JP4219164B2

JP4219164B2 - ナノクリスタライトの調製

Info

Publication number: JP4219164B2
Application number: JP2002548750A
Authority: JP
Inventors: マウンギージー．バウェンディー，; ネイサンイー．スコット，
Original assignee: Massachusetts Institute of Technology
Current assignee: Massachusetts Institute of Technology
Priority date: 2000-12-08
Filing date: 2001-12-06
Publication date: 2009-02-04
Anticipated expiration: 2021-12-06
Also published as: EP2399733B1; US6821337B2; EP2399733A3; WO2002047117A2; JP2008184382A; US6576291B2; US20030209105A1; US20020071952A1; EP1377438B1; US7138098B2; JP2004515441A; WO2002047117A3; EP2399733A2; US20050084443A1; EP1377438A2; CA2431153C; AU2002225855A1; EP1377438A4; CA2431153A1

Description

【０００１】
（連邦政府委託研究または開発）
本発明は、ＮａｔｉｏｎａｌＳｃｉｅｎｃｅＦｏｕｎｄａｔｉｏｎのＣｏｎｔｒａｃｔＮｏ．ＤＭＲ−９８−０８９４１の下で政府の支援によりなされた。政府は、本発明において特定の権利を有し得る。
【０００２】
（技術分野）
本発明は、ナノクリスタライトを製造する方法に関する。
【０００３】
（背景）
小さな直径を有するナノクリスタライトは、分子とかさ高い形態の物質との間の中間の特性を有し得る。例えば、小さな直径を有する半導体材料に基づくナノクリスタライトは、３つ全ての寸法において、電子および正孔の両方の量子制限（ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ）を示し得、これにより、クリスタライトのサイズの減少と共に、この材料の有効バンドギャップにおける増加が生じる。結果的に、ナノクリスタライトの光学的な吸収および発光の両方は、このクリスタライトのサイズが増加するにつれて、青色に（すなわち、高エネルギーに）シフトする。
【０００４】
単分散性半導体ナノクリスタライトの調製方法は、加熱した配位溶媒に注入された有機金属試薬（例えば、ジメチルカドミウム）の熱分解を含む。これは、個別の核形成を可能にし、そして巨視的量のナノクリスタライトの制御された成長を生じる。有機金属試薬は、高価であり、危険であり、かつ取り扱いが困難であり得る。
【０００５】
（要旨）
本発明は、ナノクリスタライトを製造する方法を特徴とする。このナノクリスタライトは、１５０Å未満の直径を有する。このナノクリスタライトは、狭いサイズ分布を有するナノクリスタライトのメンバーであり得る。このナノクリスタライトは、球形、棒形、円盤形または他の形状であり得る。このナノクリスタライトは、半導体材料のコアを含み得る。コアは、このコアの表面上にオーバーコーティングを有し得る。このオーバーコーティングは、このコアの組成とは異なる組成を有する半導体材料であり得る。半導体ナノクリスタライトは、光ルミネセンス物質（ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅ）であり得、かつ高い発光量子効率を有し得る。この方法は、Ｍ含有塩からナノクリスタライトを形成する。このナノクリスタライトは、式ＭＸを有するコアを含み得、ここで、Ｍは、カドミウム、亜鉛、マグネシウム、水銀、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウムまたはそれらの混合物であり、そしてＸは、酸素、硫黄、セレン、テルル、窒素、リン、ヒ素、アンチモンまたはそれらの混合物である。このＭ含有塩は、ナノクリスタライト中のＭの供給源であり得る。Ｘ含有化合物は、ナノクリスタライト中のＸの供給源であり得る。
