precipites |
US20070243703A1 (en) * | 2006-04-14 | 2007-10-18 | Aonex Technololgies, Inc. | Processes and structures for epitaxial growth on laminate substrates |
FR2910179B1 (fr) | 2006-12-19 | 2009-03-13 | Commissariat Energie Atomique | PROCEDE DE FABRICATION DE COUCHES MINCES DE GaN PAR IMPLANTATION ET RECYCLAGE D'UN SUBSTRAT DE DEPART |
US7732301B1 (en) | 2007-04-20 | 2010-06-08 | Pinnington Thomas Henry | Bonded intermediate substrate and method of making same |
US20090278233A1 (en) * | 2007-07-26 | 2009-11-12 | Pinnington Thomas Henry | Bonded intermediate substrate and method of making same |
FR2925221B1 (fr) | 2007-12-17 | 2010-02-19 | Commissariat Energie Atomique | Procede de transfert d'une couche mince |
JP2012514316A (ja) * | 2008-09-24 | 2012-06-21 | エス・オー・アイ・テック・シリコン・オン・インシュレーター・テクノロジーズ | 半導体材料、半導体構造、デバイスおよびそれらを含む加工された基板の緩和した層を形成する方法 |
US8637383B2 (en) | 2010-12-23 | 2014-01-28 | Soitec | Strain relaxation using metal materials and related structures |
CN102203904B (zh) | 2008-10-30 | 2013-11-20 | S.O.I.探测硅绝缘技术公司 | 形成具有减小的晶格应变的半导体材料层、半导体结构、装置的方法及包含具有减小的晶格应变的半导体材料层、半导体结构、装置的工程衬底 |
US7927975B2 (en) | 2009-02-04 | 2011-04-19 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor material manufacture |
US8058137B1 (en) | 2009-04-14 | 2011-11-15 | Monolithic 3D Inc. | Method for fabrication of a semiconductor device and structure |
US8378715B2 (en) | 2009-04-14 | 2013-02-19 | Monolithic 3D Inc. | Method to construct systems |
US9711407B2 (en) | 2009-04-14 | 2017-07-18 | Monolithic 3D Inc. | Method of manufacturing a three dimensional integrated circuit by transfer of a mono-crystalline layer |
US7986042B2 (en) | 2009-04-14 | 2011-07-26 | Monolithic 3D Inc. | Method for fabrication of a semiconductor device and structure |
US8362482B2 (en) | 2009-04-14 | 2013-01-29 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
US9509313B2 (en) | 2009-04-14 | 2016-11-29 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device |
US8395191B2 (en) | 2009-10-12 | 2013-03-12 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
US8427200B2 (en) | 2009-04-14 | 2013-04-23 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device |
US8754533B2 (en) | 2009-04-14 | 2014-06-17 | Monolithic 3D Inc. | Monolithic three-dimensional semiconductor device and structure |
US8373439B2 (en) | 2009-04-14 | 2013-02-12 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device |
US8405420B2 (en) | 2009-04-14 | 2013-03-26 | Monolithic 3D Inc. | System comprising a semiconductor device and structure |
US8362800B2 (en) | 2010-10-13 | 2013-01-29 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device including field repairable logics |
US8669778B1 (en) | 2009-04-14 | 2014-03-11 | Monolithic 3D Inc. | Method for design and manufacturing of a 3D semiconductor device |
US8384426B2 (en) | 2009-04-14 | 2013-02-26 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
US9577642B2 (en) | 2009-04-14 | 2017-02-21 | Monolithic 3D Inc. | Method to form a 3D semiconductor device |
FR2947098A1 (fr) | 2009-06-18 | 2010-12-24 | Commissariat Energie Atomique | Procede de transfert d'une couche mince sur un substrat cible ayant un coefficient de dilatation thermique different de celui de la couche mince |
US10388863B2 (en) | 2009-10-12 | 2019-08-20 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory device and structure |
US9099424B1 (en) | 2012-08-10 | 2015-08-04 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor system, device and structure with heat removal |
US8536023B2 (en) | 2010-11-22 | 2013-09-17 | Monolithic 3D Inc. | Method of manufacturing a semiconductor device and structure |
US11374118B2 (en) | 2009-10-12 | 2022-06-28 | Monolithic 3D Inc. | Method to form a 3D integrated circuit |
US11018133B2 (en) | 2009-10-12 | 2021-05-25 | Monolithic 3D Inc. | 3D integrated circuit |
US10366970B2 (en) | 2009-10-12 | 2019-07-30 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US10910364B2 (en) | 2009-10-12 | 2021-02-02 | Monolitaic 3D Inc. | 3D semiconductor device |
US8476145B2 (en) | 2010-10-13 | 2013-07-02 | Monolithic 3D Inc. | Method of fabricating a semiconductor device and structure |
US10354995B2 (en) | 2009-10-12 | 2019-07-16 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor memory device and structure |
