JP4169088B2 - シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜及びその製造方法、並びに電子部品 - Google Patents
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 572
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 title claims description 283
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 148
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 126
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 114
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 114
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 103
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 85
- -1 alkylene glycol monoalkyl ether Chemical class 0.000 claims description 79
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 62
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 38
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 35
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 35
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 34
- 239000003039 volatile agent Substances 0.000 claims description 32
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 27
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical group COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 3-propoxypropan-1-ol Chemical group CCCOCCCO LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 19
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical group CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 17
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 17
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 17
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 claims description 15
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 13
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 12
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 11
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 10
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 claims description 9
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 claims description 8
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims description 8
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 claims description 7
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 4
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims description 4
- 229920002732 Polyanhydride Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000233 poly(alkylene oxides) Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 2
- 101100020663 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) ppm-1 gene Proteins 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 392
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 65
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 description 59
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 47
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 43
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 29
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 27
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 26
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 25
- 230000008569 process Effects 0.000 description 22
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 22
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 21
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 21
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 20
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 20
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 16
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 11
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 11
- 229940022663 acetate Drugs 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000009471 action Effects 0.000 description 9
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 9
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 9
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 9
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 9
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 9
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- KUCWUAFNGCMZDB-UHFFFAOYSA-N 2-amino-3-nitrophenol Chemical compound NC1=C(O)C=CC=C1[N+]([O-])=O KUCWUAFNGCMZDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 8
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 8
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical class CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 7
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 7
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C(CN1CC2=C(CC1)NN=N2)=O HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WZFUQSJFWNHZHM-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 WZFUQSJFWNHZHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 235000002597 Solanum melongena Nutrition 0.000 description 6
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 6
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 6
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 6
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 5
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N Butylmethacrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)=C SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910008051 Si-OH Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910006358 Si—OH Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N ethyl acetate Substances CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 4
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 4
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 4
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 4
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 4
- LDXJRKWFNNFDSA-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]ethanone Chemical compound C1CN(CC2=NNN=C21)CC(=O)N3CCN(CC3)C4=CN=C(N=C4)NCC5=CC(=CC=C5)OC(F)(F)F LDXJRKWFNNFDSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N Caprylic acid Natural products CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003668 acetyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(=O)O[*] 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 125000005907 alkyl ester group Chemical group 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 3
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N (2s)-2-[[4-[2-(2,4-diaminoquinazolin-6-yl)ethyl]benzoyl]amino]-4-methylidenepentanedioic acid Chemical compound C1=CC2=NC(N)=NC(N)=C2C=C1CCC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CC(=C)C(O)=O)C(O)=O)C=C1 NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N 0.000 description 2
- SUOOZFRDMVSBLL-KSBRXOFISA-L (z)-but-2-enedioate;tetramethylazanium Chemical compound C[N+](C)(C)C.C[N+](C)(C)C.[O-]C(=O)\C=C/C([O-])=O SUOOZFRDMVSBLL-KSBRXOFISA-L 0.000 description 2
- OHVLMTFVQDZYHP-UHFFFAOYSA-N 1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-2-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]ethanone Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)C(CN1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)=O OHVLMTFVQDZYHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QWOZZTWBWQMEPD-UHFFFAOYSA-N 1-(2-ethoxypropoxy)propan-2-ol Chemical compound CCOC(C)COCC(C)O QWOZZTWBWQMEPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-ethoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOCC RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCOCC(C)OC(C)=O LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DMFAHCVITRDZQB-UHFFFAOYSA-N 1-propoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCCOCC(C)OC(C)=O DMFAHCVITRDZQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OJVAMHKKJGICOG-UHFFFAOYSA-N 2,5-hexanedione Chemical compound CC(=O)CCC(C)=O OJVAMHKKJGICOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCOCCOCCOC(C)=O FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZKCAGDPACLOVBN-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethylbutoxy)ethanol Chemical compound CCC(CC)COCCO ZKCAGDPACLOVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hexoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCCCOCCOCCO GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-Oxohexane Chemical compound CCCCC(C)=O QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SFPNZPQIIAJXGL-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCOCCOC(=O)C(C)=C SFPNZPQIIAJXGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FWWXYLGCHHIKNY-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl prop-2-enoate Chemical compound CCOCCOC(=O)C=C FWWXYLGCHHIKNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YIWUKEYIRIRTPP-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexan-1-ol Chemical compound CCCCC(CC)CO YIWUKEYIRIRTPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UPGSWASWQBLSKZ-UHFFFAOYSA-N 2-hexoxyethanol Chemical compound CCCCCCOCCO UPGSWASWQBLSKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWZMWHWAWHPNHN-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropyl prop-2-enoate Chemical compound CC(O)COC(=O)C=C GWZMWHWAWHPNHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPRQEDXDYOZYLA-UHFFFAOYSA-N 2-methylbutan-1-ol Chemical compound CCC(C)CO QPRQEDXDYOZYLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RUMACXVDVNRZJZ-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(C)COC(=O)C(C)=C RUMACXVDVNRZJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CFVWNXQPGQOHRJ-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropyl prop-2-enoate Chemical compound CC(C)COC(=O)C=C CFVWNXQPGQOHRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethanol Chemical compound OCCOC1=CC=CC=C1 QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]propan-1-one Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CCC(=O)N1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ALYNCZNDIQEVRV-UHFFFAOYSA-N 4-aminobenzoic acid Chemical compound NC1=CC=C(C(O)=O)C=C1 ALYNCZNDIQEVRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acrylate Chemical compound CCOC(=O)C=C JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 125000005396 acrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XXROGKLTLUQVRX-UHFFFAOYSA-N allyl alcohol Chemical compound OCC=C XXROGKLTLUQVRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUKGYYKBILRGFE-UHFFFAOYSA-N benzyl acetate Chemical compound CC(=O)OCC1=CC=CC=C1 QUKGYYKBILRGFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N butan-2-ol Chemical compound CCC(C)O BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 2
- KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N caprylic alcohol Natural products CCCCCCCCO KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N decan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCO MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 229940019778 diethylene glycol diethyl ether Drugs 0.000 description 2
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=C SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N ethyl propionate Chemical compound CCOC(=O)CC FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 2
- GAEKPEKOJKCEMS-UHFFFAOYSA-N gamma-valerolactone Chemical compound CC1CCC(=O)O1 GAEKPEKOJKCEMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LNCPIMCVTKXXOY-UHFFFAOYSA-N hexyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCCCCOC(=O)C(C)=C LNCPIMCVTKXXOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LNMQRPPRQDGUDR-UHFFFAOYSA-N hexyl prop-2-enoate Chemical compound CCCCCCOC(=O)C=C LNMQRPPRQDGUDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 2
- GJRQTCIYDGXPES-UHFFFAOYSA-N isobutyl acetate Chemical compound CC(C)COC(C)=O GJRQTCIYDGXPES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N isopropyl acetate Chemical compound CC(C)OC(C)=O JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010534 mechanism of action Effects 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LVQPBIMCRZQQBC-UHFFFAOYSA-N methoxymethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound COCOC(=O)C(C)=C LVQPBIMCRZQQBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SINFYWWJOCXYFD-UHFFFAOYSA-N methoxymethyl prop-2-enoate Chemical compound COCOC(=O)C=C SINFYWWJOCXYFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZWRUINPWMLAQRD-UHFFFAOYSA-N nonan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCO ZWRUINPWMLAQRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FBUKVWPVBMHYJY-UHFFFAOYSA-N nonanoic acid Chemical compound CCCCCCCCC(O)=O FBUKVWPVBMHYJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GJQIMXVRFNLMTB-UHFFFAOYSA-N nonyl acetate Chemical compound CCCCCCCCCOC(C)=O GJQIMXVRFNLMTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N pentan-2-one Chemical compound CCCC(C)=O XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N pentan-3-one Chemical compound CCC(=O)CC FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYDSPAVLTMAXHT-UHFFFAOYSA-N pentyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCCCOC(=O)C(C)=C GYDSPAVLTMAXHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N pentyl acetate Chemical compound CCCCCOC(C)=O PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ULDDEWDFUNBUCM-UHFFFAOYSA-N pentyl prop-2-enoate Chemical compound CCCCCOC(=O)C=C ULDDEWDFUNBUCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N pent‐4‐en‐2‐one Natural products CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 2
- 229960005323 phenoxyethanol Drugs 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 229920002503 polyoxyethylene-polyoxypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOQSSGDQNWEFSX-UHFFFAOYSA-N propan-2-yl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(C)OC(=O)C(C)=C BOQSSGDQNWEFSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LYBIZMNPXTXVMV-UHFFFAOYSA-N propan-2-yl prop-2-enoate Chemical compound CC(C)OC(=O)C=C LYBIZMNPXTXVMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNWSMNKRGNKRKP-UHFFFAOYSA-M propanoate;tetramethylazanium Chemical compound CCC([O-])=O.C[N+](C)(C)C XNWSMNKRGNKRKP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- NHARPDSAXCBDDR-UHFFFAOYSA-N propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCOC(=O)C(C)=C NHARPDSAXCBDDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N propyl acetate Chemical compound CCCOC(C)=O YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNXMTCDJUBJHQJ-UHFFFAOYSA-N propyl prop-2-enoate Chemical compound CCCOC(=O)C=C PNXMTCDJUBJHQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N sebacic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCCCC(O)=O CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- FPGGTKZVZWFYPV-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium fluoride Chemical compound [F-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC FPGGTKZVZWFYPV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- MRYQZMHVZZSQRT-UHFFFAOYSA-M tetramethylazanium;acetate Chemical compound CC([O-])=O.C[N+](C)(C)C MRYQZMHVZZSQRT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- KJFVITRRNTVAPC-UHFFFAOYSA-L tetramethylazanium;sulfate Chemical compound C[N+](C)(C)C.C[N+](C)(C)C.[O-]S([O-])(=O)=O KJFVITRRNTVAPC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N triethoxysilane Chemical compound CCO[SiH](OCC)OCC QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- OYHQOLUKZRVURQ-NTGFUMLPSA-N (9Z,12Z)-9,10,12,13-tetratritiooctadeca-9,12-dienoic acid Chemical compound C(CCCCCCC\C(=C(/C\C(=C(/CCCCC)\[3H])\[3H])\[3H])\[3H])(=O)O OYHQOLUKZRVURQ-NTGFUMLPSA-N 0.000 description 1
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FFJCNSLCJOQHKM-CLFAGFIQSA-N (z)-1-[(z)-octadec-9-enoxy]octadec-9-ene Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCOCCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC FFJCNSLCJOQHKM-CLFAGFIQSA-N 0.000 description 1
- LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethoxyethane Chemical compound CCOCCOCC LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940058015 1,3-butylene glycol Drugs 0.000 description 1
- LDVVTQMJQSCDMK-UHFFFAOYSA-N 1,3-dihydroxypropan-2-yl formate Chemical compound OCC(CO)OC=O LDVVTQMJQSCDMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNXJIVFYUVYPPR-UHFFFAOYSA-N 1,3-dioxolane Chemical compound C1COCO1 WNXJIVFYUVYPPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LAVARTIQQDZFNT-UHFFFAOYSA-N 1-(1-methoxypropan-2-yloxy)propan-2-yl acetate Chemical compound COCC(C)OCC(C)OC(C)=O LAVARTIQQDZFNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDXHBFHOEYVPED-UHFFFAOYSA-N 1-(2-butoxyethoxy)butane Chemical compound CCCCOCCOCCCC GDXHBFHOEYVPED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZVBBTZJMSWGTK-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]butane Chemical compound CCCCOCCOCCOCCCC KZVBBTZJMSWGTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQGIBEAIDUOVOH-UHFFFAOYSA-N 1-[2-[2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethoxy]ethoxy]butane Chemical compound CCCCOCCOCCOCCOCCOCCCC MQGIBEAIDUOVOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYSCBCSGKXNZRH-UHFFFAOYSA-N 1-benzothiophene-2-carboxamide Chemical compound C1=CC=C2SC(C(=O)N)=CC2=C1 GYSCBCSGKXNZRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPIUIOXAFBGMNB-UHFFFAOYSA-N 1-hexoxyhexane Chemical compound CCCCCCOCCCCCC BPIUIOXAFBGMNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IXHBSOXJLNEOPY-UHFFFAOYSA-N 2'-anilino-6'-(n-ethyl-4-methylanilino)-3'-methylspiro[2-benzofuran-3,9'-xanthene]-1-one Chemical compound C=1C=C(C2(C3=CC=CC=C3C(=O)O2)C2=CC(NC=3C=CC=CC=3)=C(C)C=C2O2)C2=CC=1N(CC)C1=CC=C(C)C=C1 IXHBSOXJLNEOPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWBIJARKDOFDAN-UHFFFAOYSA-N 2,5-dimethyl-1,4-dioxane Chemical compound CC1COC(C)CO1 AWBIJARKDOFDAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CKCGJBFTCUCBAJ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxypropoxy)propyl acetate Chemical compound CCOC(C)COC(C)COC(C)=O CKCGJBFTCUCBAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OLQFXOWPTQTLDP-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hydroxyethoxy)ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCOCCO OLQFXOWPTQTLDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWXMAAYKJDQVTF-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hydroxyethoxy)ethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOCCOC(=O)C=C RWXMAAYKJDQVTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZKLMKZINKNMVKA-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hydroxypropoxy)propan-1-ol;2-methylprop-2-enoic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O.CC(O)COC(C)CO ZKLMKZINKNMVKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJINVQNEBGOMCR-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound COCCOCCOC(C)=O BJINVQNEBGOMCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQLKZWRSOHTERR-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylbutyl acetate Chemical compound CCC(CC)COC(C)=O HQLKZWRSOHTERR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 2-Methyl-4-heptanone Chemical compound CC(C)CC(=O)CC(C)C PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQKZRWSUJHVIPE-UHFFFAOYSA-N 2-Pentanol acetate Chemical compound CCCC(C)OC(C)=O GQKZRWSUJHVIPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-ethoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCOCCOCCOCCO WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-hydroxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(O)COC(C)COC(C)CO LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDHQGBWMLCBNSM-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]ethyl acetate Chemical compound COCCOCCOCCOC(C)=O SDHQGBWMLCBNSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound COC(C)COC(C)COC(C)CO WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BYVKCQBOHJQWIO-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl propanoate Chemical compound CCOCCOC(=O)CC BYVKCQBOHJQWIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TZYRSLHNPKPEFV-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-1-butanol Chemical compound CCC(CC)CO TZYRSLHNPKPEFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOYWLLHHWAMFCB-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexyl acetate Chemical compound CCCCC(CC)COC(C)=O WOYWLLHHWAMFCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CETWDUZRCINIHU-UHFFFAOYSA-N 2-heptanol Chemical compound CCCCCC(C)O CETWDUZRCINIHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHSHLMUCYSAUQU-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropyl methacrylate Chemical compound CC(O)COC(=O)C(C)=C VHSHLMUCYSAUQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VAHNPAMCADTGIO-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl propanoate Chemical compound CCC(=O)OCCOC VAHNPAMCADTGIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PFNHSEQQEPMLNI-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-pentanol Chemical compound CCCC(C)CO PFNHSEQQEPMLNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSXVEPNJUHWQHW-UHFFFAOYSA-N 