【０００６】
このＭ含有塩は、空気感受性であるか、自燃性であるか、または揮発性であり得る典型的な有機金属試薬と比較して、安全で安価な、ナノクリスタライトを製造するための出発物質であり得る。このＭ含有塩は、有機金属試薬と比較して、空気感受性でも、自燃性でも、揮発性でもない。
【０００７】
１つの局面において、本発明は、ナノクリスタライトを製造する方法を特徴とする。この方法は、金属ＭまたはＭ含有塩、および還元剤を接触させて、Ｍ含有前駆体を形成する工程を包含し、ここで、Ｍは、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｈｇ、Ａｌ、Ｇａ、ＩｎまたはＴｌである。このＭ含有前駆体を、Ｘドナーと接触させ、ここで、Ｘは、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｎ、Ｐ、ＡｓまたはＳｂである。次いで、この混合物を、アミンの存在下で加熱して、ナノクリスタライトを形成する。特定の実施形態において、加熱は、配位溶媒の存在下で行われ得る。
【０００８】
別の局面において、本発明は、ナノクリスタライトを製造する方法を特徴とし、この方法は、金属Ｍ、またはＭ含有塩、および還元剤を接触させて、Ｍ含有前駆体を形成する工程、このＭ含有前駆体をＸドナーと接触させる工程、およびこの混合物を加熱して、ナノクリスタライトを形成する工程、を包含する。特定の実施形態において、加熱は、配位溶媒の存在下で行われ得る。
【０００９】
別の局面において、本発明は、ナノクリスタライトを製造する方法を特徴とし、この方法は、金属Ｍ、またはＭ含有塩、アミンおよびＸドナーを接触させる工程、およびこの混合物を加熱して、ナノクリスタライトを形成する工程を包含する。
【００１０】
さらに別の局面において、本発明は、コアのナノクリスタライトをオーバーコートする方法を特徴とする。この方法は、コアのナノクリスタライト集団を、Ｍ含有塩、Ｘドナーおよびアミンと接触させる工程、および式ＭＸを有するオーバーコーティングをこのコアの表面上に形成する工程を包含する。特定の実施形態において、配位溶媒が存在し得る。
【００１１】
アミンは、一級アミン（例えば、Ｃ_８〜Ｃ_２０アルキルアミン）であり得る。還元剤は、Ｍ含有塩のＭを還元し得る穏やかな還元剤であり得る。適切な還元剤としては、１，２−ジオールまたはアルデヒドが挙げられる。この１，２−ジオールは、Ｃ_６〜Ｃ_２０アルキルジオールであり得る。このアルデヒドは、Ｃ_６〜Ｃ_２０アルデヒドであり得る。Ｍ含有塩としては、ハライド、カルボキシレート、カルボネート、ヒドロキシドまたはジケトネートが挙げられ得る。Ｘドナーとしては、ホスフィンカルコゲニド、ビス（シリル）カルコゲニド、二酸素、アンモニウム塩またはトリス（シリル）ピニクチドが挙げられ得る。
【００１２】
ナノクリスタライトは、少なくとも１０％、好ましくは少なくとも２０％、さらに好ましくは少なくとも４０％の量子効率を有する光ルミネセンス物質であり得る。このナノクリスタライトは、約２０Å〜約１２５Åの範囲の粒子サイズ（例えば、このナノクリスタライトが球形である場合の平均直径）を有し得る。このナノクリスタライトは、実質的に単分散性のコア集団のメンバーであり得る。この集団は、半波高全幅値（ＦＷＨＭ）において約７５ｎｍを越えないスペクトル範囲、好ましくは６０ｎｍを越えないスペクトル範囲のＦＷＨＭ、より好ましくは４０ｎｍを越えないスペクトル範囲のＦＷＨＭ、最も好ましくは３０ｎｍを越えないスペクトル範囲のＦＷＨＭの光を発光し得る。この集団は、ナノクリスタライトの直径において１５％未満のＲＭＳ偏差、好ましくは、１０％未満のＲＭＳ偏差、より好ましくは５％未満のＲＭＳ偏差を示し得る。
【００１３】
この方法は、ナノクリスタライトを含む集団のサイズ分布をモニタリングする工程、このサイズ分布の広がりに応答して、混合物の温度を下げる工程、または成長が停止したようであることをモニタリングが示した時に応答して、この混合物の温度を上げる工程、を包含し得る。この方法はまた、ナノクリスタライトを、このナノクリスタライトの表面に対して親和性を有する化合物に暴露する工程を包含し得る。