US8581349B1 (en) | 2011-05-02 | 2013-11-12 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory semiconductor device and structure |
US10157909B2 (en) | 2009-10-12 | 2018-12-18 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US10043781B2 (en) | 2009-10-12 | 2018-08-07 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US11984445B2 (en) | 2009-10-12 | 2024-05-14 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor devices and structures with metal layers |
US8450804B2 (en) | 2011-03-06 | 2013-05-28 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure for heat removal |
US8148728B2 (en) | 2009-10-12 | 2012-04-03 | Monolithic 3D, Inc. | Method for fabrication of a semiconductor device and structure |
US8742476B1 (en) | 2012-11-27 | 2014-06-03 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
US8026521B1 (en) | 2010-10-11 | 2011-09-27 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
US8461035B1 (en) | 2010-09-30 | 2013-06-11 | Monolithic 3D Inc. | Method for fabrication of a semiconductor device and structure |
US8541819B1 (en) | 2010-12-09 | 2013-09-24 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
US8373230B1 (en) | 2010-10-13 | 2013-02-12 | Monolithic 3D Inc. | Method for fabrication of a semiconductor device and structure |
US8492886B2 (en) | 2010-02-16 | 2013-07-23 | Monolithic 3D Inc | 3D integrated circuit with logic |
US9099526B2 (en) | 2010-02-16 | 2015-08-04 | Monolithic 3D Inc. | Integrated circuit device and structure |
US8723335B2 (en) | 2010-05-20 | 2014-05-13 | Sang-Yun Lee | Semiconductor circuit structure and method of forming the same using a capping layer |
KR101134819B1 (ko) | 2010-07-02 | 2012-04-13 | 이상윤 | 반도체 메모리 장치의 제조 방법 |
US9219005B2 (en) | 2011-06-28 | 2015-12-22 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor system and device |
US8642416B2 (en) | 2010-07-30 | 2014-02-04 | Monolithic 3D Inc. | Method of forming three dimensional integrated circuit devices using layer transfer technique |
US8901613B2 (en) | 2011-03-06 | 2014-12-02 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure for heat removal |
US10217667B2 (en) | 2011-06-28 | 2019-02-26 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device, fabrication method and system |
US9953925B2 (en) | 2011-06-28 | 2018-04-24 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor system and device |
US8273610B2 (en) | 2010-11-18 | 2012-09-25 | Monolithic 3D Inc. | Method of constructing a semiconductor device and structure |
US8163581B1 (en) | 2010-10-13 | 2012-04-24 | Monolith IC 3D | Semiconductor and optoelectronic devices |
US11482440B2 (en) | 2010-12-16 | 2022-10-25 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with a built-in test circuit for repairing faulty circuits |
US10497713B2 (en) | 2010-11-18 | 2019-12-03 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor memory device and structure |
US11315980B1 (en) | 2010-10-11 | 2022-04-26 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with transistors |
US11018191B1 (en) | 2010-10-11 | 2021-05-25 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US10290682B2 (en) | 2010-10-11 | 2019-05-14 | Monolithic 3D Inc. | 3D IC semiconductor device and structure with stacked memory |
US11227897B2 (en) | 2010-10-11 | 2022-01-18 | Monolithic 3D Inc. | Method for producing a 3D semiconductor memory device and structure |
US11469271B2 (en) | 2010-10-11 | 2022-10-11 | Monolithic 3D Inc. | Method to produce 3D semiconductor devices and structures with memory |
US10896931B1 (en) | 2010-10-11 | 2021-01-19 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US11600667B1 (en) | 2010-10-11 | 2023-03-07 | Monolithic 3D Inc. | Method to produce 3D semiconductor devices and structures with memory |
US11257867B1 (en) | 2010-10-11 | 2022-02-22 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with oxide bonds |
US11024673B1 (en) | 2010-10-11 | 2021-06-01 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US11158674B2 (en) | 2010-10-11 | 2021-10-26 | Monolithic 3D Inc. | Method to produce a 3D semiconductor device and structure |
US8114757B1 (en) | 2010-10-11 | 2012-02-14 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
US8379458B1 (en) | 2010-10-13 | 2013-02-19 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