2-methylbutan-2-ol Chemical compound CCC(C)(C)O MSXVEPNJUHWQHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JWUJQDFVADABEY-UHFFFAOYSA-N 2-methyltetrahydrofuran Chemical compound CC1CCCO1 JWUJQDFVADABEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPVFWPFBNIEHGJ-UHFFFAOYSA-N 2-octanone Chemical compound CCCCCCC(C)=O ZPVFWPFBNIEHGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGIGUEBEKRSTEW-UHFFFAOYSA-N 2-vinylpyridine Chemical class C=CC1=CC=CC=N1 KGIGUEBEKRSTEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PKNKULBDCRZSBT-UHFFFAOYSA-N 3,4,5-trimethylnonan-2-one Chemical compound CCCCC(C)C(C)C(C)C(C)=O PKNKULBDCRZSBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YHCCCMIWRBJYHG-UHFFFAOYSA-N 3-(2-ethylhexoxymethyl)heptane Chemical compound CCCCC(CC)COCC(CC)CCCC YHCCCMIWRBJYHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 3-methoxy-1-butanol Chemical compound COC(C)CCO JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQWCXKGKQLNYQG-UHFFFAOYSA-N 4-methylcyclohexan-1-ol Chemical compound CC1CCC(O)CC1 MQWCXKGKQLNYQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 4-methylcyclohexan-1-one Chemical compound CC1CCC(=O)CC1 VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBKMJZAKWQTTHC-UHFFFAOYSA-N 4-methyldioxolane Chemical compound CC1COOC1 LBKMJZAKWQTTHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWQSAIIDOMEEOD-UHFFFAOYSA-N 5,5-Dimethyl-4-(3-oxobutyl)dihydro-2(3H)-furanone Chemical compound CC(=O)CCC1CC(=O)OC1(C)C AWQSAIIDOMEEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 8beta-(2,3-epoxy-2-methylbutyryloxy)-14-acetoxytithifolin Natural products COC(=O)C(C)O LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- MRABAEUHTLLEML-UHFFFAOYSA-N Butyl lactate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)O MRABAEUHTLLEML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLTGMIOSTSUEES-UHFFFAOYSA-N CCCCO[SiH](C(C)CC)OCCCC Chemical compound CCCCO[SiH](C(C)CC)OCCCC NLTGMIOSTSUEES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SEPBJJVLMHUVFJ-UHFFFAOYSA-N COCC(C)O.C(C)(=O)O.C(C)(=O)O.C(C)(=O)O Chemical compound COCC(C)O.C(C)(=O)O.C(C)(=O)O.C(C)(=O)O SEPBJJVLMHUVFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNACEUVRQVIFKU-UHFFFAOYSA-N C[Si](OC(C)CC)(OC(C)CC)C.C[Si](OCCCC)(OCCCC)C Chemical compound C[Si](OC(C)CC)(OC(C)CC)C.C[Si](OCCCC)(OCCCC)C PNACEUVRQVIFKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YYLLIJHXUHJATK-UHFFFAOYSA-N Cyclohexyl acetate Chemical compound CC(=O)OC1CCCCC1 YYLLIJHXUHJATK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N D-Glucitol Natural products OC[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N 0.000 description 1
- GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N Decanoic acid Natural products CCCCCCCCCC(O)=O GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical compound CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004166 Lanolin Substances 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WRQNANDWMGAFTP-UHFFFAOYSA-N Methylacetoacetic acid Chemical compound COC(=O)CC(C)=O WRQNANDWMGAFTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKIZCWYLBDKLSU-UHFFFAOYSA-M N,N,N-Trimethylmethanaminium chloride Chemical compound [Cl-].C[N+](C)(C)C OKIZCWYLBDKLSU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKRZOJADNVOXPM-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid dibutyl ester Chemical compound CCCCOC(=O)C(=O)OCCCC JKRZOJADNVOXPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020177 SiOF Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229930182558 Sterol Natural products 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical class [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical class C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NOKSMMGULAYSTD-UHFFFAOYSA-N [SiH4].N=C=O Chemical compound [SiH4].N=C=O NOKSMMGULAYSTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHOYOEMNKHWZOO-UHFFFAOYSA-N acetic acid;2-methoxyethyl acetate Chemical compound CC(O)=O.COCCOC(C)=O OHOYOEMNKHWZOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTHCBXJLLCHNMS-UHFFFAOYSA-N acetyloxysilicon Chemical compound CC(=O)O[Si] BTHCBXJLLCHNMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 1
- 125000005250 alkyl acrylate group Chemical group 0.000 description 1
- OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N alpha-ethylcaproic acid Natural products CCCCC(CC)C(O)=O OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DTOSIQBPPRVQHS-PDBXOOCHSA-N alpha-linolenic acid Chemical compound CC\C=C/C\C=C/C\C=C/CCCCCCCC(O)=O DTOSIQBPPRVQHS-PDBXOOCHSA-N 0.000 description 1
- 235000020661 alpha-linolenic acid Nutrition 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960004050 aminobenzoic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- VUEDNLCYHKSELL-UHFFFAOYSA-N arsonium Chemical class [AsH4+] VUEDNLCYHKSELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229960004365 benzoic acid Drugs 0.000 description 1
- 229940007550 benzyl acetate Drugs 0.000 description 1
- GONOPSZTUGRENK-UHFFFAOYSA-N benzyl(trichloro)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)CC1=CC=CC=C1 GONOPSZTUGRENK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEVFICDEOWFKDU-UHFFFAOYSA-N bis[(2-methylpropan-2-yl)oxy]-di(propan-2-yl)silane Chemical compound CC(C)(C)O[Si](C(C)C)(OC(C)(C)C)C(C)C GEVFICDEOWFKDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQFDPFMHQDISLB-UHFFFAOYSA-N bis[(2-methylpropan-2-yl)oxy]-diphenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OC(C)(C)C)(OC(C)(C)C)C1=CC=CC=C1 UQFDPFMHQDISLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NZJRLFDIDIUMPD-UHFFFAOYSA-N bis[(2-methylpropan-2-yl)oxy]-dipropylsilane Chemical compound CCC[Si](CCC)(OC(C)(C)C)OC(C)(C)C NZJRLFDIDIUMPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- LVTRKEHNNCDSFT-UHFFFAOYSA-N butan-2-yl(tributoxy)silane Chemical compound CCCCO[Si](OCCCC)(OCCCC)C(C)CC LVTRKEHNNCDSFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJIYGHLYACICO-UHFFFAOYSA-N butan-2-yl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C(C)CC LQJIYGHLYACICO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMSAPKJTBARTTR-UHFFFAOYSA-N butan-2-yl(trimethoxy)silane Chemical compound CCC(C)[Si](OC)(OC)OC AMSAPKJTBARTTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RONSXPITPXQAOB-UHFFFAOYSA-N butan-2-yl(triphenoxy)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](OC=1C=CC=CC=1)(C(C)CC)OC1=CC=CC=C1 RONSXPITPXQAOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNYVMXJXGNLANE-UHFFFAOYSA-N butan-2-yl(tripropoxy)silane Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)C(C)CC DNYVMXJXGNLANE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWWATCWHACTGNY-UHFFFAOYSA-N butan-2-yl-tri(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CCC(C)[Si](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C TWWATCWHACTGNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MEHVCONOYXANDH-UHFFFAOYSA-N butan-2-yl-tris(2-methylpropoxy)silane Chemical compound CC(C)CO[Si](C(C)CC)(OCC(C)C)OCC(C)C MEHVCONOYXANDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTJISXQZLVVFLZ-UHFFFAOYSA-N butan-2-yl-tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silane Chemical compound CCC(C)[Si](OC(C)(C)C)(OC(C)(C)C)OC(C)(C)C MTJISXQZLVVFLZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019437 butane-1,3-diol Nutrition 0.000 description 1
- BTMVHUNTONAYDX-UHFFFAOYSA-N butyl propionate Chemical compound CCCCOC(=O)CC BTMVHUNTONAYDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGZGKDQVCBHSGI-UHFFFAOYSA-N butyl(triethoxy)silane Chemical compound CCCC[Si](OCC)(OCC)OCC XGZGKDQVCBHSGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXPLZNMUBFBFIA-UHFFFAOYSA-N butyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCC[Si](OC)(OC)OC SXPLZNMUBFBFIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGCNPMTZBJEZKT-UHFFFAOYSA-N butyl(triphenoxy)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](OC=1C=CC=CC=1)(CCCC)OC1=CC=CC=C1 OGCNPMTZBJEZKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRBSDIBKIHSJH-UHFFFAOYSA-N butyl(tripropoxy)silane Chemical compound CCCC[Si](OCCC)(OCCC)OCCC GNRBSDIBKIHSJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OOWHVJAPAMPBEX-UHFFFAOYSA-N butyl-tri(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CCCC[Si](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C OOWHVJAPAMPBEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UDBSIDNLTVMQQL-UHFFFAOYSA-N butyl-tris(2-methylpropoxy)silane Chemical compound CCCC[Si](OCC(C)C)(OCC(C)C)OCC(C)C UDBSIDNLTVMQQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKYFXXILHWZHP-UHFFFAOYSA-N butyl-tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silane Chemical compound CCCC[Si](OC(C)(C)C)(OC(C)(C)C)OC(C)(C)C ZOKYFXXILHWZHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 1