【００１４】
この方法は、ナノクリスタライトの表面上に半導体材料のオーバーコートを形成する工程を包含し得る。この半導体材料は、ＩＩ−ＶＩ、ＩＩＩ−ＶまたはＩＶ族の半導体（例えば、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＯ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＭｇＯ、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＭｇＴｅ、ＨｇＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＴｌＮ、ＴｌＰ、ＴｌＡｓ、ＴｌＳｂまたはそれらの混合物）であり得る。
【００１５】
本発明の１つ以上の実施形態の詳細は、以下の説明に記載される。本発明の他の特徴、目的および利点は、この記載および特許請求の範囲から明らかである。
【００１６】
（詳細な説明）
ナノクリスタライトを製造する方法は、コロイド成長プロセスである。コロイドの成長は、Ｍ含有塩およびＸドナーを、アミンを含む加熱した配位溶媒に迅速に注入することによって、生じる。この注入により、制御された様式で成長し得る核が生成され、ナノクリスタライトが形成される。反応混合物を穏やかに加熱して、ナノクリスタライトを成長させてこのナノクリスタライトをアニールし得る。サンプル中のナノクリスタライトの平均サイズおよびサイズ分布の両方は、成長温度に依存する。この成長温度は、安定成長を維持するために必要な成長温度は、平均結晶サイズと共に増加する。このナノクリスタライトは、ナノクリスタライトの集団のメンバーである。
【００１７】
分散した核形成および制御された成長の結果として、得られるナノクリスタライトの集団は、狭い単分散分布の直径を有する。単分散分布の直径はまた、サイズとして参照され得る。核形成に続く、制御された成長およびナノクリスタライトの配位溶媒におけるアニーリングのプロセスはまた、均一な表面の誘導体化および規則的なコア構造を生じ得る。サイズ分布が鋭くなるにつれて、定常的な成長を維持するための温度は、上昇し得る。さらにＭ含有塩またはＸドナーを添加することによって、成長期間は、短くなり得る。
【００１８】
Ｍ含有塩は、非有機金属化合物（例えば、金属−炭素結合を含まない化合物）である。Ｍは、カドミウム、亜鉛、マグネシウム、水銀、アルミニウム、ガリウム、インジウムまたはタリウムである。Ｍ含有塩は、金属ハライド、金属カルボキシレート、金属カーボネート、金属ヒドロキシド、または金属ジケトネート（例えば、金属アセチルアセトネート）であり得る。Ｍ含有塩は、有機金属化合物（例えば、金属アルキル）よりもあまり高価ではなく、使用がより安全である。例えば、Ｍ含有塩は、空気中で安定であるが、金属アルキルは、空気中において一般的に不安定である。２，４−ペンタンジオネート（すなわち、アセチルアセトネート（ａｃａｃ））、ハライド、カルボキシレート、ヒドロキシド、またはカーボネートの塩のようなＭ含有塩は、空気中で安定であり、これにより、ナノクリスタライトが、対応する金属アルキルよりもあまり厳密でない条件下で製造され得る。
【００１９】
適切なＭ含有塩としては、カドミウムアセチルアセトネート、ヨウ化カドミウム、臭化カドミウム、水酸化カドミウム、炭酸カドミウム、酢酸カドミウム、亜鉛アセチルアセトネート、ヨウ化亜鉛、臭化亜鉛、水酸化亜鉛、炭酸亜鉛、酢酸亜鉛、マグネシウムアセチルアセトネート、ヨウ化マグネシウム、臭化マグネシウム、水酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、酢酸マグネシウム、水銀アセチルアセトネート、ヨウ化水銀、臭化水銀、水酸化水銀、炭酸水銀、酢酸水銀、アルミニウムアセチルアセトネート、ヨウ化アルミニウム、臭化アルミニウム、水酸化アルミニウム、炭酸アルミニウム、酢酸アルミニウム、ガリウムアセチルアセトネート、ヨウ化ガリウム、臭化ガリウム、水酸化ガリウム、炭酸ガリウム、酢酸ガリウム、インジウムアセチルアセトネート、ヨウ化インジウム、臭化インジウム、水酸化インジウム、炭酸インジウム、酢酸インジウム、タリウムアセチルアセトネート、ヨウ化タリウム、臭化タリウム、水酸化タリウム、炭酸タリウム、または酢酸タリウムが挙げられる。