US11855114B2 (en) | 2010-10-13 | 2023-12-26 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding |
US11437368B2 (en) | 2010-10-13 | 2022-09-06 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding |
US11163112B2 (en) | 2010-10-13 | 2021-11-02 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with electromagnetic modulators |
US11404466B2 (en) | 2010-10-13 | 2022-08-02 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with image sensors |
US10679977B2 (en) | 2010-10-13 | 2020-06-09 | Monolithic 3D Inc. | 3D microdisplay device and structure |
US11164898B2 (en) | 2010-10-13 | 2021-11-02 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure |
US9197804B1 (en) | 2011-10-14 | 2015-11-24 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor and optoelectronic devices |
US11929372B2 (en) | 2010-10-13 | 2024-03-12 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding |
US11984438B2 (en) | 2010-10-13 | 2024-05-14 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding |
US11869915B2 (en) | 2010-10-13 | 2024-01-09 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding |
US10943934B2 (en) | 2010-10-13 | 2021-03-09 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure |
US11605663B2 (en) | 2010-10-13 | 2023-03-14 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding |
US10998374B1 (en) | 2010-10-13 | 2021-05-04 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure |
US10978501B1 (en) | 2010-10-13 | 2021-04-13 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with waveguides |
US11327227B2 (en) | 2010-10-13 | 2022-05-10 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with electromagnetic modulators |
US11063071B1 (en) | 2010-10-13 | 2021-07-13 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with waveguides |
US10833108B2 (en) | 2010-10-13 | 2020-11-10 | Monolithic 3D Inc. | 3D microdisplay device and structure |
US11694922B2 (en) | 2010-10-13 | 2023-07-04 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding |
US11133344B2 (en) | 2010-10-13 | 2021-09-28 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with image sensors |
US11043523B1 (en) | 2010-10-13 | 2021-06-22 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with image sensors |
US11855100B2 (en) | 2010-10-13 | 2023-12-26 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding |
US11018042B1 (en) | 2010-11-18 | 2021-05-25 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor memory device and structure |
US11482438B2 (en) | 2010-11-18 | 2022-10-25 | Monolithic 3D Inc. | Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure |
US11804396B2 (en) | 2010-11-18 | 2023-10-31 | Monolithic 3D Inc. | Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers |
US11508605B2 (en) | 2010-11-18 | 2022-11-22 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor memory device and structure |
US11355381B2 (en) | 2010-11-18 | 2022-06-07 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor memory device and structure |
US11784082B2 (en) | 2010-11-18 | 2023-10-10 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with bonding |
US11495484B2 (en) | 2010-11-18 | 2022-11-08 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor devices and structures with at least two single-crystal layers |
US11569117B2 (en) | 2010-11-18 | 2023-01-31 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with single-crystal layers |
US11164770B1 (en) | 2010-11-18 | 2021-11-02 | Monolithic 3D Inc. | Method for producing a 3D semiconductor memory device and structure |
US11355380B2 (en) | 2010-11-18 | 2022-06-07 | Monolithic 3D Inc. | Methods for producing 3D semiconductor memory device and structure utilizing alignment marks |
US11735462B2 (en) | 2010-11-18 | 2023-08-22 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with single-crystal layers |
US11901210B2 (en) | 2010-11-18 | 2024-02-13 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with memory |
US11482439B2 (en) | 2010-11-18 | 2022-10-25 | Monolithic 3D Inc. | Methods for producing a 3D semiconductor memory device comprising charge trap junction-less transistors |
US11521888B2 (en) | 2010-11-18 | 2022-12-06 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with high-k metal gate transistors |
US11107721B2 (en) | 2010-11-18 | 2021-08-31 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with NAND logic |