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- VTYMPZNKHJYGEH-UHFFFAOYSA-N di(butan-2-yl)-bis[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silane Chemical compound CCC(C)[Si](OC(C)(C)C)(OC(C)(C)C)C(C)CC VTYMPZNKHJYGEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDYWFCBPMBXAJR-UHFFFAOYSA-N di(butan-2-yl)-di(butan-2-yloxy)silane Chemical compound CCC(C)O[Si](C(C)CC)(C(C)CC)OC(C)CC ZDYWFCBPMBXAJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNEGIHORRGJSED-UHFFFAOYSA-N di(butan-2-yl)-di(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CCC(C)[Si](OC(C)C)(OC(C)C)C(C)CC SNEGIHORRGJSED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSLASQQLPGVYSK-UHFFFAOYSA-N di(butan-2-yl)-diethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(C(C)CC)C(C)CC VSLASQQLPGVYSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVHRIKGOFGJBFM-UHFFFAOYSA-N di(butan-2-yl)-dimethoxysilane Chemical compound CCC(C)[Si](OC)(OC)C(C)CC HVHRIKGOFGJBFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUNCIGAMQTWZFC-UHFFFAOYSA-N di(butan-2-yl)-diphenoxysilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](C(C)CC)(C(C)CC)OC1=CC=CC=C1 CUNCIGAMQTWZFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LAGUJICBGGFHSR-UHFFFAOYSA-N di(butan-2-yl)-dipropoxysilane Chemical compound CCCO[Si](C(C)CC)(C(C)CC)OCCC LAGUJICBGGFHSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTABREFATMHOMD-UHFFFAOYSA-N di(butan-2-yloxy)-di(propan-2-yl)silane Chemical compound CCC(C)O[Si](C(C)C)(C(C)C)OC(C)CC NTABREFATMHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRUBSFJFECVMDK-UHFFFAOYSA-N di(butan-2-yloxy)-dibutylsilane Chemical compound CCCC[Si](CCCC)(OC(C)CC)OC(C)CC BRUBSFJFECVMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMFDNQISZRRQHX-UHFFFAOYSA-N di(butan-2-yloxy)-diethylsilane Chemical compound CCC(C)O[Si](CC)(CC)OC(C)CC UMFDNQISZRRQHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCTLKEGMWAHKOY-UHFFFAOYSA-N di(butan-2-yloxy)-diphenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OC(C)CC)(OC(C)CC)C1=CC=CC=C1 MCTLKEGMWAHKOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMIHKBXLARWWKA-UHFFFAOYSA-N di(butan-2-yloxy)-dipropylsilane Chemical compound CCC(C)O[Si](CCC)(CCC)OC(C)CC VMIHKBXLARWWKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RLSUVIXGIBHTCN-UHFFFAOYSA-N di(butan-2-yloxy)-ditert-butylsilane Chemical compound CCC(C)O[Si](C(C)(C)C)(C(C)(C)C)OC(C)CC RLSUVIXGIBHTCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLBLHAHQBJSHED-UHFFFAOYSA-N di(propan-2-yl)-dipropoxysilane Chemical compound CCCO[Si](C(C)C)(C(C)C)OCCC LLBLHAHQBJSHED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SHZPQCKUFYRFBI-UHFFFAOYSA-N di(propan-2-yloxy)-dipropylsilane Chemical compound CCC[Si](CCC)(OC(C)C)OC(C)C SHZPQCKUFYRFBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URSLNVMUSKPBTL-UHFFFAOYSA-N dibutoxy(dibutyl)silane Chemical compound CCCCO[Si](CCCC)(CCCC)OCCCC URSLNVMUSKPBTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGQFVQQCNPBJKC-UHFFFAOYSA-N dibutoxy(diethyl)silane Chemical compound CCCCO[Si](CC)(CC)OCCCC MGQFVQQCNPBJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BKGSSPASYNBWRR-UHFFFAOYSA-N dibutoxy(dipropyl)silane Chemical compound CCCCO[Si](CCC)(CCC)OCCCC BKGSSPASYNBWRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKCIXCWGOYSFPF-UHFFFAOYSA-N dibutoxy(ditert-butyl)silane Chemical compound CCCCO[Si](C(C)(C)C)(C(C)(C)C)OCCCC JKCIXCWGOYSFPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOMDWSFYXGEOTE-UHFFFAOYSA-N dibutoxy-di(propan-2-yl)silane Chemical compound CCCCO[Si](C(C)C)(C(C)C)OCCCC WOMDWSFYXGEOTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPJJIHSCJCNYLO-UHFFFAOYSA-N dibutoxysilane Chemical compound CCCCO[SiH2]OCCCC UPJJIHSCJCNYLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGPFXVBYDAVXLX-UHFFFAOYSA-N dibutyl(diethoxy)silane Chemical compound CCCC[Si](OCC)(OCC)CCCC DGPFXVBYDAVXLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YPENMAABQGWRBR-UHFFFAOYSA-N dibutyl(dimethoxy)silane Chemical compound CCCC[Si](OC)(OC)CCCC YPENMAABQGWRBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QDMXGHLVHDTPAA-UHFFFAOYSA-N dibutyl(diphenoxy)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](CCCC)(CCCC)OC1=CC=CC=C1 QDMXGHLVHDTPAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDJARFQAQIQMOG-UHFFFAOYSA-N dibutyl(dipropoxy)silane Chemical compound CCCC[Si](CCCC)(OCCC)OCCC ZDJARFQAQIQMOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYWGKTHCDIBIGL-UHFFFAOYSA-N dibutyl-bis[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silane Chemical compound CCCC[Si](OC(C)(C)C)(OC(C)(C)C)CCCC PYWGKTHCDIBIGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VNIJTNBFIJHUCJ-UHFFFAOYSA-N dibutyl-di(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CCCC[Si](OC(C)C)(OC(C)C)CCCC VNIJTNBFIJHUCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- ZMAPKOCENOWQRE-UHFFFAOYSA-N diethoxy(diethyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC)(CC)OCC ZMAPKOCENOWQRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZNQQQWFKKTOSD-UHFFFAOYSA-N diethoxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 ZZNQQQWFKKTOSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZLIIKNXMLEWPA-UHFFFAOYSA-N diethoxy(dipropyl)silane Chemical compound CCC[Si](CCC)(OCC)OCC HZLIIKNXMLEWPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVKJJEAEVBNODX-UHFFFAOYSA-N diethoxy-di(propan-2-yl)silane Chemical compound CCO[Si](C(C)C)(C(C)C)OCC VVKJJEAEVBNODX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYACBZDAHNBPPB-UHFFFAOYSA-N diethyl oxalate Chemical compound CCOC(=O)C(=O)OCC WYACBZDAHNBPPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSYLGGHSEIWGJV-UHFFFAOYSA-N diethyl(dimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](CC)(OC)OC VSYLGGHSEIWGJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFWOWQYGXPYINE-UHFFFAOYSA-N diethyl(diphenoxy)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](CC)(CC)OC1=CC=CC=C1 UFWOWQYGXPYINE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HKAGYJNZCWXVCS-UHFFFAOYSA-N diethyl-bis[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silane Chemical compound CC(C)(C)O[Si](CC)(CC)OC(C)(C)C HKAGYJNZCWXVCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWPNXHXXRLYCHZ-UHFFFAOYSA-N diethyl-di(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CC(C)O[Si](CC)(CC)OC(C)C ZWPNXHXXRLYCHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- ITKGZHIJCHURGN-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(3,3,3-trifluoropropyl)silane Chemical compound CO[SiH](OC)CCC(F)(F)F ITKGZHIJCHURGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)OC JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVUVKQDVTIIMOD-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dipropyl)silane Chemical compound CCC[Si](OC)(OC)CCC JVUVKQDVTIIMOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PHXBVCXQKBHRQP-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-bis(3,3,3-trifluoropropyl)silane Chemical compound FC(F)(F)CC[Si](OC)(CCC(F)(F)F)OC PHXBVCXQKBHRQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHPUZTHRFWIGAW-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-di(propan-2-yl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(C(C)C)C(C)C VHPUZTHRFWIGAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWLVAJXQIOKFSJ-UHFFFAOYSA-N dimethyl(diphenoxy)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](C)(C)OC1=CC=CC=C1 SWLVAJXQIOKFSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZIDTUTFKRRXWTK-UHFFFAOYSA-N dimethyl(dipropoxy)silane Chemical compound CCCO[Si](C)(C)OCCC ZIDTUTFKRRXWTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BGPNEHJZZDIFND-UHFFFAOYSA-N dimethyl-bis[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silane Chemical compound CC(C)(C)O[Si](C)(C)OC(C)(C)C BGPNEHJZZDIFND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPXCAJONOPIXJI-UHFFFAOYSA-N dimethyl-di(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CC(C)O[Si](C)(C)OC(C)C BPXCAJONOPIXJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N dimethyldiethoxysilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)OCC YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLDKQPMORVEBRU-UHFFFAOYSA-N diphenoxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 YLDKQPMORVEBRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFCVQVCWZYWWPV-UHFFFAOYSA-N diphenoxy(dipropyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](CCC)(CCC)OC1=CC=CC=C1 JFCVQVCWZYWWPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPKFEPIUGPNLAR-UHFFFAOYSA-N diphenoxy-di(propan-2-yl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](C(C)C)(C(C)C)OC1=CC=CC=C1 JPKFEPIUGPNLAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLAYMDSSGGBWQB-UHFFFAOYSA-N diphenyl(dipropoxy)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OCCC)(OCCC)C1=CC=CC=C1 SLAYMDSSGGBWQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAPWZQHBOVKNHP-UHFFFAOYSA-N diphenyl-di(propan-2-yloxy)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OC(C)C)(OC(C)C)C1=CC=CC=C1 QAPWZQHBOVKNHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVBCBOQFOQZNFK-UHFFFAOYSA-N dipropoxy(dipropyl)silane Chemical compound CCCO[Si](CCC)(CCC)OCCC AVBCBOQFOQZNFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWCASPKBFBALDG-UHFFFAOYSA-N ditert-butyl(diethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](C(C)(C)C)(C(C)(C)C)OCC GWCASPKBFBALDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OANIYCQMEVXZCJ-UHFFFAOYSA-N ditert-butyl(dimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(C(C)(C)C)C(C)(C)C OANIYCQMEVXZCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOMHHBWXYINIPW-UHFFFAOYSA-N ditert-butyl(diphenoxy)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](C(C)(C)C)(C(C)(C)C)OC1=CC=CC=C1 WOMHHBWXYINIPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AUSJIUIFKLDCQZ-UHFFFAOYSA-N ditert-butyl(dipropoxy)silane Chemical compound CCCO[Si](C(C)(C)C)(C(C)(C)C)OCCC AUSJIUIFKLDCQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYNFDMKJXYFHQ-UHFFFAOYSA-N ditert-butyl-bis[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silane Chemical compound CC(C)(C)O[Si](C(C)(C)C)(C(C)(C)C)OC(C)(C)C KDYNFDMKJXYFHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZTYWQHBJNMFSW-UHFFFAOYSA-N ditert-butyl-di(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CC(C)O[Si](C(C)(C)C)(C(C)(C)C)OC(C)C HZTYWQHBJNMFSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N doxepin Chemical compound C1OC2=CC=CC=C2C(=C/CCN(C)C)/C2=CC=CC=C21 ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 150000002085 enols Chemical class 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- DRIIOWCRDBYORK-UHFFFAOYSA-N ethane-1,2-diol;methyl acetate Chemical compound OCCO.COC(C)=O DRIIOWCRDBYORK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- IUYYGLKBJNMSPL-UHFFFAOYSA-N ethyl acetate;2-(2-hydroxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CCOC(C)=O.CC(O)COC(C)CO IUYYGLKBJNMSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N ethyl acetoacetate Chemical compound CCOC(=O)CC(C)=O XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N ethyl(trimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)OC SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HGWSCXYVBZYYDK-UHFFFAOYSA-N ethyl(triphenoxy)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](OC=1C=CC=CC=1)(CC)OC1=CC=CC=C1 HGWSCXYVBZYYDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KUCGHDUQOVVQED-UHFFFAOYSA-N ethyl(tripropoxy)silane Chemical compound CCCO[Si](CC)(OCCC)OCCC KUCGHDUQOVVQED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYEJNNDSIXAGNK-UHFFFAOYSA-N ethyl-tri(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CC(C)O[Si](CC)(OC(C)C)OC(C)C MYEJNNDSIXAGNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJXSSHHYRQJMIC-UHFFFAOYSA-N ethyl-tris(2-methylpropoxy)silane Chemical compound CC(C)CO[Si](CC)(OCC(C)C)OCC(C)C IJXSSHHYRQJMIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVQNVYMTWXEMSF-UHFFFAOYSA-N ethyl-tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silane Chemical compound CC(C)(C)O[Si](CC)(OC(C)(C)C)OC(C)(C)C ZVQNVYMTWXEMSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- JKGQTAALIDWBJK-UHFFFAOYSA-N fluoro(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](F)(OC)OC JKGQTAALIDWBJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- QNVRIHYSUZMSGM-UHFFFAOYSA-N hexan-2-ol Chemical compound CCCCC(C)O QNVRIHYSUZMSGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXTNIJMLAQNTEG-UHFFFAOYSA-N hexan-2-yl acetate Chemical compound CCCCC(C)OC(C)=O RXTNIJMLAQNTEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical class I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229940039717 lanolin Drugs 0.000 description 1