【００２０】
アルキルは、１〜１００個の炭素原子、好ましくは、１〜３０個の炭素原子の分枝または非分枝の飽和炭化水素基（例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、オクチル、デシル、テトラデシル、ヘキサデシル、エイコシル、テトラコシルなど、ならびにシクロアルキル基（例えば、シクロペンチル、シクロヘキシルなど））である。必要に応じて、アルキルは、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｍ−および−ＮＲ−（ここで、Ｒは、水素、あるいはＣ_１〜Ｃ_８アルキルまたは低級アルケニルである）からなる群より選択される１〜６個の連結を含み得る。
【００２１】
Ｍ含有塩をＸドナーと組み合わせる前に、Ｍ含有塩は、配位溶媒および１，２−ジオールまたはアルデヒドと接触されて、Ｍ含有前駆体を形成し得る。１，２−ジオールまたはアルデヒドは、Ｍ含有塩とＸドナーとの間の反応を促進し得、そしてこのプロセスにおいて得られるナノクリスタライトの成長プロセスおよび品質を改良する。１，２−ジオールまたはアルデヒドは、Ｃ_６〜Ｃ_２０１，２−ジオールまたはＣ_６〜Ｃ_２０アルデヒドであり得る。適切な１，２−ジオールは、１，２−ヘキサデカンジオールであり、そして適切なアルデヒドは、ドデカナールである。
【００２２】
Ｘドナーは、Ｍ含有塩と反応して、一般式ＭＸを有する材料を形成し得る化合物である。代表的には、Ｘドナーは、カルコゲニドドナーまたはピニクチドドナー（例えば、ホスフィンカルコゲニド、ビス（シリル）カルコゲニド、二酸素、アンモニウム塩、またはトリス（シリル）ピニクチド）である。適切なＸドナーとしては、二酸素、ビス（トリメチルシリル）セレニド（（ＴＭＳ）_２Ｓｅ）、トリアルキルホスフィンセレニド（例えば、（トリ−ｎ−オクチルホスフィン）セレニド（ＴＯＰＳｅ）または（トリ−ｎ−ブチルホスフィン）セレニド（ＴＢＰＳｅ））、トリアルキルホスフィンテルリド（例えば、（トリ−ｎ−オクチルホスフィン）テルリド（ＴＯＰＴｅ）またはヘキサプロピルホスホラストリアミドテルリド（ＨＰＰＴＴｅ））、ビス（トリメチルシリル）テルリド（（ＴＭＳ）_２Ｔｅ）、硫黄、ビス（トリメチルシリル）スルフィド（（ＴＭＳ）_２Ｓ）、トリアルキルホスフィンスルフィド（例えば、（トリ−ｎ−オクチルホスフィン）スルフィド（ＴＯＰＳ））、トリス（ジメチルアミノ）アルシン、アンモニウム塩（例えば、ハロゲン化アンモニウム（例えば、ＮＨ_４Ｃｌ））、トリス（トリメチルシリル）ホスフィド（（ＴＭＳ）_３Ｐ）、トリス（トリメチルシリル）アルセニド（（ＴＭＳ）_３Ａｓ）、またはトリス（トリメチルシリル）アンチモニド（（ＴＭＳ）_３Ｓｂ）が挙げられる。
【００２３】
配位溶媒は、ナノクリスタライトの成長を制御するのを助け得る。配位溶媒は、例えば、成長しているナノクリスタライトの表面に配位するために利用し得る孤立電子対を有する、ドナー孤立対を有する化合物である。溶媒の配位は、成長するナノクリスタライトを安定化し得る。代表的な配位溶媒としては、アルキルホスフィンおよびアルキルホスフィンオキシドが挙げられるが、しかし、他の配位溶媒（例えば、ピリジン、フラン、およびアミン）もまた、ナノクリスタライト生成に適し得る。適切な配位溶媒の例としては、トリ−ｎ−オクチルホスフィン（ＴＯＰ）およびトリ−ｎ−オクチルホスフィンオキシド（ＴＯＰＯ）が挙げられる。技術的グレードのＴＯＰＯが使用され得る。
【００２４】
Ｍ含有塩から製造されるナノクリスタライトは、配位溶媒がアミンを含む場合、制御された様式で成長する。好ましくは、配位溶媒は、１０：９０、より好ましくは、３０：７０、そして最も好ましくは５０：５０のモル比の、アミンおよびアルキルホスフィンオキシドの混合物である。組み合わせた溶媒は、サイズ分散を減少し得、そしてナノクリスタライトの光ルミネセンス量子収量を改善し得る。