US11862503B2 (en) | 2010-11-18 | 2024-01-02 | Monolithic 3D Inc. | Method for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers |
US11031275B2 (en) | 2010-11-18 | 2021-06-08 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with memory |
US11443971B2 (en) | 2010-11-18 | 2022-09-13 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with memory |
US11004719B1 (en) | 2010-11-18 | 2021-05-11 | Monolithic 3D Inc. | Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure |
US11854857B1 (en) | 2010-11-18 | 2023-12-26 | Monolithic 3D Inc. | Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers |
US11121021B2 (en) | 2010-11-18 | 2021-09-14 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US11923230B1 (en) | 2010-11-18 | 2024-03-05 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with bonding |
US11615977B2 (en) | 2010-11-18 | 2023-03-28 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor memory device and structure |
US11211279B2 (en) | 2010-11-18 | 2021-12-28 | Monolithic 3D Inc. | Method for processing a 3D integrated circuit and structure |
US11094576B1 (en) | 2010-11-18 | 2021-08-17 | Monolithic 3D Inc. | Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure |
US11610802B2 (en) | 2010-11-18 | 2023-03-21 | Monolithic 3D Inc. | Method for producing a 3D semiconductor device and structure with single crystal transistors and metal gate electrodes |
US8975670B2 (en) | 2011-03-06 | 2015-03-10 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure for heat removal |
US10388568B2 (en) | 2011-06-28 | 2019-08-20 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and system |
FR2978600B1 (fr) | 2011-07-25 | 2014-02-07 | Soitec Silicon On Insulator | Procede et dispositif de fabrication de couche de materiau semi-conducteur |
TWI573198B (zh) * | 2011-09-27 | 2017-03-01 | 索泰克公司 | 在三度空間集積製程中轉移材料層之方法及其相關結構與元件 |
FR2981501B1 (fr) * | 2011-10-17 | 2016-05-13 | Soitec Silicon On Insulator | Procédé de transfert de couches matériau dans des processus d’intégration 3d et structures et dispositifs associes |
US8673733B2 (en) | 2011-09-27 | 2014-03-18 | Soitec | Methods of transferring layers of material in 3D integration processes and related structures and devices |
US8841742B2 (en) | 2011-09-27 | 2014-09-23 | Soitec | Low temperature layer transfer process using donor structure with material in recesses in transfer layer, semiconductor structures fabricated using such methods |
US8687399B2 (en) | 2011-10-02 | 2014-04-01 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
US9029173B2 (en) | 2011-10-18 | 2015-05-12 | Monolithic 3D Inc. | Method for fabrication of a semiconductor device and structure |
US9000557B2 (en) | 2012-03-17 | 2015-04-07 | Zvi Or-Bach | Semiconductor device and structure |
US11410912B2 (en) | 2012-04-09 | 2022-08-09 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device with vias and isolation layers |
US11594473B2 (en) | 2012-04-09 | 2023-02-28 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path |
US11616004B1 (en) | 2012-04-09 | 2023-03-28 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path |
US11476181B1 (en) | 2012-04-09 | 2022-10-18 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers |
US11881443B2 (en) | 2012-04-09 | 2024-01-23 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path |
US11735501B1 (en) | 2012-04-09 | 2023-08-22 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path |
US10600888B2 (en) | 2012-04-09 | 2020-03-24 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device |
US11088050B2 (en) | 2012-04-09 | 2021-08-10 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device with isolation layers |
US11694944B1 (en) | 2012-04-09 | 2023-07-04 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path |
US11164811B2 (en) | 2012-04-09 | 2021-11-02 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device with isolation layers and oxide-to-oxide bonding |
US8557632B1 (en) | 2012-04-09 | 2013-10-15 | Monolithic 3D Inc. | Method for fabrication of a semiconductor device and structure |
US9481566B2 (en) | 2012-07-31 | 2016-11-01 | Soitec | Methods of forming semiconductor structures including MEMS devices and integrated circuits on opposing sides of substrates, and related structures and devices |