- 235000019388 lanolin Nutrition 0.000 description 1
- KQQKGWQCNNTQJW-UHFFFAOYSA-N linolenic acid Natural products CC=CCCC=CCC=CCCCCCCCC(O)=O KQQKGWQCNNTQJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960004488 linolenic acid Drugs 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 125000005397 methacrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 1
- ARYZCSRUUPFYMY-UHFFFAOYSA-N methoxysilane Chemical compound CO[SiH3] ARYZCSRUUPFYMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MOVBJUGHBJJKOW-UHFFFAOYSA-N methyl 2-amino-5-methoxybenzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC(OC)=CC=C1N MOVBJUGHBJJKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMXBRVLCKXGWSS-UHFFFAOYSA-N methyl 2-cyclohexylacetate Chemical compound COC(=O)CC1CCCCC1 IMXBRVLCKXGWSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229940043265 methyl isobutyl ketone Drugs 0.000 description 1
- 229940057867 methyl lactate Drugs 0.000 description 1
- DRXHEPWCWBIQFJ-UHFFFAOYSA-N methyl(triphenoxy)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](OC=1C=CC=CC=1)(C)OC1=CC=CC=C1 DRXHEPWCWBIQFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJMRIDVWCWSWFR-UHFFFAOYSA-N methyl(tripropoxy)silane Chemical compound CCCO[Si](C)(OCCC)OCCC RJMRIDVWCWSWFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HLXDKGBELJJMHR-UHFFFAOYSA-N methyl-tri(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CC(C)O[Si](C)(OC(C)C)OC(C)C HLXDKGBELJJMHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FNESLWWAXUSYEI-UHFFFAOYSA-N methyl-tris(2-methylpropoxy)silane Chemical compound CC(C)CO[Si](C)(OCC(C)C)OCC(C)C FNESLWWAXUSYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N n-Octanol Natural products CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940017144 n-butyl lactate Drugs 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N n-hexanoic acid Natural products CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJWFXCIHNDVPSH-UHFFFAOYSA-N octan-2-ol Chemical compound CCCCCCC(C)O SJWFXCIHNDVPSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 229960002969 oleic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000021313 oleic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000004010 onium ions Chemical class 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- JYVLIDXNZAXMDK-UHFFFAOYSA-N pentan-2-ol Chemical compound CCCC(C)O JYVLIDXNZAXMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GXOHBWLPQHTYPF-UHFFFAOYSA-N pentyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCCCCOC(=O)C(C)O GXOHBWLPQHTYPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N phenyl(114C)methanol Chemical compound O[14CH2]C1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N 0.000 description 1
- FABOKLHQXVRECE-UHFFFAOYSA-N phenyl(tripropoxy)silane Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)C1=CC=CC=C1 FABOKLHQXVRECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPLNCHFJAOKWBT-UHFFFAOYSA-N phenyl-tri(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CC(C)O[Si](OC(C)C)(OC(C)C)C1=CC=CC=C1 VPLNCHFJAOKWBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004714 phosphonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 229920001748 polybutylene Polymers 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000379 polypropylene carbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000166 polytrimethylene carbonate Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- SZEGZMUSBCXNLO-UHFFFAOYSA-N propan-2-yl(tripropoxy)silane Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)C(C)C SZEGZMUSBCXNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YHNFWGSEMSWPBF-UHFFFAOYSA-N propan-2-yl-tri(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CC(C)O[Si](OC(C)C)(OC(C)C)C(C)C YHNFWGSEMSWPBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 description 1
- DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N sec-butyl acetate Chemical compound CCC(C)OC(C)=O DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-O selenonium Chemical class [SeH3+] SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical compound [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000000600 sorbitol Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- 229960004274 stearic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000003432 sterols Chemical class 0.000 description 1
- 235000003702 sterols Nutrition 0.000 description 1
- HISNRBVYBOVKMB-UHFFFAOYSA-N stibonium Chemical class [SbH4+] HISNRBVYBOVKMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003011 styrenyl group Chemical class [H]\C(*)=C(/[H])C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ASEHKQZNVUOPRW-UHFFFAOYSA-N tert-butyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C(C)(C)C ASEHKQZNVUOPRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXLWJGIPGJFBEZ-UHFFFAOYSA-N tert-butyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C(C)(C)C HXLWJGIPGJFBEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBCWQJZHAOTDLY-UHFFFAOYSA-N tert-butyl(triphenoxy)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](OC=1C=CC=CC=1)(C(C)(C)C)OC1=CC=CC=C1 YBCWQJZHAOTDLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UTIRVQGNGQSJNF-UHFFFAOYSA-N tert-butyl(tripropoxy)silane Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)C(C)(C)C UTIRVQGNGQSJNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVEXJEOBOQONBC-UHFFFAOYSA-N tert-butyl-tri(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CC(C)O[Si](OC(C)C)(OC(C)C)C(C)(C)C HVEXJEOBOQONBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IFZAQCCMLIRFEJ-UHFFFAOYSA-N tert-butyl-tris(2-methylpropoxy)silane Chemical compound CC(C)CO[Si](OCC(C)C)(OCC(C)C)C(C)(C)C IFZAQCCMLIRFEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULXGRUZMLVGCGL-UHFFFAOYSA-N tert-butyl-tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silane Chemical compound CC(C)(C)O[Si](OC(C)(C)C)(OC(C)(C)C)C(C)(C)C ULXGRUZMLVGCGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- OQTSOKXAWXRIAC-UHFFFAOYSA-N tetrabutan-2-yl silicate Chemical compound CCC(C)O[Si](OC(C)CC)(OC(C)CC)OC(C)CC OQTSOKXAWXRIAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N tetrabutyl silicate Chemical compound CCCCO[Si](OCCCC)(OCCCC)OCCCC UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZLFLBLQUQXARW-UHFFFAOYSA-N tetrabutylammonium Chemical compound CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC DZLFLBLQUQXARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRMUNVKIHCOMHV-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium bromide Chemical compound [Br-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC JRMUNVKIHCOMHV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BRGJIIMZXMWMCC-UHFFFAOYSA-N tetradecan-2-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCC(C)O BRGJIIMZXMWMCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSECNWXDEZOMPD-UHFFFAOYSA-N tetrakis(2-methoxyethyl) silicate Chemical compound COCCO[Si](OCCOC)(OCCOC)OCCOC JSECNWXDEZOMPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMJCGNIRAUBAEJ-UHFFFAOYSA-N tetrakis(3-methoxypropyl) silicate Chemical compound COCCCO[Si](OCCCOC)(OCCCOC)OCCCOC HMJCGNIRAUBAEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VNRWTCZXQWOWIG-UHFFFAOYSA-N tetrakis(trimethylsilyl) silicate Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](O[Si](C)(C)C)(O[Si](C)(C)C)O[Si](C)(C)C VNRWTCZXQWOWIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOJSDHZZKKYWAS-UHFFFAOYSA-N tetrakis(trimethylsilyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)[Si]([Si](C)(C)C)([Si](C)(C)C)[Si](C)(C)C BOJSDHZZKKYWAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJWLYSOPXUSOQB-UHFFFAOYSA-N tetrakis[2-(2-methoxyethoxy)ethyl] silicate Chemical compound COCCOCCO[Si](OCCOCCOC)(OCCOCCOC)OCCOCCOC AJWLYSOPXUSOQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDFYFBUWEBINLX-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium bromide Chemical compound [Br-].C[N+](C)(C)C DDFYFBUWEBINLX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ADLSSRLDGACTEX-UHFFFAOYSA-N tetraphenyl silicate Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](OC=1C=CC=CC=1)(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 ADLSSRLDGACTEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUEKXCXHTXJYAR-UHFFFAOYSA-N tetrapropan-2-yl silicate Chemical compound CC(C)O[Si](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C ZUEKXCXHTXJYAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N tetrapropyl silicate Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)OCCC ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCLLLHFGVQKVKL-UHFFFAOYSA-N tetratert-butyl silicate Chemical compound CC(C)(C)O[Si](OC(C)(C)C)(OC(C)(C)C)OC(C)(C)C BCLLLHFGVQKVKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQVCTPXBBSKLFS-UHFFFAOYSA-N tri(propan-2-yloxy)-propylsilane Chemical compound CCC[Si](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C MQVCTPXBBSKLFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DEKZKCDJQLBBRA-UHFFFAOYSA-N tributoxy(butyl)silane Chemical compound CCCCO[Si](CCCC)(OCCCC)OCCCC DEKZKCDJQLBBRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GIHPVQDFBJMUAO-UHFFFAOYSA-N tributoxy(ethyl)silane Chemical compound CCCCO[Si](CC)(OCCCC)OCCCC GIHPVQDFBJMUAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYZQBXUDWTVJDF-UHFFFAOYSA-N tributoxy(methyl)silane Chemical compound CCCCO[Si](C)(OCCCC)OCCCC GYZQBXUDWTVJDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INUOIYMEJLOQFN-UHFFFAOYSA-N tributoxy(phenyl)silane Chemical compound CCCCO[Si](OCCCC)(OCCCC)C1=CC=CC=C1 INUOIYMEJLOQFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEZQEMOONYYJBM-UHFFFAOYSA-N tributoxy(propan-2-yl)silane Chemical compound CCCCO[Si](OCCCC)(OCCCC)C(C)C LEZQEMOONYYJBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WAAWAIHPWOJHJJ-UHFFFAOYSA-N tributoxy(propyl)silane Chemical compound CCCCO[Si](CCC)(OCCCC)OCCCC WAAWAIHPWOJHJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVXBTESZGSNIIB-UHFFFAOYSA-N tributoxy(tert-butyl)silane Chemical compound CCCCO[Si](OCCCC)(OCCCC)C(C)(C)C MVXBTESZGSNIIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLGWXNBXAXOQBG-UHFFFAOYSA-N triethoxy(3,3,3-trifluoropropyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCC(F)(F)F ZLGWXNBXAXOQBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(ethyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC)(OCC)OCC DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XVYIJOWQJOQFBG-UHFFFAOYSA-N triethoxy(fluoro)silane Chemical compound CCO[Si](F)(OCC)OCC XVYIJOWQJOQFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(phenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBXZNTLFQLUFES-UHFFFAOYSA-N triethoxy(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](OCC)(OCC)OCC NBXZNTLFQLUFES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N triflic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)F ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTMJRVHEBLESPE-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C(F)(F)C(F)(F)F RTMJRVHEBLESPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGROXJWYRXANBB-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(propan-2-yl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C(C)C LGROXJWYRXANBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](OC)(OC)OC HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORVBHOQTQDOUIW-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(trifluoromethyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C(F)(F)F ORVBHOQTQDOUIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IXJNGXCZSCHDFE-UHFFFAOYSA-N triphenoxy(phenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](C=1C=CC=CC=1)(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 IXJNGXCZSCHDFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FNNJGIKXHZZGCV-UHFFFAOYSA-N triphenoxy(propan-2-yl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](OC=1C=CC=CC=1)(C(C)C)OC1=CC=CC=C1 FNNJGIKXHZZGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMUIJRKZTXWCEA-UHFFFAOYSA-N triphenoxy(propyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](OC=1C=CC=CC=1)(CCC)OC1=CC=CC=C1 AMUIJRKZTXWCEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VUWVDNLZJXLQPT-UHFFFAOYSA-N tripropoxy(propyl)silane Chemical compound CCCO[Si](CCC)(OCCC)OCCC VUWVDNLZJXLQPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OZWKZRFXJPGDFM-UHFFFAOYSA-N tripropoxysilane Chemical compound CCCO[SiH](OCCC)OCCC OZWKZRFXJPGDFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJEMIBXFOHYKMS-UHFFFAOYSA-N tris(2-methylpropoxy)-phenylsilane Chemical compound CC(C)CO[Si](OCC(C)C)(OCC(C)C)C1=CC=CC=C1 PJEMIBXFOHYKMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MOGQHPIOEFLJQH-UHFFFAOYSA-N tris(2-methylpropoxy)-propan-2-ylsilane Chemical compound CC(C)CO[Si](OCC(C)C)(OCC(C)C)C(C)C MOGQHPIOEFLJQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POQYUENPWRRXNK-UHFFFAOYSA-N tris(2-methylpropoxy)-propylsilane Chemical compound CC(C)CO[Si](CCC)(OCC(C)C)OCC(C)C POQYUENPWRRXNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGOOITCIBGXHJO-UHFFFAOYSA-N tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]-phenylsilane Chemical compound CC(C)(C)O[Si](OC(C)(C)C)(OC(C)(C)C)C1=CC=CC=C1 KGOOITCIBGXHJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MJIHPVLPZKWFBL-UHFFFAOYSA-N tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]-propan-2-ylsilane Chemical compound CC(C)(C)O[Si](C(C)C)(OC(C)(C)C)OC(C)(C)C MJIHPVLPZKWFBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIZPPYBTFPZSGK-UHFFFAOYSA-N tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]-propylsilane Chemical compound CCC[Si](OC(C)(C)C)(OC(C)(C)C)OC(C)(C)C DIZPPYBTFPZSGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMUJIPOFTAHSOK-UHFFFAOYSA-N undecan-2-ol Chemical compound CCCCCCCCCC(C)O XMUJIPOFTAHSOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- H01L2924/30—Technical effects
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- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
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Description
v=k/√ε …(3)、
(1)シロキサン樹脂を含有して成り、流動性を有し、且つ、基体上に塗布された膜状態において熱が印加されたときに硬化してシリカ系被膜が形成されるシリカ系被膜形成用組成物であって、
150℃で3分間加熱したときに得られる前記シリカ系被膜の応力が10MPa以上となり、且つ、最終硬化により得られるシリカ系被膜の比誘電率が3.0未満となるような硬化特性を有する、
シリカ系被膜形成用組成物。
前記膜状態において第1の加熱温度で予備硬化され、さらにその後該第1の加熱温度よりも高い第2の加熱温度で最終硬化されたときに、該第2の加熱温度で最終硬化されたときのシリカ系被膜の第2の応力が、該第1の加熱温度で硬化されたときのシリカ系被膜の第1の応力よりも小さくなるような硬化特性を有する、
シリカ系被膜形成用組成物。
Modified-Edge Lift-OFF TEST(m−ELT)において求められるパラメータK1の値が0.20以上であり、且つ、最終硬化により得られるシリカ系被膜の比誘電率が3.0未満となるような硬化特性を有する、
シリカ系被膜形成用組成物。
R1 nSiX4−n …(1)、
(式中、R1は、H原子若しくはF原子、又はB原子、N原子、Al原子、P原子、Si原子、Ge原子若しくはTi原子を含む基、又は炭素数1〜20の有機基を示し、Xは加水分解性基を示し、nは0〜2の整数を示し、nが2のとき、各R1は同一でも異なっていてもよく、nが0〜2のとき、各Xは同一でも異なっていてもよい)、
で表される化合物を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂と、
(b)成分:前記(a)成分を溶解可能な溶媒と、
(c)成分:オニウム塩と、
(d)成分:250〜500℃の加熱温度において熱分解又は揮発する熱分解揮発性化合物と、
を含有して成る(1)〜(4)のいずれかに記載のシリカ系被膜形成用組成物。
R1 nSiX4−n …(1)、
(式中、R1は、H原子若しくはF原子、又はB原子、N原子、Al原子、P原子、Si原子、Ge原子若しくはTi原子を含む基、又は炭素数1〜20の有機基を示し、Xは加水分解性基を示し、nは0〜2の整数を示し、nが2のとき、各R1は同一でも異なっていてもよく、nが0〜2のとき、各Xは同一でも異なっていてもよい)、
で表される化合物を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂と、
(b)成分:前記(a)成分を溶解可能な溶媒と、
(c)成分:オニウム塩と、
(e)成分:ヒドロキシル基を含む側鎖を有する重合体と、
を備えており、
前記重合体が、下記式(2);
0<MOH<0.4×10−2 …(2)、
MOH:当該重合体における前記ヒドロキシル基の濃度(mol/g)、
で表される関係を満たすものであるシリカ系被膜形成用組成物。
前記絶縁膜が、(22)又は(23)に記載のシリカ系被膜の製造方法により製造されたシリカ系被膜を含むものである、ことを特徴とする電子部品。
[応力の評価方法]
(1)応力測定用のシリカ系被膜の形成
まず、所定のSiウエハ上に、シリカ系被膜形成用組成物を一定の厚さとなるように塗布して被膜を形成する。具体的には、外径5インチのSiウエハ(厚さ:625±25μm)のオリエンテーションフラットを基準とし、薄膜ストレス測定装置(KLA Tencor社製の装置、型式:FLX−2320)内の所定位置に収容し、周囲温度23℃±2℃、及び湿度40%±10%の雰囲気下で、このSiウエハの‘反り’の量(初期値)を計測しておく。
R1 nSiX4−n …(1)、
(式中、R1は、H原子若しくはF原子、又はB原子、N原子、Al原子、P原子、Si原子、Ge原子若しくはTi原子を含む基、又は炭素数1〜20の有機基を示し、Xは加水分解性基を示し、nは0〜2の整数を示し、nが2のとき、各R1は同一でも異なっていてもよく、nが0〜2のとき、各Xは同一でも異なっていてもよい)で表される化合物を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂と、(b)成分:(a)成分を溶解可能な溶媒と、(c)成分:オニウム塩と、(d)成分:250〜500℃の加熱温度において熱分解又は揮発する熱分解揮発性化合物とを含有して成るものであると好ましい。
(1)応力測定用のシリカ系被膜の形成
まず、所定のSiウエハ上に、シリカ系被膜形成用組成物を一定の厚さとなるように塗布して被膜を形成する。具体的には、外径5インチのSiウエハ(厚さ:625±25μm)のオリエンテーションフラットを基準とし、薄膜ストレス測定装置(KLA Tencor社製の装置、型式:FLX−2320)内の所定位置に収容し、周囲温度23℃±2℃、及び湿度40%±10%の雰囲気下で、このSiウエハの‘反り’の量(初期値)を計測しておく。
R1 nSiX4−n …(1)、
(式中、R1は、H原子若しくはF原子、又はB原子、N原子、Al原子、P原子、Si原子、Ge原子若しくはTi原子を含む基、又は炭素数1〜20の有機基を示し、Xは加水分解性基を示し、nは0〜2の整数を示し、nが2のとき、各R1は同一でも異なっていてもよく、nが0〜2のとき、各Xは同一でも異なっていてもよい)で表される化合物を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂と、(b)成分:(a)成分を溶解可能な溶媒と、(c)成分:オニウム塩と、(d)成分:250〜500℃の加熱温度において熱分解又は揮発する熱分解揮発性化合物とを含有して成るものであると好ましい。
(1)K1評価用のシリカ系被膜の形成
まず、所定のSiウエハ上に、シリカ系被膜形成用組成物を一定の厚さとなるように塗布して被膜を形成する。具体的には、8インチSiウエハ(厚さ:725±25μm)上に、シリカ系被膜形成用組成物を厚さが0.5〜0.6μmとなるようにスピンコート法で塗布して被膜を形成する。その後、このSiウエハを150℃/1分+250℃/1分の条件で加熱処理し、組成物に含まれる溶媒等を除去して予備硬化させ、更に窒素(N2)ガス雰囲気下、400℃/30分で加熱処理して最終硬化させ、シリカ系被膜を形成せしめる。
以下の測定には、上記(1)でシリカ系被膜が形成された8インチSiウエハの中心部3.5cm×7cmの部位を試験片として用いる。まず、当該試験片の厚さh1を、Union Tool製のマイクロファインにより測定する。
・降温開始温度:100℃、
・降温終了温度:−175℃、
・降温速度:3℃/分、
で降温した際に、被着しているエポキシ樹脂が剥離した温度T(℃)を読み取る。
K1=σ×{(h1−h2)/2}1/2 …(5)、
σ=-0.0002×T2−0.192×T+24.0 …(6)、
で表される関係からK1値を算出する。
R1 nSiX4−n …(1)、
(式中、R1は、H原子若しくはF原子、又はB原子、N原子、Al原子、P原子、Si原子、Ge原子若しくはTi原子を含む基、又は炭素数1〜20の有機基を示し、Xは加水分解性基を示し、nは0〜2の整数を示し、nが2のとき、各R1は同一でも異なっていてもよく、nが0〜2のとき、各Xは同一でも異なっていてもよい)で表される化合物を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂と、(b)成分:(a)成分を溶解可能な溶媒と、(c)成分:オニウム塩と、(d)成分:250〜500℃の加熱温度において熱分解又は揮発する熱分解揮発性化合物とを含有して成るものであると好ましい。
R1 nSiX4−n …(1)、
で表される化合物を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂と、(b)成分:アルキレングリコールアルキルエーテルアルキルエステル又はアルキレングリコールアルキルエーテルアセテートから成る第1の溶媒成分、及び、アルキレングリコールモノアルキルエーテルから成る第2の溶媒成分を含む溶媒と、(e)成分:ヒドロキシル基を含む側鎖を有する重合体と、(c)成分:オニウム塩(オニウム化合物)とを備えており、(e)成分である重合体が、下記式(2);
0<MOH<0.4×10−2 …(2)、
で表される関係を満たすものである。
ここで、本発明におけるシリカ系被膜の「比誘電率」とは、23℃±2℃、湿度40±10%の雰囲気下で測定された値をいい、Al金属とN型低抵抗率基板(Siウエハ)間の電荷容量の測定から求められる。具体的には、まず、比誘電率測定用のシリカ系被膜を形成する。
シリカ系被膜の比誘電率=3.597×10−2×電荷容量(pF)×被膜の膜厚(μm) …(7)、
に代入し、シリカ系被膜の比誘電率を算出する。
ここで、本発明におけるシリカ系被膜の「弾性率」とは、被膜の表面近傍における弾性率であり、MTS社製のナノインデンターDCMを用いて測定される値をいう。測定用のシリカ系被膜は、[比誘電率測定方法]で説明したのと同様にして作成したものを用いる。このとき、シリカ系被膜の膜厚が薄いと下地の影響を受けてしまうため、上述したように、最初の被膜厚さを0.5〜0.6μmとすることが好ましい。
dL/dt×1/L=0.05(sec−1) …(8)
で表される関係を満たすように変動させる。
このような本発明のシリカ系被膜形成用組成物の具体的な組成としては、例えば、以下の(a)成分、(b)成分、(c)成分、及び(d)成分を必須成分として含むものが挙げられる。
(a)成分は、下記式(1);
R1 nSiX4−n …(1)、
で表される化合物を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂である。
M=(M1+(M2/2)+(M3/3))/Msi …(6)
で表される関係を用いて算出できる。
(b)成分は、(a)成分すなわち前述のシロキサン樹脂を溶解可能な溶媒であり、例えば、メタノール、エタノール、n−プロパノール、i−プロパノール、n−ブタノール、i−ブタノール、sec−ブタノール、t−ブタノール、n−ペンタノール、i−ペンタノール、2−メチルブタノール、sec−ペンタノール、t−ペンタノール、3−メトキシブタノール、n−ヘキサノール、2−メチルペンタノール、sec−ヘキサノール、2−エチルブタノール、sec−ヘプタノール、n−オクタノール、2−エチルヘキサノール、sec−オクタノール、n−ノニルアルコール、n−デカノール、sec−ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、sec−テトラデシルアルコール、sec−ヘプタデシルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、エチレングリコール、1,2−プロピレングリコール、1,3−ブチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等のアルコール系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、メチル−n−プロピルケトン、メチル−n−ブチルケトン、メチル−iso−ブチルケトン、メチル−n−ペンチルケトン、メチル−n−ヘキシルケトン、ジエチルケトン、ジ−iso−ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチルシクロヘキサノン、2,4−ペンタンジオン、アセトニルアセトン、ジアセトンアルコール、アセトフェノン、γ−ブチロラクトン等のケトン系溶媒、エチルエーテル、iso−プロピルエーテル、n−ブチルエーテル、n−ヘキシルエーテル、2−エチルヘキシルエーテル、エチレンオキシド、1,2−プロピレンオキシド、ジオキソラン、4−メチルジオキソラン、ジオキサン、ジメチルジオキサン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールモノ−n−ヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ−2−エチルブチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ−n−ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−n−ヘキシルエーテル、エトキシトリグリコール、テトラエチレングリコールジ−n−ブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、テトラヒドロフラン、2−メチルテトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n−プロピル、酢酸i−プロピル、酢酸n−ブチル、酢酸i−ブチル、酢酸sec−ブチル、酢酸n−ペンチル、酢酸sec−ペンチル、酢酸3−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸2−エチルブチル、酢酸2−エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸ノニル、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸n−ブチル、プロピオン酸i−アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ−n−ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n−ブチル、乳酸n−アミル等のエステル系溶媒、アセトニトリル、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルスルホキシド等の溶媒を例示できる。これらは単独で又は2種以上を組み合わせて用いられる。