【００２５】
配位溶媒におけるアミンが、Ｍ含有塩およびＸドナーから得られたナノクリスタライトの質に寄与する。好ましいアミンは、第１級アルキルアミン（例えば、Ｃ_２〜Ｃ_２０アルキルアミン、好ましくは、Ｃ_８〜Ｃ_１８アルキルアミン）である。トリ−オクチルホスフィンオキシド（ＴＯＰＯ）と組み合わせるための１つの適切なアミンは、５０：５０のモル比の１−ヘキサデシルアミンである。１，２−ジオールまたはアルデヒドおよびアミンがＭ含有塩と組み合わせて使用されて、集団のナノクリスタライトを形成する場合、光ルミネセンス量子効率およびナノクリスタライトサイズの分布は、１，２−ジオールもアルデヒドもアミンも用いないで製造したナノクリスタライトと比較して改善されている。
【００２６】
反応の成長段階の間のサイズ分布は、粒子の吸収線幅をモニターすることによって推定され得る。粒子の吸収スペクトルにおける変化に応答した反応温度の改変によって、成長の間の鋭い粒子サイズ分布の維持が可能になる。反応物は、より大きな結晶を成長させるために結晶の成長の間、核形成溶液に添加され得る。特定のナノクリスタライト平均直径での成長の停止および半導体材料の適切な組成の選択によって、ナノクリスタライトの発光スペクトルは、４００ｎｍ〜８００ｎｍの波長範囲にわたって、連続的に調製され得る。ナノクリスタライトは、１５０Å未満の直径を有する。集団のナノクリスタライトは、２０Å〜１２５Åの範囲の平均直径を有する。
【００２７】
半導体材料から構成されるナノクリスタライトは、量子制限（ｑｕａｎｔｕｍｃｏｎｆｉｎｅｄ）半導体材料のバンドギャップに対応する周波数を有する発光波長で発光を生じさせるために、吸収波長の光源で照射され得る。バンドギャップは、ナノクリスタライトのサイズの関数である。集団のナノクリスタライトの狭いサイズ分布は、狭いスペクトル範囲の発光を生じ得る。約７５ｎｍ以下、好ましくは６０ｎｍ以下、より好ましくは４０ｎｍ以下、そして最も好ましくは、３０ｎｍ以下の半波高全幅値（ＦＷＨＭ）の狭い範囲のスペクトルの発光が観測され得る。光ルミネセンスの幅は、ナノクリスタライトの直径の分散が減少するにつれて、減少する。
【００２８】
粒子サイズ分布は、ナノクリスタライトに対する貧溶媒（例えば、米国出願番号０８／９６９，３０２（本明細書中に参考として援用される）に記載されるようなメタノール／ブタノール）でのサイズ選択沈殿によって、さらに洗練され得る。例えば、ナノクリスタライトは、ヘキサン中１０％ブタノールの溶液中に分散され得る。この攪拌溶液に、乳光が持続するまで、メタノールが滴下され得る。遠心分離による上清および凝集物の分離により、サンプル中で最も大きな結晶が富化された沈殿物が生じる。この手順は、光学吸収スペクトルにおけるさらなるシャープニングが記録されなくなるまで、繰り返され得る。サイズ選択沈澱は、種々の溶媒／非溶媒の対（ピリジン／ヘキサンおよびクロロホルム／メタノールが挙げられる）において、実施され得る。サイズ選択されたナノクリスタライト集団は、平均直径からの１５％以下のＲＭＳ偏差、好ましくは、１０％以下のＲＭＳ偏差、そしてより好ましくは、５％以下のＲＭＳ偏差を有し得る。
【００２９】
透過電子顕微鏡法（ＴＥＭ）が、ナノクリスタライト集団のサイズ、形状、および分布に関する情報を提供し得る。粉末Ｘ線回折（ＸＲＤ）パターンは、ナノクリスタライトの結晶構造の型および品質に関する、最も完全な情報を提供し得る。サイズの推定がまた、可能であった。なぜなら、粒子の直径は、Ｘ線可干渉距離を介して、ピーク幅に逆比例するからである。例えば、ナノクリスタライトの直径は、透過電子顕微鏡法によって直接的に測定され得るか、または例えば、Ｓｃｈｅｒｒｅｒの等式を使用して、Ｘ線回折データから推定され得る。ナノクリスタライトの直径はまた、ＵＶ／Ｖｉｓ吸収スペクトルから推定され得る。
【００３０】