US8686428B1 (en) | 2012-11-16 | 2014-04-01 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
US8574929B1 (en) | 2012-11-16 | 2013-11-05 | Monolithic 3D Inc. | Method to form a 3D semiconductor device and structure |
US8674470B1 (en) | 2012-12-22 | 2014-03-18 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
US11217565B2 (en) | 2012-12-22 | 2022-01-04 | Monolithic 3D Inc. | Method to form a 3D semiconductor device and structure |
US11916045B2 (en) | 2012-12-22 | 2024-02-27 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers |
US11784169B2 (en) | 2012-12-22 | 2023-10-10 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers |
US11961827B1 (en) | 2012-12-22 | 2024-04-16 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers |
US11063024B1 (en) | 2012-12-22 | 2021-07-13 | Monlithic 3D Inc. | Method to form a 3D semiconductor device and structure |
US11018116B2 (en) | 2012-12-22 | 2021-05-25 | Monolithic 3D Inc. | Method to form a 3D semiconductor device and structure |
US11309292B2 (en) | 2012-12-22 | 2022-04-19 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers |
US11967583B2 (en) | 2012-12-22 | 2024-04-23 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers |
US9871034B1 (en) | 2012-12-29 | 2018-01-16 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
US11177140B2 (en) | 2012-12-29 | 2021-11-16 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US10903089B1 (en) | 2012-12-29 | 2021-01-26 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US10115663B2 (en) | 2012-12-29 | 2018-10-30 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US9385058B1 (en) | 2012-12-29 | 2016-07-05 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
US10651054B2 (en) | 2012-12-29 | 2020-05-12 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US11087995B1 (en) | 2012-12-29 | 2021-08-10 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US11430668B2 (en) | 2012-12-29 | 2022-08-30 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with bonding |
US11004694B1 (en) | 2012-12-29 | 2021-05-11 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US11430667B2 (en) | 2012-12-29 | 2022-08-30 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with bonding |
US10600657B2 (en) | 2012-12-29 | 2020-03-24 | Monolithic 3D Inc | 3D semiconductor device and structure |
US10892169B2 (en) | 2012-12-29 | 2021-01-12 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US11935949B1 (en) | 2013-03-11 | 2024-03-19 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells |
US8902663B1 (en) | 2013-03-11 | 2014-12-02 | Monolithic 3D Inc. | Method of maintaining a memory state |
US11869965B2 (en) | 2013-03-11 | 2024-01-09 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells |
US10325651B2 (en) | 2013-03-11 | 2019-06-18 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device with stacked memory |
US10840239B2 (en) | 2014-08-26 | 2020-11-17 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US11088130B2 (en) | 2014-01-28 | 2021-08-10 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US8994404B1 (en) | 2013-03-12 | 2015-03-31 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
US11923374B2 (en) | 2013-03-12 | 2024-03-05 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with metal layers |
US11398569B2 (en) | 2013-03-12 | 2022-07-26 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US10224279B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-03-05 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
US9117749B1 (en) | 2013-03-15 | 2015-08-25 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
US11030371B2 (en) | 2013-04-15 | 2021-06-08 | Monolithic 3D Inc. | Automation for monolithic 3D devices |
US11341309B1 (en) | 2013-04-15 | 2022-05-24 | Monolithic 3D Inc. | Automation for monolithic 3D devices |
US11720736B2 (en) | 2013-04-15 | 2023-08-08 | Monolithic 3D Inc. | Automation methods for 3D integrated circuits and devices |
US11487928B2 (en) | 2013-04-15 | 2022-11-01 | Monolithic 3D Inc. | Automation for monolithic 3D devices |
US11270055B1 (en) | 2013-04-15 | 2022-03-08 | Monolithic 3D Inc. | Automation for monolithic 3D devices |
US11574109B1 (en) | 2013-04-15 | 2023-02-07 | Monolithic 3D Inc | Automation methods for 3D integrated circuits and devices |
US9021414B1 (en) | 2013-04-15 | 2015-04-28 | Monolithic 3D Inc. | Automation for monolithic 3D devices |