(c)成分は、オニウム塩であり、例えば、アンモニウム塩、ホスホニウム塩、アルソニウム塩、スチボニウム塩、オキソニウム塩、スルホニウム塩、セレノニウム塩、スタンノニウム塩、ヨードニウム塩等が挙げられる。
(d)成分は、250〜500℃の加熱温度で熱分解又は揮発する熱分解揮発性化合物であり、例えば、ポリアルキレンオキサイド構造を有する重合体、(メタ)アクリレート系重合体、ポリエステル重合体、ポリカーボネート重合体、ポリアンハイドライド重合体、テトラキスシラン類等が挙げられる。
また、本発明によるシリカ系被膜形成用組成物としては、必須成分として(a)成分、(b)成分、及び以下に示す(e)成分を含むものであってもよい。以下、このシリカ系被膜形成用組成物について説明する。
[第1の形態]で述べたものと同様である。
本形態における(b)成分は、(a)成分すなわち前述のシロキサン樹脂を溶解可能な溶媒であって、特に、アルキレングリコールアルキルエーテルアルキルエステル又はアルキレングリコールアルキルエーテルアセテートから成る第1の溶媒成分、及び、アルキレングリコールモノアルキルエーテルから成る第2の溶媒成分を必須成分として含む溶媒であることが望ましい。
(e)成分は、ヒドロキシル基を含む側鎖を有しており、且つ、側鎖におけるヒドロキシル基の濃度MOH(mol/g)が下記式(9);
0<MOH<0.4×10−2 …(9)、
で表される関係を満たす重合体である。
MOH=(Ma×Mb/Mb)/Mh×100 …(10)、
で表される関係を用いて算出できる。
・使用装置:TG/DTA6300(セイコーインスツルメンツ社製)
・昇温開始温度:50℃
・昇温速度:10℃/min
・サンプル量:10mg
・雰囲気:窒素(N2)ガス 200ml/min
・リファレンス:α−アルミナ(セイコーインスツルメンツ社製)
・試料容器:オープンサンプルパンφ5 アルミニウム(セイコーインスツルメンツ社製)
本発明のシリカ系被膜形成用組成物を用いて成るシリカ系被膜を有する電子部品としては、半導体素子、多層配線板等の絶縁膜を有するデバイスが挙げられる。
以下の手順により(d)成分である熱分解揮発性化合物を合成した。まず、1000mlのフラスコにプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)を300g仕込み、200mlの滴下ロートにアゾビスイソブチロニトリル(AIBN)2.0gを溶解させたメタクリル酸メチル100gを仕込み、系内を窒素ガスで置換した後、窒素ガス雰囲気下、130℃のオイルバスで加熱攪拌しながら、滴下ロート内の溶液を2時間かけてフラスコ内に滴下した。
テトラエトキシシラン116.7gとメチルトリエトキシシラン78.5gとをプロピレングリコールモノプロピルエーテル(PGP)339.8gに溶解させた溶液中に、70%硝酸0.92gを溶解させた水64.2gを、攪拌下で30分かけて滴下した。滴下終了後5時間反応させ、ポリシロキサン溶液を得た。
合成例1−2で得たポリシロキサン溶液200gと、合成例1−1で得た液状の熱分解揮発性化合物48.7gとを300mlナスフラスコに収容し、2時間攪拌した。次に、ロータリーエバポレーターを用いた減圧下、温浴中で生成エタノール及び低沸点物質を留去して液状の180.0gのポリシロキサン/熱分解揮発性化合物を得た。次いで、この溶液に2.4%のテトラメチルアンモニウム硝酸塩水溶液13.5gを添加して本発明のシリカ系被膜形成用組成物を調製した。
以下の手順により(d)成分である熱分解揮発性化合物を合成した。まず、1000mlのフラスコにPGMEAを300g仕込み、200mlの滴下ロートにAIBN2.0gを溶解させたメタクリル酸メチル95gと2−ヒドロキシエチルメタクリレート5gとを仕込み、系内を窒素ガスで置換した後、窒素ガス雰囲気下、130℃のオイルバスで加熱攪拌しながら、滴下ロート内の溶液を2時間かけてフラスコ内に滴下した。
合成例1−2で得たポリシロキサン溶液200gと、合成例1−3で得た液状の熱分解揮発性化合物47.5gとを300mlナスフラスコに収容し、2時間攪拌した。次に、ロータリーエバポレーターを用いた減圧下、温浴中で生成エタノール及び低沸点物質を留去して液状の180.0gのポリシロキサン/熱分解揮発性化合物を得た。次いで、この溶液に2.4%のテトラメチルアンモニウム硝酸塩水溶液13.5gを添加して本発明のシリカ系被膜形成用組成物を調製した。
合成例1−2で得たポリシロキサン溶液200gと、合成例1−1で得た液状の熱分解揮発性化合物48.7gとを300mlナスフラスコに収容し、2時間攪拌した。次に、ロータリーエバポレーターを用いた減圧下、温浴中で生成エタノール及び低沸点物質を留去して液状の180.0gのポリシロキサン/熱分解揮発性化合物から成るシリカ系被膜形成用組成物を調製した。
(1)シリカ系被膜の形成及び膜厚等の測定
実施例1−1及び1−2並びに比較例1−1で得たシリカ系被膜形成用組成物を回転数1250rpm/30秒で複数のSiウエハ上にそれぞれ回転塗布して被膜を形成した。回転塗布後、各Siウエハを150℃/3分の加熱処理に供し、被膜中の溶媒を除去してシリカ系被膜を形成した。
得られた‘反り’の変位量、上記の膜厚測定値、及びその他のパラメータ値を式(4)に代入し、各シリカ系被膜の応力を算出した。結果を膜厚と共に表1−1に示す。
上記〈応力評価1〉で形成したシリカ系被膜の比誘電率を、上述した[比誘電率の測定方法]に従って測定した。結果を表1−1に併記する。
上記〈応力評価1〉で形成したシリカ系被膜の弾性率を、上述した[弾性率の測定方法]に従って測定した。結果を表1−1に併記する。
実施例1−2で形成したシリカ系被膜及び従来の組成物(従来品)を用いて形成したシリカ系被膜に対し、測定装置として理学電機工業(株)社製のX線回折装置ATX−Gを用い、X線散漫散乱データの解析によって各膜の空孔分布を測定した。図1は、得られた空孔分布(空孔径で規格化したもの)を示すグラフであり、図中曲線L1,L2は、それぞれ実施例1−2及び従来品のシリカ系被膜に対して得られた頻度分布を平滑化して示すものである。また、これらの空孔分布から得られた平均空孔径及び最高頻度空孔径の結果を表1−2に示す。
以下の手順により(d)成分である熱分解揮発性化合物を合成した。まず、1000mlのフラスコにプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)を300g仕込み、200mlの滴下ロートにアゾビスイソブチロニトリル(AIBN)2.0gを溶解させたメタクリル酸メチル95gと2−ヒドロキシエチルメタクリレート5gとを仕込み、系内を窒素ガスで置換した後、窒素ガス雰囲気下、130℃のオイルバスで加熱攪拌しながら、滴下ロート内の溶液を2時間かけてフラスコ内に滴下した。
テトラエトキシシラン116.7gとメチルトリエトキシシラン78.5gとをプロピレングリコールモノプロピルエーテル(PGP)339.8gに溶解させた溶液中に、70%硝酸0.92gを溶解させた水64.2gを、攪拌下で30分かけて滴下した。滴下終了後5時間反応させ、ポリシロキサン溶液を得た。
合成例2−2で得たポリシロキサン溶液200gと、合成例2−1で得た液状の熱分解揮発性化合物47.5gとを300mlナスフラスコに収容し、2時間攪拌した。次に、ロータリーエバポレーターを用いた減圧下、温浴中で生成エタノール及び低沸点物質を留去して液状の180.0gのポリシロキサン/熱分解揮発性化合物を得た。次いで、この溶液に2.4%のテトラメチルアンモニウム硝酸塩水溶液13.5gを添加して本発明のシリカ系被膜形成用組成物を調製した。
(1)シリカ系被膜の形成及び膜厚等の測定
実施例1で得たシリカ系被膜形成用組成物を回転数1390rpm/30秒で複数のSiウエハ上にそれぞれ回転塗布して被膜を形成した。回転塗布後、各Siウエハを、150℃/1分+250℃/1分の加熱処理(第1の加熱温度での予備硬化工程)に供し、被膜中の溶媒を除去してシリカ系被膜を形成した。
得られた‘反り’の変位量、上記の膜厚測定値、及びその他のパラメータ値を式(3)に代入し、第1の加熱温度での予備硬化におけるシリカ系被膜の応力(第1の応力)、及び第2の加熱温度での最終硬化におけるシリカ系被膜の応力(第2の応力)を算出した。結果を膜厚と共に表2−1に示す。
上記〈応力評価2〉で形成したシリカ系被膜の比誘電率を、上述した[比誘電率の測定方法]に従って測定した。結果を表2−1に併記する。
上記〈応力評価2〉で形成したシリカ系被膜の弾性率を、上述した[弾性率の測定方法]に従って測定した。結果を表2−1に併記する。
以下の手順により(d)成分である熱分解揮発性化合物を合成した。まず、1000mlのフラスコにPGMEAを300g仕込み、200mlの滴下ロートにAIBN2.0gを溶解させたメタクリル酸メチル95gと2−ヒドロキシエチルメタクリレート5gとを仕込み、系内を窒素ガスで置換した後、窒素ガス雰囲気下、130℃のオイルバスで加熱攪拌しながら、滴下ロート内の溶液を2時間かけてフラスコ内に滴下した。
テトラエトキシシラン132.3gとメチルトリエトキシシラン65.1gとをプロピレングリコールモノプロピルエーテル(PGP)335.94gに溶解させた溶液中に、70%硝酸0.92gを溶解させた水65.8gを、攪拌下で30分かけて滴下した。滴下終了後5時間反応させ、ポリシロキサン溶液を得た。
合成例3−2で得たポリシロキサン溶液200gと、合成例3−1で得た液状の熱分解揮発性化合物53.2gとを300mlナスフラスコに収容し、2時間攪拌した。次に、ロータリーエバポレーターを用いた減圧下、温浴中で生成エタノール及び低沸点物質を留去して液状の180.0gのポリシロキサン/熱分解揮発性化合物を得た。次いで、この溶液に2.4%のテトラメチルアンモニウム硝酸塩水溶液13.5gを添加して本発明のシリカ系被膜形成用組成物を調製した。
合成例3−2で得たポリシロキサン溶液200gと、ポリエチレングリコールモノオレイルエーテル(n≒7、東京化成製)の20wt%PGP溶液44.7gを300mlナスフラスコに収容し、2時間攪拌した。次に、ロータリーエバポレーターを用いた減圧下、温浴中で生成エタノール及び低沸点物質を留去して液状の180.0gのポリシロキサン/熱分解揮発性化合物を得た。次いで、この溶液に2.4%のテトラメチルアンモニウム硝酸塩水溶液13.5gを添加してシリカ系被膜形成用組成物を調製した。
実施例3−1及び比較例3−1で得たシリカ系被膜形成用組成物を回転数1500rpm/30秒で複数のSiウエハ上にそれぞれ回転塗布して被膜を形成した。回転塗布後、各Siウエハを150℃/1分+250℃/1分の加熱処理に供し、被膜中の溶媒を除去してシリカ系被膜を形成した。次いで、O2濃度が100ppm前後にコントロールされた石英チューブ炉で、400℃/30分間熱処理し、層間絶縁膜としてのシリカ系被膜を最終硬化した。
得られた各層間絶縁膜に対して膜厚、比誘電率、弾性率、接着性、及び膜強度評価を以下に示す方法で実施した。結果をまとめて表3−1に示す。
各層間絶縁膜の膜厚を、エリプソメータ(ガートナー社製;エリプソメータL116B、使用波長:633nm)で測定した。具体的には、層間絶縁膜上にHe−Neレーザー光を照射し、指定波長における照射により生じた位相差から求められる膜厚を測定した。
上述した[比誘電率の測定方法]に従って測定した。
上述した[弾性率の測定方法]に従って測定した。
接着性の指標として上述した[Modified-Edge Lift-OFF TEST(m−ELT)の方法]に従ってパラメータK1を求めた。
各層間絶縁膜に対し、層間絶縁膜が研磨されないと考えられる条件でCMP研磨を実施した。具体的には、Siウエハを2cm角に切り出し、スラリーとして日立化成工業(株)製のHS−C430を用い、付加荷重を400gf/cm2で1分間研磨を行い、絶縁膜の残存の有無を調べた。
以下の手順により(e)成分である重合体を合成した。まず、1000mlのフラスコにプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)を300g仕込み、200mlの滴下ロートにアゾビスイソブチロニトリル(AIBN)2.0gを溶解させたメタクリル酸メチル95gと2−ヒドロキシエチルメタクリレート5gとを仕込み、系内を窒素ガスで置換した後、窒素ガス雰囲気下、130℃のオイルバスで加熱攪拌しながら、滴下ロート内の溶液を2時間かけてフラスコ内に滴下した。
テトラエトキシシラン132.3gとメチルトリエトキシシラン65.1gとをプロピレングリコールモノプロピルエーテル(PGP)335.94gに溶解させた溶液中に、70%硝酸0.92gを溶解させた水65.8gを攪拌下で30分かけて滴下した。滴下終了後5時間反応させ、ポリシロキサン溶液を得た。
以下の手順により(e)成分である重合体を合成した。まず、1000mlのフラスコにPGPを300g仕込み、200mlの滴下ロートにAIBN1.7gを溶解させたメタクリル酸メチル45gと2−ヒドロキシエチルメタクリレート55gとを仕込み、系内を窒素ガスで置換した後、窒素ガス雰囲気下、130℃のオイルバスで加熱攪拌しながら、滴下ロート内の溶液を2時間かけてフラスコ内に滴下した。
実施例4−1と同様にして調製したポリシロキサン溶液に、合成例4−2で得た重合体溶液255.6gを添加し、減圧下、温浴中で生成エタノールを留去して650gのポリシロキサン/重合体溶液から成るシリカ系被膜形成用組成物を調製した。
実施例4−1及び比較例4−1で得た各シリカ系被膜形成用組成物を回転数1500rpm/30秒でシリコンウエハ上に回転塗布して被膜を形成した。回転塗布後、150℃/1分+250℃/1分かけて被膜中の溶媒を除去した後、O2濃度が100ppm前後にコントロールされた石英チューブ炉で400℃/30分間かけて被膜を最終硬化し、層間絶縁膜としてのシリカ系被膜を製造した。
得られた各層間絶縁膜に対して以下の方法で膜厚、電気特性、及び膜強度評価を行った。
各層間絶縁膜の膜厚を、〈層間絶縁膜の評価1〉と同様にして測定した。
上述した[比誘電率の測定方法]に従って測定した。
上述した[弾性率の測定方法]に従って測定した。
Claims (16)
- (a)成分:下記式(1);
R1 nSiX4−n …(1)、
(式中、R1は、H原子若しくはF原子、又はB原子、N原子、Al原子、P原子、Si原子、Ge原子若しくはTi原子を含む基、又は炭素数1〜20の有機基を示し、Xは加水分解性基を示し、nは0〜2の整数を示し、nが2のとき、各R1は同一でも異なっていてもよく、nが0〜2のとき、各Xは同一でも異なっていてもよい)、
で表される化合物を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂と、
(b)成分:アルキレングリコールアルキルエーテルアルキルエステル又はアルキレングリコールアルキルエーテルアセテートから成る第1の溶媒成分、及び、アルキレングリコールモノアルキルエーテルから成る第2の溶媒成分を含み、前記(a)成分を溶解可能な溶媒と、
(c)成分:アンモニウム塩と、
(d)成分:250〜500℃の加熱温度において熱分解又は揮発する熱分解揮発性化合物と、
を含有して成り、
前記(c)成分であるアンモニウム塩の含有量は、シリカ系被膜形成用組成物の全量に対して0.001ppm〜1%である、シリカ系被膜形成用組成物。 - 前記(b)成分は、前記第1の溶媒成分と前記第2の溶媒成分との質量含有割合が1:99〜60:40のものである、
請求項1記載のシリカ系被膜形成用組成物。 - 前記第1の溶媒成分がアルキレングリコールメチルエーテルアセテートである、
請求項1又は2に記載のシリカ系被膜形成用組成物。 - 前記第1の溶媒成分がプロピレングリコールアルキルエーテルアセテートである、
請求項1又は2に記載のシリカ系被膜形成用組成物。 - 前記第1の溶媒成分がプロピレングリコールメチルエーテルアセテートである、
請求項1〜4のいずれか一項に記載のシリカ系被膜形成用組成物。 - 前記第2の溶媒成分がプロピレングリコールモノプロピルエーテルである、
請求項1〜5のいずれか一項に記載のシリカ系被膜形成用組成物。 - 硝酸を更に含むことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載のシリカ系被膜形成用組成物。
- 前記(a)成分は、Si原子1モルに対する、H原子、F原子、B原子、N原子、Al原子、P原子、Si原子、Ge原子、Ti原子、及びC原子から成る群より選ばれる少なくとも一種の原子の総含有割合が0.65モル以下のものである、
請求項1〜7のいずれか一項に記載のシリカ系被膜形成用組成物。 - 前記シリカ系被膜は、150℃で3分間加熱したときに得られるシリカ系被膜の応力が10MPa以上となり、且つ、最終硬化により得られるシリカ系被膜の比誘電率が3.0未満となるような硬化特性を有するシリカ系被膜である、
請求項1〜8のいずれか一項に記載のシリカ系被膜形成用組成物。 - 基体上に塗布された膜状態において第1の加熱温度で予備硬化され、さらにその後該第1の加熱温度よりも高い第2の加熱温度で最終硬化されたときに、該第2の加熱温度で最終硬化されたときのシリカ系被膜の第2の応力が、該第1の加熱温度で硬化されたときのシリカ系被膜の第1の応力よりも小さくなるような硬化特性を有する、
請求項1〜8のいずれか一項に記載のシリカ系被膜形成用組成物。 - 前記第1の加熱温度が100℃以上350℃未満の範囲内の温度であり、前記第2の加熱温度が350以上500℃以下の範囲内の温度である、請求項10に記載のシリカ系被膜形成用組成物。
- 前記シリカ系被膜は、Modified-Edge Lift-OFF TEST(m−ELT)において求められるパラメータK1の値が0.20以上であり、且つ、最終硬化により得られるシリカ系被膜の比誘電率が3.0未満となるような硬化特性を有するシリカ系被膜である、
請求項1〜8のいずれか一項に記載のシリカ系被膜形成用組成物。 - 前記(d)成分が、ポリアルキレンオキサイド構造を有する重合体、(メタ)アクリレート系重合体、ポリエステル重合体、ポリカーボネート重合体、ポリアンハイドライド重合体、及びテトラキスシラン類からなる群より選択される少なくとも一種であり、250〜500℃の加熱温度で熱分解又は揮発する熱分解揮発性化合物である請求項1〜12のいずれかに記載のシリカ系被膜形成用組成物。
- 請求項1〜13のいずれか一項に記載のシリカ系被膜形成用組成物を基体上に塗布し、塗布された被膜を加熱して該被膜を硬化せしめるシリカ系被膜の製造方法。
- 請求項1〜13のいずれか一項に記載のシリカ系被膜形成用組成物を基板上に塗布し、塗布された該被膜に含まれる溶媒を除去した後、該被膜を250〜500℃の加熱温度で焼成する、シリカ系被膜の製造方法。
- 素子構造が形成される基体上に絶縁膜が形成された電子部品であって、
前記絶縁膜が、請求項14又は15に記載のシリカ系被膜の製造方法により製造されたシリカ系被膜を含むものである、ことを特徴とする電子部品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008036562A JP4169088B2 (ja) | 2002-02-27 | 2008-02-18 | シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜及びその製造方法、並びに電子部品 |
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002052025 | 2002-02-27 | ||
JP2002060622 | 2002-03-06 | ||
JP2002060620 | 2002-03-06 | ||
JP2002060615 | 2002-03-06 | ||
JP2002127012 | 2002-04-26 | ||
JP2008036562A JP4169088B2 (ja) | 2002-02-27 | 2008-02-18 | シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜及びその製造方法、並びに電子部品 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003571361A Division JP4151579B2 (ja) | 2002-02-27 | 2003-02-26 | シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜及びその製造方法、並びに電子部品 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008195945A JP2008195945A (ja) | 2008-08-28 |
JP4169088B2 true JP4169088B2 (ja) | 2008-10-22 |
Family
ID=27767938
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003571361A Expired - Fee Related JP4151579B2 (ja) | 2002-02-27 | 2003-02-26 | シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜及びその製造方法、並びに電子部品 |
JP2008036562A Expired - Fee Related JP4169088B2 (ja) | 2002-02-27 | 2008-02-18 | シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜及びその製造方法、並びに電子部品 |
JP2008157012A Pending JP2008297550A (ja) | 2002-02-27 | 2008-06-16 | シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜及びその製造方法、並びに電子部品 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003571361A Expired - Fee Related JP4151579B2 (ja) | 2002-02-27 | 2003-02-26 | シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜及びその製造方法、並びに電子部品 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008157012A Pending JP2008297550A (ja) | 2002-02-27 | 2008-06-16 | シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜及びその製造方法、並びに電子部品 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7358300B2 (ja) |
JP (3) | JP4151579B2 (ja) |