この方法はまた、コア半導体材料をオーバーコートするために使用され得る。オーバーコーティングは、このコアの発光の量子効率を改善し得る。半導体のバンドオフセットは、潜在的なシェル材料のどれが、電子と正孔との両方に対するエネルギー障壁を提供するかを決定する。例えば、ＺｎＳ、ＺｎＳｅまたはＣｄＳのオーバーコーティングが、ＣｄＳｅまたはＣｄＴｅのナノクリスタライト上で成長し得る。オーバーコーティングプロセスは、米国出願番号０８／９６９，３０２（その全体が本明細書中に参考として援用される）に記載されている。オーバーコーティングは、Ｍ含有塩およびＸドナーを含む混合物に、アミンの存在下で、コアを接触させる工程を包含する方法によって、成長される。オーバーコーティングの間の反応混合物の温度を調節すること、およびコアの吸収スペクトルをモニタリングすることによって、高い発光量子効率および狭いサイズ分布を有する、オーバーコーティングされる材料が、得られ得る。
【００３１】
ナノクリスタライトの外側表面は、成長プロセスの間に使用された配位溶媒由来の有機層を備える。この表面は、過剰の競合配位基に繰り返し曝露することによって、修飾され得る。例えば、キャップされたナノクリスタライトの分散物は、配位有機化合物（例えば、ピリジン）で処理されて、ピリジン、メタノール、および芳香族中には容易に分散するが、脂肪族溶媒中にはもはや分散しないクリスタライトを生成し得る。このような表面交換プロセスは、ナノクリスタライトの外側表面に配位または結合する任意の化合物（例えば、ホスフィン、チオール、アミンおよびホスフェートが挙げられる）を用いて、実施され得る。ナノクリスタライトは、表面に対して親和性を示し、そして懸濁媒体または分散媒体に対する親和性を有する部分で終結する、短鎖ポリマーに曝露され得る。このような親和性は、ナノクリスタライトの懸濁の安定性を改善し、そして凝集を妨げる。
【００３２】
ナノクリスタライトは、種々の適用（同時係属中の共有にかかる米国特許出願番号０９／１５６，８６３（１９９８年９月１８日出願）、同０９／１６０，４５４（１９９８年９月２４日出願）、同０９／１６０，４５８（１９９８年９月２４日出願）、および同０９／３５０，９５６（１９９９年７月９日出願）（これらの全てが、本明細書中に参考として援用される）に開示される適用が挙げられる）に適切であり得る。例えば、ナノクリスタライトは、エレクトロルミネセンスデバイス（例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）または交流薄膜エレクトロルミネセンスデバイス（ＡＣＴＦＥＬＤ））を含むオプトエレクトロニックデバイスにおいて使用され得る。
【００３３】
（実施例）
（ナノクリスタライトの合成）
全ての反応を、乾燥アルゴン雰囲気下で行った。トリ−オクチルホスフィンオキシド（ＴＯＰＯ）を、Ｓｔｒｅｍから入手した。トリ−オクチルホスフィン（ＴＯＰ）を、Ｆｌｕｋａから入手し、１−ヘキサデシルアミンを、Ａｌｄｒｉｃｈから入手し、そして２，４−ペンタンジオン酸カドミウム（カドミウムアセチルアセトネート（ｃａｄｍｉｕｍａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）（Ｃｄ（ａｃａｃ）_２））を、Ａｌｆａから入手した。他の出発物質を、Ａｌｄｒｉｃｈから入手した。
【００３４】
Ｃｄ前駆体混合物を、８ｍＬ（１８ｍｍｏｌ）のトリ−オクチルホスフィン（ＴＯＰ）、４２７．４ｍｇ（１．３８ｍｍｏｌ）のＣｄ（ａｃａｃ）_２、および７９２．６ｍｇ（３．０７ｍｍｏｌ）の１，２−ヘキサデカンジオールを混合することによって、調製した。この混合物を１００ミリトルで脱気し、そして乾燥アルゴンで３回パージした。次いで、この混合物を１００℃で９０分間攪拌し、蝋状のゲルを得た。Ｃｄ前駆体を、室温に冷却した。
【００３５】
セレン化トリオクチルホスフィン（ＴＯＰＳｅ）の１Ｍのストック溶液を、０．１モルのセレンショット（ｓｅｌｅｎｉｕｍｓｈｏｔ）を１００ｍＬのＴＯＰに、乾燥アルゴン雰囲気下で溶解することによって、調製した。２ｍＬの、ＴＯＰ中１モル濃度のＴＯＰＳｅを、Ｃｄ前駆体混合物に攪拌しながら入れ、そしてこれらの材料の組み合わせを、乾燥アルゴン下でシリンジに装填した。
【００３６】
９．２５ｇ（２４ｍｍｏｌ）のトリ−オクチルホスフィンオキシド（ＴＯＰＯ）および５．７５ｇ（２４ｍｍｏｌ）の１−ヘキサデシルアミンを乾燥し、そして三口丸底フラスコ中で攪拌しながら、１６０℃６０ミリトルで２時間脱気した。このフラスコの雰囲気に、１気圧で乾燥アルゴンを充填し、そして融解した反応溶媒の温度を、１６０℃から３６０℃に上昇させた。シリンジ中の反応混合物を、攪拌溶媒に手早く注入し、そして加熱を一時的に除去した。温度は、２６５℃に低下した。次いで、ＣｄＳｅナノクリスタライトの制御された成長のために、熱を加えて２７５℃の温度に上昇させた。
【００３７】
定期的に、反応溶液の一部（アリコート）を、隔壁（セプタム）を通して、シリンジを介して取り出し、そしてナノクリスタライト成長の可視吸収スペクトル分析のために、ヘキサンで希釈した。一旦、目標のナノクリスタライトサイズが得られたら、反応溶液の温度を１００℃に低下させ、そして成長溶液を一晩攪拌した。
【００３８】
この合成手順は、ＣｄＳｅナノクリスタライトを、Ｃｄ含有出発物質としてヨウ化カドミウム、臭化カドミウム、炭酸カドミウム、酢酸カドミウム、または水酸化カドミウムを使用して得た。金属カドミウムをＣｄ含有出発物質として使用する場合、このＣｄ前駆体物質を、金属カドミウムが溶解するまで、金属カドミウム、ＴＯＰおよび１，２−ヘキサデカンジオールと混合することによって、調製した。次いで、この前駆体溶液をＴＯＰＳｅストック溶液と混合し、そして１００℃で１２時間攪拌した。次いで、この溶液を配位溶媒と混合して、ナノクリスタライトを成長させた。
【００３９】
（ナノクリスタライトの吸収スペクトルおよび光ルミネセンススペクトル）
吸収スペクトルを、ＨｅｗｌｅｔｔＰａｃｋａｒｄＭｏｄｅｌ８４５３Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ−Ｖｉｓｉｂｌｅ（ＵＶ／Ｖｉｓ）Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒで測定した。発光スペクトルを、ＳＰＥＸ１６８００．２２ｍＤｏｕｂｌｅＳｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒで、メタノール中のローダミン５９０を量子効率の参照として使用して、測定した。
【００４０】
ＣｄＳｅナノクリスタライトの平均直径を、ＵＶ／Ｖｉｓ吸収スペクトルから、成長後に約３８Åと推定した。吸収スペクトルの第１、第２および第３の特徴の分解は、このナノクリスタライトのサイズ分布が比較的狭く、５％未満のＲＭＳ偏差であることを示す。ＣｄＳｅナノクリスタライト発光の量子効率は、５００ｎｍの光で照射した場合、１０．２５％±０．７５％であった。
【００４１】
本発明の多数の実施形態が記載された。それにもかかわらず、種々の改変が、本発明の意図および範囲から逸脱することなくなされ得ることが、理解される。例えば、本明細書中に記載された方法および手順は、主として、セレン化カドミウムまたは硫化亜鉛の材料を調製する方法に関した。しかし、これらの方法は、他の金属カルコゲニドおよびピニクチド材料に拡張され得ることが、当業者に明らかである。従って、他の実施形態は、添付の特許請求の範囲の範囲内である。

Claims

ナノクリスタライトを製造する方法であって、該方法は、以下：
金属ＭまたはＭ含有塩、および還元剤を接触させて、Ｍ含有前駆体を形成する工程であって、ここで、Ｍは、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｈｇ、Ａｌ、Ｇａ、ＩｎまたはＴｌである、工程；
該Ｍ含有前駆体を、Ｘドナーと接触させて、混合物を形成する工程であって、ここで、Ｘは、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｎ、Ｐ、ＡｓまたはＳｂである、工程；および
アミンの存在下で該混合物を加熱して、ナノクリスタライトを形成する、工程、
を包含する、方法。
前記アミンが、１級アミンである、請求項１に記載の方法。
前記１級アミンが、Ｃ_８〜Ｃ_２０アルキルアミンである、請求項２に記載の方法。
前記還元剤が、１，２−ジオールまたはアルデヒドを含む、請求項３に記載の方法。
前記１，２−ジオールが、Ｃ_６〜Ｃ_２０アルキルジオールであるか、または前記アルデヒドが、Ｃ_６〜Ｃ_２０アルデヒドである、請求項４に記載の方法。