US11107808B1 (en) | 2014-01-28 | 2021-08-31 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US10297586B2 (en) | 2015-03-09 | 2019-05-21 | Monolithic 3D Inc. | Methods for processing a 3D semiconductor device |
US11031394B1 (en) | 2014-01-28 | 2021-06-08 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US11056468B1 (en) | 2015-04-19 | 2021-07-06 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US11011507B1 (en) | 2015-04-19 | 2021-05-18 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US10825779B2 (en) | 2015-04-19 | 2020-11-03 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US10381328B2 (en) | 2015-04-19 | 2019-08-13 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
FR3036200B1 (fr) * | 2015-05-13 | 2017-05-05 | Soitec Silicon On Insulator | Methode de calibration pour equipements de traitement thermique |
US11956952B2 (en) | 2015-08-23 | 2024-04-09 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor memory device and structure |
US11978731B2 (en) | 2015-09-21 | 2024-05-07 | Monolithic 3D Inc. | Method to produce a multi-level semiconductor memory device and structure |
WO2017053329A1 (en) | 2015-09-21 | 2017-03-30 | Monolithic 3D Inc | 3d semiconductor device and structure |
US10522225B1 (en) | 2015-10-02 | 2019-12-31 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device with non-volatile memory |
US10847540B2 (en) | 2015-10-24 | 2020-11-24 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor memory device and structure |
US11114464B2 (en) | 2015-10-24 | 2021-09-07 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US10418369B2 (en) | 2015-10-24 | 2019-09-17 | Monolithic 3D Inc. | Multi-level semiconductor memory device and structure |
US11991884B1 (en) | 2015-10-24 | 2024-05-21 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure with logic and memory |
US11296115B1 (en) | 2015-10-24 | 2022-04-05 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor device and structure |
US11114427B2 (en) | 2015-11-07 | 2021-09-07 | Monolithic 3D Inc. | 3D semiconductor processor and memory device and structure |
US11937422B2 (en) | 2015-11-07 | 2024-03-19 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor memory device and structure |
US11711928B2 (en) | 2016-10-10 | 2023-07-25 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory devices and structures with control circuits |
US11930648B1 (en) | 2016-10-10 | 2024-03-12 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory devices and structures with metal layers |
US11812620B2 (en) | 2016-10-10 | 2023-11-07 | Monolithic 3D Inc. | 3D DRAM memory devices and structures with control circuits |
US11869591B2 (en) | 2016-10-10 | 2024-01-09 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory devices and structures with control circuits |
US11251149B2 (en) | 2016-10-10 | 2022-02-15 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory device and structure |
US11329059B1 (en) | 2016-10-10 | 2022-05-10 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory devices and structures with thinned single crystal substrates |
US11763864B2 (en) | 2019-04-08 | 2023-09-19 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory semiconductor devices and structures with bit-line pillars |
US11296106B2 (en) | 2019-04-08 | 2022-04-05 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory semiconductor devices and structures |
US11018156B2 (en) | 2019-04-08 | 2021-05-25 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory semiconductor devices and structures |
US10892016B1 (en) | 2019-04-08 | 2021-01-12 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory semiconductor devices and structures |
US11158652B1 (en) | 2019-04-08 | 2021-10-26 | Monolithic 3D Inc. | 3D memory semiconductor devices and structures |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5955070A (ja) * | 1982-09-24 | 1984-03-29 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
USH569H (en) * | 1984-09-28 | 1989-01-03 | Motorola Inc. | Charge storage depletion region discharge protection |
JPH0650738B2 (ja) * | 1990-01-11 | 1994-06-29 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
US5198371A (en) * | 1990-09-24 | 1993-03-30 | Biota Corp. | Method of making silicon material with enhanced surface mobility by hydrogen ion implantation |