KR (4) | KR100820992B1 (ja) |
CN (2) | CN1320073C (ja) |
AU (1) | AU2003211343A1 (ja) |
TW (3) | TW200600557A (ja) |
WO (1) | WO2003072668A1 (ja) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4744077B2 (ja) * | 2003-12-18 | 2011-08-10 | 京セラ株式会社 | シロキサンポリマ皮膜形成方法および光導波路の作製方法 |
JP2005181871A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Kyocera Corp | 光導波路基板 |
US8901268B2 (en) | 2004-08-03 | 2014-12-02 | Ahila Krishnamoorthy | Compositions, layers and films for optoelectronic devices, methods of production and uses thereof |
US20060047034A1 (en) * | 2004-09-02 | 2006-03-02 | Haruaki Sakurai | Composition for forming silica-based film, method of forming silica-based film, and electronic component provided with silica-based film |
US20080260956A1 (en) * | 2004-12-21 | 2008-10-23 | Haruaki Sakurai | Film, Silica Film and Method of Forming the Same, Composition for Forming Silica Film, and Electronic Part |
JP2006213908A (ja) * | 2004-12-21 | 2006-08-17 | Hitachi Chem Co Ltd | シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜の形成方法、シリカ系被膜、及び、電子部品 |
US20060183055A1 (en) * | 2005-02-15 | 2006-08-17 | O'neill Mark L | Method for defining a feature on a substrate |
JP2007031697A (ja) * | 2005-06-10 | 2007-02-08 | Hitachi Chem Co Ltd | 被アルカリ処理被膜形成用組成物、被アルカリ処理被膜及びその製造方法、積層体、反射防止膜、並びに電子部品 |
JP2007031696A (ja) * | 2005-06-10 | 2007-02-08 | Hitachi Chem Co Ltd | 樹脂組成物、シリカ系被膜及びその製造方法、積層体、並びに、電子部品 |
JP2007241018A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Epson Toyocom Corp | 全反射ミラー |
JP5127277B2 (ja) * | 2007-04-05 | 2013-01-23 | 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 | 表面平坦性絶縁膜形成用塗布溶液、表面平坦性絶縁膜被覆基材、及び表面平坦性絶縁膜被覆基材の製造方法 |
MX2011005717A (es) * | 2008-12-05 | 2011-06-17 | Du Pont | Condensados de silice autoensamblados. |
US8557877B2 (en) | 2009-06-10 | 2013-10-15 | Honeywell International Inc. | Anti-reflective coatings for optically transparent substrates |
US20110232677A1 (en) * | 2010-03-29 | 2011-09-29 | Tokyo Electron Limited | Method for cleaning low-k dielectrics |
JP2012049300A (ja) * | 2010-08-26 | 2012-03-08 | Nippon Zeon Co Ltd | 半導体素子基板 |
US8864898B2 (en) | 2011-05-31 | 2014-10-21 | Honeywell International Inc. | Coating formulations for optical elements |
US9273215B2 (en) * | 2012-10-30 | 2016-03-01 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Adhesion promoter |
US9196849B2 (en) * | 2013-01-09 | 2015-11-24 | Research & Business Foundation Sungkyunkwan University | Polymer/inorganic multi-layer encapsulation film |
KR101506801B1 (ko) * | 2013-08-19 | 2015-03-30 | 성균관대학교산학협력단 | 고강도 저유전 플라즈마 중합체 박막 및 그 제조 방법 |
US9371430B2 (en) | 2013-08-19 | 2016-06-21 | Research & Business Foundation Sungkyunkwan University | Porous film with high hardness and a low dielectric constant and preparation method thereof |
US9153357B1 (en) * | 2014-03-27 | 2015-10-06 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Adhesion promoter |
JP6451376B2 (ja) * | 2015-01-20 | 2019-01-16 | 三菱マテリアル株式会社 | 低屈折率膜形成用液組成物 |
WO2016167892A1 (en) | 2015-04-13 | 2016-10-20 | Honeywell International Inc. | Polysiloxane formulations and coatings for optoelectronic applications |
US11747341B2 (en) | 2019-03-04 | 2023-09-05 | Waters Technologies Corporation | Methods of use for low-bind polypropylene plates and vials |
Family Cites Families (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2914427A1 (de) * | 1979-04-10 | 1980-10-23 | Bayer Ag | Beschichtung fuer thermoplasten |
US5820923A (en) * | 1992-11-02 | 1998-10-13 | Dow Corning Corporation | Curing silica precursors by exposure to nitrous oxide |
JP3824334B2 (ja) | 1995-08-07 | 2006-09-20 | 東京応化工業株式会社 | シリカ系被膜形成用塗布液及び被膜形成方法 |
EP0798054B1 (en) * | 1996-02-28 | 2003-09-03 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Process for producing a coated film continuously |
US5880187A (en) * | 1996-04-24 | 1999-03-09 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Top coating compositions |
US6586104B2 (en) * | 1996-06-24 | 2003-07-01 | Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd. | Coating liquid for forming a transparent coating and substrate with a transparent coating |
US6025077A (en) * | 1996-12-13 | 2000-02-15 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Silicone emulsion coating composition and processes for the preparation thereof |
JP4321686B2 (ja) | 1998-04-24 | 2009-08-26 | 旭化成株式会社 | 有機−無機複合体および多孔質ケイ素酸化物の製造方法 |
JPH11322992A (ja) | 1998-05-18 | 1999-11-26 | Jsr Corp | 多孔質膜 |
JP2000049155A (ja) | 1998-07-31 | 2000-02-18 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置 |
JP2000290590A (ja) | 1999-04-12 | 2000-10-17 | Jsr Corp | 膜形成用組成物、膜の形成方法および低密度化膜 |
JP4096138B2 (ja) * | 1999-04-12 | 2008-06-04 | Jsr株式会社 | レジスト下層膜用組成物の製造方法 |
JP2000299316A (ja) * | 1999-04-12 | 2000-10-24 | Jsr Corp | 膜形成用組成物、膜の形成方法および低密度化膜 |
JP2001002994A (ja) * | 1999-06-24 | 2001-01-09 | Jsr Corp | 膜形成用組成物、膜の形成方法および低密度化膜 |
JP2001055554A (ja) * | 1999-08-20 | 2001-02-27 | Jsr Corp | 膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料 |
US6589889B2 (en) * | 1999-09-09 | 2003-07-08 | Alliedsignal Inc. | Contact planarization using nanoporous silica materials |
TWI260332B (en) | 1999-09-16 | 2006-08-21 | Hitachi Chemical Co Ltd | Compositions, methods of forming low dielectric coefficient film using the composition, low dielectric coefficient films, and electronic components having the film |
US20040253462A1 (en) * | 1999-09-16 | 2004-12-16 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Composition, methods for forming low-permittivity film using the composition, low-permittivity film, and electronic part having the low-permittivity film |
JP2001098218A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-04-10 | Hitachi Chem Co Ltd | シリカ系被膜、シリカ系被膜の形成方法及びシリカ系被膜を有する電子部品 |
JP2001351911A (ja) | 2000-04-03 | 2001-12-21 | Ulvac Japan Ltd | 多孔質sog膜の作製方法 |
US6576568B2 (en) | 2000-04-04 | 2003-06-10 | Applied Materials, Inc. | Ionic additives for extreme low dielectric constant chemical formulations |
US7265062B2 (en) * | 2000-04-04 | 2007-09-04 | Applied Materials, Inc. | Ionic additives for extreme low dielectric constant chemical formulations |
JP4574054B2 (ja) | 2000-04-28 | 2010-11-04 | 三井化学株式会社 | 撥水性多孔質シリカ、その製造方法および用途 |
EP1160848B1 (en) * | 2000-05-22 | 2011-10-05 | JSR Corporation | Composition for silica-based film formation |
JP2002020689A (ja) | 2000-07-07 | 2002-01-23 | Jsr Corp | 膜形成用組成物の製造方法、膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜 |
JP4697363B2 (ja) * | 2000-08-21 | 2011-06-08 | Jsr株式会社 | 膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料 |
JP2002129103A (ja) | 2000-10-23 | 2002-05-09 | Jsr Corp | 膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料 |
US6947651B2 (en) * | 2001-05-10 | 2005-09-20 | Georgia Tech Research Corporation | Optical waveguides formed from nano air-gap inter-layer dielectric materials and methods of fabrication thereof |
JP2003131001A (ja) * | 2001-05-25 | 2003-05-08 | Shipley Co Llc | 多孔性光学物質 |
JP2003041191A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-13 | Jsr Corp | 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜 |
JP4972834B2 (ja) * | 2001-08-28 | 2012-07-11 | 日立化成工業株式会社 | シロキサン樹脂 |
JP2003064307A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-05 | Hitachi Chem Co Ltd | シリカ系被膜、シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜の製造方法及び電子部品 |
AU2002352903A1 (en) * | 2001-11-21 | 2003-06-10 | University Of Massachusetts | Mesoporous materials and methods |
JP3702842B2 (ja) | 2001-12-04 | 2005-10-05 | 日立化成工業株式会社 | シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜、シリカ系被膜の製造方法及び電子部品 |
WO2003088343A1 (en) * | 2002-04-10 | 2003-10-23 | Honeywell International, Inc. | New porogens for porous silica dielectric for integral circuit applications |
US20050173803A1 (en) | 2002-09-20 | 2005-08-11 | Victor Lu | Interlayer adhesion promoter for low k materials |
-
2003
- 2003-02-26 JP JP2003571361A patent/JP4151579B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-02-26 KR KR1020057015194A patent/KR100820992B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-02-26 AU AU2003211343A patent/AU2003211343A1/en not_active Abandoned
- 2003-02-26 KR KR10-2004-7013253A patent/KR20040094732A/ko active Search and Examination
- 2003-02-26 CN CNB2004100970894A patent/CN1320073C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-02-26 CN CNB038048167A patent/CN100491486C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-02-26 KR KR1020047019649A patent/KR100819226B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-02-26 WO PCT/JP2003/002157 patent/WO2003072668A1/ja active Application Filing
- 2003-02-26 KR KR1020077005209A patent/KR100795251B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-02-27 TW TW094127342A patent/TW200600557A/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-02-27 TW TW093140080A patent/TW200514828A/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-02-27 TW TW92104285A patent/TW200400237A/zh not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-08-26 US US10/926,321 patent/US7358300B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-02-18 JP JP2008036562A patent/JP4169088B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-06-16 JP JP2008157012A patent/JP2008297550A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050119394A1 (en) | 2005-06-02 |
CN100491486C (zh) | 2009-05-27 |
US7358300B2 (en) | 2008-04-15 |
TW200400237A (en) | 2004-01-01 |
TWI297717B (ja) | 2008-06-11 |
TW200514828A (en) | 2005-05-01 |
TW200600557A (en) | 2006-01-01 |
TWI304434B (ja) | 2008-12-21 |
KR100795251B1 (ko) | 2008-01-15 |
AU2003211343A1 (en) | 2003-09-09 |
KR100819226B1 (ko) | 2008-04-02 |
JP2008195945A (ja) | 2008-08-28 |
CN1639283A (zh) | 2005-07-13 |
KR20070038574A (ko) | 2007-04-10 |
KR20050095788A (ko) | 2005-09-30 |
CN1637097A (zh) | 2005-07-13 |
JP4151579B2 (ja) | 2008-09-17 |
WO2003072668A1 (en) | 2003-09-04 |
TWI297718B (ja) | 2008-06-11 |
CN1320073C (zh) | 2007-06-06 |
KR100820992B1 (ko) | 2008-04-10 |
JPWO2003072668A1 (ja) | 2005-06-23 |
KR20040094732A (ko) | 2004-11-10 |
KR20050008780A (ko) | 2005-01-21 |
JP2008297550A (ja) | 2008-12-11 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
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|
S533 | Written request for registration of change of name |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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