前記Ｍ含有塩が、ハライド、カルボキシレート、カルボネート、ヒドロキシドまたはジケトネートを含む、請求項１に記載の方法。
請求項１に記載の方法であって、前記Ｍ含有塩が、カドミウムアセチルアセトネート、ヨウ化カドミウム、臭化カドミウム、水酸化カドミウム、炭酸カドミウム、酢酸カドミウム、亜鉛アセチルアセトネート、ヨウ化亜鉛、臭化亜鉛、水酸化亜鉛、炭酸亜鉛、酢酸亜鉛、マグネシウムアセチルアセトネート、ヨウ化マグネシウム、臭化マグネシウム、水酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、酢酸マグネシウム、水銀アセチルアセトネート、ヨウ化水銀、臭化水銀、水酸化水銀、炭酸水銀、酢酸水銀、アルミニウムアセチルアセトネート、ヨウ化アルミニウム、臭化アルミニウム、水酸化アルミニウム、炭酸アルミニウム、酢酸アルミニウム、ガリウムアセチルアセトネート、ヨウ化ガリウム、臭化ガリウム、水酸化ガリウム、炭酸ガリウム、酢酸ガリウム、インジウムアセチルアセトネート、ヨウ化インジウム、臭化インジウム、水酸化インジウム、炭酸インジウム、酢酸インジウム、タリウムアセチルアセトネート、ヨウ化タリウム、臭化タリウム、水酸化タリウム、炭酸タリウム、または酢酸タリウムを含む、方法。
請求項４に記載の方法であって、前記１級アミンが、Ｃ_８〜Ｃ_２０アルキルアミンであり、前記１，２−ジオールが、Ｃ_６〜Ｃ_２０アルキルジオールであり、そして前記Ｍ含有塩が、ハライド、カルボキシレート、カルボネート、ヒドロキシドまたはジケトネートである、方法。
請求項１に記載の方法であって、前記Ｘドナーが、ホスフィンカルコゲニド、ビス（シリル）カルコゲニド、二酸素、アンモニウム塩、またはトリス（シリル）ピニクチドを含む、方法。
前記ナノクリスタライトが、少なくとも１０％の量子効率を有する光ルミネセンス物質である、請求項１に記載の方法。
前記ナノクリスタライトを含む集団のサイズ分布をモニタリングする工程をさらに包含する、請求項１に記載の方法。
前記サイズ分布の広がりに応答して、前記混合物の温度を下げる工程をさらに包含する、請求項１１に記載の方法。
成長が停止したことをモニタリングが示した時に応答して、前記混合物の温度を上げる工程さらに包含する、請求項１１に記載の方法。
前記ナノクリスタライトが、２０Å〜１２５Åの範囲の粒子サイズを有する、請求項１に記載の方法。
前記加熱する工程が、配位溶媒の存在下で実施される、請求項１に記載の方法。
前記ナノクリスタライトの表面に対して親和性を有する有機化合物に、前記ナノクリスタライトを曝露する工程をさらに包含する、請求項１に記載の方法。
前記ナノクリスタライトの表面上に、半導体材料のオーバーコーティングを形成する工程をさらに包含する、請求項１に記載の方法。
前記半導体材料が、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、またはそれらの混合物である、請求項１７に記載の方法。
前記ナノクリスタライトが、単分散性のコア集団のメンバーである、請求項１に記載の方法。
前記集団が、７５ｎｍ以下の半波高全幅値（ＦＷＨＭ）のスペクトル範囲の光を発光する、請求項１９に記載の方法。
前記集団が、ナノクリスタライトの直径において１５％ｒｍｓ未満の偏差を示す、請求項１９に記載の方法。
ナノクリスタライトを製造する方法であって、該方法は、以下：
金属ＭまたはＭ含有塩、および還元剤を接触させて、Ｍ含有前駆体を形成する工程であって、ここで、Ｍは、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｈｇ、Ａｌ，Ｇａ、ＩｎまたはＴｌである、工程；
該Ｍ含有前駆体を、Ｘドナーと接触させて、混合物を形成する工程であって、ここで、Ｘは、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｎ、Ｐ、ＡｓまたはＳｂである、工程；および
該混合物を加熱して、ナノクリスタライトを形成する、工程、
を包含する、方法。
請求項２２に記載の方法であって、前記還元剤が、１，２−ジオールまたはアルデヒドを含み、そして前記Ｍ含有塩が、ハライド、カルボキシレート、カルボネート、ヒドロキシドまたはジケトネートを含む、方法。