FR2681472B1 (fr) * | 1991-09-18 | 1993-10-29 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur. |
FR2714524B1 (fr) * | 1993-12-23 | 1996-01-26 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une structure en relief sur un support en materiau semiconducteur |
-
1996
- 1996-04-11 FR FR9604517A patent/FR2747506B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-04-08 SG SG1997001067A patent/SG52946A1/en unknown
- 1997-04-09 DE DE69738278T patent/DE69738278T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-04-09 MY MYPI97001544A patent/MY123810A/en unknown
- 1997-04-09 EP EP97400815A patent/EP0801419B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1997-04-10 JP JP09233097A patent/JP4222644B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1997-04-11 US US08/834,035 patent/US6103597A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-04-11 KR KR1019970013371A patent/KR100467755B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-04-22 TW TW086105202A patent/TW359857B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2747506B1 (fr) | 1998-05-15 |
JPH1041242A (ja) | 1998-02-13 |
US6103597A (en) | 2000-08-15 |
KR970072460A (ko) | 1997-11-07 |
FR2747506A1 (fr) | 1997-10-17 |
EP0801419A1 (fr) | 1997-10-15 |
EP0801419B1 (fr) | 2007-11-14 |
MY123810A (en) | 2006-06-30 |
TW359857B (en) | 1999-06-01 |
SG52946A1 (en) | 1998-09-28 |
KR100467755B1 (ko) | 2005-06-20 |
DE69738278D1 (de) | 2007-12-27 |
DE69738278T2 (de) | 2008-09-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4222644B2 (ja) | 特に電子構成品を含む半導体材料薄膜の製法 | |
JP4049834B2 (ja) | 半導体材料薄膜の製造方法 | |
US6306730B2 (en) | Method of fabricating an SOI wafer and SOI wafer fabricated by the method | |
JP4310503B2 (ja) | イオン打込ステップを備えるとともに、イオンから保護された領域を具備した、特に半導体膜からなる、薄膜を得るための方法 | |
KR100704107B1 (ko) | 박층의반도체재료를제조하는방법 | |
US5877070A (en) | Method for the transfer of thin layers of monocrystalline material to a desirable substrate | |
JP3048201B2 (ja) | 半導体材料薄膜の製造方法 | |
KR100614860B1 (ko) | 원하는 기판 상에 단결정 물질의 박막을 전달하는 방법 | |
KR100776381B1 (ko) | 접합웨이퍼의 제조방법 및 그 방법으로 제조된 접합웨이퍼 | |
JP3900741B2 (ja) | Soiウェーハの製造方法 | |
JPH11145436A (ja) | 張り合わせsoi基板及びその製造方法 | |
JPH06236976A (ja) | Soi及びその構成方法 | |
JP2001512906A (ja) | 固体材料からなる薄膜の作製方法 | |
KR20090018848A (ko) | 방사 어닐링을 이용하여 제조되는 반도체-온-인슐레이터 구조 | |
JP2008513990A (ja) | 共注入および続いて注入を行うことにより薄層を得るための方法 | |
US6995075B1 (en) | Process for forming a fragile layer inside of a single crystalline substrate | |
US20020187619A1 (en) | Gettering process for bonded SOI wafers | |
JP3412470B2 (ja) | Soi基板の製造方法 | |
JP3456521B2 (ja) | Soi基板の製造方法 | |
KR20100027947A (ko) | 감소된 secco 결함 밀도를 갖는 반도체-온-절연체 기판의 제조 방법 | |
JPH07297377A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US11195711B2 (en) | Healing method before transfer of a semiconducting layer | |
JPH11186187A (ja) | Soi基板の製造方法 | |
JPH11191617A (ja) | Soi基板の製造方法 | |
JPH10335616A (ja) | Soi基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040126 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050824 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070814 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20071114 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20071119 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20071214 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20071219 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080115 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080118 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080214 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080530 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080918 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20080829 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20081006 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081021 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081118 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111128 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121128 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121128 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121128 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121128 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131128 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |